TW504696B - A method and apparatus for testing multi-port memories - Google Patents

Description

504696 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印f ——_— B7 一 " ' 11111 11111 I .......................................... 丨丨丨丨丨丨_五、發明說明（) 發明領域： 本發明係概括關於記憶體誤差的測試方法和設備，特 別是關於測試嵌入式記憶體之誤差的方法和設備^ 發明背景： 電子工業的演進受到近代小型裝置中具有較大功能 性的激勵，其導致了在小型裝置上探究此等小型裝置之 新發現的用途（例如醫療器具及監測器等），並在小型電 子裝置上逐漸增加了更大的功能。 此種演變使電子裝置成為社會不可缺少的—部分。 消費者現在購買及需求的電子裝置更小、功能更強，且 具有前所未有的速度。此等要求持續推動電子工業超越 先前被認為不可能達到的限度。 一個改進成熟的領域係在於積體電路之内嵌式記憶 體的測試，尤其是目前已應用於微處理器和通訊設備的 多螓記憶體β由於蜂口周圍的高閘極總數及，習知用於 測試嵌入多埠記憶體的方法經常不能應用。特別是，由 於從外部引線取得資料、位址及控制信號所伴隨的問 題，高門檻數經常使多埠記憶體不可能或非常難於進行 完整測試。另外，可能基於在記憶體内外共同操作及通 遒的緣故，埠口之偏移數將使測試非常困難β 因此，以嵌入記憶體本身的一部分來測試其完整性 將具有顯著的優點❶本發明即提供此種方法和設備。 I mgMm n n ft— l· n n ft— >1 Ml «I n I i I t— ft— i i ml i ϋ ϋ n n mmmmm .·t] {讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504696 A7 B7 五、發明說明（） 發明目的及概述丄, 本發明係一種測試多埠記憶體之方法和系統，特別 是當一或多個埠口在沒有介入邏輯之下無法直接進行測 試的情況。本發明之方法和系統將多琿記憶體分成至少 兩部分，而後用於測試無法直接進行測試的一或多個蜂 V 〇 圖式簡辈說明 凡熟習此項技術之人士在參照以下之圖式並配合詳 細說明後，當可完全明瞭本發明之多種目的與優點，其 中： 第1圖為一記憶體系統的方塊圖，該系統具有無法直接 進行測試之輸出口的記憶體； 第2圖為具有多埠記憶體（「測試中的記憶體」）之記憶 體系統和功能邏輯記憶體的方塊圖； 第3圖例示根據本發明之較佳實施例在記憶體上執行錯 誤測試過程的方塊圖。 號#照說明丄 1 0 0 記憶體系統 1 02 可控性輸入口 10 4 記憶體 10 6 功能邏輯/記憶體 10 8 輸出口 200 記憶體系統 2 0 2 寫入埠-1 204 窝入埠· 2 2 0 6 多埠記憶體 2 0 8 讀取埠_ 1 第3頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -----瓤--------訂----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^lil!—— * ϋ ϋ —m -I «I I ϋ I —9 ί I- 504696 A7 B7 五、發明說明（） 2 10讀取埠-2 212功能邏輯/記憶體

312高速暫存區a 314高速暫存區B 發明詳細銳峨： 在以下的詳細說明中，所提出的各項特定細節係為 了提供對本發明之完整瞭解。然而，凡熟習此項技術者 顯然可知本發明可以不同的細節加以實施。在其它情況 下’為了不讓不必要的細節混淆本發明，為人所熟知的 電路已顯示於方塊國中。大部分而言，由於時序的考量 無關於本發明之完整理解，且對於熟習相關技術領域之 人士而I皆為習知技術，因此其細節與相關事物皆已略 除。 記憶體進行測試的目的係為了確保其以所設計的方 式運作。在典型的情沉下，測試型態或模式將會被用於 驗證此等運作該等型態或模式被設計用來測試已知某 些記憶體經常出錯的情沉（例如黏接、轉接、耦接及相 鄰型態感應的失效等）。用於測試記憶體的M a r c h C型 態的例子如下列表1所示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ —8 n ϋ ϋ ---訂 ----I---線！ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 轰 1 ·在§己憶體的每一位址寫入° 2. 讀取0,而後在記憶體中增量通過每一位址而寫入1。 3. 讀取1，而後在記憶體中增量通過每一位址而寫入 4·讀取0,而後在記憶體中增量通過每一位址而寫入1。 5 ·讀取1，而後在記憶鱧中增量通過每一位址而寫入〇 ° 6.在記憶體的每一位址讀取〇s。 赏 4 第 I釐 公 97 2 X 10 2 /1* 格 規 A4 S)A -N (C 準 標 家 國 國 中 用 適 度 尺 張 |紙 本

五、發明說明（） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當冗憶體的輪出端與輸入端能夠為吾人直接存取 時’此等型態最有效率Q有時記憶體的輸出與輸入的設 計無法直接存取，因而某些邏輯線路或其它記憶體必須 用於存取測試中的記憶體，即如第丨圖所示者。 第1圖為一記憶體系統1 0 0的方塊圖，該系統具有 搽法直接進行測試之輸出口的記憶體i 0 4 。詳言之， 1己憶體系統1 0 0包括測試中的記憶體1 0 4，其具有可 直接控制的輸入端1 〇 2，以及可藉功能邏輯/記憶體1 〇 6 觀察的輸出端108。 如第2圖所示，類似可觀察輸出端從多埠記憶體的 每一個讀取埠相距更遠^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第2圖為一方塊圖，其描述具有一多埠記憶體 2 0 6 (「測試中的記憶體」）和功能/邏輯記憶體2 1 2的 記憶體系統2 0 0。多埠記憶體2 〇 6包括兩個讀取埠（讀 取埠-1 208和讀取埠-2 210)和兩個寫入埠（寫入埠-1 2 0 2和窝入埠-2 2 0 4 )。記憶體系統2 0 0亦包括功能邏 輯/記憶體2 1 2，其位於讀取埠_ 2 2 1 〇的輸出端，並且 供應給寫入埠-2 204 。因此，只有窝入埠-1 202和讀 取埠-1 2 0 8分別具有可控性及可觀察性。此導致僅能 透過功能邏輯/記憶體2 1 2將記憶體2 0 6的資料讀出而 測試讀取埠2 1 0，並且回到同一個記憶體2 0 6 〇 本發明可纾解以上所提到的問題，即藉分割記憶體 的一部分做為一高速暫存區，並且利用此區r憑藉寫 入」，即如與第3圖有關之說明。雖然本發明係以第2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 504696 A7 B7 五、發明說明（ 圖所示之二埠記憶體進行說明，但熟習此項技術之人士 當可理解，本發明同樣可應用於各種尺寸（例如16、32 及6埠口等）的多埠記憶體中，只要其中至少有一讀取 埠為可觀察的即可（亦即介入邏輯電路不會改變有效監 測測試資料的能力）^ 第3圖為一方塊圖，其例示根據本發明之較隹實施 例’藉由在第2圖所示之多埠記憶體2 0 6上執行錯誤測 試的過程。本發明之測試過程將記憶體2 0 6分割成兩部 分（高速暫存區A 312和高速暫存區B 314)而做為高 速暫存區，並將此等高速暫存區312、314用於「憑藉 寫入J❹為了確保第一部分沒有缺陷，至少需要兩區。 下列表11說明讀取埠2和寫入埠2 ( 2 1 0及2 0 4 )所使 用之M a r e h C -測試模式的例子β在此例中，可假設高 速暫存區A 312位於位址〇，而高速暫存區β 314則 位於位址F。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 ·使用寫入埠- 2 ·讀取0 (讀取 讀進讀取埠-入埠-1 ) & •讀取1 (讀取 讀入讀取埠· 入蜂-1 ) 〇 4 ·讀取0 (讀取 讀進讀取埠-入埠-1 ) 〇 .讀取1 (讀取 進讀取埠-

表II 1在記憶體的每一位址寫入0 s。 埠-2通過寫入位址〇的寫入埠· 2 ,然後 1 )，再於記憶體每一位址增加寫入1 (寫 蜂-2通過寫入位址〇的寫入埠,然後 1)’再於記憶體每一位址增加寫入〇(寫 埠-2通過窝入位址〇的寫入埠·2 ,然後 1，再於記憶體每一位址減少寫入丨（窝 埠-2通過寫在位址〇的寫入埠_2，然後 1),再於記憶體每一位址減入〇 (寫 第6貰 丨X 297公釐）

五、發明說明（ F的寫入埠* 2 -位址增加寫人 然後 〇(寫 通過寫在位址F的寫入埠-2 ,然後 再於記憶體每一位址減少寫入1(寫 入埠-1 ) <* ^ Ϊ 3寫产埠-1的記憶體在每一位址讀取0s •ί讀H取f、-2f過寫在位址F的寫入埠_2，然後讀 $廣1，埠-1 )，再於記憶體每一位址增加寫人1 (窝7 8·ΐ取ι1(讀取埠·2通過窝在位址 讀，讀取埠-1 )，再於記憶體每 入埠-1 )。 9·讀取0(讀取埠-2 讀進讀取埠-1 )., 入埠-1 ) 〇 1 气取…1 (讀取埠-2通過寫在位址F的寫入埠-2，献 ί 4進1 f取埠-1 )，再於記憶體每一位址減少寫人〇 (¥ H•使用讀取埠_1在記憶體的每一位址讀〇s 〇 本發明之處理過程既適用於透過記憶體206的引 線，亦可透過内建自我測試（Built-In-Self-Test, B I S T )而加以應用β 經由以上之詳細說明，吾人可清楚瞭解本發明的操 作和結構β雖然以上所例示及描逑者，其技術特徵係較 佳的方法和系統，但顯而易見的各種變更與/或修飾皆不 脫離所附之申請專利範圍所界定之本發明的精神及範 η» 圍0 f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 貰 7 第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSU4規格（210 X 297公釐〉

Claims (1)

1. 504696 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 .-種測試多埠記憶體之方法，該多埠記憶體具有第一 和第二if取埠及寫人蜂，該第1取埠和該第_寫入蜂 皆不可直接測試，藉該第-寫入埠所寫入的資料係該第 一讀取埠之函數，該方法至少包括下列步驟·· _ 將記憶體分為一第一區域；以及 指定該第一區域之實體位址，以使該第二讀取埠能 夠讀取從該第一寫入埠寫出的資料。 ^ 如申請專利範圍第丨項所述之方法，其更包括下列步 騾： 利用該第二寫入埠，將資料寫入該第一區域。 如申請專利範圍第2項所述之方法，其更包括下列步 騾： 利用該第二讀取埠，讀取已窝入之資料' 4 ·如申請專利範圍第3項所述之方法，其更包括丁列步 騾： 將該記憶體分為一第二區域。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 峰 訂： .線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •如申請專利範圍第4項所述之方法，其中由讀第二讀 取埠寫入之資料與由該第一讀取埠所讀取之資料不完 全相同。 第8頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^U4696 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、申請專利範圍 6.如申請專利範圍第5嚷所述之方法，其更包括下驟： 指定該第一區域之實體位址 能讀取寫入此位址之資料。 7 ·如申請專利範圍第6項所逑之驟： 列步 ，以使該第二讀取埠不 方法，其更包括下列步 指定該第二區域之實體位址， 續取寫入該第一寫入淳之資料β 以使該第二讀取能夠 8·如申請專利範圍第7項所述之方法，其更包括下列步 驟* 利用該第二寫入埠，將該資料寫入該第二區域。 9 ·如申請專利範園第8項所述之方法，其更包括下列步 驟： 利用該第一讀取埠’讀取寫入該第二區域之資料。 夏0 · —種測試多埠記憶體之方法，該多埠記憶體具有第 一和第二讀取埠及窝入埠，該第一讀取埠和該第一寫 入埠皆不可直接測試，且該第一讀取埠之輸出端提供 至該第一窝入埠，該方法至少包含下列步驟： 將記憶體分為一第一區域；以及 指定該第一區域之實體位址，以使該第二讀取埠能 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I I *#-r°4a *ww MOW aa I I · «I n {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504696 C8 ...___ D8 __ 六、申請專利範圍 夠讀取寫入該第一寫入埠之資料； 利用該第二窝入埠，將資料寫入該第一區域； 利用該第二讀取埠讀取已寫入之資料； 將該記憶體分為一第二區域； 指定該第一區域之實體位址，以使該第二讀取埠不 能夠讀取寫入此處之資料； 指定該第二區域之實體位址，以使該第二讀取埠能 辨漬取寫入該第一寫入埠之資料； 利用該第二寫入埠，將資料寫入該第二區域；以及 利用該第一讀取埠，讀取寫入該第二區域之資料^ 1 i · 一種用於測試多埠記憶體之設備，該多埠記憶體具 有第一讀取埠和第二寫入埠，該第一讀取埠和寫入蜂 無法直接測試，且該第一讀取埠之輸出端提供至該第 一寫入埠，該設備至少包含： 將記憶醴分成第一區域之裝置；以及 指定該第一區域之實體位址的裝置，以使該第二讀 取埠能夠讀取寫入該第一寫入埠之資料 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項所述之設備，其更包含： 利用該第二寫入埠，將資料寫入該第一區域之裝置。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所述之設備，其更包含： 利用該第二讀取埠，讀取已寫入之資料的裝置。 第10貰 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意寧項再填寫本頁) 螓 -線· 504696 AS B8 CB D8 六、申請專利範圍 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項所述之設備，其更包含： 將記憶體分為一第二區域之裝置。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項所逑之設備，其更包含： 指定該第一區域之實體位址的裝置，以使該第二讀 取埠不能夠讀取寫入此處之資料。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項所述之設備，其更包含： 指定該第二區域之實體位址的裝置，以使該第二讀 取埠能夠讀取寫入該第一寫入埠之資料。 1 7 ·如申請專利範園第1 6項所述之設備，其更包含： 利用該第二寫入埠，將資料寫入該第二區域之裝置《 1 8 ·如申請專利範園第1 7項所述之設備，其更包含*· 利用該第一讀取埠，讀取窝入該第二區域之資料的裝 置。 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 齊 訂- 參 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第11頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）