TW557526B - Wafer level interposer - Google Patents

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TW557526B TW091104989A TW91104989A TW557526B TW 557526 B TW557526 B TW 557526B TW 091104989 A TW091104989 A TW 091104989A TW 91104989 A TW91104989 A TW 91104989A TW 557526 B TW557526 B TW 557526B
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557526 A7 ____B7 五、發明説明(1) 發明領域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明相關於晶圓級中介器,尤其相關於具有用來接 介二電裝置的雙面接觸元件的中介器及此種中介器的製造 方法。 發明背景 習知技術中有多種中介器及用來製造及使用這些中介 器的方法。中介器被用於不同的目的。一般而言,中介器 提供二電組件之間的界面,例如一或多個半導體裝置與一 印刷電路板之間,或二印刷電路板之間。例如,中介器可 被用來接介一半導體晶圓於用來測試晶圓上的晶粒以判定 哪些晶粒良好的探針卡。晶圓測試器或探針器可被有利地 採用來對晶粒上的多個分立的接觸元件(例如結合墊)形 成多個分立的壓力連接。以此方式,半導體晶粒可被測 S式’以例如在將晶粒從晶圓獨立出來之前判定晶粒是否爲 不能作用或只能部分作用(均爲「壞的」晶粒)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 半導體裝置的測試是在不同的等級上實施。例如,在 非常先進的系統中,半導體裝置可能在仍然爲晶圓形式下 在不同的溫度及環境條件下對於性能操作被測試。此類型 的測試通常被稱爲「晶圓級測試」。參考圖1,圖中顯示測 試組合件100以說明用來實施具有安裝於一互連基板或結 合在內部的主動電子組件例如ASIC ( application specific integrated circuit,特定應用積體電路)l〇6a至106d的測試 基板(ASIC1 06與底板108的集合)中所包含的半導體裝置 本紙張尺度適用中關家標準(CNS )八4規格(21GX 297公趁) '—""—一 -4- 557526 A7 B7 五、發明説明(2) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的晶圓級測試及/或晶圓級預燒(burn-in )的技術。請參見 藉著參考而結合於此處的共同讓渡的名爲「晶圓級預燒及 測試(Wafer-Level Burn-In and Test )」的美國專利第 6,064,21 3號。彈簧接觸元件110實現ASIC106a至106d (ASIC106a至 106d構成 ASIC106)與一測試下晶圓 (wafeunder-test,WUT ) 102 上的多個測試下裝置 經濟部智慧財產局員工消资合作社印製 (devices-under-test,DUT) 102a 至 102d 之間的互連。在 一實施例中,此組合件被放置在具有獨立溫度調節的真空 容器中,使得ASIC可於與DUT的預燒溫度獨立且在許多 情況中爲大幅低於DUT的預燒溫度的溫度操作。彈簧接觸 元件 110可被安裝於DUT102a至 102d或 ASIC106a至 106d,並且可作扇形散開以放寬對準及互連 ASIC106與 DUT 102的公差限制。對於至主控制器的連接120,互連數 量的大幅減少及因此所達成的互連基板的簡化被實現,因 爲ASIC可從主控制器11 6在相當少的訊號線上接收用來測 試DUT的多個訊號,並且可將這些訊號散播於ASIC 106與 DUT 102之間的相當多的互連部分。ASIC 106也可響應來自 主控制器1 1 6的控制訊號而產生這些訊號的至少一部份。 實體對準技術也在上述參考案中被敘述。 在測試期間,電源118經由底板108提供電力訊號至 ASIC,其中底板1〇8連接於被用來在導銷112的輔助下將 測試組合件固持於定位的夾頭1 〇4a的上方部分。在操作 (亦即測試下)的同時,力施加於z方向以使ASIC 106與 彈簧接觸元件110接觸,且將彈簧接觸元件110壓縮至由 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -5- 557526 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(3) 位在晶圓1 02的任一端部處的壓縮止件1 1 4所決定的位 置。壓縮止件的作用爲使底板108停止於z方向向下移 動,因而決定彈簧接觸元件11 0被壓縮的程度,且因此防 止彈簧接觸元件110的過度壓縮。 圖2顯示另一種測試組合件200,包含晶圓202,中介 器204,及測試器接觸器206。在中介器的二表面上,形成 軟焊球210以將晶圓202互連於測試器接觸器206。晶圓 202上的接觸墊208在晶圓202朝向測試器接觸器206下降 時接觸在中介器204的頂部表面上的軟焊球2 1 0。在晶圓 202進一步降低時,在中介器204的底部表面上的軟焊球 2 1 2與測試器接觸器2 0 6的接觸墊214接觸,因而建立晶圓 202與測試器之間經由測試器接觸器206的電連接。典型 上,晶圓可能具有超過10000個的接觸墊。例如,200mm (毫米)的晶圓可能具有2至5萬個接觸墊。在晶圓與測 試器之間建立如此大數目的接觸墊之間的可靠互連爲非常 大的挑戰。 在習知技術晶圓級測試技術中,互連元件位在晶圓或 接觸器(接線層)上。雖然此習知技術方案提供某些有利 點,但是其也具有某些限制。例如,當互連元件或彈簧位 在晶圓或接觸器上時,模組化構造的方案無法對預燒系統 實施。類似地,軟焊球在中介器上的使用不容許模組化構 造。 應注意有一些現有的雙面互連基板,例如共同讓渡的 名爲「具有導電外殻的撓性接觸結構(Flexible Contact 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-6- 557526 A7 B7 五、發明説明(4) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Structure With An Electrically Conductive Shell)」的美國 專利第5,9 1 7,707號(例如圖36)及共同讓渡的名爲「藉著 將撓性線形成爲具有可彈簧形狀且以至少一彈性導電材料 層覆蓋塗覆該線而形成的電接觸結構,將該接觸結構安裝 於電子組件的方法,及採用該接觸結構的應用(Electrical Contact Structures Formed By Configuring A Flexible Wire To Have A Spr in gable Shape And Cover coating The Wire With At Least One Layer Of A Resilient Conductive Material, Methods Of Mounting The Contact Structures To Electronic Components, And Applications For Employing The Contact Structures)」的美國專利申請案序號第08/452,255號(例 如圖39 )所示者。但是,這些習知技術基板並未能完全應 付某些晶圓級測試的需求。 因此,對於不須將彈性互連元件或其他類型的互連元 件連接至DUT及/或被封裝的裝置上的中介器及其製造及使 用方法有需求。 經濟部智慧財產苟員工消贤合作社印製 發明槪說 本發明提供測試半導體裝置晶圓的方法,包含將中介 器的設置有多個第一彈性接觸元件的第一側連接於晶圓, 將中介器的設置有多個第二彈性接觸元件的第二側連接於 接線層,以及提供從晶圓至接線層及來自接線層的訊號用 的路徑,因而容許晶圓上的裝置作業。 本發明的方法也可實施位在半導體晶圓上的多個半導 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' 557526 A7 B7 經濟部智慈財產局g(工消f合作社印製 五、發明説明(5) 體裝置(DUT )的晶圓級預燒及測試。此包含提供在表面上 具有端子的多個主動電子組件,以及提供用來實現多個 DUT的端子與主動電子組件的端子之間的直接電連接的中 介器。 在本發明的另一實施例中,提供一種方法來形成中介 器’其係藉著提供具有第一表面及第二表面的基板,其中 第二表面係與第一表面相反,在基板的第一表面上形成多 個第一接觸元件,以及在基板的第二表面上形成多個第二 接觸元件。 根據本發明的測試組合件包含具有第一表面,第二表 面’及在第一表面上的多個接觸端子的接線基板,以及具 有第一表面,第二表面,設置在第一及第二表面上的多個 接觸墊,及相鄰於第一表面安裝且從第一表面延伸的多個 第一彈性接觸結構及相鄰於第二表面安裝且從第二表面延 伸的多個第二彈性接觸結構。中介器藉著使接線表面的接 觸墊與多個第一彈性接觸結構嚙合以及使晶圓的接觸墊與 多個第二彈性接觸結構嚙合而提供接線表面與晶圓之間的 電連接。 以下連同圖式敘述不同的其他組合件及方法。 圖式簡要敘述 圖式以舉例說明而非限制性的方式顯示本發明,在圖 式中相同的參考數字標示相同的元件。 圖1顯示用來實施測試基板上所包含的半導體裝置的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) -8 - 557526 A7 B7 五、發明説明(6) 晶圓級預燒及測試的習知技術測試組合件。 圖2顯示包含二表面上附著有軟焊球的中介器的習知 技術測試組合件。 圖3a顯示根據本發明的實施例的包含具有壓縮止件的 中介器的互連組合件。 圖3 b顯示根據本發明的實施例的包含不具有任何壓縮 止件的自由浮動中介器的互連組合件。 圖4a顯示根據本發明的實施例的在二表面上具有相同 組的彈性接觸元件的中介器,但是其也包含接觸元件的位 移,使得向上與向下接觸元件之間的關係並非1 : 1。 圖4b顯示根據本發明的在二表面上具有不同組的彈性 接觸元件的中介器,但是其包含從一組彈性接觸元件伸展 至另一組的節距。 圖4c顯示根據本發明的實施例的包含在中介器基板的 下表面上的被動組件的中介器。 圖4d顯示根據本發明的實施例的包含在中介器基板的 兩側上的組件的中介器。 圖5爲根據本發明的實施例的同屬空間變換器的實施 例的剖面圖。 圖6a至6f爲顯示根據本發明的實施例的成爲於基板的 更漏狀通孔的捕捉墊的製造的剖面側視圖。 圖6g示意地顯示根據本發明的實施例的相關於圖6a至 6f所述的製程中的一步驟。 圖6h示意地顯示根據本發明的實施例的相關於圖6a至 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) ---------裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 -9- 557526 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(7) 6f所述的製程中的另一步驟。 圖6i爲根據本發明的實施例的使用圖6h所示的程序製 成的插座基板的剖面側視圖。 圖7a爲根據本發明的實施例的正與尖端結構接合的電 子組件的側視圖。 圖7b爲根據本發明的實施例的將電子組件與尖端結構 接合的進一步步驟的側視圖。 圖8a爲根據本發明的實施例的剖面側視圖,其中本發 明的接觸尖端結構被固定於伸長型互連元件。 圖8b爲根據本發明的實施例的已經接合於互連元件的 接觸尖端結構的立體圖。 圖8c爲根據本發明的實施例的接合於互連元件的端部 的接觸尖端結構的立體圖。 圖9a顯示根據本發明的實施例的包含具有多個被動及/ 或主動元件的中介器的互連組合件。 圖9b顯示根據本發明的實施例的包含具有安裝在晶粒 及晶圓接觸器上的多個被動及/或主動元件的組合件的互連 組合件。 圖10a及10b分別爲根據用來製造接觸結構的製程的實 施例的形成在電子組件上的完整接觸結構的剖面側視圖及 立體圖。 圖11顯不根據本發明的實施例的在表面之一上設置有 一組軟焊球以用來互連於另一電子組件的中介器。 圖1 2顯示根據本發明的實施例的在表面之一上設置有 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -10- 557526 A7 B7 五、發明説明(8) 被製造而非複合的多個彈簧接觸元件的中介器。 圖1 3顯示根據本發明的實施例的互連兩組磚瓦基板的 中介器。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 圖14顯示根據本發明的實施例的二不同類型的接觸元 件被採用在中介器的頂部及底部表面上的中介器。 圖1 5顯示根據本發明的實施例的包含與壓力致動接觸 器一起實施的中介器的互連組合件。 圖1 6顯示根據本發明的實施例的將多個DUT互連於多 個ASIC的中介器。 圖17顯示根據本發明的實施例的包含主控制器,電 源,及真空容器的互連組合件。 圖1 8a顯示根據本發明的實施例的包含基板及不同彳粱型 彈性接觸元件的中介器。 圖1 8b顯示根據本發明的實施例的包含接觸元件及於 不同位置的壓縮止件的中介器組合件。 元件對照表 經濟部智慧財產局工消资合作社印製 1〇〇 測試組合件 102 測試下晶圓(WUT ) l〇2a 測試下裝置(DUT ) l〇2b 測試下裝置(DUT) l〇2c 測試下裝置(DUT ) l〇2d 測試下裝置(DUT) 104a 夾頭 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 557526 A7 B7 五、發明説明(9) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 106 特定應用積體電路(ASIC) 106a ASIC 106b ASIC 106c ASIC I06d ASIC 108 底板 110 彈簧接觸元件 112 導銷 114 壓縮止件 116 主控制器 118 電源 120 連接 200 測試組合件 202 晶圓 204 中介器 206 測試器接觸器 208 接觸墊 210 軟焊球 212 軟焊球 214 接觸墊 1000 互連組合件 1002 中介器 1004 基板 1006 彈性接觸元件 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -12- 557526 A7 B7 經濟部智慧財產局B(工消費合作社印奴 、發明説明( 1008 弓早 1010 晶 1012 晶 1014 壓 1016 底 1018 殼 1020 剛 1030 互 1032 中 1034 殻 1036 晶 1038 放 1040 基 1042 放 1044 底 1046 接 1048 接 1050 晶 1052 中 1054 彈 1056 基 1058 彈 1060 導 1062 中 性接觸元件 圓接觸器 圓 縮止件 支座 體組合件 性支座 連組合件 介器 體組合件 圓接觸器 置限制件,定位結構 板 置限制件,定位結構 座 觸元件 觸元件 圓 介器 性接觸元件 板 性接觸元件 電痕跡 介器 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -13 - 557526 A7 B7 五、發明説明(1) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1064 彈 性 接 觸 元 件 1066 彈 性 接 觸 元件 1068 中 介 器 5 接 線 基板 1070 彈 性 接 觸 元 件 1072 彈 性 接 觸 元 件 1074 底 部 表 面 1076 被 動 或 主 動 組 件 1078 中 介 器 1080 彈 性 接 觸 元件 1082 頂 部 表 面 1084 彈 性 接 觸 元 件 1086 底 部 表 面 1088 被 動 或 主 動 組 件 1090 被 動 或 主 動 組 件 1092 彈 性 接 觸 元 件 1094 彈 性 接 觸 元 件 1100 空 間 變 換 器 1102 基 板 1102a 頂 部 表 面 1102b 底 部 表 面 1104a 導 電 痕 跡 1104b 導 電 痕 跡 1106a 端 子 ( 接 觸 墊 ) 1106b 端 子 ( 接 觸 墊 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -14- 557526 A7 B7 五、發明説明( 經濟部智慈財產局員工消費合作社印紫 1108a 端子(接觸墊) 1108b 端子(接觸墊) 1 110a 導體 1110b 導體 1112a 導體 1112b 導體 1202 基板 1204 氮化物層 1206 開口 1208 氮化物層 1210 開口 1212 金字塔形凹坑 1214 金字塔形凹坑 1216 非常薄的氮化物層 1218 薄的鈦鎢層 1220 薄的金的種源層 1230 掩罩材料層 1232 導電材料 1242 基板 1244 凹坑 1246 凹坑 1252 中介器基板 1254 凹坑 1256 凹坑 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -15- 557526 A7 B7 五、發明説明(仂 經濟部智慧財產局3 (工消費合作社印製 1258 導電材料 1302 矽基板或晶圓 1306 錦層 1308 鈦層 1310 銅層 1320 尖端結構 1324 結合材料,硬焊(軟焊)糊 1325 塡角物 1332 互連元件(接觸元件) 1418 波紋接觸特徵 1420 接觸尖端結構 1425 接觸尖端結構,底座 1430 凸出金字塔形接觸特徵 1435 伸長接觸尖端結構 1500 中介器 1502 半導體裝置(晶粒) 1504 半導體裝置(晶粒) 1506 缺口 1508 彈性接觸元件 1510 中介器基板 1512 端子 1514 死空間 1530 死空間 1532 晶圓接觸器 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -16- 557526 A7 B7 五、發明説明(1今 經濟部智慈財產笱員工消費合作社印製 1534 接觸墊 15 36 彈簧接觸元件 1600 組合件 1602 電子組件 1602 基板 1604 鈍化層 1606 開口 1608 金屬墊,接觸墊 1610 導電層 1623 曲線狀部分 1650 種源層 1660 自由站立接觸結構 1662 底座端部 1663 傾斜區域 1664 尖端部分 1666 主體部分 1770 電子組件 1702 電子組件 1704 軟焊球 1706 接觸元件 1708 壓縮止件結構 1710 中介器基板 1720 中介器 1750 中介器 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -17- 557526 經濟部智慧財產局員工消費合作社印紫 五、發明説明( 1752 1754 1756 1758 1759 1762 1764 1768 1770 1800 1802 1804 1806 1808 1810 1812 1814 1816 1818 1830 1840 1842 1850 1854 A7 B71合 彈簧接觸元件 基板 接觸元件 方向箭頭 方向箭頭 電子組件 電子組件 接觸墊 接觸墊 中介器 中介器基板 磚瓦基板 磚瓦基板 磚瓦基板 碍瓦基板 磚瓦基板 磚瓦基板 彈性接觸元件 彈性接觸元件 中介器 接觸元件 接觸元件 電子組件 尖端結構 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -18- 557526 A7 B7 五、發明説明(作 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 1856 尖端結構 1858 端子 1861 接觸元.件 1862 接觸元件 1864 電子組件 1866 端子 1870 中介器基板 1872 尖端部分 1874 尖端部分 1900 中介器 1902 接觸元件 1904 接觸元件 1906 半導體晶圓 1908 夾頭 1910 接線基板或層 1912 接觸墊 1914 端子 1916 方向箭頭 2000 系統 2001 中介器 2002 DUT 2003 箭頭 2006 ASIC 2008 互連(支撐)基板 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -19- 557526 經濟部智慈財產局員工消費合作杜印製 五、發明説明( 2016 2018 2020 2100 2102a 2102b 2102c 2102d 2104 2104a 2106a 2106b 2106c 2106d 2108 2112 2116 2118 2130 2140 2141 2142 2144 2148 A7 B7 主控制器 電源 接觸墊 互連組合件 DUT DUT DUT DUT 底板 底板 ASIC ASIC ASIC ASIC 互連基板 導銷 主控制器 電源 接觸器系統 中介器 基.板 彈性接觸元件 壓縮止件 界面線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -20- 557526 A7 B7 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( 2150 2200 2202 2204 2206 2208 2210 2212 2214 2216 2218 2220 2222 2224 2224 2226 2228 2230 2232 2234 2236 2238 2240 2242 1參 傳輸線 中介器 基板 彈性接觸元件 較小節距長度 較長節距長度 中介器組合件 基板 通孔 接觸元件 接觸元件 箭頭 壓縮止件 底座 壓縮止件 接觸元件 接觸元件 底座 底座 壓縮止件 壓縮止件 接觸元件 接觸元件 通孔 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X;297公釐) -21 - 557526 A7 B7 五、發明説明(1令 2244 通孔 51 截面尺寸 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 52 截面尺寸 發明的詳細敘述 本發明相關於在一基板的二表面上設置有彈性互連元 件以用來接觸上面設置有多個晶粒的晶圓的中介器,以及 此種中介器的製造技術。如從以下的敘述會很明顯的,用 來製造中介器的技術涉及將互連元件直接製造在中介器基 板上,或將元件轉移至中介器基板,以成組的互連元件形 成連接,以用來在半導體裝置爲晶圓的一部份之下接觸半 導體裝置。中介器一般而言對於連接二電子組件很有用, 尤其是對於實施測試,作業(exercising ),及預燒特別有 用。以下的敘述及圖式顯示本發明,但是不應被解讀爲限 制本發明。§午多的特定細f卩被欽述來提供對本發明有完全 的瞭解。但是,在某些情況中,眾所熟知或傳統的細節並 未敘述,以不會不必要地妨礙本發明的細節。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 本案中使用某些術語,而這些術語所代表的意義如 下。 術語「懸臂」及「懸臂樑」被用來表示一伸長結構在 一區域被安裝(固定),而另一區域典型上響應以橫向於 伸長結構的縱向軸線的分力作用的力而自由移動。 應用於接觸結構或互連元件的術語「彈性」代表#應 施加的負荷主要展現彈性行爲的結構。本發明的自由站立 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) - 22- 557526 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 五、發明説明(2$) 的彈性互連元件爲順性(compliant )或彈性接觸結構的特 殊情況。 術語「電子組件」包含但是不受限於互連及中介器基 板;由例如任何合適的半導體材料例如矽(S i )或鎵-砷 (GaAs )製成的半導體晶圓及晶粒;互連插座;測試插 座;犧牲構件,元件及基板;半導體封裝,包括陶瓷及塑 膠封裝;晶片支架;被動組件,例如電阻器及電容器;以 及連接器。 以下詳細敘述本發明。圖3a及3b顯示互連組合件的例 子。圖中顯示的互連組合件1 000包含中介器1002。中介器 1002包含具有第一表面及第二表面的基板1004,而每一表 面上設置有多個彈性接觸元件1 006及1 008。在圖3a中, 中介器1002經由施加於接觸元件1006及1008的壓力接觸 而建立晶圓1012與晶圓接觸器1010之間的接觸。晶圓 1012固定於底支座1016,並且殼體組合件1018支撐接觸器 1010。如圖3a所示,基板1004上設置有一或多個壓縮止件 1014,用來防止彈性接觸元件1 006及1008被過度壓縮,如 以下的討論中會更詳細說明的。 雖然單一的壓縮止件1014可作用來防止過度壓縮,但 是較佳的爲在基板1 004上設置多個壓縮止件。壓縮止件的 高度被預先決定,以界定當彈性接觸元件與另一接觸元件 機械及電接觸時的第一位置。在本發明的一實施例中’在 基板1 004的底部表面上不須有壓縮止件’因爲剛性支座 1 020限制晶圓1 〇 1 2的過量移動。應瞭解類似於壓縮止件 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -23- 557526 A7 _B7_ 五、發明説明(2) 1014的壓縮止件可被設置在中介器1 002的底部上,以保護 彈性接觸元件1 006。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在操作時,壓力接觸施加於晶圓1012,將晶圓於z方 向朝向晶圓接觸器1〇1〇移動,因而與彈性接觸元件1 008會 合,然後壓縮彈性接觸元件1 008。當接觸元件1 008被壓縮 時,彈性接觸元件1006也被壓縮,因而建立晶圓1012的端 子與晶圓接觸器1010的端子之間的機械接觸。應注意晶圓 1012及晶圓接觸器1010的端子在圖3a中未顯示。壓縮止 件1014防止過度壓縮,並且因而防止彈性接觸元件1 008受 損。 一般而言,保角或撓性基板可被使用成爲基板1004, 用來實施晶圓級接觸或此處所討論的或熟習此項技術者已 知的其他類型的應用。保角基板的使用容許在圖3a所示的 類型的整體組合件中補償不平坦性。 經濟部智慈財產局資工消费合作社印^ 圖3b顯示另一實施例的互連組合件1 030,包含中介器 1 032,支撐在底座1044上的晶圓1 050,以及晶圓接觸器 1036。晶圓接觸器1 036被支撐在殼體組合件1034中。中介 器1 032包含基板1040,在基板1040的頂部上的多個接觸 元件1 046,以及附著於基板1040的底部的另一組接觸元件 1048。 中介器1 032爲一完全浮動中介器,其一旦被完全組裝 便會被定位成爲離開所有的止件及支座。彈性接觸元件 1046及1 048提供相對的力(分別從晶圓接觸器1036及晶 圓1 050 )以保持此位置。中介器1 032朝向晶圓1050或晶 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -24- 557526 A7 _____ _B7 _ 五、發明説明(2会 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圓接觸器1036的過量移動會分別被放置限制件1042及 1 038止擋。在此情況中,可能必須加入類似於圖3a的止件 1014的止件,以控制在離開定位結構丨〇42及1 038的位置 點處的基板變形。 基板1004 (圖3a)或1040 (圖3b)可由許多材料製 成。包括例如有機介電質諸如印刷電路板(PCB )材料, 矽,絕緣體塗覆金屬薄材,金屬矩陣複合物,玻璃,或陶 瓷。在某些應用中,可能想要從矽形成基板1004。此在會 與操作半導體裝置密切接觸的組合件中特別有用。此種裝 置一般而言在使用期間或可能在測試期間會變熱,因而連 接於具有較小熱膨脹係數的材料以使得主動裝置及接觸器 維持於類似幾何形狀關係非常有幫助。使一矽裝置與另一 矽裝置相配是特別想要的。 經濟部智慧財產局8工消貪合作社印製 圖4a顯示中介器1 052,其中在基板1 056的頂部表面 上的彈性接觸元件1 054在構造上類似於在基板1 056的底部 表面上的彈性接觸元件1058,但是相對於彈性接觸元件 1 05 8橫向移位。圖4a顯示導電痕跡1 060,而電接觸經由導 電痕跡1 060建立在基板的頂部與底部表面上的彈性接觸元 件之間。圖4b顯示不同實施例的中介器1062。圖中顯示在 中介器的頂部表面上的彈性接觸元件1064與在中介器1062 的底部表面上的彈性接觸元件1066的構造不同,且有不同 的橫向分隔。在圖4b的中介器中,中介器1062的下表面 可接觸標準的電子裝置,例如接觸器,而中介器1062的上 表面被定作成爲與特定的電子裝置配合。因此,如上所述 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29*7公釐) -25- 557526 A7 B7 經濟部智慧財產^7g(工消費合作社印製 五、發明説明(2含 的安裝在中介器上的接觸元件的不同設計落在本發明的範 圍及精神內。此種設計使得不同類型的電子組件可被互 連。 圖4c顯示另一實施例的中介器1 068。圖中顯示在中介 器1 068的頂部表面上的彈性接觸元件1 070是以非1 : 1的 關係與在中介器的底部表面1074上的元件1072連接。在圖 4c中,中介器基板可含有用於電力及接地分佈的接線層, 以容許在測試下晶圓上的多個裝置之間可有訊號耦接。另 外,被動或主動組件1076可被附著於底部表面1074。或 者,可使用此技術中已知的用來將被動組件例如電阻器, 電容器,或電感器放置在接線基板1068內的技術(例如埋 置被動(embedded passives) ) ° 圖4d顯示不同實施例的中介器1078。圖中顯示在中介 器1078的頂部表面1 082上的彈性接觸元件1080及在中介 器1 078的底部表面1 086上的彈性接觸元件1084分別連接 於附著於(或者,雖然未顯示但是可被埋置於)中介器基 板的被動或主動組件1 088及1090。用來解耦的電容元件及 /或用於隔離或終結的電阻元件可與中介器基板一起被包 含。彈性接觸元件1092及1094也位在中介器1 078的頂部 表面1082及底部表面1 086上,以使基板可電連接以用來接 觸半導體裝置。 藉著進一步說明,在一類型的中介器中,位在中介器 的頂部表面上的接觸元件(例如相關於圖3a所討論的接觸 元件1 008 )的位置基本上是在位在中介器的底部表面上的 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -26- 557526 A7 B7 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 五、發明説明( 接觸元件(圖3a中的接觸元件1 006 )的位置的正上方。在 另一實施例中(例如圖4b中),中介器的頂部及底部接觸 元件的位置可能並非直立對準。例如,相應的接觸元件可 能位在相同的x-y座標處,而相對於中介器具有不同的z 値.。在另一實施例中,中介器的接觸元件被重新定位成使 得在「頂部」接觸元件的位置與相應「底部」接觸元件的 位置之間有相應但是不同的間隔。 也應瞭解中介器也可作用成爲空間轉換器,以在基板 的各別面上將一節距(從一接觸元件至另一接觸元件的距 離)轉移成另一節距。在圖5中,顯示空間轉換器11 00, 其中想要的空間轉換是藉著空間轉換器的基板1 1 02而達 成。或者,或是除此重新定位之外,可將所附著的個別彈 性接觸結構(未顯示)定形或定位。(名爲「用於互連部 分,中介器,半導體組合件的接觸結構(Contact Structure for Interconnections , I n t e r p o s e r s , Semiconductor Assembly)」的美國專利第5,9 1 7,707號的圖23及其相關的 討論提供更多的細節,此文獻的揭示藉著參考整個結合於 此。) 空間轉換器基板i 102具有頂部(如圖所見者)表面 1102a及底部(如圖所見者)表面1 102b,並且較佳地形成 爲具有交替的絕緣材料(例如陶瓷)層及導電材料層的多 層組件。在此例子中,圖中顯示包含(許多個中的)二導 電痕跡1104a及1104b的一接線層。 多個(圖中顯不其中兩個)端子(接觸墊)1106a及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) - 27- 557526 A7 B7 五、發明説明(2多 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 1 06b以相當精細的節距(彼此相當靠近)設置在空間變換 器基板1102的頂部表面U〇2a上。多個(圖中顯示其中的 兩個)端子(接觸墊)ll〇8a及1108b以相當粗寬的節距 (相對於端子1106a及1106b,亦即彼此間隔較遠)設置在 空間變換器基板1102的底部表面1102b上。例如,底部端 子1108a及1108b可以大約50至lOOmil (密耳)或1.2至 2.5mm (毫米)的節距(相當於印刷電路板節距限制)被設 置,並且頂部端子1106a及1106b可以大約1至l〇mil或 0.0 25至0.2 5 0mm的節距(相當於半導體晶粒結合墊的中心 至中心間隙)被設置,導致50 : 1的節距變換。頂部端子 1106a及1106b分別藉著將端子分別連接於導電痕跡1104a 及1104b的相關聯的導體lll〇a/1112a及lll〇b/1112b而分 別連接於相應的底部端子ll〇8a及1108b。此就多層陸柵陣 列(land grid array,LGA )支撐基板及類似者大體而言爲 已知的。對於空間變換器較詳細的討論,可參見1 999年11 月2日獲准公告的名爲「將探針卡組合件的探針元件的尖 端平面化的方法(Method of Planarizing Tips of pr〇be 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製
Elements of a Probe Card Assembly)」的美國專利第 5,974,662號,其揭示藉著參考而整個結合於此。或者,本 發明的中介器可在改變節距或不改變節距之下在一表S (亦即「頂部」表面)上包含與另一表面(亦即「底部」 表面)上不同的墊圖型。 在半導體的使用的情況中,通孔形成通過半導體裝g 以用於相應接觸元件的連接。整個揭示結合於此的共同言襄 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -28- 557526 A7 B7 五、發明説明(2令 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 渡的名爲「與電子組件特別是具有彈簧封裝的半導體裝置 配合以用來固定,測試,預燒,或操作此種組件的插座 (Socket For Mating With Electronic Component, Particularly Semiconductor Device With Spring Packaging, For Fixturing, Testing, B u r n i n g -1 n Or Operating Such A Component)」的美 國專利申請案序號第09/205,502號討論此種通孔的形成。 在此申請案中,特別注意圖4a至4f,其在此處呈現爲圖6a 至6f。 經濟部智慧財產场員工消费合作社印裂 圖6a至6f爲顯示於半導體基板製造沙漏狀通孔的剖面 側視圖。圖6a顯示本發明的一實施例的製程的第一步驟。 一氮化物層1 204施加於爲1,0,0矽的基板1202的前表面。 氮化物層被定圖型成爲具有開口 1206。這些開口 1 206可爲 正方形,具有大約150至250 // m (微米)例如大約200 // m 的截面尺寸(S1)。以類似的方式,氮化物層1 208施加於 基板1 202的背表面,並且被定圖型成爲具有開口 1210。於 氮化物層1 208的開口 1210可爲正方形,具有大約150至 250// m例如200// m的截面尺寸(S2)。開口 1206中之被 選定者且一般而言每一個的位置直接相對於開口 1 2 1 0中的 相應的一個。一對對準的開口 1 206及1210會決定形成於矽 基板1 2 0 2的通孔端子的位置。開口 1 2 0 6及1 2 1 0被顯示成 爲具有互相相同的截面尺寸(亦即S 1 = S 2 ),但是如以下會 討論的,此並非必要,並且在某些實施中並非較佳。 在一較佳實施例中,等效於開口 1206及1 2 10的開口爲 矩形而非正方形。相對開口可使矩形平行定向,或是相對 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -29- 557526 A7 B7 五、發明説明( 開口可垂直。一般而言,矩形開口在蝕刻時會產生槽結構 而非一點。每一個的相對尺寸不須相同。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖6b顯示下一步驟,其中基板1 202在開口 1 206及 1210內被鈾刻,氮化物層1204及1 208作用成爲掩罩材料 來防止在開口 1 206及1 2 1 0處以外的部分的蝕刻。一合適的 蝕刻劑爲氫氧化鉀(KOH )。其他合適的蝕刻劑包括Na〇H 及強鹼。1,〇,〇矽的一特徵爲其在強鹼溶液中會於一角度被 蝕刻,而此角度爲53.7度。蝕刻根據矽的晶格進行。因 此,開口 1 206及1210被定向成爲與晶格對準較佳。晶格的 方向爲已知,並且一般而言由於大致圓形的矽晶圓的一缺 口來指示。 經濟部智慈財產局g(工消費合作社印製 如果蝕刻製程在達成尖端金字塔形特徵之前停止,則 只從一側蝕刻可給予延伸至基板的該側內的金字塔形凹 坑。凹坑的尺寸是由鈾刻在內部發生的開口的尺寸及方向 以及1,〇,〇矽的蝕刻角度控制。當基板的表面上沒有任何存 留的暴露矽時,蝕刻停止。一般而言,以正方形開口開 始,會產生金字塔形凹坑。如果蝕刻未被驅動至完全,則 可能形成截頭金字塔。在用於蝕刻的開口爲矩形的情況 中,會形成槽結構。 在一較佳實施例中,從兩側進行蝕刻,並且二金字塔 形凹坑1212及1214 (如圖5b中所示)朝向彼此「生 長」。藉著確保開口充分地寬,並且基板充分地薄,金字 塔形凹坑1212及1214會生長至彼此之內(重疊),導致圖 6b所示的「沙漏形」通孔。如果想要,可容許凹坑被「過 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -30- 557526 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 A7 B7___五、發明説明(2参 度蝕刻」,使得氮化物層1 204及1208稍微懸突於凹坑開 口。一旦蝕刻完成,氮化物層1204及1 208可藉著優先蝕刻 (ρ 1· e f e 1· e n t i a 1 e t c h i n g )而被移除。 蝕刻此沙漏於矽基板形成一「導線孔(via )」。導線 孔被廣泛地使用在許多電子製品中,例如半導體裝置及多 層基板。此新的導線孔會成爲可導電,然後可以許多已知 的使用導線孔的方式被使用。 圖6c顯示下一步驟,其中基板1202被重新氮化,例如 藉著在基板1202的所有表面上熱生長非常薄的氮化物層 1 2 1 6,包括在凹坑1 2 1 2及1 2 14的側壁內。此氮化物的功能 有一部份爲使半導體基板的本體與任何隨後施加的導電材 料絕緣。或者,矽氧化物層或其他有機或無機絕緣塗覆層 可施加於基板。 圖6d顯示下一步驟,其中整個基板1 202被塗覆(例如 濺射塗覆)以薄鈦鎢(TiW)層,然後薄的由金(Au )構成 的種源層1 220。代表性的尺寸及可用的方法及材料在審查 中的共同讓渡的名爲「石印式界定的微電子接觸結構 (Lithographically Defined Microelectronic Contact Structure )」的美國專利申請案序號第〇9/〇32,473號中有詳 細的敘述,其揭示藉著參考整個結合於此。 圖6e顯示下一步驟,其中掩罩材料(例如光抗蝕劑) 層1230施加於基板1 202的兩側,並且被定圖型成爲具有與 凹坑1 2 1 2及1 2 14對準的開口。凹坑內的種源層1 2 2 0未被 掩罩材料覆蓋。然後,藉著例如塗鍍而沈積一或多個由導 本f張尺度適财關家標準(CNS ) A4規格(210X297公楚) ' -31 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 557526 A7 B7 五、發明説明(2令 電材料1 232例如鎳,銅,或金構成的層在凹坑ι212及 1214內的暴露的種源層1220上。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖6f顯示下一(最後的)步驟,其中掩罩材料層123〇 被移除(例如藉著沖洗),並且種源層1 2 1 8及1 220的未塗 鍍部分被移除(例如藉著選擇性化學鈾刻),留下導電材 料1 232在凹坑1212及1214內且橋接凹坑1212及1214,因 而形成通過基板1 202的導電導線孔。此提供凹坑1212與凹 坑1214之間的電連續性。與導線孔的金屬化同時,痕跡可 被定圖型在基板的相對面上,以容許更大的功能性或重新 分佈。上述的美國專利申請案序號第〇9/205,502號中有具 有通孔型端子的中介器基板的進一步細節。 圖6g顯示上述製程中的一中間臨時步驟。當凹坑1 2 1 2 及1214 (見圖6b)首先被蝕刻時,其朝向彼此「生長」。 在開口 1206及1210 (見圖6a )具有相同的截面尺寸(均爲 「S 1」)的情況中,生長的凹坑應彼此對稱,其中之一爲 另一者的鏡像,如圖所示。 經濟部智慈財產苟員工消費合作社印製 圖6h顯示製程中的一中間臨時步驟(相當於圖6g ), 其係在開口 1 206與1210 (見圖6a)不具有相同截面尺寸的 情況中,例如開口 1 206具有比開口 1210大的截面尺寸(亦 即S1>S2 )。此處,可觀察到凹坑1 244及1 246 (相當於 1212及1214)以相同的生長率生長至基板1 242 (相當於 1202)內,但是凹坑1 246已經達到其頂點而終止其生長。 凹坑1 244會繼續生長直到蝕刻自我終止。設計者可選擇基 板1 202的厚度及開口 1 206及1210的尺寸,以容許有此蝕 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -32- 557526 A7 ____B7 五、發明説明(鸿 刻圖型或另一選定的蝕刻圖型。 圖6i顯示中介器基板1252 (相當於1 242 ),其中製程 已經以不具有相同截面尺寸的開口(相當於12〇6及121〇) 開始,如在相關於圖6h所討論的情況中。此處,可觀察到 凹坑1254 (相當於1 244 )比凹坑1 256 (相當於1 246 )寬且 深。圖6i也顯示沈積在凹坑1 254及1 256中的種源層(未 顯示)上的導電材料1 258。 對於某些彈性接觸元件,如本發明的中介器(或空間 變換器)實施例中所用者,尖端結構可被製造成爲每—s 連元件的端部。如圖7a所示,尖端結構1 320 (爲顯示的淸 晰起見,圖7a中只顯示二尖端結構)使用標準的倒裝片技 術(例如分稜鏡(split prism ))而與互連元件(接觸元 件)1 332對準,並且組合件經過一硬焊爐而使結合材料 1 3 24軟熔,因而將預先製造的尖端結構1 320結合(亦即硬 焊)於互連元件1 332的端部。 關於具有預先製造的尖端結構的複合互連元件的製 造’圖7a顯示在尖端附著之前的某一步驟處的製造方法。 如圖7a所示,矽基板或晶圓1 302被使用成爲犧牲基板。鈦 層Π08沈積在基板1 302的頂部表面上,並且鋁層1 306沈 積在鈦層1 308的頂部上。銅層1310沈積在鋁層1 306的頂 部上。鋁層作用成爲釋放層。使用合適的蝕刻劑,鋁被優 先(與組合件的其他材料相比)鈾去,並且矽基板1 302簡 單地被移去,導致具有互連元件的電子組件,各具有預先 製造的尖端結構,如圖7b所示。注意結合材料1 324已軟 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· -、11- 經濟部智慈財產苟員工消費合作社印製 -33- 經濟部智慧財產局員工消资合作社印製 557526 A7 ____B7 五、發明説明(3) 熔成爲在互連元件1 332的端部部分上的「塡角物 (fillet )」1 325。在製程的最終步驟中,殘餘的銅 (1 308 )被蝕去,留下暴露的用來對其他電子組件進行壓 力連接的具有想要的接觸冶金特性的尖端結構1 320。或 者’硬焊(軟焊)糊1 324被省略,並且取而代之的是一低 共熔材料(例如金-錫)層在安裝接觸尖端(1 320 )之前被 鍍在彈性互連元件上。 相關於此尖端附著的另外細節可參考名爲「將彈性接 觸結構安裝於半導體裝置的方法(Method of Mounting Resilient Contact Structure to Semiconductor Devices)」的 美國專利第5,829,128號。此技術可被用來將預先製造的尖 端結構結合(例如硬焊或軟焊)於直接製造在半導體裝置 的端子上的非彈性互連元件,彈性互連元件,及複合互連 元件的端部是在本發明的範圍內。使用犧牲基板來製造尖 端結構的其他結構及技術揭示在1 999年11月30日頒發給 Khandros等人的名爲「使用犧牲基板製造互連部分及尖端 (Fabricating Interconnections and Tips Using Sacrificial Substrate)」的美國專利第5,994,152號中,其揭示藉著參 考整個結合於此。 在圖8a,8b,及8c中,顯示可被整合於本發明的中介 器內的接觸尖端結構。另外的接觸尖端結構以及與其相關 聯的討論及圖式呈現在1997年3月17日申請的共同讓渡 的名爲「微電子互連元件的接觸尖端結構及其製造方法 (Contact Tip Structures For Microelectronic Interconnection ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' -34- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
557526 A7 B7 經濟部智您財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(3会 Elements And Methods of Making Same)」,其揭示藉著參 考而整個結合於此。在圖8 a中’顯不接觸尖端結構14 2 0具 有平坦接觸表面。這些接觸尖端顯示成爲被整合在可被使 用成爲中介器結構的「眼鏡蛇」型屈曲樑組合件上。對於 許多壓力接觸應用,驅策抵靠電子組件的常態平坦表面端 子的球形或非常小表面面積的接觸尖端較佳。在其他應用 中,接觸尖端結構的表面會較佳地具有成爲金字塔,截頭 金字塔,錐形,楔形,或類似者的形狀的凸出部。此種接 觸尖端結構的製造技術呈現在上述的08/8 1 9,464號申請案 中〇 在圖8b中,多個伸長接觸尖端結構1430之一顯示成爲 每一結構具有從其表面凸出的凸出金字塔形接觸特徵 1430。就是此凸出接觸特徵要與電子組件(未顯示)的端 子(未顯示)進行實際接觸。 如圖8b所示,金字塔形接觸特徵1430可被適當地拋光 (硏磨),此會使金字塔形特徵形成爲截頭金字塔形特 徵。此相當小的平坦端部形狀(例如一邊爲一密耳的十分 之幾的正方形,在1至10微米的等級)而非確實尖端形狀 在許多應用中會充分地「尖銳」而與電子組件(未顯示) 的端子(未顯示)形成可靠的壓力連接,並且對於進行與 電子組件的重複(例如數以千計的)壓力連接。就磨|毛胃 言比確實尖端特徵佳,例如在本發明的尖端互連元件對晶 圓級接觸器的應用中可預期的。想要的尖端形狀及特徵界 定取決於接觸尖端及配合的表面材料及形態二者的本質。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐)'"~~ ---- -35- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 線 557526 A7 B7 五、發明説明(3$ ϋ些配合接觸元件的爲了有最佳性能的設計必須成爲與建 1中介器組合件本身相關聯的整體設計作業的一部份。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如H 8c所示’在接觸尖端結構被製造的隨後處理步驟 中C例如在上述的〇8/8 19,464號專利申請案中所述者), 一或多個C圖中顯示四個)「波紋(dimple )」接觸特徵 141 8從所得的接觸尖端結構丨425的主體凸出。 「波紋」接觸特徵141 8有數種變化。例如,彈性接觸 結構可被製造在底座1425上成爲具有有不同形狀及離開其 底座的距離的尖端。或者,可藉著提供導電痕跡而將接觸 結構重新定位在底座1425上,使得底座移離初步位置而至 想要的位置。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 如上所述的具有二不同接觸墊圖型的本發明的中介器 實施例的一有用實施例是用來與二不同設計的組件配合, 亦即具有不同類型的端子的組件。亦即,在本發明的一實 施例中,中介器的一表面(例如「頂部」表面)包含一截 頭金字塔接觸墊,並且中介器的相反表面(「底部」表 面)包含錐形接觸墊。如08/8 19,464號申請案中所記載者 或是熟習此項技術者已知的任何不同類型的接觸墊可被整 合至本發明的中介器的此處所述的各種不同的實施例內。 共同讓渡的於1 998年1 1月3日頒發給Eldddge等人的 名爲「將彈性接觸結構安裝於半導體裝置的方法(Method of Mounting Resilient Contact Structures To Semiconductor Devices)」的美國專利弟5,829,128號(「’128專利」)揭 示具有導電材料的基板。此專利文獻的揭示藉著參考整個 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -36 - 557526 A7 B7 五、發明説明(3為 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 結合於此。’ 1 28專利教示供彈性互連元件製造在上面的基 板的例子。特別是,在其圖8a至8e中,揭示被使用成爲上 面製造有尖端結構的犧牲基板的砂晶圓,並且如此製造的 尖端結構可結合(例如軟焊,硬焊)於已經被安裝於電子 組件的彈性接觸結構。 ‘ 1 28專例中進一步揭示彈性接觸結構,其中如其圖7a 所示,「死空間(dead space )」被用來定位電子組件,例 如解耦電容器。在基板與晶圓之間以及在基板與晶圓接觸 器之間裝載(piggyback )被動組件(例如電容器及電阻 器)及/或主動組件的此觀念被整合於本發明的一實施例 內’如此處的圖9a及9b所示及相關於其所討論的。 在圖9a中,顯示中介器1 500在裝置從半導體晶圓 (晶圓未顯示在圖9a中)獨立出(分離出)之前連接於多 個(圖中顯示多個中的兩個)半導體裝置(晶粒)15〇2及 1 504。二裝置之間的邊界是由缺口 15〇6指示。(缺口可能 或可能並非實際存在,並且代表晶圓會被鋸切以獨立出裝 置的据切(線)位置。) 經濟部智恷財產局員工消費合作社印製 在圖9a中’另外顯示中介器1 500包含中介器基板 1 5 1 0 ’其具有設置在基板丨5丨〇的頂部表面上的多個彈性接 觸元件1 508,及設置在基板ι510的底部表面上的多個彈性 接觸元件1 5 3 6。接觸元件1 5 〇 8及1 5 3 6以如以上藉著參考 而敘述及/或結合的方式被製造在基板1 5丨〇上。上面設置有 裝置1 502及1 504的晶圓包含用來被帶至與接觸元件15〇8 機械及電接觸的端子1512。晶圓接觸器1 5 32上設置有用來 本紙張尺錢财賴巧準(CNS ) A4規格77i()X297公楚) -37- 557526 A7 B7 五、發明説明(3參 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 被帶至與接觸元件1 536機械及電接觸的多個接觸墊1 534。 使上面設置有裝置1 504及1 502的晶圓支承抵靠基板 1 5 1 0,反之亦然,使得接觸墊1 5 1 2的每一個實現與彈性接 觸元件1 508中的相應的一個的壓力連接。類似地,使晶圓 接觸器1 532支承抵靠基板1510,反之亦然,使得接觸墊 1 5 34的每一個實現與彈性接觸元件1 536中的相應的一個的 壓力連接。以此方式,提供用來實施晶圓形式的未獨立半 導體裝置的預燒的技術。 基板1 5 1 0可由以上所討論的材料的任何之一構成,例 如印刷電路板(PCB ),陶瓷,或矽。 使用任何合適的對準機構(例如定位銷,未顯示), 使晶圓(裝置1 502,1504,及另外的裝置)與基板1510對 準,使得每一彈性接觸元件1 508支承在一相應接觸墊1512 上。類似地,使用任何合適的對準機構,使晶圓接觸器 1 5 32與基板1510對準,使得每一彈性接觸元件1 5 36支承 在一相應接觸墊1 5 3 4上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖9a所示的中介器1 500的一重要有利點爲彈性接觸元 件1 508與1 5 3 6獨立站立(彼此無關聯),並且可被製造成 爲延伸至離開基板1 5 1 0 —顯著的距離。此很重要,因爲此 在彈性接觸元件1 508之間(且類似地在彈性接觸元件1 536 之間)以及在晶粒(例如1 502 )的相對表面與基板1 5 1 0之 間(且類似地在晶圓接觸器1 5 32的相對表面與基板1510之 間)均提供可覺察到的「死空間」。如由虛線所示,「死 空間」1514及「死空間」1 5 3 0被設置在基板1510的任一表 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -38 - 557526 A7 B7 五、發明説明(3令 面。在許多半導體應用中,將解耦電容器設置成爲盡可能 地靠近互連部分是有益的。根據本發明,有充足的空間來 使解耦電容器位於「死空間」1514及1 530。如圖9a所示, 此種解耦電容器可被安裝於上面設置有晶粒15〇2及1 504的 晶圓及/或於晶圓接觸器1 532。如圖9b所示,解耦電容器 或其他組件可連接於中介器1500的基板1510。應瞭解電容 器以外的其他被動元件或除了電容器之外的被動元件例如 電阻器可被設置在「死空間」1514及1 530中。另外,主動 元件可被設置在「死空間」1514及1 530中。 對於用來實現電子組件之間的壓力連接例如關於本發 明所實施者的接觸元件(彈性及其他)的各種不同類型的 額外細節,可參見共同讓渡的1 997年3月17日申請的名 爲「微電子互連元件的接觸尖端結構(Contact Tip Structures for Microelectronic Interconnection Elements )」 的美國專利申請案序號第08/8 1 9,464號,其揭示藉著參考 整個結合於此。此參考文獻中所揭示的不同接觸元件的任 何之一可被使用成爲互連元件,例如圖3的互連元件1 006 及 1008 。 在本發明的中介器的一實施例中,微電子接觸結構係 石印式地製造。此種接觸結構及其製造的例子詳細地揭示 在以上所參考及結合的審查中的共同讓渡的美國專利申請 案序號第09/032,473號中。特別是,此處分別呈現爲圖l〇a 及10b的此參考案的圖2L及2M顯示一組合件1 600,其中 自由站立接觸結構1 660在其底座端部1 662處附著於電子組 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) t衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慈財產局g(工消費合作社印製 -39- 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 557526 A7 B7 五、發明説明(分 件1 602,結構1 660的主體部分1 666被定位成爲遠離電子 組件1602的表面,並且具有一構形的尖端部分1 664延伸成 爲甚至比主體部分1 666的高度還遠。所得的接觸結構1660 的底座端部1 662的傾斜區域1 663在這些圖中可被淸楚看 見。 在圖10a及10b中,接觸元件1666安裝在一電子裝置 上,其包含矽基板1 602,設置在矽基板1 602的表面上的鈍 化層1 604,以及延伸通過鈍化層1604至金屬墊1 608的開 口 1 606。通常,在一電子裝置上有多個此種接觸墊。 直接在基板1 602的頂部上,有覆蓋除了接觸墊1 608之 外的基板1 602的表面的鈍化層1 604。接觸墊1 608設置在 基板1602的表面上。 其次,導電材料層1 61 0沈積在鈍化層的頂部上。導電 層1610與接觸墊1 608接觸。鈍化層1 604輔助導電層1610 的結合於鈍化層1604。 直接在導電層1610的頂部上,有具有曲線狀部分1623 的種源層1 650。種源層1 650在被定圖型時作用成爲用於要 被製造在電子裝置上的接觸結構的先質。接觸結構爲由導 電材料構成的伸長質量塊的形式,包含底座端部1 662,主 體部分1 666,及尖端1 664。接觸結構的主體部分1 666是在 大致平行於基板1 602的表面的平面中。接觸結構1 660自由 站立,其底座端部1662固定於基板1 602,而其尖端自由, 以與另一電子裝置的端子進行接觸。接觸結構1 660藉著於 X,y,及z軸的任一者或全部彈性及/或順性偏轉而對所施 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X29<7公H _ -40 - 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 557526 A7 B7 五、發明説明(3參 加的力反應。各種不同類型的接觸元件及其製造的進一步 細節顯示在上述的美國專利申請案序號第09/032,473號 中。 圖1 1顯示根據本發明的中介器的另一實施例。中介器 1 720包含設置在中介器基板1 7 1 0的頂部表面上的多個軟焊 球1704,用來建立中介器1720與電子組件1700的端子或 接觸墊(未顯示)之間的接觸。中介器1 720也包含設置在 基板1710的底部表面上的多個彈性接觸元件1 706,用來建 立中介器1720與電子組件1702的端子或接觸墊(未顯示) 之間的接觸。以此方式,中介器1720容許電子組件1700與 1 702之間的機械及電接觸。中介器基板1710上設置有多個 壓縮止件結構1 708,用來在壓力接觸施加在組件1700與基 板1710之間時限制接觸元件1 706的壓縮。 圖12顯示本發明的另一實施例,其中中介器1750具有 設置在其一表面(在圖12中,顯示此表面爲基板1754的 頂部表面)上的使用石印技術製造的多個彈簧接觸元件 1 752。製造此種接觸元件的方法揭示在共同讓渡的美國專 利申請案序號第08/802,054號及其對應PCT申請案 W0 97/43656號中,其揭示藉著參考整個結合於此。在此參 考文獻中,圖6a至6c特別顯示用來製造接觸元件1 752的 技術。 在圖12中,當電子組件1 762壓向基板1 754時,接觸 元件1 752於由方向箭頭1758所示的方向彎曲成壓縮狀態。 另外,當電子組件1 764壓向基板1 754時,接觸元件1756 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 -41 - ^II^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 557526 A 7 B7 五、發明説明(3令 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於由方向箭頭1 759所示的方向彎曲成壓縮狀態。接觸元件 17 56顯示成爲具有比接觸元件1752小的節距。組件1762 及1 764分別包含接觸墊1 770及1 768,用來連接於接觸元 件 1752 及 1756 。 圖1 3顯示根據本發明的實施例的中介器。中介器1 800 包含中介器基板1 802,安裝在基板1 802的兩側上的彈性接 觸元件1816及1818,以及兩組磚瓦基板1 804,1 806,及 1 8 08與1810,1812,及1814。一組磚瓦基板(磚瓦基板 1 804,1 806,及1 808 )位在中介器基板1 802的頂部上,而 另一組磚瓦基板(磚瓦基板1 8 10,1 8 1 2,及1 8 1 4 )位在中 介器基板1 802的底部處。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 彈性接觸元件(經由與底部磚瓦的接觸壓力設置在基 板1 802的頂部表面上的多個彈性接觸元件1 8 1 6,及經由與 底部磚瓦的接觸壓力設置在基板1 802的底部表面上的多個 彈性接觸元件1818)連接成對的基板1 804與1810,並且類 似地連接成對的基板1 806與1812以及基板1 808與1814。 磚瓦基板1 804,1 806,及1 808可爲電子組件基板例如晶圓 (圖1 3中未顯示)的一部份,包含半導體裝置或被動組 件。類似地,基板1 8 1 0,1 8 1 2,及1 8 14可爲另一電子組件 例如晶圓接觸器,探針測試器,或類似者的整體部分。當 磚瓦基板的兩層(1 804與1810,1 806與1812,及1 808與 1 8 1 4 )被推向彼此時,彈性接觸元件1 8 1 6與1 8 1 8被壓縮, 因而施加壓力而建立磚瓦基板之間的電連接。 藉著進一步說明,磚瓦基板1804,1806,及1808可被 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -42- 557526 A7 ___B7_ 五、發明説明(4) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 設置在晶圓上,並且碍瓦基板1810,1812,及1814可被設 置在測試器上。中介器1 800容許整個半導體晶圓同時被測 試,探測,或預燒(一般而言被稱爲「作業 (exercised )」。在半導體晶圓上的相應於磚瓦基板 1 804,1 806,及1 808的多個晶粒位置可藉著經由中介器基 板1 802採用碍瓦基板1810,1812,及1814而容易地被探 測。另外,測試器上的磚瓦基板例如1 8 1 0,1 8 1 2,及1 8 1 4 可被配置來使整個晶圓的探測最佳化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖14顯示根據本發明的中介器的另一實施例,其中兩 種類型的接觸元件被採用在中介器1 830的頂部及底部表面 上,以用來接觸二電子組件。在圖14中,於中介器基板 1 870的頂部表面處,以例如相關於1999年12月1日申請 的主張美國專利申請案序號第09/205,023號及1998年12 月2日申請的名爲「石印式接觸元件(Lithographic Contact Elements )」的美國專利申請案序號第09/205,022號(其揭 示藉著參考整個結合於此)的優先權的共同讓渡的名爲 「石印式接觸元件(Lithographic Contact Elements )」的 PCT申請案第PCT/US99/28597號的圖13c或圖22b敘述的 方式,固定有多個接觸元件1 8 6 1及1 8 6 2,使得尖端部分 1872及1 874與電子組件1 864例如半導體裝置的端子1866 或是含有多個半導體裝置的半導體晶圓(未顯示)的一區 域形成壓力連接。類似地,於基板1 870的底部處,固定有 多個接觸元件,其中的兩個顯示爲1 840及1 842。接觸元件 1 840及1 842的尖端結構1 854及1 8 5 6與電子組件1 8 5 0的端 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -43- 557526 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 A7 B7 ι、發明説明(4) 子1 858形成壓力連接。電子組件1 850可爲含有多個半導體 裝置的晶圓,接觸器,測試裝置,或以上所述的其他電子 組件。如此,機械及電接觸被建立在電子組件1 850與1864 之間。 從以上的討論應很明顯中介器可被設計來互連廣泛不 同的電子組件。藉著在中介器的二表面上的接觸元件的合 適的選擇,如可瞭解的,具有不同節距,不同長度,或有 各種特徵的不同接觸墊的電子組件可使用本發明的設備及 方法而被互連。 如圖15所示,中介器1 900可與一壓力啓動接觸器一起 實施。如圖15所示,中介器1900具有設置在每一側上的 接觸元件1 902及1904,並且測試下裝置爲一完整的半導體 晶圓1 906。晶圓1906被放置成抵靠夾頭1 908。接線基板或 層1910被定位在中介器1900上方。晶圓1 906包含多個接 觸墊1 9 1 2,並且接線基板1 9 1 0包含多個端子1 9 14。如由方 向箭頭1916指示的壓力被用來達成中介器1 900與晶圓 1906之間或更明確地說爲接觸元件1 904與接觸墊1912之 間以及中介器1 900與接線基板1 906之間或更明確地說爲接 觸元件1902與端子1914之間的正確接觸。1 999年8月17 曰申請的共同讓渡的名爲「使用流體壓力的電接觸器,特 別是晶圓級接觸器(Electrical Contactor,Especially Wafer Level Contactor,Using Fluid Pressure)」的美國專利申請案 序號第09/376,759號(其揭示藉著參考整個結合於此)中 討論壓力接觸配置的例子。在此方面,應瞭解各種不同的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -44- 557526 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(岭 止件結構配置例如以上相關於圖3a及3b所討論者可實施 在圖15的配置中。 圖16顯示本發明的系統2000的例示,其中顯示可應用 於本發明的技術的各種不同例示的若干特徵。這些特徵爲 安裝於互連(支撐)基板2008的多個ASIC2006,及經由具 有如以上所討論且由箭頭2003標示的雙面彈性接觸元件的 中介器2001而連接於ASIC2006的多個DUT2002。電源 2018經由互連基板2008,經由ASIC2006,及經由中介器 2001而提供電力至DUT2002,以其被供電而操作。此對於 測試特別有用,且對於預燒也有用。 主控制益2 0 1 6經由互連基板2 0 0 8而提供訊號至 ASIC2006。相當少的訊號例如一資料串列流必須被提供至 每一 ASIC,以個別地控制安裝於互連基板2008的多個(圖 中顯示多個中的一個)ASIC2006。ASIC2006經由接觸墊 2020而接觸在中介器2001的頂部表面上的彈性元件。在本 發明的一實施例中,ASIC2006可相鄰於接觸墊2020被安 裝,因而將ASIC2006與DUT2002之間的訊號路徑減至最 小。但是,並非永遠可能將所有的ASIC均定位成爲靠近接 觸墊2020,因而在本發明的另一實施例中,離開接觸墊 2020較遠的ASIC被接線於接觸墊2020。 圖1 6所示的例示爲用來測試DUT例如記憶體裝置的系 統的例子。主控制器2016經由需要非常少(例如四個)線 的資料匯流排而連接於多個ASIC2006,其中四個線爲用於 資料出的線(以DATA OUT標示),用於資料回的線(以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -45- 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 557526 A7 B7 五、發明説明(4多 DATA BACK標示),用來重新設定ASIC的線(以 MASTER RESET標示),及輸送時鐘訊號的線(以CLOCK 標示)。安裝於互連基板的所有ASIC均連接於在互連基板 中連接於所有的ASIC的這四個「共同」線。此顯示實現 C亦即製造)可用來測試多個複雜電子組件(DUT )的互連 基板(2008 )的簡單性。 電力(以+V標示)及接地(以GROUND標示)連接也 類似地在互連基板中被輕易地應付。基本上,在互連基板 中只需兩條線,其較佳地在多層互連基板中實現成爲平面 (亦即電力平面及接地平面)。另外的細節可見藉著參考 而整個揭示結合於此的共同讓渡的名爲「晶圓級預燒及測 試(Wafer Level Burn-in and Test )」的 PCT 公告第 W〇/97,43656 號。 通訊,電力,及測試可由合適的ASIC及控制及支撐系 統來處理,例如頒發給Yamada等人而由Mitsubishi,Inc.擁 有的美國專利第5,497,079號及PCT公告第W〇/97,43656號 中所討論的。 與對多個DUT供電的習知技術相關聯的問題爲通過互 連基板的電壓降。此問題由本發明藉著對ASIC ( 2006 )提 供增力Π的電壓以及將電壓調節器(以 VOLTAGE REGULATOR標示)結合在ASIC中而克月艮。 熟習與本發明最相關的技術者會認知到未明確顯示的 額外功能可容易地被結合在ASIC內。例如,對每一 ASIC 設置獨特的位址以及位址解碼功能,可將其對來自控制器 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---------¢------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -46- 557526 A7 B7 五、發明説明(4 2016的資料串列流的響應個別化。 與圖1 6所示者有一些相同結構的習知技術系統的操作 及進一步的細節在PCT公告第W097/43656號中討論。在圖 16中,每一 ASIC可容易地與經由中介器2001連接的DUT 在大量的互連元件(彈簧接觸元件)上通訊。另外,位在 互連基板上的ASIC可連通AISC與DUT之間的大量連接部 分中的多個。 於在基板的測試器側使用ASIC的情況中,在測試器墊 與DUT墊之間典型上要求1 : 1的相應性,除非多工電路被 建立在DUT晶圓內。所述的系統藉著使用經由中介器而直 接連接於WUT的ASIC以及從ASIC至測試器板的小量連接 而達成此。 在本發明的中介器中,如果主動組件或其他匯流排設 計被建立在中介器內,則整體「連接數(connection count )」可顯著減少,最顯著的爲於互連基板。例如,8 英吋晶圓可含有500個16Mb的DRAM,每一個具有60個 結合墊,總共爲30000個連接。使用本發明的技術,這 30000個連接直接形成在 ASIC與DUT之間,並且從 ASIC,經由互連(支撐基板),回至主控制器,例如電力 (2線)及串列訊號路徑(少至二線,包括來自電源的接地 線)。此與任何習知技術均成顯著的對比,即使是習知技 術使用本發明的ASIC或類似的儀器,也須經由互連基板將 ASIC連接於將互連基板互連於DUT的機構。本發明藉著實 現ASIC與DUT之間的直接連接而完全去除此問題,並且 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) 裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -47- 557526 A7 B7 五、發明説明(4多 顯著減少互連基板上所需的節點數目。 本發明的另一方面在於使用此處所呈現及討論的各種 不同的中介器成爲尙未有的用來測試製品例如積體電路的 功能性的電路內模仿器(in-circuit emulator,ICE )。在此 情況中,如熟習此項技術者所知的,ICE被用來產生與最終 會由開發中的製品執行的功能相同的功能,因而加速製品 的測試過程。 圖1 7顯示根據本發明的另一實施例的互連組合件 2 1 〇〇,其包含主控制器2 1 1 6,電源2 1 1 8,及接觸器系統 2130。接觸器系統2130包含底板2104及2104a,互連基板 2108,多個 ASIC2106a 至 2106d,多個 DUT2102a 至 2102d, 及中介器2140。中介器2140可爲以上所揭示的實施例的任 何之一。中介器2140包含基板2141及彈性接觸元件 2142。 主控制器2116經由界面線2148而耦接於互連基板 2108,並且電源經由傳輸線2150而耦接於互連基板2108。 導銷2112容許上方底板2104a下降,使得ASIC2106a至 2 l〇6d與彈性接觸元件2142或基板2140的上方側接觸。在 基板 2140的下方側的彈性接觸元件 2142靜置抵靠 DUT2 102a至21 02d。此時,電接觸被建立在不同的ASIC與 DUT之間,因而可同時在晶圓級測試及探測不同的DUT。 底板2104a藉著壓縮止件2144而被停止以防止移動得 太遠而過度壓縮彈性接觸元件2142。另外,壓縮止件可被 設置在2140及/或2106及/或2102之間,如以上相關於圖 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) 批衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T -線 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 -48- 557526 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(4 3b所討論的。 電源2118提供測試DUT所需的電力,並且主控制器 2 i 16管理在DUT上所實施的測試的各種不同方面,如以下 所討論的。 在圖18a中,顯示中介器2200包含基板2202及各種不 同的樑型彈性接觸元件例如2204。中介器2200的主要特徵 爲彈性接觸元件並未對準,使得不同節距長度可被容納在 中介器的二表面上。圖1 8a顯示在中介器的底部表面上的 較小節距長度2206,及在中介器的頂部表面上的較長節距 長度2208。以此方式,中介器2200提供互連不同類型的裝 置的彈性。例如,一表面可連接於具有標準節距圖型的裝 置,而另一表面可配合具有特定節距的裝置。 在圖18b中,顯示具有安裝在基板2212上的不同接觸 元件的中介器組合件2210。基板2212包含三個通孔。每一 通孔代表接觸元件可被安裝在基板22 1 2上的方式的可能變 化。在第一通孔2214上安裝有尖端如由箭頭2220所示地偏 移的二接觸元件2218及2216。 在第二通孔2242處,接觸元件2226及2228安裝在底 座2224及2232上。壓縮止件2222及2224分別被直接安裝 在底座223 2及2230的頂部上。在另一實施例中,接觸元件 223 8及2240被安裝在通孔2244上。但是,壓縮止件2234 及2236被安裝成遠離接觸元件2238及2240,如圖18b所 示。因此’在本發明的範圍及精神內可有各種不同的將接 觸兀件附著於中介器的方式。 ---------批衣------1T------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4規格(210X 297公釐) -49 - 557526 A7 B7 五、發明説明(4 在以上的說明中,已經參考特定的實施例來敘述本發 明,但是,很明顯在不離開由附隨的申請專利範圍所界定 的本發明的範圍及精神下可實施各種不同的修正及改;_。 因此,說明書及圖式應被視爲舉例說明而非限_彳生$ ^ 思° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
*1T 線· 經濟部智慈財產苟員工消費合作社印製
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Claims (1)

  1. 557526 A8 B8 C8 D8__ 六、申請專利範圍 1 1.一種中介器,包含: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一基板,具有第一側及相反的第二側,在該第一側上 的第一組端子,在該第二側上的第二組端子’以及使該第 一側與該第二側的端子電互連的機構; 第一組彈性接觸結構,每一個具有連接於該第一組端 子的各別端子之一的一部份,遠離該基板的一第一接觸區 域,以及從該部分延伸至該第一接觸區域的一伸長區段’ 該伸長區段在該第一接觸區域朝向該基板壓下時彈性彎 曲;及 第二組彈性接觸結構,每一個具有連接於該第二組端 子的各別端子之一的一部份,遠離該基板的一接觸區域, 以及從該部分延伸至該接觸區域的一伸長區段,該伸長區 段在該接觸區域朝向該基板壓下時彈性彎曲; 其中當該第一及第二接觸區域壓下時,該中介器造成 二裝置的電耦接。 2 ·如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中該第一組 彈性接觸結構的位置偏離該第二組彈性接觸結構。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 ·如申請專利範圍第1項所述的中介器,另外包含設置 在該基板上的組件。 4 ·如申g靑專利fe圍桌3項所述的中介器,其中該組件爲 被動組件。 5 ·如申請專利範圍第4項所述的中介器,其中該被動組 件爲電容器。 . 6·如申請專利範圍第4項所述的中介器,其中該組件爲 -51 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 557526 A8 B8 C8 ' … D8 六、申請專利範圍 2 — 一 主動組件。 7·如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中該基板由 矽形成。 8.如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中該基板由 金屬材料形成。 9 ·如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中該基板由 有機材料形成。 10·如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中該基板 由陶瓷材料形成。 11.如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中該基板 包含電力及接地平面。 1 2 ·如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中該基板 包含多個接線層。 13.如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中該第一 組彈性接觸結構係石印式地形成。 14 ·如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中該第二 組彈性接觸結構係石印式地形成。 1 5 ·如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中該第一 組彈性接觸結構係藉著結合及塗鍍而形成。 1 6 ·如申請專利範圍第1項所述的中介器.,其中該第二 組彈性接觸結構係藉著結合及塗鍍而形成。 17.如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中一過度 行進止件被設置在該基板的該第一側上,用來在該第一接 觸區域壓下時控制該第一組彈性接觸結構的壓縮。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2H)X297公釐) ": -52- 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 557526 A8 B8 C8 D8 ^、申請專利範圍 3 1 8 ·如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中一第一 過度行進止件被設置在該基板的該第一側上,用來在該第 一接觸區域壓下時控制該第一組彈性接觸結構的壓縮,並 且一第二過度行進止件被設置在該基板的該第二側上,用 來在該第二接觸區域壓下時控制該第二組彈性接觸結構的 壓縮。 1 9 ·如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中該第一 及第二組彈性接觸結構包含彈性彈簧結構。 2 0.如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中該第一 組接觸結構包含軟焊球。 2 1 ·如申請專利範圍第20項所述的中介器,其中該第二 組接觸結構包含彈性彈簧結構。 2 2 ·如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中該中介 器爲一晶圓級測試組合件的一部份。 23 ·如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中該中介 器的接觸元件係石印式地形成。 24.如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中通孔形 成於該基板。 25 ·如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中該基板 爲剛性。 2 6 ·如申請專利範圍第1項所述的中介器,其中該基板 爲撓性。 2 7. —種晶圓測試方法,包含: . 將上面設置有多個第一彈性接觸元件的中介器的第一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) ---------^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -53- 557526 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 側連接於晶圓; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將上面設置有多個第二彈性接觸元件的中介器的第二 側連接於接線基板;及 對該接線基板提供訊號,因而造成晶圓的測試。 28. —種中介器形成方法,包含: 提供具有一第一表面及一第二表面的基板,該第二表 面相反於該第一表面; 在該基板的該第一表面上形成多個第一接觸元件;及 在該基板的該第二表面上形成多個第二接觸元件。 29. 如申請專利範圍第28項所述的方法,另外包含於該 基板形成通孔端子的步驟。 3 0. —種實施位在半導體晶圓上的多個半導體裝置 (DUT )的晶圓級預燒及測試的方法,包含: 提供在一表面上具有端子的多個主動電子組件;及 提供一中介器,該中介器在其二側上包含基底及接觸 結構,用來實現該多個DUT的端子與該主動電子組件的該 端子之間的直接電連接。 經濟部智慧財產局員工消资合作社印製 3 1. —種用來將第一電子組件電連接於第二電子組件的 組合件,包含: 一中介器,其具有一基板,該基板具有一第一表面及 一第二表面,該第一表面具有第一組彈性接觸結構,且該 第二表面具有第二組彈性接觸結構,該第一及第二電子組 件在其各別表面上具有捕捉墊,該捕捉墊形成爲與相應的 該第一及第二組彈性接觸結構配合;及 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ : -54- 557526 A8 B8 C8 __D8 ____ 六、申請專利範圍 5 一殼體,被連接成爲將該第一及第二電子組件固定於 該中介器。 32·—種晶圓測試系統,包含: 一中介器,在其二側上包含基底及接觸結構;及 一接線層; 其中,該中介器連接晶圓至接線層,用於測試晶圓。 33·如申請專利範圍第32項所述的晶圓測試系統,另外 包含安裝於該接線層的主動組件。 34·—種半導體晶圓測試方法,包含: 提供一測試下晶圓; 提供爲~晶圓測試系統的一部份的一接線層,·及 將一中介器連接在該測試下晶圓與該接線層之間,該 中介器具有一上表面及一下表面,並且具有安裝在該上及 下表面的每一個上的多個彈性接觸元件,該連接係由該多 個彈性接觸元件提供。 35·如申請專利範圍第34項所述的半導體晶圓測試方法 ’其中在該測試下晶圓上提供多個裝置,並且於升高的溫 度作業該裝置。 本紙張尺度適用中國國家榇準(α;ϊΓΓΑ4規格(210x297公釐—) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) |裝_ 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -55-
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI398640B (zh) * 2005-09-19 2013-06-11 Gunsei Kimoto Contact assembly and its LSI wafer inspection device
TWI447408B (zh) * 2008-06-26 2014-08-01 Freescale Semiconductor Inc 具有主動電路元件之測試中介器及其方法
CN107710004A (zh) * 2015-05-29 2018-02-16 R&D电路股份有限公司 集成电路测试环境中探针卡组件的改进的电源瞬变性能(电源完整性)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6917525B2 (en) * 2001-11-27 2005-07-12 Nanonexus, Inc. Construction structures and manufacturing processes for probe card assemblies and packages having wafer level springs
US7382142B2 (en) 2000-05-23 2008-06-03 Nanonexus, Inc. High density interconnect system having rapid fabrication cycle
US7349223B2 (en) * 2000-05-23 2008-03-25 Nanonexus, Inc. Enhanced compliant probe card systems having improved planarity
US6812718B1 (en) 1999-05-27 2004-11-02 Nanonexus, Inc. Massively parallel interface for electronic circuits
US6468098B1 (en) * 1999-08-17 2002-10-22 Formfactor, Inc. Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure
US7952373B2 (en) * 2000-05-23 2011-05-31 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies
US7396236B2 (en) * 2001-03-16 2008-07-08 Formfactor, Inc. Wafer level interposer
US6798225B2 (en) * 2002-05-08 2004-09-28 Formfactor, Inc. Tester channel to multiple IC terminals
US6784674B2 (en) * 2002-05-08 2004-08-31 Formfactor, Inc. Test signal distribution system for IC tester
US6965244B2 (en) * 2002-05-08 2005-11-15 Formfactor, Inc. High performance probe system
US6853209B1 (en) * 2002-07-16 2005-02-08 Aehr Test Systems Contactor assembly for testing electrical circuits
JP4310086B2 (ja) * 2002-08-01 2009-08-05 株式会社日立製作所 エンジン用電子機器
US7084650B2 (en) * 2002-12-16 2006-08-01 Formfactor, Inc. Apparatus and method for limiting over travel in a probe card assembly
DE102004009337A1 (de) * 2004-02-26 2005-09-22 Infineon Technologies Ag Kontaktplatte zur Verwendung bei einer Kalibrierung von Testerkanälen eines Testersystems sowie ein Kalibriersystem mit einer solchen Kontaktplatte
US7071724B2 (en) * 2004-06-25 2006-07-04 Infineon Technologies Ag Wafer probecard interface
US7330040B2 (en) * 2004-06-25 2008-02-12 Infineon Technologies Ag Test circuitry wafer
US7276396B2 (en) * 2004-10-06 2007-10-02 Intel Corporation Die handling system
JP4472593B2 (ja) * 2005-07-12 2010-06-02 東京エレクトロン株式会社 プローブカード
JP4800007B2 (ja) * 2005-11-11 2011-10-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法およびプローブカード
US20080099232A1 (en) * 2006-10-25 2008-05-01 Silicon Test Systems, Inc. Three-dimensional printed circuit board for use with electronic circuitry
US8305098B2 (en) * 2007-04-26 2012-11-06 Advantest (Singapore) Pte Ltd Element usable with the method, and a standalone probe card tester formable using the method
TW200846688A (en) * 2007-05-25 2008-12-01 King Yuan Electronics Co Ltd A testboard with ZIF connectors, method of assembling, integrated circuit testing system and testing method introduced by the same
TW200846682A (en) * 2007-05-25 2008-12-01 King Yuan Electronics Co Ltd A probe card assembly with ZIF connectors, method of assembling, wafer testing system and wafer testing method introduced by the same
US7808259B2 (en) * 2007-09-26 2010-10-05 Formfactor, Inc. Component assembly and alignment
US8033835B2 (en) * 2009-12-18 2011-10-11 Tyco Electronics Corporation Interconnect assembly having a separable mating interface
US8872532B2 (en) * 2009-12-31 2014-10-28 Formfactor, Inc. Wafer test cassette system
JP2011196934A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Hitachi Ltd 試験方法およびそれに用いられるインターポーザ
US8154119B2 (en) 2010-03-31 2012-04-10 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Compliant spring interposer for wafer level three dimensional (3D) integration and method of manufacturing
US8970240B2 (en) * 2010-11-04 2015-03-03 Cascade Microtech, Inc. Resilient electrical interposers, systems that include the interposers, and methods for using and forming the same
US8133061B1 (en) * 2010-11-29 2012-03-13 International Business Machines Corporation Removable and replaceable dual-sided connector pin interposer
US8109769B1 (en) * 2010-12-17 2012-02-07 Rogue Valley Microdevices Micromachined flex interposers
JP5718203B2 (ja) * 2011-10-05 2015-05-13 富士通コンポーネント株式会社 ソケット用モジュール及びソケット
US8491315B1 (en) * 2011-11-29 2013-07-23 Plastronics Socket Partners, Ltd. Micro via adapter socket
US9044822B2 (en) 2012-04-17 2015-06-02 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Transient liquid phase bonding process for double sided power modules
US10058951B2 (en) 2012-04-17 2018-08-28 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Alloy formation control of transient liquid phase bonding
TWI503928B (zh) * 2012-09-10 2015-10-11 矽品精密工業股份有限公司 半導體封裝件及其製法與中介板結構
US9759745B2 (en) 2014-04-29 2017-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Probe card
US10096958B2 (en) * 2015-09-24 2018-10-09 Spire Manufacturing Inc. Interface apparatus for semiconductor testing and method of manufacturing same
JP6510461B2 (ja) * 2016-05-25 2019-05-08 日本特殊陶業株式会社 基板保持装置
US10910770B2 (en) 2018-07-20 2021-02-02 Fci Usa Llc High frequency connector with kick-out
CN113491041B (zh) * 2019-01-14 2024-04-16 安费诺有限公司 小形状因数的内插器
TWI693414B (zh) * 2019-09-10 2020-05-11 矽品精密工業股份有限公司 檢測設備及其測試裝置
CN113258325A (zh) 2020-01-28 2021-08-13 富加宜(美国)有限责任公司 高频中板连接器
KR20220033655A (ko) 2020-09-09 2022-03-17 삼성전자주식회사 반도체 패키지

Family Cites Families (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1349786A (en) 1971-05-26 1974-04-10 Int Computers Ltd Apparatus for testing electrical circuits
GB1420314A (en) * 1973-09-05 1976-01-07 Plessey Co Ltd Swirl passage fuel injection device
US3982159A (en) 1974-11-11 1976-09-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Leadless package retaining frame
GB1508884A (en) 1975-05-17 1978-04-26 Int Computers Ltd Apparatus for testing printed circuit board assemblies
US4293175A (en) 1978-06-08 1981-10-06 Cutchaw John M Connector for integrated circuit packages
US4523144A (en) 1980-05-27 1985-06-11 Japan Electronic Materials Corp. Complex probe card for testing a semiconductor wafer
JPS58178293A (ja) 1982-04-12 1983-10-19 株式会社日立製作所 インタ−ナルポンプ型原子炉
US4719417A (en) 1983-05-03 1988-01-12 Wentworth Laboratories, Inc. Multi-level test probe assembly for IC chips
US4636722A (en) 1984-05-21 1987-01-13 Probe-Rite, Inc. High density probe-head with isolated and shielded transmission lines
US4780670A (en) 1985-03-04 1988-10-25 Xerox Corporation Active probe card for high resolution/low noise wafer level testing
US4837622A (en) 1985-05-10 1989-06-06 Micro-Probe, Inc. High density probe card
JPS6244285A (ja) 1985-08-21 1987-02-26 田中ビニ−ル工業株式会社 椅子の椅子カバ−の張り付け機
US5476211A (en) 1993-11-16 1995-12-19 Form Factor, Inc. Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member
US5829128A (en) * 1993-11-16 1998-11-03 Formfactor, Inc. Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices
US5917707A (en) 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
JPS62142279A (ja) 1985-12-17 1987-06-25 Sharp Corp プリント配線板用チェッカ−
GB8622218D0 (en) * 1986-09-16 1986-10-22 Renishaw Plc Calibration for automatic machine tool
US4983907A (en) 1987-05-14 1991-01-08 Intel Corporation Driven guard probe card
US4820976A (en) * 1987-11-24 1989-04-11 Advanced Micro Devices, Inc. Test fixture capable of electrically testing an integrated circuit die having a planar array of contacts
US5225771A (en) 1988-05-16 1993-07-06 Dri Technology Corp. Making and testing an integrated circuit using high density probe points
US5020219A (en) 1988-05-16 1991-06-04 Leedy Glenn J Method of making a flexible tester surface for testing integrated circuits
US4994735A (en) 1988-05-16 1991-02-19 Leedy Glenn J Flexible tester surface for testing integrated circuits
US4899099A (en) 1988-05-19 1990-02-06 Augat Inc. Flex dot wafer probe
JPH01313969A (ja) 1988-06-13 1989-12-19 Hitachi Ltd 半導体装置
DE3838413A1 (de) 1988-11-12 1990-05-17 Mania Gmbh Adapter fuer elektronische pruefvorrichtungen fuer leiterplatten und dergl.
US4906194A (en) 1989-04-13 1990-03-06 Amp Incorporated High density connector for an IC chip carrier
EP0484378B1 (en) 1989-07-25 1994-09-14 The Upjohn Company Antiarrhythmic tertiary amine-alkenyl-phenyl-alkanesulfonamides
US5055778A (en) 1989-10-02 1991-10-08 Nihon Denshizairyo Kabushiki Kaisha Probe card in which contact pressure and relative position of each probe end are correctly maintained
US4965865A (en) 1989-10-11 1990-10-23 General Signal Corporation Probe card for integrated circuit chip
US4968931A (en) 1989-11-03 1990-11-06 Motorola, Inc. Apparatus and method for burning in integrated circuit wafers
US5399982A (en) 1989-11-13 1995-03-21 Mania Gmbh & Co. Printed circuit board testing device with foil adapter
JP2928592B2 (ja) 1990-06-20 1999-08-03 株式会社日立製作所 半導体lsi検査装置用プローブヘッドの製造方法および検査装置
NL9001478A (nl) 1990-06-28 1992-01-16 Philips Nv Testinrichting voor electrische schakelingen op panelen.
US5187020A (en) 1990-07-31 1993-02-16 Texas Instruments Incorporated Compliant contact pad
US5090118A (en) 1990-07-31 1992-02-25 Texas Instruments Incorporated High performance test head and method of making
US5088190A (en) 1990-08-30 1992-02-18 Texas Instruments Incorporated Method of forming an apparatus for burn in testing of integrated circuit chip
US5521518A (en) 1990-09-20 1996-05-28 Higgins; H. Dan Probe card apparatus
US5124639A (en) 1990-11-20 1992-06-23 Motorola, Inc. Probe card apparatus having a heating element and process for using the same
US5172050A (en) 1991-02-15 1992-12-15 Motorola, Inc. Micromachined semiconductor probe card
US5102343A (en) 1991-02-22 1992-04-07 International Business Machines Corporation Fluid pressure actuated electrical connector
US5323107A (en) 1991-04-15 1994-06-21 Hitachi America, Ltd. Active probe card
FR2677772B1 (fr) 1991-06-11 1993-10-08 Sgs Thomson Microelectronics Sa Carte a pointes pour testeur de puces de circuit integre.
US5173055A (en) 1991-08-08 1992-12-22 Amp Incorporated Area array connector
US5225777A (en) 1992-02-04 1993-07-06 International Business Machines Corporation High density probe
US5228861A (en) 1992-06-12 1993-07-20 Amp Incorporated High density electrical connector system
KR970010656B1 (ko) * 1992-09-01 1997-06-30 마쯔시다 덴기 산교 가부시끼가이샤 반도체 테스트 장치, 반도체 테스트 회로칩 및 프로브 카드
US5382898A (en) 1992-09-21 1995-01-17 Cerprobe Corporation High density probe card for testing electrical circuits
US5371654A (en) 1992-10-19 1994-12-06 International Business Machines Corporation Three dimensional high performance interconnection package
JPH0792479B2 (ja) 1993-03-18 1995-10-09 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置の平行度調整方法
FR2703839B1 (fr) 1993-04-09 1995-07-07 Framatome Connectors France Connecteur intermédiaire entre carte de circuit imprimé et substrat à circuits électroniques.
US5395253A (en) 1993-04-29 1995-03-07 Hughes Aircraft Company Membrane connector with stretch induced micro scrub
US5786701A (en) 1993-07-02 1998-07-28 Mitel Semiconductor Limited Bare die testing
US5550482A (en) 1993-07-20 1996-08-27 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Probe device
US5682064A (en) 1993-08-16 1997-10-28 Micron Technology, Inc. Repairable wafer scale integration system
US6336269B1 (en) * 1993-11-16 2002-01-08 Benjamin N. Eldridge Method of fabricating an interconnection element
US5806181A (en) 1993-11-16 1998-09-15 Formfactor, Inc. Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts
US6064213A (en) * 1993-11-16 2000-05-16 Formfactor, Inc. Wafer-level burn-in and test
US6482013B2 (en) * 1993-11-16 2002-11-19 Formfactor, Inc. Microelectronic spring contact element and electronic component having a plurality of spring contact elements
US5974662A (en) * 1993-11-16 1999-11-02 Formfactor, Inc. Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly
US7064566B2 (en) 1993-11-16 2006-06-20 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit
US5546012A (en) 1994-04-15 1996-08-13 International Business Machines Corporation Probe card assembly having a ceramic probe card
US5534784A (en) 1994-05-02 1996-07-09 Motorola, Inc. Method for probing a semiconductor wafer
US6577148B1 (en) 1994-08-31 2003-06-10 Motorola, Inc. Apparatus, method, and wafer used for testing integrated circuits formed on a product wafer
JP2632136B2 (ja) 1994-10-17 1997-07-23 日本電子材料株式会社 高温測定用プローブカード
JPH08139142A (ja) * 1994-11-09 1996-05-31 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
US5557212A (en) 1994-11-18 1996-09-17 Isaac; George L. Semiconductor test socket and contacts
US5773986A (en) * 1995-04-03 1998-06-30 Motorola, Inc Semiconductor wafer contact system and method for contacting a semiconductor wafer
US6133744A (en) 1995-04-28 2000-10-17 Nec Corporation Apparatus for testing semiconductor wafer
US6002266A (en) 1995-05-23 1999-12-14 Digital Equipment Corporation Socket including centrally distributed test tips for testing unpackaged singulated die
US20020004320A1 (en) 1995-05-26 2002-01-10 David V. Pedersen Attaratus for socketably receiving interconnection elements of an electronic component
US5546405A (en) 1995-07-17 1996-08-13 Advanced Micro Devices, Inc. Debug apparatus for an automated semiconductor testing system
US5971253A (en) 1995-07-31 1999-10-26 Tessera, Inc. Microelectronic component mounting with deformable shell terminals
US5642054A (en) * 1995-08-08 1997-06-24 Hughes Aircraft Company Active circuit multi-port membrane probe for full wafer testing
US5600257A (en) 1995-08-09 1997-02-04 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer test and burn-in
US5686842A (en) 1995-08-31 1997-11-11 Nat Semiconductor Corp Known good die test apparatus and method
US6046597A (en) 1995-10-04 2000-04-04 Oz Technologies, Inc. Test socket for an IC device
US6483328B1 (en) * 1995-11-09 2002-11-19 Formfactor, Inc. Probe card for probing wafers with raised contact elements
US5791914A (en) * 1995-11-21 1998-08-11 Loranger International Corporation Electrical socket with floating guide plate
JP3838381B2 (ja) 1995-11-22 2006-10-25 株式会社アドバンテスト プローブカード
US5729150A (en) 1995-12-01 1998-03-17 Cascade Microtech, Inc. Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables
US5994152A (en) * 1996-02-21 1999-11-30 Formfactor, Inc. Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates
IE960908A1 (en) 1996-04-18 1997-10-22 Motorola Inc Method for high-speed testing a semiconductor device
US6050829A (en) 1996-08-28 2000-04-18 Formfactor, Inc. Making discrete power connections to a space transformer of a probe card assembly
US5828226A (en) 1996-11-06 1998-10-27 Cerprobe Corporation Probe card assembly for high density integrated circuits
US5764072A (en) 1996-12-20 1998-06-09 Probe Technology Dual contact probe assembly for testing integrated circuits
US6429029B1 (en) 1997-01-15 2002-08-06 Formfactor, Inc. Concurrent design and subsequent partitioning of product and test die
US6060891A (en) 1997-02-11 2000-05-09 Micron Technology, Inc. Probe card for semiconductor wafers and method and system for testing wafers
FR2762140B1 (fr) 1997-04-10 2000-01-14 Mesatronic Procede de fabrication d'une carte a pointes de contact multiple pour le test des puces semiconductrices
JP3388271B2 (ja) 1997-05-19 2003-03-17 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
US6181567B1 (en) 1997-06-04 2001-01-30 Ncr Corporation Method and apparatus for securing an electronic package to a circuit board
KR100268414B1 (ko) 1997-09-08 2000-11-01 윤종용 반도체 장치를 테스트하기 위한 프로브 카드
US6040700A (en) 1997-09-15 2000-03-21 Credence Systems Corporation Semiconductor tester system including test head supported by wafer prober frame
US6142789A (en) 1997-09-22 2000-11-07 Silicon Graphics, Inc. Demateable, compliant, area array interconnect
US6059982A (en) 1997-09-30 2000-05-09 International Business Machines Corporation Micro probe assembly and method of fabrication
US6014032A (en) 1997-09-30 2000-01-11 International Business Machines Corporation Micro probe ring assembly and method of fabrication
JPH11125645A (ja) 1997-10-21 1999-05-11 Mitsubishi Electric Corp 垂直針型プローブカードおよびその製造方法
JP3123483B2 (ja) 1997-10-28 2001-01-09 日本電気株式会社 プローブカード及びプローブカード形成方法
ATE260470T1 (de) 1997-11-05 2004-03-15 Feinmetall Gmbh Prüfkopf für mikrostrukturen mit schnittstelle
JPH11160356A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウェハ一括型測定検査用プローブカードおよびセラミック多層配線基板ならびにそれらの製造方法
US6246250B1 (en) 1998-05-11 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Probe card having on-board multiplex circuitry for expanding tester resources
SG108210A1 (en) 1998-06-19 2005-01-28 Advantest Corp Probe contactor formed by photolithography process
US6705876B2 (en) 1998-07-13 2004-03-16 Formfactor, Inc. Electrical interconnect assemblies and methods
USRE41515E1 (en) 1998-08-12 2010-08-17 Tokyo Electron Limited Contactor and production method for contactor
US6215320B1 (en) * 1998-10-23 2001-04-10 Teradyne, Inc. High density printed circuit board
US6160412A (en) 1998-11-05 2000-12-12 Wentworth Laboratories, Inc. Impedance-matched interconnection device for connecting a vertical-pin integrated circuit probing device to integrated circuit test equipment
US6268015B1 (en) * 1998-12-02 2001-07-31 Formfactor Method of making and using lithographic contact springs
US6255126B1 (en) * 1998-12-02 2001-07-03 Formfactor, Inc. Lithographic contact elements
US6456099B1 (en) 1998-12-31 2002-09-24 Formfactor, Inc. Special contact points for accessing internal circuitry of an integrated circuit
JP4414502B2 (ja) 1999-02-25 2010-02-10 東京エレクトロン株式会社 プロービングカード
US7215131B1 (en) 1999-06-07 2007-05-08 Formfactor, Inc. Segmented contactor
US6468098B1 (en) 1999-08-17 2002-10-22 Formfactor, Inc. Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure
US6354844B1 (en) * 1999-12-13 2002-03-12 International Business Machines Corporation Land grid array alignment and engagement design
US7396236B2 (en) * 2001-03-16 2008-07-08 Formfactor, Inc. Wafer level interposer
US6991969B2 (en) 2003-02-19 2006-01-31 Octavian Scientific, Inc. Methods and apparatus for addition of electrical conductors to previously fabricated device
US7201583B2 (en) * 2003-12-31 2007-04-10 Intel Corporation Three-dimensional flexible interposer
US7230437B2 (en) * 2004-06-15 2007-06-12 Formfactor, Inc. Mechanically reconfigurable vertical tester interface for IC probing
JP4207047B2 (ja) 2006-01-19 2009-01-14 トヨタ自動車株式会社 内燃機関のカムシャフト支持構造
US7674112B2 (en) * 2006-12-28 2010-03-09 Formfactor, Inc. Resilient contact element and methods of fabrication
US7977956B2 (en) * 2009-04-28 2011-07-12 Formfactor, Inc. Method and apparatus for probe card alignment in a test system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI398640B (zh) * 2005-09-19 2013-06-11 Gunsei Kimoto Contact assembly and its LSI wafer inspection device
TWI447408B (zh) * 2008-06-26 2014-08-01 Freescale Semiconductor Inc 具有主動電路元件之測試中介器及其方法
CN107710004A (zh) * 2015-05-29 2018-02-16 R&D电路股份有限公司 集成电路测试环境中探针卡组件的改进的电源瞬变性能(电源完整性)

Also Published As

Publication number Publication date
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WO2002075783A8 (en) 2005-03-17
US20080265922A1 (en) 2008-10-30

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