TW562882B - Method to manufacture a coated substrate - Google Patents

Description

562882 五、發明說明（ 1 ) 本發 明涉及一 種 已 塗 佈材料之基 :板之 ，製 ί造 丨方法，其中 a)至少 —基板 須 導 入 一 已 成 真 空之 真空 容 器 中， b)對此 基板之 已 塗 層 之 表 面 施 加一 種反 應 氣 體，其在表 面 上被 吸附； c)使表 面對該 反 應 氣 體 之承 受 •作用 結束 > d)使表 面上所 吸 附 之反 應 氣 體 起反 應。 上述 方法在 US 5 9U ;365 中 丨已爲 丨人所知 丨。 基板導入一 .已 抽真空 之容器 中 ， 真 空 容 器 具 有一 由陶 瓷 所 構成之容器 壁 ，其使 程序室 與 環 境 相 隔 開 〇 對該 基板之待 塗 層 之 表 面 施 加第 一反 應 氣 體，其在該 表 面上被 吸附。 然 後 將 反 m 氣 體 抽出 ，使 該 表 面對反應氣 體 之承受 作用結 束 〇 然後 導入第 二 反 應 氣 體 且 藉 由真 空容 器 外 部所設置之 捲 繞配置 而在容 器 中 產 生 -- 種 局 頻之 電磁 場 0 這樣可使已 導 入之第 二反應 氣 體 之 至 少 — 部 份活化成 基 (radical)且表面 上所吸附之第 一 反 應 氣 體 單 獨 地與 上述 由 局 頻電磁場所 產 生之基 進行反 應 〇 本發 明之目 的 是 提 供 一 種 本文開 頭所 述 之 方法，其由 施 加一種 單層原 子 至 待 塗 層 之 基 板表 面開 始 5 但就可施加 之 單層之 多樣化而 言 該 方 法 具 有 已擴 展很 多之使用彈性。 因此 須描述 材料 之 施 加 ， 此 乃因 上述 之 單 層就一層而 必須不 是閉合之 層 而 是 所 施 加之 原子 之 密 度可較其在 形 成一閉 合之層 時所 需 之密 度 小很多 。若希 望 時亦可施加 — 種材料 ，以形成 種 閉 合之 單 -3 層。 562882 五、發明說明（2) 本發明中上述目的以下述方式達成： ch)反應氣體已被吸附之該表面承受一種低能量之電漿放 電，基板之表面上之離子能量EIG是0<EIG<20eV且電子 能量 Ee〇 是 OeV<Ee〇：^100eV。 d2)已吸附之反應氣體至少在電漿所產生之離子及電子之 共同作用下進行反應。 在上述US 5 916 3 65中已吸附之氣體只藉由所界定之 電性上之中性基來進行反應，反之，本發明中表面上所吸 附之反應氣體在每種情況中亦可藉由低能量之電漿放電所 產生之離子及電子之作用而溫和地進行反應。因此，亦可 在未與表面上之其它反應氣體之基共同作用下使已吸附之 氣體穩定下來，其只須藉由"溫和地’’與低能量之稀有氣體 離子及電子交替地作用或藉由與其它反應氣體離子之相同 方式之作用即可達成。 雖然在US 5 916 3 65中已知在反應氣體之混合大氣中 在輝光放電之情況下施加多個薄層，但這不會形成令人滿 意之層，本發明中描述”須形成一種電漿放電π，以便除了 使離子及電子在已吸附之反應氣體或氣體混合物上產生作 用外，亦可在電漿放電中使第二反應氣體或反應氣體混合 物活化成基及離子且使已吸附之反應氣體或氣體混合物另 外又與由電漿活化所產生之電中性之基及反應氣體離子交 替地作用。 現在由於每種情況下已充電之微粒都可加入已吸附之氣 體之反應中，則此種反應（特別是其分佈）可藉由電場及/或 562882 五、 發明說明 (3) 磁 場 來控 制 ，但這樣只會使基 之 特 性不受 影響。 在 較佳 之 實施形式中，基板 之 表 面 上之 離子能量Er又 下 降 至 0eV<Er<15eV 之 範 圍中 〇 此外，已吸附之反 應 氣 體 亦可 以是反應氣 體混 合 物 。電 漿 放電可在稀有氣體 大 氣 中 (較佳是在氬大氣中） 進 行或在含有其它反應氣體或 氣 體 混 合物 之大氣中產 生電 漿 放 電。 其 它反應氣體或氣體 混 合 物 較佳 是含有以下 至少 — 種 氣體 ： 氬 ，氮 ， 氧，較佳是氫，或 由 氫 氣 體所 構成。 在本發 明 之方法之另一較佳之 實 施 形式 中，真空容 器抽 成 真 空至 —* 種壓力Pv，其中 10' 11mbar<pv<l〇'8mbar 這 樣可 確 保該基板所導入之 真 空 大 氣中 不會有污染 性之 物 質 干擾 性 地沈積在表面上。 在 另一 較 佳之實施形式中， 吸附在 表面 上之反應氣 體或 氣 體 混合 物 被引入直至到達一 種 分 壓 ρΡ Μ ;止，其中 10· 4m bar<pp< 1 mbar 藉 由 上述 表 面之承受作用及此 種 承 受 作用 結束時之間 之時 距來 控制 表 面上已吸附之反應 氣 體 或 /=ij mm 混合物之數 量直 至 某 種程 度 爲止。因此可由一 種 相 對 於飽 和値而持續 之指 數 函 數開 始 ，其時間常數可顯 ί牙 ；η '、ί :飽和之動態（dy] n am i c) 特 徵 。此種時間常數需要時可藉 由 表 面之加熱或冷卻來控制。 在本發 明 之方法之另一較佳之 -5- 實 施 形式 中，該表面 562882 五、發明說明（4 ) (surface)對即將吸附之反應氣體或反應氣體混合物之承受 作用以下述方式結束：使基板由已抽真空之容器（其具有 反應氣體或氣體混合物）轉移至另一已抽真空之真空容器 中。在該另一已抽真空之真空容器中進行其餘之步驟。這 樣所具有之優點是：第一真空容器只用來吸附氣體，因此 不會受到污染，另一真空容器用來進行已吸附之氣體之電 漿放電反應。 在上述方式中可在中央設置另一真空容器，以便在成組 之特定之’’吸附’’容器（其圍繞中央之另一真空容器）中對基 板之電漿放電作進一步之處理，基板在此過程中已吸附各 種不同之反應氣體或反應氣體混合物。因此可層層地形成 由許多不同之原子單層所構成之複雜之層系統。 在許多情況中，在使用上述之低能量之放電時在中央之 電漿反應容器中施加一序列之不同之-或相同之原子單層 時可使用第二反應氣體或反應氣體混合物，特別是使用氮 及/或氫及/或氧，較佳是氫。反之，多個真空容器亦可配 屬於一個”吸附”容器以便在電漿中對已吸附之反應氣體或 氣體混合物進行反應，這主要是用在吸附-步驟在時間上 較電漿中之反應步驟還短時。 在本發明之方法之另一較佳之實施形式中，表面對即將 吸附之反應氣體或反應氣體混合物之承受作用是藉由已抽 真空之真空容器中抽出其餘之反應氣體或反應氣體混合物 來結束。 真空容器中進行上述之抽出過程直至總壓力達到Pv’爲 562882 五、發明說明（5) 止，其中 lO^^bar^pv^lO^mbar 換言之，在反應氣體-承受作用結束時又可調整成與承 受該氣體前相同之壓力比，即，超高真空比（ratio)。 如上所述，吸附步驟以下述方式結束：基板轉移至另一 真空容器中，該處除了稀有氣體-分壓及/或第二反應氣體 或-氣體混合物之分壓以外同樣可調整上述之剩餘氣體-超 高真空壓力比。 已吸附之反應氣體或-氣體混合物在與電漿所產生之離 子及電子一起作用時所進行之反應是非時間臨界的（non-time critical) ， 此乃因 使用上 述形式 之低能 量電漿 。此種 過程至少近似地又以指數形式在一漸近値上進行。若電漿 處理至少保持在一預定之最小時距中，則此種處理可進一 步保持著而不會使所產生之閉合式原子單層大大地受到影 響。這對本發明之方法之自動化及時序（例如，隱藏在其 它表面處理步驟之複雜之序列中）而言具有很大之優點。 若依據步驟d2)使本發明之方法中斷，則依據吸附量（受 承受時間所控制）及/或作爲吸附用之氣體原子之數量以及 電漿作用（電漿處理時間及/或強度）及/或使用第二反應氣 體或-氣體混合物（基-及離子-形成）而形成不同密度之原子 單層直至形成一閉合之原子單層爲止。若力求一種非閉合 之原子單層，則實際上可利用一種植入技術或接種技術在 基板表面或已塗佈之閉合式原子單層上只施加〜些和底層 相同形式-或不同形式之”各別之”原子或其它材料。 562882 五、發明說明（6) 在本方法之其它較佳之實施形式中，至少步驟b)至d2) 進行至少二次，這樣可使至少二個原子單層互相重疊。因 此可由單層至單層使表面已吸附之反應氣體或-氣體混合 物改變，需要時可在電漿放電大氣中使用第二反應氣體或 氣體混合物，因此可適當地沈積不同之層作爲單層。若力 求形成一種磊晶層，則須形成一種異質（hetero)磊晶層。 若在全部之層中施加相同之材料，則在磊晶生長時會形成 均勻磊晶層。 此外，在一較佳之實施形式中，在步驟d2)至少進行一 次之後或在步驟b)至d2)進行多次（例如，η次）之後可在所 形成之表面上施加另一種材料，這可以習知之塗層方法中 之任一種方法來進行，例如，真空技術，濕式化學或電鍍 法。 在本方法之另一特別有利之實施形式中，在上述之表面 承受該即將吸附之反應氣體或反應氣體混合物之前’該表 面須施加一種低能量之稀有氣體電漿（較佳是氬電漿）’其 在上述表面上之離子能量是： 0eV<En<20eV 較佳是 0eV<E,i<15eV 且電子能量是 OeV<Eei<l〇〇eV 在稍後吸附氣體用之表面上因此可達成多種確定之表面 狀態。 562882 五、發明說明（7) 在本方法之另一較佳之實施形式中，在上述表面承受即 將吸附之反應氣體或反應氣體混合物之前該表面在大氣 (其含有另一反應氣體）中承受一種低能量之電漿放電，其 中基板表面上之離子能量是： 0eV<Ei2<20eV 較佳是 0eV<Ei2<15eV 電子能量E2是 0eV<Ee2<100eV 一方面在稍後吸附氣體用之表面上可設定多種確定之表 面狀態，且又可淨化上述之表面。這特別須使用其它反應 氣體，使用氫，氮或氧這些氣體中之至少一種。較佳是使 用一種含有氫之大氣，其除了稀有氣體（特別是氬）之外另 由氫所組成。現在較佳是在氣體吸附之後以及該已吸附之 氣體反應之後觀察已進行之各步驟。 在較佳之實施形式中，在與已吸附之反應氣體或混合物 反應之後該表面須承受一種低能量之稀有氣體電漿，表面 上之離子能量Επ是 0eV<Ei3<20eV 較佳是 OeV<E,3<15eV 且電子能量Ee3是 0eV<Ee3<l OOeV 在本方法之另一較佳之實施形式中，在與已吸附之反應 562882 五、發明說明（8) 氣體進行上述之反應之後，該表面在一種大氣（其含有其 它反應氣體或反應氣體混合物）中承受一種低能量之電漿 放電，其中基板表面上之離子能量El4是： 0eV<Ei4<20eV 較佳是 0eV<Ei4<15eV 且電子能量Ee4是 OeV<Ee4<l〇〇eV 較佳是使用這些氣體氫，氮，氧中之至少一種作爲另一 反應氣體，特別是使用氫。 因此，藉由與該另一反應氣體進行反應可同時使真空容 器之內面被淨化。 如上所述，在與已吸附之反應氣體反應時若電漿放電保 持在反應氣體或反應氣體混合物中，特別是保持在具有氫 ，氮或氧中至少一種（特別是至少具有主要之氫成份）之反 應氣體中時，則可同時使真空容器之內面被淨化且較只藉 由抽氣時更快速，整潔且更可被界定。 特別是藉由選取該反應氣體吸附前之電漿放電方法時， 則稍後吸附氣體用之表面之狀態至少會受到影響。因此， ，，磊晶沈積層是否會產生亦會受到影響，或”在未淨化之 不定形多晶基板表面中是否會形成不定形沈積或多晶沈積" 亦會受影響。藉由基板表面溫度可影響該沈積之生長特性。 利用本發明中已施加材料之基板之製造方法，則可以特 殊之方式藉由下述材料中之至少一種材料來達成： -10- 562882 五、發明說明（9) Si，Ge，Ti，Ta，Hf，Zr，Al，Nb，W 之氧化物或氮 化物或氧化之氮化物及/或下述之金屬： Al，Ti，Cu，W，Ta或這些材料之混合物。特別好之情 況是以下述材料中至少一種施加在上述之表面上： 氧化砂，氧化鉬，氧化锆，氮化鈦，氮化鉅，氮化鎢， (TaSi)xNy 〇 在本方法之另一較佳之實施形式中，在由步驟b)及c) 及/或d)至d2)所構成之相位中之至少一種相位期間圍繞該 基板之表面所用之程序大氣由位於環境中之真空容器之內 壁所隔開。此種隔開作用在待塗層之表面承受該反應氣體 或-氣體混合物以進行吸附作用時進行直至上述之承受作 用結束時，及/或在與已吸附之氣體進行反應時進行該隔 開作用。 因此，須有以下之基本認知：各結構（其相對於周圍壓 力可確保真空技術上所需之壓力比）及其它結構（其直接承 受該處理過程）之功能上之隔離就本發明之方法之高純淨 之需求及/或最佳之可積體化而言可在已自動化之製程中 帶來極大之優點。 若提及基板之待塗佈之表面，則以下亦指已塗層之基板 之表面。本發明之方法特別適合以下之例子： 基板以介電質（特別是Si02層）來塗佈。藉由此處未提及 之蝕刻步驟，則通道之深度對寬度之比（ratio)例如可爲 1:10，例如，寬度可爲50nm，其中引入由上述介電質材 料所構成之層。這些通道中應以電鍍方式塡入一種導電材 -11- 562882 五、發明說明（1〇) 料（特別是銅）以形成所謂”互連（interconnects)”。特別是使 銅施加在介電質表面上（這樣不易黏合）時是很有問題的。 現在本發明中在介電質層（包含通道）之表面上塗佈一種只 包含少量原子單層之襯墊（Liner)以作爲介電質材料及導電 材料之間之黏合促進層。由於此層之厚度很小，其只會微 不足道地對上述互連（interconnect)通道之導電橫切面產生 影響。此種黏合促進層已知是作爲一種襯墊層或作爲 ’’seed-layers’’ 。 在本方法之另一較佳之實施形式中，基板表面（可能包 含基板塗層表面）在吸附步驟之前及/或與已吸附之反應氣 體或氣體混合物反應之後藉由電漿促進之淨化步驟而被淨 化，其中在淨化程序室中所引入之反應氣體或氣體混合物 (較佳是至少含氫）藉由低能量之電漿放電而在基板表面上 被活化，其中離子能量Er是 0eV<Er<20eV 較佳是 0eV<Er<15eV 電子能量是 OeV<Eer<l〇〇eV 在本方法之一較佳實施形式（其包含至少一淨化步驟）中 ，在淨化步驟期間該淨化程序大氣藉由金屬封罩而與位於 環境中之淨化真空容器之內壁相隔開，或較佳是該程序大 氣直接以位於環境中之淨化真空容器之內壁爲邊界。 如上所述，較佳是考慮在程序大氣中進行本發明中由步 -12- 562882 五、發明說明（11) 驟b)及c)(其一）及/或d)至d2)(其二）所形成之相位，該程 序大氣藉由介電質材料而與一般之金屬壁相隔開，金屬壁 處於環境壓力中，因此，藉由上述最後一種方式，則由淨 化步驟可達到成本有利之解法。因此須注意：在基板表面 第一次承受即將吸附之反應氣體或反應氣體混合物之前淨 化步驟特別會在容器壁上造成可觀之污染。 如上所強調者，在一較佳之實施形式中藉由步驟a)至 d2)所形成之唯一之序列可在表面上施加唯一之原子單層 ，需要時以適當調整之厚度來形成一種閉合層。在另一較 佳之實施形式中，藉由步驟b)至d2)之重複而生長一種多 層之磊晶層。若此磊晶層用在吸附用之反應氣體或反應氣 體混合物中，則會在已淨化之單晶表面上在磊晶生長時形 成一種均勻磊晶層。若該即將吸附之反應氣體在施加一預 定數目之單層之後更換，則會形成一種特別薄之異質 (hetero)嘉晶層。 在本方法之另一較佳之實施形式中，在進行一預定數目 之由步驟b)至d2)所形成之過程（特別是依序在多個基板上 進行）之後，真空容器之程序室在基板未引入之情況下進 行一種電漿促進之淨化步驟，或在須要時使基板模型置於 真空容器中，此種程序室淨化步驟較佳是只包含一種蝕刻 步驟，然後進行一種淨化步驟，這較佳是在一含有氫，稀 有氣體或其混合物之電漿中進行。 在本方法之另一較佳之實施形式中，在步驟a)之前及/ 或步驟d2)之後（空間上由上述之真空容器所隔開）進行基 -13- 562882 五、發明說明（12) 板淨化步驟，此時基板在上述之真空容器及真空中之淨化 容器之間輸送。 此種輸送至少以單件方式以直線形式來進行，特別有利 的是沿著圓形軌道以直線移動方式輸送至上述之各容器， 較佳是具有相對於圓形軌道而言是徑向之移動成份。 在本方法之較佳之實施形式中，在步驟b)及c)及/或d) 至d2)所形成之相位（phase)期間該程序大氣是與位於環境 中之真空容器之內壁相隔開，即，藉由一種新狀態中在化 學上對即將吸附之反應氣體或氣體混合物及/或對電漿活 化之第二反應氣體或氣體混合物是鈍性之表面而隔開，較 佳是藉由介電質表面或石墨表面而隔開。 在另一較佳之實施形式中，鈍性表面作爲隔離壁之表面 ，其沿著主要之面積區段而與真空容器之內壁相隔開。此 種隔離用之表面在新狀態中較佳是由下述材料中至少一種 所構成： 石英，石墨，碳化砂，氮化砂，氧化錦，氧化鈦，氧化 鉬’氧化鈮，氧化銷或這些材料之層組合；亦可以類似磺 石之碳或鑽石所構成。 在本方法之另一較佳之實施形式中，較佳是藉由DC放 電所達成之電漿放電來進行，其中電子源之電子能量 $50eV 。 上述方法另可由熱離子陰極來達成，較佳是藉由直接加 熱之熱離子陰極來達成。 藉由上述電漿放電用之真空容器之程序室中設置至少二 14- 562882 五、發明說明（13) 個局部性互相偏移且較佳是可分別加熱之陽極（較佳是在 電性上可各別操作且可依據所施加之電位及/或陽極溫度 來控制或調整），則可沿著表面以靜態或動態方式來控制 或調整電漿密度分佈。在另一較佳之實施形式中，電漿放 電用之陰極-陽極區段垂直於上述表面且較佳是以該表面 爲中心而配置著。 在本方法之另一較佳之實施形式中，在電漿放電產生期 間在程序室中產生一種磁場且藉由此種磁場以靜態及/或 動態方式沿著表面來控制或調整電漿之密度分佈。電漿密 度分佈至少局部性地變動，其效應就像電漿中保持靜止之 基板相對於放電區而移動一樣。 此外，較佳是至少使即將吸附之反應氣體或氣體混合物 引入程序室中，較佳是使流入方向平行於基板表面，或更 佳是利用一些距基板表面等距離之噴入位置。在本方法之 特別有利之實施形式中，藉由塗佈氧化矽之基板作爲基板 ，其具有已引入矽層中之通道，其中步驟d2)進行η次以 後在通道中施加銅。每種情況下η大於1。 本發明以下依據圖式來詳述。圖式簡單說明： 第1圖 進行本發明之方法（特別是其相位PlM及/或 Ph2)所用之程序模組之第一實施形式。 第2圖 類似於第1圖之程序模組之較佳之實施形式。 第3圖 類似於第1或第2圖之另一程序模組型式，其 用來進行本發明之方法中之各淨化步驟。 第4圖 第3圖所示之程序模組之另一形成，其類似於 -15- 562882 五、發明說明（14) 第1至第3圖。 第5圖係第2圖之程序模組之已簡化之較佳實施形式 ’可轉變成第3或第4圖中之程序模組。 第6圖 以第5圖之程序室之光圈軸A作爲參考軸， 其顯示一種平面E(垂直於光軸圏A)上平行於 軸A之磁場成份，其藉由控制而造成空間上及 時間上之調變（m 〇 d u 1 a t i ο η)。 第7圖 本發明中製成多層時所用方法之圖解。 第8圖 本發明中製成多層時所用方法之另一實施形式。 第9圖 係第1至5圖之程序模組構成之一種循環或串 集式（cluster)設備之俯視圖，其用來進行本發 明之方法。 第1圖是進行本發明之方法所用之型式I之程序模組。 真空容器3之室壁1圍繞一程序室PR，程序室PR中設有 基板載體5。經由泵端1 1(如圖中之真空泵13所示）而對 程序室PR進行抽氣至進行本發明之方法所需之壓力pv， 其中 1 0"1 1 mbar<pv< 1 0"8mbar 此容器之構造符合UHV條件（例如，金屬密封之真空鍋 ，可加熱）。室壁1之面向程序室PR之表面（其通常由不 銹鋼或Inox構成）之主要之表面區由仍將詳述之鈍性材料 所製成。依據第1圖之型式I之程序模組，室壁1之內面 塗佈上述之鈍性材料，或在室壁1之內面部份至少安裝由 上述鈍性材料所構成之內表面。此種塗層或鈍性材料表面 -1 6 - 562882 五、發明說明（15) 在第1圖中以15表示。 如上所述’本發明之方法包含二種未必一定在同一真空 容器中進行之相位（p h a s e)，即， •相位1，Ph】：基板表面對即將吸附之反應氣體或反應氣 體混合物形成承受作用直至此種承受作用結束爲止， •相位2，Ph2 :基板表面對低能量之電漿放電形成承受作 用且因此與已吸附之反應氣體進行反應。 在相位Ph2中以離子能量E形成低能量之電漿放電時 (已如上所述），則大氣（其中維持著該電漿放電）中含有第 二反應氣體或反應氣體混合物，特別是含有氫及/或氮及/ 或氧。 第1圖中所示之型式I之程序模組適用於相位Phi及/或 Ph2。依據第1圖，氣體供應管7直至真空容器3之程序 室PR中，如選擇開關Sa所示，只進行相位Phl用之供應 管7在容器3中是與氣體槽配置9phl相連，氣體槽配置 9phl含有可由基板表面所吸附之反應氣體或反應氣體混合 物Ri。 反之，真空容器3只用於相位Ph2之進行，供應管7是 與氣體槽配置9ph2相連，氣體槽配置9ph2含有稀有氣體 (較佳是氬（Ar))及/或（如虛線所示）第二反應氣體R2，較佳 是氫，氧及/或氮。 在真空容器3中進行相位Ph!及相位Ph2，如第1圖中 時間控制單元1 0及開關1 2所示，依預定之時間順序使氣 體槽9phl及9ph2連接至供應管7。 -17- 562882 五、發明說明（16) 此外，如方塊1 0ph2所示，真空容器3中設有電漿放電 區段PL，其是一種低能量之電漿放電區段’只要在真空 容器3中只調整Ph2或與Ph —起進行即可。請參考第1 圖，方塊l〇ph2之雙箭頭表不電漿放電區段整合在谷益3 中且方塊Sa以雙線表示，該方塊在形成型式I之程序模 組時表示另一種可選擇之形式。 相位Phi中在基板置放在基板載體5上之後，反應氣體 或反應氣體混合物Ri經由供應管7而引入且由基板表面 所吸附。容器3中引入相位Ph2之基板或使此基板供應至 相同形式之另一容器3中。爲了結束該吸附過程，每種情 況中此二相位所用之容器3又依據給定之超高真空條件而 被抽氣，或在基板及已吸附之氣體引入之前另一容器抽氣 成超高真空。引入稀有氣體（較佳是Ar)及/或其它之反應 氣體且對低能量之電漿放電（特別是DC放電）準行設定。 在DC放電中較佳是使用非獨立之放電，較佳是使用熱離 子式陰極，其可直接加熱。 藉由適當地控制各時段，其間基板承受該相位Ph!中之 反應氣體R!或反應氣體混合物，及/或控制基板之表面特 性及/或已導入反應氣體或反應氣體混合物數量，則可適 當地控制各已吸附之氣體原子或分子在基板表面之佔有率。 在相位Ph!時，較佳是以分壓pP引入該反應氣體或反 應氣體混合物，其中 1 0'4mbar<pp<l mbar 此外，吸附速率（即，直至基板表面由於反應氣體或反 應氣體混合物原子或分子而飽和至一預定之百分比爲止時 -18- 562882 五、發明說明（17) 所需之時段）藉由基板表面（未顯示之）加熱及/或冷卻而以 基板載體5之加熱及/或冷卻來控制。 如上所述，在相位Ph2中已吸附之氣體在基板之表面上 每次都與氣體離子及電子共同作用而進行反應或亦可藉由 第二反應氣體或反應氣體混合物h之在電漿放電中所形 成之基而進行反應。亦可藉由時段（其間基板表面及已吸 附之氣體承受一種電漿放電）之測量及氣體離子及電子之 能量以及放電及所形成之基之數量及其活性，則可在相位 Ph2中控制先前已吸附之氣體原子或分子之”已穩定”之數 量且因此可控制各原子或分子在表面上之最後所達成之佔 有率。在大部份情況中力求在基板面上達成一種連續之單 原子層或單分子層。即，原子在原子上或分子在分子上而 以百分比飽和度來表示。 第1圖中較佳是使用介電質材料作爲面向程序室PR之 表面之材料。依據真空容器3用於何種相位，須對反應氣 體或反應氣體混合物R!及/或對相位Ph2中所用之電漿驅 動之第二反應氣體或反應氣體混合物R2形成鈍化。 表面1 5使用以下之組G中之材料之至少一種： 石英，石墨，碳化矽，氮化矽，氧化鋁，氧化鈦，氧化 鉬，氧化鈮，氧化锆，類似鑽石之碳或鑽石，較晚之表面 材料作爲層材料。 第2圖類似於第1圖，就製程而言，氣體儲存區及電漿 放電區段適用於與第1圖中所示形式相同之製程。第2圖 中與第1圖相同之部份以相同之符號表示。與第1圖不同 -19· 562882 五、發明說明（彳8) 之處是：第2圖中該程序室PR是以一種沿著室壁1主要 區段（較佳是由不銹鋼或Inox所構成）而相隔開之程序室壁 14爲邊界。至少其面向程序室PR之表面i5a是由第1圖 中所述之純性材料所製成，較佳是由介電質所製成，特別 好之情況是由組G之材料中至少一種材料所製成。 真空室（具有壁1)內部中形成程序室外罩所用之壁1 4可 由形成表面1 5 a所用之材料所構成，或形成該表面1 5 a所 用之鈍性材料形成在面向該壁1之承載壁（未顯示）上，其 例如就像塗層一樣。承載壁由於未承受該程序室PR而由 不銹鋼或Inox所構成。藉由泵端1 1或泵1 3使程序室PR 抽氣至第1圖所述之剩餘氣體分壓，如第2圖所示，介於 真空室壁1及外罩1 4之間之中間區ZW經由各別之泵端 11a由相同或不同之另一真空泵來進行抽氣。 此行之專家可輕易地辨認：在使用同一泵1 3以對二個 空間（即，程序室PR及中間區ZW)進行抽氣時，可在所屬 之泵支件Π或1 1 a中設置一些可控制之節流閥。就低能 量之電漿（其用來在第2圖之模組上進行本發明之方法之 相位Ph2)而言，其適合第1圖中所述之方式。在第2圖之 實施形式中，由壁1 4所形成之程序室外罩較佳是可在容 器3 a上更換。 以下將描述第3，4圖中型式II之程序模組，其在本發 明之製程中較佳是用作淨化模組。如本文開頭所述，在基 板表面吸附氣體之前，對基板表面進行空調或淨化是有利 的。這較佳是以電漿驅動之反應氣體或反應氣體混合物 -20- 562882 五、發明說明（19) (較佳是氫）來進行。此處使用低能量之電漿，其在基板表 面上之離子能量Er是在上述之範圍中。使用DC放電作爲 電漿放電，較佳是一種非獨立之放電。亦可使用以熱離子 式之陰極來達成之放電作爲較佳之實施形式，此種陰極可 直接加熱。 在氣體吸附相位Phi之前（特別是第一次之前）除了此種 基板表面空調步驟或淨化步驟之外，在本發明之方法之上 述已定義之相位Ph2結束之後亦可進行表面處理步驟。如 上所述，此處較佳是使用第3或第4圖中之隨後將詳述之 型式II之程序模組。 第3圖中之模組與第2圖者只有以下之不同：圍繞該程 序室PR所用之表面1 5b未符合第2圖中所述之鈍性需求 ，該壁14a(例如，壁1)由不銹鋼或Inox或其它金屬所製 成。氣體槽9R含有一特別用於淨化目的之反應氣體或反 應氣體混合物;容器3a中設有一（未顯示之）符合上述 需求之低能量之電漿放電區段。 金屬壁14a較佳是可更換，使第3圖中之型式II之程 序模組可輕易地轉換成第2圖之型式I之程序模組，反之 亦然。 第4圖是型式II之模組之另一已簡化之實施形式，其 類似於第1至3圖。不同於第3圖之處是：程序室PR直 接以室壁1爲邊界，其表面例如由不銹鋼或Inox所構成。 可輕易地知悉：第1，2圖之型式I之模組及第3，4圖 之型式II之模組可藉由程序室外罩14，14a之去除或加 -21- 562882 五、發明說明（2〇) 入而互相轉換。 第5圖是第2圖之型式I之程序模組之較佳之實施形式 。由此可知··在第5圖之模組中，全部由第2圖之模組開 始所使用之其它特殊之措施可單獨地或任意組合地以第2 圖之原理來達成。第5圖之程序模組是用來進行本發明之 製程之該二個相位Phi及Ph2。 對各時脈比（clock ratio)進行時間控制且依據相位來控 制氣體之供應。 第5圖之程序模組之容器壁1〇1由不銹鋼或Inox所製 成，其在中央（較佳是在其上方之正面板上）承載一種電子 源105以便在程序室PR中在本發明之製程之相位Ph2中 產生該電漿放電。在基板區中本發明所需之低離子能量之 範圍中，其係用於相位Ph2中之第二反應氣體或氣體混合 物’須要時亦可使用其它電漿，例如，微波電漿，如下所 述者。 較佳是使用一種電子源（例如，圖中之1 05)，其所發出 之電子所具有之能量最高是100eV，較佳是50eV。在較 佳之實施形式中，以非獨立於電子源之放電作爲DC放電 。第5圖之電子源105較佳是由可直接加熱之熱離子陰極 107所構成，其安裝在陰極室109中，具有電性上與容器 壁101 ’ 103相隔離之陰極室壁。陰極室經由光圈^而 與程序室PR相連通。相位Ph2中所使用之稀有氣體（較佳 是氬）引入陰極室109中，以便保護熱離子陰極1〇7使不 受相位Ph中所使用之第二反應氣體或氣體混合物所影響 -22- 562882 五、發明說明（21) 且可使電子發射率提高。 程序室外罩Π 3是與容器壁1 0 1，1 03相隔開且與其形 成中間區ZW，該外罩1 1 3圍繞程序室PR類似於第2圖 而安裝著且可更換。外罩Π3內及中間區ZW內之程序室 PR經由同一個泵端1 15而進行泵抽（pumped)。不同之泵 橫切面由該端1 15延伸至中間區ZW及程序室PR。 程序室PR內部中…種陽極配置用於相位Ph2中。該配 置較佳是由二或多個對光圈軸A成共同圓而配置之陽極 117a或117b所形成。這些陽極（未顯示）可互相獨立地切 換至接地電位或各別之陽極電位，這些電位可互相獨立地 調整。金屬容器壁101，103可置於參考電位（較佳是參考 電位）。沿著光圈軸A而偏移之陽極1 1 7a，1 1 7b除了電性 上可互相獨立地操作之外，較佳是亦可互相獨立地加熱或 冷卻（未顯示）。這以下述方式來達成：在陽極中引入多條 調溫介質管及/或安裝·一些加熱螺旋線。 第5圖中以破折線顯示由電漿產生配置所形成之電漿束 PL，其在純V形之電漿密度分佈中是與光圈軸A共軸。 相位Ph2中基板表面及已吸附之反應氣體直接承受該電漿 放電PL。藉由陽極1 17a及1 17b上施加陽極電位或藉由 陽極之溫度控制可適當地調整電漿之密度分佈V，特別是 藉由基板表面至少接近定値之分佈來調整。 程序室PR中安裝一種基板支件1 1 9，其可受控制且可 輸送至程序室PR。雖然可配置基板支件Π 9以較佳地處 理晶圓形式之基板1 20，基板支件1 1 9界定一種承載面 -23- 562882 五、發明說明（22) 1 1 9a，該承載面平行於光圈軸A且與軸A形成斜角或在 第5圖中與軸A垂直但形成偏心狀態，在較佳之實施形式 中，基板支件119之承載面119a是與光圈111之軸A同 心且成垂直而配置著。 在另一較佳之實施形式中，藉由外部驅動件121 (以雙 箭頭F所示者）可使基板支件1 1 9針對程序室外罩1 1 3所 界定之亮的接收口 123向著或離開該接收口 123而取回。 若基板支件1 1 9藉由驅動件1 2 1完全對著程序室PR而高 速運行，則其邊緣部份1 25鎖住該程序室外罩1 1 3之亮的 接收口 1 23，這樣至少在相位Ph2中可使電荷載體受到阻 礙，電荷載體由程序室PR中出來且在相位P1M中持續地 受到阻礙，使即將吸附之反應氣體或反應氣體混合物進入 中間區ZW中。 一種如上所述之平面式-或晶圓形式之基板120藉由狹 縫閥129而置放在靜止之接收支件126上，基板支件119 則下降。然後基板支件Π 9上升，以其承載面Π 9a抓握 該基板120且由靜止之支件126取出基板120。基板120 以高速運行至程序室PR中，在到達該加工位置時該基板 支件119以其邊緣面125在上述之範圍中封閉該程序室。 支件126安裝在基板調溫裝置127上，此裝置127經由 調溫出/入管1 28而施加以調溫介質。如上所述，藉由基 板表面溫度之適當控制（特別是在相位P1M中），則可控制 氣體之吸附速率。 第5圖中以虛線表示基板支件1 1 9在其加工位置中。 -24- 562882 五、發明說明（23) 容器壁1 〇 1及其正側之終端板1 03或1 3 1亦須調溫， 較佳是進行冷卻，特別是在本發明之方法之相位Ph2中 進行。形成該外罩所用之壁1 01形成一種雙壁，其間安裝 該調溫介質系統。同樣，在正面板1 〇3或1 3 1中安裝該調 溫介質管線系統。 真空容器外部安裝Helmholtz線圈133以及分佈著換向 線圈135。藉由Helmholtz線圈133而在程序室PR中產 生一種平行於軸A且與軸A相對稱之磁場圖樣（muster)， 這特別是在本方法之相位Ph2中達成。該磁場圖樣可藉助 於換向線圈1 3 5在平面E中垂直於軸A而移動，如第6 圖所示。藉由磁場強度分佈HA之此種”移動"，可使電漿 密度分佈V沿著基板1 20而”移動”。因此可在電漿密度分 佈V及待處理之基板表面之間達成一種”相對移動”，就像 基板相對於時間上電漿密度分佈是固定之電漿PL而移動 時一樣。藉由場分佈之控制，則在基板上所達成之效應是 與基板相對於電漿PL而作機械式移動時一樣，但不必設 置一種機械式基板移動件。 就本發明之方法之相位Ph!之形成而言，在製程中已淨 化之基板120運行至加工位置之後，即將吸附之反應氣體 或反應氣體混合物經由反應氣體入口 137而引入程序室 PR中。如圖所示，反應氣體入口（較佳是與軸A共軸）配 置在加工位置中之基板120或基板載體119之直接區域中 ，各入口平行於待處理之基板面。如上所述，較佳是由不 銹鋼所構成之真空容器101，103特別是在相位Ph2中須 -25- 562882 五、發明說明（24) 強力地冷卻。此真空容器符合UHV條件。相位Ph2中之 強力冷卻可防止鋼被加熱，因此可防止含碳之氣體由鋼中 釋出，特別是在相位Ph2時。 就程序室外罩1 1 3之材料而言，特別是其承受此製程之 表面，第1圖中之說明是適用的：鈍性材料（較佳是介電 質或上述材料組G中所選取者）在較製程溫度高很多之溫 度時對所使用之即將吸附之反應氣體R!(第1圖）及電漿放 電大氣中相位Ph2中所引入之第二反應氣體（R2)而言都是 穩定的，例如，對氫，砂院（silan)，鍺，Diboran，氯， NF3，HCM，SiH3CH3，GeH3CH3，N2，C1F3，PH3，AsH4 而言鈍性材料都是穩定的。這樣可使基板120不受污染。 程序室外罩113之內表面之干擾層只在微粒形成時才有危 險。氣體吸附會造成干擾薄層，隨後之電漿處理可優先進 行以確保此製程有較佳之純度，此製程實際上只在由固有 (inherent)材料所圍繞之環境中進行。 在型式I之程序模組中，真空室壁通常未施加不銹鋼， 因其由程序室外罩113所保護而不會受反應氣體及電漿所 侵蝕，此外，如第5圖所示之強力冷卻可使氣體所造成之 沈積物大大地減少。這就程序室外罩1 1 3之內表面而言是 適用的，亦適用於基板支件11 9之承受此製程之表面。 程序室外罩1 1 3較佳是由多個部份（未顯示）所形成，使 其不需拆除各配置117a，117b即可被移除或更換。 藉由第5圖所示之程序室外罩113之去除，則可形成型 式II之程序模組之較佳之實施形式，或程序室外罩1 1 3 -26- 562882 五、發明說明（25) 以同樣形式之由金屬所構成之外罩來取代，則可形成第3 圖之型式Π之程序模組。 在型式I之程序模組（較佳是依據第5圖而形成）中進行 本發明之製造方法中之相位PM及/或Ph2，反之，較佳是 在型式II之模組中進行相位Phu前及/或相位Ph2後之表 面空調步驟或-淨化步驟，較佳是在低能量之氫電漿中進行。 第7，8圖中顯示本發明之製造方法之二種可能之流程 。依據第7圖而重疊地施加多個不同之原子-單層，其例 如用來製成異質磊晶生長之層。基板首先輸送至淨化模組 R(較佳是型式Π之模組），其中在-已界定之低能量之氫 電漿中進行表面淨化。該基板在淨化（R)之後輸送至型式I 之程序模組，其中以吸附第一反應氣體來進相位Ph !。然 後使基板輸送至程序模組（較佳是型式I者）以進行相位 Ph2,如上所述，其中須供應氣體（稀有氣體及/或反應氣體） 且進行低能量之電漿放電。在進行相位Ph2之後，基板輸 送至型式I之另一程序模組且在該處施加以另一待吸附之 反應氣體或反應氣體混合物（此時處於Ph2相位中）。然後 在型式I之中央程序模組中進行相位Ph2，以便隨後在需 要時使基板輸送至型式I之其它程序模組，在該處該基板 又承受各即將吸附之反應氣體混合物或反應氣體，此時是 Ph13等等。 因此’在生長各嘉晶層時，須施加異質嘉晶層。如圖之 虛線所示，若基板在相位Ph2和相位（例如）Ρ1υ i之間來回 擺動，則在磊晶生長時會生長一種均勻之磊晶層。 -27- 562882 五、發明說明（26) 與第7圖不同的是，第8圖中較佳是在每次施加原子單 層之後進行基板表面之淨化步驟。此種淨化步驟R是在基 板表面依據第一相位Phu i進行第一吸附步驟之前進行。 因此是在施加一種原子單層之後在基板上進彳了表面淨化， 其中使用低能量之電漿，較佳是低能量之氫電漿。此基板 在淨化（R)之後輸送至型式I之第一程序模組，在該處使 基板吸附第一反應氣體或反應氣體混合物（此時在相位 PhH中）。基板然後輸送至型式I之另一程序模組中，此 時需要時在添加離子及電漿驅動之第二反應氣體（特別是 氫及/或氮及/或氧）之基之情況下進行相位Ph2，即，電漿 處理。 相位Ph2結束之後，基板又在型式II之模組中進行該 淨化程序R，然後輸送至型式I之另一模組，此時基板在 相位Ph2中吸附另一反應氣體或反應氣體混合物。然後又 使基板藉由相位Ph2而承受該淨化步驟R等等。由此可知 :輸出側進行此相位Phlx所用之模組由進行相位Ph2所用 之模組轉移至淨化模組，由此開始，基板供應至進行各別 相位Phlx所用之程序模組。 上述較複雜之程序流程可彈性地在可自由程式化之真空 處理設備中進行，其中一中央輸送模組提供各別之程序-及空調-或淨化模組。 第9圖之設備包括二個型式π之淨化模組r，二個型 式Ϊ之模組以進相位Ph2之方法，另有二個型式I之模組 以進行相位Phi2及Phi i之方法。 -28-

Claims (1)

1. 562882 .(:、乂 修正替換本4Z 4n18 0 六、申請專利範圍 第9 1 1 1 3478號「塗層基板之製造方法」專利案 (9 2年4月修正） 申請專利範圍： 1. 一種塗佈材料之基板之製造方法，其步驟爲： a)至少一基板須導入一已成真空之真空容器中， b )對此基板之已塗層之表面施加一種反應氣體，其在 表面上被吸附； c) 使表面對該反應氣體之承受作用結束； d) 使表面上所吸附之反應氣體起反應； 其特徵爲= d!)反應氣體已被吸附之該表面承受一種低能量之電漿 放電，基板之表面上之離子能量E1()是〇<EIQ<20eV 且電子能量EeQ是OeV<Ee()S10〇ev ; d2)已吸附之反應氣體至少在電漿所產生之離子及電子 之共同作用下進行反應° 2. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中基板表面上 之電漿放電中離子能量EI0是 OeV<E,〇<15eV 。 3. 如申請專利範圍第1或2項之製造方法，其中已吸附 之反應氣體是反應氣體混合物。 4. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中電漿放電保 持在稀有氣體大氣中。 5. 如申請專利範圍第4項之製造方法，其中電漿放電保 562882 六、申請專利範圍 持在氬（A r )大氣中。 6·如申請專利範圍第1 項之製造方法 ，其中電漿放電 在大氣中產生’其含有另一反應氣體或-氣體混合物 〇 7·如申請專利範圍第6項之製造方法， 其中該另一反應 氣體或-氣體混合物含有氣體氫，氮 ，氧中至少一種 m體。 8·如申請專利範圍第6項之製造方法， 其中該另一反應 氣體或-氣體混合物含有氫。 9.如申請專利範圍第1 項之製造方法 ，其中真空容器 抽真空至一種壓力（pv)， 10'nmbar<pv^l〇*8nibar 〇 10.如申請專利範圍第1 項之製造方法 ，其中引入該即 將吸附之反應氣體直至一種分壓pp爲止， 10'4mbar<pp<lmbar 11·如申請專利範圍第1 項之製造方法 ，其中表面上之 氣體吸附率（1· a t e )由表面之加熱及/或冷卻所控制。 如申請專利範圍第i 項之製造方法 ，其中使基板由 已抽真空之真空容器轉移至另一已抽真空之真空容器 中使上述承受作用結束。 如申請專利範圍第1 項之製造方法 ，其中使剩餘之 吸附之反應氣體由已抽真空之真空容器中抽出使表面 之承受作用結束。 -2- 562882 六、申請專利範圍 14·如申請專利範圍第1 3項之製造方法，其中抽出該反 應氣體直至到達一種壓力Pv'爲止， 1 0'1 ^ba r<pv ' <1 0*8mba r 〇 15. 如申請專利範圍第1 項之製造方法，其中基板至少 在一*預定之最小時段中承受電漿處埋過程。 16. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中至少步驟b ) 至d2)進行至少二次。 17. 如申請專利範圍第1 項之製造方法，其中至少在進 行步驟d2)之後施加一種已改變之材料至表面上。 18•如申請專利範圍第1 7項之製造方法，其中藉由真空 塗層法、濕式化學法或電鍍法施加另一種材料。 19. 如申請專利範圍第1 項之製造方法，其中在表面承 受該即將吸附之反應氣體之則’該表面承受一種低能 量之稀有氣體電漿（較佳是氬電漿），表面上之離子能 量 E】】是 0eV<En<20eV 較佳是 0eV<En<15eV 且電子能量Eel是 0eV<Eel<100eV 。 20. 如申請專利範圍第1 項之製造方法，其中在表面承 受該即將吸附之反應氣體之前’該表面在大氣（其含有 另一反應氣體）中承受一種低能量之電漿放電，基板表 562882 六、申請專利範圍 面上之離子能量eI2是 0eV<EI2<20eV 較佳是 OeV<EI2<15eV 電子能量是 0eV<Ee2<100eV 〇 21.如申請專利範圍第20項之製造方法，其中該另—反 應氣體是氣體氫，氮，氧中至少一種氣體。 22·如申請專利範圍第20項之製造方法，其中該另一反 應氣體含有氫。 23·如申請專利範圍第1 項之製造方法，其中在與已吸 附之反應氣體反應之後’該表面承受一種低能量之稀 有氣體電漿’較佳是氬電漿，表面上之離子能量Ei3 是 0eV<EI3<20eV 較佳是 0eV<EI3<15eV 且電子能量Ee3是 0eV<Ee3<100eV 。 24·如申請專利範圍第1 項之製造方法，其中在與已吸 附之反應氣體反應之後，該表面在大氣（其含有另一 反應氣體）中承受一種低能量之電漿放電，基板表面 上之離子能量EI4是 -4- 562882 六、申請專利範圍 0eV<E14<20eV 較佳是 0eV<EI4<15eV 且電子能量Ee4是 0eV<Ee4<100eV 。 25·如申請專利範圍24項之製造方法，其中該另—反應 氣體是氣體氫，氮，氧中至少一種氣體。 26如申請專利範圔第24項之製造方法，_ φ g @應、 氣體含有氫。 27.如申請專利範圍第1項之製造方法，其中表面塗層 藉由下述材料中至少一種來達成： Si’Ge’Ti’Ta’Hf’Zr’Al，Nb，w 之氧化物或 氮化物或氧化之氮化物及/或下述金屬： Al，Ti，Cu，W，Ta··0 28·如申請專利範圍第2 7項之製造方法，其中表面塗層 藉由下述材料中至少一種來達成： 氧化矽’氧化鉅，氧化鉻’氮化鈦，氮化鉅，氮化 鎢，（TaSi )xNy。 29. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中全部之步驟 都在真空容器中進行。 30. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中各步驟在至 少二個真空容器中進行。 31. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中圍繞該基板 562882 六、申請專利範圍 表面所用之程序大氣在至少一個相位（由步驟b )及C ) 及/或㈨至d2)所構成）期間是由一個位於環境中之真 空容器之內壁所隔開。 32如申請專利範圍第1項之製造方法，其中待塗層之表 面圍繞已塗層之基板之表面。 33. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中該表面在吸 附步驟之前及/或在與已吸附之反應氣體或-氣體混合 物進行反應之後承受一種電漿促進之淨化步驟，其中 引入程序室中之反應氣體或-氣體混合物（較佳是含有 氫）藉由一種低能量之電漿放電而被活化，基板表面上 之離子能量I是 0eV<Er<20eV 較佳是 OeV<Er<l5eV 電子能量Eei•是 0eV<Eer<100eV 。 34. 如申請專利範圍第33項之製造方法，其中在至少一淨 化步驟期間淨化程序大氣藉由金屬封罩而由該位於環 境中之淨化真空容器之內壁所隔開或該程序大氣直接 以該位於環境中之淨化真空容器之內壁爲邊界。 35如申請專利範圍第1項之製造方法，其中藉由步驟a ) 至d2)所形成之唯一之順序使原子單層施加在表面上 562882 六、申請專利範圍 36.如 串 三主 δ円 專 利範圍第1項之製造方法，其中藉由重 複 步 驟 b)至 d )而生長一層磊晶層，反應氣體更換時生 長 異 質 嘉 晶 層 ，反應氣體未更換時生長均勻之嘉晶層< 37.如 串 Ξ主 δ円 專 利範圍第1項之製造方法，其中在進行 由 步 驟 b)至 d )所形成之一預定數目之過程之後，依序在多 個 基 板 上 使真空容器之程序室承受一種電漿促進 之 程 序 室 淨 化 步驟，或利用基板模型來進行，該淨化 步 驟 較 佳 是 包 含一種蝕刻步驟，然後進行一種淨化步 驟 較 佳 是 在 一種含有氫，稀有氣體或其混合物之電 漿 中 進 行 〇 3&如 串 請 專 利範圍第1 項之製造方法，其中在步驟 a ) 之 I一 刖 及 /或步驟d 2)之後基板局部性地與真空容器 相 隔 開 且 承 受 一種基板淨化步驟以及使基板在真空中 在 真 空 容 器 之 間輸送。 39.如 串 請 專 利範圍第38項之製造方法，其中在真空 中 之 輸 送 至 少 以單件方式直線地進行，較佳是沿著圓 形軌 道 以 直 線 方式移動至各容器，較佳是具有對圓形 軌 道 是 徑 向 之 移動成份。 40.如 串 Ξ主 ηΒ 專 利範圍第1 項之製造方法，其中在步驟 b) 及 d )期間該程序大氣（其施加在表面上）是由一種 位於 環 境 中 之 真空容器之內壁所隔開，其藉由一在新 狀 態 中 在 化 學 上對即將吸附之反應氣體或-氣體混合物及/ 或 對 電 漿 驅動之第二反應氣體或-氣體混合物是鈍 -7- 性 之 562882 六、申請專利範圍 表面來隔開’較佳是藉由介電質表面或石墨表面來隔 開。 41.如申g靑專利fe圍％ 4 0項之製造方法，其中鈍性表面是 隔離壁之表面，其沿著主要之面積區段而與真空容器 之內壁相隔開。 42如申請專利範圍第40項之製造方法，其中隔開用之表 面在新狀態中由下述各材料中至少一種所製成： 石英’石墨，碳化矽，氮化矽，氧化鋁，氧化鈦， 氧化鉅，氧化鈮，氧化錐或這些材料之層組合，亦可 利用鑽石或類似鑽石之碳來製成。 43·如申§靑專利範圍第1 項之製造方法，其中電漿放電（ 其電子源之電子能量EeS50eV)特別是藉由DC放電來 達成。 44.如申請專利範圍第1項之製造方法，其中電漿放電藉 由熱離子陰極（較佳是可直接加熱）來達成。 45如申請專利範圍第1項之製造方法，其中在電漿放電 用之真空容器之程序室中設有至少二個局部性偏移之 可分別加熱之陽極，其在電性上可各別地操作且藉由 其上所施加之電位及/或其溫度之控制可動態或靜態地 沿著表面來對電漿密度分佈進行調整或控制。 妬如申請專利範圍第1 項之製造方法，其中在步驟d) 期間在程序室中產生磁場且藉由此磁場而靜態地及/或 動態地沿著表面來調整或控制電漿之密度分佈，其較 562882 六、申請專利範圍 佳是至少局部性地擺動。 47如申請專利範圍第1項之製造方法，其中至少引入該 即將吸附之反應氣體或-氣體混合物而分佈在程序大氣 中，其流入方向平行於表面’較佳是具有一些與表面 等距之噴入位置。 48如申請專利範圍第1項之製造方法，其中基板上塗佈 氧化矽，其具有已引入氧化矽層中之凹痕，在進行步 驟d2)共η次之後使銅塗佈在凹痕中，其中nd。 49如申請專利範圍第1項之製造方法，其係用來製成驰 張式緩衝器。