TW561546B - Processing method - Google Patents

Processing method Download PDF

Info

Publication number
TW561546B
TW561546B TW091121257A TW91121257A TW561546B TW 561546 B TW561546 B TW 561546B TW 091121257 A TW091121257 A TW 091121257A TW 91121257 A TW91121257 A TW 91121257A TW 561546 B TW561546 B TW 561546B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film layer
gas
scope
patent application
item
Prior art date
Application number
TW091121257A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihito Toda
Kazuto Ogawa
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW561546B publication Critical patent/TW561546B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

561546 A7 B7 五、發明説明（巧） 〔技術領域〕 本發明係有關處理方法，更詳述時係有關例如予以產 生處理氣體之電漿於真空處理容器內來去除形成於被處理 體表面之有機膜層用的處理方法。 〔背景技術〕 當要形成半導體積體電路之配線時，有例如用於形成 配線用之接觸孔或溝等用的過程（製程）。而在該等製程 ，乃在氧化矽物所形成之絕緣膜層上予以形成抗蝕劑膜層 及防止反射膜層，再由光刻（平版照相）技術來形成接觸 孔或溝之圖型後，使用電漿處理裝置來依據各個形狀實施 蝕刻而形成接觸孔或溝。然後，使用同一之電漿處理裝置 或另外之電漿處理裝置實施灰化（Ashing)來去除抗蝕劑膜 層。 例如，圖5 A、圖5 B係顯示習知之灰化過程的圖。 如圖5A所示，在矽層1 〇 1上，從上層至下層予以形成 光致抗蝕劑膜層（P R膜層）1 0 2，防止反射膜層〔 BARC(BOTTOM ANTI REFLECTION COATING)層〕1 〇 3 ，氧化矽膜層（S i〇2膜層）1 〇 4及氮氮化矽膜層（ SiON膜層）105，再者，在於Si〇2膜層104及 S i Ο N膜層）1 0 5，以蝕刻來形成有接觸孔1 〇 6。 當要灰化圖5A所示之PR膜層1 〇 2時，應由灰化來去 除同圖所示之S i〇2膜層1 〇 4上之PR膜層（包括 BARC膜層103)。而在如此之習知處理，作爲電漿 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 561546 A7 B7 五、發明説明（2) ^ ~~ 處理裝置之真空處理容器（以下簡稱爲處理室）乃使用施 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 加有防蝕（耐酸）鋁處理之鋁製處理室，或氧化鋁製之處 理室。 然而，會具有處理室之材料由於電漿而受到損害，而 經過時間會產生粒子之問題。尤其在如防鈾鋁製或氧化鋁 製之處理室材料含有鋁的狀態時，倘若使用氟系氣體實施 蝕刻，則會產生氟化鋁之粒子。爲此，最近乃使用熔（解 噴）射例如氧釔（Y 2 0 3 )等之陶瓷於處理室內面，以提 高耐電漿性的處理室來盡可能地加長處理室之定期性淸潔 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而，在熔射陶瓷，例如在實施有熔射氧釔之處理室 內，以使用所定之蝕刻氣體來進行蝕刻時，如圖5 A所示 予以形成接觸孔1 0 6於S i 0 2膜層1 〇 4，接著在同一 處理室內使用例如〇2氣體且以所定壓力（例如， 200mTor r)來進行灰化，以例如圖5B所示來去 除P R膜層1 0 2時，察明會在灰化後之S i ◦ 2膜層 1 0 4表面，尤其由接觸孔1 〇 6周邊之異常蝕刻，產生 凹下狀之陷口（以下簡稱爲陷口）1 0 7。 本發明係爲了解決上述課題而發明者，其目的係擬提 供一種爲了增進耐電漿性而在實施了含有氧釔溶射等金屬 成分之陶瓷熔射的真空處理容器內進行灰化，以令有機膜 層從其下層膜層去除時，能顯著地抑制在下層膜層由異常 鈾刻而產生的陷口之處理方法者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " ^ 561546 A7 B7 五、發明説明（3) 〔發明之揭示〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲了達成上述目的，有關本發明之申請專利範圍第1 項（以下簡稱爲申請項1 ，下同），係產生處理氣體之電 漿於真空處理容器內來去除形成於被處理體表面之有機膜 層的處理方法，其特徵爲具備有：以第1壓力來去除上述 有機膜層之過程，及使用與該過程之同一處理氣體，並以 較第1壓力爲高之第2壓力來去除上述有機膜層的過程。 本發明之申請項2的處理方法，係上述第1壓力設定 成1 OOmTo r r以下爲其特徵。 本發明之申請項3的處理方法，係由上述第1壓力對 上述有機膜層所進行之超過處理率設定爲1 5 %以下爲其 特徵。 本發明之申請項4的處理方法，係由上述第1壓力對 上述有機膜層所進行之超過處理率和由第2壓力對上述有 機膜層所進行之超過處理率的合計設定爲1 〇 〇 %以下爲 其特徵。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之申請項5的處理方法，係作爲上述處理氣體 乃使用至少含有〇2氣體之氣體爲其特徵。 本發明之申請項6的處理方法，係作爲上述處理氣體 乃使用〇2氣體爲其特徵。 本發明之申請項7的處理方法，係作爲上述處理氣體 乃使用N 2和0 2的混合氣體爲其特徵。 本發明之申請項8的處理方法，係作爲上述處理氣體 乃使用至少包含N或Η的其中之一的氣體爲其特徵。 本紙張尺度it用中國國家標準（ CNS )八4祕（210X297公釐) ""~ ~ -6- 561546 A7 _____B7___ 五、發明説明（4) 本發明之申請項9的處理方法，係將在上述真空處理 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 容器內要接觸於上述電漿之部分包含有金屬成分爲其特徵 〇 本發明之申請項1 0的處理方法，係上述金屬成分爲 釔爲其特徵。 本發明之申請項1 1的處理方法，係包含有上述金屬 成分之部分爲氧化釔爲其特徵。 本發明之申請項1 2的處理方法，係上述有機膜層爲 抗鈾劑層爲其特徵。 本發明之申請項1 3的處理方法，係上述有機膜層下 面形成有氧化矽膜層爲其特徵。 本發明之申請項1 4的處理方法，係上述氧化矽膜層 爲含有碳之氧化矽膜層，含有氟之氧化矽膜層，含有氫之 氧化矽膜層中的任何其中之一爲其特徵。 本發明之申請項1 5的處理方法，係在上述有機膜層 下面形成氮化矽膜層、多晶矽膜層、金屬膜層中的任何其 中之一爲其特徵。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 本發明之申請項1 6的處理方法，係產生處理氣體之 電漿於真空處理容器內來去除形成於被處理體表面之有機 膜層的處理方法，其特徵爲具備有：以1 0 0 m T 〇 r r 以下之壓力來去除上述有機膜層的過程。 本發明之申請項1 7的處理方法，係設定處理上述有 機膜層之超過處理率爲15%以下爲其特徵。 本發明之申請項1 8的處理方法，係作爲上述處理氣 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) A4規格（210X297公釐） 561546 A7 _______B7 五、發明説明（5) 體乃使用至少含有〇2氣體之氣體爲其特徵。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之申請項1 9的處理方法，係作爲上述處理氣 體乃使用〇2氣體爲其特徵。 本發明之申請項2 0的處理方法，係作爲上述處理氣 體乃使用N 2和〇 2的混合氣體爲其特徵。 本發明之申請項2 1的處理方法，係作爲上述處理氣 體乃使用至少包含有N或Η中的其中之一的氣體爲其特徵 〇 本發明之申請項2 2的處理方法，係將在上述真空處 理容器內會接觸於上_電漿之部分包含有金屬成分爲其特 本發明之申請項2 3的處理方法，係上述金屬成分爲 釔爲其特徵。 本發明之申請項2 4的處理方法，係包含有上述金屬 成分之部分爲氧化釔爲其特徵。 本發明之申請項2 5的處理方法，係上述有機膜層爲 抗蝕劑層爲其特徵。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之申請項2 6的處理方法，係上述有機膜層下 面形成有氧化矽膜層爲其特徵。 本發明之申請項2 7的處理方法，係上述氧化矽膜層 爲含有碳之氧化矽膜層，含有氟之氧化矽膜層，含有氫之 氧化矽膜層中的任何其中之一爲其特徵。 本發明之申請項2 8的處理方法，係在上述有機膜層 下面形成氮化矽膜層、多晶矽膜層、金屬膜層中的任何其 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210Χ297公釐） -8 - 561546 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（6 ) 中之一爲其特徵。 〔實施發明用之最佳形態〕 以下，將依據圖1至圖4所示之實施形態來說明本發 明。 圖1係以模式顯示在實施本發明之處理方法時所使用 的磁控（電子）管R I E型鈾刻處理裝置（以下簡處理裝 置）之剖面圖。該處理裝置係例如圖1所示，具備有：實 施有氧釔熔射於內面之鋁製處理室1 ;配置於該處理室1 內之下部電極2以藉由絕緣材料2 A支承的可升降的鋁製 支承體3 ;及配置於該支承體3上方且供應處理氣體並兼 用爲上部電極之蓮蓬頭（shower head) 4 (以下隨著所需 也會稱爲下部電極）。 上述處理室1 ，上部乃形成作爲小口徑之上室1 A， 而下部乃形成作爲大口徑之下室1 B。上室1 A係由偶極 (雙極）環狀磁鐵5所圍繞著。該偶極環狀磁鐵5係形成 爲容納複數之各向異性扇形柱狀磁鐵於由環狀之磁性體所 形成的外殻內，而作爲整體形成朝一方向之一樣水平磁場 於上室1 A內。在下室1 B上部形成用於搬入搬出晶圓W 用之出入口，而安裝有閘閥6於該出入口。又在下部電極 2，以藉由匹配器7A來連接於13 . 56MHz之高頻 電源7，而從該高頻電源7 .對下部電極2施加有所定之高 頻電力（功率），致使在上室1 A內與上部電極4間形成 朝垂直方向的磁場。因此，在上室1 A內，藉由處理氣體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
、1T 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -9 - 561546 A7 B7 五、發明説明（7) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 且由高頻電源7所形成之電場和偶極環狀磁鐵5所形成之 水平磁場來形成磁控管放電，以生成要供予上室1 A內用 之處理氣體電漿。 於上述下部電極2上面配置靜電夾盤8，且對該靜電 夾盤8連接有高壓直流電源9。由而在高真空下，從高壓 直流電源9施加高電壓於電極板8 A時，可由靜電夾盤8 來實施靜電吸著晶圓W。配置單晶（體）矽製之聚焦環 1 〇於該下部電極2的外周圍，以令生成於上室1 A內之 電漿收集於晶圓W。又配置有安裝於支承體3上部排氣環 1 1於聚焦環1 0下側。該排氣環1 1形成有遍及整個四 周之複數的孔且成朝圓周方向隔著相等間隔，而藉由該等 孔來排氣上室1 A內之氣體至下室1 B。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 上述支承體3乃藉由滾珠螺桿（絲槓）機構1 2及伸 縮囊1 3形成可升降於上室1 A和下室1 B之間。由而， 在供予晶圓W至下部電極2上時，藉由滾珠螺桿機構1 2 令下部電極2與支承體3 —齊下降至下室1 B，且打開閘 閥6而由未圖示之搬運機構來供晶圓給予下部電極2上。 當要處理晶圓W時，就藉由滾珠螺桿1 2來使下部電極2 與支承體3 —齊上升，並定置下部電極2和蓮蓬頭4之間 隙成適合於處理晶圓的距離，而冷媒則則藉由冷媒配管來 循環於冷媒流道2 B內，以調整晶圓W成所定之溫度。再 者，在支承體3，絕緣材料2A，下部電極2及靜電夾盤 8，各形成有流道2 C，而從氣體導入機構1 5藉由氣體 配管1 5 A以所定壓力供應例如H e氣體作爲背後氣體來 ϋ張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐> ~ -10 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561546 A7 B7 五、發明説明（8) 供應於靜電夾盤8和晶圓W間的細小間隙，以提高靜電夾 盤8和晶圓W間之熱傳導性。再者，1 6爲伸縮囊蓋。 在上述蓮蓬頭4上面形成有氣體導入部4 A，並藉由 配管1 7連接供應系1 8於該氣體導入部4 A。氣體供應 系1 8具有CF4氣體供應源1 8A，C4F8氣體供應源 1 8B，CH2F2氣體供應源1 8C，〇2氣體供應源 1 8D，Αχ*氣體供應源1 8E及C ◦氣體供應源1 8F 。而該等之氣體供應源18Α，18Β，18C，18D ，18Ε，18F 係藉由閥 18G，18Η，181 ， 18J，18Κ，18L及質量流控制器18Μ，18Ν ，18〇，18Ρ，18Q，18R，以依據晶圓W之處 理階段予以適當地選擇單一氣體或複數種之氣體且以所定 流量來供應各氣體至蓮蓬頭4，而在選擇複數種之氣體時 ，將在蓮蓬頭4內部調整作爲具有所定之混合比率的混合 氣體。蓮蓬頭4下面配置有遍及整面成均勻之複數的孔， 且藉由該等孔從蓮蓬頭4供應作爲處理氣體之混合氣體至 上室1Α內。再者，圖1中，1C爲排氣管，19爲連接 於排氣管1 C之由真空泵等所形成之排氣機構。 接著，將參照圖2Α至圖4Β下，說明有關使用上述 處理裝置之本發明的處理方法之實施形態。圖2 Α至圖 2 C係要形成接觸孔之過程（製程），圖3 A，圖3 B係 要灰化光致抗蝕層（PR膜層）之過程，圖4A，圖4B 係要說明接觸孔肩部用之說明圖。 首先’將參照第2 A至圖2 C下，說明使用上述處理 本紙¥尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐) " 1 ~^ - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-11 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561546 A7 B7 五、發明説明（9) 裝置之接觸孔形成過程。於此一過程所使用之晶圓的矽層 2 0 1係如圖2 A所，與前述同樣從上層朝下層予以形成 PR膜層202，防止反射膜層（BARC層）203， 氧化矽膜層（S i〇2膜層）2 0 4及氮氮化矽膜層（ S i〇N層）2 0 5 ，再者，在於P R膜層2 0 2，則由 光刻技術來形成有接觸孔的圖型2 0 6。 當要形成接觸孔時，係使用上述處理裝置且以習知之 蝕刻條件來鈾刻晶圓W成如圖2 A至圖2 C所示，以形成 接觸孔。首先，由鈾刻來去除BARC層203。亦即， 打開對於氣體供應系1 8之C F 4氣體供應源1 8 A，〇2 氣體供應源1 8 D及A r氣體供應源1 8 E的閥1 8 G， 1 8 J ，1 8 K，以連接該等之氣體供應源於上部電極4 之同時，由質量流控制器18M，18P，18Q來設定 各C F4氣體，〇2氣體及A r氣體之流量成所定之流量（ 例如 CF4/〇2/Ar = 80/20/1 6 0 s c cm) ，並供予該等處理氣體至上部電極4。又藉由排氣機構 1 9來設定處理室1內之壓力成爲例如4 OmT 〇 r r。 並以該狀態下，施加例如1 5 Ο 0 W之高頻電力於下部電 極2時，就會在下部電極2和上部電極4之間，產生C F 4 氣體，〇2氣體及A r氣體的電漿，而由該電漿來蝕刻 BARC層203並加以去除（參照圖2B)。 絡結B A R C層2 0 3之蝕刻後，淸除所剩之氣體且 更換處理氣體來對於S i〇2膜層2 0 4形成接觸孔。亦即 ，將氣體供應系18之C4F8氣體供應源18B ’ 02氣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNsYm規格（210 X 2刃公釐j I n I I I I I I I 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -12- 561546 A7 B7 ____ 五、發明説明（1〇) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 體供應源1 8 D及A r氣體供應源1 8 E，以與上述同樣 之要領來連接上部電極4，而設定該等之處理氣體的各流 量（例如，C4F8/〇2/Ar = 6/ 3/ 500 s c c m)之同時，設定處理室1內之壓力成爲例如6 0 m T 〇 r r。並以該狀態下，施加例如1 5 0 0 W之高頻 電力於下部電極2，而由C4F8氣體，〇2氣體及Ar氣 體之混合氣體的電漿來蝕刻S i〇2膜層2 0 4，以形成接 觸孔2 0 7 (參照圖2 C )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 終結鈾刻S i〇2膜層2 0 4後，予以淸除剩餘氣體且 更換處理氣體，而對於S i 〇2膜層2 0 4實施過蝕刻。對 於該過蝕刻，乃令C 4 F 8氣體供應源1 8 B，C〇氣體供 應源1 8 F及A r氣體供應源1 8 E，以與上述同樣之要 領來連接於上部電極4，而設定該等之處理氣體的各流量 (例如，C4F8/C〇/Ar = 12/360/280 s c cm)之同時，設定處理室1內之壓力成爲例如4 5 m T 〇 r r。並以該狀態下，施加例如1 5 0 0 W之高頻 電力於下部電極2時，就會產生C4Fs氣體，c〇氣體及 A I*氣體之混合氣體的電漿，而予以過蝕刻S i 0 2膜層 204。在此一階段，將會在S i〇N膜層205上等附 著蝕刻之殘餘。 爲此，以切換處理氣體，而由蝕刻來去除S i Ο N膜 層2 0 5上等之蝕刻殘餘。對於該蝕刻，乃以與上述同樣 之要領連接〇2氣體供應源1 8D及A r氣體供應源1 8 E 於上部電極4，且設定該等處理氣體之各流量（例如，〇2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) — — -13- 561546 A7 B7 五、發明説明（Μ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) /八1* = 20/10〇3(：(：111)之同時，設定處理室1 內之壓力成爲例如4 0 m Τ 〇 r r。並以該狀態下，施力口 例如5 0 0W之高頻電力於下部電極2，且由〇2氣體及 A r氣體之混合氣體的電漿來實施短時間的蝕刻，以去除 S i〇N膜層2 0 5上等之澱積（堆積）物。 去除S i ON膜層2 0 5上等之澱積物後，予以淸 除所剩餘之氣體而更換處理氣體，以蝕刻S i Ο N膜層 2 0 5。對於此鈾刻，乃令C Η 2 F 2氣體供應源1 8 C， 〇2氣體供應源1 8D及Ar氣體供應源1 8Ε，以與上述 同樣之要領來連接於上部電極4，而設定該等處理氣體之 各流量（例如，c Η 2 F 2 / 〇 2/ A r = 2 0 / 1 0 / 1 〇 〇 s c cm)之同時，設定處理室1內之壓力成爲例 如8 0 m Τ 〇 r I*。並以該狀態下，施加例如5 0 0 W之 高頻電力於下部電極2，且由CH2F2氣體，〇2氣體及 A r氣體之混合氣體的電漿來蝕刻圖2 C所示之S i〇N 膜層2 0 5並予以去除，而形成如圖3 A所示之接觸孔 2 0 7° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 形成接觸孔2 0 7後，予以淸除剩餘氣體且更換處理 氣體，且在同一處理室1內，由本發明之處理方法來灰化 P R膜層2 0 2。而該灰化係以與上述同一要領來連接〇2 氣體供應源1 8 D於上部電極4，且設定〇2氣體之壓力及 流量各成爲要實施本發明之處理方法用的所定之値，並以 該狀態下，施加例如3 0 0 W之高頻電力於下部電極，且 由〇2氣體之電漿灰化PR膜層202，而從圖3A所示之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -14- 561546 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 —_ _B7__ 五、發明説明（12) 狀態直至圖3 B所示之狀態爲止予以完全去除。於本實施 形態雖作爲處理氣體以使用單獨之◦ 2氣體來處理，但作爲 處理氣體，除了 02氣體以外，也可使用例如與N2氣體之 混合氣體，或至少包含N或Η中之任一方的氣體，例如單 獨之ΝΗ3氣體或Ν2氣體和Η2氣體的混合氣體。主要能 灰化P R膜層2 0 2之氣體，就可使用。 在本發明之處理方法，理想爲以二階段來灰化P R膜 層2 0 2爲佳。亦即，本發明之處理方法係由使用0 2氣體 且以第1壓力來灰化PR膜層2 0 2的第1過程，及使用 氣體且以較第1壓力爲高之第2壓力來灰化P R膜層的 第2過程所形成。第1壓力理想爲較習知之壓力（例如， 200mTor r)具有顯著之低的lOOmTorr以 下者，更理想爲50〜20mTorr。由於設定第1壓 力於1 OOmTo r r以下，因而，即使產生了起因於處 理室1內之氧釔熔射部的對於P R層之由氧釔引起的金屬 污染，也可防止起因於釔之異常蝕刻，使得能在不產生陷 口於接觸孔2 0 7周邊之狀態下來去除P R膜層2 0 2。 第1壓力倘若超過1 〇 OmT 〇 r r時，就具有會產生由 釔污染爲原因而引起接觸孔2 0 6周邊之陷口之虞，而第 1壓力倘若過低時，雖可防止產生陷口，但具有如圖4 A 所示，會使肩部2 0 A成爲大之虞。 上述肩部耗損2 0 7，在定量性上係定義成如下。亦 即如圖4 B所示，假定從接觸孔2 0 7側壁之延長線作爲 L 1，從接觸孔2 0 7之開口端的延長線作爲L 2。而兩延 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210>α97公釐] "" -15 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 -線· 561546 A7 B7 五、發明説明（13> (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 長線L i，L 2所形成之角度（略爲9 〇。）的二等分（分 爲兩個相等）線作爲L 3。且與該二等分線l 3和肩部之交 叉點作爲C時’兩延長線L 1，L 2之交叉點及交叉點c之 間的二等分線L 3之長度5，將成爲肩部損耗2 〇 7 A之大 小。因此’接觸孔2 0 7以如上述，肩部損耗愈小愈爲佳 〇 又第2壓力乃爲了抑制肩部損耗，理想爲高的壓力例 如超過1〇OmTo r r之壓力，更理想爲2 〇 〇〜 300mT 〇 r I*。而作爲要從第1壓力切換爲第2壓力 之時刻，乃爲了抑制肩部損耗2 0 7 A，理想爲完成 1 0 0 %灰化P R膜層2 0 2 (以下簡稱爲「恰好灰化」 )之時刻爲佳。而過蝕刻時刻係可由習知之終點偵測裝置 (未圖示）來偵測C〇2等之電漿活性種的特定波長之變化 而判斷，又在以第1壓力（1 〇 〇 m T 〇 r r以下）完成 1合當灰化之前，予以切換成第2壓力時，具有可發生陷口 之虞，因此，並理想。 經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 而由第1壓力所實施之PR膜層2 0 2之過處理率， 以1 5 %爲理想，更理想爲0〜1 〇 %。所謂P R膜層 2 0 2的過處理率係指P R膜層2 0 2之所超過灰化量以 P R膜層2 0 2之膜厚來除的値，由百分率來表示者。當 過處理率超過1 5%時，肩部損耗2 0 7A會變大而不理 想。又理想爲由第1壓力所產生之PR膜層2 0 2的過處 理率和由第2壓力所產生之P R膜層的過處理率之合計在 於1 0 0%以下，更理想爲5 0〜1 0 0%。該合計値當 I紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210X297公釐） -16- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561546 A7 ___B7________ 五、發明説明（j 超過1 0 0 %時，因會加大肩部損耗，因此並不理想。 又有關產生陷口乙事，除了〇2氣體之壓力引起之外’ 可推測有關連於◦ 2氣體之居留時間，亦即在處理室1內之 〇2氣體的滯留時間。而在〇2氣體爲第1壓力（1 0 0 m 丁 〇 r r以下之壓力）時，確認了滯留時間愈長愈可防 止發生陷口之現象，而在〇2氣體爲第2壓力（超過1 〇 〇 m T 〇 r r之壓力）時，反而確認滯留時間愈短愈能防止 發生陷口之現象。又在〇2氣體爲第1壓力時，滯留時間變 長，確認會使肩部損耗成爲大的現象。再者，滯留時間（ r)可由下面之①式來求出。 r =V/S = pV/Q(m 秒）.........① 上述公式之V係晶圓面積乘上上下兩電極間的間隙尺寸之 容積（L) ，S爲排氣機構19之排氣速度（L/秒）， P爲處理室內之壓力（T 〇 r j: ) ，Q爲氣體之總流量（ s c c m 〇 又灰化PR膜層2 0 2及過灰化，也可僅由第1壓力 ，亦就是1 0 0 m T 〇 r r以下之壓力來進行。該時，可 防止產生陷口於接觸孔2 0 7周邊之情事。但〇2氣體之滯 留時間變長時，會具有如上述之增大肩部2 0 7的肩部損 耗之虞。 如以上所說明，依據本實施形態，當產生處理氣體之 電漿於實施有氧紀溶射等之陶瓷溶射在內面的處理室1內 ，以去除所形成於晶圓W表面之P R膜層2 0 2時，因構 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) A4規^ ( 210X297公釐) I I I I —裝— II 訂—— 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -17- 561546 A7 _ B7 五、發明説明（^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 成作爲處理氣體使用0 2氣體，且以第1壓力，例如以 lOOmTor r以下之壓力去除PR膜層202後，接 著使用〇2氣體，且以較第1壓力高之第2壓力，例如以超 過lOOmTorr之壓力來去除PR膜層202，以致 爲了增進耐電漿性而在施加有包含氧釔溶射成分等之金屬 成分的陶瓷溶射之處理室1內，對於S i〇2膜層2 0 4形 成接觸孔2 0 7後，進行灰化而從S i〇2膜層2 0 4去除 抗蝕劑膜層2 0 2時，可防止尤其在S i〇2膜層2 0 4上 所產生之由發生於接觸孔2 0 7周邊的異常鈾刻所形成之 陷口（參照圖5 B )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
又依據本實施形態，因設定由第1壓力，例如以 lOOmTor r以下之壓力來進行PR膜層202之過 處理率成爲1 5 %以下，因此，可確實地抑制接觸孔 2 0 7之肩部損耗。又因設定由第1壓力，例如以1 〇 〇 mTo r r以下之壓力所進行的PR膜層2 0 2之過處理 率和由第2壓力，例如以超過1 OOmTo r r之壓力所 進行的PR膜層2 0 2之過處理率的合計成爲1 〇 〇%以 下，因而可防止產生陷口之同時，可抑制接觸孔2 0 7之 肩部損耗2 0 7 A。又即使省略由第2壓力所進行之處理 ，並設定〇2氣體於1 〇 OmT 〇 r r以下之壓力，且僅以 該壓力來實施去除P R膜層2 0 2，也可防止在接觸孔 2 0 7周邊所會產生之陷口。又在處理室1內之會接觸於 〇2氣體之電漿爲含有金屬成分，例如包含釔或氧釔時，可 防止在接觸孔2 0 7周邊產生陷口。而且形成有BARC 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -18- 561546 A7 B7 五、發明説明（16) 層20 3及PR膜層202於S i〇2膜層204上來作爲 有機膜層時，可確實且成高精度地形成接觸孔2 0 7。 於本實施形態乃設定上述處理裝置成下述之處理條件 ，而灰化形成有接觸孔2 0 7之S ί〇2膜層2 0 4上的 PR膜層202及BARC層203。該時，予以變化在 第1壓力下之處理時間和在第2壓力下之處理時間，且由 第1 ，第2之壓力所實施之最後的過灰化量設定成340 %。再者，PR膜層202及BARC層203之合計膜 厚爲7 8 0 nm。又在第1壓力下之灰化率爲9 3 6 nm /mi η (分），在第2壓力下之灰化率爲1140nm /分。 (實施例1 ) 本實施形態係予以設定〇2氣體之第1壓力爲2 0 mTorr ，且在該壓力下，實施灰化PR膜層202及 B A R C層2 0 3有5 0秒鐘（恰好灰化）後，設定第2 壓力爲200mT〇rr ，且在該壓下，實施灰化PR膜 層202及BARC層203有2分19秒鐘。其結果， 在接觸孔2 0 7周邊並未產生陷口。又該時之接觸孔 207的肩部損耗207A爲30·4nm。 〔處理條件〕
1 .下部電極：13 · 56MHz，300W 2 .上下兩電極間的間隙尺寸·· 2 7 m m 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公着） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 561546 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（17) 3 .在第1壓力（2 0] iiTorr)下之〇 2氣體 流 量 =50 seem 〇 2氣體之滯留時間=2 6 . 8 m秒鐘 4 •在第2壓力下之〇2 氣體流量=900s c c r η 〇 2氣體之滯流時間=1 4 . 9 m秒鐘 5 _ T及W/B之溫度： 6 0 °C / 6 0 °C 上 述之T爲上部電極之 溫度，W爲處理室壁面之 溫 度 ，B爲 下部電極之溫度 6 .背後氣體之壓力（ 中央部/周緣部）： Ί / 4 0 T 〇 r r (實施例2 ) 於本實施例，將設定〇2氣體之第1，第2的壓力及在 各壓力下之氣體流量成與實施例1時相同，而在第1壓力 下，灰化PR膜層202及BARC層203有60秒鐘 後，在第2壓力下，灰化P R膜層2 0 2及B A R c層 203有2分11秒鐘，其結果，在接觸孔207周邊， 並未產生陷口。又該時之接觸孔2 0 7之肩部損耗 2 0 7A爲3 4 . 1 nm，較實施例1時肩部損耗有加大 〇 (實施例3 ) 在本實施例’將設定〇2氣體之第1 ’第2的壓力及在 各壓力下之氣體流量成與實施例1時相同’而在第丨壓力 本紙張尺度適用中國國家標準(QNS ) A4規格（210X297公釐> :~' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561546 A7 _B7____ _ 五、發明説明（1Q) 下，灰化PR膜層202及BARC層203有40秒鐘 後’在第2壓力下，灰化PR膜層2 0 2及BARC層 2 0 3有2分2 7秒鐘。其結果，在接觸孔2 0 7周邊， 並未產生陷口。又該時之接觸孔2 0 7之肩部損耗 207A爲29.5nm，較實施例1時肩部損耗有變小 (實施例4 ) 於本實施例，將設定〇2氣體之第1壓力爲2 0 m T 〇 r r之低壓狀態，〇2氣體之流量設定成與實施例1 〜3同樣50 s c cm，且僅以2〇mT 〇 r r之壓力下 進行3 4 0%的過灰化。其結果，在接觸孔2 0 7周邊， 並未產生陷口。又該時之接觸孔2 0 7的肩部損耗 2 0 7 A爲6 2 nm，較實施例1時肩部損耗有加大。 (實施例5 ) 在本實施例，除了改變〇2氣體之流量爲1 5 0 s c c m之外，以與實施例4時同樣條件來進行灰化處理 。該時之滯留時間爲8 . 9 m秒。其結果，在接觸孔 2 0 7周邊，並未產生陷口。又該時之接觸孔2 0 7的肩 部損耗2 0 7 A爲4 5 n m，較實施例4時肩部損耗有變 小。 (實施例6 ) 本紙張尺度適用中國國家4準（C；NS i A4規格（210X297公釐）1 "" -21 - I I— I — I I I I I I 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 561546 A7 B7 五、發明説明（19) 於本實施例，除了改變〇2氣體之流量爲2 5 0 s c c m之外’以與實施例3時同樣條件來進行灰化處理 ° s亥時之滯留時間爲5 · 4 m秒。其結果，在接觸孔 2 0 7周邊，僅有產生少許之陷口，但較習知者可顯著地 抑制陷口之產生。又該時之接觸孔2 0 7的肩部損耗 207A爲35 . 3nm’較實施例4，5任何之一肩部 損耗有變小。 又從抑制陷口之產生的觀點言，在第1壓力之〇2氣體 的滯留時間，理想爲5 m秒以上，更理想爲1 〇 m秒以上 。又在上述實施例，第1壓力雖設定成20mTorr ， 但甚至在於6 OmT 〇 r r時，也確認與上述實施例同樣 有傾向於抑制肩部損耗。 (比較例1 ) 在本比較例係以習知方法來灰化P R膜層2 0 2及 BARC層203。亦就是，設定〇2氣體之壓力爲200 mTo r r之同時，設定〇2氣體之流量爲9 00 s c cm ，並進行3分鐘來實施3 4 0%之過灰化處理。其結果， 在接觸孔2 0 7周邊產生了多數之凹陷極深且顯明的陷口 。但該時之接觸孔207之肩部損耗207A爲18.8 n m，較上述各實施例時，肩部損耗變小。又該時也對於 過灰化作爲30%，50%，100%，200%時進行 調查，其結果，確認過灰化量愈大所產生之陷口愈成顯著 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公嫠） ---^-------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) %? 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561546 A7 B7 五、發明説明（2〇) (比較例2 ) 於本比較例，除了設定比較例1之〇2氣體壓力爲 3 0 0 m T 〇, r r之外，進行與比較例1同樣之處理。該 時之〇2氣體的滯留時間爲4 4 · 7 m秒。其結果，較比較 例1產生多數之凹陷顯著的陷口。 又與上述各實施例及比較例爲另外，以使用附有氧化 矽膜之金屬污染評價用之假晶圓進行剛要灰化之前爲止之 處理，其結果，在上述實施例所採用之氧釔溶射處理室內 所處理之假晶圓表面的氧釔污染爲1 0 〃原子/ c m 2之程 度。即使氧釔污染爲1 0 1 ^原子/ c m 2之程度，也確認 具有陷口的產生。另一方面，在未施加氧釔之處理室內， 以使用假晶圓來進行同樣處理的結果，氧釔污染爲3 X 1 0 1 8原子/ c m 2 (測量下限）以下。在於未施加氧紀 溶射之處理室時，即使不依賴壓力也未發生陷口。 本發明人等乃依據上述各實施例及各比較例等會對於 在由如氧釔之包含有金屬成分的陶瓷熔射來增進耐電漿性 之處理室內去除P R膜層後所能產生的陷口之原因，加以 檢討之結果，獲得以下之推論。亦即，當蝕刻S i〇2時， 將在作爲包含金屬成分之陶瓷熔射，實施有氧釔熔射的處 理室內部，會形成電漿副生成物之堆積膜（澱積物）。而 在灰化PR膜層102 (參照圖5A)時，澱積物會伴隨 釔會落下於晶圓上且儲存堆積，致使該釔等之金屬成分會 留置於去除P R膜層後之S i〇2膜層1 〇 4上，使得該部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) "" (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-23- 561546 A7 B7 五、發明説明（21) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 分會受到選擇性鈾刻而產生陷口。爲此，將◦ 2氣體等之處 理氣體的處理條件，以如上述各實施例予以實施種種的變 更進行一連串之處理的結果，確認予以設定處理氣體成爲 習知者（如比較例）更爲低壓時，即使在灰化時，含有紀 之澱積物落下於PR膜層1 0 2上，也可防止產生陷口。 再者，於上述各實施例雖顯示有關形成S i 0 2膜層於 p R層下面時之狀態。但可思爲即使形成有s i〇c (碳 含有氧化矽膜）層，S i 0 F (氟含有氧化矽膜）層， S i 0H (氫含有氧化矽膜）層，或形成有s i N (氮化 矽膜）層，多晶矽膜層，金屬膜層等也可適用。 再者，本發明並不會僅限制於上述實施形等而已，也 可適用本發明於例如施加氧紀熔射於上部電極等之其他處 理室內部之零件的狀況時。主要在於會接觸電漿部分的含 有金屬成分之真空處理容器內，當要進行去除形成於被處 理體表面之P R膜層等的有機膜層時，至少令包含有〇2氣 體之處理氣體的壓力予以設定成較習知之壓力（例如， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 0 0 m T 〇 r r )格外低之低壓的處理方法就可實施， 且有關如此之發明，也包括於本發明內。 依據本發明，可提供一種爲了增進提高耐電漿性而在 施加有氧釔熔射等之包含有金屬成分的陶瓷熔射之真空處 理容器內實施灰化，以令有機膜層從其下層膜層去除時， 可顯著地抑制由異常之蝕刻所引起的陷口產生於下層膜層 之處理方法。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24 - 561546 A7 B7 五、發明説明（22) 〔圖式之簡單說明〕 圖1係顯示使用於本發明之處理方法的磁控（電子） 管R I E型蝕刻處理裝置之剖面圖。 圖2 A，圖2 B，圖2 C係顯示使用圖1所示之蝕刻 裝置來形成接觸孔的過程之剖面圖。 圖3 A，圖3 B係顯示使用圖1所示之蝕刻裝置，而 由本發明之處理方法來灰化P R膜層的過程之剖面圖。 圖4A，圖4B係用於說明在圖2A，圖2B，圖 2 C及圖3 A，圖3 B所示之過程所形成的接觸孔之肩部 損耗用的說明圖。 圖5 A，圖5 B係顯示使用圖1所示之蝕刻處理裝置 ，而由習知之處理方法來灰化P R膜層的過程之剖面圖。 〔符號之說明〕 1 :處理室 1 A :上室 1 B :下室 1C:排氣管 2 :下部電極 2 A :絕緣材料 2 B :冷媒流道 3 :支承體 4 :蓮蓬頭（上部電極） 4 B :孔 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） -裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 561546 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（23) 5 =偶極（雙極）環狀磁鐵 6 :閘閥 7:高頻電源 7 A :匹配器 8 :靜電夾盤 8 A :電極板 9 :高壓直流電源 1 0 :聚焦環 1 1 :排氣環 1 2 :滾珠螺桿機構 1 3 :伸縮囊 14:冷媒配管 1 5 :氣體導入機構 1 5 A :氣體配管 1 6 :伸縮囊蓋 1 7 :配管 1 8 :氣體供應系 1 8 A : C F 4氣體供應源 1 8 B : C 4 F 8氣體供應源 1 8 C : C Η 2 F 2氣體供應源 1 8 D :〇2氣體供應源 1 8 E : A r氣體供應源 1 8 F : C ◦氣體供應源 1 8 G 〜1 8 L :閥 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐)~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-26 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561546 A7 B7 五、發明説明（j 1 8 Μ〜1 8 R :質量流控制器 19:排氣機構 1 0 1 :矽層 1 0 2 :光致抗鈾刻膜層（P R膜層） 1 0 3 :防止反射膜層（BARC層） 1 0 4 :氧化矽膜層 1 0 5 :氮氧化矽膜層 1 0 6 :接觸孔 1 0 7 :陷口 2 0 1 :矽層 2 0 2 : P R 層 203 :防止反射膜層（BARC層） 2 0 4 :氧化矽（S i〇2 )膜層 2 0 5 :氮氧化矽膜層 206:接觸孔之圖型 2 0 7 :接觸孔 2 〇 7 A :肩部損耗 C : L 3和肩部之交叉點 ‘ L i :從接觸孔開口端之延長線 L 2 :從接觸口側壁之延長線 L 3 :二等分級 W :晶圓 5 : L i，L 2之交叉點和交叉點C間之L 3的長度 本紙張尺細侧辦（CNS Μ娜（腹歸⑸ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

  1. 561546 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 1 1 . 一種處理方法，係產生處理氣體之電漿於真空處 理容器內來去除形成於被處理體表面之有機膜層的處理方 法，其特徵爲具備有：以第1壓力來去除上述有機膜層之 過程，及使用與該過程之同一處理氣體，並以較第1壓力 爲高之第2壓力來去除上述有機膜層的過程。 2 _如申請專利範圍第1項之處理方法，其中上述第 1壓力設定成1〇〇mTo r r以下。 3 ·如申請專利範圍第1項之處理方法，其中由上述 第1壓力對上述有機膜層所進行之超過處理率設定爲· 1 5 %以下。 4 .如申請專利範圍第1項之處理方法，其中由上述 第1壓力對上述有機膜層所進行之超過處理率和由第2壓 力對上述有機膜層所進行之超過處理率的合計設定爲 1 0 0 %以下。 5 .如申請專利範圍第1項之處理方法，其中作爲上 述處理氣體使用至少含有〇2氣體。 6 .如申請專利範圍第5項之處理方法，其中作爲上 述處理氣體使用〇2氣體。 7 ·如申請專利範圍第5項之處理方法，其中作爲上 述處理氣體使用N2和〇2之混合氣體。 8 ·如申請專利範圍第1項之處理方法，其中作爲上 述處理氣體使用至少包含有N或Η的其中之一的氣體。 9 .如申請專利範圍第1項之處理方法，其中將在上 述真空容器內會接觸於上述電漿之部分包含有金屬部分。 本ϋ尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210><297公釐1 28- 一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561546 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 1 0 .如申請專利範圍第9項之處理方法，其中上述 金屬部分爲紀。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 1 .如申請專利範圍第9項之處理方法，其中包含 有上述金屬部分爲氧化釔。 1 2 .如申請專利範圍第1項之處理方法，其中上述 有機膜層爲抗蝕劑層。 1 3 .如申請專利範圍第1項之處理方法，其中上述 有機膜層下面形成有氧化矽膜層。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之處理方法，其中上 述氧化矽膜層爲含有碳之氧化矽膜層，含有氟之氧化矽膜 層，含有氫之氧化矽膜層中的任何其中之一。 1 5 .如申請專利範圍第1項之處理方法，其中在上 述有機膜層下面形成有氮化矽膜層、多晶矽膜層、金屬膜 層中的任何其中之一。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 6 . —種處理方法，係產生處理氣體之電漿於真空 容器內來去除形成於被處理體表面的有機膜層之處理方法 ，其特徵爲具備有：以1 0 OmT 〇 r r以下之壓力來去 除上述有機膜層的過程。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項之處理方法，其中設 定上述有機膜層之（超）過處理率爲1 5%以下。 1 8 .如申請專利範圍第1 6項之處理方法，其中作 爲上述處理氣體使用至少含有〇2氣體。 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項之處理方法，其中作 爲上述處理氣體使用〇2氣體。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29 _ 561546 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 2 0 ·如申請專利範圍第1 8項之處理方法，其中作 爲上述處理氣體使用N2和〇2的混合氣體。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 1 ·如申請專利範圍第1 6項之處理方法，其中作 爲上述處理氣體使用至少包含有N或Η中的其中之一。 2 2 ·如申請專利範圍第1 6項之處理方法，其中將 在上述真空容器內會接觸於上述電漿之部分包含有金屬部 分。 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項之處理方法，其中上 述金屬部分爲纟乙。 2 4 .如申請專利範圍第2 2項之處理方法，其中包 含有上述金屬部分爲氧化釔。 2 5 .如申請專利範圍第1 6項之處理方法，其中上 述有機膜層爲抗蝕劑層。 2 6 ·如申請專利範圍第1 6項之處理方法，其中上· 述有機膜層下面形成有氧化矽膜層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 7 ·如申請專利範圍第2 6項之處理方法，其中上 述氧化矽膜層爲含有碳之氧化矽膜層，含有氟之氧化矽膜 層，含有氫之氧化矽膜層中的任何其中之一。 2 8 ·如申請專利範圍第1 6項之處理方法，其中在 上述有機膜層下面形成有氮化矽膜層、多晶矽膜層、金屬 膜層中的任何其中之一。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -30 _
TW091121257A 2001-09-26 2002-09-17 Processing method TW561546B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001295187A JP4838464B2 (ja) 2001-09-26 2001-09-26 処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW561546B true TW561546B (en) 2003-11-11

Family

ID=19116663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091121257A TW561546B (en) 2001-09-26 2002-09-17 Processing method

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7297635B2 (zh)
JP (1) JP4838464B2 (zh)
CN (2) CN100349268C (zh)
TW (1) TW561546B (zh)
WO (1) WO2003030238A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI398923B (zh) * 2007-08-16 2013-06-11 Ulvac Inc 灰化裝置

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4838464B2 (ja) * 2001-09-26 2011-12-14 東京エレクトロン株式会社 処理方法
JP4209277B2 (ja) * 2003-07-24 2009-01-14 コバレントマテリアル株式会社 プラズマ耐食性溶射部材の製造方法
US8193096B2 (en) 2004-12-13 2012-06-05 Novellus Systems, Inc. High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry
US8129281B1 (en) 2005-05-12 2012-03-06 Novellus Systems, Inc. Plasma based photoresist removal system for cleaning post ash residue
KR100680502B1 (ko) * 2005-09-21 2007-02-08 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조 방법
US7976641B1 (en) * 2005-09-30 2011-07-12 Lam Research Corporation Extending storage time of removed plasma chamber components prior to cleaning thereof
JP4559973B2 (ja) * 2006-01-13 2010-10-13 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
JP4948278B2 (ja) * 2006-08-30 2012-06-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US7740768B1 (en) * 2006-10-12 2010-06-22 Novellus Systems, Inc. Simultaneous front side ash and backside clean
US8435895B2 (en) 2007-04-04 2013-05-07 Novellus Systems, Inc. Methods for stripping photoresist and/or cleaning metal regions
US8591661B2 (en) * 2009-12-11 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Low damage photoresist strip method for low-K dielectrics
US20110143548A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 David Cheung Ultra low silicon loss high dose implant strip
CN102652351B (zh) 2009-12-11 2016-10-05 诺发系统有限公司 在高剂量植入剥除前保护硅的增强式钝化工艺
WO2011141761A1 (en) 2010-05-13 2011-11-17 Nokia Corporation Method and apparatus for providing context sensing and fusion
US9613825B2 (en) 2011-08-26 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Photoresist strip processes for improved device integrity
CN103668081A (zh) * 2013-12-09 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种晶振片清理设备
US9514954B2 (en) 2014-06-10 2016-12-06 Lam Research Corporation Peroxide-vapor treatment for enhancing photoresist-strip performance and modifying organic films
CN105374742B (zh) * 2014-09-02 2019-03-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
WO2024058135A1 (ja) * 2022-09-13 2024-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63216346A (ja) 1987-03-04 1988-09-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機物のエツチング方法
JP3318241B2 (ja) 1997-09-19 2002-08-26 富士通株式会社 アッシング方法
US6207583B1 (en) * 1998-09-04 2001-03-27 Alliedsignal Inc. Photoresist ashing process for organic and inorganic polymer dielectric materials
US6325861B1 (en) * 1998-09-18 2001-12-04 Applied Materials, Inc. Method for etching and cleaning a substrate
US6277733B1 (en) * 1998-10-05 2001-08-21 Texas Instruments Incorporated Oxygen-free, dry plasma process for polymer removal
US6383964B1 (en) * 1998-11-27 2002-05-07 Kyocera Corporation Ceramic member resistant to halogen-plasma corrosion
US6379574B1 (en) * 1999-05-03 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Integrated post-etch treatment for a dielectric etch process
JP2001085411A (ja) * 1999-09-16 2001-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空処理方法
JP3348706B2 (ja) * 1999-09-29 2002-11-20 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP4523094B2 (ja) * 1999-10-19 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
KR20010062209A (ko) * 1999-12-10 2001-07-07 히가시 데쓰로 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치
US6554004B1 (en) * 2000-11-07 2003-04-29 Motorola, Inc. Method for removing etch residue resulting from a process for forming a via
JP4838464B2 (ja) * 2001-09-26 2011-12-14 東京エレクトロン株式会社 処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI398923B (zh) * 2007-08-16 2013-06-11 Ulvac Inc 灰化裝置
US9059105B2 (en) 2007-08-16 2015-06-16 Ulvac, Inc. Ashing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003030238A1 (fr) 2003-04-10
US20040259356A1 (en) 2004-12-23
CN100477111C (zh) 2009-04-08
CN101026097A (zh) 2007-08-29
US20070298617A1 (en) 2007-12-27
JP2003100719A (ja) 2003-04-04
CN1561540A (zh) 2005-01-05
JP4838464B2 (ja) 2011-12-14
US7297635B2 (en) 2007-11-20
CN100349268C (zh) 2007-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW561546B (en) Processing method
US7270761B2 (en) Fluorine free integrated process for etching aluminum including chamber dry clean
KR101611938B1 (ko) 에칭 피쳐의 cd를 제어하는 방법
US7344993B2 (en) Low-pressure removal of photoresist and etch residue
US5980768A (en) Methods and apparatus for removing photoresist mask defects in a plasma reactor
JP5674375B2 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
CN104882360B (zh) 等离子体处理装置的清洁方法
US20070224829A1 (en) Use Of Hypofluorites, Fluoroperoxides, And/Or Fluorotrioxides As Oxidizing Agent In Fluorocarbon Etch Plasmas
TWI409866B (zh) 自低ｋ介電材料移除光阻及後蝕刻殘留物之氣體混合物及其使用方法
KR20100028544A (ko) 하드마스크 개구 및 하드마스크 개구에 의한 에칭 프로파일 제어
WO2001008209A1 (en) Multiple stage cleaning for plasma etching chambers
JP4911936B2 (ja) プラズマアッシング方法
JP4558296B2 (ja) プラズマアッシング方法
KR101540816B1 (ko) 플라즈마 에칭 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 플라즈마 에칭 장치
TWI527113B (zh) A plasma etch method, a plasma etch apparatus, and a memory medium
JP2005251837A (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
WO2002103773A1 (en) Dry-etcching method
TWI420588B (zh) Plasma etching method
JP2007234770A (ja) プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
TWI293480B (zh)
TW200403746A (en) Etching method
TWI689007B (zh) 蝕刻方法
JP2003068709A (ja) ドライエッチング方法
Lee et al. Etch defect characterization and reduction in hard-mask-based Al interconnect etching
JP2003282540A (ja) プラズマエッチング方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees