JPH08139142A - プローブ装置 - Google Patents

プローブ装置

Info

Publication number
JPH08139142A
JPH08139142A JP6300260A JP30026094A JPH08139142A JP H08139142 A JPH08139142 A JP H08139142A JP 6300260 A JP6300260 A JP 6300260A JP 30026094 A JP30026094 A JP 30026094A JP H08139142 A JPH08139142 A JP H08139142A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pogo
pogo pin
signal
pins
probe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6300260A
Other languages
English (en)
Inventor
Kunio Sano
國夫 佐野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Tokyo Electron Yamanashi Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP6300260A priority Critical patent/JPH08139142A/ja
Priority to TW084111676A priority patent/TW287234B/zh
Priority to US08/553,013 priority patent/US5703494A/en
Priority to KR1019950040538A priority patent/KR100280081B1/ko
Publication of JPH08139142A publication Critical patent/JPH08139142A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/06705Apparatus for holding or moving single probes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 各信号用ポゴピンをグランド用ポゴピンで
囲んでインピーダンスが略同じになるように設定するこ
とにより正確な特性検査を行なうことができるプローブ
装置を提供する。 【構成】 テストヘッド10とプローブカード38との
間の電気的接続を行なうために複数の信号用ポゴピン1
4Aと複数のグランド用ポゴピン14Bを有したポゴピ
ンリング36を備え、被検査体WをX,Y,Z方向へ移
動させつつ前記プローブカードのプローブ針を前記被検
査体に接触させて電気的検査を行なうプローブ装置にお
いて、前記各信号用ポゴピンを、前記グランド用ポゴピ
ンにより囲むように構成する。これにより、各信号用ポ
ゴピンに関するインピーダンスを略同一とし、正確な特
性検査を行なう。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ上に形成
されたチップ等の電気的特性の検査を行なうプローブ装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、ICの製造技術の革新により半導
体集積回路の高密度化、高集積化及び動作速度の高速化
が推進されている。また、半導体ウエハ上に形成されて
た多数のチップは、パッケージングされる前に正常な電
気的特性を示すか否か順次検査が行なわれる。ウエハ上
の各チップの検査を行なうにはプローブ装置が用いら
れ、このプローブ装置は、テスタ側からの高周波検査信
号をプローブカード側へ伝えるポゴピンリングや多数の
プローブ針を植設したプローブカードを有しており、こ
のプローブ針の先端をICチップの各パッドに接触させ
て高周波の検査用信号をテスタ側から流して検査するよ
うになっている。
【0003】この場合、上述のように集積回路の動作速
度が高速化してきたことから、検査に用いる信号周波数
も例えば100MHz程度或いはそれ以上に高周波化し
てきている。このような高周波検査信号を流す、テスタ
からのプローブ針にいたる伝送系は分布定数回路として
取り扱うことができ、反射波による検査信号の波形歪み
を極力防止して、正確な特性検査を行なうためには伝送
系の静電容量をできるだけ小さくし、且つ伝送経路全体
に亘ってインピーダンス整合をできるだけとる必要があ
る。
【0004】ここで従来のプローブ装置について説明す
る。図7は一般的なプローブ装置を示す概略構成図、図
8は従来のポゴピンリングとプローブカードとの関係を
示す概略斜視図、図9は図8に示すポゴピンリングを示
す概略側面図、図10は従来のポゴピンリングを示す部
分平面図、図11は図10に示すポゴピンリングに対応
するプローブカードを示す部分平面図、図12は従来の
ポゴピンリングのポゴピンの配列を示す部分拡大図であ
る。
【0005】被検査体としての半導体ウエハWを載置保
持する載置台2は、X・Y・Zステージ4によりX方
向、Y方向及びZ方向へ移動可能になされると共にZ軸
のまわり方向であるθ方向へも回転可能になされてい
る。この載置台2の上方には、この装置全体を被うケー
シング6の上部にヒンジ8を介して起倒自在になされた
テストヘッド10が設けられており、このテストヘッド
10は配線束を介して、高周波の検査信号を送出するテ
スタ(図示せず)に接続されている。
【0006】テストヘッド10の下面中央部には、プリ
ント配線基板よりなるパフォーマンスボード12、出没
可能になされた多数のポゴピン14を備えた例えばガラ
スエポキシ系樹脂製のポゴピンリング16及びウエハ上
のチップのパッド列に対応させて植設された多数のプロ
ーブ針18を有するリング状のプローブカード20が順
次取付られており、この部分はベース22に設けた検査
孔24内に遊嵌状態で嵌装するようになっている。そし
て、上記プローブカード20のプローブ針18をウエハ
上のチップのパッドに接触させた状態で検査信号を流す
ことにより、各チップの電気的特性を検査するようにな
っている。
【0007】上記ポゴピンリング16は、パフォーマン
スボード12とプローブカード20との間の電気的接続
を行なうものであり、図8、図9及び図10に示すよう
に絶縁性材料よりなるリング状のポゴピンリング本体1
6Aに同心円状に多数のポゴピン孔を形成し、このポゴ
ピン孔に先端が上下方向に突出して弾発部材等により出
没可能になされたポゴピン14を挿入して保持するよう
に構成されている。上記ポゴピン14の下端部と接触し
てこれを受けるプローブカード20は、その上面に上記
ポゴピン14と同様に配置された接触端子28を有して
おり、各端子は必要箇所にプリント配線により接続され
ると共に一部の端子は同じくプリント配線により形成さ
れた配線30を介してプローブ針或いはメンブレンコン
タクトの場合にはそのコンタクト端子に接続されてい
る。尚、図11はメンブレンコンタクト用のプローブカ
ードを示すが、プローブ針用のプローブカードとの相異
は中央の取付孔32が円形から四角形に変わっているだ
けであり、基本的には同じ構成である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述のよう
にテスタよりプローブ針まで供給される検査用信号は、
例えば数10MHzから数100MHzまでに至る高周
波信号であることから正確な特性検査を行なうためには
インピーダンス不整合に伴う反射をできるだけ抑制して
歪みのない信号波形を伝送する必要がある。信号の伝送
を行なう場合には、実際に検査信号を乗せる信号ライン
の他にグランドラインも存在するが、従来装置のポゴピ
ンリング16にあっては、図8、図10及び図12に示
すように信号用ポゴピン14A(図12中白丸で示す)
同士或いはグランド用ポゴピン14B(図12中黒丸で
示す)同士を同心円状に配置し、しかも各ポゴピンがリ
ング中心より半径方向に放射状に配列するように設けら
れている。従って、円周方向に隣接するポゴピン同士の
間隔は、リング外径方向に行く程広くなっている。
【0009】各信号用ポゴピン14Aのインピーダンス
は、これを取り囲む周辺のポゴピンとの間に形成される
僅かな容量によってその値が決定されるが、前述のよう
にリング外径方向に行く程ピン間隔が広くなることから
リング内側のポゴピンよりも外側のポゴピンのインピー
ダンスの方が大きくなってしまい、個々の信号用ポゴピ
ン14Aのインピーダンスが異なってしまう。更には、
個々の信号用ポゴピン14Aがリング周方向に隣接する
ポゴピンも信号用ポゴピン14Aであることから、これ
らが相互に干渉し合い、クロストークの問題及びインピ
ーダンスのばらつきの問題を更に大きなものとしてい
た。
【0010】このように各信号用ポゴピンにインピーダ
ンスのばらつきが存在すると、信号波形の歪み程度がイ
ンピーダンスのばらつきに依存して各ピンによって波形
が異なってしまい、正確な特性検査ができないばかり
か、検査の高速化の障害となっていた。上記した問題点
を解決するために、ピンの周囲をグランドに接地された
管体で被うようにした同軸ポゴピンを用いることもでき
るが、この場合には、高価な同軸ポゴピンを用いるため
にコスト高を招来するのみならず、寸法が大きいことか
ら実装効率も低下し、多ピン化に逆行するという問題が
あった。
【0011】本発明は、以上のような問題に着目し、こ
れを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の
目的は、各信号用ポゴピンのインピーダンスを略同じに
なるように設定することにより、正確な特性検査を行な
うことができるプローブ装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、テストヘッドとプローブカードとの間
の電気的接続を行なうために複数の信号用ポゴピンと複
数のグランド用ポゴピンを有したポゴピンリングを備
え、被検査体をX,Y,Z方向へ移動させつつ前記プロ
ーブカードのプローブ針を前記被検査体に接触させて電
気的検査を行なうプローブ装置において、前記各信号用
ポゴピンを、前記グランド用ポゴピンにより囲むように
構成したものである。
【0013】
【作用】本発明は、以上のように構成したので、各信号
用ポゴピンはグランド用ポゴピンに囲まれているので、
信号用ポゴピン同士の影響はほとんどなくなり、各信号
用ポゴピンのインピーダンスを略同じ値に設定すること
が可能となる。この場合、4つのグランド用ポゴピンを
方形、好ましくは正方形の4角部に配置し、この中心す
なわち正方形の対角線の交点に信号用ポゴピンを配置し
てこれを囲むようにすることにより、信号用ポゴピン同
士の影響を略確実に断つことができ、しかも各ポゴピン
のインピーダンスも略同一の値とすることができる。従
って、このようなポゴピンリングを装着して被検査体の
電気的検査を行なうことにより、検査信号の波形は各信
号用ポゴピン間で略同一となり、正確な検査を行なうこ
とが可能となる。
【0014】
【実施例】以下に、本発明に係るプローブ装置の一実施
例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明に係る
プローブ装置を示す概略構成図、図2は本発明のプロー
ブ装置に用いるポゴピンリングを示す部分平面図、図3
は図2に示すポゴピンリングのポゴピンの配列を説明す
るための部分拡大図、図4は図2に示すポゴピンリング
に対応するプローブカードを示す部分平面図、図5はピ
ン挿入孔に取り付けられるポゴピンを示す拡大断面図で
ある。
【0015】本発明に係るプローブ装置全体は、ポゴピ
ンの配列を後述のように工夫したポゴピンリングを用い
る点を除き、図7に示した構成と略同様に構成されてい
る。すなわち図1に示すようにこのプローブ装置は、被
検査体としての例えば半導体ウエハWを載置保持する載
置台2を有し、この載置台は、X・Y・Zステージ4に
よりX方向、これに直交するY方向及びX・Y方向を含
む面に直交するZ方向(図中上下方向)へ移動可能にな
されると共にZ軸まわり方向であるθ方向へも回転可能
になされている。載置台2の上方には、各種の検査用回
路を内蔵して非常な重量物となっているテストヘッド1
0が設けられており、このテストヘッド10は装置全体
を被うケーシング6の上部にヒンジ8を介して起倒自在
になされている。このテストヘッド10は配線束を介し
て、高周波、例えば10MHzから数100MHz程度
の検査信号を送出すると共に返り信号に基ずいてチップ
の電気的特性を判断するためのテスタ(図示せず)に接
続されている。
【0016】テストヘッド10の下面中央部には、プリ
ント配線基板よりなるパフォーマンスボード34、出没
可能になされた多数のポゴピン14を備えた本発明の特
長とするポゴピンリング36及びウエハ上のチップのパ
ッド列に対応させて植設された多数のプローブ針18を
有するプローブカード38が順次取付固定されており、
この部分はベース22に設けた検査孔24内に遊嵌状態
で嵌装するようになっている。そして、上記プローブカ
ード38のプローブ針18をウエハ上のチップのパッド
に接触させた状態で検査信号を流すことにより、各チッ
プの電気的特性を検査するようになっている。
【0017】本発明の特長とするポゴピンリング36
は、各信号用ポゴピンのインピーダンスを略同一に設定
するために以下のように構成されている。すなわち、こ
のポゴピンリング36のポゴピンリング本体36Aは、
ガラスエポキシ樹脂やベークライト樹脂等の絶縁材によ
り例えば厚さ5mm程度の板状に形成されており、この
中心部にメンブレンコンタクトや下向き傾斜させてプロ
ーブ針18を取り付けるための取付孔40が形成されて
いる。そして、このポゴピンリング本体36Aの周縁部
に沿ってグループ化して多数の信号用ポゴピン14A及
びグランド用ポゴピン14Bが上下方向に貫通させて設
けられている。
【0018】本発明おいては、個々の信号用ポゴピン1
4Aは、複数、図3に示す例においては4つのグランド
用ポゴピン14Bによって囲まれている。図3は図2中
の1ポゴピングループを一部を拡大して示しており、白
丸は信号用ポゴピン14Aを示し、黒丸はグランド用ポ
ゴピン14Bを示す。この図示例にあっては、破線で示
す方形(ここでは正方形)の角部に配置した4つのグラ
ンド用ポゴピン14Bで1つのブロック42を形成して
おり、対向する角部を結ぶ対角線の交点、すなわち方形
ブロック42の中心点に信号用ポゴピン14Aを配置し
ている。従って、信号用ポゴピン14Aとこれを囲む各
グランド用ポゴピン14Bとの間の距離L1は等しくな
る。この距離L1は、隣の信号用ポゴピンとの間隔、囲
っているグランド用ポゴピンの本数、ポゴピンリングの
母材の誘電率、ピンと接触する接触端子のパターンに依
存して決定されるが、本実施例においては、例えば3.
0mm程度に設定されている。
【0019】上記したようなポゴピンの正方形ブロック
42は、斜めの状態にして円板状ポゴピンリング36の
弦方向(図2も参照)へ1個または2個ずつ隣接させて
多数設けられている。この場合、隣接するブロック42
間において、それと接する辺に位置する2つのグランド
用ポゴピン14Bは兼用されており、信号用ポゴピン1
4Aの実装効率を高めるようになっている。このような
信号用ポゴピン14A及びグランド用ポゴピン14B
は、リング全体でそれぞれ数100本程度設けられるこ
とになる。ここで使用されるポゴピン14の一例は、図
5に示されている。このポゴピン14は内部が上下に2
分割された直径L2が1.5mm程度の円筒状の導電性
ピンホルダ44を有しており、2分割されたこのホルダ
44内の上下に、バネのごとき弾発部材46、46によ
り上方或いは下方へ出没可能ななされた接触ピン48、
48を収容している。各接触ピン48、48の基部は拡
径させて僅かに太くなされると共にピンホルダ44の上
下端の開口部は、内側へ僅かに屈曲させて開口面積を小
さくしており、上記接触ピン48、48が脱落しないよ
うになっている。このように構成されたポゴピン14
が、ポゴピンリング本体36Aの上下に貫通して設けた
ピン挿入孔50に装着して取付られている。
【0020】上述のように構成されたポゴピンリング3
6のポゴピン14の上端と接触するパフォーマンスボー
ド34及びポゴピン14の下端と接触するプローブカー
ド38のプリント配線パターンは、上記ポゴピン14の
配列パターンと同じになるように形成される。例えば図
4は上記プローブカード38の平面図を示し、ポゴピン
14の下端と接触する接触端子28の配列パターンは、
図2に示すポゴピン14Aの配列パターンと同じように
形成されている。そして、この一部の接触端子28は、
配線30を介して、中央部の取付孔32に設けられるプ
ローブ針或いはメンブレンコンタクトに接続される。
【0021】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、半導体ウエハWを載置台
2上に位置合わせして載置し、これをZ方向に上昇させ
てプローブ針18とウエハ上のチップのパッドとを接触
させ、この状態でテストヘッド10側から高周波の検査
信号をプローブ針を介してチップに流し、チップの特性
検査を行なう。ここでパルス列よりなる検査信号は、ポ
ゴピンリング36の信号用ポゴピン14Aを介して伝送
される。1つのチップの検査が終了したならば、X,Y
方向へウエハを1チップ分順次歩進させて、同様な検査
を行なう。ここで、検査用の信号としては、前述のよう
に例えば10MHzから数100MHzまでの高周波を
用いることから伝送経路途中のインピーダンス変化によ
り信号の反射や波形の歪みを強く受ける傾向にある。
【0022】例えば伝送経路途中のポゴピンリングに着
目すると、従来のリングにあっては個々の信号用ポゴピ
ンはリングに対して放射状(図12参照)に配列されて
いることから内側のポゴピンと外側のポゴピンとでイン
ピーダンスが異なり、そのためにポゴピンを通る信号波
形の反射の度合いが異なるので信号波形の伝送状態が、
通過するポゴピンにより異なることとなり、この結果、
チップに到達する時の波形が異なり、正確な電気的特性
の検査を行なうことが困難な場合があった。
【0023】これに対して、本発明の装置によれば、個
々の信号用ポゴピン14Aは、等距離で配置された複
数、例えば4つのグランド用ポゴピン14Bにより囲ま
れているので、周辺に隣接する信号用ポゴピンからの影
響をほとんど断つことができる。すなわち各信号用ポゴ
ピン14Aが容量的に他の信号用ポゴピン14Aからは
絶縁された状態となる。従って、個々の信号用ポゴピン
14Aに関するインピーダンスは略同一の値となり、従
って、信号用ポゴピン14A間における検査用信号の波
形の反射の程度は略一定となり、チップの電気的特性の
検査を正確に行なうことができるのみならず、高速動作
に対応した高い周波数での検査が可能となり、検査の高
速化を図ることができる。
【0024】また、上述のように隣接する信号用ポゴピ
ン同士の影響を略断つことができるので、クロストーク
の問題も解決することが可能である。更には、信号用ポ
ゴピンの本数に関係なく、全ての信号用ポゴピンに関す
るインピーダンスを略一定にできるので、多ピン化に対
応することもできる。
【0025】尚、上記した4つのグランド用ポゴピン1
4Bの配列は、単に一例を示したに過ぎず、2列、3列
或いはそれ以上の列で均等に配置してもよいし、1つの
ブロックの形成する形状は正方形に限定されず、長方形
状としてもよい。また、1つの信号用ポゴピンを囲むグ
ランド用ポゴピン14Bの本数は、実装効率とインピー
ダンス均一性の観点からは4本が最も望ましいが、この
本数に限定されず、それ以上の本数で囲むようにしても
よい。例えば6本のグランド用ポゴピン14Bで囲む場
合には、図6に示すようにグランド用ポゴピン14Bを
正六角形に配置し、この中心に信号用ポゴピン14Aを
配置するように設定すればよい。
【0026】また、被検査体としては、半導体ウエハに
限定されず、例えばLCD基板の検査装置にも適用し得
るのは勿論である。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプローブ
装置によれば次のように優れた作用効果を発揮すること
ができる。信号用ポゴピンをグランド用ポゴピンで囲っ
たポゴピンリングを用いることにより、各信号用ポゴピ
ンに関するインピーダンスを略同一にすることができ
る。従って、各ピンを流れる検査信号の波形を同じ状態
で被検査体に流すことができ、電気的特性を正確に検査
することができる。また、信号用ポゴピン同士の影響を
略確実に断つことができるので、多ピン化に対応するこ
とができる。更には、高い周波数での検査が可能になる
ことから、検査の高速化を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るプローブ装置を示す概略構成図で
ある。
【図2】本発明のプローブ装置に用いるポゴピンリング
を示す部分平面図である。
【図3】図2に示すポゴピンリングのポゴピンの配列を
説明するための部分拡大図である。
【図4】図2に示すポゴピンリングに対応するプローブ
カードを示す部分平面図である。
【図5】ピン挿入孔に取り付けられるポゴピンを示す拡
大断面図である。
【図6】ポゴピンリングのポゴピンの他の配列を説明す
るための部分拡大図である。
【図7】一般的なプローブ装置を示す概略構成図であ
る。
【図8】従来のポゴピンリングとプローブカードとの関
係を示す概略斜視図である。
【図9】図8に示すポゴピンリングを示す概略側面図で
ある。
【図10】従来のポゴピンリングを示す部分平面図であ
る。
【図11】図10に示すポゴピンリングに対応するプロ
ーブカードを示す部分平面図である。
【図12】従来のポゴピンリングのポゴピンの配列を示
す部分拡大図である。
【符号の説明】
2 載置台 4 X・Y・Zステージ 6 ケーシング 10 テストヘッド 16 ポゴピンリング 14A 信号用ポゴピン 14B グランド用ポゴピン 18 プローブ針 20 プローブカード 34 パフォーマンスボード 36 ポゴピンリング 36A ポゴピンリング本体 38 プローブカード 42 ブロック 46 弾発部材 48 接触ピン W 半導体ウエハ(被検査体)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 テストヘッドとプローブカードとの間の
    電気的接続を行なうために複数の信号用ポゴピンと複数
    のグランド用ポゴピンを有したポゴピンリングを備え、
    被検査体をX,Y,Z方向へ移動させつつ前記プローブ
    カードのプローブ針を前記被検査体に接触させて電気的
    検査を行なうプローブ装置において、前記各信号用ポゴ
    ピンを、前記グランド用ポゴピンにより囲むように構成
    したことを特徴とするプローブ装置。
  2. 【請求項2】 前記信号用ポゴピン1本と前記グランド
    用ポゴピン4本により1つのブロックを形成し、前記グ
    ランド用ポゴピンは方形の角部に配置されると共に前記
    方形の対角線の交点に前記信号用ポゴピンを位置させる
    ように構成したことを特徴とする請求項1記載のプロー
    ブ装置。
  3. 【請求項3】 前記ブロックのグランド用ポゴピンの全
    部又は1部を、このブロックに隣接するブロックのグラ
    ンド用ポゴピンと兼用するように構成したことを特徴と
    する請求項2記載のプローブ装置。
  4. 【請求項4】 前記方形は、正方形であることを特徴と
    する請求項2または3記載のプローブ装置。
JP6300260A 1994-11-09 1994-11-09 プローブ装置 Pending JPH08139142A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6300260A JPH08139142A (ja) 1994-11-09 1994-11-09 プローブ装置
TW084111676A TW287234B (ja) 1994-11-09 1995-11-03
US08/553,013 US5703494A (en) 1994-11-09 1995-11-03 Probing test apparatus
KR1019950040538A KR100280081B1 (ko) 1994-11-09 1995-11-09 프로우브장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6300260A JPH08139142A (ja) 1994-11-09 1994-11-09 プローブ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08139142A true JPH08139142A (ja) 1996-05-31

Family

ID=17882650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6300260A Pending JPH08139142A (ja) 1994-11-09 1994-11-09 プローブ装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5703494A (ja)
JP (1) JPH08139142A (ja)
KR (1) KR100280081B1 (ja)
TW (1) TW287234B (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001116806A (ja) * 1999-08-23 2001-04-27 Agilent Technol Inc インターフェイス
US6348810B1 (en) * 1998-09-08 2002-02-19 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Interface unit for a tester and method of connecting a tester with a semiconductor device to be tested
JP2002538435A (ja) * 1999-02-25 2002-11-12 フォームファクター,インコーポレイテッド 高帯域受動集積回路テスタのプローブカードアセンブリ
KR100478261B1 (ko) * 1999-09-02 2005-03-23 가부시키가이샤 어드밴티스트 반도체 기판 시험장치
US7458818B2 (en) 2006-12-08 2008-12-02 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Electric connector and electrical connecting apparatus using the same
JP2015014555A (ja) * 2013-07-08 2015-01-22 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5828226A (en) * 1996-11-06 1998-10-27 Cerprobe Corporation Probe card assembly for high density integrated circuits
US6060891A (en) 1997-02-11 2000-05-09 Micron Technology, Inc. Probe card for semiconductor wafers and method and system for testing wafers
US6798224B1 (en) * 1997-02-11 2004-09-28 Micron Technology, Inc. Method for testing semiconductor wafers
US5894161A (en) 1997-02-24 1999-04-13 Micron Technology, Inc. Interconnect with pressure sensing mechanism for testing semiconductor wafers
US6048750A (en) * 1997-11-24 2000-04-11 Micron Technology, Inc. Method for aligning and connecting semiconductor components to substrates
US6078186A (en) * 1997-12-31 2000-06-20 Micron Technology, Inc. Force applying probe card and test system for semiconductor wafers
US6246245B1 (en) * 1998-02-23 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Probe card, test method and test system for semiconductor wafers
US6252391B1 (en) 1998-08-28 2001-06-26 International Business Machines Corporation High frequency probe
US6433562B1 (en) 1998-08-28 2002-08-13 International Business Machines Corporation Method and apparatus of interconnecting with a system board
JP4388620B2 (ja) * 1999-04-16 2009-12-24 株式会社アドバンテスト プローブカード及びプローブカード製造方法
US6812718B1 (en) * 1999-05-27 2004-11-02 Nanonexus, Inc. Massively parallel interface for electronic circuits
US7382142B2 (en) 2000-05-23 2008-06-03 Nanonexus, Inc. High density interconnect system having rapid fabrication cycle
DE19945176B4 (de) * 1999-09-21 2005-07-28 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Anordnung von Federkontakten in einem vorbestimmten Raster
US7952373B2 (en) 2000-05-23 2011-05-31 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies
US7396236B2 (en) * 2001-03-16 2008-07-08 Formfactor, Inc. Wafer level interposer
JP4123408B2 (ja) * 2001-12-13 2008-07-23 東京エレクトロン株式会社 プローブカード交換装置
US6867607B2 (en) * 2002-01-22 2005-03-15 Sychip, Inc. Membrane test method and apparatus for integrated circuit testing
US6677772B1 (en) * 2002-08-21 2004-01-13 Micron Technology, Inc. Contactor with isolated spring tips
JP4548817B2 (ja) * 2002-10-18 2010-09-22 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
TWI240082B (en) * 2003-07-10 2005-09-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Wafer test method
JP2005061851A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Japan Electronic Materials Corp プローブカード用基板
JP4355543B2 (ja) * 2003-09-11 2009-11-04 株式会社アドバンテスト 半導体試験システム
US7183787B2 (en) * 2003-11-26 2007-02-27 Lsi Logic Corporation Contact resistance device for improved process control
EP2569646A4 (en) * 2005-03-28 2014-01-22 Texas Instruments Inc ELASTIC PROBES DESIGNED FOR ELECTRICAL TESTING
TWI269875B (en) * 2005-09-27 2007-01-01 Inventec Corp Measuring method and system for PCB characteristic impedance
US7362116B1 (en) * 2005-11-09 2008-04-22 Electroglas, Inc. Method for probing impact sensitive and thin layered substrate
JP4823667B2 (ja) * 2005-12-05 2011-11-24 日本発條株式会社 プローブカード
JP4842640B2 (ja) * 2005-12-28 2011-12-21 日本発條株式会社 プローブカードおよび検査方法
US20100261933A1 (en) * 2006-03-31 2010-10-14 Kowa Company, Ltd. Method for preparing carboxylic acid compound
US7521949B2 (en) * 2007-05-07 2009-04-21 Intel Corporation Test pin, method of manufacturing same, and system containing same
US7795890B2 (en) * 2008-06-09 2010-09-14 Integrated Test Arizona Reduced ground spring probe array and method for controlling signal spring probe impedance
DE102013205978A1 (de) * 2012-04-04 2013-10-10 Continental Automotive Gmbh Wasserdichte und toleranzunempfindliche Signalkontaktierung

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5304921A (en) * 1991-08-07 1994-04-19 Hewlett-Packard Company Enhanced grounding system for short-wire lengthed fixture
JPH0637337A (ja) * 1992-07-16 1994-02-10 Kawasaki Steel Corp 半導体集積回路
JPH06216205A (ja) * 1993-01-13 1994-08-05 Tokyo Electron Yamanashi Kk プローブカードインターフェース装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6348810B1 (en) * 1998-09-08 2002-02-19 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Interface unit for a tester and method of connecting a tester with a semiconductor device to be tested
JP2002538435A (ja) * 1999-02-25 2002-11-12 フォームファクター,インコーポレイテッド 高帯域受動集積回路テスタのプローブカードアセンブリ
JP2007178440A (ja) * 1999-02-25 2007-07-12 Formfactor Inc 高帯域受動集積回路テスタのプローブカードアセンブリ
JP2001116806A (ja) * 1999-08-23 2001-04-27 Agilent Technol Inc インターフェイス
KR100478261B1 (ko) * 1999-09-02 2005-03-23 가부시키가이샤 어드밴티스트 반도체 기판 시험장치
US7458818B2 (en) 2006-12-08 2008-12-02 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Electric connector and electrical connecting apparatus using the same
JP2015014555A (ja) * 2013-07-08 2015-01-22 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5703494A (en) 1997-12-30
TW287234B (ja) 1996-10-01
KR100280081B1 (ko) 2001-02-01
KR960018588A (ko) 1996-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08139142A (ja) プローブ装置
KR100703135B1 (ko) 고밀도 인쇄회로기판
KR100309889B1 (ko) 프로우브장치
US6853206B2 (en) Method and probe card configuration for testing a plurality of integrated circuits in parallel
JPH04266043A (ja) 集積回路の試験用装置および方法
US6348810B1 (en) Interface unit for a tester and method of connecting a tester with a semiconductor device to be tested
US6191601B1 (en) Test fixture for matched impedance testing
US4488111A (en) Coupling devices for operations such as testing
JPS62163973A (ja) プロ−ブ装置
KR20090082783A (ko) Eds 공정용 프로브 카드 어셈블리
JP3586106B2 (ja) Ic試験装置用プローブカード
JPH1130630A (ja) 探針用プローブ及びプローブカード
JP2720146B2 (ja) ウェーハプローバ用接続リング
JPH09218222A (ja) プローブカード
KR100478261B1 (ko) 반도체 기판 시험장치
TW202001251A (zh) 探針卡裝置及其立體式信號轉接結構
CN212514903U (zh) 一种芯片测试装置
JP2976321B2 (ja) プローブ装置
JPS612338A (ja) 検査装置
KR20090075515A (ko) 프로브 카드 및 이를 포함하는 테스트 장비
CN111830400A (zh) 一种芯片测试装置
US6891392B2 (en) Substrate impedance measurement
JPH06308155A (ja) プローブ装置
JP2006308528A (ja) プローブカード
JP2557685B2 (ja) プロ−ブカ−ド