JP4601954B2 - 被膜された基板を製造する方法 - Google Patents
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Description
a)少なくとも1つの基板を排気された真空容器の中へ入れ、
b)基板の処理されるべき表面を、その表面で吸着される反応性ガスに暴露し、
c)反応性ガスへの表面の暴露を終了し、
d)表面に吸着された反応性ガスを反応させる方法に関する。
d1)反応性ガスが吸着されている表面を、
0<EIO≦20eV
の基板表面におけるイオンエネルギEIOと、
0eV<Eeo≦100eV
の電子エネルギEeoとで、低エネルギのプラズマ放電に暴露し、
d2)吸着されている反応性ガスを、少なくとも、プラズマ生成されたイオンと電子の相互作用のもとで反応させる。
カルが表面で作用しなくても、吸着されているガスを本質的に安定化させることが可能になる。
0eV<EI≦15eV
の範囲までさらに低減される。さらに、吸着されている反応性ガスは、反応性混合ガスであってもまったく構わない。さらにプラズマ放電は、希ガス雰囲気、有利にはアルゴン雰囲気の中で維持されるか、または、他の反応性ガスまたは反応性混合ガスを含む雰囲気の中でプラズマ放電が生成される。この場合、この他の反応性ガスまたは反応性混合ガスは、次のガスのうち少なくとも1つを含んでいるのが好ましい:
水素、窒素、酸素、有利には水素、あるいは水素ガスからなる反応性ガスまたは反応性混合ガス。
10-11mbar≦pv≦10-8mbar
それにより、基板が中に入る真空雰囲気に由来する汚染物質が表面に付着して、障害になるということが事実上あり得ないことが保証される。
10-4mbar≦pp≦1mbar
表面に吸着される反応性ガスまたは反応性混合ガスの量は、この表面の暴露から暴露終了までの時間によって、ある程度まで制御することができる。この場合、基本的に、飽和の力学について特徴的な時間定数を含む、飽和値に向かって進行する指数関数を前提とすることができる。この時間定数は、必要な場合には、表面の加熱または冷却によって制御することができる。
の真空室の周囲にグループ化された固有の「吸着」容器の中で、場合により異なる反応性ガスまたは反応性混合ガスが事前に吸着している基板がプラズマ放電でさらに処理される。それにより、場合により異なる多数の原子単層からなる複雑な薄層システムを、層ごとに積み重ねていくことができる。
10-11mbar≦pv’≦10-8mbar
換言すると、反応性ガス暴露の終了時には、ガス暴露の前に生じていると同じ圧力状況、すなわち超高真空状況が再び設定される。
きエピタキシャル層を希望する場合には、ヘテロエピタキシャル層が生じる。すべての層に同じ材料を蒸着すると、エピタキシャル成長の場合、ホモエピタキシが生じる。
0eV<EI1≦20eV
有利には、
0eV<EI1≦15eV
電子エネルギEelは、
0eV 0<Eel≦100eV
それにより、再度ガスが吸着する表面に、所定の表面状態がつくり出される。
0eV<EI2≦20eV
有利には、
0eV<EI2≦15eV
電子エネルギEe2は、
0eV<Ee2≦100eV
この場合にも、一方では、再度ガスが吸着する表面に所定の表面状態がつくり出され、そのうえ前記表面が洗浄される。このことは特に、他の反応性ガスとして、水素、窒素、酸素のうち少なくとも1つの気体を優先して使用する場合に当てはまる。このとき、水素を含む雰囲気、有利には、場合により特にアルゴンのような希ガスに加えて水素からなる雰囲気を採用する格別に好ましい。
有利には、
0eV<EI3≦15eV
電子エネルギEe3は、
0eV<Ee3≦100eV
本発明による方法の他の有利な実施形態では、吸着された反応性ガスの前記反応の後、他の反応性ガスまたは反応性混合ガスを含んでいる雰囲気中で表面を低エネルギプラズマ放電に暴露し、ここで、基板表面におけるイオンエネルギEI4について次式が成立する:
0eV<EI4≦20eV
有利には、
0eV<EI4≦15eV
電子エネルギEe4については次式が成立する:
0eV<Ee4≦100eV
この場合にも、他の反応性ガスとしては水素、窒素、酸素のうちいずれか1つの気体を用いるのが好ましく、特に水素を使用するのが好ましい。
Si,Ge,Ti,Ta,Hf,Zr,Al,Nb,Wの酸化物または窒化物または酸窒化物、および/または次の金属:
Al,Ti,Cu,W,Ta,またはこれらの材料の混合物。格別に有利には、この表面処理は次の材料の少なくとも1つで行われる:
酸化ケイ素、酸化タンタル、酸化ジルコン、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、(TaSi)xNy。
誘電性の、特にSiO2層で基板を被膜すると想定する。ここでは詳しい関心の対象外であるエッチングステップにより、たとえば1:10の深さ・幅の比率をもつ通路、たとえば幅が50nmの通路を、前述の誘電材料からなる層に刻設する。この通路は、導電性材料、特に銅とともにいわゆる「インターコネクト」を形成するために、たとえば電気分解で充填するためのものである。付着に至らない誘電性表面への特に銅の蒸着は、極めて
問題が大きい。そこで本発明では、通路を含めた誘電性層の表面に、誘電性材料と導電性材料をつなぐ付着仲介層として、原子単層を少しだけ含んでいるライナーを蒸着する。この層は極めて密度が低いので、前記インターコネクト通路の導体断面積を無視することができる。このような付着仲介層は、ライナー層または「シード層」として知られている。
有利には、
0eV<Er≦15eV
電子エネルギEerは、
0eV<Eer≦100eV
この少なくとも1つの洗浄ステップを含む、本発明による方法の有利な実施形態では、洗浄ステップの間洗浄プロセス雰囲気が金属のカプセル封止によって、周囲に位置する洗浄真空容器の内壁から分離され、もしくは(この方が有利であるが)このプロセス雰囲気が、周囲に位置する洗浄真空容器の内壁を直接仕切っている。
石英、グラファイト、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ジルコン、またはこれらの材料の積層された組み合わせ。この場合にはダイアモンドに類似する炭素またはダイアモンドを含んでよい。
空間PRには基板支持体5が設けられている。プロセス空間PRは、ポンプ接続部11を介して、真空ポンプ13で模式的に図示しているように、本発明による製造方法を実施するために要求される次の圧力pvになるように排気される。
この容器の構造は、UHV条件(たとえば金属で密閉された真空ボイラ、加熱可能)を満たしている。通常はステンレス鋼またはInoxからなる室壁1の、プロセス空間PRのほうを向いている表面の、ほぼ大部分の表面領域は、後述するように、不活性材料で製作されている。そのために、図1に示す型式Iのプロセスモジュールの実施形態では、室壁1は前記不活性材料で内面被覆されており、あるいは室壁1の内部に、少なくとも前記不活性材料からなる内側表面を備える壁材が取り付けられる。このような被覆、またはこのような不活性材料表面は、図1には符号15が付されている。
・段階2、Ph2:低エネルギプラズマ放電に基板表面を暴露し、それによって、吸着されている反応性ガスを反応させる。
の場合でも吸着工程を終了するためには、両方の段階について使用される容器3を前述の超高真空条件まで再びポンプで排気するか、または、このような超高真空までポンプで排気されている、もしくはガスが吸着された基板を中に入れる前に排気される、他の容器に移す。次いで希ガス、有利にはアルゴンArを導入し、および/または他の反応性ガスおよび低エネルギプラズマ放電、特に有利にはDC放電を設定する。DC放電の場合、有利には熱陰極を備える、有利には直接加熱される熱陰極を備える、非持続放電を採用するのがさらに好ましい。
10-4mbar≦pp≦1mbar
さらに吸着速度、すなわち基板表面が反応性ガスまたは反応性混合ガスの原子または分子で所定のパーセンテージまで飽和するのに必要な時間を、基板支持体5を相応に加熱および/または冷却することで基板を加熱および/または冷却することによって、制御することができる(図示せず)。
石英、グラファイト、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ジルコン、ダイアモンドに類似する炭素またはダイアモンド。最後に挙げた材料は、積層された材料としての表面材料。
oxからなる室壁1の大部分の区域に沿って離間した、プロセス空間壁14で仕切られている。このプロセス空間壁の、少なくともプロセス空間PRのほうを向いている表面15aは、すでに図1との関連で説明した不活性材料で製作されており、前述したように、有利には誘電性の不活性材料で製作されており、同じく特に有利にはグループGの材料のうち少なくとも1つで製作されている。
17a,117bは、互いに独立して電気的に作動可能であるのに加えて、互いに独立して加熱可能または冷却可能でもあるのが好ましい(図示せず)。このことは、これらの陽極に温度調節媒体配管が通じていることによって、および/または加熱コイルが組み込まれることによって具体化される。
階Ph2で、軸Aと実質的に平行に、この軸に関して左右対称な磁界パターンがプロセス空間PRの内部で生成される。偏向コイル135により、図6に模式的に示すように、この磁界パターンを軸Aに対して垂直な平面Eで変位させることができる。このような磁界強度分布HAの「変位」によって、基板120に沿ったプラズマ密度分布Vの「変位」が生じる。それにより、あたかもプラズマ密度分布が時間的に一定なプラズマPLに対して基板を変位させた場合と同じように、プラズマ密度分布Vと、処理されるべき基板表面との間の「相対運動」が実現される。したがってこのような磁界分布制御により、あたかもプラズマPLに対して基板を機械的に動かした場合と同様の効果が基板で得られるが、機械的な基板運動が行われることはない。
表面コンディショニングステップまたは表面洗浄ステップが、有利には低エネルギ水素プラズマの中で実施されるのが好ましい。
ジュールと、方法段階Ph12およびPh11を実施するための型式Iの2つのモジュールとを備えている。
Claims (54)
- 材料処理された基板を製造する方法であって、
a)少なくとも1つの基板を排気された真空容器の中へ入れ、
b)基板の処理されるべき表面を、その表面で吸着される反応性ガスに暴露し、
c)反応性ガスへの表面の暴露を終了し、
d)表面に吸着された反応性ガスを反応させる方法において、
d1)反応性ガスが吸着されている表面を、
0eV<EIo≦20eV
の基板表面におけるイオンエネルギEIOと、
0eV<Eeo≦100eV
の電子エネルギEeoとを有するDC低エネルギのプラズマ放電に暴露し、
イオンおよび電子の分布は、電界および/または磁界によって制御され、
d2)吸着されている反応性ガスを、少なくとも、プラズマ生成されたイオンと電子の相互作用のもとで反応させることを特徴とする方法。 - プラズマ放電が、
0eV<EIo≦15eV
の基板表面におけるイオンエネルギEIoで実現されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。 - 吸着される反応性ガスが反応性混合ガスであることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- プラズマ放電が希ガス雰囲気の中で維持されることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- プラズマ放電がアルゴン雰囲気の中で維持されることを特徴とする、請求項4に記載の方法。
- プラズマ放電が、他の反応性ガスまたは反応性混合ガスを含む雰囲気の中で生成されることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
- 前記他の反応性ガスまたは反応性混合ガスが、水素、窒素、酸素のうち少なくとも1つの気体を含むことを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記他の反応性ガスまたは反応性混合ガスが水素を含むことを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記他の反応性ガスまたは反応性混合ガスが水素であることを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 真空容器を、
10-11mbar≦pv≦10-8mbar
が成立する圧力(pv)まで排気することを特徴とする、請求項1〜9のいずれかに記載の方法。 - 吸着されるべき反応性ガスを、
10-4mbar≦pp≦1mbar
が成立する分圧ppまで導入することを特徴とする、請求項1〜10のいずれかに記載の方法。 - 表面でのガス吸着率が、表面の加熱および/または冷却によって制御されることを特徴とする、請求項1〜11のいずれかに記載の方法。
- 吸着される反応性ガスの残りを、排気された真空容器からポンプで排出することによって表面の暴露を終了することを特徴とする、請求項1〜12のいずれかに記載の方法。
- 反応性ガスを、
10-11mbar≦pv’≦10-8mbar
が成立する圧力pv’に達するまでポンプで排出することを特徴とする、請求項13に記載の方法。 - 少なくとも所定の最低時間の間基板をプラズマ処理に暴露することを特徴とする、請求項1〜14に記載の方法。
- 少なくともステップb)〜d2)を少なくとも2回実施することを特徴とする、請求項
1〜15のいずれかに記載の方法。 - ステップd2)を少なくとも1回実施した後、他の材料を表面に塗布することを特徴と
する、請求項1〜16のいずれかに記載の方法。 - 前記他の材料を真空蒸着、湿式化学式、または電気分解式に塗布することを特徴とする、請求項17に記載の方法。
- 蒸着されるべき反応性ガスに表面を暴露する前に、
0eV<EI1≦20eV
の表面におけるイオンエネルギEI1と、
0eV<Eel≦100eV
の電子エネルギEelとを有する低エネルギの希ガスプラズマに表面を暴露することを特徴とする、請求項1〜18までのいずれかに記載の方法。 - 吸着されるべき反応性ガスに表面を暴露する前に、他の反応性ガスを含む雰囲気の中で基板を低エネルギのプラズマ放電に暴露し、ここで、基板表面におけるイオンエネルギEI2については、
0eV<EI2≦20eV
が成り立ち、電子エネルギEe2は、
0eV<Ee2≦100eV
であることを特徴とする、請求項1〜19のいずれかに記載の方法。 - 前記他の反応性ガスが、水素、窒素、酸素のうちの少なくとも1つの気体であることを特徴とする、請求項20に記載の方法。
- 前記他の反応性ガスが水素を含むことを特徴とする、請求項20に記載の方法。
- 前記他の反応性ガスが水素であることを特徴する、請求項22に記載の方法。
- 前記プラズマ放電は、さらなる反応性ガスまたは反応性ガス混合物を含む雰囲気で操作され、吸着された前記反応性ガスの反応後に、
0eV<EI3≦20eV
の電子エネルギEI3と、
0eV<Ee3≦100eV
の電子エネルギEe3で、基板の表面を低エネルギの希ガスプラズマに暴露することを特徴とする、請求項1〜21のいずれかに記載の方法。 - 吸着された反応性ガスの反応後に、表面を、他の反応性ガスを含む雰囲気の中で低エネルギのプラズマ放電に暴露し、ここで、基板表面におけるイオンエネルギEI4については
0eV<EI4≦20eV
が成り立ち、電子エネルギEe4は、
0eV<Ee4≦100eV
であることを特徴とする、請求項1〜24のいずれかに記載の方法。 - 前記他の反応性ガスが、水素、窒素、酸素のうちの少なくとも1つの気体であることを特徴とする、請求項25に記載の方法。
- 前記他の反応性ガスが水素を含むことを特徴とする、請求項26に記載の方法。
- 前記他の反応性ガスが水素であることを特徴とする、請求項27に記載の方法。
- 表面処理が次の材料、すなわち、
Si,Ge,Ti,Ta,Hf,Zr,Al,Nb,Wの酸化物または窒化物または酸窒化物、および/または次の金属
Al,Ti,Cu,W,Ta
の少なくとも1つによって行われることを特徴とする、請求項1〜28のいずれかに記載の方法。 - 表面処理が次の材料、すなわち、
酸化ケイ素、酸化タンタル、酸化ジルコン、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、(TaSi)xNy
の少なくとも1つによって行われることを特徴とする、請求項29に記載の方法。 - すべての方法ステップが1つの真空容器の中で実施されることを特徴とする、請求項1〜28のいずれかに記載の方法。
- 方法ステップが少なくとも2つの真空容器の中で実施されることを特徴とする、請求項1〜28のいずれかに記載の方法。
- 排気された真空容器から他の排気された真空容器の中へ基板を移すことによって暴露を終了することを特徴とする、請求項1〜12、15〜30のいずれかに記載の方法。
- 基板の表面を取り囲むプロセス雰囲気が、ステップb)およびc)で構成される段階およびd)〜d2)で構成される段階の少なくとも1つの間、周囲に位置する真空容器の内
壁から分離されることを特徴とする、請求項1〜33のいずれかに記載の方法。 - 処理されるべき表面が、すでに処理または被膜された基板の表面を含むことを特徴とする、請求項1〜34のいずれかに記載の方法。
- 吸着ステップの前、および/または吸着された反応性ガスまたは反応性混合ガスの反応後に、プラズマ支援による洗浄ステップが表面に施され、ここで、プロセス空間に導入された反応性ガスまたは反応性混合ガスは、低エネルギのプラズマ放電により、
0eV<Er≦20eV
の基板表面におけるイオンエネルギErで活性化され、電子エネルギEerは、
0eV<Eer≦100eV
であることを特徴とする、請求項1〜35のいずれかに記載の方法。 - 少なくとも1つの洗浄ステップの間、洗浄プロセス雰囲気が金属のカプセル封止によって周囲に位置する洗浄真空容器の内壁から分離されることを特徴とする、請求項36に記載の方法。
- ステップa)〜d2)のただ1回の連続によって原子単層を表面に塗布することを特徴
とする、請求項1〜37のいずれかに記載の方法。 - ステップb)〜d2)の反復によってエピタキシャル層を成長させ、反応性ガスを交換
すればヘテロエピタキシャル層、反応性ガスを交換しなければホモエピタキシャル層を成長させることを特徴とする、請求項1〜38のいずれかに記載の方法。 - ステップb)〜d2)の手順を複数の基板でシーケンシャルに所定回数だけ実施した後、基板を中へ入れずに、もしくは基板の原寸模型を入れて、真空容器のプロセス空間にプラズマ支援によるプロセス空間洗浄ステップを施すことを特徴とする、請求項1〜39のいずれかに記載の方法。
- 前記プロセス空間洗浄ステップはエッチングステップを含むことを特徴とする、請求項40に記載の方法。
- ステップa)の前および/またはステップd2)の後に、真空容器から場所的に切り離
して基板に基板洗浄ステップを施し、その間の基板の搬送は真空中で行うことを特徴とする、請求項1〜41のいずれかに記載の方法。 - 真空中での前記搬送が少なくとも区域的に直線状に行われることを特徴とする、請求項42に記載の方法。
- 円軌道の供給運動および円軌道の半径方向の直線状の供給運動で前記容器までの前記搬送が行なわれる、請求項43に記載の方法。
- ステップb)〜d2)の間、表面が暴露されているプロセス雰囲気を、吸着されるべき
反応性ガスまたは反応性混合ガスに対して、および/または第2のプラズマ活性化される反応性ガスまたは反応性混合ガスに対して不活性な表面によって、周囲に位置する真空容器の内壁から分離することを特徴とする、請求項1〜44のいずれかに記載の方法。 - 不活性の前記表面が、大部分の面区域に沿って真空容器の内壁から間隔をおいている分離壁の表面であることを特徴とする、請求項45に記載の方法。
- 分離のための前記表面が、新品状態のときに次の材料:
石英、グラファイト、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ジルコン、またはこれらの材料の積層された組み合わせであって、この場合にはダイアモンドに類似する炭素またはダイアモンドを含んでよい、
のうちの少なくとも1つで具体化されることを特徴とする、請求項45または46に記載の方法。 - DC放電によってプラズマ放電を実現することを特徴とする、請求項1〜47のいずれかに記載の方法。
- 熱陰極によってプラズマ放電を実現することを特徴とする、請求項1〜48のいずれかに記載の方法。
- プラズマ放電のための真空容器のプロセス空間に、それぞれ別個に電気式に操作可能に、場所的にオフセットされていて、それぞれ加熱可能な少なくとも2つの陽極を設け、これに印加される電位および/またはその温度の制御によって、プラズマ放電を表面に沿って動的または静的に調整もしくは制御することを特徴とする、請求項1〜49のいずれかに記載の方法。
- プロセス空間でのステップd)の間に磁界を生成し、この磁界によって、プラズマ密度分布を表面に沿って、定常的および/または動的に調整もしくは制御することを特徴とする、請求項1〜50のいずれかに記載の方法。
- 少なくとも吸着されるべき反応性ガスまたは反応性混合ガスが、表面に対して実質的に平行な流入方向で、表面から等間隔な吹込み個所から、分散された状態でプロセス雰囲気の中へ導入されることを特徴とする、請求項1〜51のいずれかに記載の方法。
- 基板が、酸化ケイ素層に溝が刻まれている酸化ケイ素被覆された基板であり、ステップd2)の少なくとも1つをn回実施した後に溝へ銅が蒸着され、このときn≧1であることを特徴とする、請求項1〜52のいずれかに記載の方法。
- 請求項1〜53のいずれかに記載の方法の利用法において、歪緩和バッファを製造するための利用法。
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