TW546275B

TW546275B - Ceramic sintered bodies and a method of producing the same

Info

Publication number: TW546275B
Application number: TW90133420A
Authority: TW
Inventors: Hiromichi Kobayashi; Tsuneaki Ohashi; Toshio Oda; Hiroshi Furukubo
Original assignee: Ngk Insulators Ltd
Priority date: 2001-03-14
Filing date: 2001-12-31
Publication date: 2003-08-11
Also published as: US6706428B2; JP2002338334A; JP3830382B2; US20030027706A1; KR100543735B1; KR20020073257A

Description

546275 五、發明說明（1) 本發明係關於陶瓷燒結體以及其製造方 <多孔質陶瓷與緻密質陶瓷一體化之方法，古一蠟、無機質接著劑接著、一體燒結等。（「八：稭由附加訂六版丸善股份有限公司1 036〜1 037頁）^屬便覽」改本發明人研究了例如碳化矽的緻密質燒& =體接合。不過’將多孔謝與緻密；=多孔質，法，首先顯示對陶究表面強固接著力缺；=加壤之 =質陶竟的氣孔率增高1氣孔增大時，又’ 内。卩，陶瓷可能改質，且對多孔質陶瓷 k進入氧孔的亦傾向降低。X ’將兩者時二蠟的接著力 =溫度’在其後的冷卻過程，在二犧加熱至精由玻璃接著劑接著的場合，亦產生盥上緻密質陶兗 f發明之課題，係能將多孔質陶匕同的問題。具有咼接合強度一體化而成。、 ’、、雄質陶瓷充分本發明係關於具備緻密質部分與多孔w 結體，緻密質部分係藉由陶瓷微粒的庐社=。卩分之陶瓷燒部分係藉由陶莞粗粒的燒結而形&成’多孔質與陶瓷粗粒一體加壓燒結之陶瓷燒結體了、缺為陶瓷微粒又，本發明係製造具備緻穷f二八: 瓷燒結體之方法，i特忾，”山貝邛刀，、夕孔質部分之陶燒結。八特徵為陶究微粒與陶究粗粒一體加摩結生:燒結法’使陶£微粒燒、、；旬瓷Μ粒鬲度燒結之溫度以及麼麵 7066-4537-PF(N);Phoebe.ptd 第5頁 546275

力條件下生成多孔體之粗粒，與微粒同時一體燒結。陶瓷的加壓燒結法，習知以熱擠壓法、熱間等壓成形（hot isostatic press)法為代表。例如，以埶法之陶瓷的加壓燒結，可使用於氮化矽、碳化矽、、等的各種陶瓷燒結。 * ^ 在本1¾明’使用藉由加壓燒結使生成敏密體而得之陶瓷微粒，將該陶瓷微粒與陶瓷粗粒一體加壓燒結。此時，陶t粗粒，在該陶瓷微粒充分緻密化之溫度以及壓力^件下’選擇生成多孔體之粗粒。其結果，藉由加壓燒結而得之一體的燒結體，含有陶瓷履粒燒結之緻密質部分，與^ 瓷粗粒燒結之多孔質部分兩者。〃在這樣的燒結體，緻密質部分與多孔質部分被堅固地接合一體化，且兩者的界面即使細微觀察亦為連續的。於是，在多孔質部分，或緻密質部分，各陶瓷粒子因為經過分別相同的溶融燒結製程，在多孔質部分與緻密質部分的界面之殘留應力少。因此，多孔質部分與緻密質部分的接合強度高，或穩定，難以發生接合不良的現象。本發明可全面適用於陶瓷。如此之陶瓷可舉例如氧化叙、氧化#、二氧化鈦、石夕、氧化鎮、鐵酸鹽 (ferrite)、謹青石（cordierite)、三氧化二纪（yttria) 等的稀土族元素的氧化物等的氧化物系陶瓷；鈦酸鋇、鈦酸锶（strontium)、鈦酸锆酸鉛、稀土族元素的錳酸鹽、稀土族元素的鉻鐵礦等的複合氧化物；氮化鋁、氮化矽、 S i a 1 on等的氮化物系陶瓷；碳化矽、碳化硼、碳化鎢等的

7066-4537-PF(N);Phoebe.ptd 第6頁五、發明說明（3) 碳化物系陶瓷 «力：：：'的平均粒徑’在以加麼燒結之目標溫度以及 5二「般而言’陶究微粒的平均粒徑較= A卜，更佳為1 # m以下。 1土马壓力：均粒徑，在以加麼燒結之目標溫度以及特別限制又右：以得到目標氣孔率的程度燒結，則沒有但，—般’陶J才:粒的平均粒徑依目標氣孔率變動。又，從二以上，更佳為50 _以上。以下，夕孔質部分的強度降低的觀點，較佳為400 ，更佳為1 〇〇 # m以下。緻密質部 “ m n質部分的氣孔率所得之值（比)%;:;〇的3?^ 〇· 01以下。平乂1土马0· 3以下，更佳為在適當的實施例，陶瓷粗粒係為用的砥石、砥粒。將該材料與，加工、延削加工有相似範例。其他，亦可使用：日寸-體加壓燒結沒篩子調整粒度者為粗粒。凡、、'd體粉碎成粗粒，以陶瓷微粒、陶瓷粗粒，亦 (bmder)之造粒粉末，亦可=二含有黏結劑末。又，能於陶免粗粒添加造孔；貝二：黏結劑之陶甍粉在密封狀態進行，因此較佳 =但由於加壓燒結通常明，藉由將粗粒比較大的陶麥二加造孔劑。在本發粗粒強固地結合，同時. ” ^ ;向溫下加壓，將陶瓷度。竟粗粒之間殘留有空隙的程 ;ηύί 7066-4537-PF(N)；Ph〇ebe.ptd 第7頁

I 546275 五、發明說明（4) 矣致所立全面升;二:卩为的氣孔率，從作為本發明之燒結體的強度下限並盔牿=點，較佳為10 %以下，更佳為5 %以下。其，無2別限制，可為0 %。途，：：：：t的氣孔率，A 了擴大本發明之燒結體的用上。特別ί 上，更佳為15%以上，特佳為20%以在多孔質；分ΐ开由2ΓΓ巧氣：率為15%以上’容易夕中形成連、、、貝的軋孔，猎此可確保通氣性。 1乂佳為40 %以下，更佳為30 %以下。樣的燒結體中亦可埋設金屬零件或金屬構件。這金種類並無特別限制，例如平面狀的件：Dulk)材料’或以印刷法成形之金屬膜。金屬定 '"在陶瓷之燒成溫度穩定之高融點金屬，較：二，、鎢、錮、白金、銖、金合(Hf)，該等的合金形成構成金屬元件之金屬整體材料，可舉例如下。 (1)平板狀的金屬整體材料。材 (+2)平板狀的金屬整體材中形成多數的小空間者。，些是包含具有多數小孔的板狀體組成之和網狀的金屬整體材。具有多數小孔之板狀體，^ 例如餘刻金屬、沖壓（punching)金屬。牛陶兗的熱擠壓裝置’基本是由加壓機構與 j，加麗機構通常係含有擠壓型和沖壓（punch)。，、、力^籌機、且構的材質，必須在陶瓷粉末和成形體的加熱條件，例如、 7066-4537-PF(N);Phoebe.ptd 第8頁 546275

力之充分這樣的材 1 0 0 0〜240 0 °c的溫度下，具備僅能承受既定的壓機械強度，且不會與陶瓷粉末引起化學反應者。料可使用例如黑鉛。 ~ ° 在適當的實施例’陶兗微粒與陶兗粗粒係由同種是組成。本發明，可提供同種陶瓷組成之多孔體與緻2 之強固的-體構造。在此’同種的陶£，是指基本成：同者，添加成分和微量成分可不相同，亦不會有雜題。構成緻密質部分的陶兗與構成多孔質部分的陶瓷^ 為相互50重量％以上相同成分所組成，特佳為8〇 %以上二同成分。相在燒結時部分的方向延南。多力施加佳為略又較佳為時，多易產生界面，的凹凸但週當的的壓力界面，伸，多孔質部方向45 為垂直，多孔略平行孔質部不規則則難以和不平是，在此，多孔向而向交部分的接界面的方加為6 0。分的界面的施加方均等收縮壓力施加緻密質部實施例，多孔質部施加方向積層。藉由於在壓力施加方孔質部分與緻密質分與緻密質部分之。以上的角度，更〇質部分與緻密質部於加壓燒結時壓力分與緻密質部分不凹凸。然而，在對發生多孔質部分與均。熱間等壓加壓成形質部分與緻密質又方向、或垂直合強度成為最向，較佳為對壓以上的角度，最之至少一部份，向。加壓燒結 ’兩者的界面容方向略為平行的分的收縮差導致法的場合，係從所有方向

第9頁 546275 、發明說明------- 施加壓力。要在特〜。因此’該實施例’如熱加壓成形法’適用於主 μ定方向施加壓力的場合。第1 Γ 圖，第〗a)圖係顯示本發明之一實施例的燒結體1的剖面結體1、（b)圖係從底面1b觀察燒結體1的側視圖。la為燒所給成的主夕面。燒結體1，係由多孔質部分3與緻密質部與多孔二f孔質部分3係為圓板形狀。緻密質部分2，係由質部分/、部分3積層之圓盤狀的積層部分2a，與包圍多孔成°^及積層部分2a之外圍而設置之環狀部分2b所組 2a與多^ 1分2a與環狀的側壁部分&為連續的。積層部分孔質部八質部分3的界面20 ’係略垂直加壓方向A。又，多壓方^ t 3的側周面與緻密質部分2的界面21，係略平行加參昭Μ 9 當的實^ 圖〜第3圖，說明燒結體1的製造過程。在適 7。在本丨首先將陶莞粗粒加壓成形，得到一次成形體態。一次成形體7是圓板形狀的，但並不限定為該型模型内。α'开^體7，係收容於第2圖中概略顯示之加壓成形 (sleeve)^亥模型係由上沖壓（Punch)4、下沖壓5以及體殼一次点#所構成。在本例’係使支持體6的主面6b上乘載人成形體7做為積層體21。於曰 — 6a。，在下沖壓5的成形面5A上載置支持體6的主面一方體6的直仏疋大致適合體殼（sleeve)9的内徑。另 5A &古二一次成形體7的直徑，比體殼9的内徑以及成形面門，、於疋，在一次成形體7的側面7a與體殼9之及—人成形體7的主面7b上填充陶瓷微粒8。在支持

546275 五、發明說明（7) 體6的上側之立拄& β h c _ a t 叉待面6b上’載置陶瓷微粒以及陶瓷粗粒非反應性的材料組忐夕^u 、 TIL ^ 成之板狀（sheet)物，亦可使其介於i π ，從陶瓷微粒8之上降下沖壓4，在上沖壓4的成 :面”與：沖壓5的成形面以之間，朝箭頭方向A施力丄成 :于至第3圖所不之二次成形體】〇。二次成形體"，係由：粒組成之成形體7A與微粒組成之成形體11所組成。成形體U，係披覆成形體7A的主面與側面。成成如上述，較佳為將陶竟粗粒成形得到一次成形體，將 ▲一次成形體與陶t微粒同時加壓成形得到二次成形體，將该一次成形體加壓燒結。陶瓷粗粒與陶瓷微粒，在預先成形粗粒，加壓成形時，恐有兩者的界面不平均之疑慮。接著，如第3圖所示，在例如熱擠壓用的上沖壓 (punch)13的成形面13a、下沖壓14的成形面Ua以及體殼 (sleeVe)12形成之空間内，夾住二次成形體1〇，熱擠磨。在此階段，支持體6可從成形體卸下。亦可將支持體6與二次成形體1 0熱擠壓。在該狀態，陶瓷微粒與陶瓷粗粒的界面22係略垂直於壓力施加方向，界面23係略平行於壓力施加方向。第4 (a)圖’係為其他實施力之燒結體丨a的橫剖面圖，第4(b)圖係為燒結體1A的側視圖。燒結體丨人具備圓板形狀的多孔質部分3A與包圍多孔質部分3A的圓環狀的緻密質部分2A。在本實施例，圓盤狀的多孔質部分3A的主面仏、扑是露出的，其結果，在燒結體1A的主面la與底面lb之間多

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五、發明說明（8) 孔質部分為連續。21為多孔質部分3A與緻密質部分2A之面。界面2A是略平行於加麼方向A。、界又，在本發明，多孔質體可藉由相互平均粒徑不同複數種類的粗粒形成。該場合，多孔質部分之中，構' 密質部分附近區域的粗粒的平均粒徑，#社ία接山敏平乂佳為比構成離铋密質部分較遠區域的粗粒的平均粒徑小。藉此，緻密質吾分附近區域的氣孔率’比緻密質部分較遠區域的氣孔率 /1、 η 例如，狀區域2 6與成。構成圓圓盤狀區域則小於圓盤又，如 3種類以上： %合’構成 3 0到2 7漸小縮小。並且燒成時率適當調整成。又，燒 400kg/cm2 〇在第5(a)圖包圍圓盤狀環狀區域2 5 之粗粒的平狀區域2 6的第5 (b )圖所例如4種類各區域之粗。藉此，各，多孔質部的最高溫度。一般而言成時的壓力質體3B 環狀區較佳為區域2 5 孔質部、30所佳為順區域3 0 序變化類以及之溫度般為50 的燒結體區域26之之粗粒的均粒徑，氣孔率。示之燒結的區域2 7 粒的平均區域的氣分内的氣，可藉由 ’在 1000 亦可適當側面的圓平均粒徑而圓環狀體1C，多、28 、 29 粒徑，較孔率，由孔率可依陶資*的種〜2400 〇c 言史定，一域2 5所組小於構成的氣孔率分3 C是由構成。該著從區域向2 7逐漸〇目標氣孔進行燒支持體的材質# t # 支持體的場合，支拄二寺別限制。在加壓燒結時亦可使用得體較佳為具有目標燒成溫度以上的融

546275 五、發明說明（9) _ ::為成。這樣的财質較成溫度不會溶融的高融點金屬：：伟：、（金合)等在燒本發明之燒結體之表面可為;^為碳。怎塗層。特別是，在以砥粒和紙：；：？料’較佳係以陶£ 多孔質部分的純度可比利用細孔質部分的場= 分的純度低。在這樣的場合，二粉末之緻密負部多孔質部分的表面，藉由塗的表面’特別是至少的純度。特別a，如半導體；Γ臈，可提高燒結體表面表面為高純度的場合，藉由^ 途，要求燒結體之至少的表面，特別是較佳披覆至兩純度的陶兗膜，燒結體該塗層膜的材質並盔特^^質部分的表面。體的陶瓷為相同材質。又，限制，但特佳為與構成燒結化學氣相沈積、物理籍的形成方法並無限定，例如虱相沈積、濺鍍等方法。實施例 (實驗A ) 根據參照第2圖、第3 m & 之燒結體1。具體言之，準"储明的方法，製造第1圖所示矽粗粒（GC砥粒）。具有表1所示之各特性之碳化 7066-4537-PF(N);Phoebe.ptd 第13頁 546275 五、發明說明（ίο) 表1 實施例1 啻施例2 實施例3 實施例4 實施例5 粗粒碳化矽素的種類 NG30 NG60 NG1⑴ NG220 #240 最大粒徑（JU ΠΊ) 850-600 425-300 212-150 100〜75 123 平均粒徑（jum) 400 250 120 75 57 最小粒徑（v m) 355 180 75 45 40 SiC(重輋％) 99.2 99.2 99.4 99.2 90.0 遊離碳素(重菫％) 0.10 0.10 0.04 0.08 0.50 全鐵分(重蚕％丨 0.07 0.06 0.05 0.08 0.30 用途砥石砥石砥石砥石砥粒將该紙粒與聚乙二醇5 %溶液混合，填充於模型（圓形），去模型，在溫度110 °C乾燥2小時，得到一次成形體 7。將一次成形體7定型（set)於模型内。將添加&C以及碳粉之碳化矽微粒8投入模型内，披覆一次成形體7的側面以及表面。以面壓20 0kg/cm2擠壓成形，得到二次成形體 1 0。使該二次成形體1 〇熱擠壓燒結。燒成時的最高溫度為 220(TC，保持於最高溫度的時間為2小時，昇溫速度、&降溫速度為1 0 0 °C /小時。燒成時的氛圍為丨〇〇 %氬氣 (Argon) 〇 k所得之燒結體1切出如第6圖所示之型態的棒狀試料 1 5。1 5 a為多孔質部分，1 5 b為緻密質部分。使用該試料 15，藉由JIS R1 601制訂的4點彎曲法測定強度，測定結果示於表2。又，藉由阿基米德（Arch imedes)法測定各庐鲈體之多孔質部分與緻密質部分的各氣孔率，結果示於70表、、σ 2。又，第7圖、第8圖顯示實施例2、4的各燒結體之多&孔質部分與緻密質部分的各接合界面的細微構造的照片。該

7066-4537-PF(N);Phoebe.ptd 第14頁 546275 五、發明說明（11) 照片係藉由掃瞄型電子顯微鏡拍攝，倍率為5 0倍。黄施例1 S施例2 窠施例3 窠施例4 窠施例5 粗粒碳化矽素的種類 NG30 NG00 NG100 NG220 #240 粗粒碳化59素的平均粒徑 400 250 120 75 57 微粒碳化矽素的平均粒徑iim 1.6 1.0 1.0 1.0 1.0 燒成時的最高溫度rc) 2200 2200 2200 2200 2200 燒成時壓力kg/cm2 200 200 200 200 200 燒成時的氛圍氬 m 氬氬 m 多孔寅部分的氣孔率(％) 24 24 26 27 27 緻密寅部分的氣孔率(％) 0.18 0.10 0.00 0.07 0.06 4點邕曲強度(MPa) 110 130 200 240 300 從該結果可看出，多孔質部分與緻密質部分為同質材料，且具有非常不同的氣孔率。緻密質部分的氣孔率為〇 · 2 %以下時成為極小的值而緻密化。與此同時，多孔質部分的氣孔率在20〜30 %的範圍内，充分成為高氣孔率。其上，兩者的接合強度比較大。接著’從各燒結體，切出如第6 ( b )圖所示之型態以及尺寸的各試料1 6。但試料丨6的平面形狀是打開9 〇。之扇形。在圓弧的中心0側存在扇形之多孔質部分3，而沿著多孔質部分3之外周設置圓弧狀的緻密質部分2。多孔質部分 3的半徑為35mm，試料16的半徑為5〇_，緻密質部分2的寬度為15mm，試料16的厚度為8mm，多孔質部分3的厚度 Λ m m 〇 ^ 為5 在該試料1 6，使用t e s t e ^ 〜30M Ω，C-D 之間為〇· 1〇 , ，測定A-B之間的表面抵抗 0.11ΜΩ。這樣的多孔質部

7066-4537-PF(N);Phoebe.ptd 第15頁 546275 五、發明說明（12) 分與緻密質部分之間為測定A-D之間的表面抵抗，為，度的不同表面抵抗。又獨的場合降低若干表面抵抗。，比多孔質部分單的表面抵抗。應緻密質部分之相對低 (實驗B ) 與貫驗A同樣地，韌#笛之，準備如表3所示之^有各θ所不之燒結體1A。具體言粒。有各开，狀之陶兗粒粒或氮化銘粗表3 全鐵分(重量％丨 WA60 ~300~ 250 0.01 0.01 砥粒 Α 丨203— waTo〇·ΙδΟ 115 0.01 0.01 抵粒 0.003 0.001 將各粗粒與聚乙二醇5%溶液混合，填充於模型（圓形），去模型，在溫度110 °C乾燥2小時，得到一次成形體 7。將一次成形體7定型於模型内。於是，將具有表4所示之平均粒徑之純度9 9 · 9 %的紹微粒或氮化铭微粒於模型内，披覆一次成形體7的側面。以面壓2〇〇kg/cm2擠壓成 7066-4537-PF(N);Phoebe.ptd 第16頁 546275 五、發明說明（13) 形，得到二次成形體1 〇。使該二次成形體1 〇熱擠壓燒結。燒成時的最高溫度變更為如表4所示，保持於最高溫度的時間為2小時，昇溫速度、降溫速度為1 0 0 °c /小時。燒成時的氛圍為1 0 0 %氮氣。該結果，得到第4 (a)、（ b)圖所示之燒結體1 A。所得之各燒結體1 A，與實驗A同樣地測定氣孔率、4點彎曲強度，結果示於表4。表4 啻施例6 宜施例7 宜施例S 原料 AI203 AI203 AIN 粗粒原料的種類 WA00 WA100 No.l 粗粒原料的平均粒徑（#m) 250 115 400 微粒原料的平均粒徑（#m) 0.5 0.5 1 _成時的最高溫度rc) 1600 1600 1850 燒成時壓力(kg/cm2) 200 200 200 燒成時的氛圍 N2 N2 N2 多孔質部分的氣孔率(％) 27 21 28 緻密質部分的氣孔率(％) 〇〇〇 4點窗曲強度(MPa) 250 270 230 如此，本發明之燒結體，為多孔質部分與緻密質部分具有高接合強度之一體化者。又，以掃瞄型電子顯微鏡拍攝實施例6、7、8的各燒結體之多孔質部分與緻密質部分的各接合界面的細微構造的照片，得到與前述實施例2、4相同的結果。接著，在實施例6、7、8的各燒結體1 A，將緻密質部分2 A的端面以0型環密封。於是，從主面1 a側使氦氣’ (Helium)壓力為2atm，底面lb侧的氦氣壓力為latm，確認

7066-4537-PF(N);Phoebe.ptd 第17頁 546275 五、發明說明（14) 燒結體1 A的氣體透過性。其結果，從緻密質部分2 A沒有氣體外漏，在圓盤狀的多孔質部分3 A内，確認氣體從主面3a 向3b透過。【發明效果】如以上所述，根據本發明，可將多孔質陶瓷與緻密質陶瓷充分具有高接合強度而一體化。再者，多孔質陶瓷或緻密質陶瓷以高純度材質構成的場合，隨著沒有蠟和沒有接著劑的優點，可適當應用於半導體製造裝置用的元件 (例如淋浴板（s h 〇 w e r p 1 a t e ))、或過濾器（f i 11 e r)。

7066-4537-PF(N);Phoebe.ptd 第18頁 546275 圖式簡單說明第1 (a)圖係顯示本發明之一實施例之燒結體1的剖面圖，第1 (b)圖係為從底面1 b觀察燒結體1的側視圖。第2圖係顯示陶瓷粗粒組成之一次成形體7以及陶瓷微粒8 —轴加壓成形之狀態的剖面圖。第3圖係顯示二次成形體1 0於熱加壓燒結用的模型内定型狀態的剖面圖。第4 (a)圖係顯示燒結體1 A的橫剖面圖，（b)為燒結體 1 A的側視圖。第5圖（a)、（ b)係分別為燒結體1 B、1 C的橫剖面圖。第6圖（a)顯示從燒結體1切出之4點彎曲強度測定用試料1 5，（ b)為從燒結體1切出之表面抵抗測定用試料1 6。第7圖係顯示實施例2之燒結體，多孔質部分與緻密質部分之接合界面的細微構造的照片。第8圖係顯示實施例4之燒結體，多孔質部分與緻密質部分之接合界面的細微構造的照片。【符號說明】 1、1 A、1 B、1 C〜燒結體 2 b〜側壁部分； 5、1 4〜下沖壓； 7A〜陶瓷粗粒的成形體； 7〜陶兗粗粒的一次成形 11〜陶瓷微粒的成形體； 3、3A、3B、3C〜多孔質 2、2A〜緻密質部分； 4、1 3〜上沖壓； 6〜支持體； 8〜陶瓷微粒； ; 1 0〜二次成形體； A〜壓力施加方向；

7066-4537-PF(N);Phoebe.ptd 第19頁 546275 圖式簡單說明 2 a〜積層部分（平板狀部分）； 20〜對壓力施加方向略垂直的界面； 2 1〜對壓力施加方向略平行的界面。 7066-4537-PF(N);Phoebe.ptd 第20頁

Claims

M6275 六、申請專利範圍 1 · 一種其中前述緻 =質部分係前述陶瓷粗 2·如申述陶瓷微粒 3 ·如申述陶瓷微粒 4.如申前述陶瓷微 5·如申燒結體，其而前述多孔 6. 如申述前述緻密分的氣孔率 7. 如申燒結體，其加壓燒結時 8. 如申述多孔質部力施加方向陶瓷燒結密質部分藉由陶瓷粒係被一請專利範與陶瓷粗睛專利範與陶瓷粗請專利範粒與陶瓷石月專利範中前述前夤部分的 3月專利範質部分的為10〜40% 請專利範中前述多的壓力施请專利範分與前述被積層。體，具備緻密質部分與多孔質部分，係藉由陶瓷微粒的燒結形成，前述多粗粒的燒結形成，且前述陶瓷微粒與體加Μ燒結而成。圍第1項所述之陶瓷燒結體，其中前粒係為同種的陶瓷所組成。圍第2項所述之陶兗燒結體，其中前粒係為碳化矽所組成。圍第1或2項所述之陶瓷燒結體，其中粗粒係為铭化合物所組成。圍第1、2或3項中任一項所述之陶莞述緻密質部分的氣孔率為丨〇 %以下，氣孔率為10〜40%。圍第4項所述之陶瓷燒結體，其中前氣孔率為1 0 %以下，而前述多孔質部〇圍第1、2或3、項中任一項所述之陶兗孔質部分與前述緻密質部分係在前述加方向被積層。圍第4項所述之陶瓷燒結體，其中前緻密質部分係在前述加壓燒結時的壓 9·如申請專利範圍第5項所述之陶瓷燒結體，其中前述多孔質部分與前述緻密質部分係在前述加壓燒結時的壓

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j^275 申清專利範圍力施加方向被積層。述多W如申請專利範圍第6項所述之陶竟燒結體，其中& 力施加述緻密質部分係在前述加壓燒結時的：體，：九申請專利範圍第1、2或3項中任-項所述之焯妹二中珂述多孔質部分與前述緻密質部分的界面之Π D/係略平行於前述加壓燒結時壓力的施加方向。v 孔質：分如//上”圍第4項所述之燒結體，其中前述多 1刀與則述緻密質部分的界面之至少一部份别述加壓燒結時壓力的施加方向。千仃孔質3·八如盘申^專利範圍第5項戶斤述之燒結體’其中前述多 γ A +刀/、别述緻密質部分的界面之至少一部份係略平彳+ 於則述加壓燒結時壓力的❹方向。略千订孔質i!·八'申專利範圍第6項所述之燒結體，*中前述多」σ 7刀/、刚述緻密質部分的界面之至少一部份係略平於丽述加壓燒結時壓力的施加方向。略千订 ^〜15· 一種陶瓷燒結體的製造方法，該陶瓷燒結體呈有 1铪質部分與多孔質部分，該方法係將陶瓷微粒與陶粒一體加壓燒結。、、1 6 ·如申請專利範圍第丨5項所述之陶瓷燒結體的製造方法，其中前述陶瓷微粒與陶瓷粗粒係為同種的陶瓷所組成。、、、1 7 ·如申請專利範圍第1 6項所述之陶瓷燒結體的製造方法，其中前述陶瓷微粒與陶瓷粗粒係為碳化矽所組成。 7066-4537-PF(N);Phoebe.ptd 第22 I 546275 六、申請專利範圍製造^法％，申2\專_利範圍第15或16項所述之陶瓷燒結體的組成。 /、中w述陶瓷微粒與陶变粗粒係為鋁化合物所方法19其%中申^#+專^利範圍第15項所述之陶瓷燒結體的製造前述多孔質：i前述緻密質部分的氣孔率為1〇%以下，而 20女、口刀的氣孔率為10〜40%。方法，其°中=請+專利範圍第1 5項所述之陶兗燒結體的製造結時的壓力於:陶瓷微粒與前述陶瓷粗粒係在前述加壓燒 21如申^方向被積層。方法，其中^^專利範圍第1 5項所述之陶瓷燒結體的製造部份係略平^ Ϊ陶兗微粒與前述陶究粗粒的界面之至少一 22.如申:击前述加壓燒結時壓力的施加方向。陶竟燒結體的月1 利乾圍第15、16或17項中任—項所述之次成形體，將^ ^方法，其中前述陶瓷粗粒成形而得之一而得二次成形^成形體與别述陶瓷微粒一起加壓成形 23·如申浐糞將该一次成形體供給前述加壓燒結。方法，其令前：陶圍4匕18項所述之陶瓷燒結體的製造次成形體與前以= 體，將該- 再將該二次成形驷^ ^ , 灸力&成形而付二次成形體， Μ 4 & 體供給前述加壓燒結。 • σ申睛專利範圍第j 9、2 〇陶瓷燒結體的製造太次21中任一項項所述之次成形體，將該一 > /杰私辨了 f述陶瓷粗粒成形而得之一而得二次成形體，^ ^ 前述陶瓷微粒一起加壓成形再將该二次成形體供給前述加塵燒結。 7066-4537-PF(N);Phoebe.ptd 第23頁 546275 六、申請專利範圍 2 5 ·如申請專利範圍第2 2項所述之陶瓷燒結體的製造方法，其中藉由在支持體上形成前述陶瓷粗粒，得到前述一次成形體與前述支持體之積層體。

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