CN110794656A - 抗蚀膜形成基板的制造方法及其所涉及的工序管理系统 - Google Patents

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Abstract

使抗蚀膜适当地形成图案。一种抗蚀膜形成基板的制造方法具有：在基板(10MG)上涂布抗蚀膜(18、19)的涂布工序、选择性地曝光在涂布工序中涂布的抗蚀膜(18、19)的曝光工序、显影在曝光工序中选择性地曝光的抗蚀膜(18、19)的显影工序，所述显影工序基于进行涂布工序之后转移到该显影工序的转移时间调整显影所涉及的处理时间。

Description

抗蚀膜形成基板的制造方法及其所涉及的工序管理系统
技术领域
本发明与抗蚀膜形成基板的制造方法以及抗蚀膜形成基板的制造所涉及的工序管理系统相关。
背景技术
过往，已知有下述专利文献1中记载的、对半导体晶片、LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等的基板进行的抗蚀剂液涂布处理以及曝光后的显影处理的涂布、显影装置的一例。该专利文献1记载的涂布、显影装置，对与成为停留时间的计算对象的基板相比前次的基板群，基于从在曝光装置内搬入搬出的各时间点计算出的曝光装置内的停留时间t3，计算t1和t2，其中，t1：从成为待机时间计算的对象的基板处于可以从待机模块中搬出的状态的时间点，到该基板使用的加热模块为了该基板加热处理准备好的时间点的时间、t2：从成为所述时间点的计算对象的基板从待机模块中搬出的时间点，到到达该基板使用的加热模块的时间点的时间，根据t1-t2进行计算在该待机模块中的待机时间。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2009-43927号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
根据上述专利文献1中记载的涂布、显影装置，正好在加热曝光后的基板的加热模块为了加热处理准备好的时间点，从待机模块中高效地搬出曝光前的基板，抑制基板在待机模块中多余地待机。
此外，对基板进行涂布抗蚀剂液之后转移到显影的转移时间，存在因制造上的各种原因而导致不一致的情况。在这种情况下，在过往的显影装置中，对基板进行显影的处理时间通常是一定的，因此有因上述转移时间的变化而导致的被显影的抗蚀膜的图案成品上出现不均匀的可能性。
本发明是基于如上述情况而完成的，并且其目的在于使抗蚀膜适当地形成图案。
用于解决技术问题的方案
(1)本发明的一种实施方式是抗蚀膜形成基板的制造方法，其具有涂布工序，其在基板上涂布抗蚀膜；曝光工序，其选择性地曝光在所述涂布工序中被涂布的所述抗蚀膜；显影工序，其显影在所述曝光工序中选择性地曝光的所述抗蚀膜，所述显影工序基于转移时间调整显影所涉及的处理时间，其中所述转移时间是进行所述涂布工序之后转移到该显影工序的时间。
(2)此外，本发明的另一种实施方式是，在所述(1)构成的抗蚀膜形成基板的制造方法的基础上，在所述显影工序中，在所述转移时间基础上，还考虑抗蚀膜的材料来调整所述处理时间。
(3)此外，本发明的另一种实施方式是，在所述(1)或(2)构成的抗蚀膜形成基板的制造方法的基础上，在所述显影工序中，在所述转移时间基础上，还考虑所述抗蚀膜的膜厚来调整处理时间。
(4)此外，本发明的另一种实施方式是，在所述(1)至(3)的任一项构成的抗蚀膜形成基板的制造方法的基础上，在所述显影工序中，在所述转移时间基础上，还考虑在所述曝光工序中的所述抗蚀膜的曝光范围或者未曝光范围来调整处理时间。
(5)此外，本发明的另一种实施方式是，在所述(1)至(4)的任一项构成的抗蚀膜形成基板的制造方法的基础上，在所述显影工序中，在输送所述基板的同时在所述基板上供给显影液，并且通过控制所述基板的输送速度来调整所述处理时间。
(6)此外，本发明的另一种实施方式是，在所述(1)至(5)的任一项构成的抗蚀膜形成基板的制造方法的基础上，在所述涂布工序中，涂布彩色抗蚀膜或者遮光抗蚀膜作为所述抗蚀膜。
(7)本发明的一种实施方式是抗蚀膜形成基板的制造所涉及的工序管理系统，其具有：涂布装置，其在基板上涂布抗蚀膜；曝光装置，选择性地曝光所述抗蚀膜；显影装置，显影所述抗蚀膜；存储装置，至少存储了由所述涂布装置完成了所述抗蚀膜的涂布的涂布完成时间；提取处理装置，其通过读取所述存储装置中存储的所述涂布完成时间提取转移时间，所述转移时间是进行所述涂布装置的所述抗蚀膜的涂布之后转移到所述显影装置中显影的时间，基于提取出的所述转移时间进行提取所述显影装置的显影所涉及的处理时间的处理；显影控制装置，其基于由所述提取处理装置提取出的所述处理时间，控制所述显影装置；信息通信线路，其至少将所述涂布装置、所述提取处理装置以及所述显影控制装置能够进行信息通信的状态地连接到所述存储装置。
(8)此外，本发明的另一种实施方式是，在所述(7)构成的抗蚀膜形成基板的制造所涉及的工序管理系统的基础上，所述提取处理装置具有数据表存储部，其存储至少存储了所述转移时间和所述处理时间之间的关系的数据表，并且基于通过从所述存储装置读取所述涂布完成时间而提取出的所述转移时间，从所述数据表存储部中存储的所述数据表提取所述处理时间。
(9)此外，本发明的另一种实施方式是，在所述(7)或(8)任一项构成的抗蚀膜形成基板的制造所涉及的工序管理系统的基础上，所述信息通信线路将所述显影控制装置能够进行信息通信的状态地连接到所述提取处理装置。
(10)此外，本发明的另一种实施方式是，在所述(7)至(9)任一项构成的抗蚀膜形成基板的制造所涉及的工序管理系统的基础上，所述显影装置至少具有：基板输送部，其输送所述基板；显影液供给部，其向由所述基板输送部输送的所述基板供给显影液，所述显影控制装置通过控制所述基板输送部输送的所述基板的输送速度来调整所述处理时间。
有益效果
根据本发明，可以使抗蚀膜适当地形成图案。
附图说明
图1是概略地表示本发明的一实施方式涉及的液晶面板的剖视图。
图2是示出构成液晶面板的CF基板的像素排列的平面图。
图3是示出包含在遮光部形成工序中的涂布工序中，在母玻璃基板上涂布了遮光抗蚀膜的状态的剖视图。
图4是示出包含在遮光部形成工序中的曝光工序中，通过掩模曝光遮光抗蚀膜后的状态的剖视图。
图5是示出包含在遮光部形成工序中的显影工序中，遮光抗蚀膜的显影后的状态的剖面图。
图6是示出包含在彩色滤光片形成工序中的涂布工序中，在母玻璃基板上涂布了彩色抗蚀膜的状态的剖视图。
图7是示出包含在彩色滤光片形成工序中的曝光工序中，通过掩模曝光彩色抗蚀膜后的状态的剖视图。
图8是示出包含在彩色滤光片形成工序中的显影工序中，显影彩色抗蚀膜后的状态的剖面图。
图9是表示显影装置的概略的剖视图。
图10是CF基板的制造所涉及的工序管理系统的框图。
图11是表示进行涂布工序之后转移到显影工序的转移时间，与显影所需要的处理时间之间的关系的图表。
图12是表示将显影所涉及的处理时间固定化为某一标准处理时间的情况下的转移时间、与显影工序后得到的抗蚀膜的图案所涉及的线宽之间的关系的图表。
图13是表示使显影所涉及的处理时间，根据实际的转移时间而变化的情况下的转移时间、与显影工序后得到的抗蚀膜的图案所涉及的线宽之间的关系的图表。
图14是表示进行抗蚀膜的涂布之后转移到显影工序的转移时间与母玻璃基板的输送速度之间的关系的图。
具体实施方式
＜实施方式＞
根据图1至图14说明本发明的一实施方式。在本实施方式中，对构成液晶面板10的CF基板(抗蚀膜形成基板)10A的制造方法以及CF基板10A的制造所涉及到的工序管理系统MS示例。此外，在各附图的一部分中示出了X轴、Y轴以及Z轴，各轴方向描绘为各附图中示出的方向。此外，将图1等所示的上侧设为表面侧，将同图的下侧设为背面侧。
图1是液晶面板10的剖面图。液晶面板10如图1所示，在一对基板10A、10B之间，封入包含随着电场施加而光学特性发生变化的物质即液晶材料的液晶层10。在构成液晶面板10的两个基板10A、10B中，配置在表面侧的基板设为CF基板10A，并且配置在背面侧的基板设为阵列基板10B。CF基板10A也称为对向基板，阵列基板10B也称为有源矩阵基板、TFT基板。CF基板10A以及阵列基板10B均是由基本透明并具有优秀透光性的玻璃基板10GS的内表面侧上由已知的光刻法来依次层叠形成的规定的膜即构造物。此外，表背一对的偏振板11分别贴合在两个基板10A、10B的外侧的板面上。
在阵列基板10B的内侧，即在液晶层10C一侧的板面上，如图1所示，作为开关元件的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)12以及像素电极13矩阵状地并列配置有多个。在这些TFT12以及像素电极13的周围，配置有形成为栅格状并由金属膜制成的栅极配线和源极配线(均未图示)。栅极配线和源极配线连接到TFT12。像素电极13由例如ITO(IndiumTin Oxide，氧化铟锡)等透明电极材料制成，并且由基于提供给栅极配线和源极配线的各信号驱动的TFT12来充电到规定电位。此外，在阵列基板10B的内表面侧设置有各种绝缘膜等。
在图1的基础上参考图2说明CF基板10A的构成。图2是示出CF基板10A的像素排列的平面图。在CF基板10A的内侧的板面上，如图1以及图2所示，设置有呈现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)三色的彩色滤光片14和用于遮蔽光的遮光部15。多个彩色滤光片14在与阵列基板10B侧的各像素电极13成对向状的位置上矩阵状地并列设置。各种颜色的彩色滤光片14选择性地透射各种颜色所涉及的特定波长范围的光。也就是说，呈现红色的红色滤光片14R选择性地透射红色波长区域中的光，呈现绿色的绿色滤光片14G选择性地透射绿色波长区域中的光，呈现蓝色的蓝色滤光片14B选择性地透射蓝色波长区域中的光。这些三色的彩色滤光片14R、14G、14B与对向的像素电极13一同构成三色的像素。遮光部15以划分邻接的彩色滤光片14(像素)之间的方式设置，并且遮蔽在邻接的彩色滤光片14之间来往的光。遮光部15在俯视时与阵列基板10B侧的栅极配线以及源极配线重叠地配置。
在彩色滤光片14的上层侧，如图1所示，对向电极16重叠设置于内侧。对向电极16跨越CF基板10A的大致整个内表面而整面状地形成。对向电极16由与像素电极13相同的透明电极材料制成，并且始终保持一定的基准电位。因此，随着各TFT12被驱动，连接到各TFT12的各像素电极13被充电时，在各像素电极13之间出现电位差。由此，基于对向电极16与各像素电极13之间出现的电位差，液晶层10C中包含的液晶分子的取向状态发生变化，与此相伴透射光的偏振状态发生变化，由此液晶面板10的透射光量可以各像素每一个独立地控制并且可以显示规定的彩色图像。此外，在两个基板10A、10B的最内表面上分别设置有，以面对液晶层10C的方式配置而使液晶分子取向的取向膜17。
上述构成的各基板10A、10B通过使用已知的光刻法在玻璃基板10GS中的内侧的板面上反复形成构成各种构造物的各种膜而制造。然后，在本实施方式中，对在板面上排列配置有多个玻璃基板10GS的母玻璃基板10MG，进行光刻法所涉及的各种处理(参考图3等)。此外，可以说玻璃基板10GS是构成独立的液晶面板10的“单元基板”，并且母玻璃基板10MG是包含多个单元基板的“基板”。
随后，将特别详细地说明CF基板10A的制造方法。CF基板10A经过遮光部形成工序、彩色滤光片形成工序、对向电极形成工序以及取向膜形成工序而制造，在遮光部形成工序中，在母玻璃基板10MG上形成遮光部15，在彩色滤光片形成工序中，顺次形成三色的彩色滤光片14R、14G、14B，在对向电极形成工序中，形成对向电极16，在取向膜形成工序中，形成取向膜17。在其中的遮光部形成工序以及彩色滤光片形成工序中，作为遮光部15、彩色滤光片14均是使用负性感光性材料。详细地，在遮光部形成工序以及彩色滤光片形成工序中，分别包括在母玻璃基板10MG上涂布由负性感光材料制成的抗蚀膜(光致抗蚀膜)18、19的涂布工序、选择性地曝光抗蚀膜18、19的曝光工序、显影抗蚀膜18、19的显影工序。
参考图3至图5，对遮光部形成工序进行说明。图3至图5是示出在遮光部形成工序中对遮光抗蚀膜(抗蚀膜)18进行图案化的过程的剖面图。在遮光部形成工序中包含的涂布工序中，如图3所示，由负性感光性遮光材料制成的遮光抗蚀膜18通过喷墨装置等的涂布装置20(参照图10)涂布到母玻璃基板10MG上。此时被涂布的遮光抗蚀膜18在母玻璃基板10MG的板面上以基本均一的膜厚的整面状成膜。在遮光部形成工序包含的曝光工序中，如图4所示，被涂布于母玻璃基板10MG上的遮光抗蚀膜18，由曝光装置21(参照图10)选择性地曝光。该曝光装置21具备有用于控制遮光抗蚀膜18的曝光范围的掩模M1。掩模M1由透明的玻璃基板M1A、和在玻璃基板M1A的板面上形成而屏蔽来自光源的曝光的光的遮光膜M1B构成。该遮光膜M1B开口形成有用于透射光的开口部M1C。在遮光抗蚀膜18中，与掩模M1中的与遮光膜M1B重叠的范围是未曝光位置，并且与开口部M1C重叠的范围是曝光位置。在遮光部形成工序中包含的显影工序中，如图5所示，被选择性曝光的遮光抗蚀膜18，由显影装置22(参照图9以及图10)来显影。在本实施方式中，负性感光性遮光材料使用于遮光抗蚀膜18，因此经过上述显影工序之后，遮光抗蚀膜18的未曝光位置从母玻璃基板10MG上除去，并且曝光位置残留在母玻璃基板10MG上。遮光抗蚀膜18的残留部分成为规定图案的遮光部15。
参照图6至图8，对彩色滤光片形成工序进行说明。图6至图8是示出在彩色滤光片形成工序中对彩色抗蚀膜(抗蚀膜)19进行图案化的过程的剖面图。此外，图6至图8中，示例了作为彩色滤光片14的一例的红色彩色滤光片14R的情况，但是同样适用于绿色彩色滤光片14G和蓝色彩色滤光片14B。在彩色滤光片形成工序中包含的涂布工序中，如图6所示，将由负性感光性着色材料制成的彩色抗蚀膜19，使用与遮光部形成工序的情况同样的喷墨装置等的涂布装置20来涂布到母玻璃基板10MG上。此外，彩色抗蚀膜19的感光性着色材料包含有各色的彩色滤光片14R、14G、14B每一个呈现不同颜色的颜料。此时被涂布彩色抗蚀膜19在母玻璃基板10MG的板面上以基本均一的膜厚的整面状成膜。在彩色滤光片形成工序中包含的曝光工序中，如图7所示，将被涂布于母玻璃基板10MG上的彩色抗蚀膜19，使用与遮光部形成工序的情况同样的曝光装置21来进行选择性地曝光。该曝光装置21具备有用于控制对彩色抗蚀膜19的曝光范围的掩模M2。掩模M2由透明的玻璃基板M2A，和在玻璃基板M2A的板面上形成并屏蔽来自光源的曝光的光的遮光膜M2B制成。该遮光膜M2B开口形成有用于透射光的开口部M2C。在彩色抗蚀膜19中，掩模M2中的与遮光膜M2B重叠的范围成为未曝光位置，并且与开口部M2C重叠的范围成为曝光位置。在彩色滤光片形成工序中包含的显影工序中，如图8所示，将被选择性地曝光的彩色抗蚀膜19，使用与遮光部形成工序的情况同样的显影装置22来进行显影。在本实施方式中，负性感光性着色材料使用于彩色抗蚀膜19，因此经过上述显影工序之后，彩色抗蚀膜19的未曝光位置从母玻璃基板10MG上除去，并且曝光位置残留在母玻璃基板10MG上。彩色抗蚀膜19的残留部分成为规定图案的彩色滤光片14。此外，在本实施方式中，为了便于说明，在遮光部形成工序以及彩色滤光片形成工序中使用的涂布装置20、曝光装置21以及显影装置22所涉及的附图标记共通化。
接下来，使用图9对显影装置22详细说明。图9是显影装置22的概略的剖视图。如图9所示，显影装置22至少具有：进行显影处理的显影处理槽22A；在显影处理槽22A内输送母玻璃基板10MG的基板输送部22B；在由基板输送部22B输送的母玻璃基板10MG上供给显影液的显影液供给部22C。显影处理槽22A中的母玻璃基板10MG的输送方向(图9的左右方向)的前后的两个壁部上，开口形成有用于搬入搬出母玻璃基板10MG的搬入口22A1以及搬出口22A2。基板输送部22B具有多个输送辊22B1，所述多个输送辊22B1将母玻璃基板10MG以其抗蚀膜18、19的形成面成为铅垂方向的向上并且保持在水平方向平行的姿势来输送。多个输送辊22B1在母玻璃基板10MG的输送方向上，前后隔开间隔而并排地配置有多个，并且能够自转。各输送辊22B1，由从未图示的动力源(例如电动机等)赋予的旋转力来以每单位时间预定的转速旋转。显影液供给部22C相对基板输送部22B设置在铅垂方向的上侧，其中母玻璃基板10MG介于它们之间。显影液供给部22C在母玻璃基板10MG的输送方向上，前后隔开间隔而并排地配置有多个，并且各自能够向母玻璃基板10MG上的抗蚀膜18、19的形成面喷出显影液。在该显影装置22中，由基板输送部22B以预定的输送速度输送母玻璃基板10MG，并且利用从显影液供给部22C喷出的显影剂进行显影处理。因此，显影所涉及的处理时间取决于基板输送部22B的母玻璃基板10MG的输送速度(每单位时间各输送辊22B1的转速)，存在同输送速度越慢，处理时间越长，相反地，同输送速度越快，处理时间越短的倾向。
随后，使用图10到图14说明CF基板10A的制造方法中包含的遮光部形成工序以及彩色滤光片形成工序中使用的工序管理系统MS。如图10所示，工序管理系统MS至少具有：涂布装置20、涂布控制装置23、曝光装置21、曝光控制装置24、显影装置22、显影控制装置25、详细后述的存储装置26、详细后述的提取处理装置27、将这些各装置20～27之间相互进行信息通信的状态的信息通信线路28。涂布装置20、曝光装置21以及显影装置22如上所述。涂布控制装置23经由信息通信线路28连接到涂布装置20，并且可以控制由涂布装置20对于母玻璃基板10MG上的抗蚀膜18、19(抗蚀膜18、19的膜厚等)的涂布处理。曝光控制装置24经由信息通信线路28连接到曝光装置21，并且可以控制由曝光装置21对于母玻璃基板10MG上的抗蚀膜18、19(抗蚀膜18、19的曝光范围以及未曝光范围等)的曝光处理。显影控制装置25经由信息通信线路28连接到显影装置22，并且可以控制由显影装置22对于母玻璃基板10MG上的抗蚀膜18、19的显影处理。更具体地，显影控制装置25可以控制显影装置22具有的基板输送部22B输送母玻璃基板10MG的输送速度(各输送辊22B1每单位时间的转速)、显影液供给部22C的显影液喷出量等。
如图10所示，存储装置26经由信息通信线路28与涂布控制装置23、曝光控制装置24以及显影控制装置25连接，并且可以存储由涂布装置20、曝光装置21以及显影装置22进行各处理完成的时间(包括涂布完成时间)等。除了上述之外，存储装置26还存储有进行各种处理的母玻璃基板10MG的批号(lot number)、各种处理的工序编号、各种处理的配方编号等。其中，批号与上述的工序编号以及配方编号相关联，并且还与其他的制造的液晶面板10的机种等信息相关联。提取处理装置27经由信息通信线路28各种连接到显影控制装置25以及存储装置26。提取处理装置27例如由具有CPU、存储器(存储部27A)等的个人计算机等构成。提取处理装置27经由信息通信线路28，至少读取存储装置26存储的信息中的、通过涂布装置20完成涂布抗蚀膜18、19的涂布完成时间，因此进行提取从涂布装置20进行涂布抗蚀膜18、19转移到显影装置的显影的转移时间的处理。进一步的，提取处理装置27基于提取的转移时间，进行提取显影装置22的显影所涉及的处理时间的处理。此外，进行显影装置22的显影的预定时间即显影开始时间，也可以存储在存储装置26。在这种情况下，提取处理装置27经由信息通信线路28读取存储在存储装置26中的涂布完成时间以及显影开始时间，并且提取转移时间。除此之外，将通过提取处理装置27进行提取转移时间的处理的时间也可以被视为显影开始时间，并且在这种情况下，提取处理装置27经由信息通信线路28读取存储装置26中存储的涂布完成时间的同时将该时间点的时间作为显影开始时间提取转移时间。
然后，如图10所示，显影控制装置25基于提取处理装置27提取出的处理时间控制显影装置22的显影。也就是说，在CF基板制造工序中包含的显影工序中，基于从进行涂布工序转移到该显影工序的转移时间调整显影所涉及的处理时间。通过这种方式，即使出现进行涂布装置20的抗蚀膜18、19的涂布之后转移到显影装置22的显影的转移时间，在因制造上的各种事情而导致不一致的情况下，显影控制装置25控制显影装置22，使得按基于该转移时间提取处理装置27提取出的处理时间来显影。例如，当上述转移时间长时，由提取处理装置27被提取出长的处理时间，因此显影控制装置25以按该长的处理时间显影的方式控制显影装置22。相反，当上述转移时间短时，由提取处理装置27被提取出短的处理时间，因此显影控制装置25以按该短的处理时间进行显影的方式控制显影装置22。通过上述，即使在上述转移时间变化的情况下，也可以适当地进行显影。由此，抗蚀膜18、19适当地被图案化。此外，由于显影控制装置25和提取处理装置27通过信息通信线路28可以进行信息通信的状态地连接，因此显影控制装置25可以经由信息通信线路28直接读取被提取处理装置27提取的处理时间。
此处，使用图11至图13中所示的各图表，详细说明本实施方式所涉及的课题、作用以及效果。首先，图11是表示进行涂布工序之后转移到显影工序的转移时间(横轴)、与显影所需要的处理时间(纵轴)之间的关系的图表。根据图11，可以说存在转移时间越长显影所需要的处理时间也越长，并且转移时间越短显影所需要的处理时间也变短的倾向。此处，假设，将处理时间固定化为某一标准处理时间T1的情况下，得到成为该标准处理时间与图11所示图的交点的标准转移时间T2。然后，图12是表示将显影所涉及的处理时间固定化为某一标准处理时间T1的情况下的转移时间(横轴)、与显影工序后得到的抗蚀膜18、19的图案所涉及的线宽(纵轴)之间的关系的图表。此处，转移时间是标准转移时间T2的情况中的抗蚀膜18、19的图案所涉及的线宽设定为标准线宽W。根据图12，可知尽管实际的转移时间相较于标准转移时间T2长，但如果还是以标准处理时间T1来进行显影时，抗蚀膜18、19的图案所涉及的线宽宽于标准线宽W。可能是出于以下原因，标准处理时间T1相较于显影所需要的处理时间短，因此抗蚀膜18、19没有充分显影。根据图12可知，与上述相反，尽管实际的转移时间相较于标准转移时间T2短，但如果还是以标准处理时间T1来进行显影时，抗蚀膜18、19的图案所涉及的线宽窄于标准线宽W。可能是出于以下原因，标准处理时间T1相较于显影所需要的处理时间长，因此抗蚀膜18、19过度显影。随后，图13是表示使显影所涉及的处理时间根据实际的转移时间变化的情况下的转移时间(横轴)、与显影工序后得到的抗蚀膜18、19的图案所涉及的线宽(纵轴)之间的关系的图表。根据图13可知，即使实际的转移时间相较于标准转移时间T2长或者短，抗蚀膜18、19的图案所涉及的线宽为一定的标准线宽W。可能是出于以下原因，，根据变化的转移时间调整为显影所涉及的处理时间与显影所需要的处理时间一致，因此抗蚀膜18、19一直适当地显影。
进一步地，如图10所示，提取处理装置27具有存储部(数据表存储部)27A，其存储了数据表，该数据表至少记录了从涂布完成时间到显影开始时间的转移时间、与通过具备于显影装置22的基板输送部22B输送母玻璃基板10MG的输送速度(显影所涉及的处理时间)之间的关系。因此，提取处理装置27基于提取的转移时间，读取存储在存储部27A中的数据表，因此提取母玻璃基板10MG的输送速度。由此，由于不需要将上述数据表存储在存储装置26中，因此只要经由信息通信线路28将存储了涂布完成时间等的现有的存储装置26连接到提取处理装置27即可。不需大幅地改变现有的工序管理系统MS，其适合于实现低成本化。
随后，使用图14说明存储部27A中存储的的数据表的具体例。图14是表示数据表的图。在图14所示的数据表中，记录有从涂布完成时间到显影开始时间的转移时间(单位是“h(小时)”)、和通过具备在显影装置22的基板输送部22B输送母玻璃基板10MG的输送速度(无单位)。本实施方式中，示例了制造的液晶面板10是两种的机种α、β的情况，并且各机种α、β每一个构成液晶面板10的CF基板10A的规格是各不相同的。对于CF基板10A的规格包括彩色滤光片14以及遮光部15的材料、膜厚以及面积等，并且存在这些根据液晶面板10的机种α、β而不同的情况。其中的“面积”根据液晶面板10的清晰度(分辨率)、画面尺寸等变化，并且通过CF基板制造工序所包含的曝光工序中的抗蚀膜18、19的曝光范围或者是未曝光范围被反映。此外，彩色滤光片14以及遮光部15的材料、膜厚以及面积，可以根据液晶面板10的机种α、β全部地不同，也可以仅一部分地不同。如图14所示，关于各机种α、β，在对遮光部15(图14的标记是“遮光部”)的遮光抗蚀膜18进行显影时，记录母玻璃基板10MG的输送速度(图14中标记为“A、B、I、J”)。在图14中，关于各机种α、β，记录有红色彩色滤光片14R(在图14中，标记为“CF(R)”)、绿色彩色滤光片14G(在图14中，标记为“CF(G)”)、蓝色彩色滤光片14B(在图14中，标记为“CF(B)”)中的、各彩色抗蚀膜19显影时的母玻璃基板10MG的输送速度(图14中标记为“C、D、E、F、G、H、K、L、M、N、O、P”)。可以说，在图14中记载的母玻璃基板10MG的输送速度，考虑到因机种α、β的不同导致的彩色滤光片14以及遮光部15的材料、膜厚以及面积的不同。在图14中，作为转移时间记录了0～12小时、12～24小时的两种。
将使用图14中所示的数据表说明具体的处理。在CF基板制造工序包含的显影工序中，如图10所示，提取处理装置27经由信息通信线路28从存储装置26至少读取涂布完成时间，并提取从涂布完成时间到显影开始时间的转移时间。与此同时，提取处理装置27经由信息通信线路28从存储装置26读取与批号相关联的机种α、β、处理对象的抗蚀膜18、19的信息等，并且确定机种α、β以及处理对象的抗蚀膜18、19。然后，提取处理装置27基于转移时间、机种α、β以及处理对象的抗蚀膜18、19的各种信息，参照图14的数据表，并提取母玻璃基板10MG的输送速度。例如，如果转移时间是10小时、机种α、处理对象是红色彩色滤光片14R的彩色抗蚀膜19，则母玻璃基板10MG的输送速度是“C”。此外，如果转移时间是14小时、机种β、处理对象是遮光部15的遮光抗蚀膜18，则母玻璃基板10MG的输送速度是“J”。当这样地提取母玻璃基板10MG的输送速度时，显影控制装置25经由信息通信线路28从提取处理装置27取得母玻璃基板10的输送速度所涉及的信息，并且基于该输送速度所涉及的信息来控制显影装置22的基板输送部22B。由此，可以在从涂布完成时间到显影开始时间的转移时间基础上，还有考虑到抗蚀膜18、19的材料、膜厚、面积的输送速度来输送母玻璃基板10MG，因此显影所涉及的处理时间是适当的。
如以上所说明，本实施方式的CF基板(抗蚀膜形成基板)10A的制造方法具有：在母玻璃基板(基板)10MG上涂布抗蚀膜18、19的涂布工序；选择性地曝光在涂布工序中被涂布的抗蚀膜18、19的曝光工序；显影在曝光工序中选择性地曝光的抗蚀膜18、19的显影工序，其中，基于进行涂布工序之后转移到该显影工序的转移时间，调整显影所涉及的处理时间。
首先，在涂布工序中，将抗蚀膜18、19涂布在母玻璃基板10MG上。在曝光工序中，选择性地曝光在涂布工序中被涂布于母玻璃基板10MG上的抗蚀膜18、19。由此，在抗蚀膜18、19上产生曝光位置和未曝光位置。在显影工序中，显影在曝光工序中选择性曝光的抗蚀膜18、19。由此，去除抗蚀膜18、19中的曝光位置和未曝光位置中的一方而保留另一方，从而形成规定的图案。此外，进行涂布工序之后转移到显影工序的转移时间，存在因制造上的各种原因而导致不一致的情况，并且存在该转移时间越长，显影工序中显影所需要的处理时间越长的倾斜。对于这一点，在显影工序中，基于进行涂布工序之后转移到显影工序的转移时间，调整显影所涉及的处理时间，因此即使在上述的转移时间发生变化的情况下也可以适当地进行显影。由此，抗蚀膜18、19被适当地图案化。
此外，在显影工序中，在转移时间基础上，还考虑抗蚀膜18、19的材料来调整处理时间。除了上述转移时间之外，显影工序中所需的显影所涉及的处理时间可以根据抗蚀膜18、19的材料而得到变化。对于这一点，在显影工序中，在转移时间基础上，还考虑抗蚀剂18、19的材料来调整处理时间，因此成为适用于被使用的抗蚀膜18、19的材料的显影。由此，抗蚀膜18、19被更加适当地被图案化。
此外，在显影工序中，在转移时间基础上，还考虑抗蚀膜18、19的膜厚来调整处理时间。除了上述转移时间之外，显影工序中所需的显影所涉及的处理时间可以根据抗蚀膜18、19的膜厚而得到变化。对于这一点，在显影工序中，在转移时间基础上，还考虑抗蚀剂18、19的膜厚来调整处理时间，因此成为适用于被使用的抗蚀膜18、19的膜厚的显影。由此，抗蚀膜18、19被更加适当地被图案化。
此外，在显影工序中，在转移时间基础上，还考虑在曝光工序中抗蚀膜18、19的曝光范围或者未曝光范围来调整处理时间。曝光工序中抗蚀膜18、19的曝光范围或者未曝光范围，反映了经过显影工序之后残留在母玻璃基板10MG上的抗蚀膜18、19的图案面积。除了上述转移时间之外，显影工序中所需的显影所涉及的处理时间可以根据抗蚀膜18、19的图案面积而得到变化。对于这一点，在显影工序中，在转移时间基础上，还考虑在曝光工序中抗蚀膜18、19的曝光范围或者未曝光范围来调整处理时间，因此成为适用于被残留在母玻璃基板10MG上的抗蚀膜18、19的图案面积的显影。由此，抗蚀膜18、19被更加适当地被图案化。
此外，在显影工序中，在输送母玻璃基板10MG的同时将显影液供给到母玻璃基板10MG上，并且通过控制母玻璃基板10MG的输送速度来调整处理时间。根据这种方式，在显影工序中，将显影液供给到以规定输送速度输送的母玻璃基板10MG上，从而有效地进行显影。此时，母玻璃基板10MG的输送速度越慢，显影所涉及的处理时间越长，母玻璃基板10MG的输送时间越快，显影所涉及的处理时间越短，因此通过控制母玻璃基板10MG的输送速度，可以适当地调整显影所涉及的处理时间。
此外，在涂布工序中，涂布彩色抗蚀膜19或遮光抗蚀膜18作为抗蚀剂膜18、19。根据这种方式，抗蚀膜18、19即彩色抗蚀膜或者遮光抗蚀膜18被适当地被图案化。
此外，本实施方式的CF基板10A的制造所涉及的工序管理系统MS具有：在母玻璃基板10MG上涂布抗蚀膜18、19的涂布装置20；选择性地曝光抗蚀膜18、19的曝光装置21；显影抗蚀膜18、19的显影装置22；至少存储了涂布装置20的抗蚀膜18、19的涂布完成的涂布完成时间的存储装置26；通过读取存储装置26中存储的涂布完成时间，提取涂布装置20的抗蚀膜18、19的涂布之后转移到显影装置22的显影的转移时间，并且基于提取出的转移时间，进行提取显影装置22中的显影所涉及的处理时间的处理的提取处理装置27；基于提取处理装置27的提取出的处理时间控制显影装置22的显影控制装置25；至少将涂布装置20、提取处理装置27以及显影控制装置25能够进行信息通信的状态地连接到存储装置26的信息通信线路28。
首先，由涂布装置20将抗蚀膜18、19涂布在母玻璃基板10MG上。在母玻璃基板10MG上被涂布的抗蚀膜18、19由曝光装置21选择性地曝光时，抗蚀膜18、19上出现曝光位置和未曝光位置。被选择性地曝光的抗蚀膜18、19由显影装置22显影时，去除抗蚀膜18、19中的曝光位置和未曝光位置中的一方并残留另一方，从而形成规定的图案。显影装置22通过显影控制装置25控制进行显影。至少涂布装置20的涂布抗蚀膜18、19的涂布完成了的完成时间，经由信息通信线路被信息通信至存储装置26，并且该存储装置26存储该信息。
此外，进行涂布装置20的抗蚀膜18、19涂布之后转移到显影装置22中显影的转移时间，存在因制造上的各种原因而导致不一致的情况，并且存在该转移时间越长则由显影装置22的显影所需要的处理时间越长的倾向。此处，提取处理装置27经由信息通信线路28读取存储装置26存储的涂布完成时间，基于读取出的涂布完成时间，提取进行涂布装置20的抗蚀膜18、19的涂布之后转移到显影装置的显影的转移时间。由此，提取处理装置27基于提取的转移时间，进行提取显影装置22的显影所涉及的处理时间的处理。然后，提取处理装置27经由信息通信线路28读取由提取处理装置27提取的处理时间，基于读取的处理时间，控制显影装置22的显影，因此即使在上述转移时间变化的情况下也可以适当地进行显影。由此，抗蚀膜18、19适当地被图案化。
此外，提取处理装置27具有存储部(数据表存储部)27A，其存储至少记录了转移时间和处理时间之间的关系的数据表，并且基于从存储装置26读取涂布完成时间而提取的转移时间，从存储部27A中存储的数据表提取处理时间。以这种方式，尽管提取处理装置27经由信息通信线路28从存储装置26基于读取出的涂布完成时间来提取转移时间，但是处理时间的提取是读取其自身具有的存储部27A中存储的数据表来进行。由此，由于不需要使数据表存储在存储装置26中，因此只要经由信息通信线路28将提取处理装置27连接到现有的存储装置26即可。由此，不需要大幅地改变现有的工序管理系统MS，因此其适合于实现低成本化。
此外，信息通信线路28将显影控制装置25进行信息通信的状态地连接到提取处理装置27。假设，显影控制装置25和提取处理装置27没有通过信息通信线路28直接连接时，需要以由提取处理装置27提取出的处理时间存储在存储装置26方式改变存储装置26。与此相比，因此显影控制装置25可以经由信息通信线路28直接读取提取处理装置27提取出的处理时间，因此无需对存储装置26进行改变。
此外，在显影装置22至少具有输送母玻璃基板10MG的基板输送部22B、对由基板输送部22B输送的母玻璃基板10MG供给显影液的显影液供给部22C，并且显影控制装置25控制由基板输送部22B输送的母玻璃基板10MG的输送速度，从而调整处理时间。以这种方式，在显影装置22中，由基板输送部22B以预定的输送速度输送母玻璃基板10MG，并且通过由显影液供给部22C在母玻璃基板上供给显影液，从而可以高效地进行显影处理。此时，基板输送部22B输送母玻璃基板10MG的输送速度越慢，显影所涉及的处理时间越长，基板输送部22B输送母玻璃基板10MG的输送时间越快，显影所涉及的处理时间越短，因此显影控制装置25通过基板输送部22B输送控制母玻璃基板10MG的输送速度，可以适当地调整显影所涉及的处理时间。
＜其它实施方式＞
本发明不限于通过上述记载和附图说明的实施方式，例如下面的实施方式也包含在本发明的技术范围中。
(1)在上述实施方式中，示例了制造的液晶面板的机种为两种的情况下的数据表，但也可以制造的液晶面板的机种为三种以上。
(2)在上述实施方式中，示例了将进行涂布工序之后转移到显影工序的转移时间的区分设为“0～12小时”和“12～24小时”的两种的情况的数据表，但是对于上述转移时间的区分可以是三种以上。具体地，例如，可以设为有“0～8小时”、“8～16小时”和“16～24小时”的三种类型，“0～6小时”、“6～12小时”、“12～18小时”、“18～24小时”的四种类型，“0～4小时”、“4～8小时”、“8～12小时”、“12～16小时”、“16～20小时”和“20～24小时”的六种类型，“0～3小时”、“3～6小时”、“6～9小时”、“9～12小时”、“12～15小时”、“15～18小时”、“18～21小时”和“21～24小时”的八种类型。除此之外，可以适当地改变具体的转移时间的区分。此外，转移时间的最大值可以设定为24小时以上或24小时以下。
(3)在上述实施方式中，示出了在数据表中记录了输送速度的情况，但是也可以在数据表中记录与显影所涉及的处理时间。在这种情况下，只要显影控制装置基于从提取处理装置的存储部读取的显影所涉及的处理时间来计算母玻璃基板的输送速度，并且可以基于该输送速度输送母玻璃基板的方式控制显影装置即可。
(4)在上述实施方式中，示出了数据表存储在提取处理装置具有的存储部内的情况，但是数据表也可以是存储在存储装置内的方式。
(5)在上述实施方式中，示出了CF基板所具有的由感光性材料制成的抗蚀膜所涉及的包括涂布工序、曝光工序以及显影工序的制造方法，但是也可以CF基板具有由非感光性材料(金属材料、透明电极材料、非感光性树脂材料等)制成的膜，并进行在蚀刻该膜时成为蚀刻对象的膜上层叠的抗蚀膜进行涂布工序、曝光工序以及显影工序，也可以基于进行涂布工序之后转移到显影工序的转移时间来调整显影所涉及的处理时间。
(6)在上述实施方式中，示出了CF基板的制造方法以及CF基板的制造所涉及的工序管理系统，但是对于阵列基板的制造方法以及阵列基板的制造所涉及的工序管理系统也可以同样地适用。例如，阵列基板具有各种膜中也包括抗蚀膜时，进行该抗蚀膜的涂布工序、曝光工序以及显影工序时，也可以基于进行涂布工序之后转移到显影工序的转移时间来调整显影所涉及的处理时间。此外，当蚀刻阵列基板具有由非感光材料(金属材料、透明电极材料、非感光性树脂材料等)制成的膜时，进行在成为蚀刻对象的膜上层叠的抗蚀膜的涂布工序、曝光工序以及显影工序时，也可以基于进行涂布工序之后转移到显影工序的转移时间来调整显影所涉及的处理时间。
(7)在上述实施方式中，示出了显影装置是通过基板输送部输送母玻璃基板的同时由显影液供给部供给显影液进行显影的构成，但是也可以是除此之外例如通过由显影液供给部在显影装置内静止状态的母玻璃基板上供给显影液进行显影的构造。在这种情况下，由显影剂供给部供给显影剂的时间是显影的处理时间。
(8)在上述实施方式中，示出了抗蚀膜的材料是负性感光性材料的情况，但是也可以使用正性感光性材料作为抗蚀膜的材料。在这种情况下，当进行显影工序时，从母玻璃基板上除去抗蚀膜中的曝光位置，并且未曝光位置残留在母玻璃基板上。
(9)在上述实施方式中，示出了显影控制装置和提取处理装置通过信息通信线路直接连接的构成，但是也可以是显影控制装置和提取处理装置没有直接连接的构成。在这种情况下，将由提取处理装置提取的处理时间存储在存储装置中，并且显影控制装置通过读取存储在存储装置中的处理时间，以根据该处理时间进行显影的方式控制显影装置。
(10)在上述各实施方式中，示出了彩色滤光片的色彩数设定为三个的情况，但是除此之外彩色滤光片的具体的色彩数可以适宜地变化。
(11)除了上述实施方式之外，还可以适当地改变CF基板的具体构成。例如，可以在彩色滤光片上层叠形成外涂膜。
(12)在上述实施方式中，示例了对于构成动作模式为VA模式的液晶面板的CF基板的制造方法，但是除此之外对于构成动作模式为IPS(In-Plane Switching)模式、FFS(Fringe Field Switching)模式等其他的动作模式的液晶面板的CF基板的制造方法，本发明也可以适用。
(13)在上述实施方式中，示出了透射型液晶面板，但是也可以是反射型液晶面板、半透射型液晶面板。
(14)在上述实施方式中，示例了液晶面板中具有的CF基板的制造方法，但是也可以是其他类型的显示面板(有机EL面板、PDP(等离子显示面板)、EPD(微胶囊电泳显示器)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微电子机械系统)显示面板等)，本发明也可以适用于这些显示面板中具有的抗蚀膜形成基板的制造方法。
附图标记说明
10A...CF基板(抗蚀膜形成基板)，10MG...母玻璃基板(基板)，18...彩色抗蚀膜(抗蚀膜)，19...遮光抗蚀膜(抗蚀膜)，20...涂布装置，21...曝光装置，22...显影装置，22B...基板输送部，22C...显影液供给部，25...显影控制装置，26...存储装置，27...提取处理装置，27A...存储部(数据表存储部)，28...信息通信线路，MS...工序管理系统

Claims (10)

1.一种抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于，具有：
涂布工序，其在基板上涂布抗蚀膜；
曝光工序，其选择性地曝光在所述涂布工序中被涂布的所述抗蚀膜；显影工序，其显影在所述曝光工序中选择性地曝光的所述抗蚀膜，
所述显影工序基于转移时间调整显影所涉及的处理时间，其中所述转移时间是进行所述涂布工序之后转移到该显影工序的时间。
2.根据权利要求1所述的抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于：在所述显影工序中，在所述转移时间基础上，还考虑抗蚀膜的材料来调整所述处理时间。
3.根据权利要求1或2所述的抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于：
在所述显影工序中，在所述转移时间基础上，还考虑所述抗蚀膜的膜厚来调整处理时间。
4.根据权利要求1或2所述的抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于：
在所述显影工序中，在所述转移时间基础上，还考虑在所述曝光工序中的所述抗蚀膜的曝光范围或者未曝光范围来调整处理时间。
5.根据权利要求1或2所述的抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于：
在所述显影工序中，在输送所述基板的同时在所述基板上供给显影液，并且通过控制所述基板的输送速度来调整所述处理时间。
6.根据权利要求1或2所述的抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于：
在所述涂布工序中，涂布彩色抗蚀膜或者遮光抗蚀膜作为所述抗蚀膜。
7.一种抗蚀膜形成基板的制造所涉及的工序管理系统，其特征在于，具有：
涂布装置，其在基板上涂布抗蚀膜；
曝光装置，选择性地曝光所述抗蚀膜；
显影装置，显影所述抗蚀膜；
存储装置，至少存储了由所述涂布装置完成了所述抗蚀膜的涂布的涂布完成时间；
提取处理装置，其通过读取所述存储装置中存储的所述涂布完成时间提取转移时间，所述转移时间是进行所述涂布装置的所述抗蚀膜的涂布之后转移到所述显影装置中显影的时间，基于提取出的所述转移时间进行提取所述显影装置的显影所涉及的处理时间的处理；
显影控制装置，其基于由所述提取处理装置提取出的所述处理时间，控制所述显影装置；
信息通信线路，其至少将所述涂布装置、所述提取处理装置以及所述显影控制装置能够进行信息通信的状态地连接到所述存储装置。
8.根据权利要求7所述的抗蚀膜形成基板的制造所涉及的工序管理系统，其特征在于：
所述提取处理装置具有数据表存储部，其存储至少存储了所述转移时间和所述处理时间之间的关系的数据表，并且基于通过从所述存储装置读取所述涂布完成时间而提取出的所述转移时间，从所述数据表存储部中存储的所述数据表提取所述处理时间。
9.根据权利要求7或者8所述的抗蚀膜形成基板的制造所涉及的工序管理系统，其特征在于：
所述信息通信线路将所述显影控制装置能够进行信息通信的状态地连接到所述提取处理装置。
10.根据权利要求7或者8所述的抗蚀膜形成基板的制造所涉及的工序管理系统，其特征在于：
所述显影装置至少具有：
基板输送部，其输送所述基板，
显影液供给部，其向由所述基板输送部输送的所述基板供给显影液，所述显影控制装置通过控制所述基板输送部输送的所述基板的输送速度来调整所述处理时间。
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