JP5384849B2 - 垂直磁気記録媒体におけるNi−W−P,Zr系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 - Google Patents
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富士時報(vol.77,No.2,2004,P121)「垂直磁気記録膜の構造制御」
(1)at%で、Wを1〜20%、Pおよび/またはZrを合計0.1〜10%を含み、残部Niからなることを特徴とする垂直磁気記録媒体におけるNi−W−P,Zr系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材。
(3)前記(1)または(2)に記載のスパッタリングターゲット材を用いて製造したNi−W−P,Zr系薄膜にある。
表1に示すNi−W−P,Zr系合金粉末をガスアトマイズにより作製し、これを原料粉末とし、SC缶に脱気封入した粉末充填ビレットを、750〜1100℃でHIP法にて固化成形し、機械加工によりNi−W−P,Zr系合金のスパッタリングターゲット材を作製した。また、比較として鋳造法によりNi−W−P,Zr系合金スパッタリングターゲット材を作製した。
特許出願人 山陽特殊製鋼株式会社
代理人 弁理士 椎 名 彊
Claims (3)
- at%で、Wを1〜20%、Pおよび/またはZrを合計0.1〜10%を含み、残部Niからなることを特徴とする垂直磁気記録媒体におけるNi−W−P,Zr系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材。
- ガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したことを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット材。
- 請求項1または2に記載のスパッタリングターゲット材を用いて製造したNi−W−P,Zr系薄膜。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008118113A JP5384849B2 (ja) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 垂直磁気記録媒体におけるNi−W−P,Zr系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
CN201210213690.XA CN102766848B (zh) | 2008-04-30 | 2009-04-30 | 垂直磁记录介质的中间层膜制备用的溅射靶材料和通过使用其制备的薄膜 |
SG2013023361A SG189720A1 (en) | 2008-04-30 | 2009-04-30 | Sputtering target material for producing intermediate layer film of perpendicular magnetic recording medium and thin film produced by using the same |
MYPI2015002117A MY172177A (en) | 2008-04-30 | 2009-04-30 | Sputtering target material for producing intermediate layer film of perpendicular magnetic recording medium and thin film produced by using the same |
US12/934,387 US9293166B2 (en) | 2008-04-30 | 2009-04-30 | Sputtering target material for producing intermediate layer film of perpendicular magnetic recording medium and thin film produced by using the same |
MYPI2010004522A MY169280A (en) | 2008-04-30 | 2009-04-30 | Sputtering target material for producing intermediate layer film of perpendicular magnetic recording medium and thin film produced by using the same |
PCT/JP2009/058465 WO2009133921A1 (ja) | 2008-04-30 | 2009-04-30 | 垂直磁気記録媒体の中間層膜を製造するためのスパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
SG10201506990SA SG10201506990SA (en) | 2008-04-30 | 2009-04-30 | Sputtering target material for producing intermediate layer film of perpendicular magnetic recording medium and thin film produced by using the same |
CN2009801147848A CN102016110B (zh) | 2008-04-30 | 2009-04-30 | 垂直磁记录介质的中间层膜制备用的溅射靶材料和通过使用其制备的薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008118113A JP5384849B2 (ja) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 垂直磁気記録媒体におけるNi−W−P,Zr系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009263757A JP2009263757A (ja) | 2009-11-12 |
JP5384849B2 true JP5384849B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=41389970
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008118113A Expired - Fee Related JP5384849B2 (ja) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 垂直磁気記録媒体におけるNi−W−P,Zr系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5384849B2 (ja) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0635654B2 (ja) * | 1985-08-13 | 1994-05-11 | 住友特殊金属株式会社 | 雰囲気変動に対する薄膜磁気特性の安定度の高いタ−ゲツト材 |
JP3170412B2 (ja) * | 1994-04-27 | 2001-05-28 | 株式会社クボタ | 金属薄膜型磁気記録媒体の非磁性下地膜形成用スパッタリングターゲット部材 |
US6004684A (en) * | 1997-04-30 | 1999-12-21 | Masco Corporation | Article having a protective and decorative multilayer coating |
JP2000169923A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | W−Ni系ターゲット材料、電極材料、及び実装部品 |
JP3628575B2 (ja) * | 1999-02-25 | 2005-03-16 | 株式会社日鉱マテリアルズ | Ni−P合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP3539355B2 (ja) * | 2000-06-01 | 2004-07-07 | 住友金属鉱山株式会社 | ブラックマトリックス用Ni−W系スパッタリングターゲット |
JP2006092721A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-04-06 | Showa Denko Kk | 垂直磁気記録媒体用基板、その製造方法、および垂直磁気記録媒体 |
JP5305137B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2013-10-02 | 日立金属株式会社 | 垂直磁気記録媒体のNi合金中間層を形成するためのNi−W系焼結ターゲット材 |
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2008
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Publication number | Publication date |
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JP2009263757A (ja) | 2009-11-12 |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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