TW569285B - Manufacturing method for semiconductor device - Google Patents

Manufacturing method for semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
TW569285B
TW569285B TW091106324A TW91106324A TW569285B TW 569285 B TW569285 B TW 569285B TW 091106324 A TW091106324 A TW 091106324A TW 91106324 A TW91106324 A TW 91106324A TW 569285 B TW569285 B TW 569285B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
exposure
focus
processing
pattern
wafer
Prior art date
Application number
TW091106324A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadahito Fujisawa
Masafumi Asano
Kyoko Izuha
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW569285B publication Critical patent/TW569285B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70641—Focus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70653—Metrology techniques
    • G03F7/70675—Latent image, i.e. measuring the image of the exposed resist prior to development
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70681—Metrology strategies
    • G03F7/70683—Mark designs

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

569285 A7
發明背景 1·發明領域 取本發明係、冑關執行轉印於光阻膜形成圖#時之曝光量及 聚焦之設定之半導體裝置之製造方法。 2 ·相關技藝描述 半‘粗積肢電路製造時之光刻步驟中所使用之用於執行 圖案曝光之裝f ’稱之為曝光裝置。而縮小投影曝光裝置 (Stepper)即為一種曝光裝置。該縮小投影曝光裝置係來自 光源之光透過描繪有曝光圖案之光罩，被光學系統縮小 後’投影在半導體晶圓上。 轉印光罩上之描繪圖案於晶圓上之圖案形成時，要求可 轉印圖案的微細化。依據光學成像理論，於投影光學系統 之數值孔彳至為NA，曝光波長為又時，可自熟知的以下公式 求得解像力（線寬）R及焦點深度DOF。 R β kl — (1) ΝΑ D0F e (2) 其中，ki ’ k2為處理係數。 〜 該兩公式係稱之為瑞利公式者，係用於作為評估縮小投 影曝光裝置之成像性能的尺度。因要求圖案之微細化，而 促使曝光波長短波長化及投影透截之高NA化，同時，亦同 時進行處理的改善。但是，近年來對裝置圖案之微細化的 要求更加嚴格，很難獲得足夠之曝光量餘裕度及焦點深度 之處理界限，造成良率降低。 -5- 本紙張尺度適用巾g @家標準(CNS) Α4規格(21G〉< 297公釐)~ 一 ' -------- 569285 五、發明説明（2 ) 為求以較小之處理界限執行光刻’特別重視消耗處理界 限之誤差的精密分析與誤差分配（Em)r Budget)。例如，即 使欲在晶圓上以相同設定曝光量曝光許多晶片，因曝 供烤（PEB ; Post Exposure Bake)、顯像之晶圓面内^ -性、光阻之晶圓面㈣厚變料因素，實效性適切 量不均句，以致造成良率降低。因而，為求有效使用丄處 理界限’防止良率降低，gt頭争古掉麻 「千I牛低孤視更冋輻度之曝光量及聚隹， 反饋或前饋至曝光量及聚焦之控制方法，同時，各處理單 π亦須執^耗處理界限之誤差因素的精m，並 該分析結果實施主要之誤差因素的改善。 有關曝光量之控制方法’揭示有兩種方式。第一 係依據光阻圖案線寬或潛像圖案線寬之測定結果长曝“一 者。^個方式係依據照射對準於光阻圖案:寬及潛G 案線1之光所獲得之繞射光強度.的測定資 Θ 之曝光量者。 、竹，求出實效性 但是，由於圖案線寬變動因素除曝 ^ ^ m F 里之外’亦因聚隹 而.k化’因此，從一般之上述方式的測定妗 二 曝光量值的變動、聚焦之變動、或兩者 …、定 Ά冰取巷SA、 贫又動造成之影響。 另外，小焦之監視方法大致上有：（丨 之監視符號的尺寸變動以計測聚焦型； 以政焦曝光後 罢荆々Μ咕 d . . u)藉由使用移相光 罩t之付號’計測聚焦之變動，作為 種。 口累之位置偏差型兩 —即使以先前之聚焦監視器求聚焦之偏差量，可對聚焦設 定值反饋，然因僅使用此等符號無法 ’愿適切曝光量值的 6- 本紙張尺度制巾@目家標準(CNS) A4規格(21G χ 29^石 569285 五、發明説明（ 變動，因此無法抑 限。 1處理之變動因素，有效地使用曝光界 此因形成曝光量餘裕度及聚隹界 更微細之孤立圖宏站^ Α…、1吸小之更微細之圖案及 “ 茶^者，依據監視曝光I ―、取壯 , 方所後得之測定姓 或水…、之任何一 义、，.。果，僅饋送於曝 ΡΕΒ溫度及顯像時間等，而發生益法有=之設定曝光置、 素的問題。 王”，、次有政抑制處理之變動因 發明概述 (1)本發明一種半導體製造裝置之 μ 工制方法，其係設定藉 υ农直得叩九罩上之電 膜，以步& FI安# ㈡木至形成於晶圓上之光阻 腰以开/成圖案時之曝光量及 步驟，其“述ί為包含：塗敷 含：用於&、、目‘、+ι。 視付唬，該監視符號包 轳·另固认认，二 ^曝先置之曝光量監視符 唬，及用於檢測前述晶圓上實 内之5 W、甘士 + 貝文性水焦之聚焦監視符號 =之至>其中一方，在前述晶圓上塗敷光阻膜；第一加埶 々理步驟，其係對前述光阻膜執行加熱處理；第一冷卻處 理步驟，其係對執行有第一加埶處 7 " 裡·、n …、爽理之先阻膜執行冷卻處 理，；曰像形成步驟，其係將曝光量及聚焦位置設定 — 值’使用前述光罩對執行有第一冷卻處： .疋 —通丨士 之則述光阻膜執 订小先處理，在前述光阻膜上形成對應於前 潛像；第二加熱處理步驟，其，對形成有潛像之光：:： 行加熱處理；冷卻處理步驟，其係對執行有第二 、 之光阻膜執行冷卻處理，·監視圖案形成步驟，其係顯像成 理執行有第二加熱處理之光阻膜，並對應於前述潛像形$ 569285 A7 B7
五、發明説明（4 監視圖案；計測步驟，其係於曝光處理後、 弗二加熱處理 後、第二冷卻處理中、第二冷卻處理後、顯像處理中、及 顯像處理後之至少任何一處，測定前述監视圖案之狀能· 求實效性曝光量或聚焦位置步驟，其係依據所測定之^視 圖案之狀態，求對前述光阻膜執行有曝光處理之實效性曝 光量及聚焦位置之至少一方；運算步驟，其係自1出之實 效性曝光1及聚焦位置之任何一方，算出使用前述光罩執 行曝光時之最佳曝光量值與前述設定值之差、與最佳之聚 焦值與a又疋值之差之至少一方；及變更步驟，其係因應所 算出之差，變更聚焦位置之設定值、曝光量之設定值、第 一加熱處理之加熱條件、顯像處理之顯像條件、自曝光處 理結束至執行第二加熱處理之閒置時間、自第二加熱處理 結束至執行第二冷卻處理之閒置時間、自第二冷卻處理結 束至開始顯像處理之閒置時間、自光阻膜塗敷結束至第一 加熱處理開始之閒置時間、自第一加熱處理結束至執行第 冷卻處理之閒置時間、及自第一冷卻處理結束至曝光開 始之閒置時間之至少其中一個。 圖式之簡單說明 圖1係顯不第一種實施形態之半導體製程之控制方法之流 程圖。 圖2係顯示第一種實施形態之―光·罩之概略構造的平面圖。 圖3係顯示第一種實施形態之曝光量監視符號之概略構造 的平面圖。 圖4係顯示轉印圖3所示之曝光量監視符號在晶圓上所獲 _______·8_ 本紙張尺度適用 569285 五、發明説明（5 知之光像強度分佈的特性圖。 圖5A、圖5B係顯示使用圖3所示之曝光量監視符號形成於 光阻膜上之曝光量監視符號形狀的平面圖。 圖6係·,、，頁示用於自曝光夏監視符號之圖案長獲得曝光量之 校正曲線圖。 圖7係顯示第-種實施形態之聚焦監視符號之概略構造的 平面圖。 圖8係顯示藉由曝光量校正曲線所校正之實效性曝光量之 聚焦監視符號之圖案長W與聚焦之關係圖。 圖9係顯示"比内之實效性曝光量之變動分佈圖。 圖10係顯示1批内之實效性聚焦值之變動分佈圖。 圖1 1係顯不1内之實效性曝光量之變動分佈圖。 圖12係顯示亦可判斷聚焦之偏差 兩是方向之聚焦監視符號的 概略構造圖。 4 丁 I白勺 圖13係顯示對於將圖12之聚焦監 悦付唬予以曝光結果所 獍得之實效性曝光量之兩方向聚焦s 禾所 案長Wv及Wh的關係圖 圖14係顯示圖案長Wv與Wh之差盥取* 仏、， '、爪焦之偏差量的 圖。 圖1 5係顯示用於計測聚焦之變動作 又功作為圖案之位置偽 聚焦監視符號的概略構造圖。^ 圖16A ’ 16B係顯示用於計螂不影變 曰嗯光罝動之平隹 置偏差量之聚焦監視符號的概略構造圖。 A…、 圖17係顯示使用圖1 6 A，1 6B所示夕取# 、 叮丁之聚焦監視符號所形成 A PT……，，_ 、、取4見付5虎於曝光後之圖 關係 之 位 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 569285 五、發明説明（ 之光阻圖案尺寸盘聚隹 圖…“ δ 偏差的關係圖。 f ^示使用圖16Β所示之聚 種符號所形成之光阻圖宰 ”、 付號中之兩 圖。〃寸差與散焦之關係的校正曲線 圖19係顯示圖16α 部與透過部分之相位❹監視符號之半透明膜 圖_㈤於求與聚;二 光量監視圖案的概略構造平面圖。 貝 *先里之曝 圖21係顯示圖2〇所示之曝光量監 的概略構造圖。 付〜*光I監視部 圖22係顯示對應於圖2〇所示之 之光阻上的光強度分佈圖。 先里皿視-叙A-A’部 像示：圖2〇所示之曝光量監視符號予以曝光、顯 像最…之光阻圖案之A_A，剖面形狀的剖面圖。 圖24係顯示用於自將圖2〇所示之曝光量監視符號予以曝 先、顯像最後狻得之光阻圖案獲得實效性曝光量的校正曲 線圖。 圖25A ’ 25B係顯示圖20所示之曝光量監視符號之類似例 的概略構造平面圖。 圖26A〜26D係顯示圖2〇所示之曝光量監視符號之類似例 的概略構造平面圖。 - 圖27係顯示第一種實施形態之半導體製程控制方法之類 似例的流程圖。 圖2 8係顯不第一種實施形態之半導體製程控制方法之類 -10 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 訂 線 569285 A7 B7 五、 發明説明 (7 ) 似 例 的流 程 圖。 圖 29係 顯 示第二種實施形態之半導體製程 之 控 制 方 法 的 流 程 圖。 圖 30係 顯 示第二種實施形態之半導體製程 之 控 制 方 法 的 流程 圖。 圖 3 1係 顯 示實效性曝光量對曝光前加熱單 元 之 待 機 時 間 的 變 動圖 〇 圖 32係 顯 示第二種實施形態之半導體製程 控 制 方 法 之 類 似 例 的流 程 圖。 圖 33係 顯 示第三種實施形態A之批次内各晶 圓 之 實 效 性 曝 光 量 的變 動 圖。 圖 34係 顯 示第三種實施形態A之批次内各晶 圓 之 各 處 理 後 的 待 機時 間 圖。 圖 3 5係 顯 示實效性曝光量之變動與顯像時严曰 e I Μ I係 :圖 0 圖 36係 顯 示第三種實施形態A之半導體裝 置 製 程 的 流 程 圖 〇 圖 37係 顯 示批次内各晶圓的尺寸變動圖。 圖 38係 顯 示第三種實施形態B之批次内各晶 圓 之 實 效 性 曝 光 量 的變 動 圖。 圖 3 9係 顯 示第三種實施形態B之批次内各加 軌 處 理 的 實 :切 /JSL 度 圖 〇 - ' 圖 40係 顯 示第三種實施形態B之半導體裝 置 製 程 的 流 程 圖 〇 圖 4 1係 顯 示批次内各晶圓的尺寸變動圖。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 569285 A7 B7
五、發明説明（8 ) 發明詳述 參照圖式說明本發明之實施形態如下。 [第一種實施形態] 第一種實施形態中顯示抑制批次内之圖案尺寸變動特別 有效的實施例。 圖1係顯示第一種實施形態之半導體製程之控制方法之流 程圖。此外，圖2係顯示半導體裝置製程上使用之光罩的平 面圖。 如圖2所示’曝光時使用之光罩200上配置有用於監視不 含裝置圖案201之切割區域202上之實效性曝光量的曝光量 監視符號203與聚焦監視符號204。 聚焦監視符號204係與曝光量無關，僅與聚焦位置有關， 並在光阻上形成圖案的符號’且為用於求與曝光量無關之 聚焦位置的圖案。 曝光量監視符號203係與聚焦位置無關，僅與曝光量有 關’並在光阻上形成圖案的符號。 本實施形態於放入本批（第二晶圓群）之前，對前批（第一 晶圓群）執行光阻膜之塗敷（步驟S101)、曝光前之加熱（步 驟S102)、冷卻（步驟S103)、曝光（步驟S104)、曝光後之加 熱（步驟S105)、冷卻（步驟S106)、顯像（步驟sl〇7)，在光 阻膜上形成圖案。由於步驟SJi)1〜Sl〇7的步驟與先前執行之 步驟相同，因此省略其詳細說明。 其次，自形成有光阻圖案之晶圓中抽出用於監視批次内 實效性曝光量變動及聚焦變動之足夠量的晶圓（步驟1〇8)。
569285 A7
測定經過曝光之兩種… 皿視付唬的圖案（步驟S109)。根據此 寺結果求出與批次內久曰 旦；9叙s止旦 > 日日圓之斌焦位置無關的實效性曝光 +、1 κ欢來焦位置（步驟S110)。使用所 求出之貫效性曝光量及万 +焦位置之至少一方，對次批以後 的批次貫施反饋曝光來構成（步驟S111)e m明使用曝光量監視符號測定與聚焦位置無關的 曝光1。 形成於光罩上之曝光哥的 μ . 、 皿視付號，此處使用Exposure
Monitor Structure (AlexanrW Qt ·丨 V 八lexander Staikov ’ SPIE vol. 1261 P.3 1 5-324)中揭示的型式。哕氓杏旦 A 曝光里監視符號之特徵為：於 ^用光罩圖案之透過部與遮光部之尺寸比（工作因素）之投 影,光裝置，在不解像範圍内配置連續地改變的圖案，可 在B曰圓上形成具有與聚焦位置無目之照、射量之傾斜分佈的 圖3係顯示上述型式之曝光量監視符號。圖3中之3〇ι係表 不遮光部，302係表示透過部。曝光量監視符號隨自符號中 央橫方向擴大，間距P固定而遮光部的尺寸增加。間距？係 使用之曝光條件中不解像的間距。 本發明人係考慮所使用之曝光條件為曝光波長λ = 248 nm，曝光裝置之投影光學系統之射出側的數值孔徑να = 〇·68 ’曝光裝置之照明光學系省之相干因素^ = 〇·75，遮蔽 率2/ j的輪帶照明，並以滿足光罩圖案之繞射光（丨次以上之 繞射光）不射入投影透鏡之瞳孔，僅直射光（〇次繞射光）射 入曈孔條件 __ -13- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(21〇 X 297公釐) 裝 訂
線 A7 B7
569285 五、發明説明（10 Ρ/Μ^ λ /( 1 + ο )ΝΑ (3) (Μ為光罩之倍率） 之方式，使曝光量監視符號之間距ρ為晶圓換算尺寸的〇. i 9 μηι 〇 圖4係顯示對應於轉印圖3所示之曝光量監視符號於♦光阻 膜上時所獲得之晶圓面上之Α_ Α，部的光像強度分佈。由於 晶圓面上僅照射有經監視符號繞射之〇次繞射光，因此像強 度刀佈形成與透過部之面積2乘方成正比的分佈。藉由使用 該符號使曝光裝置之曝光量設定值改變來進行曝光，如圖 5A’5B所示’形成曝光量監視圖案5〇1之長度〇對曝光量改 又。圖5A係曝光量小時形成於光阻上之曝光量監視圖案的 平面圖’圖5B係曝光量大時形成於光阻上之曝光量監視圖 案的平面圖。藉由以光學式之線寬測長裝置測定形成於光 阻膜上之圖案長度，可獲得與聚焦位置無關用於獲得實效 性曝光量的校正曲線。 曝光係在矽晶圓上自旋式塗敷藥液後，執行加熱處理， 形成塗敷型之防反射膜（膜厚6〇 nm),繼續藉由自旋式塗敷 升7成化本放大系正型光阻（膜厚〇 · 4 μ m )。之後，進行1 〇 〇 °C、90秒的預熱處理。此等一連串處理係在連接結於處理 本批之曝光裝置的軌跡内進行。此等處理結束的晶圓搬運 至曝光裝置内’進行曝光，轉—印上述曝光量監視符號。之 後，依序進行曝光後加熱（PE3)、冷卻、顯像，在光阻膜上 形成曝光量監視圖案。 為校正曝光量監視圖案，曝光裝置之曝光量設定值係在 裝 訂
569285 A7 B7 11 五、發明説明（ 以最適於使用光阻時之裝置圖案上之曝光量設定值之15 mJ/ cm2為中心地± 2〇%範圍内，使曝光量值改變來進行曝 光0 圖6係顯示作為校正曲線所獲得之圖案測長值與曝光裝置 之曝光量設定值的關係。評估用於計測之光學測長裝置之 重現性的結果，可獲得90 nm的重現性。因而可知曝光量監 視圖案可檢測0.6%之曝光量變動。藉此，可以曝光量監視 圖案501之長度D為基準，記述實效性曝光量。另外，圖6中 之橫軸設定之曝光量值為100%。 裝 :人^兒明使用聚焦監視符號及曝光量監視符號之與曝 光畺然關之聚焦的測定。 ^现視付號係使用自散焦曝光後之監視圖案的尺寸變 動::’則聚焦位置的型式。圖7係顯示為形成本實施形態使用 訂
之聚t監視圖案所使用之形成於光罩上的聚焦監視符號（尺 寸，^圓換#尺寸）。構成聚焦監視符號之圖案70 1形成中 ，部寬度為0.25，、頂端部寬度為〇1 _、與寬度自中央 頁端4交窄。以〇·25 ,之間隔配置有5個圖案卜形 成有聚焦監視符號。 此蚪’本發明人係著眼於藉由對自上述曝光量監視圈 :计測所獲得之實效性曝光量(此時為曝光量監視圖案^ =)’事先校正使關7所示々聚焦監視符號所形成之驾 2圖案之圖案長L於轉印後&寸w的變動，可分別求注 光夏與聚焦單獨的參數。 該聚焦之校正曲線係預先移動曝光裝置之設定曝光f
569285 A7
聚焦位置來進行曝 曝光f監視符號所 量，最後，求出實 的關係。 光’曝光量係將使 形成之圖案測長結 效性曝光量與散焦 用與前述聚焦無關之 果轉換成實效性曝光 、以及圖案長W三者 ，係顯示使用藉由圖6所示之曝光量校正曲線校… 效性曝光量之聚隹於頷饵专 貝 K…孤視付唬（圖7)，形成在光阻膜上之圖考 長W與聚焦的關係。 #
夕二求上述校正曲線時，同時滿足所需之聚焦餘裕度 及曝$量餘裕度之最佳曝光值為15 mJ/cm2，此時之實效性 曝光量以曝光量監視圖案之長度D換算為13.747 μιη，聚焦 位置之偏置為〇 裝 依據圖1詳細說明曝光程序如下。 (步驟 S101 〜S107) 訂
以上述處理條件放入1批晶圓’執行光阻之塗敷（步驟 S101)、曝光前之加熱（步驟S102)、冷卻（步驟S103)、曝光 (步驟S104)、曝光後之加熱（步驟S105)、冷卻（步驟 S106)、顯像（步驟S107) ’形成光阻圖案。其中1批係以24 片晶圓構成。 (步驟 S108，S109) 顯像結束，抽出形成有光阻圖案的全部晶圓（s 1 08)，1批 (24片）中之各晶圓，以光學測長裝置計測藉由5次照射之曝 光量監視符號及聚焦監視符號所形成之光阻圖案的長度 (S109)。 (步驟S110) • 16 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 569285 A7 五、發明説明（ 從步驟S 1 09之計測結果算出 叫叩叫〜24)、及聚焦位置广晶圓之實效性曝光量 示1批内之實效性曝光量變動分〜24)。圖9係顯 内之聚焦位置變動分佈。 刀。此外，圖10係顯示1批 1批内之曝光量變動及聚焦位 間之待機時間及單元内之環：“因各晶圓處理單元 聚焦誤差等的影響而產生:^異、曝光量誤差、 處理，尤其是1次放入之批次規模為者：：較小規模之批次 理的情況下，批次内晶圓之夂成理。：早位等單發批次處 致。亦gp，A囱, 〇处里早兀條件為系統性一 亦即，批次内之相同放入位置 裝 機時間等條件顯示任—批均趨於相對性類似早勺待 (步驟S 1 1 1) 因二’繼續於同一批次内導入晶圓時，考慮上述S 獍仔之批次内之曝光量變動分 訂 之各晶圓分別設定曝光量。及—動分佈’對1批内 此時對所以之曝光量％及聚焦位置Fg，進行第{ 么二先之晶圓的曝光量D⑴及聚焦位置f⑴分別為 線
Di = D〇 + D(i)==D〇 + (D〇-De(i))
Fi = F〇 + F⑴= F0 + (F「FS ⑴） 另外，如圖1〇所示，由於聚焦位置目前變動量小 聚焦不特別附加調制。結果次批分別獲得圖i ι所示 里變動分佈，妹所發狀批欠内之曝光量變動被抑^ ’ 在批次内可均一地形成實效性曝光量。 另外，上述實施例因聚焦之偏差量小，屬於無問題的
569285 A7
:隹因此Μ力:調制。偏差量大的情況下，使關7所示之 :焦監視符號所形成之符號的聚焦偏差方向不知1而 :法判斷須在正向或反向附加偏置來曝光聚焦位置。因 次圖7所不之型式之聚焦監視符號係利用現場所獲得之 C貝料等’自聚焦之偏差傾向判斷聚焦位置之偏置方向。 、因々此，發^明人係配合90度旋轉者來配置圖7所示之聚焦監 視付號:藉由利用使用之曝光裝置的像散像差，監視聚: 的偏是量。此時使用之裝置已知9()度方向與^度方向之圖案 的；tlMi置差為〇·15，。藉由利用該像散像差亦可監視= 焦位置的偏差方向。 亦可判斷聚焦之偏差方向型的聚焦監視符號顯示於圖 12。如圖12所示，係配置成與圖7所示之聚焦監視符號同樣 的聚焦監視符號1201，1202彼此直交。 Χ …糟由對於使用上述曝光量監視符號形成於光阻膜上之曝 光量監視圖案之計測所獲得之實效性曝光量，預先校正圖 12所不之聚焦監視符號12〇1，12〇2之尺寸“及Lh部分、曝 光、顯像後之圖案長Wv，Wh的移動，可分別求出曝光量與 聚焦單獨的參數。進一步詳細地顯示適切之聚焦偏差量的 監視方法如下。 圖13係顯示對於曝光圖12之聚焦監視符號12〇1，12〇2結果 所後得之實效性曝光量之兩方向之聚焦監視圖案與曝光後 之圖案長Wv及Wh的關係。本發明人係著眼於圖案長 Wh本身藉由曝光量而變化，且於適切聚焦附近，兩者之差 對曝光量之變動不改變的特徵。因而，其次自圖丨3求實效 _____-18- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) 569285 A7
性曝光量變化時之m右E
_ 圖木長…▽與Wh之差與聚焦之偏差量的M 係，獲得如圖14所+认 > 研左里们關 隹— 斤不的杈正曲線。藉由利用圖14所示之繁 焦扠正曲線，聚隹之伧 ΛΚ 之 ^之偏差置（亦含方向）可自圖案長W_Wh 于"貝至曝光裝置之聚焦設定值上。 像不方向圖案與9°度方向 ·，、’、者，而其他像差顯著時、於作成光罩等產生之0 又方：圖：與90度方向圖案之形狀差異顯著時、或聚焦之 偏差里大日寸、|至提高聚焦監視的精度時，除自聚隹 ，獲得之圖案長W，Wh之差之外，可使用亦考慮二 光！監視圖案所獲得之實效性曝光量的校正曲線。 ’、 此外此日守ί丁、使用〇度與9〇度方向的符號，只要為彼此最 U、位置不同方向的符號即可，不限定於僅該方向。 此外，不影響其他曝光量之變動，而監視聚焦位置之偏 差置的方法，亦可藉由使用移相光罩型的符號，使用將聚 焦變動作為光阻圖案之位置偏差來計測的技術。例如，將 聚焦變動作為光阻圖案之位置偏差來計測型的聚焦監視符 號，亦可使用圖15所示之記載於Phase shift f〇cus m〇nit〇r application to Lithography tool—control (D· Wheeler et. al. SPIE vol· j〇5i p· 225-223)的光罩。圖 15 中，i5〇i為相位變 位玻璃’ 1502為相位不變位玻璃，15〇3為遮光膜。使用該 符號之校正方法，係對聚焦監視符號改變聚焦位置來曝 -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
裝 k以上結果，亦可監視聚焦之偏差方向，並可精度良好 地校正聚焦的偏差4，在始終獲得最大曝光界限的狀態下 進行本批内之晶圓的曝光，可抑制良率降低。 訂
569285 A7
光，求出藉由對準偏差檢查裝置所 焦偏差量之關•，作為聚焦之校正：：立：：差量與聚 饋至曝光裝置之聚焦言交定值上即可。、，、 〃才父正曲線反 此外，不影響其他曝光量之變動，而於 差晉0^1方y p '視‘焦位置之偏 是里的方法，係說明可適用於上 — 隹政福筇$ π , 、永焦監視付號以外之聚 …、皿視付唬。圖16Α，16Β係說明聚隹卧，目斤 g 1由固 、皿視付號的概略構 視符號的平面圖。 。]面圖，圖⑽係聚焦監 監視符號係形成於無光罩之裝置圖 1 口木之&域（切割線）的 ‘先。卜圖16Α，16Β中’ 1611為玻璃等 半透明膜，i⑴為遮光膜。此外，1601為…反1612為 i⑽i马形成於遮光膜 ⑹3上的菱形符號（第一開口部），16〇2為形成於半透明膜 ⑹2上之菱形符號（第二開口部）。另外，半透明膜⑹：具 有對曝光光線之透過率為6%，將相位偏差18〇度的作用。 =成菱形符號16〇ι之第一圖案區域及形成菱形圖案16〇2 之第二圖案區域，係以一定之間距各配置有5個符號。而菱 形符號1601，1602在晶圓換算上，X軸方向的長^度為^ μπι，Y軸方向之寬度為〇·18 μιτ1，且間距為〇 % μπι。另外， 第二開口部之菱形符號1602部分剷入有通過半透明膜1612 之曝光光線與通過菱形符號1 602之曝光光線僅9〇度相位差 部分的基板。藉由如此形成，-藉·由半透明膜部之菱形符號 1602形成於晶圓上之菱形圖案-之聚焦點、與藉由遮光膜部 之菱形符號1 60 1形成於晶圓上之菱形圖案之聚焦點間產生 偏差，如圖1 7所示，對聚焦位置顯示不同圖案尺寸特^生。 ____-20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公爱) 569285 A7 ^-------B7 立、發明説明（17 ) 繼續監視該兩符號之曝光、顯像後之圖案尺寸之差時，利 用對散焦單調減少或單調增加，求圖案尺寸差對散焦之關 係，作為圖1 8所示之校正曲線。利用該結果，測定曝光、 顯像後之晶圓上的圖案尺寸差（L_L，），可包含方向來監視 聚焦的偏差量。該聚焦監視符號亦與前述之符號同樣地， 具有藉由曝光量彼此之圖案長變化，於適切聚焦附近，兩 者差在曝光量上無變化的特徵。 此外，說明為求進一步提高靈敏度，比圖16Α，ΐ6β所示 之聚焦監視符號精度更高的符號。曝光用光罩上配置以半 透明膜形成之菱形符號，作為用於測定聚焦點的監視符 號。與先前說明之符號不同之處在於，第一及第二圖案區 域上均設置半透明膜，菱形符號之第一圖案區域具有+ 9〇度 相位差，第二圖案區域具有_ 9〇度相位差。第一圖案區域， 將透過半透明膜之曝光光線對通過開口部之曝光光線大致 錯開+90度相位，第二圖案區域，將透過半透明膜之曝光光 線對通過開口部之曝光光線大致錯開-9〇度相位。對通過開 口部之曝光光線大致錯開+ 90度相位之半透明膜部之菱形符 號的聚焦點、與形成於遮光膜部之菱形符號之聚焦點的偏 差ΐ ’僅變化與前述符號相同的量。而對通過開口部之曝 光光線大致錯開-90度相位之半透明膜部之菱形符號的聚焦、 點’顯示對形成於遮光膜部之_菱形符號之聚焦點，前述兔 差量之絕對值相等’符號相反的特性。結果，可實現對前 述之符號2倍聚焦偏差量的檢測靈敏度。 另外’本實施形態係使用與曝光裝置分離之光學式線寬 -21 ·
本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐) 569285 A7
測定器’測定聚焦監視圖案，不過，亦可使十 裝置本體之線寬測定功心# ‘ 臧於曝光 置。此外，監視符號只須可牡 的測疋衣 阻之圖案即可，亦f見叙衣置心形成於光 並非需要形成銳利，若开彡ώ τ石山 ^ ”頂知 , 、 右形成頂端部比中央部細時，可於捏 水焦監視付號的功能。再者 丹有，錯由使用之曝光條件作久 改變，更有助於提高聚焦檢測性能。 種 此外，圖16Α’ 16Β所示之聚焦監視符 — 之遮光部與開口部之關俜亦可姑g 圖木£域 心關加亦可相反。亦即，亦可形成呈 被開口部包圍：以菱形或換形之遮光膜所形成的監視符 唬。同樣地’帛二圖案區域之半透明膜部與開口部之關係 亦可相反。亦#，亦可形成具有被開口部包圍，以菱形： 楔形之半透明膜所形成的監視符號。且使用此等任何之組 合’亦可後得與本實施形態相同的效果。 本實施形態之第二圖案區域，為求對通過菱形符號丨6〇2 之曝光光線，使通·過其周邊之曝光光線具有相位差，係使 用具有90度相位差的半透明膜1 6丨2 ,不過，該相位差並不 限定於90度，只須使遮光部之菱形符號1 6〇丨與半透明部之 菱形符號1 602之最佳聚焦位置產生變化者即可。此外，可 使用氧化矽、氧氮化矽化鉬（MoSiON)、氮化矽化钥 (MoSiN)、氟化鉻（CrF)、氧矽一化锆（GrSiO)等作為半透明 膜0 圖19係顯示圖16A，16B所示之聚焦監視符號之半透明膜 部與透過部分之相位差與聚焦之檢測靈敏度的關係。t玄圖 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 569285 五、發明説明（19 ) A7 B7
中’所品之聚焦偏差量的檢測精度 器之測定精度約為0.02 μιη時，聚焦 度的限度為 約為0.05 μτη，線寬測定 監視上所需之檢測靈敏 靈敏度 |灿—ΔΙ/ 散焦 \Af ocus 8 需要在0·8以上。因此相位差宜設定在“度至丨5〇度之間的 圍内。 此外’可適用於圖3所示之符號以外之曝光監視符號，^ 可使用利用光阻膜厚之膜厚計測型之特開平测_12425公考 所δ己載的符號。 、再者，另一種形式之使用對準偏差檢查裝置之對準偏』 測長之可錢、高速且高精度地監視曝光量的曝光^ 監視符號亦可適用。以下，詳細說明適用例。 — 將先前之對準偏錢查裝置上使用之符號的一部分變^ 成可將曝光量之變動量作為圖案之位置偏差來檢測的》 號。而該符號於使用之曝光波長λ、數值孔徑ΝΑ、光罩； 倍率Μ、才目干因素σ、間距ρ(晶圓上換算尺寸)時，若滿; ^述公式（3)之條件時，可在晶圓上形成具有與聚 無關之照射量之傾斜分佈的光阻圖案。並以對準偏差檢· 裝置監視曝光量之變動，作為曝光後之光阻圖案之外：歷 案與内側圖案之相對位>置偏差量。 圖20係顯示監視符號测:。—圖2〇所示之監視符號2_ 1於X軸；ίτ向（$向）上排列形《有一對相對位置檢測用 符號2004 (2004a，b)與被此等相對位置檢測用符號夾住的 -23-
裝 訂
線 569285 A7
569285 A7 _____B7_ 五、發明説21 ~) ---- 為對應於開口圖案2002及曝光量監視部2〇〇3所形成之邊緣 形成位置，2304a，2304b為對應於相對位置檢測用圖案 所形成之相對位置檢測用圖案。 〃 曝光量值變動時，由於邊緣光強度22〇〇發生變動，且每 緣形成位置22 13因曝光量監視部2003而變動，對應於其= 曝光量監視圖案之邊緣23 1 3的位置偏移。 、/' 結果，適切曝光量值之變動藉由對準偏差檢查裝置，可 檢測出X軸方向之曝光量監視圖案23〇1之中心位置〇與裝置 位置檢測用圖案2304a ’ b之中心位置Μ的相對 ;、衣曰 罝偏差置 Δ。 為求使用上述曝光量監視圖案監視實效性曝光量，可預 先求對於來自適切曝光量之變動之相對位置偏差量作：、、 圖24所示的校正曲線。如此，可藉由上述同樣二 貝效性曝光量的變動。 另外’該型之曝光量監視符號並不限定於圖2〇所示者 亦可為使用曝光量監視符號，其係配置對準 ^ 罝^差檢查 符號之至少一部分變更成於晶圓面上照射量分佈連續地變 化之圖案之曝光量監視部，求對準位置偏差量， 又 +、— 尺用έ亥值 求貫效性曝光量值之變動，並進行反饋的構造。 欲提高檢測靈敏度，如圖2 5 A，2 5 Β及圖2 6 Α〜？ 6 D所厂、 設置2個或4個曝光量監視部均_有效。此外也在方向· 時，則檢測靈敏度進一步提高。圖25A係顯示曝井旦^、寸加 〇 +义里Si視符 號的概略構造平面圖。圖2 5 B係顯示圖2 5 A所示之曝光 、 視符號中之曝光量監視圖案20 1 1之概略構造平而m ]、 里監
^十面圖。圖26A -25-
569285 A7 B7 五、發明説明（22 ) 係顯示曝光量監視符號之概略構造平面圖。圖26B係顯示圖 26A所示之曝光量監視符號中之曝光量監視圖案2〇〇3c的概 略構造平面圖。圖26C係顯示圖26A所示之曝光量監視符號 中之曝光$監視圖案2 0 2 1的概略構造平面圖。圖2 $ d係顯示 圖26 A所示之曝光量監視圖案中之曝光量監視圖案2〇〇3d的 概略構造平面圖。 以上係顯示為監視實效性曝光量與聚焦，而使用種種曝 光量監視符號及聚焦監視符號的適用例，不過，並不限定 於上述曝光量監視符號及聚焦監視符號，聚焦監視符號係 與曝光量無關，而僅與聚焦相關之形成光阻圖案之符號， 或為藉由使用與聚焦位置無關之實效性曝光量，求與曝光 置然關之聚焦位置的符號’另外，曝光量監視符號亦可為 使用與聚焦位置無關，僅與曝光量相關，於光阻上形成圖 案之符號，分離曝光量與聚焦來求出，並對次批反饋的構 成。 此外’上述實施例係反饋端對次批之各個晶圓調制曝光 裝置之曝光量設定值來進行，不過亦可調制曝光量設定值 以夕卜。 如圖2 7所示，亦可測定曝光量監視圖案、聚焦監視圖案 之長度後（步驟S109)，算出與聚焦位置無關之實效性曝光 量及實效性聚焦位置（步驟SU-Oa，SllOb)。繼續，自所求出 之實效性曝光量設定次批内之各晶圓的曝光後加熱時間或 PEB溫度等加熱條件（步驟S 1 1 3)，同時自所求出之實效性聚 焦位置求次批内之各晶圓之5^焦位置的設定值（步驟 26- 本纸張尺度適用中國國家標準((：]^3) A4規格(210X 297公釐） 裝 訂 ⑽285 五、發明説明（23 ) 114)。或是，如圖2 _ 求次批内之久曰问所不，亦可自所算出之實效性曝光量 圖27 I中所員顯像時間的調制值（步驟SU5)。另外， 者。 Θ不之步騾係取代圖1之A-B間的步驟來進行 另外’除曝光詈#宁7士 置之設定值、暖#°1 ,及顯像時間之外，亦可為聚焦位 件、顯像處理之顯像叹（A、第一加熱處理之加熱條 熱處理前之門/士自曝光處理結束至執行第二加 卻處理前之n ¥ * 弟一加熱處理結束至執行第二冷 ^ 弟一 4邠處理結束至開始顯像處 月〗之閒置時間、自光阻 前之閒置時間、自$ " Γ 熱處開 前之門番士 自弟一加熱處理結束至執行第一冷卻處理 置日士二日可間、及自第一冷卻處理結束至曝光開始前之閒 隹：：二至、少一個。另外，亦可為影響實效性曝光量及聚 “、、，丈，並非僅限定於上述處理條件者。 拉 亦可不測定曝光I監視圖案及聚焦監視圖案，而 :光里""'視付號及聚焦監視符號之曝光，測定形成於 且上的潛像，求曝光量及聚焦位置。 (第一種實施形態） 第二種實施形態係顯示對於連續處理數批時，抑制批次 内之圖案尺寸變動特別有效的實施例。第一種實施形態對 較^規模之批次處理時有效，特-別是著眼於i次放人之批次 規模為1批單位的曝光時，批次内之晶圓的各處理單元條件 糸統性一致的適用例。 亦即 係批次内之相同放入位置之晶圓，其處理單元之 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(21〇x 297公釐)
待機時間等條件 一 控制方法H =批t均顯示相對類似傾向時的有交 日士 -人規模變大，一次連續地放入多批4 才’即使是批次間夕 終為相同狀態，由：：：批内的晶圓’其處理條件罐 ^ , πσ 由於與丽批之放入間隔、及因前批之影η 拎去丨早兀的狀怨改變’因此，僅以第-種實施形態所示2 控制方法，往往無法有效控制。 :須附加比較步驟，其係比較實施第一種實施形態移 I /寻之社人内貝效性曝光量變動分佈及聚焦變動分佈， t述批次之各晶圓所實施之各單元處理的履歷資料。 σ σ薩、κ 新柘抽出步驟，其係從該比較之資料判斷，抽i 可單元之何處理條件係影響此等變動最大者，亦即係抽仕 相=性〶的單元處理條件；及計算步驟，其係分析其相^ 關ίτ、並计异兩者之關係。繼續，以從其資料設計由以種 之單元處理抵銷原處理條件差異之方式來控制的控制力 法0 以下芬圖29 ’ 30，說明具體的程序。而曝光條件等與 第一種實施形態相同。 (步驟S210) 按知、上述第一種實施形態之程序（步驟S2〇 1〜S2 1 〇)，獲得 貫施1批曝光之結果、批次内之實效性曝光量變動分佈（圖 9)、及聚焦變動分佈（圖ι〇)。 (步驟S211) 比較圖9所示之實效性曝光量變動分佈、與塗敷顯像裝置 之各單元於處理之批次内各處理條件（曝光處理之後待機時 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
裝 訂
線 569285
間、曝光後之加熱處搜 之後待機時間、曝光後之冷卻處理 之後待機時間、光阻给^r + ‘放處理之後待機時間、曝光前之加 熱處理之後待機時間、暖古二 士 嗓九則之冷部處理之後待機時間）的 履歷’分析各種處理盘获杰θ ^ ^ ± 〃曝先！變動的相關關係。 由於本Η鈀形怨亦如第一種實施形態所述，批次内之聚 焦位置Μ動小’因此僅求曝光量變動的相關關係、’不過， 亦可求出聚焦位置變動的相關關係。 (步驟S212) 自所求出之相關關係中抽出相關關係高者。本實施形態 係曝光前加熱單元之後待機時間。 (步驟S213) 分析所抽出之曝光前加熱單元之後待機時間的影響結 果，瞭解曝光前加熱單元之後待機時間對實效性曝光量變 動存在圖3 1所示的關係。 (步驟S214) 因此，本批或大規模處理批次時，使已知對實效性曝光 量變動最有影響之各晶圓於曝光前加熱單元上的後待機時 間一定。 (步驟 S301 〜S307) 本批或大規模處理批次時’使各晶圓於曝光前加熱單元 上的後待機時間一定，來進行:嗲光、顯像。結果，即使連 續地處理批次時，圖9所示之批次内實欵性曝光量變動被抑 制’任何批次之批次内的晶圓均可獲得均_的實效性曝光 量分佈（如圖11之分佈）。 -29- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐）
裝 訂
569285 A7
此外，以下所示之其他控制方法 丄 一種貫施形態之半導體裝置之制、j、有效。圖3 2係顯示第 例的流程圖。另外，圖32所示衣化步驟之控制方法之類似 之一連串步驟之後執行者。 連串步驟係繼圖3 〇所示 此時，係計測對實效性曝光 件，健存至各晶㈣，並依據^ ^佈最㈣之處理條 爾後之處理條件者。 果’於各晶圓内變更 (步驟S410) 由於在步驟2 12中已知實# — 戶、> 文性曝光量變 熱單元之後待機時間最相關，因此、動刀佈人曝光前加 之後待機時間，並儲存測定結果。，測定曝光前加熱單元 (步驟S411) 自所儲存之各晶圓之後待機時間，π 出之圖31所示之後待機時間與實效性 求各晶圓之實效性曝光量變動量。生曝先置變動之關係 (步驟 S412，S413，S414) 自求出之各晶圓的實效性曝光 呀宕吾、误伞土 里又動置，對曝光裝置 。又疋+先里曝先佼之加熱處理條 f 1干（4間及溫唐之i少 方）、乃至顯像時間執行前饋控制處理。 結果，即使連續地處理批次時， 園9所示之批次内的實 性曝光量變動被抑制，任何批次，& a K — ~ <批-人内的晶圓均可獲 均一的貫效性曝光量分佈（如圖i 〇所示之分佈）。 另外’依需要’抽出批次内之S ^ ^ m ^ ^ ^ 心日日®，更新相關關係 況，亦為用方；南和度地進行控制的有饮手p -30 -
裝 訂
線 569285 五、發明説明（27 ) 本實施形鲅，古 處理批a允展有關聚焦變動，由於並未發現β 批久内履歷分佈 、見與各單元之 控制，又 貝枓顯者相關，因此並未义士 J不過，若有相關柯古々-老 卫未特別地進行 適用。 同處理條件時，同樣地可 此時獲得相關性古 的你β 巧之單元處理條件係曝朵义 的後待機時間，不 一 *先則之加熱處理 扣在丨丨甘 ° ’藉由使用之光阻處理，门1 控制其他影響高的罩— 同樣地亦可 (货一 门幻早兀處理條件。 (弟二種實施形態） 第二種實施形鲅係 考柿 〜、1因應對實效性曝光量之增私士 白 後待機時間，變更ΐ:時間、所抽出之處理、及處理之 尺寸。本實施牛及後待機時間’以獲得特定的 待機時間，變更顯像 影寸流::各處理之種種處理條件成為參數，而 w 加工尺寸w可記述成 (χι，X2，...χη) (4) 其中 Xk (k= 1，2， 、$ 來數。A /· ’ η為烘烤溫度及烘烤時間等各處理之 處理裝置抽出之各… 用日曰因處理中自晶圓 二 rq之谷芩數預測光阻加工尺寸。 該關係式亦可為自一船+ 舨f生夕父置刀析估計作成自預備實 驗寺對光阻加工尺寸倀杏旦/ ^ ^ , 炎先衫凄:冬蒼數的重回歸式。為重回 %式％，以下列公式記述。 w=a〇+Aixx1 + A2XX2+ _+Αηχχη (5) 卜即使不瞭解公式（5)所示之關係、式，若有加工尺寸 _______- 31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(2l〇xii^y B7 五、發明説明（28 ) 對“數變化表時’亦可預測加工尺寸。 本“&开》恕於顯像處理前之階段使 處理以特定條株r ^ A式1次表，將顯像 (如以2·38%ΤΜΑΗ水溶液，_鐘m成， 可值(:彳如’對設定溫度實際所處理之溫度) 裝置之內：：：理裝置内之感測器等監視，送至晶圓處理 、 、邛电腦或外部電腦使用。 各處理之參數·、叙 n . . w数又動蚪，加工尺寸We與目標加工尺寸.之 間產生差異△ W。 Δ W= Wt- We …Μ Δ W為在特定條件下顯像時所獲得之預測值。亦 P ’右變更顯像液之規定度及顯像時間等顯像條件時，則 在^1限因此，若瞭解尺寸對規定度及顯像時間的變 藉由k擇適切之顯像條件，使加工尺寸成為目加工 尺寸。 以下，使用更具體之例作說明。 (第三種實施形態A) 士預備η写双ίτ按照圖29所示之流程圖之步驟S2〇1〜S2〇7，連 續曝士包含9片晶圓之丨批，繼續，按照S2〇8〜S21〇，調查光 阻之貫效曝光量變動與各處理之後待機時間。而後待機時 間ίτ藉由分析健存於晶圓處理裝置之電腦内的處理對數求 出。亚於形成光阻膜之前，依序執行冷卻處理（S221)、防 反射膜塗敷（S222)、加熱處理（S223)、冷卻處理（S224)。 圖33顯不各晶圓之實效曝光量變動，圖34顯示各處理之 ___ -32- 本紙張尺度適财g g家料(CNS) Μ規格(⑽/撕公爱) 569285 A7 B7 五、發明説明（29 ) 後待機時間。調查兩者相關性時（S2 1 1 )，瞭解冷卻處理 (S203)、曝光後加熱（S205)、冷卻處理（S206)之後待機時 間影響貫效曝光量（S 2 1 2)。因而進行回歸分析，獲得以下 的重回歸式（S213)。 預測實效曝光量 =-1.0787 + 0.03 04 X (冷卻處理（S203)之後待機時間） + 0.0066 X (曝光後加熱處理（S205)之後待機時間） （4) + 0.001 10 X (冷卻處理（S206)之後待機時間） =非加工尺寸，而係預測實效曝光量。待機時間之變化 使實效性曝光量變動，加工尺寸因應實效性曝光量之變動 而變化。因此，預測實效曝光量與預測加工尺寸意義相 同。因此，依據實效曝光量之資料進行校正時，應 校正尺寸變動。 ^ 貝 另外，進行其他預備實驗 '，求實效睬古θ 時間的關係。所求出之實效曝光量變c與顯像 顯示於圖35。自該預備實驗求出標4像=間的關係 之對顯像時間之實效曝光量的變動(dE/dt) J Β (6。移)附近 ^ ^ 〇.〇966^/sec] ⑸ 其次’作成以下公式’作為計算校 (校正顯像時間） . T間的公式。 :(標準顯像時間}+盖x[(目標實效曝光量 6 0[sec ·] + — 1_ rn 、’則貫效曝光量）] 0.0966 X [0〜（預測貫效曝光量、 按照圖36所示的流程圖，執行本批 ⑹ 光限膜的曝光顯 33- 297¾) A4 規格^ 569285 A7 B7 五、發明説明（30 像。圖36係顯示第三種實施形態之半導體裝置之製造步驟 的流程圖。而圖36所示之-連串步驟係繼圖29所示之一連 串步驟之後執行者。 於本批之曝光，係曝光、顯像處理包含24片晶圓的^ (S5(H〜S507)。處理中，即時取得冷卻處理(S5〇2”曝光後 加熱處理（S505)、冷卻處理（S5〇6)之後待機時間 ⑻H)〜S512) ’立即使用公式（4)，（6)，對各個晶圓 正顯像時間（S513)。 坛績對各晶圓，依據分別i七之4 豕刀乃j炙仪正顯像時間進行顯像 (S507)。此外，作成以完全相同之顯像時間處理1批 圓的抽樣作為比較例。 曰曰 才父正顯像時間進行顯像處理之批次内的尺寸變 校正顯像時間之批次内之尺寸變動顯示於圖37。 不’藉由校正顯像時間，可抑制批次内之晶圓間 動0 動、與未 如圖37所 的尺寸變 另外，亦可不使用前述之公式（4)，（ 6)來求校正顯像日士 間而準備如表1所示之表，因應以公式（4)求出之實膜 光量所獲得之加工尺寸與目標尺寸之差AW，選擇處方+ 處方5的顯像條件。 、1〜 ___ -34- 本紙張尺度適用巾a @家標準(CNS) M規格(2iGx撕公爱)
裝 訂
線 569285 A7 B7 五、發明説明（31 ) [表1] 尺寸差△ W 顯像條件 + 5.0 〜+ 7.5% 處方1 + 2·5 〜+ 5.0% 處方2 -2.5〜+ 2.5% 處方3 -5.0〜-2.5% .處方4 -7.5〜-5.0% 處方5 (第三種實施形態B) 預備實驗係按照圖29所示之流程圖之步驟S201〜S207，連 績曝光包含5片晶圓之1批，繼續，按照S2〇8〜S21〇，調查光 阻之實效曝光量變動與晶圓實施加熱時之實際溫度。而實 際溫度係藉由配置於熱板上之感測器監視。 圖3 8顯不各晶圓之實效曝光量變動，圖3 9顯示各加熱處 理的實際溫度。如圖39所示，可知對於曝光前加熱處理 (S202)之設定值120°C、曝光後加熱（S2〇5)之設定值i〇5 C ,各加熱處理之實際溫度差異甚大，對加工尺寸（實效曝 光量）的影響大。 ' 對於實效曝光量對加熱處理S2〇2，S2〇5之實際溫度的變 動，進行回歸分析，獲得以下的重回歸式。又因已知曝光 量變動亦受到第一加熱處理與第二加熱處理之交互作用， 因此，設記述交互作用之項。 (預測實效曝光量） =-2.472 + 0·22 X (加熱處理（S2〇2)之實際溫度） 一 0.294 X (加熱處理（S2〇5)之實際溫度） -35- 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱) 裝 訂
A7
+ 0.003 X (加熱處理（S2〇 之實際溫度） ）貝際》皿度）X(加熱處理（S205) 使用該公式，與第二插告 像時間的公式。 ^ m同樣地作成計算校正顯 本批之光阻膜的曝井顧 行。圖4。係顯示第:種4 照圖4 0所示之流程圖執 的，…/第—種貫施形態』之半導體裝置之製造步驟 的机私圖。而圖40所 串牛驟夕％批 、 連串步驟係繼圖2 9所示之一連 肀步驟之後執行者。 < 本批之曝光係對包合 s 理。卢 S 24片日日圓的一批進行曝光、顯像處 ^ 處理中即時取ί異g I ^ & π 、第一加熱處理及第二加熱處理之實際 /皿度’對各個晶 依Hi u 像時間。繼續對於各晶圓，屎刀另j异出之校正甚 以相同顯像瞎門走 進行顯像。此外，作成全部 ’ 4处理一批中之晶圓的抽樣作為比較例。 交正顯像時間進行顯像處理之批 校正顯像時間之姑A & 切/、禾 示，# ^之批久内的尺寸變動顯示於圖41。如圖41所 動。稭由杈正顯像時間可抑制批次内之晶圓間的尺寸變 T係顯示於顯像後監視實效性曝光量變動及聚 居、支動’ 士卜冰 e 伯 ’卩使對曝光後及曝光後之加熱處理後之潛 像進行計測，加以使用亦可獲得同樣的效果。 夕卜 ) 亦可不使用前述之公-式（4)，（6)來求校正顯像時 间，而準借‘主 _ 表2所示之表，因應以公式（4)求出之實效曝 尤1所獲据夕i ' 南+ 之加工尺寸與目標尺寸之差ZXW，選擇處方^ 處方5的顯像條件。 :297公釐）
装 訂
線 569285 A7 B7
五、發明説明（33 ) [表2] __尺寸差 顯像條件 ___+ 5.0 〜+ 7.5% 處方1 ___+ 2.5 〜+ 5 · 0 % 處方2 -_： 2.5〜+ 2.5% 處方3 ^· 5.0〜-2.5% -處方4 _* 7.5〜-5.0% 處方5 —---- 附加效用及修訂將 之廣義特徵，不得 内容及具體圖式。 蟄產生’故本發明 所揭示及記述之詳 加申請及其同質文 中 細 附隨於已成熟之技 受限於本申請書中 因此，在不違背追 件中所疋義的'一般發明概念之精神與領域下’得於未來提 出不同的修訂内容。 -37- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)

Claims (1)

  1. 就專利申請案 4範圍替換本(92年5月）
    申叫專利範圍 A BCD —種半導體裝置之製造方法，戈 印弁置μ、命妨面血 一你故疋猎由曝光裝置轉 ρ先罩上〈電路圖案至形成 圖案時> Β奚水县其取r ^ Μ工 < 光阻月吴’以形成 口末:又曝光f及聚焦，其特徵為包含： 在如述晶圓上塗敷光阻膜， 對前述光阻膜執行第一加熱處理， 對執行有第一加熱處理之光阻 胰執仃罘一冷卻處理， 將曝光量及聚焦位置設定成牿金 饵嘹、丄货 疋成特疋值，使用配置有監视 余m U匕"·用於檢測前述晶圓上之 =性曝光量之曝光量監視符號；及料檢測前述 亡之：效性聚焦之聚焦監視符號之至少其中一方，對執 行有第-冷卻處理之前述光阻膜執行曝光處理，在前述 光阻膜上形成對應於前述監視符號之潛像， 對形成有潛像之光阻膜執行第二加熱處理， 對執行有第二加熱處理之光阻膜執行第二冷卻處理， 對執行有第一冷卻處理之光阻膜執行顯像處理，形成 對應於前述潛像之監視圖案， 於曝光處理後、第二加熱處理後、第二冷卻處理中、 第二冷卻處理後、顯像處理中、及顯像處理後之至少任 何一處，測定前述監視符號之潛像或前述監視圖案之狀 態， 依據經測定之監視符號的潛像狀態，求對前述光阻膜 執行有曝光處理之實效性曝光量及聚焦位置之至少其中 方 算 自所求出之實效性曝光量及聚焦位置之任何—方，$ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐） 、申請專利範圍 出使用前述光罩進行曝光時之最佳曝光量值與前述咬A 值之差，與最佳聚焦值與設定值之差之至少其中一=疋 因應所算出之差，變更聚焦位置之設定值、曝光量之 設定值、第一加熱處理之加熱條件、顯像處理之顯 件、自曝光處理結束至執行第二加熱處理之閒置時間、m 自第二加熱處理結束至執行第二冷卻處理之閒置時間、 自第二冷卻處理結束至開始顯像處理之閒置時間、自光 阻膜塗敷結束至第一加熱處理開始之閒置時間、自第I 加熱處理結束至執行第一冷卻處理之閒置時間、及自第 一冷卻處理結束至曝光開始之閒置時間之至少其中一 個。 2.如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其中 前述曝光量監視符號包含於前述光罩之倍率為M，曝光 波長為λ，前述曝光裝置之投影光學系統之射出侧數值 孔徑為ΝΑ，前述曝光裝置之照明光學系統之相干因素 為σ時，以 Ρ/Μ^ λ /(1+ α )NA 之周期P重複有透光部與遮光部之周期圖案。 3·如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其中 在前述光罩上，因應聚焦位置，形成有聚焦監視符號之 潛像及對應於該潛像之聚焦監視圖案之尺寸變化之符 號’作為聚焦監視符號， 預先求出對於實效性曝光量之前述聚焦監视符號之潛 像或對應於該潛像之圖案的尺寸變化與聚焦位置之關 六、申請專利範圍 係， 自/’、】足如述曝光量監視符號之潛像或對應於該潛像之 圖木狀怨所獲得之實效性曝光量、前述聚焦監視符號之 潛像或其圖案長度、及前述關係，求出聚焦位置。 4·如申請專利範圍第i項之半導體裝置之製造方法，其中 於前述光罩上，因應聚焦位置，改變方向形成 ;; 付號之潛像及對應於該潛像之聚焦監視圖案之尺寸變化 之相同的兩個光罩，作為聚焦監視符號， 預先求出聚焦位置與兩個符號之潛像或對應於此 像之圖案之尺寸差的關係， 自測定前述兩個符號之潛像或對應於此等潛像之圖 狀態所獲得之尺寸差與前述關係，求出聚隹位置。 5.如申請專利範圍第i項之半導體裝置之製^方法，其 ^理條件及處理間之閒置時間之至少其中—個之變更 =由數個晶圓所構成之第—晶圓群之各晶圓，進行 f!:膜至曝光處理之-連串處理，算出最佳曝 f值m逑歧值之差之晶圓間之變動、及最 與设疋值之差之晶圓間之變動之至少其中一八則、 二：：：：變動與自前述晶圓上被塗敷光阻膜至該光 處Γ:執行之各處理之處理條件及各處理間 閒置時間之相關關係， 自所求出之數個相關關係中，抽 理或各處理間之閒置時間， 係取大<處 所抽出之處理之處理條件或各處理間之間置時間，以 潛 案 中包 光 求 之 -3 - 本紙張尺度適财目目家標準(CNS) A4規格(210X297公董) 569285 六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8
    在數個晶圓間一定之方式 個以上之塗敷有光阻 膜後所執行之處理的處理條件，對第二晶圓群形成光阻 膜之圖案。 6·如申請專利範圍第i項之半導體裝置之製造方法，其中 $理條件及處理間之閒置時間之至少其中一個之變更包 對於由數個晶圓所構成之第一晶圓群之各晶圓，進行 自塗敷光阻膜至曝光處理之一連串處理，算出最佳曝光 量值與前述設定值之差之晶圓間之變動、及最佳聚焦值 與設定值之差之晶圓間之變動之至少其中一方，分別 出所算出之變動與自前述晶圓上被塗敷光阻膜至該光 膜被顯像處理所執行之各處理之處理條件及各處理間 閒置時間之相關關係， 自所求出之數個相關關係中，抽出相關關係最大之處 理或各處理間之閒置時間， 求出所抽出之處理之處理條件或各處理間之閒置 間、與，效性曝光量及聚焦值之至少其中一方的關係 對於第二晶圓群執行自塗敷光阻膜至曝光處理之一 串處理時，將所抽出之處理之處理條件或各處理間之叫 置時間作為處理條件儲存於各晶圓内，依據儲存於各晶 圓内〈值與求出之關係，變更各晶圓之所抽出之處理 外 < 處理之處理條件及各處理間之閒置時間之至少其 一個’在各晶圓上形成光阻膜之圖案。 7·如申請專利範圍第】項之半導體裝置之製造方法，其 求 之 時 連 閒 以中 中 -4 本紙張尺歧财國國家標準(Cii7r4規格“ x 297公釐) 569285 A8 B8 C8
    處理條件及處理間之閒置時間之至少其中一個之變更係 對於由數個晶圓所構成之第一晶圓群之各晶圓，進行 ^塗敷光阻膜至曝光處理之一連_處理，算出最佳曝光 量值與前述設定值之差之晶圓間之變動，分別求出所算 出之變動與自前述晶圓上被塗敷光阻膜至該光阻膜被顯 像處理所執行之各處理之處理條件及各處理間之閒置時 間之相關關係， 自所求出之數個相關關係中，抽出一個以上相關關係 最大之處理或各處理間之閒置時間， 對於第二晶圓群執行自塗敷光阻膜至曝光處理之一連 _處理時，將所抽出之處理之處理條件或各處理間之閒 置時間作為處理條件儲存於各晶圓内，依據所儲存之值 調整顯像條件。 8·如申請專利範圍第7項之半導體裝置之製造方法，其中 自所抽出之處理之處理條件或各處理間之閒置時間，作 成預測加工尺寸之公式， 且依據所儲存之值與所作成之公式調整顯像條件。 9.如申請專利範圍第7項之半導體裝置之製造方法，其中 自預先所準備之顯像條件中選擇，使所預測之加工尺寸 與目標尺寸相等。 1〇·如申請專利範圍第7項之半導體裝置之製造方法，其中 相關關係最大之各處理間之閒置時間，係自第一冷卻處 理結束至開始曝光之閒置時間、自第二加熱處理結束至 執行第二冷卻處理之閒置時間、及自第二冷卻處理結束 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
    裝
    569285 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 至開始顯像處理之閒置時間。 11. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置之製造方法，其中 相關關係最大之處理之處理條件或各處理間之閒置時 間，係第一加熱處理之處理溫度、及第二加熱處理之加 熱溫度。 12. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其中 預先計測前述曝光量監視圖案及聚焦監視圖案對預先使 用前述曝光量監視符號所獲得之光阻膜上之實效性曝光 量之變化與聚焦位置之偏差量之變化的狀態， 依據預先所計測之結果、與前述曝光量監視圖案及聚 焦監視圖案之狀態的測定結果，算出最佳聚焦值與設定 於曝光裝置上之聚焦設定值之差。 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
TW091106324A 2001-03-29 2002-03-29 Manufacturing method for semiconductor device TW569285B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001097115A JP3906035B2 (ja) 2001-03-29 2001-03-29 半導体製造装置の制御方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW569285B true TW569285B (en) 2004-01-01

Family

ID=18950938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091106324A TW569285B (en) 2001-03-29 2002-03-29 Manufacturing method for semiconductor device

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6667139B2 (zh)
JP (1) JP3906035B2 (zh)
KR (1) KR100512839B1 (zh)
CN (1) CN1237574C (zh)
TW (1) TW569285B (zh)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3850746B2 (ja) 2002-03-27 2006-11-29 株式会社東芝 フォトマスク、フォーカスモニター方法、露光量モニター方法及び半導体装置の製造方法
TWI232359B (en) * 2002-06-17 2005-05-11 Nanya Technology Corp Best focus determining method
US20040063008A1 (en) * 2002-09-26 2004-04-01 Advanced Micro Devices, Inc. Post etch overlay metrology to avoid absorbing layers preventing measurements
JP3793147B2 (ja) 2002-12-04 2006-07-05 株式会社東芝 レチクルセット、レチクルセットの設計方法、露光モニタ方法、レチクルセットの検査方法及び半導体装置の製造方法
DE10317466A1 (de) 2003-04-16 2004-12-09 Robert Bosch Gmbh Elektromotor
JP3854241B2 (ja) 2003-04-25 2006-12-06 株式会社東芝 フォーカスモニタ用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP3848301B2 (ja) * 2003-05-30 2006-11-22 株式会社東芝 レジスト感度の評価方法及びレジストの製造方法
JP4212421B2 (ja) * 2003-06-26 2009-01-21 株式会社東芝 マスク、露光量調整方法及び半導体デバイスの製造方法
JP4127664B2 (ja) 2003-06-30 2008-07-30 株式会社東芝 現像処理装置の調整方法
JP4015079B2 (ja) 2003-07-18 2007-11-28 株式会社東芝 レチクル、露光装置検査システム、露光装置検査方法及びレチクルの製造方法
JP4015087B2 (ja) 2003-08-27 2007-11-28 株式会社東芝 レチクル、及び露光方法
US7198873B2 (en) 2003-11-18 2007-04-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic processing optimization based on hypersampled correlations
JP2005197362A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 露光処理システムおよび露光処理方法
US7227228B2 (en) * 2004-05-21 2007-06-05 Kabushika Kaisha Toshiba Silicon on insulator device and method of manufacturing the same
CN1702849A (zh) * 2004-05-26 2005-11-30 松下电器产业株式会社 温度异常检测方法及半导体制造装置
US7476490B2 (en) * 2004-06-25 2009-01-13 Asml Netherlands B.V. Method for producing a marker on a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7678516B2 (en) * 2004-07-22 2010-03-16 Kla-Tencor Technologies Corp. Test structures and methods for monitoring or controlling a semiconductor fabrication process
US7960078B2 (en) * 2004-11-16 2011-06-14 Tokyo Electron Limited Exposure condition setting method, substrate processing device, and computer program
JP4997748B2 (ja) * 2005-11-28 2012-08-08 凸版印刷株式会社 フォーカスモニターマークを有するフォトマスクの転写シミュレーション方法
JP4898419B2 (ja) * 2006-01-05 2012-03-14 キヤノン株式会社 露光量のおよびフォーカス位置のオフセット量を求める方法、プログラムおよびデバイス製造方法
JP2007227570A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Toshiba Corp 製造装置調整システム及び製造装置調整方法
US7596420B2 (en) * 2006-06-19 2009-09-29 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and computer program product
JP2008140911A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Toshiba Corp フォーカスモニタ方法
JP5084239B2 (ja) * 2006-12-06 2012-11-28 キヤノン株式会社 計測装置、露光装置並びにデバイス製造方法
KR100856620B1 (ko) * 2006-12-21 2008-09-03 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 웨이퍼의 노광 방법 및 이를 적용한 포토리소그라피 시스템
US8112724B2 (en) 2007-03-20 2012-02-07 Sony Corporation Method of designing semiconductor integrated circuit, apparatus for designing semiconductor integrated circuit, recording medium, and mask manufacturing method
JP4938696B2 (ja) * 2008-01-24 2012-05-23 ソニー株式会社 半導体装置の設計プログラムおよび半導体装置の設計システム
JP2009239029A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Toshiba Corp リソグラフィ装置の評価方法および制御方法
NL1036647A1 (nl) * 2008-04-16 2009-10-19 Asml Netherlands Bv A method of measuring a lithographic projection apparatus.
US8329385B2 (en) 2008-06-10 2012-12-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a semiconductor device
JP4726935B2 (ja) * 2008-08-15 2011-07-20 富士通セミコンダクター株式会社 焦点計測方法及び装置
JP5924267B2 (ja) * 2010-12-14 2016-05-25 株式会社ニコン 検査方法、検査装置、露光管理方法、露光システムおよび半導体デバイスの製造方法
CN102809901A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 无锡华润上华半导体有限公司 一种对不同曝光设备各层次的焦距的匹配方法
JP5835968B2 (ja) * 2011-07-05 2015-12-24 キヤノン株式会社 決定方法、プログラム及び露光方法
CN102955364B (zh) * 2011-08-22 2014-10-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 具有台阶的衬底的光刻方法
US9484186B2 (en) * 2012-10-23 2016-11-01 Synopsys, Inc. Modeling and correcting short-range and long-range effects in E-beam lithography
CN105093815B (zh) * 2014-05-21 2019-10-15 北大方正集团有限公司 器件设计尺寸的提取方法
JP2016188782A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 セイコーエプソン株式会社 電子部品搬送装置および電子部品検査装置
CN107710073B (zh) * 2015-06-12 2021-04-30 Asml荷兰有限公司 检查设备、检查方法、光刻设备、图案化装置及制造方法
JP6541618B2 (ja) * 2016-05-25 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
CN110794656A (zh) * 2018-08-03 2020-02-14 夏普株式会社 抗蚀膜形成基板的制造方法及其所涉及的工序管理系统
CN112731758B (zh) * 2021-01-08 2022-12-09 长鑫存储技术有限公司 切割道标记及光刻掩膜版版图的设计方法、设计装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950034648A (ko) 1994-05-25 1995-12-28 김광호 반도체장치의 제조방법
KR960008985A (ko) * 1994-08-16 1996-03-22 김주용 반도체 소자 제조용 포토마스크
JPH08111370A (ja) * 1994-10-12 1996-04-30 Mitsubishi Electric Corp 微細レジストパターンの形成方法およびポストエキスポージャーベーク装置
US5508803A (en) 1994-12-20 1996-04-16 International Business Machines Corporation Method and apparatus for monitoring lithographic exposure
KR0164078B1 (ko) 1995-12-29 1998-12-15 김주용 노광 에너지와 포커스를 모니터 하는 오버레이 마크
KR19980016832A (ko) * 1996-08-29 1998-06-05 김광호 위상반전 오버레이 키를 이용한 초점 레벨 측정방법
JP3342828B2 (ja) 1997-01-30 2002-11-11 東京エレクトロン株式会社 レジスト塗布現像装置とレジスト塗布現像方法
SG71082A1 (en) * 1997-01-30 2000-03-21 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for coating resist and developing the coated resist
JPH10256114A (ja) 1997-03-10 1998-09-25 Sony Corp フォトレジスト膜のパターン形成方法
JPH11307431A (ja) 1998-04-23 1999-11-05 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP3556472B2 (ja) 1998-06-18 2004-08-18 株式会社東芝 露光量測定方法と露光量測定用マスク
KR20000003512A (ko) * 1998-06-29 2000-01-15 김영환 포토리소그래피공정시의 포커스 및 레벨링 모니터링방법
JP3761357B2 (ja) 1999-02-22 2006-03-29 株式会社東芝 露光量モニタマスク、露光量調整方法及び半導体装置の製造方法
JP2000292906A (ja) 1999-04-12 2000-10-20 Hitachi Ltd マスクおよびパタン転写方法
JP3949853B2 (ja) * 1999-09-28 2007-07-25 株式会社東芝 露光装置の制御方法及び半導体製造装置の制御方法
US6440616B1 (en) * 1999-09-28 2002-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Mask and method for focus monitoring

Also Published As

Publication number Publication date
US6667139B2 (en) 2003-12-23
CN1383187A (zh) 2002-12-04
KR100512839B1 (ko) 2005-09-07
CN1237574C (zh) 2006-01-18
US20020182521A1 (en) 2002-12-05
KR20020077201A (ko) 2002-10-11
JP2002299205A (ja) 2002-10-11
JP3906035B2 (ja) 2007-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW569285B (en) Manufacturing method for semiconductor device
TWI276144B (en) Controlling critical dimensions of structures formed on a wafer in semiconductor processing
TWI310485B (en) Method for optimizing the conditions of illumination of a lithographic apparatus, lithographic projection apparatus, machine readable medium and semiconductor device manufacturing method
US6376139B1 (en) Control method for exposure apparatus and control method for semiconductor manufacturing apparatus
TWI245976B (en) Adaptive lithographic critical dimension enhancement
TW201109846A (en) Using electric-field directed post-exposure bake for double patterning (D-P)
TW200835382A (en) Temperature setting method for heat treatment plate, temperature setting program, computer-readable recording medium capable of storing program, and temperature setting device for heat treatment plate
TW201106094A (en) Mask blank and transfer mask
TW200923568A (en) Photomask and method of producing a photomask
TW201405240A (zh) 微影製程及使用於一微影系統之微影製程
US20090170024A1 (en) Method of Patterning a Substrate, Photosensitive Layer Stack and System for Lithography
TWI227514B (en) Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device
JP2005026362A (ja) 加熱処理装置の温度校正方法、現像処理装置の調整方法、及び半導体装置の製造方法
TWI283002B (en) System and method for manufacturing a mask for semiconductor processing
KR20030038327A (ko) 패턴의 형성 방법 및 장치의 제조 방법
TW201001058A (en) Multi-tone photomask and method of manufacturing the same, and pattern transfer method
JP2005017689A (ja) マスク、露光量調整方法及び半導体デバイスの製造方法
Jeong et al. Improved wafer alignment model algorithm for better on-product overlay
TW201019045A (en) Multi-tone photomask, pattern transfer method and method of producing a display device using the multi-tone photomask
TW201011456A (en) Multi-tone photomask and pattern transfer method
TW201732449A (zh) 無需重建之程序標旗及叢集偵測
TW200415451A (en) Lithographic method for small line printing
JPH07239546A (ja) 半透明膜の設計方法
Davydova et al. Black border, mask 3D effects: covering challenges of EUV mask architecture for 22nm node and beyond
US5798192A (en) Structure of a mask for use in a lithography process of a semiconductor fabrication

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees