TW569440B - Charge amount detection circuit and two-dimensional image sensor using same - Google Patents

Charge amount detection circuit and two-dimensional image sensor using same Download PDF

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TW569440B
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569440 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____B7_ 五、發明說明(1 ) 【發明領域】 本發明係關於使用於X線感測器等畫像感測器等之電 荷量檢出電路及使用其次二次元畫像感測器。 【發明之背景】 茲將一般性2元次元行列構造之畫像感測器之槪略構 成,使用第1 3圖及說明本發明所用之圖之第1圖至第9 圖說明如下。此畫像感測器係例如將檢出X線作爲使其發 揮作用,就可使用X線診斷裝置等。 第1圖所示畫像感測器4 8 ,係在玻璃基板5 0上係 由光電變換層5 4及偏壓電極5 2形成所構成。光電變換 層5 4係例如由非晶質硒(以下記爲a — S e )之薄膜等 所形成,偏壓電極52係通過X線之金屬膜,例如由金等 導體膜形成。玻璃基板50之光電變換層54側之面,形 成有配置於行列上之畫素電極5 6、儲存電容1 7 (畫素 電容)17及開關元件18、掃描線(行)10及資料線 (列)1 2。並且,掃描線1 0及資料線1 2係分別連接 於掃描驅動器(閘驅動器)1 4及讀取電路1 6。 像這樣,畫像感測器4 8係具有將光電變換層5 4積 蓄電容17作爲主體之X線等光子變換爲電荷儲存之光電 變換部,與從其光電變換部讀取電荷訊號之讀取電路(w 荷量檢出電路)16之構成。 畫素電極5 6係經由開關元件1 8連接於資料線1 2 ,開關元件1 8之開關動作係從掃描驅動器1 4經由掃fg (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .·------- 丨訂---------線丨---- .---;------------- 569440 A7 B7 五、發明說明(2) 線1 0所供給之電壓進行。因此,作爲開關元件1 8 —般 所使用之薄膜電晶體(以外記爲TFT)時,TFT之源 極係在畫素電極5 6,汲極係連接在資料線1 2 ,閘係連 接在掃描線1 0。按,於以下作爲開關元件1 8使用 T F T者加以說明。 第2圖係於第1圖之A — A線箭頭符號剖面圖。經由 絕緣膜5 8與畫素電極5 6對向之位置設有補助電極6 0 ,與畫素電極5 6之間構成儲存電容1 7。此補助電極 6 0係所有畫素2 2配線成變成共通之基準電位(Vref ) 。又,偏壓電極5 2係對於畫素電極5 6可施加高電壓, 例如可施加數千伏特。 在如上述之畫像感測器4 8 ,若X線光子6 8爲從偏 壓電極5 2側射入時,透過偏壓電極5 2之X線光子6 8 係於光電變換層5 4發生電子與正孔之成對。於此,在偏 壓電極5 2施加正之電壓時正孔爲施加負之電壓時,電子 爲向畫素電極5 6側移動而達到對應於位於光子6 8之射 入位置之畫素電極5 6。達到畫素電極5 6之正孔,或電 子係由儲存電容1 7所保持。於儲存電容1 7所保持之正 或負之電荷(以下稱爲訊號電荷),係若由TFT所成之 開關元件18變成ON時就流出於資料線丄2,由連接於 資料線1 2之讀取電路1 6讀取其電荷量(訊號電荷量) 〇 若掃描驅動器14對於既定之一條掃描線1〇輸出高 之電壓時,連接於掃描線10之所有FTF就變成N〇狀 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 « I ϋ I ϋ n^-Γο- ti ϋ ϋ I ϋ I ^1 ·ϋ ϋ ϋ I ϋ ^1 —τ ^1 ϋ ί . 569440 A7 __B7 五、發明說明(3) 態,保持於各儲存電容1 7之訊號電荷爲將分別流出於所 對應之資料線1 2。因掃描驅動器1 4依序輸出高之電壓 ,就可讀取所有畫素電極56之資料,進行一片畫像資料 〇 使用關於上述畫像感測器4 8之讀取電路1 6說明如 下。第3圖係表示使用於電荷量之讀取量之電荷檢出放大 器(Charge Sensitive Amplifier ,以下稱爲 CSA) 20 之 基本構造之電路圖。演算放大器2 0 a之反相輸入與輸出 係經由回饋電容2 Ob互相連接,以構成回饋電容。又, 與回饋電容2 0 b並聯連接有重置開關2 0 c ,將放電儲 存於回饋電容2 0 b之電荷就可重置。資料線1 2係連接 於演算放大器2 0 a之反相輸入,非反相輸入係連接於屬 於基準電位之GND。 第4圖係由FTF所成之開關元件18,與包括儲存 電容17之畫素2 2每一個之讀取之等値電路圖,第5圖 係表示於第4圖之讀取動作之時間及C S A 2 0之輸出電 位之圖表。於第4圖,畫素2 2係連接於屬於第i行之掃 描線1 0之掃描線1 0 i及第j列之資料線1 2 j之畫素 。按,Cdl係表示資料線12 j之電容。於第5圖,G (i )係表示輸出於掃描線1 0 i之電壓,又,R s t係 表示輸出於重置開關2 0 c之重置訊號。 讀取動作係首先重置開關2 0 c ON時而開始(A期 間)。藉此,在其以前之動作係放電儲存於回饋電容 20b之電荷而重置,CSA20之輸出電位係變成 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 訂------- .!線 _0----,——Ί — i.------------- 569440 Α7 Β7 五、發明說明(4) G N D亦即變成0。接著,R s t變成低之後(〇期間) 、在G ( i )輸出高電壓而TFT之開關元件1 8就變成 ON,儲存於儲存電容1 7之訊號電荷(一 Q)將流出於 資料線12j 。演算放大器20a,係流出於資料線 1 2 j流出之電荷(- Q )動作成集聚於所有回饋電容 2 Ob之輸入側之電極,其結果,在回饋電容2 〇b之輸 出側之電極,係以等量出現逆極性之電荷(+ Q ) 。@果 ,在CSA20之輸出將出現屬於對應於訊號電荷之電荷 Q以回饋電容2 0 b之電容値所除之電位(B期間)。藉 讀取此電位就可將訊號電荷量作爲電位檢出。其後,在此 行之G ( i )輸出低電位之後暫時(C期間),爲了下一 行之讀取動作所需之Rs t就再次重置,隨其CSA 2 0 之輸出電位將返回到GND。 兹就相關所謂雙重取樣(Correlated Double Sampling :以下稱爲C D S )之電位讀取方法簡單地說明如下。倘 若第4圖所示讀取電路系爲完全時,在C期間被讀取之電 位係應該相當於訊號電荷量。然而,實際上,於重置後之 D期間,CSA20之輸出電位不會完全變成GND,而 存在有偏壓。作爲偏壓之原因,則具有演算放大器2 0 a 本身所具之閃爍雜訊或偏壓,重置開關2 〇 c或TFT ( 開關元件1 8 )之開閉所發生之場貫通(field through )現 象。所謂場貫通現象係本質上附隨於Μ 0 S開關之現象, 在〇Ν時,閘·源極間電容與閘.汲極間電容所拘束之頻 道電荷爲因降低閘電壓就解除其拘束,而流出於汲極與源 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 丨--------訂----- -----線— -------:---:------------- 569440 A7 ____ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(5) 極之電路側之現象。 上述CDS,係由第5圖之smp 1與smp 2所示 時間將CSA20之電位分別讀取,藉求取smp2所讀 取之電位與於smp 1所讀取電位之差,就可正確地求取 在smp 1與s a p2間期間之CSA20之電位變動量 。藉進行CDS,在D期間存在之偏壓去除,亦即,於D 期間之偏壓爲0之理想電路系,在C期間只有一次讀取電 位時可視爲等値處理。按,CDS因與本發明不具直接關 係,所以,於以下爲了使說明簡單,於C D S可視爲等値 處理之理想電路系,將讀取只有在C期間進行一次之情形 加以說明。 於第1 3圖,係表示訊號電荷爲直到作爲數位資料輸 出爲止之1輸入對應之讀取電路(稱爲單位讀取電路)之 電路構成圖。C S A之輸出係視其需要在電壓放大電路( 主放大器)(MA)所放大,被取樣保持電路(S/H) 所取樣保持。被保持之資料電壓係經由多工器被變換爲輸 入於AD (類比數位)變換器(ADC)之數位値,由資 料閂鎖電路(DL)所保持。按,多工器係爲了對於一個 ADC分配複數之輸入端子所使用,並非電路之本質者。 因此,例如,各輸入端子係對應於1對1構成ADC時就 變成不需要。 MA係若CSA之輸出電壓爲小時,爲了其以後之電 路動作放大達到所需充分大之電壓範圍所用者。 屬於X線攝影裝置之一般用途之靜止畫像攝影(攝影 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -J. '--------訂·ί 象. 1 I ammmm ϋ ϋ I ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ·ϋ ϋ ^1 ϋ I ^1 ·ϋ _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -8- 569440 A7 __ B7 五、發明說明(6) 模態)時,所照射X線之線量爲充分地大。因此,其資料 之訊號電荷量也大,因在CSA出現充分大的電壓,所以 ,MA不一定需要。但是,爲了得到動畫像所需之攝影( 透視模態)時,從秒單位到分單位之期間,必須持續照射 X線,爲了抑制X線之總照射量使用較攝影模態弱2位數 之X線。因此,在透視模態之訊號電荷量係較攝影模態極 小,而需要MA。按,於第1 3圖係將MA以一方塊表示 ,但是依放大率有時也使用2段以上之構成。 於第6圖,表示典型MA之構成例。該圖係使用運用 放大器之反相放大電路者,依電阻Rb與R a之比(Rb /Ra)決定放大率。 第7圖,係表示對於a - Se光電變換層之X線量( X線強度)訊號電荷量之例。按,縱軸之絕對値係依光電 變換層之膜厚、所施加之偏壓電壓、畫素尺寸而改變。直 線A係訊號電荷量,直線B係量子雜訊。此例時,0 . 1 //R之X線量其訊號電荷量係只發生8 0 0 0 e - r m s 左右,但是總量爲3 0 //R時曉得會發生 1, 000, 000e — rms左右之訊號電荷量。按, 1R (倫琴Ron t egen),係對於1 cm3之空氣 產生單位電荷所需之X線放射線量,相當於2.58x 10 — 4C/Kg。又,e - rms 係以 rms ( root means squar平方二次方平均,根平均二次方)所表示之電 子數,換言之,所產生(檢出)電子數之期待値。於此, 0 · 1 // R若想到透視模態之最低線量,3 0 v R係於攝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-丨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -線— -------;---^------------- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 569440 A7 ________ B7 五、發明說明(7) 影模態之最低線量時,在透視模態所發生之訊號電荷量, 曉得對於攝影模態之其約略1/1 0 0左右之大小。將此 換算爲出現於c S A 2 0輸出之電壓時,若將回饋電容 20b成爲10pF時,分別將變成〇 · 128mV、 1 6mV。此時,將ΜΑ之倍率藉設定爲1 〇 〇倍左右, 就可將取樣保持電路S/Η以後之動作電壓範圍變成與攝 影模態約略相同。 然而,所發生之量子雜訊,係對於訊號電荷量以 1 / 2之傾斜增加,線量變成愈強雜訊就變成愈小。一般 ,在攝影模態係使用透視模態之3 0 0倍左右之線量,此 時,攝影模態之量子雜訊係表示對於透視模態之量子雜訊 相對性地成1 / 1 7變小。相反地,曉得於透視模態之雜 訊,係對於攝影模態需要遠爲嚴格之對策。 茲就由讀取電路16所發生之雜訊說明如下。 構成CSA (電荷檢出放大器)2 0之演算放大器 2 0 a,係其本身會發生雜訊。其主要原因係構成演算放 大器2 0 a之元件所發生之熱雜訊,成爲伸高到高頻率之 白色雜訊而出現於電路。雜訊功率因成正比於電路之頻率 頻帶之平方根,所以藉截斷不需要之高頻帶頻率成分就可 減低輸出雜訊。例如,從C S A到取樣保持電路之電路系 之頻率頻帶爲10MHz時與l〇〇kHz比較時,若其 他條件爲相同時,雜訊功率係前者將變成後者之1 〇倍大 。因此,.電路系之頻率頻帶爲不需要地擴大,換言之,對 於電路動作不需要之高頻帶頻率成分爲截斷較宜。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚) -10· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I · ϋ ϋ ϋ ϋ ·1 ·-1 «ϋ ·1 1%. · ϋ Αϋ ϋ ^1 I I ^1 ^1 ϋ ϋ ϋ ·ϋ ^1 Βϋ ^1 ^1 ^1 ϋ ϋ ^1 ϋ mmtm 1 11 ·1 I ϋ* ϋ - 569440 A7 ___ B7 五、發明說明(8) 爲了截斷不需要之高頻帶頻率成分時,只有使用低通 濾波器(LPF)即可。作爲設LPF之位置,係雜訊理 論上,儘量設於電路上游時效果就大。因此,如第8圖所 示單位讀取電路,可考慮設於C S A與MA之間。 茲於第9圖表示屬於最單純之L P F之一次L P F構 造。像這樣,一次LPF係由電阻R與電容所構成,需要 於PLF之面積將直接變成LSI面積之增大分量。然而 ,感測器之畫素節距,係醫療用X線裝置時,爲從1 5 0 // m到1 0 0以m左右,資料線或掃描線之數目爲多到從 1000條到3000條。於第13圖或第18圖所示之 單位讀取電路,因必須依各資料線設置,所以,容許於各 單位讀取電路之空間寬度也受限於此大小以下。在受限制 之此空間欲設LPF並非易事,又即使可設,因其增大分 量晶片大小之增大爲不可避免之事,所以,其分量將導致 製造成本之增加。 【發明槪要】 本發明之目的,係提供一種因設LPF儘量將晶片大 小之增大壓縮,且藉其也可儘量抑制晶片成本增大之電荷 量檢出電路及使用其之二次元畫像感測器。 爲了達成上述目的,本發明之電荷量檢出電路,係在 電荷檢出放大器之後段裝設低通濾波器,再在其後段裝設 電壓放大電路之電荷量檢出電路,其特徵爲構成低通濾波 器電路元件之一部,爲兼用爲構成電壓放大電路元件之一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂_丨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -線 ----,——Ί — — .------------- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -11 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 569440 A7 B7 五、發明說明(9) 部。 因上述構成,構成低通濾波器電路元件之一部,爲兼 用爲構成電壓放大電路元件之一部。因此,只有其被兼用 之元件分量,可縮小晶片大小。所以,因設低通濾波器電 路就可儘量壓縮晶片大小之增大,並且,藉此也可儘量抑 制晶片大小之增大。 k 又,本發明之二次元畫像感測器,其特徵爲:具有 上述電荷量檢出電路。 本發明之再另外目的、特徵、及優異之點,係由以下 之說明就可充分淸楚。又,本發明之益處,係參照以下之 附圖就可明白。 【實施例之說明】 茲就本發明一實施例依據第1圖至第12圖說明如下 〇 關於本發明之電荷量檢出電路,係作爲第1圖所示讀 取電路.(電荷量讀取電路)1 6,使用於畫像感測器4 8 所使用者。關於本實施形態之畫像感測器4 8或讀取電路 1 6等之構成,係已如使用第1圖至第9圖所說明。所以 ,省略其說明。 首先,說明本發明之槪念構成如下。亦即,於本發明 之讀取電路16,係將構成LPF (低通濾波器)之元件 ,可與構成電壓放大電路(MA)之元件共用。藉此,就 可減少構成L P F之元件。 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
569440 A7 B7 五、發明說明(1G) 於第10 (a)圖,表示其一個槪念圖。於該圖,由 電阻Ra與電容Ca,構成LPF。又,在該圖所示演算 放大器OA及電容Ca、Cb構成MA。Ca與Cb係決 定ΜΑ之放大率。亦即,Ca係構成LPF之電容同時也 是構成MA之電容。LPF之時間常數係Ra · Ca, ΜΑ之放大率將成爲Ca/Cb。藉共用Ca,裝設 LPF導致之電路增加將只變成R a。於此,演算放大器 〇A之非反相輸入端子係由假想短路之槪念位於G N D位 準。因此,屬於反相輸入端子之電壓之第1〇 (a)之b 點之電壓也變成GND,作爲演算放大器〇A之動作,
Ra與Ca之連接部電壓之第1〇(a)圖a點之電壓爲 被放大一 Ca/Cb倍而輸出。亦即,若將第1〇 (a) 圖之電路以方塊圖表示時就表示如第10 (b)圖。但是 ,於本構成之電路,Ca爲由構成LPF之電容,與構成 Μ A之電容所共用,所以,嚴格地等値電路係表示如第 10 (c)圖。於第1〇 (a)圖構成之電路,Ra與 Ca,係串聯地連接於輸入與GND之間,Ra與Ca係 構成與第9圖等値之LPF。 茲將更具體之構成說明如下。亦即,於第11圖表示 一構成例。於該圖,由電阻R1與電容Cl、C2構成 LPF。又,由該圖所示演算放大器OA及電容C1、 C2、C3構成MA。如該圖所示,於此構成例,成爲可 切換爲C. 3插入於電路狀態與不插入之狀態。切換係以開 關S W 2之控制訊號C T 2進行。亦即,開關之控制係從 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
ϋ .1 ϋ ^ I — I I I I ϋ H I ϋ I I I Ί ϋ 1 I ϋ n n I n ϋ n 1 I -13 - 569440 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(11) 控制電路之控制訊號輸入進行,例如,於該圖,若CT2 爲高時開關S W 2係位於a側,若爲低時則連接於b側, 控制成是否將C 3插入於電路。更具體地,例如,透視模 態(動畫攝影)時將CT2成爲高,攝影模態(靜止畫攝 影)時將CT2成爲低等方法控制即可。C 2係與C 1値 爲相同電容,經常插入於電路。開關SW1係對於C 1被 充電而放電電荷使電路成爲起始狀態所用之開關,使電路 動作時係在0 F F狀態使用。本開關係與本發明無直接關 係所以以後之說明將省略。 CT2爲低時,因SW2爲連接於b側所以LPF之 時間常數將變成C2 · Rl, MA之放大率將變成C2/ C1。假如設定爲C2 = C1時,此時之放大率將變成1 〇 CT2爲高時,因SW2爲連接於a側,C3係與 C 2並聯連接。所以LP F之時間常數將變成C 2 + C 3 •R1,放大率將變成(C2 + C3)/C1。 像這樣,訊號位準小需要以MA之放大時,因LPF 之時間常數將變大,所以,減低輸出雜訊同時,將可得到 所需之電壓放大。將倍率成爲1使用時爲上述之攝影模態 之情形。如上述,攝影模態時之訊號電荷量因透視模態時 具數十倍以上,所以即使L P F效果小卻依條件也可得到 充分之S/N(訊號對雜訊比)。爲了即使於透視模態也 可檢出訊號,演算放大器0A原本需要充分小之內在雜訊 之特性,只要使用這種低雜訊之演算放大器,即使無 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 訂i _線丨·-------·---„------------ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公餐) -14- 569440 A7 --- B7 五、發明說明(12) L P F或效果小也會變成較訊號電荷量充分小之雜訊量所 致。又,LPF之時間常數較所需爲大時,S/N反而會 惡化係如上述。 茲於第12圖表示另外構成例。於該圖,由電阻R1 與電容C2、C3、C4構成LPF。又,該圖所示演算 放大器0A及電容Cl、C2、C3、C4構成MA。如 該圖所示,於此構成係構成爲可將MA之放大率切換爲多 段。若SW2與SW3皆連接於a側時,MA之放大率將 變成(C2+C3+C4)/C1。又,其時LPF之時 間常數將變成(C2 + C3 + C4) R1。按,只有 SW2爲a側時放大率係(C2 + C3) / C 1而時間常 數爲變成(C2 + C3) R1,只有SW3爲a側時放大 率係(C2 + C4) /C1而時間常數爲變成(C2 + C4) R1。又,SW2、SW3皆爲b側時,放大率爲 C2/C1而時間常數將變成C2·R1。 像這樣,此例係放大率爲可在C2/C1、 (C2+ C3)/C1、(C2 + C4)/C1、(C2 + C3 + C4)/C1之間切換,因應放大率,時間常數爲分別可 切換爲如下C2.R1、 (C2+C3)/Rl、 (C2 +C4)/R1、 (C2+C3+C4)/Ri。需要提 高放大率時爲訊號電荷量爲小時,該時LPF之時間常數 爲變大。藉此,訊號量愈小時可將雜訊量變小。按,與第 1 1圖之構成同樣如攝影模態時欲將放大率成爲1時,只 要設定爲C2=C1即可。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·· 11—丨丨丨—tr·—丨丨丨丨丨丨· *5^丨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 569440 A7 B7 五、發明說明(13) 按,於本發明,電荷量檢出電路係在電荷檢出放大器 後段裝設低通濾波器,並且,在其後段裝設電壓放大電路 之電路,構成低通濾波器電路之元件也可兼用爲構成電壓 放大電路元件一部之構成。 又,電荷量檢出電路,係於上述構成,低通濾波器電 路係一次之濾波器電路,也可以將其兼用之元件爲電容之 構成。 又,電荷量檢出電路,係於上述構成,低通濾波器電 路係一次之濾波器電路,其所兼用之元件也可爲電阻之構 成。 又,電荷量檢出電路,係於上述構成,電壓放大電路 之倍率爲可從外部之控制訊號控制,並且,對應於其放大 率也可構成爲低通濾波器電路之時間常數也會發生變化。 又,電荷量檢出電路,係於上述構成,構成在電荷檢 出放大器與其後段之電壓放大電路之演算放大器之反相輸 入端子之間成串聯構成電阻(第1 2圖之R 1 )與電容( 第12圖之C2),在該反相輸入端子再連接有1個以上 之電容(C3、C4),該電容之另方電極也可經由開關 與C 2並聯連接於電路之構成。 又,電荷量檢出電路,也可於上述構成,C3、C1 爲被設定爲同値之構成。 本發明之一次性效果,係在訊號讀出LSI成爲可容 易構成LPF,藉此,可容易製造低雜訊之訊號讀出 L S I。又,二次性係因設L P F來抑制晶片大小之增大 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 丨 J----------· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
-16- 569440 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(14) ,可壓縮成本之增高。 於本發明,如動畫攝影時資料之訊號電荷量小,必須 增大放大率時,就增大LPF之時間常數使雜訊量變小, 另者,如靜止畫攝影時資料之訊號電荷量充分地大,放大 率也可以小時,因使L P F之時間常數變小,可將S / N 維持爲最佳値。所以,不管攝影狀況可進行雜訊爲少S/ N良好之高品質之訊號電荷檢出。 又,若LPF之時間常數大時,依在取樣保持電路將 Μ A之輸出取樣之時間,則也會發生電壓不能充分地達到 穩常狀態之情形。若取充分長到取樣爲止之時間時雖然會 達成穩常狀態,但是具有讀取資料所花之時間會發生其分 量會變長之缺點。又,若時間變長時,因洩漏電流等引起 之訊號電壓之喪失率也會增加,從其點也會降低S/N。 本發明因不會將L P F之時間常數不必要地變大,所以從 其點也具有效果。 又,本發明之電荷量檢出電路,除了上述構成之外, 也可構成爲隨著上述電壓放大電路之放大率之增大,而上 述低通濾波器電路之時間常數也增大。 一般地,低通濾波器電路,係減低雜訊量之效果雖然 並非直接性地大,但是具有欲檢出之電壓發生誤差之副作 用。尤其,在電阻與電容所成之一次濾波器電路,對於脈 衝輸入存在有履歷特性,依各脈衝微妙地變化時間常數。 其變化之大小係尤其依存於電容構造,不能一槪而言,但 是時間常數愈變大變化也變大。於此舉一例說明時,由雙 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -17- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
569440 A7 B7 經濟部智慧財轰局員工消費合泎注印裂 五、發明說明(15) 聚矽構造之電容與C-MOS構造之電阻時,對於8//s 之中心値正負1 %左右,或觀測其以上之變動係常見之事 。於電荷量檢出電路之此變動因對於訊號電壓之衰減率發 生影響,所以對於欲檢出之電壓發生誤差,亦即發生雜訊 。亦即,低通濾波器電路,係其時間常數愈大,從頻率頻 帶之觀點雖然會減低雜訊,但是因上述機構所發生之雜訊 係相反地具有增加雜訊之副作用。 攝影動畫之透視模態時,屬於訊號量與雜訊之比之S / N原本就小,所以,依低通濾波器電路之雜訊減低效果 之S/N上升之效果爲壓倒性地大。但是,如攝影靜止畫 之攝影模態,原本之S / N爲與透視模態做比較遠爲大時 ,依時間常數之大小,與其由低通濾波器電路之S / N之 上升不如由上述機構所發生之雜訊之S/N劣化者有時變 大之情形發生。因此,於透視模態係將低通濾波器電路之 時間常數充分變大,攝影模態時不必要使時間常數變大之 巧思。 依據上述本發明之構成,隨著上述電壓放大電路之放 大率之增大,上述低通濾波器電路之時間常數也會增大。 因此,如動畫攝影時,必須將訊號電荷量爲小放大率變大 時,增大低通濾波器電路之時間常數變小使雜訊量變小, 另者,如靜止畫攝影時,資料之訊號電荷量充分地大,也 可以將電壓放大電路之放大率變小時,藉使低通濾波器電 路之時間常數變小,就可將S / N維持在最佳値。所以, 依上述構成效果之外,不管攝影狀況,就可進行雜訊變少 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·# 一 *0, 1111111 線丨· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) •18- 569440 A7 __ B7 五、發明說明(16) 而S/N良好之高品質之訊號電荷檢出。 本發明之電荷量檢出電路,係可再具有:將如上述所 檢出之訊號電荷取樣及保持所用之取樣保持電路(S/H )、或將所保持之訊號電荷變換爲類比數位(AD)所用 之類比數位變換器(ADC)、對於分配1個類比數位變 換器分配複數輸入所用之多工器、保持被變換爲數位値之 訊號電荷所用之資料閂鎖電路(D L )等。 於發明之詳細說明項所說明之具體實施態樣或實施例 ,係畢竟爲使本發明之技術內容明白者,並不能那樣地只 限定於具體例而狹義地被解釋,在本發明之精神與下面所 記載之申請專利範圍內,可進行種種變更實施者。 圖式之簡單說明 第1圖係表示關於具有本發明之電荷量檢出電路之X 線感測器構造之斜視圖。 第2圖係表示X線感測器構造於第1圖之A — A線箭 頭符號剖面圖。 第3圖係表示電荷檢出電放大器之基本電路構成之電 路圖。 第4圖係表示對應於1資料線之畫素及電荷檢出放大 器之等値電路構成之電路圖。 第5圖係表示訊號電荷之讀取動作之說明圖。 第6圖係表示使用演算放大器之典型電壓放大電路構 成之電路圖。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 訂------- ——線1·----·——·1.—— :------------- -19 - 569440 A7 ________ B7 五、發明說明(17) 第7圖係表示a — S e光電變換層之變換特性一例之 圖表。 第8圖係表示裝設L P F之1輸入對應之單位讀取電 路之電路構成之方塊圖。 第9圖係表示一次低通濾波器電路構成之電路圖。 第1 0 ( a )圖係表示一次低通濾波器電路及電壓放 大電路構成之電路圖。 第10 (b)圖係將第1〇(a)圖之構成以方塊圖 地表示之電路圖。 第10 (C)圖係將第10 (a)圖構成之嚴格等値 電路以方塊圖地表示之電路圖。 第11圖係表示一次低通濾波器電路及電壓放大電路 構成之電路圖。 第1 2圖係表示一次低通濾波器電路及電壓放大電路 構成之電路圖。 第13圖係表示以往1輸入對應之單位讀取電路之電 路構成之方塊圖。 【符號之說明】 10:掃描線,10j :掃描線,12:資料線, 12 j :資料線,14:掃描驅動器,16:讀取電路, 17:儲存電容,18:開關元件,20:電荷檢出放大 器,2 0 a :演算放大器,20b ··重置開關,22 :畫 素,48:畫像感測器,50:玻璃基板,52:偏壓電 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 丨·--------訂---------線 _·-------·----------------- -20- 569440 A7 _B7 五、發明說明(18) 極,54:光電變換層,56:畫素電極,58:絕緣膜 ,60:補助電極,68:X線光子,ADC:AD變換 器,Cdl:電容,CSA:電荷檢出放大器,CT2: 控制訊號,DL:資料閂鎖電路,G(i):電壓, LPF:低通濾波器電路,MA:電壓放大電路,OA: 演算放大器,Rst :重置訊號,S/Η:取樣保持電路 ,S W 1 , S W 2 , SW3:開關。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·· 訂---------線-· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -21 -

Claims (1)

  1. 569440 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 mi^ la 第利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國91年7月.日修正 1 . 一種電荷量檢出電路,其係包括: 設於後段之上述電荷檢出放大器之低通濾波器電路, 與 設於上述低通濾波器電路後段之電壓放大電路, 構成上述低通濾波器電路之元件一部爲由構成上述電 壓放大電路之元件一部兼用; 隨著上述電壓放大電路放大率之增大,上述低通濾波 器電路之時間常數也會增大; 構成上述電壓放大電路兀件之一部,並且,設複數個 而互相並聯地連接有也兼用爲上述低通濾波器電路一部元 件之電容, 又,包括將上述電容之至少一個,切換爲插入於電荷 量檢出電路之狀態與不插入狀態之切換開關。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 _如申請專利範圍第1項之電荷量檢出電路,其中.. 構成上述電壓放大電路元件之一部,並且兼用上述低通濾 波器電路一部之元件爲電容。 3 .如申請專利範圍第2項之電荷量檢出電路,其中 上述電壓放大電路,係包括演算放大器,與作爲連接於上 述演算放大器之反相輸入端子之上述兼用元件之電容, 上述低通濾波器電路,係包括有電阻,與和作爲上述 電阻成串聯連接之上述兼用元件之電容。 本紙張尺度適用中國國家橾率(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 569440 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 .如申請專利範圍第1項之電荷量檢出電路,其中 由上述切換開開將連接於上述切換開關之電容不插入於電 荷量檢出電路時, 上述電壓放大電路之放大率爲1。 5 ·如申請專利範圍第1項或第4項之電荷量檢出電 路,其中係構成上述電壓放大電路元件一部,並且,也兼 用上述低通濾波器電路一部元件之電容,爲設有複數個, 互相並聯地連接, 又,將至少上述電容之一個,設有複數個切換爲插入 於電荷量檢出電路之狀態與不插入狀態之切換開關, 上述各個切換開關,爲分別切換爲互相不同之複數個 上述電容之插入狀態。 6 .如申請專利範圍第1項至第4項之任一項之電荷 量檢出電路,其中上述電壓放大電路係包括演算放大器, 與設於上述演算放大器之反相輸入端子與輸出端子間之回 饋電容。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 .如申請專利範圍第1項至第4項之任一項之電荷 量檢出電路,其中包括上述將儲存於上述回饋電容之電容 加以放電重置之重置開關。 8 .如申請專利範圍第1項至第4項之任一項之電荷 量檢出電路,其中包括保持從上述電壓放大電路所輸出之 訊號電荷所用之取樣保持電路,與 將由上述取樣保持電路所保持之訊號電荷變換爲類比 數位所用之類比數位變換器,與 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 〇 569440 A8 B8 C8 D8 r、申請專利乾圍 對於上述類比數位變換器之1個分配複數輸入所用之 多工器,與 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 保持被變換爲數位値之上述訊號電荷所用之資料閂鎖 電路。 9 · 一種二次元畫像感測器,其係包括: 電荷檢出放大器,與· 設於上述電荷檢出放大器後段之低通濾波器電路,與 設於上述低通濾波器電路後段之電壓放大電路, 構成上述低通濾波器電路元件之一部包括兼用構成上 述電壓放大電路元件一部之電荷量檢出電路; 隨著上述電壓放大電路放大率之增大,上述低通濾波 器電路之時間常數也會增大; 構成上述電壓放大電路元件之一部,並且,設複數個 而互相並聯地連接有也兼用爲上述低通濾波器電路一部元 件之電容, 又,包括將上述電容之至少一個,切換爲插入於電荷 量檢出電路之狀態與不插入狀態之切換開關。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 〇 .如申請專利範圍第9項之二次元畫像感測器, 其中包括光子變化成電荷而儲存之光電變換部, 上述電荷量檢出電路係讀取從上述光電變換部之電荷 〇 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項之二次元畫像感測器 ,其中上述光電變換部,係包括保持從光子所變換之電荷 之畫素電極。 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 569440 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之二次元晝像感測器 ,其中包括將由上述畫素電極所保持之電荷,傳輸到上述 電荷量檢出電路之資料線,與將上述畫素電極連接於上述 資料線之開關元件, 上述畫素電極係將所保持之電荷,因上述開關元件爲 變成Ο N而流出於上述資料線。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之二次元畫像感測器 ,其中包括供給使上述開關元件動作所用之電壓之掃描線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(21〇X:297公釐) -4 -
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103262417A (zh) * 2010-09-14 2013-08-21 高端硅公司 一种用于电容式触摸应用的电路

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100431750B1 (ko) * 2002-03-12 2004-05-17 주식회사 하이닉스반도체 정전용량식 반도체 지문감지센서의 단위화소 및 그를이용한 지문감지장치
JP2003279410A (ja) * 2002-03-26 2003-10-02 Communication Research Laboratory 光検出装置
US7623169B2 (en) * 2002-06-26 2009-11-24 Xerox Corporation Low noise charge gain hybrid imager
US7005663B2 (en) * 2003-08-22 2006-02-28 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Sampling methods and systems that shorten readout time and reduce lag in amorphous silicon flat panel x-ray detectors
JP2005140657A (ja) * 2003-11-07 2005-06-02 Denso Corp 静電容量型センサの容量変化検出回路
JP4315133B2 (ja) * 2005-07-01 2009-08-19 セイコーエプソン株式会社 固体撮像装置
CN1953181B (zh) 2005-10-21 2010-10-13 松下电器产业株式会社 模拟数字转换器
JP4793281B2 (ja) * 2007-02-21 2011-10-12 ソニー株式会社 撮像装置および表示装置
KR20090028884A (ko) * 2007-09-17 2009-03-20 삼성전자주식회사 엑스레이 검출방법 및 이를 수행하기 위한 엑스레이검출장치
EP2180599B1 (en) * 2008-10-24 2014-12-17 Advanced Silicon SA X-ray imaging readout and system
JP5219962B2 (ja) * 2009-08-13 2013-06-26 キヤノン株式会社 固体撮像素子、その駆動方法、及び撮像システム
KR101633283B1 (ko) * 2009-09-18 2016-06-24 삼성전자주식회사 상관 이중 샘플링 회로, 이를 포함하는 이미지 센서, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 이미지 처리 시스템
KR20210018723A (ko) * 2019-08-09 2021-02-18 삼성디스플레이 주식회사 터치 구동 회로 및 이를 포함하는 표시 장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2186146B (en) * 1984-04-16 1988-06-22 Secr Defence Thermal detector
JPS6170872A (ja) * 1984-09-14 1986-04-11 Hitachi Ltd 固体撮像装置
US5332893A (en) * 1992-07-22 1994-07-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Imaging system and device having a simplified electrode design
US5436442A (en) * 1992-11-20 1995-07-25 General Electric Company High temperature photodetector array
US6459078B1 (en) * 2000-12-04 2002-10-01 Pixel Devices International, Inc. Image sensor utilizing a low FPN high gain capacitive transimpedance amplifier
JP4104312B2 (ja) 2001-02-20 2008-06-18 三洋電機株式会社 発光素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103262417A (zh) * 2010-09-14 2013-08-21 高端硅公司 一种用于电容式触摸应用的电路
CN103262417B (zh) * 2010-09-14 2016-10-19 先进矽有限公司 一种用于电容式触摸应用的电路

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