TW550268B - A negative type resist composition - Google Patents

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negative photoresist
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Masumi Suetsugu
Takehiro Kusumoto
Naoki Takeyama
Masanori Shinada
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Sumitomo Chemical Co
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550268 A7 __ B7 五、發明說明（1 ) 發明背景 本發明係有關一種負型光阻組成物，其適用於利用包 括激生分子雷射光束、電子束、X射線或輻射等的深紫外 線來製造半導體積體電路的平版印刷術法。 近年來，由於半導體積體電路積體水平的提高’促成 對四分之一微米圖樣形成的要求。特別是因爲激生分子雷 射平版印刷術可用於生產6 4 Μ至2 5 6 M D R A Μ ( 動態隨機存取記憶體），所以此種平版印刷術已經受到關 注。而做爲適用于例如激生分子雷射平版印刷術法的光阻 ，已有提出並投入實際應用中的利用酸觸媒的化學放大作 用之光阻劑，通常稱爲化學放大型光阻劑。例如，在負型 操作性化學放大型光阻劑中，經由例如電磁波的高能輻射 的作用由酸產生劑產生一酸，且經由所生成的酸和交聯劑 的作用引起的交聯和硬化而造成鹼溶性樹脂經曝光於高能 輻射的部分在鹼性顯影液中的溶解度之降低。另一方面， 未暴露過高能輻射的部分不會產生酸因而其在鹼性顯影液 中的溶解性保持不變。在此種機制下，可經由一系列處理 ，亦即，光阻膜的形成、用於造圖的照射和鹼性顯影而得 一種負型操作圖樣。 光阻圖樣的輪廓最好接近於長方形，係因爲其對精細 操作的精確度有影響之故。 此外，在使用化學放大型光阻組成物的平版印刷術中 ，通常會進行後曝光烘烤以使用曝光生成的酸作爲觸媒來 促進連鎖反應。但是若光敏度由於後曝光烘烤溫度的起浮 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4- -----^---1 J.---裝--------訂---------線 ( ♦請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550268 Α7 ____ Β7 五、發明說明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 而發生大幅變化，則圖樣的尺寸易受烘烤設備的溫度偏差 或溫度不均勻性所影響。因此，由在後曝光烘烤溫度的起 浮引起的光敏度變化和相同輻射量下的圖樣尺寸變化愈小 愈好。不過，於傳統化學放大負型光阻劑中，其在圖樣頂 部段的輪廓易變圓且由後曝光烘烤溫度起浮而引起的光敏 度變化會變大。 在化學放大型光阻劑中，一般做法會加入鹼性物質以 防止從曝光到後曝光烘烤期間酸的抑活化引起的劣化，亦 即，由曝光後閒置所造成者。已有在此種事件中經由選擇 鹼性物質來改進圖樣輪廓之嘗試。但是，添加已普遍使用 的一般鹼性物質會產生不令人滿意的結果，或使光敏度或 溶解性劣化，或因後曝光烘烤溫度的起浮引起光敏度的變 化。因此，最好能夠解決這些問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的一項目的爲提出一種負型光阻組成物，其具 有良好的圖樣輪廓，很小的曝光後圖樣尺寸對溫度的相關 性，且可達到良好的光敏度和解析度。本發明的發明人爲 達此目的已進行了精深的硏究，而發現經由在包括鹼溶性 樹脂、酸產生齊(ί、和交聯劑的負型光阻組成物中加入一種 特定的鹼性物質可得到優良的性能。本發明就是在這一發 現的基礎上完成的。 發明槪述 本發明提出一種負型光阻組成物，其包括鹼溶性樹脂 、酸產生劑、交聯劑和一種下式（I )所表的鹼性化合物 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550268 A7 __________ B7 五、發明說明（3 )
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中’ A表一雙價脂烴殘基，其視需要可由亞胺基， 硫醚基或雙硫基中斷；X表氮原子或C(NH2) •，且 R 1和R 2代表氫或烷基。 發明之較佳實施例 本發明組成物中除了鹼溶性樹脂，酸產生劑，和交聯 劑外還包括上述式（I )所表的鹼性化合物。在該組成物 中可只含一種式（I )定義中所包括的化合物，或視需要 ，也可一起使用兩種或更多種該定義所包括的化合物。經 由包括該特定的鹼性化合物，與使用傳統鹼性化合物的組 成物相比，可達到改善解析度和較優圖樣輪廓的效果，同 時由後曝光烘烤溫度起浮所引起的光敏度變化會減小。而 且，與傳統負型光阻劑所用的化合物相比，式（I )鹼性 化合物可用較/]、的消耗量展現上述效用性能。 式（I )中，A表一雙價脂烴殘基，其可由亞胺基， 硫醚基或雙硫醚基中斷。該烴殘基可以是飽合的，亦即伸 烷基，也可以是不飽合的，如伸烯基。亞胺基（—N Η 2 -)可視情況插置於烴殘基中。亞胺基在Α中可多個存在’ 但一般只有一個亞胺基。A所表的脂烴殘基具有包括插置 亞胺基在內的總共1至1 0個碳原子。當A只由碳原子和 氫原子組成時，碳原子的數目最好介於1和4之間。若碳 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------^---1 J--裝--------訂 L-------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 550268 A7 B7 五、發明說明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 原子數是2或更多，其可爲正鏈或支鏈，雖然線型如線型 伸院基或線型伸烯基係較佳者。亦即，較佳者爲有2至4 個碳原子的線型伸烷基，有2至4個碳原子的線形伸烯基 。若A是由亞胺基中斷的雙價脂烴殘基，則碳原子總數最 好介於2至6之間。此時，若碳原子是2個或更多，在亞 胺基兩邊含有碳原子和氫原子的基可分別是正鏈或支鏈者 。A最好是亞胺基雙伸烷基，且特別者，較佳者爲含有2 至6個碳原子旳亞胺基雙伸烷基。 A最好是可視需要由亞胺基中斷的雙價脂烴殘基。當 使用該物質時’在線條-空間一圖樣（1 i n e - a n d -space pattern )與獨立圖樣之間不會發生尺寸差異或輪廓差異。 A的特殊例子包括亞甲基、伸乙基、伸乙烯基、三亞 甲基、四亞甲基、亞胺基雙亞甲基、硫醚基和雙硫醚基。 經鍵聯的A基可位於式（I )中六員環上相對於X的 2 —位、3 —位或4 —位中之任一位置。較佳者，其係位 於兩側六員環上分別爲3 —位和4 —位處。式（I )化合 物的較佳構造係下面式（I a )所表者：
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中’ A、X、 R 1和R 2皆與前面所定義者相同，且符號 、、〕〃、〔〃表示A係在六員環上相對於X的3 —位或 4 一位處。 式（I )中，R1和R2可相同或相異，其可爲氫或烷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱） 550268 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（5 ) 基。烷基可能有1至6個碳。若有3個或更多的碳，其可 爲正鏈或支鏈。此外，X —代表氮原子或c (NH2)。因 此，式（I )所表的鹼性化合物可分類爲由下面式（I b )所表的吡啶衍生物和由下面式（I c )所表的苯胺衍生 物：
其中A、R1和R2皆與前面所定義者相同。 在式（I )中，X最好是氮原子。亦即，最好是式（ I b )所表的啦啶衍生物。對應於式（I b )的吡D定衍生 物的例子特別包括：1 ’ 2 -二（2 —吡啶基）乙院、1 ，2 —二（4 一吡啶基）乙烷、1，2〜雙（2 —甲基— 4 一毗啶基）乙烷、1，3 —二（2 -吡啶基）丙院、1 ,3 -二（4 一吡啶基）丙烷、1，3 —雙（2 —甲基— 4 一吡啶基）丙烷、1，2 —二（2 -吡啶基）伸乙基、 1 ， 2 -二（4 —吡啶基）伸乙基、雙（2 —吡啶基甲基 )胺、雙（3 —吡啶基甲基）胺、4 ，4 一 —二吡啶基硫 醚、4，4 > 一二吡啶基二硫醚和2 ，2，—二吡啶基二 硫酸。最好是由連接基A鍵聯在兩個吡啶環的3 -位或4 一位上的化合物，例如1，2 —二（4 —吡啶基）乙烷、 1 ， 3 —二（4 一吡啶基）丙烷、1 ，2 —二（4 一吡啶 尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 8 - -----7---- J-----------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550268 A7 -—__ B7 五、發明說明（6 ) 基）伸乙基、雙（3 -哦π定基甲基）胺、4，4，—二〇比 啶基硫醚和4 ，4 > -二吡啶基二硫醚，係因爲彼等能以 比其他者較少的耗量展現出合意的效果之故。對應於式（ I c )的以苯胺爲基之化合物的實例特別包括4，4 -— 二胺基—3 ，3^ -二甲基二苯基甲烷、4，4^ —二胺 基一 3’ 3 —·二乙基二苯基甲院、4 ’4/ —二胺基二 苯基硫醚和4 ，4 / -二胺基二苯基二硫醚。 本發明中所用的鹼溶性樹脂、酸產生劑和交聯劑可以 是在這一領域中所通常使用的。鹼溶性樹脂的最佳實例包 括：酚醛淸漆（novolak )類樹脂和聚乙烯基酚類樹脂。有 時可將二者組合起來用。其中所提的酚醛淸漆類樹脂爲可 在酸性觸媒存在下由酚類化合物與醛縮合而成。聚乙烯基 酚類樹脂是一種聚合物，可由乙烯酚單體，亦即，有一連 接羥基及乙烯基的苯環之化合物，聚合而成。特定言之， 聚乙烯基酚類樹脂包括乙烯基酚同元聚合物、乙烯基酚與 其他乙烯基化合物例如苯乙烯或（甲基）丙烯酸酯，特別 是乙烯酚含量超過5 0莫耳％者，及其部分加氫化合物等 之共聚物。羥基和乙烯基在乙烯基酚中的位置沒有特別的 限帋[J，但通常使用對-乙烯基酚。當使用聚乙烯基酚或乙 烯基酚共聚物的部分氫化化合物時，苯環中雙鍵被加氫飽 合的比率（氫化度）通常爲5 0%或更少’且較佳者爲 1 5 %或更少。 當使用聚乙烯基酚類樹脂時，從光敏度的觀點看來最 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 9 -
Ml! J--------I.---.---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550268 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7 ) 好使用酚羥基被部分烷基醚化者。酚羥基被部分烷基醚化 的聚乙烯基酚類樹脂中，烷基可含有1至4個碳。若碳數 爲3或更多，其可爲正鏈或支鏈者。特別指出者，該烷基 最好是乙基、丙基或異丙基。通常酚羥基的烷基醚化比例 (醚化率）最好介於5 %和4 ◦ %之間，且特別較佳者 1 5 %和2 5 %之間。部分醚化可經由將聚乙基酚類樹脂 與鹵'化院基根據，例如 '' Organic Syntheses Collective Volume 4 by N. Rabjohn, et al., pp.8 3 6-839, John Wiley & Sons (1 963 )中所列的方法在鹼性條件下反應而達到。 聚乙烯基酚類樹脂的重量平均分子量以聚苯乙烯做爲 標準用膠透層析法（G P C )測得者最好爲介於約 1 ， 500與35，000之間，分子。該重量平均分子 量更佳者爲約2，000至3 2，〇〇〇，且又更佳者爲 約2 ，0 0 0至2 5，0 0 0，且特別較佳者爲約 2，000 至 20，000。
當使用部分烷基醚化的聚乙烯基酚類樹脂時，於部分 烷基醚化後符合上述範圍的重量平均分子量可經由將重量 平均分子量介於1，500至3〇，〇〇〇之間，略低於 上述範圍者，的聚乙烯基酚類樹脂予以烷基醚化而得到。 這些樹脂的分子量分佈，亦即重量平均分子量與用G P C 測得的數平均分子量的比例，最好介於1 · 〇 i至2之間 〇 其他鹼溶性樹脂的例子包括聚異丙烯基酚、異丙烯基 酉分和其他乙燒基化合物例如苯乙烯或（甲基）丙矯酸酯等 本紙張尺度適用中國國家標辱（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-L--------線1 550268 A7 B7 五、發明說明（8 ) 的共聚物，特別是丙烯基酚含量爲5 0莫耳％或更高者。 這些化合物均可用做鹼溶性樹脂。這些樹脂也可與上述白勺 酚醛淸漆類樹脂或聚乙烯基酚類樹脂組合使用。 酸產生劑的例子包括鏔鹽化合物、銃鹽化合物、有平幾 鹵素化合物、特別是鹵烷基—s -三啡化合物、磺酸鹽化 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁} 硕化合物 重氣甲ί元化合物和N -擴醒氧基亞月安 化合物。在此項類中的化合物可單獨使用，也可在必要情 況下以其兩種或兩種以上的混合物使用。更特定言之，下 列化合物可用爲酸產生劑： (1 )銚化合物： 三氟甲烷磺酸二苯基銚， 六氟銻酸4 -甲氧基苯基苯基鎭， 三氟甲院礎酸4-甲氧基苯基苯基鎭， 四氟硼酸雙（4-第三丁基苯基）鏈， 六氟磷酸雙（4 -第三丁基苯基）碘， 六氟銻酸雙（4 -第三丁基苯基）鎭， 三氟甲烷磺酸雙（4 -第三丁基苯基）鐄， 1 ◦—樟腦磺酸雙（4 —第三丁基苯基）鑛， 對-甲苯磺酸雙（4 -第三丁基苯基）鑛及類似物。 (2 )銃鹽化合物： 六氟磷酸三苯基锍， 六氟銻酸三苯基銃， 三氟甲院礦酸三苯基銃， 六氟銻酸4 -甲氧基苯基二苯基銃， 合物 警裝--------訂L---.----線* 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - 550268 A7 B7 五、發明說明（9 ) 二氟甲院礦酸4 -甲氧基苯基—苯基硫， 甲烷磺酸4 -甲基苯基二苯基銃， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 三氟甲烷磺酸對甲苯基二苯基銃， 三氟甲烷磺酸2，4，6 —三甲基苯基二苯基銃’ 三氟甲烷磺酸4 -第三丁基苯基二苯基銃， 六氟磷酸4 -苯基硫苯基—·苯基疏， 六氟鍊酸4 -苯基硫苯基—·苯基疏， 六氟銻酸1 一（ 2 -萘甲醯基甲基）硫苯鹽， 三氟甲烷磺酸1—(2—萘甲醯基甲基）硫苯鹽’ 六氟銻酸4 —羥基—1 —萘基二甲基銃， 三氟甲烷磺酸4 -羥基一 1 -萘基二甲基锍鹽及類似 物。 (3 )有機鹵素化合物： 2 —甲基一4，6 —雙（三氯甲基）—1，3 ’ 5 — 三畊， 2，4，6 —三（三氯甲基）—1，3，5 —三畊， 2 —苯基一4，6 -雙（三氯甲基）—1，3 ，5 — 三哄， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2— (4 —氯苯基）—4 ，6 —雙（三氯甲基）—1 ，3 ，5 -三哄， 2- (4 —甲氧基苯基）一4，6 —雙（三氯甲基） -1 ，3，5 —三畊， 2 — (4 —甲氧基—1—萘基）—4，6 —雙（三氯 甲基）—1，3，5 —三畊， 本紙張尺度適用中國國家標弊（CNS)A4規格（210 x 297公釐） _ 12 550268 Α7 Β7 五、發明說明（1Q) 2-(苯并〔d〕〔1 ，3〕二氧雜環戊烷—5 -基 )—4，6 —雙（三氯甲基）一1，3，5 —三畊， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2— (4 —甲氧基苯乙烯基）一4 ，6 —雙（三氯甲 基）一1，3 ，5_三畊， 2— (3 ，4，5_三甲氧基苯乙烯基）一4，6 — 雙（三氯甲基）—1，3，5—三畊， 2 - ( 3 ，4 —二甲氧基苯乙烯基）一4，6 —雙（ 三氯甲基）一；L，3，5 —三畊， 2 - ( 2 ，4 一二甲基苯基乙烯基）—4，6 —雙（ 三氯甲基）一1，3，5 -三畊， 2- ( 2 —甲氧基苯乙録基）一 4，6 —雙（三氯甲 基）一1，3 ， 5 —三畊， 2- ( 4 — 丁氧基苯乙烯基）—4，6 —雙（三氯甲 基）—1，3 ， 5_三畊， 2- (4 —戊氧基苯乙烯基）—4，6 -雙（三氯甲 基）—1，3 ， 5 -三畊，及類似物。 (4 )擴酸酯化合物： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1- 苯甲醯基-1-苯基甲基 對-甲苯磺酸酯（俗 名：安息香甲苯磺酸酯）， 2- 苯甲醯基一 2-羥基一 2 —苯基乙基 對一甲苯 磺酸酯（俗名：α -甲醇基安息香甲苯磺酸酯）， 1，2 ，3 -苯三酚基 三（甲烷磺酸酯）， 2，6 —二硝基苄基 對一甲苯磺酸酯， 2 -硝基；基 對一甲苯磺酸酯， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） _ 13_ 550268 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（11) 4 -硝基节基 對-甲苯磺酸酯及類似物。 (5 )二碼化合物： 二苯基二颯， 二（對一甲苯基）二砸，及類似物。 (6 )重氮甲烷化合物： 雙（苯磺醯基）重氮甲烷， 雙（4一氯苯磺醯基）重氮甲烷， 雙（對一甲苯磺醯基）重氮甲烷， 雙（4 —第三丁基苯磺醯基）重氮甲烷， 雙（2 ，4 —二甲苯磺醯基）重氮甲院， 雙（環己基磺醯基）重氮甲烷， 雙（第三丁基磺醯基）重氮甲烷， (苯甲醯基）（苯磺醯基）重氮甲烷，及類似物。 (7 ) N -磺醯氧基亞胺化合物： N-（乙磺醯氧基）琥珀醯亞胺， N -(異丙烷磺醯氧基）琥珀醯亞胺， N - (丁磺醯氧基）琥珀醯亞胺， N -（ 1 〇 -樟腦磺醯氧基）琥珀醯亞胺， N -(苯磺醯氧基）琥珀醯亞胺， N-(三氟甲磺醯氧基）琥珀醯亞胺， N -(三氟甲磺醯氧基）鄰—苯二甲醯亞胺， N-(三氟甲磺醯氧基）一5 —原冰片烯—2 ，3 — 二羧醯亞胺， N-(三氟甲磺醯氧基）苯二甲醯亞胺， ------1---1 J» I I --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- 550268 A7 B7 五、發明說明（13 (CH3〇CH2)2N>N^N(CH2OCH3)2 N>.N (n)N(CH2OCH3)2 (CH3OCH2)2N>n^N(CH2OCH3)2 nJsi cm) CH30CH2
CH2OCH3 (IV) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) CH3OCH2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 負型光阻組成 固體含量爲基 之間，酸產生 至3 0重量％ 1重量％之間 %之間。該鹼 量太多會導致 立圖樣之間的 別是式（I b 彼等小量下， 阻組成物可視 敏化劑、界面 本發明 組成物中總 9 5重量％ 交聯劑在1 0 · 0 2 至 0 . 5重量 效果，而其 間圖樣和獨 合物中，特 %或更少的 明的負型光 加齊[J，例如 進劑等。 該光阻 組成物通常是由經由將上述個別成份與溶劑相 物中各成份較佳組成比，於以該 之下，該鹼溶性樹脂係在5 0至 劑在0.1至25重量％之間， 之間，且式（I )鹼性化合物在 ，且更佳者介於0.04至 性成份太少會導致不令人滿意的 光敏度的下降，同時使線條與空 尺寸差異加大。式（I )鹼性化 )所表吡啶衍生物能0 . 5重量 仍能展現滿意的效果。根據本發 需要包括此領域內常用的多種添 活性劑、安定劑、染料、粘著促 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550268 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（14) 混合形成其總固體含量爲1 〇至5 0重量％的光阻溶液而 製備成。將光阻溶液塗覆於一基板例如矽上。其中所用的 溶劑可爲能溶解各化合物，並有適當的乾燥速度之任何者 。該溶劑可爲此領域中常用的溶劑即可。其例子包括二醇 醚酯，例如乙基乙氧基乙醇乙酸酯、甲基乙氧基乙醇乙酸 酯、丙二醇單甲醚乙酸酯和丙二醇單乙醚乙酸酯；乙二醇 單或雙醚類，例如乙基乙氧基乙醇、甲基乙氧基乙醇、丙 二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚和二乙二醇二甲基醚；酯 類，例如乳酸乙酯、乙酸丁酯和乙基酯；酮類，例如2 -庚酮、環己酮和甲基異丁基酮；芳烴類，例如二甲苯；內 醯胺類，例如N -甲基-2 -吡咯烷酮。這些溶劑可單獨 使用或以其兩種或更多種的混合物使用。 本發明光阻組成物可依，例如，下述方式使用：將經 由將各成份溶解於上述溶劑內所得光阻溶液，用常用方式 ，如旋塗法，塗覆於一基板上。將塗覆基板乾燥（預烘烤 )，然後曝照以造圖樣。然後，對其施以加熱處理（後-曝光烘烤）以促進化學反應，再用鹼性顯影劑顯影以形成 一負型光阻圖樣，其中曝照過的部分留下，未曝照過的部 分則經脫除掉。於此所用的鹼性顯影劑可爲此領域所用的 任一者。其例子包括氫氧化四甲基銨或氫氧化（2 —羥基 乙基）三甲基錢（俗名：膽鹼）的1至1 0重量％水溶液 。在該驗性水溶液中可加入適量的水溶性有機溶劑例如甲 醇或乙醇，和某一種界面活性劑。 至此本發明將基於諸實施例于以更詳細地闡述，所用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮^ :17 - · -----^—i J. — --------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 550268 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（15 ) 之實施例絕不應視爲對本發明範圍的限制。在諸實施_ + ，除非另有說明，否則份數都是以重量爲基的。 參考實例1 : 聚〔對-羥基苯乙烯/對{ i - ( 2 -氧基—〜^ 1 吡咯啶 基）乙氧基}苯乙烯〕的製造 在一反應容器中給入2 1 · 0份的聚（對〜7你奸 乙烯基苯 酚）〔'、V P — 2 5 0 0 ” ，Nippon Soda 所製，重量平均 分子量爲4，◦00，且其分佈値爲1 · 14〕、和 份的丙酮，並將彼等攪拌形成溶液。於該溶液中給人 1 2 · 7份的無水碳酸鉀和8 · 2份的乙基碘，並升高溫 度使該混合物達到回流狀態。然後保持溶液於回流狀態 1 5小時。加入甲基異丁基酮後，用草酸水溶液萃洗有機 層，然後用離子交換水萃洗。將萃洗後的有機層濃縮到成 爲4 4份，與1 3 0份的丙二醇單甲醚乙酸酯組合後進一 步濃縮至成爲6 3份。濃縮物的固含量用加熱減重法測得 爲3 4.19重量％。用1 H — NMR測量，確定該樹脂爲 一種其中聚（對-乙烯基酚）中有2 8 . 8%的羥基被乙 醚化之共聚物。將這種樹脂稱爲E P V P 1。 參考實施例2 重複參考竇施例1中的程序，不同處在於該無水碳酸 鉀的用量爲1 5 · 5份且該乙基碘的用量爲1〇 · 9份° 將離子交換水萃洗過的有機層濃縮到成爲4 5份，並在加 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐）-18 . ------1! ------------訂 ----·----線· f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550268 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A7 B7 五、發明說明（16) 入丙二醇單甲醚乙酸酯後進行濃縮使之達到6 8份。結果 得到一溶液，其中的濃縮物固體含量用加熱減重法測得爲 27 .45重量％。用1 H — NMR測量’確定該樹脂爲一 種其中聚（對一乙烯基酚）中有37 · 8%的羥基被乙醚 化之共聚物。將這種樹脂稱爲E P V P 2。 參考實施例3 在一個反應容器中給入3 0 · 0份與參考實施例1中 所用者相同的聚（對-乙烯基苯酚）和1 2 0份的丙酮。 將彼等攪拌形成溶液。再給入2 9 · 6份無水碳酸鉀和 18 . 2份的異丙基碘。升高溫度使達到回流狀態。然後 保持於回流狀態2 7小時。加入甲基異丁基酮後，用草酸 水溶液萃洗溶液，再用離子交換水萃洗。將萃洗後的有機 層濃縮到成爲7 1份，與2 0 6份的丙二醇單甲醚乙酸酯 混合後進一步濃縮成爲8 8 · 6份。濃縮物的固體含量用 加熱減重法測得爲3 1 · 9 2重量％。用1 Η - N M R測量 ，確定該反應後的樹脂爲一種其中聚（對-乙烯基酣）中 有3 1 · 4 %的羥基被轉化爲異丙基醚之共聚物。將這種 樹月旨稱爲P r Ρ V Ρ樹脂。 實施例1至6和比較例1至2 將下列成份混合以製備一溶液。將該溶液濾過孔洞大 小爲0 . 1微米的氟樹脂過濾器後製成光阻溶液。 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19- -----^---1 -----------訂 -------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550268 A7 B7 五、發明說明（18 ) 烘烤）。然後用2 · 3 8 %氫氧化四甲基銨水溶液對該晶 圓進行顯影以形成一負型圖樣。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用電子顯微鏡對所得圖樣進行評估並根據以下方式 測量有效光敏度、解析度、輪廓和對溫度的依賴性。 有效光敏度：其係·以在1 0 5 °C下進行後-曝光烘烤 時，能將截面寬度爲0 . 3 0微米的線條與空間圖樣以1 :1顯影所需的最小曝光量表之。 解析度：其係以當光阻層在有效光敏度曝光量下顯影 時，其圖樣在不縮減薄膜情況下分離時之最小線條與空間 寬度表之。 輪廓：其係在顯影後線條與空間圖樣的截面呈近似長 方形時，用〇表之；而當頂部呈圓形或截面呈倒錐形時， 用X表之。 對溫度的依賴性：當光阻層在有效敏度曝光量下曝光 且分別在1 0 5 °C及1 0 〇。(：下進行後一曝光烘烤時’分 別測量0 · 3 0微米線條與空間圖樣的截面寬度。以 1〇5 °C和1〇〇 °c時的寬度爲基礎，可得到每1 °c的尺 寸變化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在表1的、、鹼性化合物〃欄中所列的符號分別代表下 列成份’· A : 1，3 —二（4 —吡啶基）丙烷 B : 1 ’ 2 —二（4 一吡啶基）伸乙基 C :雙（3 — d比啶基甲基）胺 D :雙（2 — d比啶基甲基）胺 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 「21 二 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550268 A7 五、發明說明（19 ) E ： 4，4> 一二胺基一 3 ，3 ― -二乙基二苯基甲烷 F : 4，4 —聯吼卩定硫釀 X : 4 - 丁氧基苯胺 Y :三辛基胺 表1
No. 鹼性化合物 類別/量[份數] 有效光敏度 [毫焦/平方厘米] 解析度 [微米] 輪廓 溫度依賴性 [奈米/°c] 實施例 1 A/0.1 82 0.20 〇 8 2 B/0.09 54 0.21 〇 8 3 00,2 102 0.22 〇 2 4 D/0.5 66 0.22 〇 13 5 E/0.7 89 0.22 〇 13 6 F/0.28 98 0.23 〇 8 比較例 1 X/0.4 42 0.28 X >40 2 Y/1.3 10 0.24 X 32 實施例7 將下列成份混合以製備一溶液。將該溶液濾過孔洞大 小爲0 · 1微米的氟樹脂過濾器後製成光阻溶液。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22 - -----：—IJ.-----------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550268 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（2〇)
鹼溶性樹脂Z
PrPVP樹脂（固體含量） 69份 聚（對—乙烯基苯酚）* 3 1份 酸產生劑： N-(異丙烷磺醯氧基）琥珀醯亞胺 11·〇$ 交聯劑：六甲氧基甲基三聚氰胺 5 · 0份 鹼性化合物：1 ，2 —二（4 一吡啶基）乙烷 0 · 1份 溶齊！1 : 丙二醇單甲醚乙酸酯 5 7 5丨分h * 、、VP — 2 500 "可在市面上從Nippon Soda賛到， 與參考實施例中所用者相同。 * * 溶劑量包括從樹脂溶液中帶出的量。 使用此光阻溶液，根據與實施例1中相同的方武卩彡@ 一厚度爲0 · 5 6微米的光阻薄膜。然後，重複實施例丄 中相同的程序，不同處在於將K r F激生分子雷射級射器 改變爲由Nikon製造之NSR-2205 EX12B 〃（數値孔徑= 〇· 5 5 )以得到負型圖樣。所得圖樣以根據實施例1中 相同的方式進行評估，但其限制條件爲：有效光敏度係以 能使0 · 2 5微米線條與空間圖樣的截面寬度以1 : 1顯 影所需的最小曝光量來表示；且，對於溫度依賴性，係測 量0 · 2 5微米線條與空間圖樣的截面寬度，以此爲基得 到每1 °C的尺寸變化。其結果列在表2中。 ---------i J-----------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅P事項再填寫本頁) 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .〇3 - 550268 Α7 Β7 五、發明說明（21) 實施例8 將下列成份混合以製備一溶液。將該溶液濾過孔洞大 小爲0 · 1微米的氟樹脂過濾、器後製成光阻溶液。使用此 光阻溶液時，根據與實施例7中相同的方式進行評估。其 結果列在表2中。 鹼溶性樹脂： 對-乙烯基苯酚/苯乙烯共聚物 2 0份 (共聚比以莫耳計：7〇/3〇 重量平均分子量：3,4 0 0,分佈率：1·1 4 ) 對-乙烯基苯酚/苯乙烯共聚物 8 0份 莫耳計：8 5 / 1 5 子量：3，1 0 0，分佈率：1.0 6 ) 聚比以 平均分 (共 重量 酸產生劑： 交聯 鹼性 溶劑 Ν- (丁磺醯氧基）琥珀醯亞胺 11·〇份 劑：六甲氧基甲基三聚氰胺 5 · 0份 化合物：1 ，3 —二（4 —吡啶基）丙烷〇 · 1份 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 丙二醇單甲醚乙酸酯 5 7 5 份 * * 實施例9 將下列成份混合以製備一溶液。將該溶液濾過孔洞大 小爲0 · 1微米的氟樹脂過濾器後製成光阻溶液。使用此 光阻溶液時，根據與實施例7中相同的方式進行評估。其 本紙張尺度適用中國國家標辱（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -24- 550268 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（22) 結果列在表2中。 鹼溶性樹脂：
PrPVP樹脂（固體含量） 70份 聚（對一乙烯基苯酚）* 3 0份 酸產生劑： N -（異丙烷磺醯氧基）琥珀醯亞胺 1 1 · 0份 交聯劑：六甲氧基甲基三聚氰胺 5 · 0份 鹼性化合物：4 ，4 一二吡啶基硫醚 0 · 1 2 5份 溶齊!ί = 丙二醇單甲醚乙酸酯 625份** * 、、VP — 2 5 0 0 "可在市面上從Nippon Soda買到， 與參考實施例中所用者相同。 * * 溶劑量包括從樹脂溶液中帶出的量。 實施例1 0 重複實施例8中的步驟，不同處在於製成光阻溶液的 鹼性化合物是由0 · 0 6 2 5份的4，4 一二吡啶基硫醚 和〇· 0 6 2 5份的1 ，3 -二（4 -吡啶基）丙烷所組 合而成。使用此光阻溶液時，根據與實施例7中相同的方 式進行評估。其結果列在表2中。 比較例3 將下列成份混合以製備一溶液。將該溶液濾過孑L洞大 ------«. —„^--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -25- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550268 A7 _ B7 五、發明說明（23) 小爲0 · 1微米的氟樹脂過濾器後製成光阻溶液。使用此 光阻溶液時，根據與實施例7中相同的方式進行評估。其 結果列在表2中。 鹼溶性樹脂： EPVP1樹脂（固體含量） 53份 EPVP2樹脂（固體含量） 5份 聚（對—乙烯基苯酚）* 4 2份 酸產生劑： N -(異丙烷磺醯氧基）琥珀醯亞胺 1 1 · 0份 交聯劑：六甲氧基甲基三聚氰胺 5 · 0份 鹼性化合物：三正丁胺 1 · 0份 溶齊!1 = 丙二醇單甲醚乙酸酯 625份** * ΊΡ — 2 500夕可在市面上從Nippon Soda買到， 與參考實施例中所用者相同。 * * 溶劑量包括從樹脂溶液中帶出的量。 比較例4 將下列成份混合以製備一溶液。將該溶液濾過孔洞大 小爲0 · 1微米的氟樹脂過濾器後製成光阻溶液。使用此 光阻溶液時，根據與實施例7中相同的方式進行評估。其 結果列在表2中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）-26- ------Ί ! I.-----------訂 i·---.----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550268 A7 ___B7___ 五、發明說明（24 ) 鹼溶性樹脂： EPVP1樹脂（固體含量） 53份 EPVP2樹脂（固體含量） 5份 聚（對一乙烯基苯酚）* 4 2份 酸產生劑： N -(異丙烷磺醯氧基）琥珀醯亞胺 1 1 · 〇份 交聯劑：六甲氧基甲基三聚氰胺 5 · 0份 鹼性化合物：N，N > —二乙基苯胺 1 · 0份 溶齊！J : 丙二醇單甲醚乙酸酯 625份** * ''VP — 2 500 〃可在市面上從Nippon Soda買到 與參考實施例中所用者相同。 ** 溶劑量包括從樹脂溶液中帶出的量。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 表2 No. 有效光敏度 [毫焦/平方厘米] 解析度 [微米] 輪廓 溫度依賴性 [奈米 實施例 7 31 0.16 〇 8 8 33 0.16 〇 15 9 20 0.17 〇 15 10 28 0.16 〇 9 …… 比較例 3 6 0.18 X >50 4 9 0.17 X >50 本紙張尺度適用中國國家標羊（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -27- 550268 A7 B7____ 五、發明說明（25) 本發明光阻組合物可提供優良的解析度和令人滿意的 輪廓，同時由於其對後-曝光烘烤溫度的依賴性小，因此 能提供卓越的程序穩定性。該組合物適於利用包括激生分 子雷射光束、X射線、電子束、離子束及類似的深紫外線 進行的曝光，且可在使用上述光源的平版印刷術中改善解 析度與對比。結果，本發明光阻組合物能以高精確度形成 精細的光阻圖樣。 -----τ!τ-----------訂禱卜-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁，> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -28 -

Claims (1)

  1. i550268 ’' 二广 A8 j i Β8 r I C8 ---........ ! D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 年1 ,雙正I 第89108000號專利申請案 1 一 愈死i 中文申請專利範圍修正本 民國92年5月6日修正 1 _ 一種負型光阻組成物，其包括鹼溶性樹脂、酸產生 ^ '交聯劑和一下式（I )所表的鹼性化合物
    (I) 其中，Α表一可有亞胺基插入之雙價脂族烴基團、硫醚 基或雙硫醚基；X表氮原子或C(NH2);且 R和R2代表氫或院基， 其中該式（I )鹼性化合物的組成比例爲以該組成物總 固體含量爲基底計之〇.02與1重量％之間。 2 ·如申請專利範圍第1項之負型光阻組成物，其該式 (1 )鹼性化合物係由下面式（I a )所表者
    (I a) 其中，A、X、R 1和R 2皆與如申請專利範圍第1項所定 義者相同，且符號、、〕"、、、〔"表示A係在六員環上相對 於X的3 -位或4 一位處。 3 .如申請專利範圍第1項之負型光阻組成物，其該式 (I )鹼性化合物係由下面式（I b )所表者 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 550268 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍
    (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中，A、R 1和R 2皆與如申請專利範圍第1項所定義者 相同。 4 ·如申請專利範圍第1項之負型光阻組成物，其中A 爲有2至4個碳原子的線型伸烷基，有2至4個碳原子的線 型伸烯基，或有2至6個碳原子的胺基雙伸烷基。 5 ·如申請專利範圍第4項之負型光阻組成物，其中該 式（I b )鹼性化合物係選自下列之中者：1，2 —二（4 一吡啶基）乙烷、1，3 —二（4 一吡啶基）丙烷、1，2 一二（4 一吡啶基）伸乙基和雙（3 -吡啶基甲基）胺。 6 ·如申請專利範圍第1項之負型光阻組成物，其中A 爲一硫醚基或一二硫醚基。 7 ·如申請專利範圍第6項之負型光阻組成物，其中該 式（I b )鹼性化合物係選自下列之中者：4，4 / 一二吡 啶基硫醚和4，4 > 一二吡啶基二硫醚。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 ·如申請專利範圍第1項之負型光阻組成物，其中該 鹼溶性樹脂爲一聚乙烯基苯酚類樹脂。 9 ·如申請專利範圍第1項之負型光阻組成物，其中該 酸產生劑爲N -羥基醯亞胺化合物的磺酸酯。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2 -
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3974718B2 (ja) * 1998-11-09 2007-09-12 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3931482B2 (ja) 1999-06-02 2007-06-13 住友化学株式会社 化学増幅ネガ型レジスト組成物
JP2003270779A (ja) * 2002-01-11 2003-09-25 Fuji Photo Film Co Ltd ネガ型レジスト組成物
JP3850767B2 (ja) * 2002-07-25 2006-11-29 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
JP3850772B2 (ja) * 2002-08-21 2006-11-29 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの製造方法、及び半導体装置の製造方法
WO2005013011A1 (ja) * 2003-08-04 2005-02-10 Fujitsu Limited レジストパターン厚肉化材料、それを用いたレジストパターンの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2005215112A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ネガ型レジスト組成物、および、レジストパターン形成方法
JP5007511B2 (ja) * 2006-02-14 2012-08-22 富士通株式会社 露光光遮蔽膜形成用材料、多層配線及びその製造方法、並びに半導体装置
JP5577922B2 (ja) * 2009-08-03 2014-08-27 横浜ゴム株式会社 熱可塑性エラストマー組成物

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4371605A (en) * 1980-12-09 1983-02-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photopolymerizable compositions containing N-hydroxyamide and N-hydroxyimide sulfonates
US4439517A (en) * 1982-01-21 1984-03-27 Ciba-Geigy Corporation Process for the formation of images with epoxide resin
TW288112B (zh) 1993-06-02 1996-10-11 Sumitomo Chemical Co
JPH07140666A (ja) * 1993-06-04 1995-06-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> マイクロリトグラフィックレジスト組成物、酸不安定化合物、マイクロリトグラフィックレリーフ画像形成方法及び酸感知性ポリマー組成物
US5744281A (en) * 1993-09-14 1998-04-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Resist composition for forming a pattern and method of forming a pattern wherein the composition 4-phenylpyridine as an additive
JP3297199B2 (ja) 1993-09-14 2002-07-02 株式会社東芝 レジスト組成物
EP0675410B1 (en) * 1994-03-28 1999-08-04 Wako Pure Chemical Industries Ltd Resist composition for deep ultraviolet light
JP3577743B2 (ja) * 1994-06-08 2004-10-13 Ｊｓｒ株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP3422111B2 (ja) * 1994-12-22 2003-06-30 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3448790B2 (ja) * 1995-02-06 2003-09-22 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3520643B2 (ja) * 1995-12-14 2004-04-19 Ｊｓｒ株式会社 ネガ型感放射線性樹脂組成物
JPH1069082A (ja) 1996-08-26 1998-03-10 Sumitomo Chem Co Ltd ネガ型レジスト組成物
EP0837367B1 (en) 1996-10-16 2002-04-10 Sumitomo Chemical Company Limited Positive resist composition comprising a dipyridyl compound
JP3870502B2 (ja) * 1996-10-16 2007-01-17 住友化学株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
JP3638743B2 (ja) 1996-12-26 2005-04-13 東京応化工業株式会社 化学増幅型ネガ型レジスト組成物
AU2002255865A1 (en) * 2001-03-22 2002-10-08 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions for short wavelength imaging
JP2004226472A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版原版

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