TW574377B - Sintered tungsten target for sputtering and method for preparation thereof - Google Patents

Sintered tungsten target for sputtering and method for preparation thereof Download PDF

Info

Publication number
TW574377B
TW574377B TW91115515A TW91115515A TW574377B TW 574377 B TW574377 B TW 574377B TW 91115515 A TW91115515 A TW 91115515A TW 91115515 A TW91115515 A TW 91115515A TW 574377 B TW574377 B TW 574377B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sputtering
tungsten
sintered body
ppm
manufacturing
Prior art date
Application number
TW91115515A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Inventor
Ryo Suzuki
Hirohito Miyashita
Original Assignee
Nikko Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikko Materials Co Ltd filed Critical Nikko Materials Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW574377B publication Critical patent/TW574377B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
TW91115515A 2001-08-10 2002-07-12 Sintered tungsten target for sputtering and method for preparation thereof TW574377B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001243120A JP2003055758A (ja) 2001-08-10 2001-08-10 スッパタリング用タングステン焼結体ターゲット及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW574377B true TW574377B (en) 2004-02-01

Family

ID=19073264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW91115515A TW574377B (en) 2001-08-10 2002-07-12 Sintered tungsten target for sputtering and method for preparation thereof

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2003055758A (enExample)
TW (1) TW574377B (enExample)
WO (1) WO2003016585A1 (enExample)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI663275B (zh) * 2017-03-31 2019-06-21 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 Tungsten target

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2005073418A1 (ja) * 2004-01-30 2007-09-13 日本タングステン株式会社 タングステン系焼結体およびその製造方法
EP2270252B1 (en) * 2008-03-17 2016-06-22 JX Nippon Mining & Metals Corporation Sintered target and method for production of sintered material
EP2284289B1 (en) * 2008-06-02 2014-01-22 JX Nippon Mining & Metals Corporation Tungsten sintered material sputtering target
KR20160145839A (ko) 2009-05-27 2016-12-20 제이엑스금속주식회사 소결체 타겟 및 소결체의 제조 방법
KR20130043690A (ko) * 2010-09-29 2013-04-30 가부시키가이샤 아루박 텅스텐 타겟 및 그 제조 방법
CN103567443B (zh) * 2012-07-25 2015-10-07 宁波江丰电子材料股份有限公司 钨靶材的制作方法
CN103805952B (zh) * 2013-12-12 2016-05-18 株洲硬质合金集团有限公司 一种大尺寸高纯钨靶材及其生产方法
CN105345007B (zh) * 2014-08-15 2017-11-07 安泰科技股份有限公司 一种高致密铬钨合金靶材的制备方法
CN107429388B (zh) * 2015-03-06 2020-08-14 恩特格里斯公司 用于固体来源输送的高纯度六羰基钨
JP7308013B2 (ja) 2017-11-10 2023-07-13 Ｊｘ金属株式会社 タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2020153015A (ja) * 2019-03-15 2020-09-24 三菱マテリアル株式会社 酸化タングステンスパッタリングターゲット
CN115415526B (zh) * 2021-05-13 2023-05-19 安泰天龙钨钼科技有限公司 一种超大尺寸钨管及其制备方法
CN113523273B (zh) * 2021-06-17 2022-10-21 北京科技大学 多场耦合下快速制备超细晶纯钨材料的粉末冶金方法
JP7278463B1 (ja) * 2022-06-27 2023-05-19 株式会社アルバック タングステンターゲットおよびその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0593267A (ja) * 1991-10-01 1993-04-16 Hitachi Metals Ltd 半導体用タングステンターゲツトおよびその製造方法
JP3280054B2 (ja) * 1992-02-10 2002-04-30 日立金属株式会社 半導体用タングステンターゲットの製造方法
JPH0776771A (ja) * 1993-09-08 1995-03-20 Japan Energy Corp タングステンスパッタリングターゲット
JP3086447B1 (ja) * 1999-03-04 2000-09-11 株式会社ジャパンエナジー スパッタリング用タングステンターゲットおよびその製造方法
JP3721014B2 (ja) * 1999-09-28 2005-11-30 株式会社日鉱マテリアルズ スッパタリング用タングステンターゲットの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI663275B (zh) * 2017-03-31 2019-06-21 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 Tungsten target

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003016585A1 (fr) 2003-02-27
JP2003055758A (ja) 2003-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW574377B (en) Sintered tungsten target for sputtering and method for preparation thereof
JP3721014B2 (ja) スッパタリング用タングステンターゲットの製造方法
CN103909274B (zh) 一种制备钴包覆纳米wc晶体复合粉末及超细晶硬质合金的方法
CN113831133B (zh) 一种非化学计量比高熵陶瓷及其制备方法
JP4989636B2 (ja) 高強度極微細ナノ構造のアルミニウム及び窒化アルミニウム又はアルミニウム合金及び窒化アルミニウム複合材料の製造方法
JP4885065B2 (ja) スッパタリング用タングステン焼結体ターゲットの製造方法
WO2020042949A1 (zh) 高度取向纳米max相陶瓷和max相原位自生氧化物纳米复相陶瓷的制备方法
JP7701511B2 (ja) タングステンスパッタリングターゲット
JPH06508339A (ja) 高靱性−高強度焼結窒化ケイ素
WO2014069328A1 (ja) タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜
KR20200129143A (ko) 스퍼터링 타깃 및 스퍼터링 타깃의 제조 방법
CN108557834A (zh) 一种铬掺杂的四硼化钨超硬材料的制备方法
WO1995004167A1 (en) High melting point metallic silicide target and method for producing the same, high melting point metallic silicide film and semiconductor device
CN107285329B (zh) 一种二硼化钨硬质材料及其制备方法和应用
CN113716964B (zh) 一种核-壳结构的中熵陶瓷粉体、高温超高强度高韧性中熵陶瓷材料及其制备方法
CN102016110B (zh) 垂直磁记录介质的中间层膜制备用的溅射靶材料和通过使用其制备的薄膜
CN113277849A (zh) 高红硬性碳化钨纯相块体材料及其制备方法
CN116804265A (zh) 一种CrAlCuFe合金靶材及其制备方法
WO2019233076A1 (zh) 一种铼掺杂的四硼化钨材料的制备方法
WO2021241522A1 (ja) 金属－Ｓｉ系粉末、その製造方法、並びに金属－Ｓｉ系焼結体、スパッタリングターゲット及び金属－Ｓｉ系薄膜の製造方法
JP3998972B2 (ja) スパッタリング用タングステンターゲットの製造方法
CN101152979A (zh) 一种原位热压/固液相反应制备Ti2AlN块体材料的方法
JP3086447B1 (ja) スパッタリング用タングステンターゲットおよびその製造方法
CN119100802A (zh) 氮化镓的粉末及其制造方法
RU2829867C1 (ru) Способ изготовления сверхтвердого композиционного материала для режущего инструмента

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent