TW559674B - Catadioptric objective comprising two intermediate images - Google Patents

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Nau Rudolf Von Bu
David R Shafer
Gerhard Furter
Wilhelm Ulrich
Karl-Heinz Schuster
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Description

559674
^發明係有關於一種具兩中間成像之折反射式物鏡。 延係由Hi rose在美國專利第4, 7〇1，〇35號案中所揭^ 之一種微影投射曝光系統。該案中第十二圖所示之物鏡^包 括兩反射式物鏡及一反射式部份物鏡。全部物鏡皆係匕 軸、非軸對稱、純球面系統。
Elliott及Shafer之美國專利第5,488,299號案與已 與本發明受讓人且參考入本發明的Schuster2DE 1 96 39 586號案（美國序號09/263, 788 )所揭露具有一中間成像及 一折射式部份物鏡之折反射式物鏡係作為具軸對稱及 遮攔之微影投射系統。 、
Elliot及Shafer中顯示出反射鏡之中央開口附近的中 央成像，及透鏡係配置於形成曼金（Mangin)反射鏡之複數 反射鏡之間的光路中。其光學表面皆為球形。
Schuster僅顯示複數反射鏡係非球形且在該反射鏡之 間之光束路線中避免大型之透鏡。
Haseltine等之美國專利第5, 〇〇4, 331號案揭露一種用
射一衫像至一（飛行模擬器）圓頂之折反射式投射器。 該系統包括-外部人口光瞳作為接收大致準直光線之裝 置、-旋轉對稱之折射式次系統、同軸透鏡係設於一非球 形凹面反射鏡之中央開口處以形成一光瞳影像，該凹面反 射鏡係、纟σ σ另凹面反射鏡而形成一折射光瞳轉像系統。 整個系統將在二球形圓頂上提供一寬廣之成像場。可結合 各種之玻璃以獲致全可見光譜之修正。 本發明之一目的係提供新穎之設計變型以允許高解析
第7頁 559674 五、發明說明（2) ---- f物鏡具有較小之透鏡直徑及高性能。較優地，這些設 糸用於顯微或微影之遠（真空）紫外線（vuv )光譜區中。 藉申請專利範圍第1至第3項其中一項之物鏡 此問題。 |」解厌 軸，稱及兩中間成像、兩折射式與一折反射式部份物 ^兩間成像與至少一折射式部份物鏡係對依據申請專 利範圍第1至第3項之本發明新賴構想的各種描述。 申請專利範圍第4項之構想係將複數反射鏡明確地集 2 =射ΐ部份透鏡而與一個或更多純折射式部份物鏡 ^同運作。在此係由反射式部份物鏡承擔珀茲休 減總和或視場縮小。這可舒緩折射式部份物 lUr的透鏡組來收縮與擴張光束之需求，這種需 ，係言如GUtzel E.，ZEISS_InfQrmatiQn Μ (1 = )^3、美國專利第5 260 832或厂 份物鏡且減小透鏡直徑。特別=接：；！化折射式部 使用中可大幅減少對適當出=紫外線光譜區 本發明之_ # 1 t ^ ΐ Γ日日 英玻璃的材料需求。 不I明之敎佳具體貫施例及較 利範圍第5至第34項之主題。 優1式係相關之申請專 即，如申請專利範圍第5項， 立之申請專利範圍中的特徵結合/憂也係將先前各自獨 該較佳具體實施例亦有關於以上 著El 1 i〇tt及Shafer設計出具右Λ η ά、 由Schuster或 ，去A、 LA i @同車由遮棚相斜品於丨、/ 達成一非常普通之軸對稱物鏡結 +凹面鏡以 再 k特別在機械剛性以
559674 五、發明說明（3) 及折射式物鏡之分節器/掃描器結構之調和性上十分有 利0 理論上一中央遮攔具有使成像退化之效應—儘管許多 情況下係利用環狀或四極照射或著光瞳過濾與繞射控像一 然而本發明中藉反射鏡中央孔口來減少遮攔之設計係十分 重要者。 μ 申凊專利範圍第7項係藉由在反射鏡附近設置中間成 像以提供一較佳之減少遮攔的方法。申請專利範 第11項係提供中央開口數量方面之限制。
申凊專利範圍第8及第9項係顯示申請專利範圍第4項 之一變型，其中透鏡係插入複數反射鏡之間。一負透鏡係 與反射鏡共同作用以提供單一材料之顏色修正、免除窄化 雷射光源頻寬之需求、或在深紫外線（νυν)中使用一消 色像差材料對之需求。 μ 依據申請專利範圍第12項，其特別有利者係每一反射 鏡孔口處之主光線高度大致相等但符號相反。該度量可將 中央遮攔最小化。 里J肿 儘管非圓形反射鏡在相 利範圍第1 4項仍特別強調非 常有利。由譬如已參考入本 在申請專利範圍第1 3項 份物鏡構成之含反射鏡部份 之反射鏡連接的兩中間成像 份物鏡之最佳特殊修正能力 提供之順序中，由兩折射式部 物鏡因其允許皆由含部份物鏡 「平面」彎曲以致可達成本部 關技藝中非常普通，然申請專 球形透鏡表面在本設計中亦非 案中之Schuster提出之專利中
第9頁 559674 五、發明說明（4) 請第DE 1 99 22 209號案及其中所引用者得知之近來已確 s忍的折射式投射曝光物鏡所有優點與限制皆亦適用於本發 明設計中之非球形表面。 申請專利範圍第1 5項係闡述偶爾亦用於投射曝光物鏡 之繞射表面，只要其為折射設計，即能夠用於本發明中。 申請專利範圍第1 6至30項則提供本發明較優之變型及 特性。 如申請專利範圍第3 1至3 2項之這種物鏡較佳地係作為 顯微鏡或一微影投射曝光系統之組件。申請專利範圍第3 3 項相似地係提供這種物鏡較優地用於微影投射曝光。申請 專利範圍第34項係提供使用一如前述申請專利範圍之物^ Ο 的較優微影方法。 以下將根據圖式範例更詳細地說明本發明。 、第一圖係顯示一依序為一折射、一折反射、一第二折 射式部份物鏡且其縮影比為丨：6之一物鏡範例的透鏡^。 第二圖係顯示這種物鏡具有縮影比為丨：5時之另一範 具有軸對稱之純反射式部份物鏡之物 第三圖係顯示 鏡的概略透鏡配置 第二折射 、 第四圖係顯示依序具有一折射、一反射 式部份物鏡的本發明另一範例。 鏡。第五圖係概略顯示一具有一依據本發明之物鏡的顯微
第10頁 559674 五、發明說明（5) ^的6 ·」縮影物鏡，其成像場直徑為丨8. 4公厘、一影像側 欠值口技ΝΑ = 〇· 75、且在物件空間與影像空間中皆為焦闌 式。 娜水全部透鏡皆由氣石（二l化約，CaF2)製成且藉157毫 米5"? ί 1(1?2)準分子雷射照射該系統。 亦可能使用具有其他波長及其他材料之修飾，譬如 193毫微米及石英玻璃。 第一部份物鏡S1係折射式且具有一縮影比_ 1/4· 27。 π 圖式中顯示兩不同之透鏡組，其中LG 1係包括四個直 $大約U0公厘之較大透鏡，且孔徑面後方之第二透鏡組 择+之直徑大幅縮小為大約8 0公厘及更小。在此只有僅接 = 徑面之表面9係非球形透鏡表面。接續第一中間成 之第二部份物鏡S2係折反射式，其包括兩具有中央 1L ί t目對非球形凹面鏡M1、Μ2、及配置於該兩者間之兩個 幵y透鏡25、26與27、28。光束將通過其中三次。盆 放大倍率為-1/0. 99。 ’、 # t，接近1之放大倍率將允許高度對稱之結構及最佳 之田守^^修ΓΡ。 4配置亦特別適合色像差修正及視場曲率之修正。因 一透鏡材料二氣化弼（caF2)，該物鏡仍可接 又垃@ =鼠雷射之較寬雷射頻寬卜1· 2微微米（Pm)。 式。、、著第二中間成像IM!2之第三部份物鏡S3係折射 其係由一極彎曲之彎月形透鏡29、3〇取得發射光束。 559674 五、發明說明（6) ' 一正空氣透鏡，即一呈正透鏡形式之空氣空間係介於透鏡 表面40與41之間。 兄 由於其縮影比係-1 /1 · 4 2，因此可達成系統之總縮聲 比0 因二氟化鈣非常昂貴且存量有限，故第一表中之詳細 資料所顯示之物鏡係由數量較少且直徑受限制的元件構成 以配合實際應用。由於二氟化鈣中之光路亦受限制，因此 將減少對1 5 7毫微米之明顯吸收。 中央遮攔係折反射式第二部份物鏡S 2達成完全同軸结 構所必須。由於原則上這將使一物鏡之調制傳遞函數劣 化，因此必然為其缺點。 然而’即使在一般之折射式投射曝光物鏡中，仍將引 入一微小但明顯之遮攔以調節校直系統之光束路線等。 目前正尋求一在使用實際直徑尺寸之反射鏡時仍可將 中央遮攔保持在微小狀態之設計。 ， 已發現到，當主射線在兩孔洞處之高度係大小相等但 符號相反時，反射鏡孔洞之直徑將可最小化。 更’，射鏡孔洞係鄰近兩中間成像丨M丨丨與丨M丨2，此處 之光束直徑係最小。亦，第一部份物鏡S1係使成像大致縮
小以將該孔洞保持絕對地小，亦使反射鏡之總直徑限制於 一實際可行之緊密狀態。 反射鏡孔洞之吉你么9 π、 星仏為2 · 〇公厘而係大於視場邊緣處之 最密集的射線。 建S義將遮搁罩插$笛 ®至第一部份物鏡S2之光瞳（孔徑）面處
第12頁 559674 五、發明說明（7) 恰位於透鏡表面9前方。其直徑尺寸應調整2〇·25%—相等 整4· 1%。如此，視場邊緣處之遮攔面積將相等於 二者，且調制傳遞函數（MTF)曲線在整個視場中皆完 傷於〇本=1例仏之波前修正在17 X 7平方公厘之視場範圍中係 優於0.G11均方根波，且在17χ 6平方公厘之視場範圍中係 〉於〇· 0 0 9均方根波。其畸變係百萬分之2. 間平均移位係10毫微米。· 叩ΡΠΟ且中 <1 縱向色彩之顏色修正可達CHL = 34毫微米/微微米，因 此可獲致一卜1· 2微微米頻寬之非狹窄氟雷射。 第一圖及第二表之範例具有一 22x 9平方公厘之加大 成，場f -明顯加大之數值口徑ΝΑ = 〇·75，而縮影比變為 •。本系統相似於第一範例者，但具有某些差異。 \折射式部份物鏡31之孔徑面係由兩凹向該孔徑面 ^寫月形透鏡20 9、210與211、212包圍。在此，插入一遮 搁盤OD以達成上述中與視場獨立之遮攔。 ’、、 =鏡表面209及217係非球形，前者係冑近孔徑面以 衫響角度偏差，後者則影響視場區域更甚。 因第一部份物鏡51之成像比係—1/4. 67， 式部份物鏡可較小。 外汉耵 鏡M21第^份物鏡S2亦為折反射式，且具有兩非球形反射 鏡M21、M22及兩負彎月形透鏡223、224與225、226。現 $二其距離已大幅減小，但光束路線之角度將增加。如此 肘在給定之較大視場及大數值口徑下限制直徑至僅23〇公
第13頁 559674 五、發明說明（8) 厘。其縮影比為-1 / 〇 · 9 7。亦，本具體實施例中，中央遮 攔在全部視場範圍中皆為直徑之2〇 %。 /本發明之特殊者包括中間成像之高數值口徑“ =〇. 7， 其係允許反射鏡M2 1、M22中之小孔洞及透鏡223、224與 2 2 5、2 2 6之間的強折光能力提供所需之顏色修正。 反射鏡M2 1、M22係非球形，其與球形之最大偏差係限 制在1 50微米以下以方便製造及測試。 ^ f ,設於反射鏡非球形表面之間的透鏡可增加成像品 質，若必要時亦可加入一第三負透鏡而將彩色修正最佳 化。 第三部份物鏡S3顯示之特徵包括第一彎月形透鏡 227、228之彎曲更甚於第一圖中者，這將有助於形象差修 正。亦，第二透鏡229、230係在中間成像IMI側上呈彎 凹形，兩最終透鏡249、250與251、252係呈凹向成像平面 I:，彎月，，其係用於不晕齊明及球形色像差修 於透鏡238與239之間的正空氣透鏡係修正球形色 Ϊπ 8 ί要部份，因此設於物鏡光曈區域中者係優於一視 然而’配置於光瞳面方前者亦可影響歪斜;J 形色像差之切線或弧矢頭方向。 門丘凹形光瞳面之透鏡245、246係與其前方之空氣* 間/、同運作以輔助前述空氣空間之效應。 、二 該第三部份物鏡S23之成像比係接近丄之―1/l u。麸 而-配置並非與光瞳面對稱。目此嚴重畸變之中間成像
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IΜI將^在成像平面i m處轉變成一大幅修正之成像。 每一部份物鏡皆具有其部份功能：S2 1係實施縮影、 S22係執行顏色與珀茲休修正、及S23係實施成像誤差之微 調0 遠第二具體實施例並未微調至最佳的誤差修正，但提 供了這種設計之實行原則。 第一表及第二表之非球形表面皆表示為 z = AS2xh4 +AS3xh6 + AS4xh8 + AS5xh10 + AS6xh12 + AS7xh10 其中Z=與球形之軸向偏差，h=自光學軸起算之徑向高 度。 ° 參考第三圖之範例，在物件叽與成像IM之間具有一 反射式部份物鏡S31及一純折射式部份物鏡S32，且且有中 間成像IMI，如此可避免前述範例中折反射式物鏡之大 負透鏡。反射鏡Ml及M2在此僅用於珀茲休修正-修正視場 物鏡之色像特徵係由折射式部份物鏡S32定義之。 用:同透鏡材料將可消除色像差。對深紫外 準分子雷射系統而言，譬如結合二氟化弼(螢石、》線 一氣化铜、一氣化錄、氣化鈉（NaF)、氟化鐘⑴卩 化物及或#雜型式之石英玻璃皆為適當者。因此 用157毫微米之微影技術中，正透耻丨、L3可由」 化鈣J成，：負透鏡L2可由二a化鋇或氟化鈉 當然，貫際之微影技術或顯微鏡中 ^ S32具有更多之透鏡，而圖示之透 ，式。P份物鏡 口丁之透鏡L1至U僅作為概略圖 559674 五、發明說明（10) 示說明用。 相較於一全折射系統時，這種折射式物鏡之 份物，32無需負擔珀茲休修正，因此得以簡 匕。是以 不再需要目前折射式微影縮減投射物鏡技藝中具疋\ 更多腰部之腰部及凸起部結構，而僅保留一實施 ，束縮減之腰部。結果可使折射式部份物鏡S32更短、"直77 徑更小且具有更少透鏡。因此得以加強透射及 降低成本。非球形透鏡表面更有助於此效應。 δ日守 由於反射式部份物鏡S3 1中無透鏡，因此其直 關鍵：譬如目前天文學中使用之技藝係直徑超過丨二、’与 精密非球形反射鏡。 ^尺之 明顯地，亦可改變反射與折射式部份物鏡之配置 序，則折射式部份物鏡之成像比將可使反射式項 直徑減小。 物糸統之 ^為方便觀察物件〇b與影像Im及提供更大之修正* 較優者係將本系統擴充為如第四圖範例所示之具有:4 ’ 折射式部份物鏡S41、一反射式物鏡S4及一第二折射第一 份物鏡S43，以及中間成像IMI12與]12者。 工部 如此即可結合前兩具體實施例之最小遮攔及第三 中無需反射鏡Μ1、M2間之大型透鏡等優點。 —已例 “ 第二表提供了本範例之設計資料。這係一 1 5 7毫微 米、大多數為鼠化裡、且部份為說化鈉之結晶透鏡， 頻寬1 · 5微微米之非狹窄氟雷射提供極佳之色像特性對 其縮影比為1 : 5、最大成像場高度為11 · 8 8公厘、數值孔
559674 五、發明說明（11) feNA = 0· 75。透鏡最大直徑為丨9〇. 5公厘、反射鏡最大直徑 為201公厘。Ob-Im總長為1· 459公尺。 在深紫外線到遠紫外線微影物鏡中使用結晶透鏡之技 述係根據先刖由共同發明人gchuster與相同受讓人於1999 年6月29曰提出之申請第de 199 29 701.0號案發展而成。 該申請案全部皆屬本發明所揭露者之一部份。 結果將在整個氟化鋰系統中加入負的氟化鈉透鏡，且 在第一部份物鏡S41中加入一可減少側色像差之正氟化鈉 彎月形透鏡408、40 9。 較優者係將非球形表面加諸本設計中之數個表面上，〇 使反射鏡440與441亦為非球面。首先為縮影部份物鏡 S4 1、第二凸起部包括一非球面、第二腰部包括一非球 面、且第三凸起部包括兩非球面。第三部份物鏡343中， 第一凸起部包括一非球面，然具有兩凸起之第二凸起部包 括兩非球面。 第三表之非球面範例係表示為
Clh4+...+c，2 其中P係以半徑h(相對於光軸之射線高度）為函數之高參 度偏差、非球面常數C1至⑶係由第三表給定之。5 中所列半徑之倒數。 ' ' 透鏡具有一良好之修正品質’以i微微米光譜距離之 兩先谱線計算而得之波前誤差在最大視場光度時係小於波
559674 五、發明說明（12) 長的千分之八，且在光軸上將減少至小於波長的千分之 五。 可藉由擴大反射式部份物鏡S42之反射鏡440、441的 距離及直徑以設計系統之中央遮攔。 傳統上之％狀扇形成像％係猎通常呈非對稱結構之許 夕反射及折射式投射曝光糸統達成，然其亦可藉本發明實 現之。且反射鏡僅需一使光束進入之偏軸環狀扇形開口， 結果造成光瞳僅具有兩扇形遮攔而更減少圓形中央遮搁之 效應。
第五圖係概略顯示一具有 依據本發明之物鏡的顯微
對於主要為深紫外線/遠紫外線檢測顯微鏡者，在此並未 顯示由眼睛直接目視觀察者，但物鏡之成像平面中提供_ 為任何適當之已知型式的影像探測器電荷耦合元件八 (CCD)。該透鏡係由兩折射式物鏡S51、S53及中央反射 折射式部份物鏡S52構成。本範例顯示兩同軸相對之反j 鏡Ml、M2及一位於期間之負透鏡l。 、本物鏡之設計係如上述具體實施例所顯示者，但 換成像與物件平面以達成放大效應，且可具 比及較小之視場。 罕-大之成
一照射系統11 1係適當地照射物件〇 b。 第一表
559674 S·、發明說明 (13) 0. 75N.A, λ = 1 5 7毫微米， /5=6X, 17x 7 雙焦 闌 元件 半徑[公厘] 厚度[公厘] 口徑 OB —— 41.365 1 207.804 15.0000 64 2 7154. 0 85. 7060 3 - 148· 152 10.000 60 4 -480.523 27.9 79 5 275.460 21.000 68 6 -420.424 18.169 7 91.168 2 0.0 0 0 62 8 231.534 102.963 9 -62· 100 5.000 25 10 551.104 10.065 11 -77.910 9.000 32 12 -47· 566 1.000 13 -281.444 12.500 41 14 -83·966 1.000 15 - 1 25 6· 9 17.000 43 16 -69· 116 1.000 17 99.668 7.000 40 18 60.790 0. 978 19 63.022 18.000 37 20 -177.094 1.0000 21 65.632 5.000 Ο
第19頁 559674 五、發明說明（14) 22 43.522 9.388 23 44. 597 7.000 23 24 115.690 20. 4 74 ΙΜΙ —— -5. 072 M2 220.905 16.140 115 25 349.084 11.500 112 26 150.213 131. 449 27 -163. 770 11.500 105 28 -381. 158 17.158 Ml -228.356 115 29 -42· 092 21.059 35 30 -51· 728 1.000 31 -194. 937 18.000 59 32 -113.392 1.000 33 -1132. 0 18.000 70 34 -193· 134 1.000 35 458.425 18· 000 74 36 -386.456 93. 3 49 37 171.069 27.160 78 38 -1302. 6 1.000 39 115.683 12.796 71 40 79.902 53.3 35 41 -108.436 37.180 61 42 -140. 231 1.000
I ί
第20頁 559674 五、發明說明（15) 43 171.662 24.0 0 0 71 44 -1877. 0 29.9 2 1 45 -118.760 37.4 56 66 46 -131.389 1.000 47 153.982 21.000 73 48 1 445.6 1. 049 49 72.396 20.001 59 50 76.113 1.000 51 53.654 49.9 9 6 49 52 69.967 16.341 IM — — 非球面資料 9: ASO = 0 AS 1 = 0 AS2 = -1· 688 0e-0 6 AS3=1. 5172e-10 AS4=-1.1366e-12/AS5=1.3050e-16/AS6=1.7402e-18 AS7=-2.4094e-21
Mi： ASO=0 AS1=0 AS2=-2.1332e-09 AS3 = 1. 157e-13 ψ AS4 = -2.4958e-18/AS 5 = 2. 735e-23/AS6 = -7.4436e-27 AS7=1.5056e-31 M2: ASO=0 AS1=0 AS2=1·7841e-09 AS3=6.8616e-14
第21頁 559674 五、發明說明（16) AS4=3.6976e-18/AS5=5.2619e-23/AS6=-2.331e-27 AS7=2.8845e-31
Ml, M2之中央孔半徑r = 15. 3毫微米 二氟化鈣在157毫微米下之折射率：n = l. 5 597 1 第二表 5X, 0. 75N. A. , 22 X 9 公厘 ,λ =0· 157 微米 元件 半徑[公厘] 厚度[公厘] 口徑[mm ] OB 焦闌 34.0 0 0 201 170.721 15.000 73 202 183.404 70.512 203 -88.583 10.000 72 204 - 1 0 9 · 4 1 8 0.097 205 489.985 31.998 86 206 -223.861 1 0 5.8 47 207 211.214 18.000 80 208 1008. 7 132.111 209 98.261 7.000 38 210 75.231 9.337 OD — 6.429 遮攔盤 r = 6. 7 5公厘 211 -105.403 28.061 35 212 -103. 952 1.000 讀 i
第22頁 559674 、發明說明 (17) 213 2 546.4 21.782 56 214 -129. 850 1.000 215 459.497 25.167 59 216 -117.119 1. 000 217 76.297 7. 000 50 218 52.636 5.014 219 60.098 27.88 3 45 220 -254. 989 1. 000 221 158.480 18.301 38 222 - 1 889. 6 19.412 IMI -4.449 M2 198.917 11.198 115 223 249.698 11.500 115 224 141.621 95.251 225 - 146. 113 11.500 105 226 -279. 951 14.507 Ml -195.876 126 115 IMI2 —— 27. 98 8 227 -29·245 26.188 28 228 -38. 617 1. 000 229 -212. 943 16.904 64 230 -108. 948 1. 000 231 -1195. 71 9. 000 74 232 -186.309 1.000 Ο a
第23頁 559674 、發明說明 (18) 233 397.280 24.0 0 0 82 234 -447. 1 00 40.123 235 184.325 28.000 82 236 -5827. 0 1.000 237 94.479 15.000 71 238 ' 73.235 52. 49 0 239 -84.776 10.000 58 240 -134. 685 0.997 241 548.320 3 0.0 0 0 72 242 -202. 022 1. 370 243 244.314 24.000 71 244 -390.876 9.997 245 -154. 779 2 6.0 9 9 69 246 -221.429 1.000 247 170.308 27.0 0 0 69 248 5689. 0 1. 000 249 82.493 29.70 6 58 250 66.45 6 1. 000 251 38.604 31.198 38 252 74.002 16. 468 ΙΜ — — 11. 非球面資料 Ο
第24頁 559674 五、發明說明（19) 表面209 ASO = 0 AS1二0 AS2 =-：L 9059e-l7 AS3=5.2904e-10/AS4=-2.9602e-13/AS5=2.9727e-16 AS6=-3.3981e-19/AS7=3.3504e-23 表面21 7 ASO=0 AS1=0 AS2=_2.7436e-07 AS3=-1.1707e-12/AS4:-1.1841e-14/AS5=1.18131e-17 AS 6 = -7.5 0 53e-21/AS7 = l.3 74 6e~2 4 表面Ml ASO=0 AS1=0 AS2=1.9405e-09 AS3=9.5605e-14/AS4:-2·6910e-17/AS5=5·9514e-23 AS6=-7.7031e-26/AS7=1.8364e-30 表面M 2 ASO=0 AS1=0 AS2=3.2910e-09 AS3=1.4964e-13/AS4=~l.2351e-17/AS5=2.4844e-21 AS6=-1.9615e-25/AS7=6.76444e-30
Ml，M2中央孔半徑r = 15. 5公厘 第三表
第25頁 559674 五、發明說明（20) 表面 半徑 厚度 材料 Ob 31.542 402 161.992 15.188 氟化鋰（LiF) 403 469.503 19.672 404 231.246 8.649 11化链 405 323.701 81.163 406 -125.044 7. 000 氟化裡 407 1233. 917 29.038 408 -136.315 028.504 氟化鈉（NaF) 409 -110. 661 42.40 6 410 166. 198 38.763 氟化經 411 -426.980 33.045 412 102. 987 42. 894 氟化链 413 -497.639 3. 533 414 -344. 1 54 7.000 氟化納 415 110.870 62.455 416 -313.200 7.000 氟化链 417 306.167 12.322 AS1 〇〇 4.589 419 -294. 986 77.21 氟化納 420 139.133 310.42 421 -198. 121 17.91 氟化鐘
第26頁 559674
第27頁 五、發明說明（21) 422 -67· 419 .7642 423 -423.496 14.9924 氟化鋰 424 -117· 918 .8112 425 743.808 8.0149 氣化納 426 123.869 .9171 427 128.249 44.3083 氟化鋰 428 -90· 153 .850 1 429 230.303 11. 2449 氟化鋰 430 1 688. 1 2 1 1.1630 431 122.245 7. 9843 氟化鈉 432 59.579 .75 00 433 60.793 24.9206 氣化經 434 -934. 252 1.1385 435 87.724 10.9289 氟化鋰 436 74· 652 87.4167 437 43.171 13.3010 氟化鋰 438 47. 425 5. 000 IMI1 〇〇 135.0601 440 -248.671 -135.0601 441 243.629 135.2019 IMI2 〇〇 21.4887 443 -39.713 2927.9107 氣化經 444 -53·040 2.7851 445 -218.179 26.3722 氟化經 559674
第28頁 五、發明說明（22) 446 -100.461 2.5410 447 -444. 958 33.4544 氟化經 448 -125. 627 3.4864 449 205.875 52. 0553 氟化經 450 -445. 534 3. 1476 451 -393· 1483 57.1061 氟化納 452 529.85954 10.9028 453 171. 69804 54.8263 氟化經 454 -3285. 94521 2.9859 455 1249.94523 10.7714 氟化鈉 456 188. 56505 53.9985 457 -102.09026 18.5249 11化經 458 -114.02167 3.1811 459 -108.06602 36.3405 氟化裡 460 -122.25579 .8148 461 237.93896 30.479 1 462 -591.44374 33.9271 463 -131.73596 9.2936 氟化納 464 -816.022 4.0340 465 -921.759 43. 70 氟化裡 466 -161.952 12. 96 467 135.682 35. 56 氟化裡 468 485.873 7. 77 469 74.486 26.357 IL化锂 559674 、發明說明 (23) 470 88.618 3. 623 471 64.861 56.517 472 65.449 20.524 IM oo 氟化經 非球面常數 11 A Cl .43635053E-07 C2-.10565814E-11 C4-.27930883E-20 C5 .11432015E-24 19 A C1-.96601935E-06 C2 .70267826E-10 C4-.43 329420E-1 7 C5-.4 1 85220IE-20 25 A C1-.29611487E-07 C2 .20760499E-10 C4-.52770520E-18 C5 .86996061E-22 34 A C1-.15885997E-06 C2 .52924012E-10 C4-.86379790E-18 C5 .5932455 IE-21 40 A Cl .23060301E-07 C2 .81122530E-13 C4 .71766836E-21 C5-.46055104E-26 41 A Cl-.l 1072232E-07 C2 .3 1 369498E-1 3 C4 .19892497E-21 C5-.897401 1 5E-26 49 A Cl .56699275E-08 C2 .57 1 27904E-12 C4 .21077816E-20 C5 .1 559543 1E-24 C3 .33243511E-16 C6-.33257819E-29 C3 .31115875E-13 C6 .30053413E-25 C3-.125 1 8124E-14 C6-.19792693E-27 C3-.73552870E-14 C6-.39153227E-25 C3-.321798 19E-17 C6 .12956188E-31 C3 .77375306E-17 C6 .68627541E-31 C3 .59227712E-16 C6-.13690607E-29 <1
第29頁 559674 五、發明說明（24)
63 A
68 A C1-.17174244E-07 C4 .5139449E-20 Cl .10650246E-07 C4 .91073382E-20 C2 .18573484E-11 C5-.37650847E-24 C2 .20265609E-11 C5-.55 1 81052E-24 C3-.42802250E-16 C6 .22638360E-28 C3-.88014450E-16 C6 .37391374E-28 第30頁 i i 559674 圖式簡單說明 9、40、41、229、230 :透鏡表面 25、26、27、28 :負彎月形透鏡 29、30、227、228、408、409 :彎月形透鏡 223 ^ 224 ^ 225 > 226 ^ 238 > 239 '245 ^ 246 > 249 >250 ^ 251、252 :透鏡 440、441、M21、M22 :反射鏡 I 1 1 :照射系統 I Μ 11 2、I Μ I 2 :中間成像 L、L 2 :負透鏡 LI、L3 :正透鏡 LG1 :透鏡 LG2 :第二透鏡組 ΜΙ、M2 :非球形凹面鏡
Ob ： 照射物件 0D ·· 遮攔盤 S1 ： 第一部份物鏡 S3 ： 第三部份物鏡 S31 :反射式部份物 鏡 S32 :折射式部份物 鏡 S4 ·· 反射式物鏡 S41 :第一折射式部 份 物 鏡 S43 :第二折射式部 份 物 鏡 S51 、S53 :折射式物鏡 S52 :中央反射或折 射 式 部份物鏡
第31頁

Claims (1)

  1. 559674 _案號89122147 %年7月J/曰 修正___ 六、申請專利範圍 气v Q，丨 1 . 一種軸對稱折反射式物鏡，係包括兩中間成像。 2. —種折反射式物鏡，係包括兩折射式部份物鏡及一折反 射式部份物鏡。 3. —種物鏡，包括 一第一部份物鏡， 一第一中間成像， 一第二部份物鏡， 一第二中間成像， 一第三部份物鏡， 其中至少一該部份物鏡係純折射式。 ,:4 · 一種物鏡，其至少包括 ：r 一第一部份物鏡， ^ 一中間成像， 一第二部份物鏡， 其中一該部份物鏡係純折射式且一係純反射式。 * ί 5. —種如申請專利範圍第1查企第2項之組合的物鏡。 7 6. —種軸對稱之物鏡，係包括兩中間成像，其中係依序配 :置 一第一折射式部份物鏡， 一包括至少一鏡之部分物鏡，及 ν 一第二折射式部份物鏡。 如申請專利範圍第1至第@項中佳一項之物鏡，其特徵為 包括一部份物鏡，係具有兩含有中央孔口之相對凹面鏡及 一光軸，該凹面鏡係與該光軸對稱，其凹面係互相面對
    第32頁 2001.07.31.032 559674 _案號89122147 办年7月2/曰 修正_ 六、申請專利範圍 著。 β.如申請專利範圍第7項之物鏡’其中每一該凹面鏡之頂 點係位於該光軸上且其中每一該中間成像具有一最大成像 高度且其係位於一在該光轴上具有一貫穿點之表面上，並 且至少一該頂點係距離至少一該貫穿點一小於具有該貫穿 點之成像的最大成像南度。 马.如申請專利範圍第I或第§項之物鏡，其中至少一透鏡係 設於光束路線上且介於兩凹面鏡之間。 LQ.如申請專利範圍第马項之物鏡，其中至少一透鏡係具有 負的折射率。 Π.如申請專利範圍第u第谷項中一項之物鏡，其中 該凹面鏡具有複數中央開口，且每一該開口之半徑皆不超 過鄰近中間成像之最大成像高度的1. 5倍。 JJ.如申請專利範圍第U第谷項中—項之物鏡，其中 每一該開口之半徑皆小於該凹面鏡處之最大光束高度的 25%。 13.如申請專利範圍第:第S項中：^_i§ 一項之物鏡，其中 該光束於每一孔口處皆具有一主射線，其在兩孔口處之值 係大小相等但符號相反。 1 4.如申請專利範圍第1至第$項中一項之物鏡，其中 該折射式部份之至少一透鏡具有非球形表面。 1 5.如申請專利範圍第1至第f項中佳一項之物鏡，其中 至少一該部份物鏡包括一繞射光學元件。 1 6.如申請專利範圍第1至第$項中一項之物鏡，其中
    第33頁 2001.07.31.033 559674 _案號89122147 9β 年7月3/曰 修正__ 六、申請專利範圍 該包括至少一鏡之部份物鏡的放大倍率係介於-1 / 0 . 7與 -1 / 1 · 3 之間。 17.如申請專利範圍第或第1 6項之物鏡，其中該第一折射 式部份物鏡之放大倍率係-1/3至-1/8。 1 8 ·如申請專利範圍第^_或1 6項之物鏡，其中該第二折射式 部份物鏡之放大倍率係-1/0. 8至-1/2。 1 9.如申請專利範圍第1至第@項中一項之物鏡，其中 至少一該第一與第二折射式部份物鏡包括一第一正透鏡 組、一負透鏡組及一第二正透鏡組。 Μ.如申請專利範圍第1 9項之物鏡，其中至少一該第一與 錢 , 第二透鏡組包括至少四個正透鏡。 ϋ.如申請專利範圍第1至第豆項中一項之物鏡，其中 該負透鏡組包括至少兩負彎月形透鏡，且其凹面係互相面 對。 2 2.如申請專利範圍第2 1項之物鏡，其中至少一該第一與 第二透鏡組包括至少四個正透鏡。 ·如申請專利範圍第1至第豆項中一項之物鏡，其中 包含之全部透鏡皆由較佳為一氟化物結晶之相同材料製 成。 ϋ.如申請專利範圍第1至第豆項中—項之物鏡，其中 i 透鏡係由至少兩種不同之氟化物製成。 U ·如申請專利範圍第1至第豆項中一項之物鏡，其中 該成像場係呈一偏軸環狀扇形。 Μ.如申請專利範圍第1至第豆項中一項之物鏡，其中
    第34頁 2001.07.31.034 559674 559674
    案號 89122147 六、申請專利範圍 該第一部份物鏡具有一光瞳面且一中央遮 光瞳面附近。 、肩凡件係設於該 U·如申請專利範圍第i至第豆項中0 —項之铷# , 至少一該折射式部份物鏡具有一透鏡組與二、兄，其中 至少-組’且其中之一具有較小之透鏡直徑。、鏡組 如申請專利範圍第14處第項之物鏡， 一 :球形透鏡表面係設於該具有較小透 λ : 透鏡上。 < 通鏡組的一 專利範圍第1至第-6項中娃一項之物鏡，其中 =弟卩份物鏡在其光瞳面附近具有至少—正凹 即其位置係相距該第二中間成像—介 = 度25¾至75%之間的距離處。 丨仂物饒長 申讀^專利範圍第1至第-6項中U 一項之鏡，其中該 〜像側之邛分物鏡具有兩接續著該第二中間成之 鏡且其在中間影像側上係呈f月凹形，以及鄰近該成像之 兩透鏡’其在該影像側上係呈彎月凹形。 Μ ·如申睛專利範圍第1至第专項中之任至少一項之物鏡， 其中该影像側部份物鏡具有一光瞳面，以及配置於相距該 成像平面一介於該影像側部份物鏡長度的25%至75%之間的 距離處之至少一透鏡係呈一凹向該光瞳面之彎月形。、 U · —種顯微鏡，係包括一如申請專利範圍第丄至第豆項中 —項之物鏡者。 M· —種微影投射曝光裝置，係包括一如申請專利範圍第i 至第Θ項中—項之投射物鏡者。
    第35頁 2001歲3^ 559674 _案號89122147 外年7月日 修正_ 六、申請專利範圍 Μ.使用一種如申請專利範圍第1至第豆項中之任一項之投 射物鏡以實施微影投射曝光者。 辿.一種使用微影技術構成一基底之方法，其步驟包括藉 深紫外線（νυν)照射一遮罩且將該遮罩之一影像經由一如 申請專利範圍第1至第@項中一項之投射物鏡投射至該 基底上者。 4
    第36頁 2001.07.31.036
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