TW526558B - Focus ring and plasma processing apparatus for semiconductor process - Google Patents

Description

五、發明説明（i ) 本發明所屬之技術領域： 本發明係有關於半導體處理用之聚焦環及電浆處理 裝置’更具體言之，係有關於用以防止在晶圓等之被處理 基板的外周部，於電漿處理中所發生之異常放電的聚焦環 及電漿處理裝置。X ’於此所謂之半導體處理係表示在半 導體晶圓或LCD基板等之被處理基板上，以所定之圖案形 成半導體層、絕緣層、導電層等之後’為在該被處理基板 上製造包含半導體裝置或連接在半導體裝置之配線'電極 等之構造物所實施之種種的處理。 習知技藝： 第8圖係表示電漿餘刻裝置之一般性構成的概略圖。 電漿姓刻裝置具有氣密之圓筒形狀的處理室5〇。在處理室 5〇内之下部，配設用以支撐被處理基板之晶圓（w)的載置 台（兼為下部電極）51(例如為可昇降）。在處理室5〇内之上 部，配設與下部電極51為平行對向而用以供給處理氣體之 喷飢頭（兼為上部電極）52。對於該等之兩電極51、乃從 第1、第2高頻電源53、54經由整合器53八、54八而外加頻率 相異之RF(高頻）電力。由於RF電力外加於兩電極51、， 乃在處理室50内形成RF電場。藉由RF電場而使處理氣體電 漿化，且利用該電漿蝕刻晶圓（w)表面之絕緣膜等之膜。 在下部電極5 1之外周部配設用以包圍載置在其上之 晶圓（W)的聚焦環55。另方面，在上部電極52之外周部， 配設護罩環.56。聚焦環55及護罩環56具有將上下兩電極 51、52間所發生之電漿聚集至晶圓（w)之功能。 五、發明説明（2 ) 依據習知之電漿蝕刻裝置，即在晶圓(W)之外周部較 易毛生異吊放電，且發現因該異常放電而使餘刻之面内均 一性或選擇比降低等之問題。 本發明之目的·· 本舍明之目的係提供能防止於電漿處理中在晶圓等 之被處理基板之外周部所發生的異常放電之㈣、環及電漿 處理裝置。 解決課題之本發明的裝置· 、本發明之第1著眼點係於氣密之處理室内，激起處理 氣體轉化為電漿’並使用前述電漿對載置在載置台上之被 處理基板施予半導體處理的電漿處縣置巾，為對前述被 處理基板聚集前述電漿而配置成包圍前述被處理基板 焦環，包含： ΛΚ 内側領域，係配設成包圍前述被處理基板，且在露出 於前述電漿之-邊’具有實f上由介電體所形成之表面； 中間領域’係配設成包圍前述内側領域，且在霖出於 前述電漿之一邊，具有實質上由導電體所形成之表面;及： 外侧領域，係配設成包圍前述中間領域，且在露出於 前述電漿之-邊具有實質上由介電體所形成之表面。； 本發明之第2著眼點為半導體處理用之電漿處理壯 置，包含： ^ 氣密之處理室； 用以將處理氣體供給至前述處理室内的供給系統； 用以將前述處理室内作真空排氣的排氣系統； 本紙張尺度適用中國國家標準 (CNS) A4規格（210X297公釐） 526558 五、發明説明（ 用以將前述處理氣體激起而轉化為 具有用以支撐被處理基板之主載置面且配設在前述 處理室内之載置台；及 用以使前述電漿向前述被處理基板聚集且配置成包 圍前述被處理基板之前述第丨著眼點的聚焦環。 本發明之第3著眼點係於氣密之處理室内，激起處理 氣體而轉化為電t，且使用前述電漿對被載置在載置台上 之被處理基板，施予半導體處理之電漿處理裝置中，欲將 使前述電漿向前述被處理基板聚集，而配置成包圍前述被 處理基板之聚焦環，包含： 第1領域，係配設成包圍前述被處理基板，且在露出 於泊述電漿之一邊，具有實質上由介電體所形成之表面； 及 ， 第2領域，係配設成包圍前述第丨領域，且在露出於 述電漿之一邊，具有實質上由介電體所形成之表面； 且萷述第1領域於厚度方向之電阻值比前述第2領域 » 頁 訂 低 置 本發明之第4著眼點係半導體處理用之電漿處理 包含： 氣密之處理室； 用以將處理氣體供給至前述處理室内之供給系統· 用以將前述處理室内作真空排氣之排氣系統； 用以激起前述處理氣體轉化為電漿之激起機構； 具有用以支撐被處理基板之主載置面且配設在前述 裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） 526558 五、發明説明（4 處理室内之載置台；及 义用以使前述電漿向前述被處理基板聚集，而配置成包 圍前述被處理基板之前述第3著眼點的聚焦環。 本發明之最佳實施態樣·· 本發明人等於本發明之開發過程中，曾研究在晶圓等 之被處理基板的外周部，於電漿處理十容易發生異常放電 之原因。其結果，本發明人等乃獲得如下述之具解。 、第9A及9B圖係表示電漿蝕刻裝置的習知之聚焦環與 載置台及晶圓之關係的擴大截面圖。如第9A圖所示，聚焦 環55於露出在電漿之一側，具有與晶圓㈤之上面大致為、 整齊之上面。X，在聚焦環55之内周端，形成伸出於晶圓 訂 (w)之下側的内方突出段部55a。聚焦環^係例如，由石英 等之介電體（絕緣體）所形成。因此，晶圓（w)就比聚焦環& 較易吸引電漿，並如第从圖以箭卿所示，使電漿聚集在 晶圓（w)面上。 / § 因此聚焦環55聚集電漿，因之，如箭侧所示，會使 電裝聚集在晶圓（w)之外周緣近旁。即，如於f9B圖:曲 線PD1所示，晶圓（W)之外周部的電漿密度比晶圓㈤之中 :部為高。因如是之電漿密度的不均一為起因，乃在電於 密度較高之晶圓（W)之外周部，容易發生異常放電。因此水 產生蝕刻之面内均一性或選擇比降低等之問題。 ， 面說明依據如是之具解所構成之本發明 的貝施心.。又’在以τ之說明中，對於具有大約 加強及構成之構成要素’附加同一符號且僅於必要之場人 本紙張尺度適财關家標準_ Α4規格⑵GX29^jj 526558 五、發明説明 始作重覆說明。 ^ #囷係表示本务明之貫施態樣的電漿處理裝置之電 衆姓刻裳置Η勺構成圖。電漿餘刻裝置❻收納被處理基 板，例如半導體晶圓（w)，具有氣密之圓筒形狀的處理室 2°處理室2係由導電體例如’將内壁表面施予㈣極處理 之鋁等所構成，經由接地線接地。在處理室2之側壁下方， 經由排氣管而連接包含滿輪分子栗等之真空排氣部（Μ)。 利用真空棑氣部（VE)使處理室2内排氣，並設定於所定之真 空度。 ^ 另方面，在處理室2之頂板，配設圓盤狀的噴流頭4， 其經由氣體供給管連接在蝕刻氣體或其他氣體之處理氣體 供給部（GS)。於喷流頭4之下面，形成用以噴出處理氣體之 多數孔4A。喷流頭4具有可作為其底板之電極板且亦可作 為上部電極使用。喷流頭4利用絕緣體3A而與處理室2之外 殼作絕緣。在喷流頭4之電極板之外周緣，配設護罩環5。 在處理室2之底部，配設圓柱狀之載置台丨丨，為载置晶 圓（W)而具有主載置面lla。於載置台丨丨之外周部，因欲載 置用以包圍晶圓（W)之聚焦環12，乃形成比主載置面lu為 低之副载置面11b。載置台丨丨係由例如，經陽極處理之鋁質 等的導電體所構成，而其亦可作為下部電極使用。载置台 11係收納在絕緣性之框體6内。又，载置台u利用由陶瓷等 所構成之絕緣板3B而與處理室2之外殼絕緣。 於載置台11上配設與晶圓（W)略為同直徑的靜電夾頭 15。靜電夾頭15具有由2片高分子聚g同胺膜夾持導電層之構 本紙張尺度適用中國國家標準A4規格（210X297公酱）

、τ· 0: (貧先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（6 ) 成。對該導電層，從配置在處理室2之外部的直丨高堡電源 16外加例Μ·5 KV之直流電壓。藉此，乃使載置在靜電夹 頭15上面之晶圓（W)，因庫侖力而吸著保持於载置台η上。 於上部電極，即喷流頭4,經由整合器8而連接於尺^(高 頻）電源9。並從RF電源9將1356 MHz、2712 MHz、或$ 60 MHz之RF電力供給至上部電極4。另方面，於下部電極， 即載置台11經由整合器13而連接RF電源14。並從RF電源 將800 KHz或2 MHz之RF電力供給至下部電極n。上部電 極4之RF電力係欲在處理室2内形成用以激起處理氣體而 使電漿化之RF電場。下部電極UiRF電力係欲在載置台" 自偏壓，產生使離子引進至晶圓w側。 第2圖係表示於電漿飫刻裝置}中之聚焦環12與載置 台1及晶圓（W)等之關係的擴大截面圖。第3A圖係表示聚焦 環12之平面圖。如第3A圖所示，聚焦環12係包圍晶圓（w)， 攸内側依序具有内侧領域12a，中間領域12b，及外側領域 12c。在内側領域12a之内側，形成内方突出段部，向晶 圓w之下側突出。内側領域12a，中間領域i2b，外側領域 12c以及内方突出段部12d配置成同心狀。於露出在電漿 之方（上側），内側領域12a，外侧領域12e以及内方突出 段部12d之表面，係由介電體所形成；而另方面，中間領域 12b之表面，實質上係由導電體（包含於最外表面具有絕緣 性之4保護膜之場合）所形成。中間領域12b之表面，乃由 在周方向以等間隔所排列之多數的表面部份所構成。 中間領域12b，於無中間領域12b之場合，係使形成於 五、發明説明（7 ) 晶圓（W)之外周緣之實質上正上方之電漿的密度之峯值（參 照第9B圖之曲線印1)，配置成由晶圓（W)之外周緣向外側 移動。具體上，於半徑方向之内侧領域12a之寬度設定為0 〜5 mm，最好是丨〜3 mm。半徑方向之中間領域i2b之寬 度^又定為1〜i〇mm，最好S2〜5mm。對於半徑方向之中 間領域12b的寬度，内側領域12a及外側領域…於半徑方向 之覓度比設定為2〜29，最好是5〜14。 聚焦環12具有由石英、氧化銘或碳化石夕等之陶竟等介 電體所形成之環狀之本體17。於偏倚在本體17之半徑方向 内側的位置，於周方向等間隔形成多數的貫通孔l7a。在貫 通孔17a插入由矽或其表面以氧化鋁所形成之鋁質等導㊉ 體所構成之調整構件18。上述之内側領域仏，外側領域^ 以及内方突出段部12d係由本體17所形成，而另—方面，中 間領域12b係由調整構件18所形成。 各調整構件18具有插入於貫通孔⑺之芯柱及連接於 其下端之突緣18a’於用以載置聚焦環12之載置⑼的副载 置面Ub’在周方向依所定間隔形成可使突緣後合之凹部 藉由突緣18a與凹部llc之卡合，使聚焦環12對載置台 11定位。凹部lie之深度係配合突緣18a之厚度而形成。又， 將使用於載置台U之固定用螺栓的鑽孔等，作為凹部… 使用亦可以。 插入於本體17之貫通孔17a的導電性之調整構件㈣ 有作為引導.電漿之天線的功用。因調整構件18表面露出盘 電聚相接觸’因此’使«被引進至調整構件18上。換 五、發明説明（8 ) 之在正體上，聚焦環j 2有使電f中隹/ ^ 包水♦集在晶圓（W)之功能， 惟，調整構件18會吸引所聚集 — 心电水的一部份。因此，如 弟2圖之曲線啦所示，於無調整構㈣之場合，使在趣質 上形成於晶圓（W)之外周緣的正上方之電漿的密度之:值 ㈣第糊之曲線PD1胸至調整構件_，^在移動 後之位置使峯值之兩度成為更高。其結果，從晶圓㈤之 中央部-直至外周緣整體之電漿密度成為均一，乃可癌實 防止於晶圓（W)外周緣之異常放電。 貝 其次’說明第1圖所示之電㈣職Ϊ1之處理方法。 將處理m邊排氣而—邊供給處理氣體，且將處理室2 内保持為所足之真空度。於此狀態下，將2 MHz之電力 外加於載置台（下部電極）n ’謂6GMHaRF電力外加於 喷流頭（上部電極）4。«此，錢置台11與喷流頭4之間， 產生處理氣體之電漿。電漿於聚焦環12之作訂，聚集於 晶圓（W)面上，且對晶圓（w)施予蝕刻。 此B寸如第2圖之曲線PD2所示，由於對應於聚焦環J 2 之调整構件18的實質上為導電性之中間領域⑶，乃使電漿 密度之高峯值形成在比晶圓（W)之外周緣更外之外側。其 、、Ό果，彳疋晶圓（W)之中央部一直到外周緣之電漿密度就成 為均一，可確實防止於晶圓（W)外周緣之異常放電。 第4A圖係表示聚焦環12之變形例12X之圖面。聚焦環 12X於使用無突緣而僅有芯柱的調整構件αχ之處，與第2 圖所不之聚焦環12相異。即，在由石英等之介電體所形成 壤狀之本體17，於周方向以等間隔形成多數之貫通孔17a。 11 本紙張尺度適财關家標準（CNS) A4規格⑵QX297公變) 526558 A7 p五、發明説" 由導電體所形成之調整構件18,插入於貫通孔17a。由於調 正構件18不具有突緣18a，因此，在載置台11之副載置部1 lb 就不必形成凹部1 i C。 第4B圖係表示聚焦環12之另一變形例ΐ2γ的圖面。聚 焦環12Υ於使用無芯柱之圓板狀的調整構件ι8γ之處，與第 2圖所不之聚焦環12相異。即，在由石英等之介電體所形成 壞狀之本體17,於周方向以等間隔形成多數之貫通孔17&。 且/σ著貝通孔17a之底部，配置圓板狀之調整構件1 8 Υ。在 載置台11之副載置部Ub，可形成用以埋入調整構件ΐ8γ的 環狀之凹部。 第4C圖係表示聚焦環12之又另一變形例12ζ的圖面。 第3Β圖係表示聚焦環12Ζ之平面圖。聚焦環ΐ2ζ於使用實質 上由導電體所形成之環狀的調整構件18ζ方面，與第2圖所 不之水焦裱12相異。即，在由石英等之介電體所形成環狀 之本體17Ζ的上部，形成於厚度方向未貫通本體17Ζ之環狀 的溝槽17Za。且於溝槽17。裝設由導電體所形成之環狀的 調整構件18Z。藉此，如第3B圖所示，於中間領域m乃形 成在實質上為導電性之相連續的環狀表面。 第5圖係表示本發明另一實施態樣之電漿蝕刻裝置加 中的聚焦環22、載置台η及晶圓冒之關係的擴大截面圖。 除與聚焦環22有關之部份外，電漿蝕刻裝置2〇之構成，與 第1圖所示之電漿蝕刻裝置1 一樣。 第6圖係表示聚焦環22之平面圖。如第6圖所示，聚焦 環22係包圍晶圓（W)，從内侧依序具有··内侧領域22&、中 晒 ---- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Μ規格（210X297公嫠) 一 " -

.訂— (ir先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) # 526558 A7 _______B7_ 五、發明説明（10 ) 間領域22b、以及外側領域22c。在内側領域22a之内侧，形 成内方伸出段部22d，向晶圓W之下側伸出。内側領域22a、 中間領域22b、外側領域22c、以及内方伸出段部22d配置成 同心狀。在露出於電漿之一方（上側），内側領域22a、中間 領域22b、外側領域22c、以及内方伸出段部22d之表面，均 由介電體所形成。又，於下述之說明，依需要乃將内側領 域22a及中間領域22b作為第1領域，而將外側領域22c作為 第2領域，進行說明。 第1領域22a，22b於厚度方向之電阻值比第2領域22c 為低，並將形成於晶圓（W)之外周緣的實質上正上方之電 漿的密度之峯值（參照第9B圖之曲線PD1)，配置為較第1領 域22a，22b於厚度方向之電阻值與第2領域22c相同場合時 為低。換言之，設計成聚焦環22之第1領域22a、22b的絕緣 性比第2領域22c為小。具體上，半徑方向之内侧領域22a 的見度没疋為0〜5 mm ’最好是1〜3 mm。半徑方向之中 間領域22b的寬度設定為5〜15 mm，最好是8〜12 mm。第 2領域22c於半徑方向之寬度對第！領域22a、22b於半徑方向 之寬度的比設定為0.5〜5，最好是i〜2.3。 水焦環22具有由石英、氧化紹或碳化石夕等之陶竟等的 介電體形成為環狀之本體27。在偏倚於本體27之下部的半 徑方向内側之位置處，形成於厚度方向不貫通本體27之環 狀的溝槽27a。在溝槽27a裝設由矽，或其表面由氧化鋁所 形成之鋁質等的導電體所構成之調整構件28。上述之内侧 領域22a、外側領域22c以及内方伸出段部22d僅由本體27 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公變） (IT先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂丨 擎 13 方 態 於 526558 五、發明説明（n ) 所形成，而另一方面，中間領域22b即由本體27與調整構件 28之組合所形成。 由於裝設在本體27之溝槽27a的導電性之調整構件 28 ’乃使第1領域22a ’ 22b於厚度方向之電阻值比第2領域 22c為低。因此，使聚焦環22於第1領域22a，22b，排陕二 漿之能力（使電漿向著晶圓W之能力）降低。即， = 电水^ %日日 圓（W)之聚集受限制，乃可防止電漿過度集中於晶圓㈤ 之外周緣。因此，如第5圖之曲線pD3所示，使實質上形成 在晶圓（W)之外周、緣的正上方之電漿的密度之条值（參照第 9B圖之曲線PD1)變低。其結果，使晶圓（w)之中央部與外 周緣之電漿密度的差變小，乃可確實防止於晶圓（w)外周 緣之異常放電。 ° 其次，說明第5圖所示之電漿蝕刻裝置2〇之處理 法。又，在第5圖未表示之構件，因與第旧中之構件相同 因此’請參照第1圖。將處理室2内一邊作排氣而一邊供給 處理氣體，將處理室2内保持於所定之真空度。於此狀 下，將2 MHz之RF電力外加在載置台(下部電極）u，同時 將60 MHz之RF電力外加在噴流頭（上部電極）4。藉此，^ 載置台11與喷流頭4之間，產生處理氣體之電聚。電裝於聚 焦環22之作用下，就聚集在晶圓(w)面上，並對晶圓㈤ 施行餘刻。 此時，如第5圖之曲線PD3所示，由於對應於聚焦環^ 之調整構件2 8之絕緣性較低的第丨領域2 2 a，2 2 b，使實質上 形成於晶圓（W)之外周緣的正上方之電浆的密度之:值格 本紙張尺度適用巾Η Η家鮮（CNS) Μ規格（210X29?公釐）

訂丨 (諝先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 14 526558 A7 I------- -B7 五、發明説明（u)" 彳變低°其結果，使晶圓（w)之中央部與外周緣之電漿密 度之差變小，乃可確實防止於晶圓（w)外周緣之異常放電。 第7A圖係表示聚焦環22之變形例22χ。該聚焦環 22X，其介電體之本體27χ的上面，向著外方向上傾斜之點 與第5圖所示之聚焦環22相異。由於該構成，使介電性之本 體27X本身的厚度愈向半徑方向之内側愈小，乃使第1領域 22a，22b之絕緣性變成更低。因此，使實質上形成在晶圓 (W)之外周緣的正上方之電漿的密度之峯值變成更低。 第7B圖係表示聚焦環22之另一變形例22 γ。該聚焦環 22Y,其導電性之調整構件28γ之上面，向著外方向下傾斜 之點，與第5圖所示之聚焦環22相異。由於該構成，乃使導 電性之調整構件28Υ本身之厚度，愈向半徑方向之内側變 成愈大，因之，使第1領域22a，22b之絕緣性變成更低。因 此，使實質上形成在晶圓（W)之外周緣的正上方之電漿的 密度的峯值變成更低。 第7C圖係表示聚焦環22之另一變形例22z。該聚焦環 22Z係無調整構件28，僅由介電體之本體27Z所形成之點， 與聚焦環22相異。介電體之本體27Z具有3種相異之厚度， 其厚度愈向半徑方向之内側變成愈小。其最内側之部份為 内方伸出段部22d，中間之部份係對應於第丨領域22a，22b， 而外側之部份即對應於第2領域22c。於如是之構成中，由 於第1領域22a，22b於厚度方向之電阻值比第2領域22c低， 故可獲得與第5圖所示之聚焦環22同樣之效果。 又，亦能將第7A圖所示之上面向著外方向上傾斜之介 I—-— ---—------------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格(210X297公釐) " ~ "一

----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— 0: 526558 A7 B7 五、發明説明（η ) 電性的本體27Χ，與第7Β圖所示之上面向著外方向下傾斜 之導電性的調整構件28Υ組合，而形成聚焦環。又，如第 7C圖所示，僅由介電性之本體形成聚焦環之場合，亦能形 成使本體之上面向著外方向上傾斜。 在上述之實施態樣，形成聚焦環之調整構件之導電體 方面，係例示石夕，其表面係由氧化铭所形成之铭質，惟， 亦可使用於半導體處理室内能使用之導電體，例如，碳化 矽、碳素等。在第2圖，第4Α圖，以及第4Β圖所示之聚焦 環，變更調整構件配列於周方向之間隔，藉此，即可變更 聚焦環之性能。於第5圖、第7Α圖、以及第7Β圖所示之聚 焦環，可將導性之調整構件變更為在周方向間隔配設。 在上述之實施態樣，係以平行平板型蝕刻裝置作例 示，惟，本發明亦可適用於磁控管型、RIE型、ECR型等之 電漿蝕刻裝置。又，本發明亦可適用於電漿CVD裝置等之 電漿成膜裝置。又，本發明亦可適用於半導體晶圓以外之 被處理基板，例如，LCD基板、玻璃基板等。 本發明，並不限定於上述各實施態樣，其於實施階 段，在不逸脫其要旨之範圍可作種種之變更。又，各實施 態樣在可能之限度内，可適宜組合而實現，於此場合仍可 獲得組合之效果。 圖式之簡單說明： 第1圖係表示本發明之實施態樣的電漿處理裝置之電 漿蝕刻裝置的構成圖。 第2圖係表示於第1圖所示之電漿蝕刻裝置之聚焦 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 16 ............... (諸先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— 擎 526558 A7 B7

五、發明説明 環、載置台、晶圓之關係的擴大截面圖。 及其各個變更 第3 A及3B圖係表示第2圖所示之聚焦環 例之平面圖。 第4A、4B及4C圖係表示 形例之圖面。 第2圖所示之聚焦環之各個變 第5圖係表示本發明之另一奋 &月之另貝施悲樣之電漿蝕刻置的 聚焦環、載置台、晶圓之關係的擴大截面圖。 第6圖係第5圖所示之聚焦環的平面圖。 第7A、7B以及7C圖係表 個變形例。 不於第5圖所示之聚焦環的各 第8圖係表示電㈣職置之_般性構成的概略圖。 第9及9B圖係表示電漿姓刻裝置之習知的聚焦環、載 置台、晶圓之關係的擴大戴面圖。 526558 A7 B7 五、發明説明（l5 ) 元件標號對照 1，20…電漿蝕刻裝置 2，50···處理室 3A···絕緣體 3B…絕緣板 4···喷流頭(上部電極） 4A…噴出孔 5，56···護罩(屏蔽)環 6…框體 8，13，53A，54A···整合器 9，14…RF電源 11…載置台（下部電極） 11a···主載置面 lib…副載置面 11c···凹部 12，22，55…聚焦環 12a，22a…内側領域 12b，22b…中間領域 12c，22c…外侧領域 12d，22d…内方伸出段部 12X，12Y，12Z···聚焦環(#12 之變形例） 15…靜電夾頭 16…直流高壓電源 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 17，27，17Z···本體本體 17a…貫通孔 27X，27Z···本體(介電體） 17Za，27a···溝槽(不貫通，環狀) 18，28，28Y···調整構件 18a…突緣 18X…調整構件(無突緣） 18Y…調整構件(無芯柱） 18Z···調整構件(導電體，環狀） 22a+22b···第 1領域 22c…第2領域 22x…聚焦環(#22之變形例） 22y…聚焦環(#22之變形例） 有調整構件 22z…聚焦環(#22之變形例)無 調整構件 53···第1高周波電源 54···第2高周波電源 W…晶圓 RF…高周波 VE···真空排氣部 GS···處理氣體供給 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 526558 A8 B8 C8 D8

   i. 一種聚焦環，係在氣密之處理室内激起處理氣體而轉化 為電漿’且使用前述電!請載置在载置台上之被處理基 板針轉體處理之電漿處理裝置中，為對前述被處理 基板聚集前述電聚’而配置成包圍前述被處理基板，而 其特徵在於包含： 内側項域，係g己設成包圍前述被處理基板，且在露 出於前述電裝之一邊，豆有竇皙 故〃男貝貝上由介電體所形成之表 面； 中間領域’係配設成包圍前述内側領域，且在露 於前述電聚之一邊，具有實質上由導電體所形成之表 面；及 外側領域，係配設成包圍前述中間領域，且在露 於前述電裝之一邊，具有實質上由介電體所形成之表 面。 2·如申請專利範圍第丨項之聚焦環，更包含： 内方伸出段部，係配設成伸出於前㈣處理基板之 下侧，實質上由介電體所形成。 3. ”請專利範圍第、項之聚焦環，其中，該半徑方向 前述内側領域的寬度為〇〜5 mm。 4·如申請專利範圍第3項之聚焦環，其中，該半徑方 前述中間領域之寬度為1〜10 mm。 5.如申請專利範圍第i項之聚焦環，其中，該中間領域 含： 、 多數之表面部份，係在前述中間領域之周方向 出 出 之 向之 包 間隔 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂丨 本紙張尺度適用中國國家檩準（_) A4規格（21〇><297公楚） 19 、申請專利範圍 配列。 該中間領域， 6·如申請專利範圍第丨項之聚焦環，其中 在周方向具有連續表面。 如申請專利範圍第1項之聚焦環，其中，前述内側領域 及月外側領域之前述表面，係由實質上由介電體所形 成之環本體所構成；而前述巾間領域之前述表面，係由 實質上篏入於前述環本體之導電體所形成之調. 所構成。 8.2請專職圍第7項之聚焦環，其中，前述環本體， 貫質上係由；5英、氧化或碳切之陶i所組成之 所選出之材料之所構成。 9·如申料利範圍第8項之聚焦環，其中，前述調整構 件，貫質上係由矽，表面由氧化鋁所形成之鋁、碳化矽、 碳所組成之群中所選出之材料所構成。 10. —種半導體處理用之電漿處理裝置，包含： 處理室，係氣密性； 供給系統，係用以將處理氣體供給至前述處理室 内； 排氣系統，係用以將前述處理室内作真空排氣； 激起機構，係用以激起前述處理氣體而轉化為電 漿； 載置台，係配設在前述處理室内，且具有用以支樓 被處理基板之主載置面；及 I焦環，係用以使前述電漿對前述被處理基板聚 本紙張尺度適用中國國家標準（⑽）A4規格（21〇x297公董) " -20 - 526558 A8 B8 C8

   集’並將配置成包圍前述被處理基板； 前述聚焦環包含： 内側領域，係配設成包圍前述被處理基板，且在霖 出於刖述電漿之一邊，具有實質上由介電體所形成之表 面； 中間領域，係配設成包圍前述内側領域，且在露出 於前述電漿之一邊，具有實質上由導電體所形成之表 面；及 外侧領域，係配設成包圍前述中間領域，且在露出 於則述電漿之一邊，具有實質上由介電體所形成之表 面0 L種水焦裱，係在氣密之處理室内激起處理氣體而轉化 為電漿，且使用前述電漿對載置在載置台上之被處理基 板施予半導體處理之電漿處理裝置中，為對前述被處理 基板聚集前述電漿，而配置成包圍前述被處理基板，其 包含： ' 第1領域’係配設成包圍前述被處理基板，且在霖 出於前述電漿之一邊，具有實質上由介電體所形成之表 面；及 第2領域，係配設成包圍前述第1領域，且在露出 於前述電漿之一邊，具有實質上由介電體所形成之表 面； 且七述第1領域於厚度方向之電阻值較前述第2 領域為低。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） 請- 先 閲 面 意 事 項 再 填 寫 本 頁

   訂

   21 526558 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 12·如申請專利範圍第11項之聚焦環，更包含·· 内方伸出4又部’係配没於前述第1領域之内侧，並 向前述被處理基板之下側伸出，且實質上由介電體所形 成。 13·如申請專利範圍第11項之聚焦環，其中，半徑方向之 則述第2領域之寬度對於半徑方向之前述第丨領域的 度之比為0.5〜5。 14.如申請專利範圍第n項之聚焦環，其中， 鈾述第1領域及前述第2領域之前述表面實質上 ;丨體所形成之環本體所構成，而前述第1領域具有） 貝上由嵌入在前述環本體之導電體所構成之調整構件。 15· 2申請專利範圍第14項之聚焦環，其中，前述環本體， 貫質上係由石英、氧化鋁或碳化矽之陶瓷所組成之中所 選出之材料所構成。 16·如申料利範圍帛15項之聚焦環，其中，前述調整構 件，貫質上係由矽，表面由氧化鋁所形成之鋁、碳化矽、 碳所組成之群中所選出之材料所構成。 17·如申請專利範圍第14項之聚焦環，其中，前述環本 其内周端側比外周端側為薄。 18·如申請專利範圍第14項之聚焦環，其中，前述調整 件’其内周端側比外周端侧為厚。 19·如申請專利範圍第u項之聚焦環，其中，前述第 域及前述第2領域，實質上由介電體所形成之環本 構成，而前述第2領域比前述第丨領域為厚。 寬 由實 •體 領 體所 («·-先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •、可I 本紙張尺度適财關緖準（⑽A4規格⑽χ297公楚) 22 526558 A8 B8 C8 _____ D8 六、申請專利範園 20· —種半導體處理用之電漿處理裝置，包含： 處理室，係氣密性； 供給系統，係用以將處理氣體供給至前述處理室 内； 排氣系統，係用以將前述處理室内作真空排氣； 激起機構，係用以激起前述處理氣體而轉化為電 漿； 載置台，係配設在前述處理室内，且具有用以支撐 被處理基板之主載置面；及 聚焦環，係用以使前述電漿對前述被處理基板聚 集’而配置成包圍前述被處理基板般； 前述聚焦環包含：， 第1領域，係配設成包圍前述被處理基板，且在露 出於前述電漿之一邊，具有實質上由介電體所形成之表 面；及 第2領域，係配設成包圍前述第1領域，且在露出 於前述電漿之一邊，具有實質上由介電體所形成之表 面； 而前述第1領域於厚度方向之電阻值比前述第2 領域為低。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂丨 23