TW560045B - Surface mountable optocoupler package - Google Patents

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TW560045B
TW560045B TW091119450A TW91119450A TW560045B TW 560045 B TW560045 B TW 560045B TW 091119450 A TW091119450 A TW 091119450A TW 91119450 A TW91119450 A TW 91119450A TW 560045 B TW560045 B TW 560045B
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Rajeev Joshi
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Fairchild Semiconductor
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560045 A7 〜-----B7__ 五、發明説明（i " (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 光執合器包含至少一光發射元件其會經由一光傳輸介 質而來光轉合於一光接收元件。此裝置乃可容資訊由一包 含該光發射元件的電路傳送至包含該光接收元件的另一電 路。在該二電路之間則保持高度的電絕緣。因為資訊係以 光方式來通過一隔離隙，故其傳輸係為單向的。例如，該 光接收元件並不能更改包含該光發射元件之電路的操作。 此特點非常重要，因為例如，該發射器可能被一使用微處 理器或邏輯閘的低壓電路來驅動，而該輸出的光接收元件 則可能為一高壓DC或AC負載電路的一部份。此等電隔離 亦可防止該輸入電路被較為高壓的輸出電路所損壞。 一種常用的光耦合器封裝體係為二合一封裝體或 DIP。此封裝體乃被廣泛地用來容裝積體電路，亦被使用 於習知的光耦合器中。具有4、6、8或16接腳之各種不同類 型的光耦合器DIP封裝體係為普遍製造者。 第1圖示出一習知光耦合器DIP封裝體1〇的截面圖。該 光耦合器10乃包含一導線架24含有導線24(a)、24(b)等（即 接腳）。一光發射元件12係設在一導線24(a)上。一光接收 元件14則設在另一導線24(b)上。該光接收元件14在接收由 5玄光發射元件12所發出的光之後將會產生一電訊號。該光 發射元件12係經由其底面而電連接於導線24(a)，並經由一 電線11來連接於另一導線（未示出）。同樣地，光接收元件 14會經由底面來電連接於導線24(b)，並經由一電線13來連 接於另一導線（未示出）。專業人士將可瞭解，該光發射元 件12係以二電接點，一陽極及一陰極，而來操作。該等接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 560045 A7 ......— B7 五、發明説明（2 ) ~'~~ — 點係由電線11與導線24⑷來提供。同樣地，該光接收裝置 Η亦X #點來‘作’典型為—射極與—集極。此等接點 m由電線u及導線24(b)來形成。該光搞合器ι〇更包含—光 #輸介質丨6。一成型材料18將會包封該導線架24、光發射 元件12、光接收元件14、及光傳輸介㈣等。 料多的改良可被實施於第旧所示的純合器封裝 ㈣中。例如，該封裝體10需要—昂貴且耗時的&封製程。 4 h U中’ $成型材料i 8會封罩該光麵合器封裝體 !〇的其它部份。除了該包封製程本身外，用來除掉過多的 A 1材料之成型材料除去製程（例如磨邊及拋光處理），亦 #增加製造該光搞合器封裝體的時間和㈣。而且，用來 成型不同“形式”(例如4、6、或8接腳的封裝體）所需的工呈 ㈣要可觀的資本投入。因此’若該包封製程得能免除:、 則製造該光耦合封裝體的時間和成本將可減少。 《它的改良亦可實施於該域合封裝體1()。該光轉合 ㈣體10亦易於在熱循環時故障。例如，該成型材料18與 光傳輸介質16之熱脹性質的差異，在它們被加熱及冷卻 肖，將會使它們以不同的速㈣膨脹及收縮。該成型材料 職光傳輸介質16亦可能會分開，而形成—結構脆弱的封 ! 裝體。溫度循環亦可能在該導線架24具有成型材料Μ之點 處（例如點“A”)產生應力。該應力會造成該導線架24的斷裂 或弱化。又’該等電線n、13有時亦會通過該光傳輸介質 16及成型材料18。該介f 16及成型材料此熱脹性質的差 異將會在該等電線U、13中產生應力，而使它們斷裂。 丨 _ 本紙張尺度:¾¾巾S Η家標準（CNS) Α4規格⑵GX297公爱) "" ' --
--------…：:·,........裝-… (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) :線丨 -訂丨 560045 五 發明説明（ 〃亦有而減卩牛白知光耦合器封裝體的高度。第1圖所示 之該光麵合器封裝體10係較高了些。例如，一典型mp封 裝㈣淨高度_為^〇_。故最好能減少該封裝體 的阿度，而使其具有較低的廓形。如此-來，將能製成更 小的電子構件。 本發明的實施例將會個別或共同地來解決這些及其它 的問題。 本發明的實施例係有關於光麵合器封裝體，光搞合器 組合總成，以及其製造方法等。 、本為明之一貫施例係為一光耦合器封裝體，包含：a) -載體基板含有多數的導電區；b)一光發射元件設於該載 體基板上；C)-光接收元件設於該載體基板上；d卜光傳 ，介質設於該光發射元件與光接收元件之間；及e)多數的 太干接構件ό又於该載體基板的至少一些導電區上。 設 設 之 本發明之另一實施例係為一光耦合器封裝體，包含： a)-載體基板含有多數的導電區；b)一光發射元件設於該 載體基板上；c)-第一接線將該發射元件連接於該等導電 區中之至少一者；d)一光接收元件設於該載體基板上，而 可接收由該發射元件發出的轄射；e)一第二接線將該接收 元件連接於該等導電區中之至少—者；f)_光傳輸介質 於該光發射元件與接收元件之間；及幻多數的焊接構件 於該等導電區中之至少一些I電區Ji，且該各焊接構件 尺寸係大於該光發射元件與接收元件的高度 本發明之另一實施例係為一光耦合器裝置，包含·· a) 560045 A7 _____B7 五、發明説明（4 ) ^" 一電路基板含有一第一組群的導電區；及…一光耦合器含 有⑴一載體基板；（ii)第二組群的導電區設在該载體=板 上；—光接收元件設於該載體基板上；（iv)一光發射元 件設在該載體基板上；⑺一光傳輸介質設在該光發射元件 與接收元件之間；及⑽多數的焊接構件設在該载體基板 之-第二組群的導電區的至少一些導電區上，而該光麵合 器封裝體係被裝設於該電路基板上。 本發明之另一實施例係為一絲製造光耦纟器封裝體 勺方法包$ · a)將一光發射元件固設於一具有多數導電 區的載體基板上；b)將—光接收元件固設於該載體基板 上；c)形成一光傳輸介質於該光接收元件與發射元件之 間，及d)在该載體基板的至少一些導電區上製成多數的焊 接構件。 本發明之另一實施例係為一種用來製造一光耦合器裝 ^的方法，包含·· a)依據前述的方法來製成該光耦合器封 波體，及b)將該光耦合器封裝體裝設於一電路基板上。 本發明之另一實施例係為一種可表面安裝的光耦合器 、妒體匕έ · a)—載體基板含有多數的導電區；b)—光 €射元件於$載體基板i ;。）一光接收元件設於該載體 反上，d)光傳輸介質設於該光發射元件與接收元件之 間，及e)多數的導電構件設於該載體基板之至少一些導電 區上；而該可表面安裝的光耦合器封裝體係可被安裝於一 電路構件上。 本發明之這些及其它的實施例乃參照圖式來詳細說明 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
7 560045 A7 _______B7_ 五、發明説明（5 ) 於後。 圖式之簡單說明： 第1圖為一習知光耦合器封裝體的側剖視圖； 第2圖為本發明一實施例之光耦合器封裝體的平面圖； 第3圖為沿第2圖之3-3線的截面圖； 第4(a)至4(d)圖為用來製成本發明實施例的光耦合器 封裝體之各階段結構的截面圖； 第4(e)圖為本發明之一實施例的光耦合器裝置。 本發明之一實施例係為一光耦合器封裝體。該光耦合 器封裝體包含一載體基板設有許多導電區。光電裝置例如 一光發射元件及一光接收元件等係被設在該載體基板上。 一光傳輸介質會被設於該光接收元件與發射元件之間。焊 接構件（或其它的導電構件）等會被設在該載體基板上的至 少一些導電區上。如此形成的封裝體將可被倒裝覆設在一 電路基板諸如電路板上。該等焊接構件能夠相對地連接該 電路基板及載體基板的導電區（例如導電接墊等）。因此， 本發明的一些實施例將可被用來作為一球格陣列（BGA)式 的封裝體。 於圖式中所示的許多具體實施例係使用設於一載體基 板上的焊接構件（例如焊球等）。但應可瞭解該等焊接構件 亦可由其它適當的導電構件，包括導電柱體（例如電鍍的銅 柱等之電鍍導柱）來取代。任何適當的導電結構皆可使用於 忒光耦合裔封裝體，而在本發明的實施例中來將該載體基 板電連接於一電路基板。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（21〇χ297公董） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂— :線丨 560045 A7 B7 五、發明説明（6 ) 第2圖係示出本發明之一實施例的光耦合器封裝體 30。該光耦合器封裝體3〇包含一載體基板32，其上設有一 光發射元件3 8及一光接收元件4 〇。在本例中，該光發射元 件38與光接收元件40乃可呈併列關係，並且完全地共平 面。它們會被定位於該載體基板32上，而使該接收元件4〇 能接收由該發射裝置3 8所發出的轄射。 任何適當的光電裝置皆可被使用於本發明的實施例 中。例如，該光發射元件38可由矽或砷化鎵所製成，且可 發射輻射線（例如紅外線、可見光等），其會被該光接收元 件40所偵測到。該光發射元件之一例係為LED(發光二極體） 元件。而光接收元件40之例包括光電晶體及光探測二極體 等。該光接收元件40亦可由一半導體材料例如矽來製成。 該載體基板32與光耦合器封裝體3〇可具有任何適當的 尺寸。例如，該載體基板32可具有一約1〇xl〇 mm2以内 (3·5χ3·5 mm2)的平面尺寸。當被裝設在一電路基板上時， 5亥光I馬合器封裝體3 0的高度係可小於一習知dip式封裝體 的同度（例如小於3.5或3.0 mni)。在一實施例中，該封裝體 3〇的最大高度，係可為大約L25 mm(即載體基材高度加焊 接構件高度），或當其裝在一電路基板上時甚至僅有i 〇 mm。例如，該載體基板32可約為〇·25 mm厚，而該等焊接 構件34之高度可約為1.00 mm，故該整個封裝體的高度係 約為1.25 mm。較好是，該等焊接構件的高度係大於該光 务射元件及該光接收元件的厚度。相較於習知的Dip式封 裝體，本發明的實施例會具有較低的廓形且占用較小的空 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
560045 A7 I五、發明説明（7 ) "~~ 間。因此’使用本發明之實施例的電子構件將能比使用習 知DIP式封裝體之電子構件製得更小。 一光傳輸介質48可覆蓋該光發射元件38、光接收元件 4G及接線52等。該光傳輸介質48可包含—光學級的石夕膠晶 粒塗層材料（例如一“圓頂式，，的包封物）。在某些實施例 中’该光傳輸介質48所塗佈的區域約在數㈤㈤左右（例如小 於 1 ·6χ 1.6 mm2)。 一凸堤結構36可被用來圍限該光傳輸介質48的液體或 is態的前身質。其可被設成環繞該介f48與該等光發射 元件38和接收元件40，而將它們包圍在一界線内。該凸堤 結構36在該光傳輸介質48被形成後，乃可被留在該封裝體 30上或者被除去。在其它的實施财，若形成該光傳輸介 貝之材料的機械性質（例如表面張力及黏性）足以形成一適 當的形狀（例如一圍堤狀），則將不須要該凸堤。 有多數的焊接構件34被設在該光發射元件38與接收元 # 40的周15。該等焊接構件34乃可例如為焊球。該等焊球 之例係可具有約1 mm左右或更小的半徑（例如G75麵）。 «焊接構件34會形如光發射元件38與接收元件4()的輸入 /輸出端子。在該載體基板32上之焊接構件34可具有任何適 | f的間距。例如，在某些實施例中，其平均間距約為2·5_ 或更小。當該載體基板32倒裝覆設在一電路基板上之後， 該等焊接構件34會將電路基板（未示出）與該載體基板伽 開。 該載體基板32包含多數的導電區。該等導電區包括在 ----—__— —____ 本紙張尺度朝巾關家標準（CNS) Α4規格(210X297公釐;^ -----—— -10 -
、一吓丨丨_ :線丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 560045
五、發明説明（8 ) 焊接構件底下者，在光發射元件38底下者，在光接收元件 4〇底下者，及鄰近於該發射元件38與接收元件扣之導電區 46等。任何導電區乃可例如為由銅、金等所製成的導電接 墊。 鄰近於光發射元件38與接收元件4〇的導電區46等係能 以接線52來連接各元件。導電線路45等可被用來將焊接構 件34連接於導電區46、光發射元件38及接收元件4〇等。 如第2圖所示之實施例，係僅為本發明之一實施例而 已。雖有一特定的導電線路及導電區之配置被示於第2圖 中，惟應可瞭解在本發明之實施例中，該等導電線路與導 電區乃可為任何適當的大小和形狀。且，雖於第2圖中所示 的貫施例具有一光發射元件3 8，一光接收元件4〇，及四個 焊接構件34等，但亦可瞭解在本發明的實施例中，任何適 §數目的光電裝置及焊接構件（以任何適當的配置）亦可被 設於該光耦合器封裝體中。 第3圖係為第2圖中之該封裝體3 〇的側剖視圖。如第3 圖所示，本實施例之該光傳輸介質48的高度並未超過（在該 載體基板3 2之導電區上的）焊接構件3 4之高度。該各焊接構 件34之尺寸可大於該等光接收元件40與發射元件38的厚 度。當該光耦合器封裝體30被裝設於一電路基板（未示出） 上時，該等焊接構件會將該電路基板與載體基板32隔開。 用來製造第2與3圖中所示之光耦合器封裝體3〇的方法 之例，乃參照第4(a)至4(d)圖來說明。一可製成一包含該光 耦合器封裝體30之光耦合器裝置1 〇〇的方法之例，則參照第 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚) 560045 A7 ________B7_ 五、發明説明（9 ) 4(e)圖來說明。 第4(a)圖係示出一光發射元件38被設在一載體基板12 的導電區上。較好是，該載體基板32包含一陶瓷材料或金 屬化的陶瓷材料。陶瓷材料具有較佳的結構、熱導性、及 電絕緣性。4載體基板3 2可包含或亦可不包含一内部電 路。一光接收元件（未示於第4(a)圖中）亦可被設在該光發射 元件38的同一面上。該光發射元件38與光接收元件能以任 何專業人士所習知之任何適當的方法來被裝設在該載體基 板32上。 該載體基板32亦可包含多數的導電區及導電線路而形 成任何適當的配置。在第4(a)圖所示之例中，有些導電區 47係被設在該載體基板32的邊緣區域，且在該光發射元件 32與光接收元件（未示出）的周圍。該等導電區47乃可例如 為導電接墊，其上會被製設焊接構件。内部的導電區牝亦 可為導電接墊。有一接線52可被連結於該内導電區46以及 光發射元件38。一導電區49亦被設在光發射元件38底下。 於第4(a)圖中所示之結構亦得以任何適當方式來製 成。例如，在某些實施例中，有多數的光發射元件亦可被 設於一半導體晶圓（未示出）上。在製成該等光發射元件之 後，該半導體晶圓乃可被使用例如一切鋸來分割。在該等 光發射元件互相分開之後，個別的光發射元件則可用任何 適當的方法來被裝在呈一大片或長條狀的許多載體基板之 各基板上。例如，該光發射元件可被以晶粒固接法來設於 該載體基板上。-晶粒固接技術乃可例如使用膠劑或焊劑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇χ297公釐） ---------·——·---------裝…： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---- :線— 12 560045 A7 ------B7_ 説明（10) — -- 熔接晶粒技術。而光接收元件亦能以相同的方式來製成及 固設於載體基板上。 、 當一光電裝置例如光發射元件被裝在一個別的載體基 材上時，該載體基板係可為一大片或一長條連接在一起之 許多載體基板中的一個。晶粒隔條或其它的結構可被用來 將該等個別的載體基板連結在一起而呈片狀或條狀。在該 等步驟例如製成一凸堤結構、製成該等光傳輸介質、及製 成該等焊接構件（此將會全部詳述於後）之一或多個步驟之 後，該晶粒隔條將可被用來（例如以鋸片等切割元件）分開 個別的載體基板，而形成單個的光耦合器封裝體。為簡化 圖示，故僅有一載體基板32被示於第4(4至4((1)圖中。應可 暸解本發明之實施例的光耦合器封裝體係可接續地在單一 的載體基板上來製成，或亦可同時地在呈一大片或長條狀 的許多載體基板上來製成。 在泫等光發射元件3 8及接收元件40被裝設在該載體基 板32之後，有一接線52(例如金線）嗣可被連接於該光發射 元件38及一對應的導電區46。另一接線（未示出）亦可被連 接於光接收元件與其所對應的導電區。該接線連接法於該 技術領域中係已公知。例如，接線可被使用一熱聲波連接 法來連接於該光接收元件、發射元件、或載體基板的導電 區上。 請參閱第40(b)圖，有一凸堤結構51可被形成於該載體 基板32上。該凸堤結構5丨可包含一環任何適當材料，其係 被設成圍繞該光發射元件38及接收元件（未示出）。該凸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs) A4規格（21〇><297公爱） 13 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
560045 A7 |——___ B7 五、發明説明（11 ) 1 結構51會形成一實體的阻隔物來框限後續沈積的光傳輸材 料或光傳輸材料的前身質。任何適當的材料皆可被使用於 該凸堤結構51。在某些實施例中，一封閉造型（如圓形）的 膠劑材料乃可被以一適當的塗佈器來沈積於該載體基年32 上，而包圍該光發射元件38及接收元件。該膠劑材料嗣會 被固化。 ' 請參閱第4(c)圖，當該凸堤結構51完成後，一光囀輸 材料48可被設在該凸堤結構51内。一光傳輸材料的前身質 例如一矽膠液體或凝膠，乃可用一適當的配佈器來沈積在 該載體基板32上，且於該凸堤結構51内。該配佈器乃可例 如為一注射針頭，而可將液態矽膠配佈於該載體基板32 上。該凸堤結構51會限阻該光傳輸材料前身質向外流動， 而使其不會達到該等外導電區47。當該光傳輸材料前身質 被沈積於載體基板32之後，該沈積的矽膠液體嗣可被固化 (例如熱固化）成固態，而來形成該光傳輸介質48。 在该光傳輸材料48固化之後，有許多的焊接構件34可 #設在該料電區47上。該料接構件可包括例如標準的 錫/鉛焊料（例如63/37)。該等焊接構件34可用任何適當的方 法來製成。例如，其可藉將焊劑原料沈積於導電區47上（例 I 如以模印方式）來製成。將焊料沈積在導電區之後，該焊料 可被重流處理而形成焊球。於一變化實施例中，該等焊接 構件係可將預先製成的焊球置設並連接於導電區上而來 製成。 雖按一特定順序的製程已參照第4 (a)至4 (d)圖來說明 觀賺)-----：—
ir :線_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 560045
、發明説明 如上’惟應可瞭解本發明的實施例並不受限於前述各步驟 的順序。例如，在某些實施例中，其亦可於將一光傳輸介 負形成於載體基板之前，先在該載體基板上製成焊接構件。 請參閱第4(e)圖，當該等焊接構件34已被形成於載體 基板32的導電區47上之後，則被製成的光耦合器封裝體3〇 即可被倒置而表面裝設於一電路基板57上，以形成一光耦 合器裝置100。該等焊接構件34可被對準於電路基板57的導 電區59 ’而將該載體基板連接於電路基板57。該電路基板 57係可例如為一印刷電路板。 在所示實施例中，有一間隙會存在於光傳輸介質48與 電路基板57之間。該間隙可為一沒有任何材料的空間。但 較好是，該空間能夠容許該光傳輸介質48得於熱循環時自 由地恥脹或收縮。舉例而言，當在製造該光耦合器封裝體 30時’该光傳輸介質48會在例如焊劑重流過程中受到加熱 及冷卻。又，當該光耦合器封裝體3〇被設於一光耦合器裝 置100中時，該封裝體3〇在使用該裝置1〇〇的電子裝置之操 作過私中亦可能受到各種加熱及冷卻的循環。在此二情況 下，該光傳輸介質48將能自由地膨脹及收縮，而不會被一 封罩所囿限。故在該封裝體内會較少產生應力。此將可形 成一更可靠的封裝體。 在其它貫施例中，該光傳輸介質48與電路基板47之間 的空隙亦可被以一材料來填滿。例如，一非反射材料可被 δΧ於忒空隙内，俾減少由該光發射元件發出的輻射再從電 路基板57中之任何電路（未示出）造成任何可能的反射。或 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（21〇)<297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) •裝丨 t. :線丨 15 560045 A7 者反射材料亦可被塗設在該光傳輸介f48上，來協助 料任何在該介質48内所被發射的_。該等反射塗膜亦 可包括例如二氧化鈦等材料。 m法的任何適當肖點，胃光轉合封裝體或其半成 自可被測#、分割及包裝。在_分割過程巾，若該載體 基板32係為整片或長條狀之許多載體基板（例如一大片或 長條的陶究）中之一小片材，則可藉切割來與該整片或長條 中的其它基材分開。 本發明的實施例除了以上所述者之外，尚有其它許多 的優點。例如，因在本發明的實施例中不需要一成型材料 及接腳等，故在接腳與接線中產生應力的問題將會被消除 或減少。又，在本發明的實施例中亦無需一使用成型材料 來罩覆的程序。免除該罩覆製程以及該罩覆製程所附帶的 各項程序，將可減少成本及製造時間。此更能造成低成本 的封裝體。而且，由於本發明的實施例不必使用該等成型 材料及接腳，故亦不需要為各種不同封裝體（例如4、6、8 個接腳等）所準備之特定的模具。此將可減少為許多各種不 同“製成要素，，之光耦合器封裝體來保存特定工具的需要。 又，在本發明的實施例中，該載體基板可由市場上來提供， 並依須要來保持存貨。最後，當該光耦合器封裝體被裝在 一電路基板上時，該封裝體會比前述所提之習知光耦合器 封裝體具有更低的廓形。因此，使用本發明的實施例將會 比使用習知的DIP式光耦合器封裝體更能製成較小的電子 構件。 11 " 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210X297公釐) 77 一'
-----------------裝…： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •訂 線· 560045 A7 —---- -B7_ Α、發明說明（14) 雖以上所述係本發明之某些特定較佳實施例，但本發 明之其它更多的實施例亦可被得知而不超出本發明的基本 範圍。該等變化實施例應被含括於本發明的範圍内。且， 本發明之一或多個實施例的特徵亦能與其它實施例的一或 多個特徵來組合，亦不超出本發明的範圍。 元件標號對照 1 〇...習知光耦合器DIP封裝體 3 6、51…凸堤結構 11、13···電線 3 8…光發射元件 12...光發射元件 40…光接收元件 14.··光接收元件 45…線路 b···光傳輸介質 46、47、49·.·導電 H··成型材料 4 8…光傳輸介質 24...導線架 52…接線 24a、b·..導線 57···電路基板 30...光耦合器封裝體 59...導電區 32...載體基板 100·.·光耦合器裝] 34...焊接構件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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Claims (1)

  1. 560045 ABCD 申請專利範圍 第9m9450號申請專利範圍修林 .修正日^090Λ709月 L 一種光耦合器封裝體，包含·· a) —載體基板含有多數的導電區； b) —光發射元件設於該載體基板上； Ο—光接收元件設於該載體基板上； d) —光傳輸介質設於該光發射元件與光接收元件 之間；及 e) 多數的焊接構件設於該載體基板的至少一些導 電區上。 2·如申請專利範圍第1項之光耦合器封裝體，更包含有一 凸堤結構設在該載體基板上，並包圍該光發射元件與光 接收元件。 3.如申請專利範圍第1項之光耦合器封裝體，其中該各焊 接構件具有一尺寸大於該光發射元件與光接收元件的 厚度。 4·如申請專利範圍第1項之光耦合器封裝體，更包含一反 射塗層設在該光傳輸介質上。 5·如申請專利範圍第1項之光耦合器封裝體，更包含一第 一接線將該光發射元件連接於一導電區，及一第二接線 將該接收元件連接於該載體基板上之一導電區。 6_ —種光耦合器封裝體，包含： a) —載體基板含有多數的導電區； b) —光發射元件設於該載體基板上； e)—第一接線將該光發射元件連接於該等導電區 之至少一者； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 18 560045 A8 B8 C8 ------—______D8 六、申請專利範圍 d) —光接收元件設於該載體基板上，而可接收由今 光發射元件所發出的輻射； e) —第二接線將該光接收元件連接於該等導電區 之至少一者； 0 —光傳輸介質設於該光發射元件與光接收元件 之間；及 g)多數的焊接構件設在該等導電區之至少一此導 電區上，且該各焊接構件包含一尺寸大於該光接收單元 與光發射單元的厚度。 7·如申請專利範圍第6項之光耦合器封裝體，其中該光傳 輸介質包含矽膠。 8·如申請專利範圍第6項之光耦合器封裝體，其中該等焊 接構件係被設在該光發射元件，光接收元件，及光傳輸 介質之周圍。 9·如申請專利範圍第6項之光耦合器封裝體，其中該載體 基板包含一陶瓷材料。 10· —種光耦合器裝置，包含： a) —電路基板含有第一組群的導電區；及 b) —光耦合器封裝體，包含⑴一載體封裝體，（π) 一第二組群的導電區設在該載體基板上，（iii)一光接收 7L件設在該載體基板上，（iv) 一光發射元件設在該載體 基板上，（V)—光傳輸介質設於該光發射元件與光接收 元件之間，及（Vi)多數焊接構件設在該載體基板之至少 一些第二組群的導電區上； 巧張尺度適用中關家標準（―CNS) A4規格⑵0><297公笼了—- -19 - 利範圍 1 其中該光耦合器封裝體係被裝設在該電路基板上。 L如申請專利範圍第10項之光耦合器裝置，其中有一間隙 會存在於該光傳輸介質與電路基板之間。 2· 一種光搞合器封裝體的製造方法，包含： a) 將一光發射元件裝在一具有多數導電區的載體 基板上； b) 將一光接收元件裝在該載體基板上； c) 於該光發射元件與光接收元件上製成一光傳輸 介質；及 d) 在該載體基板的至少一些導電區上製成多數的 烊接構件。 13·如申請專利範圍第12項之方法，其中該等焊接構件包含 焊球。 14·如申請專利範圍第12項之方法，其中製成該等焊接構件 的步驟包含： 在該載體基板之至少一些導電區上沈積多數的焊 料；及 重流該等焊料沈積物。 15·如申請專利範圍第12項之方法，其中步驟句係在步驟幻 之後來進行。 16. 一種光耦合器裝置之製造方法，包含·· a) 按照上述申請專利範圍第12項之方法來製成該 光耦合器封裝體；及 b) 將該光耦合器封裝體裝設於一電路基板上。 560045 A8 B8 C8 m -----—__ 六、申請專利範圍 17·—種可表面安裝的光耦合器封裝體，包含： a) —載體基板含有多數的導電區； b) —光發射元件設於該載體基板上； c) 一光接收元件設於該載體基板上； d) —光傳輸介質設於該光發射元件與光接收元件 之間；及 e) 多數的導電構件設在該載體基板的至少一些導 電區上； 其中該可表®安裝的光耦合器封裝體係可被裝設 在一電路構件上。 18_如申請專利範圍第17項之可表面安裝的光耦合器封裝 體’其中該等導電構件包括多數的導電柱體。 19. 如申請專利範圍第17項之可表面安裝的光耦合器封裝 體，其中該電路構件係為一印刷電路板。 20. 如申請專利範圍第17項之可表面安裝的光耦合器封裝 體，其中該各導電構件具有一高度大於該光發射元件與 光接收元件的高度。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） 21
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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6720642B1 (en) * 1999-12-16 2004-04-13 Fairchild Semiconductor Corporation Flip chip in leaded molded package and method of manufacture thereof
US6870254B1 (en) * 2000-04-13 2005-03-22 Fairchild Semiconductor Corporation Flip clip attach and copper clip attach on MOSFET device
US6661082B1 (en) * 2000-07-19 2003-12-09 Fairchild Semiconductor Corporation Flip chip substrate design
US6798044B2 (en) * 2000-12-04 2004-09-28 Fairchild Semiconductor Corporation Flip chip in leaded molded package with two dies
US6753605B2 (en) * 2000-12-04 2004-06-22 Fairchild Semiconductor Corporation Passivation scheme for bumped wafers
US6469384B2 (en) * 2001-02-01 2002-10-22 Fairchild Semiconductor Corporation Unmolded package for a semiconductor device
JP2004006753A (ja) * 2002-04-05 2004-01-08 Canon Inc 光半導体用パッケージ
US7122884B2 (en) * 2002-04-16 2006-10-17 Fairchild Semiconductor Corporation Robust leaded molded packages and methods for forming the same
US7061077B2 (en) * 2002-08-30 2006-06-13 Fairchild Semiconductor Corporation Substrate based unmolded package including lead frame structure and semiconductor die
US7217594B2 (en) * 2003-02-11 2007-05-15 Fairchild Semiconductor Corporation Alternative flip chip in leaded molded package design and method for manufacture
US6867481B2 (en) * 2003-04-11 2005-03-15 Fairchild Semiconductor Corporation Lead frame structure with aperture or groove for flip chip in a leaded molded package
DE10332015A1 (de) * 2003-07-14 2005-03-03 Infineon Technologies Ag Optoelektronisches Modul mit Senderchip und Verbindungsstück für das Modul zu einer optischen Faser und zu einer Schaltungsplatine, sowie Verfahren zur Herstellung derselben
US7196313B2 (en) * 2004-04-02 2007-03-27 Fairchild Semiconductor Corporation Surface mount multi-channel optocoupler
US7256479B2 (en) * 2005-01-13 2007-08-14 Fairchild Semiconductor Corporation Method to manufacture a universal footprint for a package with exposed chip
JP4914010B2 (ja) * 2005-01-20 2012-04-11 新日本無線株式会社 半導体光センサ
JP2006324589A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Sharp Corp Ｌｅｄ装置およびその製造方法
WO2007005263A2 (en) 2005-06-30 2007-01-11 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor die package and method for making the same
KR20070045462A (ko) * 2005-10-27 2007-05-02 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
US20090057852A1 (en) * 2007-08-27 2009-03-05 Madrid Ruben P Thermally enhanced thin semiconductor package
US7371616B2 (en) 2006-01-05 2008-05-13 Fairchild Semiconductor Corporation Clipless and wireless semiconductor die package and method for making the same
US7618896B2 (en) 2006-04-24 2009-11-17 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor die package including multiple dies and a common node structure
DE102006042806A1 (de) * 2006-09-08 2008-03-27 Endress + Hauser Flowtec Ag Opto-elektronische Vorrichtung
US20080145960A1 (en) * 2006-12-15 2008-06-19 Gelcore, Llc Super thin LED package for the backlighting applications and fabrication method
US7768105B2 (en) * 2007-01-24 2010-08-03 Fairchild Semiconductor Corporation Pre-molded clip structure
US7659531B2 (en) * 2007-04-13 2010-02-09 Fairchild Semiconductor Corporation Optical coupler package
US7737548B2 (en) 2007-08-29 2010-06-15 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor die package including heat sinks
US20090140266A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Yong Liu Package including oriented devices
US8106406B2 (en) * 2008-01-09 2012-01-31 Fairchild Semiconductor Corporation Die package including substrate with molded device
KR101524545B1 (ko) * 2008-02-28 2015-06-01 페어차일드코리아반도체 주식회사 전력 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101519062B1 (ko) * 2008-03-31 2015-05-11 페어차일드코리아반도체 주식회사 반도체 소자 패키지
US7973393B2 (en) 2009-02-04 2011-07-05 Fairchild Semiconductor Corporation Stacked micro optocouplers and methods of making the same
US20100289129A1 (en) * 2009-05-14 2010-11-18 Satya Chinnusamy Copper plate bonding for high performance semiconductor packaging
US20130313447A1 (en) * 2010-03-23 2013-11-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Opto-coupler
DE202010006553U1 (de) 2010-05-06 2011-10-05 Endress + Hauser Flowtec Ag Elektronisches Meßgerät mit einem Optokoppler
JP5798315B2 (ja) * 2010-11-19 2015-10-21 株式会社神戸製鋼所 コンタクトプローブピン
WO2012108011A1 (ja) * 2011-02-09 2012-08-16 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール
US8421204B2 (en) 2011-05-18 2013-04-16 Fairchild Semiconductor Corporation Embedded semiconductor power modules and packages
US9787377B2 (en) * 2014-12-17 2017-10-10 Qualcomm Incorporated Mutual WLAN and WAN interference mitigation in unlicensed spectrum
CN107845612A (zh) * 2017-11-28 2018-03-27 无锡豪帮高科股份有限公司 一种二次封装集成光耦电路的结构及其方法
CN109301028B (zh) * 2018-09-20 2020-01-31 西安微电子技术研究所 一种一次成型的塑封光电耦合器制作方法
JP7482072B2 (ja) * 2021-03-22 2024-05-13 株式会社東芝 半導体装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4450461A (en) * 1981-07-24 1984-05-22 General Electric Company Low cost high isolation voltage optocoupler with improved light transmissivity
JPS58118175A (ja) * 1982-01-06 1983-07-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> フオトカプラ
US4445043A (en) 1982-01-28 1984-04-24 General Instrument Corporation Method of making an optocoupler
JPS60262475A (ja) * 1984-06-08 1985-12-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd ホトカプラ
JPS611066A (ja) * 1984-06-13 1986-01-07 Stanley Electric Co Ltd プリント基板に装着されたｌｅｄチツプのモ−ルド方法
JPS61195073U (zh) * 1985-05-27 1986-12-04
JPS61295676A (ja) * 1985-06-24 1986-12-26 Sharp Corp ホトカプラ
JPS61295675A (ja) * 1985-06-24 1986-12-26 Sharp Corp ホトカプラ
DE3633181C2 (de) * 1986-09-30 1998-12-10 Siemens Ag Reflexlichtschranke
JPH0428269A (ja) * 1990-05-23 1992-01-30 Fujikura Ltd Ｌｅｄベアチップの実装構造
JPH04356974A (ja) * 1991-05-13 1992-12-10 Omron Corp フォトカプラ及び半導体リレー
US5203075A (en) * 1991-08-12 1993-04-20 Inernational Business Machines Method of bonding flexible circuit to cicuitized substrate to provide electrical connection therebetween using different solders
JPH05290669A (ja) * 1992-01-22 1993-11-05 Fujikura Ltd 照光スイッチ
EP0630056B1 (en) * 1993-05-28 1998-02-18 Toshiba Ave Co., Ltd Use of anisotropically conductive film for connecting leads of wiring board with electrode pads of photoelectric converting device and mounting method of the device
US5489800A (en) * 1994-08-31 1996-02-06 Motorola, Inc. Dual channel small outline optocoupler package and method thereof
US5545893A (en) 1994-12-23 1996-08-13 Motorola, Inc. Optocoupler package and method for making
DE59713027D1 (de) * 1996-09-30 2010-03-25 Infineon Technologies Ag Mikroelektronisches bauteil in sandwich-bauweise
JP3163419B2 (ja) * 1997-08-22 2001-05-08 日本レック株式会社 電子部品の製造方法
JPH11163392A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Matsushita Electric Works Ltd 半導体リレー
US6393183B1 (en) * 1998-08-13 2002-05-21 Eugene Robert Worley Opto-coupler device for packaging optically coupled integrated circuits
EP1041628A3 (en) * 1999-03-29 2008-05-28 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw An image sensor ball grid array package and the fabrication thereof
JP2001185752A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置とそれを用いた光信号入出力装置

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Publication number Publication date
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