CN102016110B - 垂直磁记录介质的中间层膜制备用的溅射靶材料和通过使用其制备的薄膜 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种用于制备垂直磁记录介质的中间层膜的溅射靶材料，其能够显著减小通过溅射形成的薄膜的晶粒尺寸。所述溅射靶材料以原子％计包含1至20％的W；总计0.1至10％的P、Zr、Si和B组成的组一种或多种选自由P、Zr、Si和B组成的组中的元素；和余量的Ni。
Description
[对相关申请的交叉引用]
本申请要求于2008年4月30日提交的日本专利申请2008-118113和于2008年7月23日提交的日本专利申请2008-189853的优先权，所述两项申请的全部公开内容都通过引用结合在此。
[技术领域]
本发明涉及含有Ni-W作为主要组分的垂直磁记录介质的中间层膜制备用的溅射靶材料以及通过使用这种材料制备的薄膜。更具体地，本发明涉及用于中间层膜的Ni-W-P，Zr-基或Ni-W-(Si，B)-基溅射靶材料，以及通过使用这种材料制备的薄膜。
[背景技术]
近年来，伴随着磁记录技术的显著进步，磁记录介质的记录密度归因于驱动器容量的增加而变得更高。然而，对于当前广泛使用的具有纵向磁记录系统的磁记录介质，对实现高记录密度的尝试使得记录位最小化，这需要达到可以用所述记录位进行记录的程度的高的矫磁力。因此，作为用于解决这些问题和提高记录密度的手段，正在研究垂直磁记录系统。
在垂直磁记录系统中，形成容易磁化的轴，使其垂直于在垂直磁记录介质的磁膜中的介质表面取向，并且此系统适用于高记录密度。在垂直磁记录系统中，已经开发了多层记录介质，其拥有具有提高的记录灵敏度的磁记录膜层，软磁膜层和中间层。CoCrPt-SiO2-基合金通常用于此磁记录膜层，而Co-Zr-Nb-基合金等用于软磁膜层。本文中所述的中间层通常是指为了下列目的而提供的层：减小磁记录膜层的晶粒的尺寸，和对晶体取向赋予各向异性。
作为中间层，已经提出了多种Ni-基合金，Ta-基合金，Pd-基合金，Ru-基合金等，并且最近已经使用了Ni-W-基合金。这些中间层的作用之一是控制磁记录膜层的结构。为此目的，据认为重要的是减小中间层的晶粒尺寸。例如，已经提出了Ru中间层，如在“垂直磁记录膜的结构控制(StructureControl of Perpendicular Magnetic Recording Film)”(Fuji Jiho，第77卷，第2期，2004，第121页)中所公开的。
另外，据认为，在Ni-W-基合金中，如果薄膜的晶格常数在约3.53至3.61(×10-10m)的范围内，则记录密度良好，尽管详细原因未知。
尽管如果通过使用Ni-W-基薄膜作为中间层制备垂直磁记录介质，则可以得到良好的记录性质，但是需要减小Ni-W-基中间层的晶粒尺寸以实现高得多的记录密度。然后，关于可以有助于减小Ni-W-基薄膜的晶粒尺寸的要加入的元素等，根本不存在公知常识。
[发明概述]
本发明人现在发现，通过下列方法可以显著减小通过溅射形成的薄膜的晶粒尺寸：通过将预定量的P、Zr、Si和B组成的组一种或多种选自由P、Zr、Si和B组成的组中的元素加入到Ni-W二元组分中而构造(structure)溅射靶材料。
因此，本发明的一个目的是提供一种垂直磁记录介质的中间层膜制备用的溅射靶材料，其中所述溅射靶材料能够显著地减小通过溅射形成的薄膜的晶粒尺寸。
根据本发明，提供一种溅射靶材料以及由该材料制备的薄膜，所述溅射靶材料用于制备垂直磁记录介质的中间层膜，所述溅射靶材料以原子％计包含1至20％的W；总计0.1至10％的P、Zr、Si和B组成的组一种或多种选自由P、Zr、Si和B组成的组中的元素；和余量的Ni，并且优选由这些组分组成。
根据本发明的第一实施方案，提供一种溅射靶材料以及通过使用该材料制备的Ni-W-P，Zr-基薄膜，所述溅射靶材料用于制备垂直磁记录介质的中间层膜，所述溅射靶材料以原子％计包含1至20％的W；总计0.1至10％的P和/或Zr；和余量的Ni，并且优选由这些组分组成。
根据本发明的第二实施方案，提供一种溅射靶材料以及通过使用该材料制备的Ni-W-(Si，B)-基薄膜，所述溅射靶材料用于制备垂直磁记录介质的中间层膜，所述溅射靶材料以原子％计包含1至20％的W；总计0.1至10％的Si和B；和余量的Ni，并且优选由这些组分组成。
[实施方案的描述]
根据第一实施方案的溅射靶材料
根据本发明的第一实施方案，提供一种溅射靶材料，其以原子％计包含1至20％的W；总计0.1至10％的P和/或Zr；和余量的Ni，并且优选由这些组分组成。具体地，W的含量以原子％计为1至20％，并且优选5至15％。如果W的含量小于1％，则溅射薄膜的晶格常数小于3.53(×10-10m)，而如果W的含量超过20％，则晶格常数超过3.61(×10-10m)，它们都导致记录密度降低。
P和/或Zr的总含量为0.1至10.0％，并且优选0.3至5％。如果P和/或Zr的总含量小于0.1％，则是不适宜的，因为不存在减小溅射薄膜的晶粒尺寸的效果，或者如果P和/或Zr的总含量超过10.0％，则是不适宜的，因为减小晶粒尺寸的效果变得饱和，其中产生大量的具有Ni的化合物，其据认为不利地影响磁记录膜层的结构控制，并且一部分变为是非晶的。
作为原料粉末，由于下列原因而优选气体雾化粉末。即，P和Zr根本不在具有低冷却速率的熔融工艺例如铸造中与Ni形成固溶体，从而形成粗结晶化合物。此粗化合物在溅射靶材料中的存在可能引起一些破坏，例如放电异常和通过溅射产生大量粒子。相反，如果通过气体雾化工艺产生原料粉末，则不形成粗结晶化合物，原因在于粉末在气体雾化工艺过程中淬火并固化。通过使用此粉末固结(consolidate)的溅射靶材料产生较少粒子。
根据第二实施方案的溅射靶材料
根据本发明的第二实施方案，提供一种溅射靶材料，其以原子％计包含1至20％的W；总计0.1至10％的Si和B；和余量的Ni，并且优选由这些组分组成。具体地，W的含量以原子％计为1至20％，并且优选5至15％。如果W的含量小于1％，则溅射薄膜的晶格常数小于3.53(×10-10m)，而如果W的含量超过20％，则晶格常数超过3.61(×10-10m)，它们都导致记录密度降低。
Si和B的总含量为0.1至10.0％，并且优选1.0至8％。如果Si和B的总含量小于0.1％，则是不适宜的，因为不存在减小溅射薄膜的晶粒尺寸的效果，或者如果Si和B的总含量超过10.0％，则是不适宜的，因为减小晶粒尺寸的效果变得饱和。另外，更优选Si和B的比率为2∶8至6∶4，原因在于合金的低共熔点显著降低并且减小晶粒尺寸的效果极高。
作为原料粉末，由于下列原因而优选气体雾化粉末。即，Si和B几乎不在具有低冷却速率的熔融工艺中与Ni形成固溶体，从而形成粗结晶Ni-基硅酸盐或Ni-基硼酸盐。这些粗化合物在溅射靶材料中的存在可能引起一些破坏，例如放电异常和通过溅射产生大量粒子。相反，如果通过气体雾化工艺产生原料粉末，则不形成粗结晶化合物，原因在于粉末在气体雾化工艺过程中淬火并固化。通过使用此粉末构成的溅射靶材料产生较少粒子，这是更优选的。
固结由于下列原因而优选在800和1250℃之间的温度进行。即，在低于800℃的温度的固结导致溅射靶材料的相对密度低。另一方面，在高于1250℃的温度的固结引起坯料(billet)通过加热而膨胀，尽管细节未知，并且稳定生产困难。因此，温度范围确定在800和1250℃之间。
[实施例1]
通过气体雾化制备表1中所示的Ni-W-P，Zr-基合金粉末。使用此粉末作为原料粉末，在750至1100℃通过HIP方法将密封在抽空的SC罐中的粉末填充坯料固结，然后机械加工以制备Ni-W-P，Zr-基合金的溅射靶材料。另外，通过用于比较的铸造方法制备Ni-W-P，Zr-基合金的另一种溅射靶材料。
上述每一个步骤的细节如下。首先，在氧化铝坩埚中，将25kg原料在氩气中感应熔融，并且通过安置在坩埚底部的直径为5mm的放液喷嘴放液，以通过Ar气体雾化在0.7MPa的雾化压力制备粉末。将得到的Ni-W-P，Zr合金粉末密封在外径为205mm、内径为190mm并且长度为300mm的抽空的SC罐中。将抽空的最终真空压力设置在约1.3×10-2Pa(约1×10-4托)。将上述粉末填充的坯料通过HIP方法在750至1100℃和147MPa固结。
将如上所述制备的固结锭料通过线材切割、车床机械加工和平面抛光加工成直径76.2mm×3mm，随后与铜背板钎焊以制成溅射靶材料。另外，作为用于比较的铸造方法，将100kg原料在真空下熔融并且铸造成直径为200mm的难熔体，将其制成(turn off)直径200mm×100mm，随后在800℃热锻成50mm的高度。随后用于制备溅射靶材料的方法与上述HIP方法类似。
对通过上述程序制备的溅射靶材料进行评价的项目和方法如下。将制备的溅射靶材料溅射到直径为63.5mm的Si基板上以评价溅射膜的粒子数量。溅射条件包括0.5Pa的Ar压力，500W的DC电功率，和500nm的膜厚度。测量在这些条件下产生的粒子数量。注意的是，表1中的粒子数量表达为对于1号的粒子数量的相对值，所述1号的粒子数量被取作100。
另外，从上述溅射膜的X-射线衍射的衍射峰，计算溅射膜的晶格常数。Ni-基化合物的产生还被确认并评价如下：良好：无Ni-基化合物；一般：少量Ni-基化合物产生或部分非晶的；差：大量Ni-基化合物产生或基本上非晶的。
另外，通过对上述溅射膜的横截面的TEM观察，测量溅射膜的晶粒直径。将关于相应面积的圆的直径作为通过图像分析的晶粒的直径。注意的是，表1中的晶粒直径表达为对于1号的晶粒直径的相对值，所述1号的晶粒直径被取作100。值越小表示晶粒直径越小。
如在表1中所示，1至9号为本发明实施例而10至17号为比较例。
比较例10号归因于低的W含量而具有小的晶格常数。与10号类似，比较例11号归因于低的W含量而具有小的晶格常数。比较例12号归因于高的W含量而具有大的晶格常数。另外，样品具有少量的Ni-基化合物产生或是部分非晶的。比较例13号由于不含有P和Zr中的任何一种而具有大的晶粒直径。比较例14号由于P和Zr中的任一种或P和Zr中的两种的含量低而具有大的晶粒直径。
比较例15号由于P和Zr中的任一种或P和Zr中的两种的含量低而具有大的晶粒直径。比较例16号具有大的粒子数量并且具有大量的Ni-基化合物产生，或是基本上非晶的，因为P和Zr两者的含量高。比较例17号通过铸造制成并且具有大量粒子。相反，显示的是在本发明实施例1至9号，所述性质中的任何一种都优异，因为它们都满足本发明的条件。
如上所述，通过向用作垂直磁记录介质的中间层膜的Ni-W-基薄膜中加入P和/或Zr，可以减小Ni-W-基薄膜的晶粒尺寸并且可以使溅射薄膜的晶格常数介于3.53(×10-10m)和3.61(×10-10m)之间。此外，通过气体雾化工艺制备的原料粉末不形成粗结晶化合物，因为粉末在气体雾化工艺过程中猝火并固化。通过使用此粉末固结的溅射靶材料提供了优异的优点，例如较少粒子产生。
[实施例2]
通过气体雾化制备表2中所示的Ni-W-(Si，B)-基合金粉末。使用此粉末作为原料粉末，通过HIP方法和镦锻方法(upset method)在750至1300℃将密封在抽空的SC罐中的粉末填充坯料固结，然后机械加工以制备Ni-W-(Si，B)-基合金的溅射靶材料。另外，通过用于比较的铸造方法制备Ni-W-(Si，B)-基合金的另一种溅射靶材料。
上述每一个步骤的细节如下。首先，在氧化铝坩埚中，将25kg原料在氩气中感应熔融，并且在1700℃通过安置在坩埚底部的直径为5mm的放液喷嘴放液，以通过Ar气体雾化在0.7MPa的雾化压力制备粉末。将得到的Ni-W合金粉末密封在外径为205mm，内径为190mm并且长度为300mm的抽空的SC罐中。将抽空的最终真空压力设置在约1.3×10-2Pa(约1×10-4托)。将上述粉末填充的坯料通过HIP方法在750至1200℃和147MPa固结。
在于900至1350℃加热以后，将上述粉末填充的坯料装载在直径为215mm的束缚-型容器中，并且在500MPa的压力固结。将如上所述制备的固结锭料通过线材切割、车床机械加工和平面抛光加工成76.2mm直径和3mm厚度，随后与铜背板钎焊以制成溅射靶材料。
其间，使用铸造方法，将100kg原料在真空下熔融并且铸造成直径为210mm的难熔体，将其制成直径200mm和长度100mm，随后在850℃热锻成50mm的高度。随后用于制备溅射靶材料的方法预上述HIP方法和镦锻方法类似。
作为对通过上述程序制备的溅射靶材料进行评价的项目和方法，将坯料通过固结的膨胀评价为用于HIP方法的HIP以后的坯料的外观。另外，将镦锻方法评价为坯料通过加热的外观。结果显示如下：良好：无膨胀；差：出现膨胀。另外，将溅射靶材料的相对密度计算为由使用由上述方法制备的直径为76.2mm和厚度为3mm的盘通过体积-重量方法测量的密度与由组成计算的理论密度的比率。
另外，将制备的溅射靶材料溅射到直径为63.5mm的Si基板上以评价溅射膜的粒子数量。溅射条件包括0.5Pa的Ar压力，500W的DC电功率，和500nm的膜厚度。测量在这些条件下产生的粒子数量。注意的是，表2中的粒子数量表达为对于1号的粒子数量的相对值，所述1号的粒子数量被取作100。另外，从上述溅射膜的X-射线衍射的衍射峰，计算溅射膜的晶格常数。
此外，Ni-基化合物的产生还被确认并评价如下：良好：无Ni-基化合物；一般：少量Ni-基化合物产生；差：大量Ni-基化合物产生。通过对上述溅射膜的横截面的TEM观察，测量溅射膜的晶粒直径。将关于相应面积的圆的直径作为通过图像分析的晶粒的直径。注意的是，表2中的晶粒直径表达为对于1号的晶粒直径的相对值，所述1号的晶粒直径被取作100。值越小表示晶粒直径越小。
表2中所示的1至11号为本发明实施例，而12至19号为比较例。
如表2中所示，比较例12号通过铸造方法制成并且具有大量粒子。比较例13号归因于低的固结温度而具有稍微低的相对密度。在比较例14中，坯料归因于高的固结温度而在HIP以后膨胀，因此难以加工成具有适用于实际应用的密度的溅射靶材料，从而导致不能进行研究。比较例15归因于作为组分的W的不存在而具有稍微小的晶格常数。比较例16号归因于作为组分的W的高含量而具有稍微高的晶格常数。
比较例17号归因于作为组分的Si和B的不存在而具有粗的晶粒尺寸。比较例18号归因于作为组分的Si和B的低的总含量而具有小的减小晶粒的效果并且晶粒尺寸粗。比较例19号归因于作为组分的Si和B的高的总含量而产生大量Ni-基化合物和大量粒子。相反，显示的是本发明实施例1至11号中，所述性质中的任何一种都优异，因为它们都满足本发明的条件。
如上所述，通过将痕量的Si和B组合加入到常规Ni-W二元组分中，通过固化形成晶粒的大量生长晶核，最终导致细小晶粒。因此，可以制备细小晶粒的薄膜并且通过使用此膜作为中间层可以得到具有良好记录性质的垂直磁记录介质。
Claims (12)
1.一种溅射靶材料，所述溅射靶材料用于制备垂直磁记录介质的中间层膜，所述溅射靶材料以原子％计包含1至20％的W；总计0.1至10％的一种或多种选自由Zr、Si和B组成的组中的元素；和余量的Ni，
其中所述溅射靶材料通过在800℃以上和1250℃以下的温度固结得到。
2.根据权利要求1所述的溅射靶材料，所述溅射靶材料以原子％计由下列各项组成：1至20％的W；总计0.1至10％的一种或多种选自由Zr、Si和B组成的组中的元素；和余量的Ni。
3.根据权利要求1所述的溅射靶材料，所述溅射靶材料以原子％计包含1至20％的W；0.1至10％的Zr；和余量的Ni。
4.根据权利要求3所述的溅射靶材料，所述溅射靶材料以原子％计由1至20％的W；0.1至10％的Zr；和余量的Ni组成。
5.根据权利要求3所述的溅射靶材料，所述溅射靶材料通过将由气体雾化制备的原料粉末固结得到。
6.一种Ni-W-Zr-基薄膜，所述Ni-W-Zr-基薄膜通过使用根据权利要求3所述的溅射靶材料制备。
7.根据权利要求1所述的溅射靶材料，所述溅射靶材料以原子％计包含1至20％的W；总计0.1至10％的Si和B；和余量的Ni。
8.根据权利要求7所述的溅射靶材料，所述溅射靶材料以原子％计由1至20％的W；总计0.1至10％的Si和B；和余量的Ni组成。
9.根据权利要求7所述的溅射靶材料，其中Si与B的比率为2∶8至6∶4。
10.根据权利要求9所述的溅射靶材料，所述溅射靶材料通过将由气体雾化制备的原料粉末固结得到。
11.一种Ni-W-(Si，B)-基薄膜，所述Ni-W-(Si，B)-基薄膜通过使用根据权利要求7所述的溅射靶材料制备。
12.根据权利要求7所述的溅射靶材料，所述溅射靶材料通过将由气体雾化制备的原料粉末固结得到。
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| KR20220067953A (ko) * | 2020-11-18 | 2022-05-25 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1829820A (zh) * | 2003-08-05 | 2006-09-06 | 株式会社日矿材料 | 溅射靶及其制造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS5952503B2 (ja) * | 1975-11-07 | 1984-12-20 | 株式会社日立製作所 | 直熱形酸化物陰極用基体金属板 |
| JPS5471550A (en) * | 1977-11-18 | 1979-06-08 | Hitachi Ltd | Base metal material for direct heating oxide cathode |
| JPH0635654B2 (ja) * | 1985-08-13 | 1994-05-11 | 住友特殊金属株式会社 | 雰囲気変動に対する薄膜磁気特性の安定度の高いタ−ゲツト材 |
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| US6004684A (en) * | 1997-04-30 | 1999-12-21 | Masco Corporation | Article having a protective and decorative multilayer coating |
| JPH10333137A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Kuramoto Seisakusho:Kk | ブラックマトリックス用金属ブランクス |
| JP2000169923A (ja) | 1998-12-04 | 2000-06-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Ｗ−Ｎｉ系ターゲット材料、電極材料、及び実装部品 |
| JP3628575B2 (ja) * | 1999-02-25 | 2005-03-16 | 株式会社日鉱マテリアルズ | Ｎｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP3539355B2 (ja) * | 2000-06-01 | 2004-07-07 | 住友金属鉱山株式会社 | ブラックマトリックス用Ｎｉ−Ｗ系スパッタリングターゲット |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1829820A (zh) * | 2003-08-05 | 2006-09-06 | 株式会社日矿材料 | 溅射靶及其制造方法 |
| CN101054658A (zh) * | 2006-04-14 | 2007-10-17 | 山阳特殊制钢株式会社 | 软磁性靶材 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JP特开2001-342561A 2001.12.14 |
| JP特开平7-292463A 1995.11.07 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102766848B (zh) * | 2008-04-30 | 2015-03-04 | 山阳特殊制钢株式会社 | 垂直磁记录介质的中间层膜制备用的溅射靶材料和通过使用其制备的薄膜 |
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