TW538657B - Recognition device, bonding device, and method for making a circuit - Google Patents

Recognition device, bonding device, and method for making a circuit Download PDF

Info

Publication number
TW538657B
TW538657B TW91111253A TW91111253A TW538657B TW 538657 B TW538657 B TW 538657B TW 91111253 A TW91111253 A TW 91111253A TW 91111253 A TW91111253 A TW 91111253A TW 538657 B TW538657 B TW 538657B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
aforementioned
item
cover
inert gas
patent application
Prior art date
Application number
TW91111253A
Other languages
English (en)
Inventor
Kouji Seki
Noriyasu Sakai
Toshihiko Higashino
Original Assignee
Sanyo Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co filed Critical Sanyo Electric Co
Application granted granted Critical
Publication of TW538657B publication Critical patent/TW538657B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68377—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/787—Means for aligning
    • H01L2224/78743—Suction holding means
    • H01L2224/78744—Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85053—Bonding environment
    • H01L2224/85054—Composition of the atmosphere
    • H01L2224/85075—Composition of the atmosphere being inert
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85203—Thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8521—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H01L2224/85214—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation using a laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01007—Nitrogen [N]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01059—Praseodymium [Pr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

538657 五、發明說明（1) * [發明之詳細說明] [發明所屬技術範圍] 本發明係關於認識裝置，搭接裝置以及電路裝置的製 造方法，特別是關於可提升認識裝置的認識精密度’同時 可提升搭接裝置（bonding device)的拾接精逸、度’以及使 用該些裝置的電路裝置的製造方法。 [先前技術] 在傳統的半導體裝置中，於形成於引線架上的搭載部 進行引線搭接時，係按照各搭載部分別進行，其一實施例 有在特開昭6 3 - 2 9 5 3 5號公報中所示之認識裝置’及搭接裝 置。 如苐14圖所示，加熱單元部1上，載置附有晶片10的 電晶體引線架2。而加熱單元部1上的引線架2上部，則設 置有接合臂3，接合臂3前端設置有毛細管4。在該毛細管4 中設有引線5，而毛細管4附近則設置有用以將引線5成型 為球狀的喷火炬6。 匕外 在該熱壓接型搭接裝置中，設有引線接合位置 認識1 7 ’搭接頭驅動部8，另外又設置局部加熱裝置9， 係，照可與搭接頭驅動部8朝χγ方向的操動進行連動的方 i ΐ ϊ i以局部對搭接部進行加熱。例如可利用雷射光線 衣 ，，局部加熱裝置9使用。 接著况明其動作。在藉由加元部丨所加熱的引線 糸Z上，佑昭止丄 “、、預先由引線接合位置認識部7的資訊所設定的 °接頭驅動部8進行操動，同時僅在搭接過程中操
313711.ptd 第7頁 538657 五、發明說明（2) · 動局部加熱裝置9以補充晶片1 0上的熱度的不足以進行球 狀接合，之後將毛細管4移動至引線架2側，再度於搭接過 程中操動局部加熱裝置9以補充引線架2側的熱度的不足並 進行針腳式搭接（stitch bonding)，之後再於經由喷火炬 6所切斷的引線5前端形成球狀部。 接著，在晶片1 0上的另一端的電極上，於搭接過程中 操動局部加熱裝置9以補充晶片1 0上的熱度的不足，並進 行球狀接合，之後將毛細管4移動至引線架側，並再度於 搭接過程中操動局部加熱裝置9以補充引線架側的熱度的 不足並進行針腳式接合，之後再於經由喷火炬6所切斷的 引線5前端形成球狀部。如上所述，由於係一面補充搭接 部的熱度的不足一面進行搭接，因此可獲得高品質的引線 搭接。此外，若進一步併用超音波，則更能夠達到高品質 的引線搭接。 另外，在上述實施例中，雖開示電晶體晶片的情形， 但並不限定於晶片，亦適用於二極管，I C等，而本發明係 適合偉文為任何一種半導體裝置的引線搭接裝置使用。 [發明所欲解決之課題] 如上所述，在完全鑿通的引線架2上形成搭載部的情 況下，進行引線搭接時只需將該搭載部，加熱至例如大約 2 5 0 °C即可。亦即，引線架2整體，並非經常處於高溫狀態 而是可以進行部分加熱的，因此，特別在利用上述的搭接 裝置，認識裝置時不會有認識錯誤，或認識狀態惡化等問 題。
313711.ptd 第8頁 538657 五、發明說明（3) 但是，在本發明之 引線架等上形成在小面 ，在完成一個集合體的 引線架等係維持在高溫 導電箔，引線架等，將 而有產生氧化的問題。 itb外，為了防止上 狀態下的引線架置於充 氧化。但是，為了形成 台上形成惰性氣體充填 認識用及引線搭接用作 被加熱至高溫，而由作 而發生搖擺熱氣。而該 識相機做出錯誤的認識 精密度下降的問題。 [解決課題的手段] 本發明係有鑑於上 本發明之認識裝置，係 台；可覆蓋前述基板載 前述覆蓋物上方的作業 具；以及設置於前述照 機，其特徵為可藉由裝 被充填前述覆蓋物内的 而產生的搖擺上昇氣體 實施形態中將有詳述，在 積中設置多數搭載部的集 所有引線搭接步驟以前， 狀態下。基於此點，具有 因為長時間放置在上述高 述引線架等產生氧化，可 滿氮氣等惰性氣體的空間 該空間，必須在載置引線 空間，此外尚須在該空間 業孔。此時由於惰性氣體 業孔流出外部時會與室溫 搖擺熱氣會侵入認識區域 ’而產生南集成微細導電 述先前的課題而創作發明 具備：具有加熱功能的基 置台上的作業區域的覆蓋 孔；設於前述作業孔上方 明具上方之鏡筒内的圖案 設在前述照明下部的送氣 惰性氣體因前述基板載置 能夠朝前述覆蓋物表面的 導電箔， 合體時 導電箔， 集合體的 溫狀態下 處於尚溫 内以防止 架的作業 上方形成 在空間内 產生溫差 而導致認 圖案認識 的，根據 板載置 物；設於 的照明 認識用相 氣流，使 台的加熱 橫向脫
313711.ptd 第9頁 538657 的特徵為，較好是在前述覆蓋物與 的空間内充填前述惰性氣體。 識裝置的特徵為，較好是前述搖擺 述惰性氣體。 識裝置的特徵為，前述惰性氣體較 識裝置 的環狀 課題， 的基板 蓋物； 方的照 認識用 氣流， 台的加 面的橫 ，在前 搭接。 的特徵 空間内 接裝置 五、發明說明（4) 出。 本發明的認識裝置 前述基板載置台所形成 it匕外，本發明的認 上昇氣體係被加熱的前 炎匕外，本發明的認 好係由氮氣所形成。 it匕外，本發明的認 是設在前述鏡筒部下方 it匕外，為解決上述 係具備：具有加熱功能 置台上的作業區域的覆 孔；設於前述作業孔上 具上方之鏡筒内的圖案 在前述照明下部的送氣 性氣體因前述基板載置 擺，能朝前述覆蓋物表 認識用相機進行認識後 再介由前述作業孔進行 本發明的搭接裝置 述基板載置台所形成的 itb外，本發明的搭 部份車交好是以夾具形成 此外，本發明的搭 的特徵為，前述照明，較好 照明。 本發明之搭接裝置，其特徵 載置台；可覆蓋前述基板載 設於前述覆蓋物上方的作業 明具；以及設置於前述照明 相機，其特徵為可藉由裝設 使被充填前述覆蓋物内的惰 熱而產生的上昇氣流的搖 向脫出，並在藉由前述圖案 述作業孔上移動前述毛細管 為，較好在前述覆蓋物與前 ，灌注前述惰性氣體。 的特徵為，前述覆蓋物的一 接裝置的特徵為，前述夾具，較好
313711.ptd 第10頁 538657 五、發明說明（5) 具備有前述惰性氣體灌 此外，本發明的搭 大致上較好是前述惰性 此外，本發明的搭 好係由氮氣所形成。 此外，本發明的搭 好是設在前述銳筒部下 此外，為解決上述 備具有有多數之搭載部 案，並將電路元件固定 步驟；在完成於基板載 搭載部的時間内載置前 加熱前述基板载置台， 驟；藉由裝設在前述照 覆蓋物内的惰性氣體因 擺上昇氣體，能朝前述 置在筒内的認識用相 件，以進行前述各搭載 的引、線搭接的步驟。 本發明的電路裝置 覆蓋物的-部份係由夾 itb外，本發明的電 是，係藉由夾具將惰性 it匕外，本發明的電 注孔。 接裝置的特徵為，前述波動氣體， 氣體。 接裝置的特徵為，前述惰性氣體較 接裝置 方的環 課題， 以及將 在前述 置台上 述塊狀 而使覆 明下部 前述基 覆蓋物 機認識 部的前 的製造 具所形 路裝置 氣體灌 路裝置 的特 狀照 電路 引線 各搭 將前 基板 蓋物 的送 板載 表面 前述 述電 徵為 明具 裝置 積集 載部 述基 的步 内充 氣氣 置台 的橫 各搭 路元 前述照明具 的製 於小 的塊 板組 驟； 滿惰 流， 的加 向脫 載部 件與 造方 面積 狀基 裝於 藉由 性氣 使充 熱而 出， 的前 前述 法， 的導 板的 所有 加熱 體的 填於 產生 再藉 述電 導電 係準 電圖 準備 前述 功能 步 前述 的搖 由設 路元 圖案 方法的特徵為，較好是前述 成。 的製造方法的特徵為，較好 注到前述覆蓋物中。 的製造方法的特徵為，較好
313711.ptd 第11頁 538657 五、發明說明（6) ’ 是，前述搖擺氣體，大多為惰性氣體。 itb外，本發明的電路裝置的製造方法的特徵為，前述 惰性氣體係由氮氣所形成。 此外，本發明的電路裝置的製造方法的特徵為，前述 電路元件係被固定以半導體裸晶片，或晶片電路零件的任 何一方或是兩者。 [發明之實施形態] 詳細說明有關本發明之認識裝置，搭接裝置以及電路 裝置的製造方法。 首先，參照第1圖至第3圖以說明本發明之認識裝置以 及搭接裝置。 在本發明之實施形態中，係由認識裝置與搭接裝置進 行連動，而形成一台具備有認識裝置的搭接裝置2 1。 如第1圖所示，搭接裝置2 1的主要構造係由：載置台 22;覆蓋載置台22上的作業區域的覆蓋物23;設置於覆蓋 物23上面的作業孔24 ;設置於作業孔24上方的環狀照明 2 5 ;設置在環狀照明2 5側面的搭接臂2 6 ;設於搭接臂2 6前 端的毛細管2 7 ;設於毛細管2 7近旁的火炬2 8 ;設於環狀照 明25上方的鏡筒29;未顯示於圖中之設置在鏡筒29内的認 識相機；以及為本發明之特徵的搖擺熱氣防止送氣機構3 1 所形成。 接下來，在說明各個構造的特徵的同時，並於其後說 明其動作。 首先，載置台22上載置具有多數搭載部的引線架34，
313711.ptd 第12頁 538657 五、發明說明（7) ， 為了藉由將引線架34予以加熱，以提升引線搭接性，而備 有加熱30功能。藉由該加熱裝置30，由載置台22及覆蓋物 2 3所構成的作業空間内，可在引線搭接步驟進行時，維持 在例如2 3 0 °C左右的高溫狀態。 接著，在第1圖中雖未顯示，但是覆蓋物23的一部 份，係由夾具6 0 (請參照第9圖）形成，將該夾具6 0的上 面，例如以不銹鋼製板6 7 (請參照第9圖）做成蓋狀以構 成該覆蓋物2 3。然後由夾具6 0將做為惰性氣體使用的氮 氣，例如以4公升/分的量灌注到覆蓋物2 3内。該灌注量可 依照作業用途變更。此外，在覆蓋物2 3的上面則設置作業 孔2 4。作業孔2 4例如係被做成5mmX 3 2mm的大小，在經由該 作業子L 2 4進行引線搭接步驟時，進行圖案認識，及引線搭 接。 接著，說明環狀照明2 5以及鏡筒2 9。環狀照明2 5上方 設有鏡筒2 9。介由作業孔2 4，受到環狀照明2 5照射的引線 架34與半導體元件35可藉由反射率的不同進行認識。藉由 設置在鏡筒2 9内的認識相機認識該反射光，藉此可在引線 架3 4上進行圖案認識。此時，藉由以環狀照明2 5做為照明 使用而能夠亳無偏差地對引線架，半導體元件進行照射， 並在不會產生陰影的情況下進行更精密的圖案認識。此 外，圖中雖未顯示，但是鏡筒29，係在途中與載置台22表 面形成9 0度的由折，而在該曲折部前端則設置有認識相 機。it匕外，該曲折部中，設有與載置台22表面形成45度角 度的鏡，可藉甴該構造來進行圖案認識。
313711.ptd 第13頁 538657 五、發明說明（8) * 在此，引線架34上，例如由搭載部以1 〇行5列形成一 個集合體，該集合體以多數形成。而作業孔24的大小，對 應一個集合體的作業孔，具有可由上部認識2行分的2 0個 搭載部的大小。於後另有詳述’該作業孔2 4可被應用在圖 ’ 案魂識等。此外，有關作業孔2 4的大小，並無特殊規定， ， 係根據搭接裝置2 1的認識圖案方法等，配合每次作業目的 而決定。 接著，針對接合臂2 6，毛細管2 7以及火炬2 8進行說 明。如r第2圖所示，在圖案認識後，環狀照明2 5以及搭接 臂2 6，毛細管2 7會進行移動，而讓毛細管2 7位置於作業孔籲 2 4上方。之後，藉由認識相機所得之資料進行引線接合， 而毛乡田管27則由作業孔24進入覆蓋物23内而進行半導體元 件的電極銲墊與預定之電極圖案的引線搭接。此時，由火 炬2 8進行針腳式搭接並在所切斷之金屬細線的前端形成球 狀。 最後，利用第3圖說明本發明之特徵之送風裝置。第3 圖’如第1圖與第2圖所示一般，為具備認識裝置的搭接裝 置2 1的簡略圖。 ^ 如第1圖至第3圖所示，在環狀照明2 5及覆蓋物2 3之間 靠近作業孔24近旁設置搖擺上昇熱氣防止送氣機構31。由 _ 搖擺上昇熱氣防止送氣機構31對覆蓋物23表面橫向，以及 作業孑L 24上方例如以3公升/分的量吹送33氮氣。另一方 面’覆蓋物2 3内，例如被灌注4公升/分的氮氣。另一方 面’覆蓋物2 3内，係藉由組裝於載置台2 2的加熱器3 0，維
538657
=在例如230 C之後，被充填的氮氣，例如為，而 藉由加熱器30被加熱至230 ^。 而被加熱的氮氣由作業 室溫約在20t左右，因此會 成由氮氣所轉變而成的搖播 擺上昇熱氣32滯留在= 使認識相機的認識精密度异度。 & &心、 孔2 4流出至外部，此時，由於 因氮氣與室溫產生的溫差而形 上昇熱氣32。其結果，會使搖 明2 5下部及環狀照明2 5内，而 化’並降低引線搭接的精密 5撬ir’如第3圖所示，本發明的搖擺上昇熱氣防止送 = 1 ,被設置在環狀照明25下端的正側方，並與環狀 ^ 一同移動。而搖擺上昇熱氣防止送氣機構31，例如 ^曰^^升/分的氮氣33的吹送，將發生於作業孔24的搖擺 二…、氣32 ’由作業孔24上方以及環狀照明2 5周圍送出。 MW連，由於搖擺上昇熱氣防止送氣機構3 1係被 5又置在環狀昭日月9 ς nr i山， ^ $ ， ，了明Μ下端的正側方，因此不會讓作業室的空 ，l，疋氧氣混入氮氣33内。藉此，即使由搖擺上昇熱 : 适氣機構31產生的氮氣33會由作業孔24侵入至覆蓋 内’也不會加速引線架34的氧化。 此*外’藉由熱氣防止送氣機構3 1，可事先將滯留在環 狀照明2 5下部，環狀照明2 5内以及鏡筒2 9内的搖擺上昇熱 氣去齋。藉此，具備本發明之認識裝置的接合裝置21，可 在進行引線搭接步驟時充填氮氣以避免因長時間在載置台 上載置引線架而使之產生氧化。其結果，由於引線架34表 面不會氣化’而使認識圖案時的反射性變為良好同時也可
313711.ptd 第15頁 538657 五、發明說明（ίο) ’ 提升認識精密度。 此外，當引線架3 4表面產生氧化，而使例如可對應至 1 5 0 °C的氧化防止劑膜剝落時，將導致與樹脂的結合性惡 化，而本發明，係一種可對應該種問題，並提升耐濕性， 及耐剝離性的搭接裝置。 此外，在覆蓋物中被加熱的氮氣由作業孔2 4流出至外 部時，由於與室溫產生溫差而產生的搖擺上昇熱氣3 2可藉 由設置在上述位置的搖擺上昇熱氣防止送氣機構31而被去 除。藉此，可防止搖擺上昇熱氣3 7侵入環狀照明2 5内，並 藉由言忍識相機以良好的精密度進行達到// m級（亳微米級 )的圖案認識，更能夠進行高密度的引線搭接。 此外，在本實施例中，已詳細說明了引線搭接，但在 具有光學性認識裝置的晶粒搭接上亦可獲得相同的效果。 此外，並未限定僅有引線架可載置於載置台上，只要是必 須防止後述之導電箔等的氧化者均可獲得相同的效果。此 外，在對金屬基板，印刷基板，陶瓷基板等進行晶粒搭 接，引線搭接睁，或是在部分塗佈焊錫部分的裝置上，只 要是具有光學性認識裝置者均可應用。 此外，於前已說明過由搖擺上昇熱氣防止送氣機構3 1 噴送例如3公升/分的氮氣的情形但是該喷送33量基於成本 考量，原則上以能夠喷散搖擺上昇熱氣32的最小限度為 宜。因此，喷送3 3量係根據作業條件進行適當的調整。 接著，參照第4至第1 3圖來說明本發明之電路裝置的 製造方法。
313711,ptd 第16頁 538657 五、發明說明（in ， 首先，本發明的第1步驟，如第4圖至第6圖所示，係 準備導電箔50，至少在不包括形成多數個電路元件42的搭 載部的導電圖案4 1的區域的導電箔5 0上藉由蝕刻形成較導 電箔5 0之厚度為淺的分離溝5 1以形成導電圖案4 1。 在本步驟中，首先如第4圖（A)所示，先預備薄板狀的 導電箔5 0。該導電箔5 0係在考慮焊材的附著性，搭接性， 電鍍性的情況下選擇材料，在材料方面，係採用以Cu為主 材料的導電箔，以A1為主材料的導電箔或是由Fe-Ni等合 金所形成的導電箔等。 導電箔的厚度，為考慮之後的蝕刻乃以10//m至300# m為佳，在本發明中係採用7 0 // m ( 2盎司）的銅箔。但基 本上高於3G0//m或低於10//m均無妨。如後述一般，只要 能夠形成較導電箔5 0的厚度為淺的分離溝5 1即可。 此外，薄板狀的導電箔5 0，可以預定的寬度，例如 45 mm的寬度預先捲成圓筒狀，而搬送至後述之各步驟，或 是預先準備被切成預定大小的窄長形的導電箔5 0再搬送至 後述的各步驟中。 具體而言，如第4圖（B)所示，在窄長形的導電箔50上 間隔#t列多數個（在此為4至5個）由多數搭載部形成的單 元5 2。在各單元5 2之間設有縫隙5 3，以吸收在膜塑步驟等 的加熱處理上所產生的導電箔5 0的應力。此外，在導電箔 5 0的兩側則以一定的間隔設置中心孔5 4，用以在各步驟中 定位。 接著，形成導電圖案。
313711.ptd 第17頁 538657 五、發明說明（12) ， 貧先’如第5圖所示，在c u謂5 0上，形成光阻劑（抗 触遮罩）PR ’並形成光阻劑PR圖案以露出形成導電圖案41 的區域以外的導電箔5〇。然後，如第9圖（A)所示，藉由光 阻劑P R選擇性地钱刻導電绪5 〇。 一在本^驟=，為了使藉由蝕刻形成的分離溝51的深度 均 1 ’、同精在度’如第6圖（A )所示，讓分離溝5 1的開口 ΐ Ϊ3 ί設置在導電fl 50下方的钱刻液供給管70朝上 邙分受到二=。其結果，將使接觸到蝕刻液的分離溝5 1的 ίρ排出，因j L而蝕刻液並不會滯留在分離溝51内而會立 而形成均-且且古：」：：：：蝕刻處理時間控制， 係採=氯化第二鐵或是氯化第二銅。外，餘刻液主要 第6圖（Β)顯示具體的導電圖案41。 (Β)所示單元52的其中一個予以放大。本圖，係將第4圖 個搭載部55，構成導電圖案41，一個單|元線所示部分為一 1 〇列的矩陣狀配列多數個搭載部55，各中，係以5行 一導電圖案41。在各單元的周圍設有框部55均設置同 該圖案稍微隔開的内側中則設有切割時2圖案56，在與 I7。Ϊ狀的圖案56係用在與膜塑模具的:ί用❸定位標記 ^導電㈣的背面在独刻後具有補強的，' & _脂4 0的功 導雷Ϊ Ϊ /本發明的第2步驟，如第7圖所-¥電圖案51的各杈# 口所不，係 電路元件42 ί部上固定電路元件42。 預疋 ζ 係電晶體，二極管，ΤΓ日 曰曰片等的半導體
313711.ptd 第18頁 538657
元件， 增加厚 件。 晶片電容器，曰 一 曰曰片抗阻等的受動元件。此外雖然會 度，但亦可安 ^ , 装CSP，BGA等底面朝下的半導體元 片4 2 A係在導電圖案4 1 A上進行晶粒 是受動元件42B則是以焊錫等焊材 在此’電晶體裸㊆ 搭接，而晶片電容器^ 或是導電漿45B固定。 接著，為本發明 圖及第9圖所示，係將之電路裝置的特徵的第3步驟，如第8
預定的導電圖案4Γ予以各搭載部55的電路元件42的電極與 ..^ ^ ^ 弓丨線搭接0 y ” ’係使用具備第1圖所示之認識裝置的搭 接裝置U進行引線搭接。然後，在搭接裝置21的載置台22 上’如第9圖（A)所示，設置夾且6〇，藉由夾具6〇可固定導 電、冶50的單元52的周端，以將導電箔5〇密接在載置台22表 面的加熱單元64上。 然後，經由作業孔2 4並藉由鏡筒2 9内的認識相機進行 固定在加熱單元6 4上的導電箔5 0的圖案認識。在圖案認識 後，如第8圖所示，藉由熱壓接的球形搭接以及超音波的 楔形搭接，進行單元52内的各搭載部55的射極與導電圖案 41B，以及基極與導電圖案41B的搭接。 在此，夾具60，如第9圖（A)所示，具有與單元52幾乎 同等大小的開口部6 1，而在與導電箔5 〇抵接的部分則設有 凹凸部63。藉由以凹凸部63固定單元52的周端，可讓單元 5 2的背面與加熱單元6 4密接。此外，夾具β 〇的内部又設有 讓氮氣流通的通路6 5，6 6。
538657 五、發明說明（14) 此外，如第9圖（B)所示，覆蓋體系由夾具60與不銹鋼 製板6 7所構成。該板6 7被嵌鑲在夾具上部的凹部6 8，可朝 著與爽具60的表面呈水平的方向，以及與導電箔50的移動 方向呈直角的方向自由移動。此外，板67上形成有作業孔 2 4，該作業孔2 4孫對應銅箔5 0上的列方向的搭載部移動， 並藉此對單元進行圖案認識，及引線搭接。 此外，在本步驟中，單元5 2内設有多數搭載部5 5，係 依照各個單元5 2 —併進行引線搭接，因此相較於先前的電 路裝置的製造方法，會延長單元5 2的加熱時間，而導致單 元5 2產生氧化。為解決該項問題，乃利用設置夾具6 0以做 為搭接裝置21的覆蓋物23的一部份，並在由夾具6〇將氮氣 噴灑在單元52表面的同時，可以氮氣充填覆蓋物23内以解 決該項問題。 另一方面，覆蓋物内，係藉由内藏於載置台22的加熱 器3 0功能，維持在例如2 3 〇 °c，此外，被充填的氮氣，例 如係在7 0 °C下被充填。接著，氮氣在覆蓋物2 3内藉由加熱 器30被加熱至23 0 °C。氮氣係以例如4公升/分的量被充填 覆蓋體23，再籍由加熱而由作業孔24流出。此時，氮氣為 2 3 0 °C ，而由於室溫約在2 〇左右，因此會因該溫差而形 成由作業孔2 4流出的搖擺上昇熱氣3 7。此外，如第3圖所 示’因所流出的榣擺上昇熱氣3 7滯留於環狀照明2 5内，故 有降低圖案認識精密度的問題。 但是，根據本發明的搭接裝置2 1，係在環狀照明2 5與 覆蓋物2 3之間靠近作業孔2 4附近，具體而言係在環狀照明
313711.ptd 第20頁 538657 五、發明說明（15) 2 5下端的正側方設置搖擺上昇熱氣防止送氣機構3 1，藉由 例如3公升/分的氮氣的喷送3 3，由作業孔上方以及環狀照 明2 5周圍將搖擺上昇熱氣3 2送出。藉此，可防止搖擺上昇 熱氣3 2侵入環狀照明2 5内，並藉由認識相機以良好的精密 度進行達到// m級（毫微米級）的圖案認識，同時更能夠 進行高密度的引線搭接。其結果，可實現一種電路裝置的 製造方法，對於如集合單元5 2 —般，由搭載部以5行1 0列 形成的小面積集成型導電圖案同樣可進行高精密度的引線 搭接。 jtfc*外，如上述一般，藉由解決用以防止導電箔50表面 產生氧化的氮氣的問題，可在進行引線搭接中使用氮氣。 藉此，可消除導電箔5 0表面的氧化問題，故可防止因導電 箔5 0表面氧化，而使可對應至1 5 0 °C的氧化防止劑膜產生 剝落，導致與樹脂40的結合性的惡化。其結果，可提升導 電箔5 0與絕緣性樹脂4 0的結合面的耐濕性，及耐剝離性。 接著，本發明之第4步驟，如第1 0圖所示，藉由絕緣 性樹月旨40進行紇一膜塑以一併覆蓋各搭載部5 5的電路元件 42，並使之充填於分離溝51中。 在本步驟中，如第1 0圖（A )所示，絕緣性樹脂4 0將電 路元件42A，42B及多數導電圖案41A，41C完全覆蓋，而在 導電圖案41間的分離溝5 1中，絕緣性樹脂40與被充填的導 電圖案4 1 A、4 1 B、41 C的側面的彎曲構造相嵌合並緊密結 合。而導電圖案4 1則由絕緣性樹脂4 0所支撐。 it匕外，本步驟，可藉由移轉膜塑，射出成形，或充填
313711.ptd 第21頁 538657 五、發明說明（16) 八^ i ^在树月旨材料方面，環氧樹脂等熱硬化性樹脂可 ^ 軺膜塑來實現，而聚醯亞胺樹脂，聚 熱可塑，樹脂則可藉由射出成形來實現。 胤化物等 AΪ蓋在導電箔5〇表面的絕緣性樹脂40的厚度，被調整 二由電路兀件42的搭接引線45Α的最頂部覆蓋約1〇〇 又的厚度。該厚廋，可視強度需要來調整其厚薄。 本步驟的特微為，在覆蓋絕緣性樹脂4〇前，係 導電圖案41的導電箔50做為支撐基板，做為支撐基板^用 的導電箔5 0係電極材料的必要材料。因此具有可節省大量 構成材料以進行作業的優點，並可降低成本。 此外，因分灕溝51的深度，較導電箔厚度為淺之故， =電箔50並不會個別分離為導電圖案41。因此可一併做為 睥板=的導電落50使用，其特徵為在膜塑絕緣性樹脂4〇 寺，至模：’或安裝至模具上的作業極為便利。 其：人，本發明第5步驟，如第！ 5圖 設置分離溝51的厚度部分的導電箱^斤不’係在於將未 本步驟，係將導電箔50的背面以=去除。 理方式去除，並做為導電圖案41分 予方式以及/或物 磨、研削、触刻、雷射的金屬蒸發等方=驟，係利用研 在實驗中，孫利用研磨裝置或孤*式貝施。 30 "瓜的研肖卜而由分離溝51露出絕研削裝置對全面進行約 的面在第10圖（A )中係以虛線表、、。眭樹脂40。所露出 “ m厚度的導電圖案41而分離。此其結果將形成約40 緣性樹脂40之前，對導電箔5〇進’亦可在即將露出絕 J王面性濕性蝕刻，之後
第22頁 (17) 五、發明說明 再藉由研 出。it匕外 置，以露 其結 面的構造 面與導電 此，本發 表面張力 另外 示之最終 覆蓋焊錫 其次 以絕緣性 性測定。 在前 電箔5 0分 電镇5 0的 械方式自 口口 -單 而各 ^ 轉探 背面％極 參數等並 予以標示 面 列 磨或 ，也可 出絕緣 果，會 。亦g卩 圖案4 1 明的電 直接朝 ，進行 構造。 等導電 ，本發 樹脂4 〇 步驟中 割各單 剩餘部 導電箔 元52的 搭載部 針抵接 46，以 進行其 削裝置 以將導 今生樹脂 形成在 ’被充 的表面 路裝置 水平方 導電圖 亦即， 材，以 明之第 一次膜 ’係在 元52 〇 分連接 5 0的殘 背面如 5 5在形 由該導 分別測 良劣的 =行全面研削而使絕緣 电读5 0全面濕性蝕刻至 40 〇 絕緣性樹脂40上露出導 填於分離溝5 1的絕緣性 ’會形成實質為一致的 A 〇 ’具有在安裝時可利 向心動以自行調整的特 案4 1的背面處理，以獲 根據需要在所露出的導 形成電路裝置。 I步驟，如第12圖所示， 塑的各搭载部55的電路 性樹脂4 0露 虛線所示位 電圖案4 1背 樹脂4 0的表 構造。因 用焊錫等的 徵。 得第1 4圖所 電圖案41上 係在進行 元件4 2的特 兮τΓ 電冶5 〇的背面餘刻後，由導 了單疋5 2係利用絕緣性樹脂4 0與導 因此無須使用切斷模具即可以機 餘部韌離。 第1 5闻 成 圖所示，露出導電圖案41的背 、電圖案4 1時係同樣以矩陣狀配 ^ 系4 1的絕緣性樹脂40所露出的 判^ "載部5 5的電路元件42的特性 於不良品則利用磁性墨水
)刈 657 )刈 657 五、發明說明（18) 在本步驟中 樹脂4 0依照各個 離。因此，被放 5 5的大小，朝箭 逐步饋送，故能 路裝置43的測定 I路裝置的表裡 短測定時間。 接著，本發 I载邹5 5並藉由 t本步驟中 栽置台上，再利 % _分離溝51的 43 〇 在 4 〇的切 以滾輪 领中所 蘇5 7， 係往敏 轉9〇变 轎 此 在導電 本步驟中 削深度進 進行格塊 設置的各 並以此為 方向進行 以進行橫 由上述製 外，在本 猪上形成 單^搭载部55的電路裝置43係 ^52—體支撐’因此不會個3用絕緣性 在測定器的載置台的單- U散開分 號所示之縱方向及樺方會以搭載部 即早+曰 、万向進行〜仝日日—
。：，地進行單元52的各C 判，由於可省略在先前電 卜與電極位置的認識，因此=:亍： U T大幅縮 明的第7步驟，如第 =分割絕緣‘Λ;3::… 用切割板59i J J =52吸附到切割裝置的 絕緣性樹脂40 载部55間的切割線58 ’以分割為個別的電路裝置 ，切割板5 9係利田丄 行切割，從切* 致可切斷絕緣性樹脂 單元的周邊ί = Γ事先認識在第π 贫唯、任/ 狀圖案56内側的相對定位標 所有的切割般所知，切割作業 ]琛58的切割後，再將載置台旋 方向的切割線切割。 造步驟’以完成電路裝置43。 發明的電路裝罟 集合單元的情2造方法上，雖已針對 β ^做過說明，但並不特別限
538657 五、發明說明（19) 定於該種情形， 可獲得相同效果 内，可進行各種 [發明之效果] 才艮據本發明 基板載置台；可 物；設於前述覆 的照明；以及設 識用相機。然而 述基板載置台加 為與室溫產生溫 氣體會滯留在前 認識裝置，因為 述作業孔近旁備 前述榣擺上昇熱 昇氣體能夠朝前 案認識用相機的 此外，根據 功能的基板載置 的覆蓋物；設於 孔上方的照明； 述照明上方之裝 述覆蓋體内的惰 前述作業孔流出 對於如引線架等由導電構件形成的基板亦 。其他，在不脫離本發明的要旨的範圍 變更。 之認識裝置，係具備有：具有加 覆蓋前述基板載置台上的作業區 蓋物上面的作業孔；設於前述作 於前述照明上方之裝設於鏡筒内 ，充填前述覆蓋物内的惰性氣體 熱後，自前述作業孔流出至外部 差而產生搖擺上昇氣體，且前述 述照明内以及其周邊。但是根據 在前述照明下部以及前述作業孔 置了搖擺上昇熱氣防止裝置，因 氣防止送氣機構的喷送氣流讓前 述覆蓋物表面的橫向脫出，並提 認識精確度。 本發明之搭接裝置，係具備有： 台；可覆蓋前述基板載置台上的 前述覆蓋物上面的作業孔；設於 設於前述照明側面的毛細管；以 設於鏡筒内的圖案認識用相機。 性氣體，經由前述基板載置台加 至外部時，會因溫差而產生搖擺 熱功 域的 業孔 的圖 ，經 時， 搖擺 本發 之間 此可 述搖 升前 能的 覆蓋 上方 案認 由前 會因 上昇 明之 的前 藉由 擺上 述圖 具有加熱 作業區域 前述作業 及設於前 而充填前 熱後，自 上昇氣
313711.ptd 第25頁 538657 五、發明說明（20) 體。前述搖擺 流朝前述覆蓋 機進行認識。 隔介前述作業 氣流來防止前 能夠進^行南精 度達到# m級 此*外，根 用上述認識裝 多數搭載部集 所製成的基板 化，因此可實 的耐濕、性與耐 上昇氣體措 物表面橫向 之後，在前 孔來進行搭 述波動氣體 碟度的圖案 〔毫微米級） 據本發明的 置以及搭接 成於小面積 ，即使長時 現一種能夠 剝離性的電 由設置在前述照明下 脫出後，利用前述圖 述作業孔上移動前述 接。此時，由於係藉 侵入前述照明内，而 認識，因此可實現一 的搭接裝置。 電路裝置的製造方法 裝置，在引線搭接步 上的集合單元所形成 間放置在高溫下也不 提升基板與絕緣性樹 路裝置的製造方法。 部的送氣氣 案認識用相 毛細管，以 由前述送氣 使認識相機 種搭接精確 ，係藉由使 驟中，讓由 的導電構件 會產生氧 脂之結合面
313711.ptd 第26頁 538657 圖式簡單說明 [圖案之簡單說明] 第1圖，為具備本發明之認識裝置的搭接裝置的說明 圖。 第2圖，為具備本發明之認識裝置的搭接裝置的說明 圖。 第3圖，為具備本發明之認識裝置的搭接裝置的概略 性說明圖。 第4圖（A)及（B)，為本發明之電路裝置的製造方 法說明圖。 第5圖，為本發明之電路裝置的製造方法說明圖。 第6圖（A)及（B)，為本發明之電路裝置的製造方 法說明圖。 第7圖（A)及（B)，為本發明之電路裝置的製造方法說 明圖。 第8圖（A)及（B)，為本發明之電路裝置的製造方法說 明圖。 第9圖（A)及（B)，為本發明之電路裝置的製造方法說 明圖。 第10圖（A)及（B)，為本發明之電路裝置的製造方法說 明圖。 第11圖，為本發明之電路裝置的製造方法說明圖。 第12圖，為本發明之電路裝置的製造方法說明圖。 第1 3圖，為本發明之電路裝置的製造方法說明圖。 第1 4圖，為具備先前認識裝置的搭接裝置說明圖。
313711.ptd 第27頁 538657
圖式簡 單說明 [符號 說明 ] 1 加 熱 單 元 部 2 電 晶 體 引 線 架 3 接 合 臂 4 > 27 毛 細 管 5 引 線 6 火 炬 7 辨 識 部 8 搭 接 頭 驅 動 部 9 局 部 加 熱 裝 置 10 晶 片 21 搭接 裝 置 22 載 置 台 23 覆 蓋 物 24 作 業 孔 25 環 狀 昭 明 26 搭 接 臂 29 鏡 筒 30 加 熱 裝 置 31 搖 擺 上 昇 熱 氣防止送氣 機構 32、 3 7 搖 擺 上 昇 熱 氣 33 氮 氣 34 引 線 架 35 半 導 體 元 件 40 樹 脂 41、 4 1 A、 41B、 ‘ 41C 導 電 圖 案 42 電 路 元 件 42A 電 晶 體 裸 晶 片 42B 受 動 元 件 43 電 路 裝 置 45A 接 合 引 線 45B 導 電 漿 46 背 面 電 極 50 導 電 箔 51 分 離 溝 52 固 定 單 元 53 縫 隙 54 中 心 孔 55 搭 載 部 56 周 邊 框 狀 圖 案 57 定 位 標 記 58 切 割 線 59 切 割 板 60 爽 具 313711.ptd 第28頁 538657 圖式簡單說明 6 1 開口部 63 凹凸部 64 加熱單元 65、66 通路 67 不銹鋼製板 68 凹部 7 0 蝕刻液供給管 im· 313711.ptd 第29頁

Claims (1)

  1. 538657 六、申請專利範圍 1 · 一種認識裝置，係具備有：具有加熱功能的基板載置 台；可覆蓋前述基板載置台上的作業區域的覆蓋物； 設於前述覆蓋物上方的作業孔；設於前述作業孔上方 的照明具；以及設於前述照明具上方之裝設於鏡筒内 的圖案認識用相機，其特徵為：可藉由裝設在前述照 明下部的送氣氣流，使充填前述覆蓋物内的惰性氣體 因前述基板載置台的加熱而產生的搖擺上昇氣體，能 夠朝前述覆蓋物表面的橫向脫出。 2 ·如申請專利範圍第1項之認識裝置，其中，由前述覆蓋 物與前述基板載置台所形成的空間内，係充填前述惰 性氣體。 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項之認識裝置，其中，前 述覆蓋物的一部份，係由夾具所形成的。 4 ·如肀請專利範圍第3項之認識裝置，其中，前述夾具係 具備有前述惰性氣體充填孔。 5 ·如申請專利範圍第1項之認識裝置，其中，前述搖擺上 昇氣體係被加熱之前述惰性氣體。 6 ·如申請專利範圍第1項之認識裝置，其中，前述惰性氣 體，係由氤氣所形成。 7 ·如申請專利範圍第1項之認識裝置，其中，前述照明， 係設置在前述鏡筒部下方的環狀照明。 8. —種搭接裝置，係具備有：具備加熱功能的基板載置 台；可覆蓋前述基板載置台上的作業區域的覆蓋物； 設於前述覆蓋物上方的作業孔；設於前述作業孔上方
    313711.ptd 第30頁 538657 六、申請專利範圍 的照明具； 述照明上方 徵為：可藉 填前述覆蓋 而產生的搖 脫出，前述 孔上移動前 9.如申清專利 物與前述基 性氣體。 1 0 .如申請專利 述覆蓋物的 1 1 ·如申請專利 係具備有前 1 2 ·如申請專利 體你被加熱 1 3 ·如申請專利 體’係由氮 I4·如申請專利 具，係設置 1 5· 一種電路裝 有多數之搭 並將電路元 步螺；於完 其中 前 前述夾具 其中，前述搖擺氣 其中，前述惰性氣 其中，前述照明 =於前述照明側面的毛細管；以执 由於鏡筒内的圖案認識用相機前 裝设在前述照明下部的 /、特 2内的惰性氣體因前述基板；=的使充 二士升氣體，能朝前述覆蓋物表面2熱 ς案認識用相機進行認識後，在#橫向 心二::管，再介由前述作業 ς業 2園第8項之搭接裝置，其中，由^接。 裁置台所形成的空間内，係充：前述覆惰蓋 範，第8項或第9項之搭接裝置 =份，係由夾具所形成的。 圍第10項之搭接裝置，豆中 %惰性氣體充填孔。 範園第8項之搭接裝置 <前述惰性氣體。 ，園第8項之搭接震置 I所形成。 範圍第8項之搭接裝置且 在前述鏡筒部下方的卢u共Τ ’ ’ 复的製造方法，其特：：照明具。 栽部以及紙線集積；導 件固定在刖處各搭載部 =系 成在基板載置台上將前土 、準備 丄W則述基板組裝在所有
    538657 六、申請專利範圍 前述搭載部的時間内載置前述塊狀基板的步驟；藉由 加熱功能加熱前述基板載置台，使覆蓋物内充滿惰性 氣體的步驟；藉由裝設在前述照明下部的送氣氣流， 使充填於前述覆蓋物内的惰性氣體因前述基板載置台 的加熱而產生的搖擺上昇氣體能朝前述覆蓋物表面的 橫向脫出，並藉由設置在鏡筒内的認識用相機認識前 述各搭載部的前述電路元件，以進行前述各搭載部的 前述電路元件與前述導電圖案的引線搭接的步驟。 16. 如申請專利範圍第15項之電路裝置的製造方法，其 中，前述覆蓋物的一部份，係由夾具所形成。 17. 如申請專利範圍第16項之電路裝置的製造方法，其中 ，喺藉由夾具將惰性氣體充填於前述覆蓋物中。 18. 如申請專利範圍第15項之電路裝置的製造方法，其 中，前述搖擺上昇氣體，大多為惰性氣體。 19. 如申請專利範圍第15項之電路裝置的製造方法，其 中，前述惰性氣體，係由氮氣所形成。 20. 如申請專利範圍第15項之電路裝置的製造方法，其中 ’前述電路兀件係固定有半導體裸晶片’或晶片電路 零科的任何一方或是兩者。
    313711.ptd 第32頁
TW91111253A 2001-06-27 2002-05-28 Recognition device, bonding device, and method for making a circuit TW538657B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001195396A JP2003007759A (ja) 2001-06-27 2001-06-27 認識装置、ボンディング装置および回路装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW538657B true TW538657B (en) 2003-06-21

Family

ID=19033374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW91111253A TW538657B (en) 2001-06-27 2002-05-28 Recognition device, bonding device, and method for making a circuit

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6715660B2 (zh)
JP (1) JP2003007759A (zh)
CN (1) CN1211849C (zh)
TW (1) TW538657B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11990445B2 (en) 2018-09-11 2024-05-21 Pyxis Cf Pte. Ltd. Apparatus and method for semiconductor device bonding

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1326730B1 (de) * 2000-10-06 2009-09-23 Pac Tech - Packaging Technologies GmbH Vorrichtung zur positionierung eines werkzeuges gegenüber einem werkstück
JP4711549B2 (ja) * 2001-06-27 2011-06-29 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP2003007759A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Sanyo Electric Co Ltd 認識装置、ボンディング装置および回路装置の製造方法
US6892927B2 (en) * 2003-04-24 2005-05-17 Intel Corporation Method and apparatus for bonding a wire to a bond pad on a device
JP5016816B2 (ja) * 2005-12-27 2012-09-05 株式会社東芝 ボンディング装置及び半導体装置の製造方法
TWI405278B (zh) * 2010-05-20 2013-08-11 Advanced Semiconductor Eng 固定治具及打線機台
WO2015137029A1 (ja) * 2014-03-14 2015-09-17 株式会社新川 ボンディング装置およびボンディング方法
JP6118967B2 (ja) * 2014-03-14 2017-04-26 株式会社新川 ボンディング装置およびボンディング方法
JP5950994B2 (ja) 2014-12-26 2016-07-13 株式会社新川 実装装置
EP3506340B1 (en) * 2017-12-28 2020-10-21 Nexperia B.V. Bonding and indexing apparatus

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62276840A (ja) * 1986-05-26 1987-12-01 Hitachi Ltd ボンデイング装置
JPS6329535A (ja) * 1986-07-22 1988-02-08 Mitsubishi Electric Corp ワイヤボンダ−
JPS63266846A (ja) * 1987-04-24 1988-11-02 Hitachi Ltd 電子装置の製造方法および装置
JP2981973B2 (ja) * 1995-05-30 1999-11-22 株式会社新川 ワイヤボンディング装置
JPH09139399A (ja) * 1995-11-16 1997-05-27 Toshiba Electron Eng Corp 画像認識方法、その装置、ワイヤボンダ画像認識方法およびその装置
US6234376B1 (en) * 1999-07-13 2001-05-22 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Supplying a cover gas for wire ball bonding
JP4711549B2 (ja) * 2001-06-27 2011-06-29 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP2003007759A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Sanyo Electric Co Ltd 認識装置、ボンディング装置および回路装置の製造方法
JP2003037131A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Sanyo Electric Co Ltd ボンディング装置
US20040154792A1 (en) * 2003-02-12 2004-08-12 Bofto Shane A. Desorption of hydrocarbons for recovery from water bearing coal using electromagnetic energy

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11990445B2 (en) 2018-09-11 2024-05-21 Pyxis Cf Pte. Ltd. Apparatus and method for semiconductor device bonding

Also Published As

Publication number Publication date
US6715660B2 (en) 2004-04-06
CN1211849C (zh) 2005-07-20
US20030000995A1 (en) 2003-01-02
US20040154742A1 (en) 2004-08-12
US7066372B2 (en) 2006-06-27
JP2003007759A (ja) 2003-01-10
CN1393919A (zh) 2003-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW538656B (en) Recognition device, bonding device and method for preparing circuit device
TW538657B (en) Recognition device, bonding device, and method for making a circuit
US8056222B2 (en) Laser-based technique for the transfer and embedding of electronic components and devices
US7019223B2 (en) Solder resist opening to define a combination pin one indicator and fiducial
US20040232533A1 (en) Semiconductor apparatus and fabricating method for the same
JPH0845994A (ja) フリップチップの基板へのボンディング方法
KR20090051929A (ko) 웨이퍼 정렬 방법 및 플립칩 제조 방법
TW201133729A (en) Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and conductive trace
CN104900624A (zh) 一种系统级mems双载体芯片封装件及其生产方法
JP2009200203A (ja) ダイボンディング装置及びダイボンディング方法
JP4489524B2 (ja) 半導体装置の製造方法およびペースト塗布装置
KR20060085523A (ko) 레이저를 이용한 고출력 엘이디의 패키징 장치
US7264994B2 (en) Method of fabricating a semiconductor device
JP2003037344A (ja) 回路装置およびその製造方法
JP2003046054A (ja) 板状体、リードフレームおよび半導体装置の製造方法
JPH0737890A (ja) 半田ボール接合装置およびその接合方法
KR101097062B1 (ko) 다이 본더
US5899375A (en) Bump bonder with a discard bonding area
JPS63127541A (ja) チップの接合方法
CN1750246A (zh) 半导体装置的安装方法、半导体装置及其安装结构
KR20130077364A (ko) 용융 금속 토출 장치
KR102174080B1 (ko) 반도체 디바이스의 제조장치.
JP4952527B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2017139365A (ja) 半導体パッケージの製造方法
JP4717129B2 (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees