TW509920B - Magnetic head, fabrication method therefor, and perpendicular magnetic storage device - Google Patents

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TW509920B
TW509920B TW089119686A TW89119686A TW509920B TW 509920 B TW509920 B TW 509920B TW 089119686 A TW089119686 A TW 089119686A TW 89119686 A TW89119686 A TW 89119686A TW 509920 B TW509920 B TW 509920B
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magnetic
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yoke
magnetic head
recording
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Hiroaki Yoda
Koichi Tateyama
Yusuke Ohinata
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Toshiba Corp
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50992¾ r- •7\. rA „ A7 B7 五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於磁頭、其製造方法及垂直磁性記錄裝置 。更詳言之，本發明主要係關於硬碟驅動器（Hard Disk Driver)等所使用之垂直磁性記錄媒體所用之平面型主磁極 型之記錄用或再生用磁頭、其製造方法及垂直磁性記錄裝 置。 硬碟驅動器等磁性記錄再生裝置，隨著密度化之快速 進展，面記錄密度之下一障礙，係已逐漸變成4 0〜 1 0 0 G b p s i (十億（1 Ο 9 )位元/ (英吋）2 )。 但是，若使用習知之面內記錄方式（長向記錄方式）欲達 成此記錄密度時，磁性記錄之資料因受熱的影響而消失， 亦即所謂熱擾亂問題顯在化之可能性變高。關於此點，垂 直記錄方式則爲較有利。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 關於媒體對熱擾亂之耐性，係和每單位體積之磁化能 量K u與粒子之體積V之積成比例。於面內記錄方式爲了 提高線記錄密度時，欲降低磁化媒體之反磁場必須將媒體 之膜厚變薄。如此則體積V變小，熱擾亂之耐性會降低。 爲了避免此雖然可提高K u，但如此則抗磁力會變大而記 錄將變成困難。 另者’垂直記錄方式時，磁化方向爲媒體之膜厚方向 ，所以’不必使媒體之膜厚變薄，即使較小的K u，熱擾 亂耐性亦爲良好，更加容易達成高密度化。 但是，垂直記錄方式，欲再提高面密度時，還是必須 提高K u。因此，經由本發明人獨自檢討之.結果發現，習 知記錄磁頭，關於再現性良好地製造可穩定獲得較大磁場 本紙張尺度逍用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -4-
Is· A7 B7 五、發明説明（> 之記錄磁頭是有其構造上之問題。關於此問題詳細說明如 下。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1 2圖係表示習知之垂直記錄再生用之磁頭之剖面 構造之槪念圖。亦即，該圖係表示記錄用磁頭1 0 0 A與 再生用磁頭1 Ο Ο B配置於媒體2 0 0上之狀態。 記錄用磁頭1 0 0A，係由主磁極1 1 1、補助磁極 1 1 2、返回軛1 1 3、及設於記錄媒體2 0 0之背襯軟 磁性膜2 1 6形成環狀之磁路，具有如與此磁路交叉設置 記錄線圈1 1 4 A之構成。 又，再生用磁頭1 0 0 B，係由主磁極1 1 1、補助 磁極1 1 2、返回軛1 1 3、及設於記錄媒體2 0 0之背 襯軟磁性膜2 1 6形成環狀之磁路，具有如與此磁路交叉 設有再生線圏1 1 4 B之構成。 記錄用磁頭1 Ο 0A之返回軛1 1 3，係由疊層於基 板S上之軟磁性膜所構成。另者，再生線圈1 1 4 B之返 回軛1 1 3，係由軟磁性材料所成之基板S所構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，在與媒體200對向之媒體對向面1 18 ’設有 由 D L C ( diamond-like-carbon)等所成之潤滑膜 1 1 7 ° 於記錄磁頭1 0 0 A，係對於記錄線圈1 1 4 A通電 電流以較厚補助磁極1 1 2產生較多的磁通，使其集中於 主磁極1 1 1 ，據此而將較大的磁場洩漏於媒體2 〇 〇 ’ 使垂直記錄層2 1 5磁化而記錄。按，於第1 2圖所示之 媒體2 0 0，設有偏壓（bias)層2 1 8。 又，於再生磁頭1 0 0 B，係藉由檢測出與環狀磁路 本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Γm 3ί j ,V .. ί..*.、.' Α7 —.‘ .·'…，一…j β7 五、發明説明（$ 交叉所設之再生線圈1 1 4 B所產生之感應電流進行再生 〇 於記錄磁頭1 0 0 A，爲了對主磁極1 1 1供給足夠 的磁通，補助磁極1 1 2必須形成爲較主磁極1 1 1更厚 。從媒體2 0 0到補助磁極1 1 2之距離，若設爲和從媒 體2 0 〇到主磁極1 1 1之距離相同程度時，將磁通集中 於主磁極1 1 1將變成困難，甚至不能得到較大的洩漏磁 場。因此，補助磁極1 1 2必須配置成對於媒體2 0 0之 對向面只後退微少量（圖中以符號L表示）之狀態。 另者，返回軛1 1 3 ，也在其角部附近因磁場之集中 使其不記錄媒體，必須配置成較媒體對向面後退。 與此相對，主磁極1 1 1之突出部，爲了集中磁場而 形成較細，因而磁性阻力變高。因此，爲能對主磁極 1 1 1流通大量磁場使由其前端洩漏較大的磁場，必須儘 量使主磁極1 1 1突出部變短以減少磁性阻力。亦即，補 助磁極1 1 2及返回軛1 1 3，需儘可能後退之同時又能 保持接近媒體2 0 0。又，當然，記錄線圈1 1 4 A靠近 垂直記錄層2 1 5，就能於主磁極1 1 1前端部產生更大 的磁場。 綜合上述，爲了提高對媒體之記錄磁性密度，補助磁 極1 1 2、返回軛1 1 3、記錄線圈1 1 4 A之任一均需 配置成僅較主磁極1 1 1後退微少量之同時又能儘可能靠 近媒體2 0 0。同樣之情形，也會發生於再生磁頭 1 Ο Ο B 。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（> 但是，第1 2圖所例示習知垂直磁頭1 〇 0 A、 1 〇 〇 B，其構造上欲滿足上述要求而乃能穩定製造是有 其困難。 首先，就關於記錄再生磁頭1 Ο Ο A之製程簡單地說 明如下。 亦即，在基板S上以返回軛1 1 3、記錄線圈 1 1 4 A、主磁頭1 1 1、補助磁極1 1 2之順序疊層形 成圖案。其次，於與所疊層之膜面垂直之方向切斷，將其 切斷面施予硏磨處理加工形成媒體對向面1 1 8。最後， 形成D L C潤滑膜1 1 7而完成記錄磁頭1 〇 Ο A。 但是，形成媒體對向面1 1 8時之硏磨工程之誤差爲 ± 0 · 1 5 //m左右，因此即使令要求最高精度控制之補 助磁極1 1 2相對於媒體2 0 0之對向面側之邊緣位置， 以相對於媒體對向面平均後退0 . 1 5 // m之目標進行加 工，在最壞之情形也會後退0 · 3 // m。如此則從主磁極 1 1 1所產生之磁場強度，與只後退0 · 1 5 // m時比較 會降低到約7 0 %左右。 並且，返回軛1 1 3、記錄線圏1 1 4 A及1 1 4 B 、主磁頭1 1 1、補助磁極1 1 2因都使用微影成像蝕刻 (phtolithgraphy )加工，任一邊緣位置也因圖案形成之誤 差（±0.1//m)或對準誤差（±0.2//m)，會發生 ±0 . 3//m左右之變動。即使硏磨只有〇 · 15/zm向 削過頭方向偏移時，也欲使返回軛1 1 3不露出於媒體對 向面1 1 8時，假設在最惡劣情形下，就必須令返回軛 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -- p 、τ
Β7 五、發明説明（、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 1 3之邊緣位置由媒體對向面1 1 8起後退約0 · 9 # m。此情形時，記錄磁場強度更衰減到約9 〇 %。同樣 地記錄線圏1 1 4 A從媒體2 0 0離開方向偏移形成時， 產生之磁場強度會再衰減到8 0 %左右。 結果’若假設所有誤差向最惡劣方向偏移時，就變成 0 · 7χ 0 · 9x 0 · 8 = 0 . 5，記錄磁場強度甚至會減 半。若記錄磁場強度降低時，容易發生因熱引起之資料消 失’實際上完全不能活用原理上耐於熱擾亂之垂直磁性記 錄方式之優點。 【發明槪要】 本發明係依據對於這種問題之認識所爲者。亦即，其 目的’係提供一種將主磁頭、補助磁極、線圏、返回軛之 相對於媒體對向面之後退量，藉由正確且再現性良好地分 別控制於約0 · 〇 5〜0 · 1 // m之微少量，俾使產生之 磁場能穩定且倍增的磁頭、其製造方法以及磁性記錄裝置 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若依據本發明，在相對於媒體對向面平行地裝設之薄 膜上’疊層薄膜狀之磁性元件來構成磁頭。並且，在薄膜 設開口’主磁極之一部爲形成具有延出於此開口之前端部 。於此’所謂「磁性元件」係指構成磁頭之主要磁性元件 ，記錄用磁頭時，係指主磁極、薄膜返回軛、記錄線圈等 ，再生用磁頭係指主磁極、薄膜磁性軛或G M R等之檢測 元件。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) ~ ~ -8 - 509920 A7 B7 五、發明説明（_ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 若依據本發明，係可高精度地控制，薄膜狀之磁性元 件，亦即補助磁極部、薄膜返回軛、薄膜線圈等之相對於 媒體對向面之後退量，同時主磁極前端部之突出量也可藉 由薄膜之膜厚可極爲微小且精密地控制。作爲其結果，可 提供一種將主磁極前端部之記錄磁場強度增大到終極之値 ’可記錄於高密度對應之高保持力媒體之磁頭。 亦即，本發明之磁頭，係在垂直磁性記錄媒體記錄磁 化資訊者，其特徵爲具備：具有對向於上述垂直磁性記錄 媒體之主面與對於主面具有背側之背面，且設有從上述主 面到上述背面之開口之薄膜；及具有延伸出於上述開口之 極性端部之主磁極。 或，本發明之磁頭，係再生記錄於垂直磁性記錄媒體 之磁化資訊者，其特徵爲具備：具有對向於上述垂直磁性 記錄媒體之主面與對於此主面具有背側之背面，且設有從 上述主面到上述背面之開口之薄膜；及具有延伸出於上述 開口內之軛端部之第1磁性軛。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，本發明之磁頭，係再生在垂直磁性記錄媒體記錄 磁化資訊或所記錄之磁化資訊者，其特徵爲具備：具有對 向於上述垂直磁性記錄媒體之主面與對於此主面具有背側 之背面，且設有從上述主面到上述背面之開口之薄膜；及 具有延伸出於上述開口內之前端部之主磁極；及和上述主 磁極以磁性耦合之薄膜磁性元件，一面爲具有接觸於上述 背面之端部之薄膜磁性元件。 亦即，在薄膜開口使主磁極或磁性軛之端部突出’在 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 麵9 - 509920. A7 B7 五、發明説明（> 薄膜上形成構成磁頭之薄膜磁性元件。於此，所謂「端部 」係指於磁性軛或補助磁極等之媒體對向面側部分。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係以上述形態實施，茲詳述其所具效果如下。 首先，若依據本發明，因將構成薄膜磁頭之薄膜之膜 面與媒體面設爲平行之位置關係，就可將補助磁極之後退 量、薄膜返回軛之後退量、線圈之後退量分別由疊層於媒 體對向面之薄膜膜之厚加以規定。薄膜之膜厚係可由 0 . 0 1 // m等級正確地規定，所以可形成高效率之磁路 ，於記錄系可將薄膜記錄線圈所產生之磁通以高效率收斂 於主磁極前端部，可在主磁極前端部之媒體側端部將記錄 磁場增大到終極之値，而提供可記錄於高密度對應之高保 持力媒體之磁頭。 又，於再生系可將媒體之磁通以高效率導引至G M R / T M R疊層元件，結果可得到大的輸出。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當然，上述後退量也可由D L C膜以外之絕緣膜等控 制。並且，因可將較厚之D L C膜不遠離磁極前端部與媒 體之距離可配置於主磁極前端部周圍，所以，接觸行走時 即使發生些許摩損，上述D L C膜不至於消失，也可大幅 度地提高耐接觸行走可靠性。 又’依據本發明，可將具有複雜之氣體圖案（aero pattern )之滑件與磁頭同時形成。其結果，也可大幅度地 減低成本。並且，若依據本發明，可將較習知大幅度微細 化之主磁極前端部以低成本製造。亦即，迄今以F I B ( Focused Ion Beam Etching)或 EB (Electron-beam)等之 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 509930- A7 B7 五、發明説明（备 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 直接描繪，雖然適於微細加工但是因生產效率極端不佳， 而未被使用於如滑件裝置之量產。相對於此，若依據本發 明，主磁極前端部係由被形成於D L C膜之開口所規定， 所以只要形成開口之冲孔圖案進行曝光或加工即可。此開 口因係元件面積之1 / 1 0 0 0 0以下之微小面積，所以 可使用 F I B (Focused Ion Beam Etching)或 EB ( Electron-beam )直接描繪，也可形成迄今不能得到之微細磁 極。其結果，可較習知更縮小記錄位元尺寸，也可大幅度 地提高記錄密度。 如此詳述，若依據本發明，可抑制熱擾亂之同時具有 高記錄.再生效率之垂直記錄再生磁頭可以高再現性實現 ，產業上之優點可謂很大。 【較佳實施例之詳細說明】 茲關於本發明之實施形態參照圖式詳細說明如下。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1 A圖係表示本發明之垂直磁頭之剖面構造之槪念 圖。亦即，該圖係表示本發明之記錄用磁頭1 0 A與再生 用磁頭2 0 A爲配置於媒體2 0 0上之狀態。於該圖，左 右方向爲記錄磁軌之長向，對於紙面垂直之方向爲對應於 記錄磁軌之寬度方向。又，作爲媒體2 0 0係例示了疊層 偏壓層2 1 8與背襯軟磁性膜2 1 6與垂直記錄層2 1 5 者。作爲各層之材料，係可使用例如偏壓層2 1 8爲 P t Μ η、背襯軟磁性膜2 1 6係N i F e、垂直記錄層 爲 C 〇 C r P t 〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(2Η)X297公釐） -11 - 50992^ A7 B7 五、發明説明（、 本發明之記錄用磁頭1 〇 A，係具有疊層於薄膜3 0 上之薄膜磁性兀件1 1〜1 4。具體上，爲由設在主磁極 前端部1 1、補助磁極部1 2、薄膜返回軛1 3及媒體 2 0 0之背襯軟磁性膜2 1 6，構成爲形成環狀之磁路， 如與此磁路交叉設有薄膜記錄線圏1 4。各元件部之間隙 ，係例如由氧化鋁等所成之絕緣層3 2以絕緣支持。 薄膜3 0係具有作爲對向於垂直磁性記錄媒體2 0 0 之主面之媒體對向面1 8、與此之背側之背面。薄膜3 0 具體上，係可由對於媒體對向面1 8平行地設置之D L C (Diamond-Like-Carbon)潤滑膜等所構成。構成磁頭之各 薄膜磁性元件1 1〜1 4之膜面，也配置成對於媒體 2 0 0平行。並且，構成磁頭之各薄膜磁性元件1 1〜 1 4係設於D L C潤滑膜3 0背面（媒體對向面1 8背側 之面）整合位置。並且，於D L C潤滑膜3 0，設有開口 3 0 Η，主磁極前端部1 1之極性端部1 〇 τ係塡充此開 口 3 0 Η，其前端面爲延出形成爲與潤滑膜3 0下面同一 位準。亦即，主磁極1 2係具有延出到開口 3 0 Η之極性 端部1 0 Τ、與形成於薄膜3 0背面上之本體部。並且， 極性端部1 〇 Τ之突出量，係可由D L C潤滑膜3 0之膜 厚（例如，可成爲0 . 1 // m左右）正確地控制。亦即， 主磁極1 2係較極性端部1 0 T之前端，只有薄膜3 0之 膜厚所規定之量後退設置。 另者，補助磁極部1 2、薄膜返回轆1 3及薄膜記錄 線圏 1 4，係都設於 D L C (Diamond-Like-Carbon)潤滑 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- Α7 Β7 五、發明説明（）〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 膜3 0背面之整合位置。亦即，各薄膜磁性元件，係具有 接觸於潤滑膜3 0背面之端部。作爲其結果，對於這些元 件部對於媒體2 0 0之後退量，也可由D L C潤滑膜3 0 之膜厚正確地控制。 依據本發明，似此’，將成爲構成磁頭1 〇 A之各元件 之薄膜，藉其膜面爲被配置成對於媒體2 〇 〇成爲平行， 將補助磁極部1 2之媒體對向面側邊緣E、薄膜返回軛 1 3之媒體對向面側邊緣E、線圈1 4之媒體對向面側邊 緣E之後退量由分別疊層於媒體對向面側之D L C潤滑膜 3 0等之薄膜膜厚可正確且容易地規定。薄膜3 0因可用 0 · 1 0 // m級正確地控制，所以可極爲正確地控制補助 磁極部1 2、薄膜返回軛1 3、線圈1 4之微少後退量， 進而可將記錄磁場強度增大到終極之値。 按，補助磁極部1 2及薄膜返回軛1 3之媒體對向面 側之邊緣E呈圓較佳。其理由若未具圓形時，磁通就集中 於邊緣E部分，從邊緣E洩漏於媒體側之磁通成分就增加 ，有可能對於媒體記錄不必之訊號。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1 B圖係將第1 A圖之磁頭從媒體對向面側所視之 平面圖。如該圖所表示，記錄磁頭之極性端部1 0 T，係 使沿著媒體行走方向A之長度W 1較磁軌方向之長度W 2 爲小較佳。茲將其理由說明如下。 安裝於致動器臂1 5 5前端之磁頭1 0，係由旋轉致 動器.1 5 8，如第1 C圖，載入於碟片2 0 0之上，被配 置於既定之磁軌T上，而進行記錄再生。碟片2 0 0，係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -13- h-·· δ. 31
J A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 向箭頭A方向迴轉。磁性資訊係儘可能沿著磁軌T之圓周 方向記錄較佳。但是，爲了由旋轉致動器1 5 8移動磁頭 1 0，從碟片2 0 0之內周部到外周部之那一處，磁頭之 極性端部1 〇 T，係對於圓周方向從平行方向偏移數度左 右。如第1 C圖所示，在碟片2 0 0之外周部配置成極性 端部1 0 T與磁軌圓周成平行時，越移動於磁頭內周側， 極性端部1 0 T之方向將從磁軌之圓周方向偏移。於是， 記錄位元B r ，也對於磁軌方向（媒體迴轉方向）成傾斜 形成。 垂直記錄時，雖然在極性端部1 Ο T之尾緣（trailing )側邊緣（媒體迴轉方向之下游側）將資訊記錄於媒體， 但是若極性端部1 0 T對於磁軌圓周方向成爲不平行時， 將變成在極性端部1 0 T側面也記錄，而將變成邊緣雜訊 。於第1圖，此雜訊領域以T e表示。又，屬於正常之訊 號領域之有效磁軌寬度T w也會變窄。對於磁軌方向之極 性端部1 Ο T之偏移角度視爲Θ時，有效磁軌寬度T w將 變成乘上c 〇 s Θ之値。 對於此，若將極性端部1 0 T之尺寸W 1變薄時，就 可將邊緣雜訊領域變窄，而可靠近鄰接磁軌。爲了高密度 化，主磁極之長度W1成爲寬度W2之1/2左右較佳。 茲就本發明之再生用磁頭2 Ο A說明如下。藉軛前端 部2 1、薄膜磁性軛2 2、檢測元件2 3、薄膜磁性軛 2 4及襯背軟磁性膜2 1 6，構成爲形成環狀之磁路。作 爲檢測兀件 2 3，例如使用 G M R ( g i a n t m a g n e t 〇 r e s i s t i v e (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 -
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（）2 )兀件或 TMR (tunneling magnetoresistive)元件等磁性 阻力效果元件時就可實現高感度之再生磁頭。在檢測元件 2 3兩端連接一對導線5 0、5 0，而供給讀出（sense ) 電流。 即使於本發明之磁性再生磁頭2 0 A，軛前端部2 1 之軛端部2 0 T係塡充設於D L C潤滑膜3 0之開口 3 0 Η，其前端面係形成爲延出到潤滑膜3 〇之下面同一 位準。亦即，磁性軛2 2係具有：延出於開口 3 0 Η之 軛端部2 0 Τ、與形成於薄膜3 0背面上之本體部。並且 ’薄膜磁性軛2 2與磁性軛2 4，係皆配置於整合潤滑膜 3 0上面之位置。亦即，軛端部2 0 Τ之突出量，係以潤 滑膜3 0之膜厚正確地控制，同時，由薄膜磁性軛2 2之 本體部之後退量也以潤滑膜3 0之膜厚正確地控制。因此 ，關於記錄磁頭1 0 Α如上述，正確且容易地控制各元件 之位置關係，而可將高感度之磁頭以高再現性製造。 茲就本發明之磁頭1 0 A、2 0 A之製造方法說明如 下。 第2圖及第3圖係本發明之磁頭之製法以槪念性地表 示工程剖面圖。 首先，如第2 ( a )圖所示，在以矽（S i )等所成 之基板41上，由銅（Cu)等容易溶解於酸或鹼之材料 成膜所成之剝離層4 2，而再成膜D L C潤滑膜3 0。 其次，如第2 ( b )圖所示，在D L C潤滑膜3 0形 成開口 3 0 Η。具體上爲使用F I B (Focused Ion 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-15- 修氲/補充羃 η Α7 Β7 五、發明説明（）3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Etching)或準分子雷射曝光、或e B (Electron-beam)直 接描繪等方法形成未圖示之光罩，使用反應性蝕刻形成 〇 · 15//mx〇 · 15//ΓΠ 左右之開口 30H。 接著’如第2 ( c )圖所示，形成磁頭之主磁極前端 部。具體上爲將以F e C 〇、N i F e之主磁極前端部 1 1、軛前端部2 1分別以電鍍等方法埋入於開口 3 0 Η ’以形成圖案。藉此，形成極性端部1 〇 Τ與軛端部 2 0 Τ。 接著，如第2 (d)圖所示，在DLC膜30上將 N i F e等使用電鍍等方法所堆積形成圖案，形成補助磁 極部1 2、薄膜返回軛1 3、薄膜磁性軛2 2、2 4。並 且’將銅等以電鑛等方法堆積形成圖案來形成薄膜記錄線 圈1 4 〇 接著，如第2 ( e )圖所示，成膜A 1 Ο X (氧化鋁 )等絕緣層 3 2 A，以 CMP (Chemo-mechanical-polishing)，加以平坦化。 接著，如第3 ( a )圖所示，將記錄磁頭1 〇之補助 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 磁極部1 2與薄膜返回軛1 3磁性耦合。具體爲將 N i F e等堆積成既定之圖案。 接著，如第3 ( b )圖所示，形成再生磁頭2 〇 A之 檢測元件2 3。具體上，首先，堆積A 1〇X絕緣層 3 2 A以C Μ P平坦化之後，只將圖中右側之再生磁頭在 A 1〇X絕緣層3 2 Α上形成由G M R元件或Τ M R元件 等所成之檢測元件2 3。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -16- 509920. A7 B7 五、發明説明（）|4 接著，如第3 ( c )圖所示，以絕緣層埋入。具體上 爲成膜A 1〇X等之絕緣層3 2 C，以C Μ P加以平坦化 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 最後，如第3 ( c )圖所示，將整個基板浸漬於酸或 鹼溶解由銅等所成之剝離層4 2，分開基板4 1與磁頭 1 0 A、2 Ο Α。 按，主磁極前端部1 1、補助磁極部1 2 '薄膜返回 軛1 3等，係藉疊層反強磁性體使用磁區控制之磁性膜時 ’就可得到抑制雜訊之磁頭。又，若分散反強磁性體之一 方向異方性時，就成爲等方膜而效率也會變好。
若如上述依據本發明之製造方法，從記錄磁頭1 〇 A 之補助磁極部1 2、薄膜記錄線圈1 4、薄膜返回軛1 3 之媒體對向面之後退量，係皆以D L C潤滑膜3 0之膜厚 (0 · 1 // m左右）可正確地控制。又，再生磁頭2 0 A 之薄膜磁性軛2 2、2 4、G M R / T M R元件2 3之後 退量也由分別疊層於基板41上之薄膜厚度可精密且容易 地加以規定。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 按，第1 Α圖例示之磁頭1 〇 A、2 0 A，係極性端 部1 Ο T、軛端部2 Ο T之前端面係成爲與D L C潤滑膜 3 0之下面同一位準。但是，本發明並非限於此，例如、 極性端部1 Ο T、軛端部2 Ο T之前端面也可以覆蓋於潤 滑膜3 0內。 第4圖係表示極性端部1 Ο T被如此所覆蓋狀態之要 部放大剖面圖。亦即，極性端部1 0 T係其前端面爲由潤 本紙張尺度適用中國國家標準一 _ 17 _ 509920 A7 B7 五、發明説明（）|5 滑膜3 0所覆蓋。若構成如此時，就可保護極性端部 1 0 T之前端面，也可防止因與媒體接觸等所引起之摩粍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〇 像這樣，欲埋入極性端部1 Ο T時，關於第2 ( b ) 圖於上述之工程在D L C潤滑膜3 0形成開口 3 Ο Η時， 並非到剝離層4 2之貫通孔只要開口到潤滑膜3 0途中即 可〇 又，如第3 ( d )所示，從基板4 1分開後，如覆蓋 極性端部1 Ο T、軛端部2 Ο T前端面，也可在媒體對向 面上重新堆積既定膜厚之D L C潤滑膜3 0 a。於此時， 第4圖之薄膜層3 0 a，係由D L C潤滑膜構成較佳，但 是，薄膜3 0 b不一定需要以D L C潤滑膜構成較佳。亦 即，薄膜3 0 b之材料係考慮其其他構件之匹配性或形成 程序之容易性等可適當選擇。 茲就關於本發明之變形例說明如下。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先，於本發明，藉決定構成磁頭之各薄膜磁性元件 之後退量之D L C潤滑膜3 0之膜厚設分布，也可改變各 元件之後退量。 第5圖係將本發明之第1變形例以槪念性表示之剖面 圖。關於該圖，關於第1 A圖至第4圖上述之者同一部分 標示同一符號而省略詳細說明。 第5 ( a )所75之頭1 Ο B，係薄膜記錄線圈1 4 之後退量爲被設定成較補助磁極部1 2或薄膜返回軛1 3 更小。亦即，薄膜記錄線圈1 4係對於媒體2 0 0，配置 本紙張又度適用中國國家標準（ CNS ) A4規格（210X297公釐）一 ' -18- 五、發明説明（）l6 成更接近，可將更大之記錄磁場產生於極性端部1 0 T 1 之前端。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 並且，藉將D L C潤滑膜3 0階段性地疊層，對於各 元件部之後退量給與偏移（off-set)，也可正確地改變後退 量。 第5 ( b )圖，係表示使用這種複數潤滑膜給與偏移 之磁頭之一例之要部放大剖面圖。 亦即，於該圖之磁頭1 0 C，設有4層之薄膜3 0 a 〜3 0 d。並且，極性端部1 〇 T係貫通薄膜3 0 b〜 3 0 d設置。又，薄膜記錄線圏1 4係貫通3 0 c、 3 0 d設置、薄膜返回軛1 3係貫通薄膜3 0 d設置、補 助磁極部1 2係設於薄膜3 0 d上。最下層之薄膜3 0 a ，將成爲覆蓋所有元件之保護膜發揮其功能。 亦即，在磁頭1 0 C之各薄膜磁性元件，係因應薄膜 3 0 a〜3 0 d之疊層膜厚給與不同之偏移，而形成爲從 媒體對向面1 8之後退量分別不同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 似此，若疊層複數薄膜時，就可將磁頭之各元件之後 退量依各個薄膜膜厚正確地改變。 於此，作爲將如第5 ( b )例示之構造簡單地形成一 個方法，係將複數之各個薄膜3 0 a〜3 0 d由蝕刻特性 不同之材料所構成之方法。例如，最下層之薄膜3 0 a係 由D L C潤滑膜所構成。並且，使疊層其上之3層之薄膜 3 O b〜3 0 d之薄膜材料適當地變成不同。 若假定如第2圖至第3圖例示之方法製造之情形，則 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2Η)Χ 297公釐） -19 - Α7 Β7 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先，疊層薄膜30b〜30d，設貫通此3層之開口以 形成主磁極前端部1 1。其次，使用對於薄膜3 0 b之蝕 刻速度爲小，對於薄膜3 0 c、3 0 d之蝕刻速度爲大之 蝕刻方法，設貫通薄膜3 0 c、3 0 d之開口以形成薄膜 記錄線圈1 4。像這種選擇性之鈾刻，係適當設定薄膜 3 0 b〜3 0 d之氣體種類或條件就可達成。 其次，使用對於薄膜3 0 c之蝕刻速度小對於薄膜 3 0 d之蝕刻速度爲大之蝕刻方法，設置貫通薄膜3 0 d 之開口，以形成薄膜返回軛1 3。 如以上所說明，使蝕刻選擇比變大，適當設定薄膜材 料與蝕刻方法時，就可容易形成第5 ( b )例示薄膜之疊 層構造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第6 A圖，係將本發明之第2變形例以槪念性表示剖 面圖。關於該圖，也關於第1 A圖至第5圖與上述同一部 分標示同一符號而省略其詳細說明。表示於該圖之再生用 磁頭2 0 B，係在軛端部2 0 T兩側，具有一對再生屏蔽 2 6、2 6。此再生屏蔽2 6、2 6，係由軟磁性材料所 形成，藉限制從媒體流於轭端部2 0 T之磁性’具有提高 空間分解能之作用。這種再生屏蔽2 6、2 6 ’係形成藉 在潤滑膜3 0之對向面側，就可極精密且容易控制與軛端 部2 0 T之位置關係。因此，若依據本變形例’不至於無 謂地減少訊號磁場就可將再生屏蔽配置於既定位置’可有 效地遮斷雜訊成分周圍之磁場。 第6 B圖係將本發明之第3變形例以槪念性表示之剖 ^氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐了 -20-
五、發明説明（>8 面圖。關於該圖，與上述同一部分標示同一符號而省略其 詳細說明。 於該圖所表示之再生用磁頭2 0 C，薄膜磁性軛2 2 、2 4爲經由磁性間隙G裝設成對向。從位於此磁性間隙 G之正下方之記錄位元之訊號磁通，係流於薄膜磁性軛 2 2、檢測元件2 3、薄膜磁性軛2 4所成之磁性迴路， 而由檢測元件2 3檢測。 第6 C圖，係將本發明之第4變形例以槪念性表示剖 面圖。關於該圖，也關於第1 A圖至第6 B圖與上述同一 部分標示同一符號而省略其詳細說明。 即使於該圖表示之再生用磁頭2 0 D，薄膜磁性軛 2 2、2 4爲經由磁性間隙G裝設成對向。從位於此磁性 間隙G之正下方之記錄位元之訊號磁通，係流於薄膜磁性 軛2 2、檢測元件2 3、薄膜磁性軛2 4所成之磁性迴路 ’而由檢測元件2 3檢測。 又，於本變形例，對於檢測元件2 3，一對之導線 5 0、5 0爲連接成上下。亦即，讀出電流係對於檢測元 件2 3流動於垂直方向。成爲這樣時，就只有在檢測元件 2 3之感度高部分可集中讀出電流，而可更改善檢測感度 〇 以上所說明之本發明之磁頭，係例如，套裝於記錄再 生一體型之磁領，可搭載於磁性記錄再生裝置。 第7圖，係例示這種磁性記錄再生裝置之槪略構成之 要部斜視圖。亦即，本發明之磁性記錄再生裝置1 5 0係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
21 A7 B7 適書皋年Λ轉
To 五、發明説明（）ig (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用旋轉致動器形式之裝置。於該圖，垂直記錄用磁性碟 片2 0 0，係裝著於心軸1 5 2，而從由未圖示之驅動裝 置控制部之控制訊號所應答之未圖示之馬達所驅動。進行 儲存於磁性碟片2 0 0資訊之記錄再生之磁頭滑件1 5 3 係安裝於薄膜狀之懸架1 5 4前端。於此，磁頭滑件 1 5 3係搭載於例如關於任一實施形態之磁頭之前端附近 。當磁性碟片2 0 0迴轉時，磁頭滑件1 5 3之媒體對向 面（A B S )係被保持成從磁碟片2 0 0表面具既定浮上 量。 懸架1 5 4係連接於具有保持未圖示之驅動線圈之筒 管（bobbin )部等之致動器臂1 5 5 —端。在致動器臂 1 5 5另端，係設有屬於線性馬達之一種之音圈馬達 1 5 6。音圈馬達1 5 6係由捲上於致動器臂1 5 5之筒 管部之未圖示之驅動線圈、與如挾住此線圈對向配置之永 久磁鐵及對向軛所成之磁性迴路所構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 致動器臂1 5 5係由設於固定軸1 5 7上下2處之未 圖示之滾珠軸承所保持，以音圈馬達1 5 6可迴轉滑動自 如。 第8圖，係將致動器臂1 5 5之先之磁頭總成1 6 0 從碟片側所視之放大斜視圖。亦即，磁頭總成1 6 0，係 具有例如具有保持驅動線圈之筒管（bobbin )部等致動器臂 1 5 5，在致動器臂1 5 5前端連接有懸架1 5 4。 在懸架1 5 4前端，安裝有具備上述實.施形態之記錄 用或再生用磁頭之磁頭滑件1 5 3。懸架1 5 4係具有訊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） -22- 509920 .把 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（扣 號之寫入及讀取用導線1 6 4 ’此導線1 6 4與裝套磁頭 滑件1 5 3磁頭之各電極爲電式連接。圖中1 6 5係磁頭 總成1 6 0之電極終點區域（P a d )。 於此，在磁頭滑件1 5 3之媒體對向面（A B S )與 磁碟片2 0 0表面之間，設定有既定之浮上量。 第9 ( a )係表示浮上量爲既定正値時之磁頭滑件 1 5 3與磁碟片2 0 0之關係之槪念圖。如該圖所示，通 常，於許多磁性記錄再生裝置，搭載磁頭1 0之滑件 1 5 3係於從磁碟片2 0 0之表面只浮上既定距離狀態下 動作。於本發明，即使於這種「浮上行走型」之磁性記錄 再生裝置，可較以往以更高感度進行低雜訊之記錄.讀取 。亦即，藉採用關於上述之各實施形態之磁頭，就可將主 磁極前端部與補助磁極或薄膜磁性軛等間之位置關係維持 在最佳條件，以高感度且低雜訊在磁碟片2 0 0記錄訊號 ，且可再生訊號磁通。亦即，實現高輸出與高感度化，可 邊抑制熱攪亂提高記錄密度。 另者，若記錄密度再提高時，會發生必須就降低浮上 高，滑空更近於磁碟片2 0 0之處讀取資訊。例如，欲得 到每1英吋平方3 9G ( giga )位元左右之記錄密度，早已 因浮上之空間損失變成過大，也不能忽視因極低浮上之磁 頭1 0與磁碟片2 0 0衝突之問題。 因此，也可考慮將磁頭1 0與磁碟片2 0 0相反地使 其積極地接觸而行走之方式。 第9 ( b )圖係表示這種「接觸行走型」之磁頭滑件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X Μ?公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-23- 5α992α_kr Μ, A7 B7 五、發明説明（幻 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 5 3與磁碟片2 0 0關係之槪念圖。本發明之磁頭，係 具有D L C潤滑膜，又，記錄線圈或磁性阻力效果元件， 係只有既定之高度從磁碟片被隔離。因此，即使如第9 ( b )圖所例示之「接觸行走型」之磁性記錄再生裝置，可 Μ主磁極前端部與補助磁極或薄膜磁性軛等間之位置關係 ϋ持最佳，可較以往以更高密度之記錄再生安定地進行。 又，若依據本發明，也可將這種低浮上量之滑件簡單 地製作。 第1 0圖係將滑件1 5 3從媒體對向面所視之槪念斜 視圖。亦即，磁頭1 〇係對於滑件1 5 3之媒體行走方向 設於尾緣側Τ (後側），在尾緣側L (前側）設有空氣圖 案1 5 3Α。此空氣圖案1 5 3Α，係隨著媒體之行走所 發生之媒體附近之空氣流動以流體力學上所視具有控制成 最佳模態之作用，需要特定之形狀與深度。 若依據本發明，製造磁頭之同時，也可形成此空氣圖 案1 5 3 Α。亦即，於第2圖所示之一系列工程之前，在 基板4 1表面，形成空氣圖案1 5 3A之反相圖案即可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1 1圖係例示形成這種反相圖案之基板4 1之表面 構造之斜視圖。亦即，於該圖之例，係在基板4 1表面， 形成有對應於4個滑件之領域1 5 3 S。在各個形成領域 1 5 3 S，形成有對應於磁頭形成領域之凹部1 〇 s，與 對應於空氣圖案之反相圖案之凹部1 5 3 i。 像這樣將基板4 1形成圖案，然後，關.於第2圖至第 3圖實施上述之一系列工程時，基板4 1之凹部係轉印於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24-
五、發明説明（>2 滑件之媒體對向面。並且，於第3 ( c )所示埋入後，沿 著切斷線6 3切斷基板4 1，第3 ( d )所示分離基板 4 1時，將低浮上量之滑件1 5 3浮上面之空氣圖案 1 5 3 A不經由麻煩之機械加工工程或加工程序只可於晶 圓工程加工。其結果，可達成1 / 3以上之大幅度低成本 〇 以上，邊參照具體例，說明本發明之實施形態。但是 ，本發明係並非限定於這些具體例。例如，關於構成磁頭 之各元件之材料或形狀等，本行業者使用可選擇之所有範 圍同樣得以發揮同樣之效果。 又，關於磁性記錄再生裝置，也可爲實施只是記錄或 只是再生，又，媒體係並非限定於硬碟，其他，軟式碟片 或磁性卡等可使用所有磁性記錄媒體。並且，也可以爲將 磁性記錄媒體從裝置拆下之所謂「可動」形式之裝置。 圖式之簡單說明 第1 A圖係表示本發明之垂直磁頭之剖面構造之槪念 圖。 第1 B圖係將第1 A圖之磁頭從媒體對向面側所視之 平面圖。 第1 C圖係表示安裝於致動器臂前端之磁頭爲載入於 磁碟片上，配置於既定磁軌T上，進行記錄再生構成之槪 念圖。 第2 A圖〜第2 E係本發明之磁頭製造方法以槪念性 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
-25- B7 _ 五、發明説明（>3 表示之工程剖面圖。 第3 A圖〜第3 D係係本發明之磁頭製造方法以槪念 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 性表示之工程剖面圖。 第4圖係表示主磁極前端面被埋入狀態之要部放大剖 面圖。 第5 A圖、第5 B圖係表示本發明之第1變形例以槪 念性表示之剖面圖。 第6 A圖係本發明之第2變形例以槪念性表示之剖面 圖。 第6 B圖係本發明之第3變形例以槪念性表示之剖面 圖。 第6 C圖係本發明之第4變形例以槪念性表示之剖面 圖。 第7圖係例示磁性記錄再生裝置槪略構成之要部斜視 圖。 第8圖係將從致動器臂1 5 5先之磁頭總成從磁碟片 側所視放大斜視圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第9 A圖係表示浮上量爲既定正値時之磁頭滑件 1 5 3與磁碟片2 0 0關係之槪念圖。 第9 B圖係表示「接觸行走型」之磁頭滑件1 5 3與 磁碟片2 0 0之關係之槪念圖。 第1 0圖係將滑件1 5 3從媒體對向面所視之槪念斜 視圖。 第1 1圖係例示形成反相圖案之基板4 1表面之斜視 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（ 圖。 第1 2圖係表示習知垂直記錄再生用磁頭之剖面構造 之槪念圖。 主要元件對照表 10 A 記錄用磁頭 2 0 A 再生用磁頭 2 0 0 磁片 2 1 8 偏壓層 2 1 6 襯背軟性膜 11 主磁極前端部 12 補助磁極部 13 薄膜返回軛 3 0 潤滑膜 14 薄膜記錄線圈 2 2 薄膜磁軛 2 3 檢測元件 2 4 薄膜磁軛 2 1 軛前端部 3 0 a 〜3 0 d 薄膜 18 媒體對向面 15 3 磁頭滑件 15 5 致動器臂 15 6 音圈馬達 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -27- Γ·'：：^ ] Α7 " Β7 五、發明説明（灸5 16 0 磁頭總成 15 4 懸架 1 5 3 A 空氣圖案 4 1 基板 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28-

Claims (1)

  1. 5D9920 泰:: A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍1 附件1:第89 1 19686號專利申請案 中文.申請專利範圍修正本 民國91年8月8日修正 1 · 一種磁頭，其係在垂直磁性記錄媒體記錄磁化資 訊者，其特徵爲具備： 具有對向於上述垂直磁性記錄媒體之主面，及相對於 該主面爲背面側的背面，且設有從上述主面延伸到上述背 面之開口的薄膜；及 具有由上述開口內延伸而出之極性端部的主磁極。 2 ·如申請專利範圍第1項之磁頭，其中上述主磁極 ，係具有於上述薄膜之上述背面上較上述極性端部之前端 僅後退以上述薄膜之膜厚所規定之量而裝設之本體部。 3 ·如申請專利範圍第2項之磁頭，其中上述極性端 部係具有與上述薄膜之上述背面同一位準之前端面。 4 ·如申請專利範圍第3項之磁頭，其中再具備：裝 設於上述薄膜之上述背面側，與上述主磁極以磁性耦合之 返回軛，及設於上述薄膜之上述背面側，和上述主磁極與 上述返回軛所形成之磁路如交叉地裝設之記錄線圈， 上述返回軛及上述記錄線圈之至少一方，.係接觸於上 述薄膜之上述背面所成者。 5 ·如申請專利範圍第3項之磁頭，其中再具備：裝 設於上述薄膜之上述背面側，與上述極性端部以磁性耦合 之返回軛，及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1..^---1r — φ^II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5Q9920 A8 BB C8 D8 々、申請專利範圍2 ^ 設於上述薄膜之上述背面側，和上述主磁極與上述返 回軛所形成之磁路如交叉地裝設之記錄線圈， (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述返回軛及上述記錄線圈之至少一方，係較上述極 性端部之前端僅後退以上述薄膜之膜厚所規定之量。 6 ·如申請專利範圍第5項之磁頭，其中上述主磁極 、與上述返回軛、與上述記錄線圈，係分別由具有與上述 薄膜之上述主面平行之主面的薄膜形成。 7 ·如申請專利範圍第3項之磁頭，其中再備有：疊 層於上述薄膜之上述主面側，用於覆蓋上述極性端部前端 之潤滑膜。 8 · —種磁頭，其係再生記錄於垂直磁性記錄媒體之 磁化資訊者，其特徵爲具備： 具有對向於上述垂直磁性記錄媒體之主面，及相對於 該主面爲皆面側的背面，而且設有從上述主面延伸到上述 背面之開口的薄膜；及 具有由上述開口內延伸而出之軛端部的第1磁性軛。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 ·如申請專利範圍第8項之磁頭，其中上述第1磁 性軛，係具有於上述薄膜之上述背面上較上述軛端部之前 端僅後退上述薄膜之膜厚所規定之量而設的本體部。 1 〇 ·如申請專利範圍第9項之磁頭，其中上述軛端 部係具有與上述薄膜之上述背面同一位準之前端面。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之磁頭，其中再具備 設於上述薄膜之上述背面側，與上述第1磁性軛以磁性耦 合之第2磁性軛，與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 509920 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍3 設於上述薄膜之上述背面側，與上述第1及第2磁性 軛以磁性耦合之磁性檢測元件， 上述第2磁性軛及上述磁性檢測元件之至少任一，係 接觸於上述薄膜之上述背面所成者。 1 2 ·如申請專利範圍第1 〇項之磁頭，其中再具備 :裝設於上述薄膜之上述背面側，與上述第1磁性軛以磁 性耦合之第2磁性軛，與 設於上述薄膜之上述背面側，與上述第1及第2磁性 軛以磁性耦合之磁性檢測元件， 上述第2磁性軛及上述磁性檢測元件之至少一方，係 僅較上述軛端部之前端後退上述薄膜之膜厚所規定之量。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之磁頭，其中上述第 1及第2磁性軛，與上述磁性檢測元件，係分別由具有與 上述薄膜之上述主面平行之主面的薄膜所形成者。 1 4 ·如申請專利範圍第1 〇項之磁頭，其中再備有 :疊層於上述薄膜之上述主面側，用於覆蓋上述軛端部之 前端的潤滑膜。 1 5 · —種垂直磁性記錄裝置，其特徵爲，具有申請 專利範圍第1項之磁頭，對於垂直磁性記錄媒體記錄磁性 資訊。 . 16.—種垂直磁性記錄裝置，其特徵爲，具有申請 專利範圍第8項之磁頭，用以再生記錄於垂直磁性記錄媒 體之磁性資訊。 ‘ 1 7 · —種磁頭之製造方法，其係在垂直磁性記錄媒 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --^--------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 509920 . 〜- A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍4 體記錄磁化資訊或將所記錄之磁化資訊再生者， 其特徵爲具備：. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在基板上形成剝離層之工程，與 在上述剝離層上形成薄膜之工程，與 在上述薄膜形成開口之工程，與 如塡充上述開口地在上述薄膜上形成磁性層之工程， 與 在上述薄膜上形成與上述磁性層以磁性耦合之薄膜磁 性元件之工程，與 藉蝕刻上述剝離層分離上述基板而形成與上述薄膜之 主面平行之媒體對向面之工程。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之磁頭之製造方法， 其中上述磁性層，係在垂直磁性記錄媒體記錄磁化資訊之 主磁極，上述薄膜磁性元件，係包括返回軛與記錄線圈。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 9 .如申請專利範圍第1 7項之磁頭之製造方法， 其中上述磁性層，係再生記錄於垂直磁性記錄媒體之磁化 資訊的第1磁性軛，上述薄膜磁性元件係包含第2磁性車尼 與磁性檢測元件。 2 〇 .如申請專利範圍第1 7項之磁頭之製造方法， 其中另具有：在形成上述媒體對向面之後，在上述媒體對 向面之上，疊層潤滑層之工程。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
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