TW559683B - Liquid display device and manufacturing process therefor - Google Patents

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五、發明說明（1 ) [發明的背景] [發明所屬的技術領域] 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明為關於矩陣型顯示裝置所用之具備薄膜電晶體 矩陣基板的液晶顯示裝置及其製造方法。 [習用的技術] 矩陣型顯示裝置通常為以設有薄膜電晶體（以下稱其 為TFT)等的薄膜電晶體矩陣基板（以下稱為TFT矩陣基板） 及設有彩色過濾器及黑矩陣等的對向基板所構成之2牧 的基板間挾持液晶等的顯示材料，而為對於該顯示材料， 選擇的施加電壓以顯示影像。 對於TFT矩陣基板為如第14圖的等價電路所示，將 畫素配置成矩陣狀。 如第14圖所示，Gl，G2，G3為掃描訊號線（以下稱 閘極配線），SI，S2，S3為影像訊號線（以下稱源極配線），， Csl，Cs2，Cs3為形成保持容量用的保持容量電極線（以 下稱Cs配線）。 其他之la至II為TFT，以TFT當做開關元件控制 制對於畫素電極的電荷之充放電。又2a至2i為保持容量 (以下稱Cs容量），由形成絕緣膜於畫素電極與Cs配線之 間而作成，畫素電極為用ITO等的透明電極形成，與對 向電極之間挾持液晶而形成3a至31所示的液晶容量 C 1C。再則4a至41為寄生的形成在源極配線與畫素電極 間的寄生容量Cdp。TFT之導通（〇N)與斷通（〇FF)為以閘 極配線當做閘極而實施。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 310693 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 =σ 559683 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 五、發明說明（1 2 ) 畫素電極為經由TFT連接於源極配線，依據源極配 線之訊號電位的大小使充電於畫素電極的電荷量變化，由 此以設定畫素電極的電位。液晶的變位量為依照畫素電極 與對向電極間之電壓而變化，而由後面的透過光量即依此 而變化。因此由控制源極配線的訊號電位即可控制光學的 訊號變化而顯示為影像。 為要提高影像的品質，有必要盡量減小由閘極配線等 之訊號電位的變化引起之畫素電位的變動，而於畫素電極 設以Cs容量2a至2i以增加畫素的總容量。Cs容量2a 至2ι為由設置絕緣膜於與對向電極為同電位的配線 Csl至Cs3與畫素電極之間而形成。 第15圖表示習用之TFT矩陣基板的畫素配置。第16 圖表示第15圖之A-A領域依箭頭方向的斷面圖。又第p 圖及第18圖表示以A_A領域之斷面圖為例的 部的形成方法。 Ml 第15圖中為閘極配線，104為半導體薄膜，ι〇7 為源極配線，108為源極，1〇9為汲極，lu為Cs配線， 114為畫素電極。 第16圖中，101為玻璃基板，1〇3為閘極絕緣膜，1〇5 為1層（由無摻劑非結晶矽等構成的半導體層），1〇6為打 層（例如為由含有η型不純物之非結晶矽等構成的半導體 層）’ 113 |絕緣臈，χ與先前之說明所用肖一符號則為 表示同一或相當的部分。 其次參照第17圖及第18圖說明第16圖所示之斷面 _-------------·裝--------^訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 本紙張尺度適用中國國冢標準（CNS)A4規格__(210 χ 297八楚 2 310693 559683

五、發明說明（3 ) 構造的矩陣型顯示裝置的製造工序。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先如第17圖（a)所示，於玻璃基板1〇1上形成做為 閘極102的金屬膜i〇2a，再如第17圖（b)所示形成具有相 菖於閘極102之平面形狀的抗餘圖形（resist pattern) 11 〇a， 以其為蝕刻遮膜對金屬膜1〇2&實行蝕刻，製成閘極1〇2 後除去抗蝕圖形ll〇a。 其次如第17圖c所示，順次的積層閘極絕緣膜ι〇3， 1層105 ’ η層106，然後如第17圖⑷所示於留置之i層 105及n層1〇6的領域上形成抗蝕圖形u〇b，以其為蝕刻 遮膜順次對η層106，i層1〇5實行蝕刻以除去抗蝕圖形 110b。 其後如第17圖（e)所示，積層以形成做為畫素電極114 的ITO薄膜114a，以第18圖（a)所示形成相當於畫素電極 114之形狀的抗餘圖形n〇c為餘刻遮膜對ιτο薄膜1 “a 實行餘刻製成畫素電極114，然後除去抗蝕圖形11〇c。 其次如第18圖（b)所示，積層以形成做為源極配線 107，源極108，汲極1〇9的金屬膜U2a，如第18圖（c) 所示，形成相當於源極配線107,源極1〇8,汲極1〇9所 需要的領域之抗蝕圖形ll〇d，以其為蝕刻遮膜對金屬膜 112a實行兹刻，再對！！層1〇6，i層1〇5的部分亦選擇的 實行蝕刻，除去抗蝕圖形ll〇d，形成絕緣臈113即可製 成第Ιό圖所示之斷面構造的習用之矩陣型顯示裝置。 其次舉例說明習用之TFT構造的機能。對於上述之 第16圖的畫素電極U4充電以電荷時，源極1〇8為施加 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 3 310693 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 • I I n ϋ ·1 ϋ Lk 11111

ϋ ϋ I 559683 A7 B7 五、發明說明（4) 以9V程度的電壓，對於閘極1〇2為施加20V前後之正電 壓而使TFT成為導通狀態，汲極1〇9及畫素電極114為 充電於約近為9V。 其後於畫素電極114的電位十分的上升時，對於閘極 102施加-5V程度的負電壓使TFT斷通，由而將電荷閉持 於畫素。 習用之畫素構造為如上所述，其畫素電極i 14為經由 TFT連接於源極配線1〇7，依源極配線1〇7之訊號電位的 大小以設定畫素電極114的電位。液晶的變位量為應於畫 素電極114與對向電極間的電壓而變化，由此以變化從後 面的透過光量。 因此由控制源極配線107的訊號電位而控制光學的訊 號變化以顯示影像。 液晶顯示裝置的最大明亮度為由前述畫素之光的透過 率而決疋’透過率則由於透過光之部分的面積，即畫素的 開口部之面積愈大而愈高，為要得到高亮度的液晶顯示裝 置，有必要增大開口部佔有畫素全體之面積（以下稱開口 率）。 增大開口率的方法之一有減小如第15圖所示之畫素 電極114與源極配線107之距離的方法。然而如減小畫素 電極114與源極配線107的距離，則第14圖所示之源極 配線107與畫素電極114之間產生的寄生容量C(jp將增 大。 通常於源極訊號發生變化時，經由寄生容量C (Jp而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^1 ϋ _1 Ball an K_i i·— BB1 erne ammmm —Bi ϋ n I · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 310693 559683 A7 __B7 五、發明說明（5 ) 畫素電位將變化’畫素電位的變化量於寄生容量C dp愈 大，以及源極訊號的變化量愈大時愈大。寄生容量Cdp 變大則發生串擾（crosstalk)的問題。參照第14圖說明串 擾時，設只對畫素（液晶容量3a)寫入時增大源極訊號的波 幅，而對其他的畫素（液晶容量3b至3i)寫入時減小源極 訊號的波幅，則源極配線S1上的液晶容量3(1，3g持有 的畫素位受到對於液晶容量3a持有的畫素寫入資料時之 大源極訊號波幅而變化，以致發生與鄰接之液晶容量3e， 3h持有之畫素所具有的畫素電位為不同的現象。 由於上述串擾的發生，除了液晶容量3a持有的畫素 以外’本來以相當顯示資料應該顯示相同亮度結果源極 配線S1上的畫素與S2, S3上的畫素之亮度會產生差別。 亦即如減小畫素電極114與源極配線1〇7間之距離，則由 於發生串擾，因此有必要設一預定值以上之畫素電極與源 極配線間的距離，由而發生無法提高液晶顯示裝置之開口 率的問題。 又表示習用技術的文獻之一有如日本特開平3-288824 號公報所示。該公報表示相當於Cs配線的配線與畫素電 極為部分重疊之構造的液晶顯示裝置。 如以上的說明，於習用的TFT陣列基板的畫素構造， 為要提尚開口率而減小畫素電極與源極配線的距離則增加 寄生容量Cdp，以致發生串擾之於構造上的問題。 又於習用之活性矩陣（active matrix)型的液晶顯示裝 置之陣列基板，在其絕緣性基板上配列形成行方向之複數 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-------h 訂--------^^^1 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 5 310693 559683 A7 B7 五、發明說明（6) 條的閘極配線及列方向之複數條的源極配線，於閘極配線 及源極配線的交叉位置形成TFT及與其連接之畫素電極 構成的一畫素，於其上部形成配向膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 一方面用以挾持液晶之另一方的基板，即對向基板為 於絕緣性基板上形成共通電極，於其上形成有配向膜。將 陣列基板與對向基板之形成有畫素電極與共通電極之面對 向，然後於兩基板的間隙挾持以液晶組成物。通常於陣列 基板側及對向基板側將配向膜為偏移90度的方向實行配 向處理，因此有使用液晶分子向厚度方向扭轉9〇度並列 之TN液晶。 第19圖表示例如於曰本特開平6-308533號公報記載 之習用的另一 TN型液晶顯示裝置之畫素的平面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖中201為源極配線，202為與源極配線201交又配 置的閘極配線’ 203為形成Cs容量的Cs配線，與閘極配 線202同一的工序形成。204為形成TFT之通道的半導體 層，205為畫素電極，206為TFT的没極而連接於畫素電 極205。以半導體層204，源極配線201，閘極配線202， 汲極206構成TFT。 第20圖表示習用之液晶顯示裝置之畫素於切斷Cs 配線時的訊號之流通的模式圖。 圖中，208表示閘極配線202與Cs配線203的短路 處所，209表示於短路處所208之兩側切斷Cs配線203 的切斷處所，210表示Cs配線203的訊號流通。Sn為個 個的源極配線，Gk為個個的閘極配線，Vcom為對向基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 6 310693 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 559683 A7 _____B7 一 -------- 五、發明說明（7 ) 板之共通電極的電位’ Cs配線的電位為與其相同。 其次說明習用之液晶顯示裝置的動作。 當於閘極配線202輸入導通訊號使TFT成為導通狀 態，對Cs容量及液晶的容量（以下用Clc表示）寫入由源 極配線201之預定的電荷。其次當閘極配線2〇2的選擇訊 號變為斷通時TFT成為斷通狀態（高電阻狀態），由源極配 _線201寫入的電荷被保持，以該電荷決定的電位與對向基 板之共通電極的電位之差所決定的實效電壓為施加於^ 晶，由此得比例於實效電壓的透過率而達成所望的液晶顯 示〇 於此如閘極配線202的選擇訊號變化時，則經由閘極 配線202與汲極206的耦合（coupiing)容量（以Cgd表示） 使汲極206的電位變化。設該電位變動為，則 可由下式表示。 Δ Vgd=(CgdX Δ Vg)/(Cgd+Cs+Clc)......⑴ 式中之AVg為閘極配線202的訊號由導通變化為斷通時 電位之變化量。由於該汲極206的電位變動△ vg(j使對向 基板之共通電極之電位Vcom的中心電位與加在液晶之電 壓的中心電壓發生偏差。該偏差大時則成為畫面的閃爍 (f 1 i cker ) ’或成為於長時間繼續顯示相同圖樣時，於切 換顯示後亦有先前之顯示圖樣遺留的現象（以下稱其為燒 著）的原因’由此構成顯示品質的降低為眾所知。而為防 止其發生則有必要將預定的Cs容量與液晶容量予以並聯 的附加。 T J ^--------It· 一--------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 7 310693 559683 A7 B7 五、發明說明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一方面液晶顯示裝置之畫素電極205以外之部分的透 過的光將引起降低對比等使顯示品質降下。因而有必要對 於透過畫素電極205以外之部分的漏光予以遮光。習用的 液晶顯示裝置對於畫素電極205與源極配線201之間隙的 漏光之遮光為將Cs配線203亦為配置在畫素電極周邊部 兼做遮光膜而實行。於此之Cs配線203為沿源極配線201 存在於畫素電極周邊部，延伸至接近閘極配線202的部 分。與遮光膜形成在陣列基板上的狀態比較，則以遮光膜 為設置在對向基板遮蔽漏光時，由於對向基板與陣列基板 的重合精度比陣列基板的圖樣精度為低以致其遮光領域變 大。因此閘極配線202與形成遮光膜之Cs配線203部分 的間隔為盡量使其接近比較能減少設置在對向基板之遮光 膜的遮光領域而提高開口率。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 習用之液晶顯示裝置的Cs配線203具有遮蔽自畫素 電極205與源極配線201間的間隙之漏光的機能，cs配 線203為接近於閘極配線202。由於閘極配線202與Cs 配線203為由同一工序形成，因此於照像製板或蝕刻時之 雜物的附著構成的圖樣不良，將發生閘極配線202與Cs 配線203短路的缺陷，發生該短路缺陷時，由於不能正常 的供給掃描訊號而被看出為配線缺陷。該短路缺陷可於陣 列基板製作工序完了後以檢查檢出，然後可以雷射等其切 斷，但如該短路缺陷發生在源極配線201的下部，則切斷 短路時亦將源極配線2〇 1切斷，如此則成為源極配線缺陷 而存在不能修復的問題。 卜紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） 559683 A7 ___ B7 五、發明說明（9) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又如第20圖所示可將Cs配線203於短路處所208 的兩側之切斷處所2 0 9將其切斷’但如此則供給於。s配 線203的訊號為由畫面的單方供給。例如於畫面的右端附 近閘極配線2 0 2與C s配線2 0 3短路而將c s配線2 0 3切 斷時’由於供給於Cs配線203的訊號為由畫面的右端側 供給，因此Cs配線203的負荷成為正常狀態的4倍，由 而發生訊號遲延。而由於該訊號遲延使其比周邊的畫素在 亮度上發生變化而成為被看做配線缺陷的問題。 [發明之目的] 本發明之目的為提供將畫素電極介由Cs配線配置於 源極配線上而幾乎無寄生容量Cdp之增加，串擾小之顯 示品質良好的TFT-LCD(LCD表示液晶顯示裝置）。 本發明之目的為提供將畫素電極介由Cs配線形成至 源極配線上而達成開口率高，亮度高之TFT-LCD。 本發明之目的為提供閘極配線與Cs配線的短路缺陷 發生在源極配線下部亦可不再發生配線缺陷而可將其修復 之構造之生產性高的液晶顯示裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之目的為提供達成上述目的之液晶顯示裝置的 製造方法。 [解決課題的手段] 本發明的液晶顯示裝置，為對於含有於絕緣基板上隔 以預定間隔配置之複數的閘極配線，與上述閘極配線交叉 之複數的源極配線，於上述間極配線與上述源極配線之交 叉部所設之TFT，以及為對於具備連接於構成TFT之没 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 9 310693 559683 A7 五、發明説明（1〇 ) 極的畫素電極，與上述畫素電極之間挾以絕緣膜而形、 容量之Cs配線的矩陣型顯示裝置用之τρτ陣列基板 以上述Cs配線為重疊於源極配線之上部的狀熊 而 形成者。 以配置 又本發明之液晶顯示裝置為對於上述的構成，將 配線形成為具有源極配線及閘極配線之配置方向的配 S 分之網狀的構造者。 、成 又本發明之液晶顯示裝置為對於上述的構成，將全素 電極為重疊於Cs配線之上層的狀態配置形成者。 又本發明之液晶顯示裝置為對於上述的構成，將^ 配線之中，源極配線之配置方向的配線成分為以覆蓋源極 配線的狀態，將其形成比源極配線之寬度為更寬者。 又本發明之液晶顯示裝置為對於上述的構成，將〇 配線為沿源極配線的配置方向一方向延伸的配置，為覆蓋 源極的狀態形成比源極配線的寬度為寬，而畫素電極為重 疊於Cs配線之上層的狀態而配置形成者。 又本發明之液晶顯不裝置為對於上述的構成，將畫素 電極與閘極配線為部分重叠者。 又本發明之液晶顯示裝置的製造方法，為依源極配 線，Cs配線，畫素電極的順序將其形成，而為含有將各 個部分的重疊之狀態配置的工序者。 又本發明之液晶顯示裝置，為具備於複數之閘極配線 及與該閘極配線交叉配置之複數的源極配線所區畫之矩陣 &的複數之各領域形成的畫素電極，以及沿閘極配線跨過 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）一---- 10 310693 2f先閱讀背面之注意事項、再填寫本頁；> >裝- -訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 559683 A7 五、發明説明（u ) 複數的領域内延伸配置的Cs配線，而Cs配線於各領域 内為延伸有兩條CS配線的配置，並且兩條的Cs配線在 一部分的領域内為互相連接者。 又本發明之液晶顯示裝置為對於Cs配線形成有遮蔽 畫素電極與源極配線之間的漏光之形狀的配線部者。 又本發明之液晶顯示裝置為，其Cs配線在互相連接 的領域為Cs配線係介由配線部予以連接者。 又本發明之液晶顯示裝置，其兩條的Cs配線至少為 在兩個的領域内互相連接者。 又本發明之液晶顯不裝置’其兩條的Cs配線互相連 接的領域為以等間隔配置者。 又本發明之液晶顯示裝置，其閘極配線與Cs配線為 形成於同一層者。 又本發明之液晶顯示裝置的製造方法，為包含沿著閘 極配線於各領域内延伸兩條的C s配線的狀態配置c s配 線’兩條的Cs配線在一部分的領域内互相連接的狀態形 成閉極配線與C s配線的第1工序’以及介由絕緣膜與閑 極配線交叉的狀態形成源極配線的第2工序者。 又本發明之液晶顯示裝置的製造方法，於閘極配線與 Cs配線在訊號配線的下部發生短路時，為在源極配線的 兩側將Cs配線予以切斷者。 [圖面的簡單說明] 第1圖表示本發明之實施形態1的液晶顯示裝置之平 面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 310693 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -装· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 12 559683 B8 C8 D8 _______ _______________ — — •咏·一…办*3^ «*^^»,«,-.10.··-^ -in KiTl— 六、申請專利範1 第2圖表不本發明之實施形態1的液晶顯不裝置之製 造工序圖。 第3圖表示本發明之實施形態1的液晶顯示裝置之製 造工序圖。 第4圖表示本發明之實施形態1的液晶顯示裝置之製 造工序圖。 第5圖表示本發明之實施形態1的液晶顯示裝置之製 造工序圖。 第6圖表示本發明之實施形態i的液晶顯示裝置之製 造工序圖。 第7圖表示本發明之實施形態1的液晶顯示裝置之製 造工序圖。 第8圖表示本發明之實施形態1的液晶顯示裝置之裝 置之斷面構造圖。 第9圖表示本發明之實施形態2的液晶顯示裝置之平 面圖。 第10圖表示本發明之實施形態3的液晶顯示裝置之 畫素的平面圖。 第11圖表示本發明之實施形態3的液晶顯示裝置之 畫素的Cs配線之切斷處所的平面圖。 第12圖表示本發明之實施形態3的液晶顯示裝置之 畫素的Cs配線切斷時的訊號流的模式圖。 第13圖表示本發明之實施形態3的陣列基板之製造 方法的斷面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 310693 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

559683 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範顯 第14圖表示基本的液晶顯示裝置之構成圖。 第15圖表示習用技術之液晶顯示裝置的平面圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第16圖表示習用技術之液晶顯示裝置的斷面構成 圖。 第17圖表示習用技術之液晶顯示裝置的製造工序 圖。 第18圖表示習用技術之液晶顯示裝置的製造工序 圖。 第19圖表示習用技術之液晶顯示裝置之畫素的平面 圖。 第20圖表示習用技術之液晶顯示裝置切斷畫素之Cs 配線時之訊號流的模式圖。 [發明的實施形態] 實施形態1 以下說明本發明的實施形態1。 本發明之特徵在TFT陣列基板的畫素部之構造，以 下參照圖面說明與習用技術不同之處。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本發明之液晶顯示裝置之Cs配線為覆蓋源極配線的 狀態形成於其上層，再於其上層以一部分為重疊的狀態配 置形成畫素電極為其特徵。 有關基本的液晶顯示裝置之構成與習用技術相同。 第1圖表示本發明之實施形態1的液晶顯示裝置之平 面圖，圖中之2為閘極配線，4為構成TFT之半導體薄膜， 7為源極配線，8為源極，9為汲極，11為Cs配線，i4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） " 13 310693 559683 A7 B7 五、發明説明（14 ) 為畫素電極，13為對於畫素電極14邀免& ，、及極9做電f 接之接觸部。於第1圖之縱方向延伸的 7 p八、，姐 的狀態形成源極配線 7上；I以絕緣膜配置有Cs配線11，成為 帝贫1 M该Cs配線11 覆蓋源極配線7的狀態。又於Cs配線n u a 涑11上介以絕緣膜 將1素電極14的一部分為與源極配線7重疊的狀態配置。 其次參照第2圖至第7圖說明第！圖所示之構 素部之製造方法。 旦 首先如第2圖所示，於玻璃基板（未圖示）上形成閑極 配線2。其後在該閘極配線2上形成閘極絕緣膜（未圖示）， 然後如第3圖所示’將構成TFT之半導體薄膜4以圖樣 製作（patterning)配置在閘極配線2上之做為閘極的領域 上。該半導體薄膜4為以i層（註以符號5而如第8圖（1)) 所示）及η層（註以符號6而如第8圖（1>)所示）順次積層而 使成為多層臈。 其後如第4圖所示形成源極配線7，源極8，汲極$。 源極配線7為與閘極配線2延伸的方向直交的方向延伸的 配置，源極8為與該源極配線7電氣的連接狀態而配置在 閘極配線2上之半導體薄膜4上，又汲極9之一部分為介 由成為半導體薄膜4之通道的領域與源極8成為對向的配 置。於蝕刻時，構成半導體薄膜4的η層亦同時作成圖樣， 1層則不受蝕刻而成為留存的狀態。 其次於形成源極絕緣膜後，如第5圖所示將含有源極 配線7之配置方向的配線成分與閘極配線2方向之配線成 t刀的Cs g己線11為覆蓋源極配線7的狀態由圖樣製作形 本紙張尺度適财_家辟（ 14 訂 310693 559683 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（15 7 成。 其—人於Cs配線11上形成Cs絕緣膜，然後如第6圖 所示於汲極9上形成接觸部13。 然後如第7圖所示，將畫素電極14至少與Cs配線11 之源極配線2之方而士、n . 万向成分的一部分為重疊的配置形成，成 為Cs配線11盥金去带故，Λ ^ L /、旦案電極14之間具有Cs容量的構造0 於此之Cs配線11為要減小源極配線2與畫素電極14 間產生的寄生容量Cdp，將其形成比源極配線7為寬。 第8圖、（b)表示第7圖之A-A領域，B-B領域的 if面構造圖。圖中之3表示成膜在閘極配線2上之閘極絕 緣膜，5及6各為表示構成TFT之半導體薄膜4的1層， η層，10為表示成膜在源極配線7上的源極絕緣膜，12 表示成膜在Cs配線11上的Cs絕緣膜，其他與先前說明 相同之符號表示相同或相當部分。 由該等圖可知於源極配線7上為覆蓋該源極配線7的 狀態配置形成較其為寬的Cs配線11，又為一部分重叠於 該Cs配線11的狀態配置形成畫素電極I#的構造。 如上所示，依本發明之實施形態i的TFT陣列基板 之TFT，為於源極配線2之上介以源極絕緣膜！ 〇形成 配線11，再於Cs配線11之上部介以Cs絕緣膜12形成 畫素電極14，因此可將源極配線7與畫素電極ι4 <間的 距離縮小，提高開口率而能提高LCD的亮度。 於習用的液晶顯示裝置之畫素部，由於Cs配線為配 置在源極配線的下部，因此源極配線與畫素電極的寄+ $ t紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐）_' 310693 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '策· 、1Τ 15 559683 A7 B7 五、發明説明（16 ) 量大而有串擾程度大的問題，然而於此為將Cs配線11 為覆蓋源極配線7的狀態形成在源極配線7的上部，再於 C s配線11的上部形成畫素電極14 ’因此能減小源極配 線7與畫素電極14之間的寄生容量Cdp，並由此可改善 串擾的程度。 又習用之Cs配線為閘極配線平行配置，鄰接的Cs 配線為於板（panel)端部連接的狀態，因此如欲減小電極的 寬度而提高開口率，則增加Cs配線的配線電阻成為串擾 增加的原因。然如依照本實施形態1所示之畫素構造，亦 即將畫素内之Cs配線11形成為環狀（對於板全體而言cs 配線11為形成網狀），由此與鄰接的畫素上之Cs配線為 連接的狀態而可將Cs配線電阻減小2位數以上。並由此 可製成對於串擾抵檔性強的液晶顯示裝置。 實施形態2 其次說明本發明的實施形態2。 本實施形態2的製造方法與實施形態1所示畫素部的 製造方法在形成Cs配線11a之前的工序為相同。 如第9圖所示，Cs配線11a未形成有與畫素内之閘 極配線2平行的配線部分，然為重疊於鄰接畫素電極i4a 之一部的閘極配線2上，並為介以源極絕緣膜配置形成於 源極配線7及鄰接之源極配線7的上部。Cs配線lla為 不同於實施形態1，未形成環狀，但對於液晶板而言為沿 縱方向（比橫方向為短的方向）配置，因此比較橫方向配置 的狀態更能將配線電阻抑制於較小之值。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 L· r 1 ; IV 丁 r 一 一 ί 厘 八 16 310693 559683 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 由於形成如第9圖所示的畫素電極14a，能縮小源極 配線7與畫素電極14a間的距離，能提高開口率而能提高 LCD的亮度。 又為實施形態1的狀態同樣的，於源極配線7與畫 素電極1之間為將Cs配線11 a覆蓋源極配線7的狀態 配置形成，因此能減低寄生容量Cdp，能改善串擾則自不 待言。 管施形態3 其次說明本發明的實施形態3。 第10圖表示本發明之實施形態3之液晶顯示裝置之 畫素的平面圖。第1〇圖所示畫素為配置成矩陣狀以構成 顯示部。 圖中’ 201為源極配線，202為與源極配線201交叉 配置之閘極配線，203為形成Cs容量的Cs配線，為沿閘 極配線202配置而與閘極配線2〇2同一的工序形成。 204為形成TFT之通道的半導體層，205為形成在由 源極配線201及閘極配線202區畫之領域的構成顯示部之 畫素電極，206為TFT之汲極，而為連接於畫素電極205。 由半導體層204，源極配線201，閘極配線202，及汲極206 形成TFT。 第11圖所示依本發明之實施形態3的液晶顯示裝置 之畫素之Cs配線的切斷處所之平面圖。 圖中之201至206為與第10圖所表示相同。208為 閘極配線202與Cs配線203之短路處所，發生在源極配 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 17 310693 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝· 訂 559683 五、發明説明（i8 / 線201的下部。209為於短路處所208的兩側將Cs配線 203切斷之切斷處所。 第圖表示本發明之實施形態3的液晶顯示裝置的 畫素之Cs配線切斷時之訊號流的模式圖。 圖中之201至203，208，209為與第11圖所示相同。 210表不Cs配線203的訊號流。Sll表示各個的源極配線， Gk表不各個的閘極配線，Vcom表示對向基板的共通電 極之電位，Cs配線的電位亦為相同。 第13圖表示依本發明之實施形態3的陣列基板之製 造方法的斷面圖。 圖中之202至206為與第1〇圖所示相同。212為透 明基板，213為閘極絕緣膜，214為用以與源極配線2〇1 或没極206取得電阻接觸而形成之摻入不純物的半導體 層’ 214a與214b為將不需要之半導體層214除去而形成 之各為與源極配線201或汲極206取得電阻接觸之源極領 域及汲極領域。215為保護半導體層204而形成的保護膜。 如第10圖所示，本發明之構成液晶顯示裝置的陣列 基板具備兩條的Cs配線203，Cs配線為具有遮蔽由源極 配線201與畫素電極205之間隔的漏光之配線部的構造， 並且於一部分的晝素該兩條的Cs配線203為分離，於一 部分的畫素該兩條的Cs配線203於遮蔽源極配線201與 畫素電極205之間隔的漏光而設之配線部的任一方為連 接。又沿閘極配線202所配置之兩條Cs配線203為如第 12圖所示於顯示部之畫素兩側互相連接。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝·

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 18 310693 559683 A7 --- —_ B7 五、發明説明（19 ) " ^--* 如上述構成的液晶顯示裝置，如第U圖之閘極配線 2〇2與Cs配線203在源極配線201的下部發生短路時， 例如為以YAG雷射將兩處之切斷處所209切斷而可將短 路處所208做電氣的切離。兩條的Cs配線2〇3雖然由切 斷而分離，但如第12圖中之訊號流210所示，對於一部 分的畫素為連接兩條之Cs配線203，因此供給於cs配線 2〇3的訊號不只為由畫面的一側，而為由兩側供給，因而 不會發生訊號遲延。 又雖然切斷Cs配線203，畫素之Cs容量值亦為與正 常的畫素相同，因此由於汲極之電位變動△ Vgd引起的畫 素電位的變動及對於電荷的保持與正常的畫素相同，完全 看不出閃爍及燒著的現象。 其次參照第13圖說明本發明之液晶顯示裝置的陣列 基板的製造方法。 首先如第13圖（a)所示，於透明基板212上例如用Cr 以同一工序形成閘極配線202與Cs配線203。其次如第 13圖（b)所示，連績的成膜形成用SiN之閘極絕緣膜213， 用無結晶Si(以下簡稱a-Si)形成通道的半導體層204，以 及與配線金屬做電阻接觸而形成之例如摻入P離子的 n+a-Si之摻入不純物離子的半導體層214予以連續的成 膜，然後除去成為TFT之部分以外的n+a-Si及a_Si。 其次如第13圖（c)所示，例如形成ITO之畫素電極 205，然後如第13圖（d)所示，以Cr形成源極配線201及 汲極206，除去n+a-Si以形成與源極配線201電阻接觸之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - I - 1-1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 Ox297公酱） 19 310693 559683 A7 B7 五、發明說明（20 ) 一" 源極領域214a及與汲極206電阻接觸之汲極領域214匕。 其次如第13圖（e)所示例如以SiN成膜以形成為保護除去 n+a-Si之通道部分的保護膜215，熱後除去端子部分的保 護膜而製成本發明之液晶顯示裝置之陣列基板。 以上述的構造對於兩條之Cs配線203的連接為於任 意的畫素連接，然連接處所最妤設在2畫素以上。 又連接2條之Cs配線203的畫素最好以等間隔而設。 又對於各閘極配線202連接2條之Cs配線203的位 置變更，或於相同位置其效果則不變。 本實施形態為就反交錯（stagqer)構造通道蝕刻型TFT 做說明，然為通道保護型TFT，正交錯構造TFT，共面 (coplanar)構造TFT亦得同樣的效果。 又成為通道的半導體層204為使用a-Si，然使用多結 晶Si亦可。 又閘極配線202及源極配線201為使用Cr，但使用 Al、Cu、Ti、Ta、Mo、Al-Si、Al-Si-Cu、Al-Nd、A1-N 等的金屬或其積層構造亦可。 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁)

裝！！ Γ 訂 l· I I I I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 20 310693

Claims (1)

1. 559683

   第881 1 1234號專利申誚 申請專利範圍修正本一7—^ 1k jx替撻本 (军年 .—種液晶顯示裝置，含有於絕緣基板上 配置之複數㈣極配線，與上述閘極 的源極配線，於上述閉極配線與上述源極配線之2 部所設之薄膜電晶體，以及為對於具備連接於構成上 述薄膜電晶體及沒極的畫素電極，與上述畫素電極之 間挾以絕緣膜形成保持容量之保持容量電極線的矩 陣型顯不裝置用之薄膜電晶體陣列基板，而以上述保 持容量電極線為重疊於上述源極配線之狀態配置形 成為其特徵者。 2·如:請專利範圍第i項的液晶顯示裳置，其中將保持 容量電極線形成為具有源極配線及閘極配線之配置 方向的配線成分之網狀的構造者。 申明專利範圍第1項或第2項的液晶顯示裝置，其中 經 濟 部 中 央 標 準 局 員 工 福 利 委 員 會 印 製 將引述晝素電極為重疊於保持容量電極線之上層的 狀態配置形成者。 4·如申明專利範圍第1項或第2項的液晶顯示裝置，其中 將刚述保持谷量電極線之中，源極配線之配置方向的 配線成分為以覆蓋上述源極線的狀態，將其形成比源 極線之寬度更寬者。 5 ·如申明專利摩&圍第i項的液晶顯示裝置，其中將上述 保持合里電極線為沿源極配線的配置方向一方向延 本紙張尺細 310693 559683

   申的配置並為覆蓋上述源極的狀態形成比源極配線 的寬度為見，而畫素電極為重疊於上述保持容量電極 線之上層的狀態配置形成者。 6.如申請專利範圍第i項或第2項或第5項的液晶顯示裂 置，其中以丽述畫素電極與上述閘極配線為部分的 疊者。 7· -種液晶顯示裝置的製造方法，為對於製造相當於申 請專利範圍第i項至第6項之任一項的液晶顯示裝置 時，以包含將源極配線，保持容量電極線，書素電極 為順序形成，並且其各個為部分的重疊配置而形成的 工序為其特徵者。 8· -種液晶顯示裝置’具備：於複數之掃描配線… 掃描配線交又配置之複數的訊號配線所區書之矩陣Z 狀的複數之各領域形成的晝素電極，以及沿上述婦描 配線跨過複數的領域内延伸配置的 上述保持容量配線於上述各領域内為延伸=: 持容量配線的配置，並且上述兩條的保持容量 一部分的領域内互相連接為其特徵者。 9·如申請專利範圍第8項的液晶顯示裝 且 具中上述保 持容量配線形成有遮蔽畫素電極與訊號配線之’、 漏光之形狀的配線部者。 1〇::料利範圍第9項的液晶顯示裝置，其中上述伴 持谷置配線為互相連接的領域中，上述保持容量 為介由配線部而連接者。 本紙張尺度適用中國a^i?T^i')A4^ (210 X297^ ) ^9683 u.如申請專利範圍第8項的液晶顯示裳置，其中上述兩 2者保持谷里配線至少為在兩個的領域内互相的連 12:申請專利範圍第8項至第11IM之任一項的液晶顯示 '置’其中上述兩條的保持容量配線互相連接的領域 為以等間隔配置者。 1=申請專㈣圍第8項至第"項之任_項的液晶顯示 其中以上述掃描配線及保持容量配線為以同一 工序形成者。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 1=種液晶顯示裝置的製造方法，為對於具有以複數之 掃描配線及與該掃描配線交叉配置的複數之訊號配 、、泉而區畫之複數之各個的領域所設之晝素的液晶顯 I裝置的製造方法，而以具備於上述各領域内沿著掃 描配線延伸兩條的保持容量配線的狀態配置保持容 量配線，並使上述兩條的保持容量線在一部分的領域 内互相連接的狀態以形成掃描配線的保持容量配線 的第1工序，以及介由絕緣膜與上述掃描配線交叉的 狀悲形成訊號配線的第2工序為其特徵者。 15·如申請專利範圍第14項的液晶顯示裝置的製造方 法，其中上述掃描配線與保持容量配線在訊號配線的 下部發生紐路時，為在上述訊號配線的兩側將上述保 持容量配線切斷者。 iir^cn