DE112021007357T5 - Kassettengehäuse, sondenvorrichtung, server-rack und lagersystem technisches gebiet - Google Patents

Kassettengehäuse, sondenvorrichtung, server-rack und lagersystem technisches gebiet Download PDF

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Tatsuro Hitomi
Yasuhito Yoshimizu
Arata Inoue
Hiroyuki Dohmae
Kazuhito Hayasaka
Tomoya Sanuki
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Abstract

Es wird ein Kassettengehäuse bereitgestellt, das eine Temperaturanpassung in Bezug auf einen Halbleiterwafer, der eine Vielzahl von nichtflüchtigen Speicherchips einschließt, durchführen kann.Gemaß einer Ausführungsform schließt ein Kassettengehäuse eine Lagereinheit, eine Sondenkarte und einen Behälter ein. Die Lagereinheit lagert einen Halbleiterwafer, der eine Vielzahl von nichtflüchtigen Speicherchips einschließt. Die Sondenkarte schließt eine Sonde ein, die mit einer auf dem Halbleiterwafer bereitgestellten Pad-Elektrode in Kontakt gebracht werden soll. Der Behälter enthält ein Wärmeübertragungsfluid zum Senken oder Erhöhen der Temperatur eines oder beider von der Sondenkarte und dem Halbleiterwafer, die in der Lagereinheit gelagert sind.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die hier beschriebenen Ausführungsformen beziehen sich allgemein auf ein Kassettengehäuse, eine Sondenvorrichtung, ein Server-Rack und ein Lagersystem.
  • STAND DER TECHNIK
  • Sondenkarten werden als Prüfvorrichtungen verwendet, um elektrische Signale zwischen einem Halbleiterwafer, auf dem Halbleiterchips gebildet sind, und einer Prüfvorrichtung, welche die Halbleiterchips prüft, zu übertragen. Der Halbleiterwafer schließt ferner darauf gebildete Pad-Elektroden ein. Die Sondenkarten schließen jeweils ein Sondenkartensubstrat und eine Sonde ein.
  • Die Sondenkarte ist über eine Sondenvorrichtung elektrisch mit einem Halbleiterwafer verbunden. Genauer gesagt, bringt die Sondenvorrichtung die Pad-Elektrode des Halbleiterwafers in Kontakt mit der Sonde der Sondenkarte. Bei dieser Struktur ist der Halbleiterchip eines Halbleiterwafers elektrisch mit dem Substrat der Sondenkarte verbunden.
  • Zitatenliste
  • Patentliteratur
    • Patentschrift 1: JP 2020-188076 A
    • Patentschrift 2: US 10663511 B
    • Patentschrift 3: US 7975759 B
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Technisches Problem
  • Eine der hierin beschriebenen Ausführungsformen stellt ein Kassettengehäuse, eine Sondenvorrichtung, ein Server-Rack und ein Lagersystem bereit, das eine Temperaturanpassung in Bezug auf einen Halbleiterwafer, der eine Vielzahl von nichtflüchtigen Speicherchips einschließt, durchführen kann.
  • Lösung des Problems
  • Gemäß einer Ausführungsform schließt ein Kassettengehäuse eine Lagereinheit, eine Sondenkarte und einen Behälter ein. Die Lagereinheit lagert einen Halbleiterwafer, der eine Vielzahl von nichtflüchtigen Speicherchips einschließt. Die Sondenkarte schließt eine Sonde ein, die mit einer auf dem Halbleiterwafer bereitgestellten Pad-Elektrode in Kontakt gebracht werden soll. Der Behälter enthält ein Wärmeübertragungsfluid zum Senken oder Erhöhen der Temperatur des in der Lagereinheit gelagerten Halbleiterwafers.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
    • ist ein Blockdiagramm, das ein Beispiel für eine Konfiguration eines Lagersystems gemäß einer ersten Ausführungsform zeigt.
    • ist ein Diagramm, das einen Temperaturanpassungsmechanismus eines Kassettengehäuses und einer Sondenvorrichtung des Lagersystems gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
    • ist ein Diagramm, das einen Temperaturanpassungsmechanismus eines Server-Racks des Lagersystems gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
    • ist ein Diagramm, das ein Beispiel zeigt, bei dem ein Sondenkartensubstrat im Kassettengehäuse des Lagersystems gemäß der ersten Ausführungsform in eine Kühlflüssigkeit eingetaucht ist.
    • ist ein Diagramm, das ein Beispiel zeigt, bei dem eine Sonde einer Sondenkarte und eine Pad-Elektrode eines Wafers in ein Wärmeübertragungsfluid im Kassettengehäuse des Lagersystems gemäß der ersten Ausführungsform eingetaucht sind.
    • ist ein Diagramm, das ein Beispiel zeigt, bei dem ein Wafer in ein Wärmeübertragungsfluid im Kassettengehäuse des Lagersystems gemäß der ersten Ausführungsform eingetaucht ist.
    • ist ein Diagramm, das ein Beispiel zeigt, bei dem ein Kassettengehäuse, in dem ein Wafer gelagert ist, mit einem Wärmeübertragungsfluid in einem Lagersystem gemäß einer zweiten Ausführungsform gekühlt oder erhitzt wird.
    • ist ein Diagramm, das einen Temperaturanpassungsmechanismus des Lagersystems gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt.
    • ist ein Diagramm, das einen Temperaturanpassungsmechanismus eines Lagersystems gemäß einer dritten Ausführungsform zeigt.
    • ist ein Diagramm, das ein modifiziertes Beispiel für den Temperaturanpassungsmechanismus des Lagersystems gemäß der dritten Ausführungsform zeigt.
  • Ausführungsart der Erfindung
  • Im Folgenden werden Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
  • (Erste Ausführungsform)
  • Die erste Ausführungsform wird nun beschrieben. Bei der ersten Ausführungsform handelt es sich um ein Lagersystem mit hoher Kapazität, das nicht gewürfelte Halbleiterwafer verwendet. Ferner ist bei der ersten Ausführungsform eine Vielzahl von Halbleiterwafern austauschbar.
  • ist ein Blockdiagramm, das ein Beispiel für eine Konfiguration eines Lagersystems 1 gemäß der ersten Ausführungsform zeigt. Das Lagersystem 1 schließt als Lager eine Vielzahl von Halbleiterwafern (oder einfach, Wafern) 100 ein. Das Lagersystem 1 wählt eine vorbestimmte Anzahl von Wafern 100 aus der Vielzahl von Wafern 100 aus. Das Lagersystem 1 verwendet die so ausgewählte vorbestimmte Anzahl von Wafern 100. Die Wafer 100 schließen jeweils eine Vielzahl von NAND-Flash-Speicherchips (NAND-Chips) ein. Ferner schließt das Lagersystem 1 eine Vielzahl von Kassettengehäusen 200 ein. Die Kassettengehäusen 200 schließen jeweils eine Sondenkarte 210 ein. In den Kassettengehäusen 200 ist jeweils ein Wafer 100 untergebracht.
  • Das Lagersystem 1 schließt eine Wafer-Lagervorrichtung 10, eine Kassetten-Lagervorrichtung 20, eine Sondenvorrichtung (Kassettenvorrichtung) 30, eine Kassetten-Transportvorrichtung 40 und ein Server-Rack 50 ein.
  • Die Wafer-Lagervorrichtung 10 ist eine Vorrichtung zur Lagerung von Wafern 100. Die Wafer-Lagervorrichtung 10 lagert eine Vielzahl von Wafern 100.
  • Die Kassetten-Lagervorrichtung 20 ist eine Vorrichtung zur Lagerung von Kassettengehäusen 200. Die Kassetten-Lagervorrichtung 20 lagert eine Vielzahl von Kassettengehäusen 200. Die Vielzahl der in der Kassetten-Lagervorrichtung 20 gelagerten Kassettengehäuse 200 kann Kassettengehäuse 200, in denen Wafer 100 gelagert sind, und Kassettengehäuse 200, in denen keine Wafer 100 gelagert sind, gemischt einschließen.
  • Die Sondenvorrichtung 30 ist eine Vorrichtung, welche jeweils die Pad-Elektroden 101 des Wafers 100 und die Sonden 211 der Sondenkarte 210 miteinander in Kontakt bringt.
  • Die Kassetten-Transportvorrichtung 40 ist eine Vorrichtung, welche die Kassettengehäuse 200 transportiert. Die Kassetten-Transportvorrichtung 40 transportiert die Kassettengehäuse 200 von der Kassetten-Lagervorrichtung 20 zum Server-Rack 50. Ferner transportiert die Kassetten-Transportvorrichtung 40 die Kassettengehäuse 200 vom Server-Rack 50 zur Kassetten-Lagervorrichtung 20. Des Weiteren transportiert die Kassetten-Transportvorrichtung 40 die Kassettengehäuse 200 von der Sondenvorrichtung 30 zum Server-Rack 50. Die Kassetten-Transportvorrichtung 40 transportiert die Kassettengehäuse 200 von dem Server-Rack 50 zu der Sondenvorrichtung 30.
  • Das Server-Rack 50 ist eine Vorrichtung, die einen Host-Computer 51 lagert. Die Anzahl der im Server-Rack 50 gelagerten Host-Computer 51 kann einen oder mehrere betragen.
  • Bei dem Host-Computer 51 handelt es sich zum Beispiel um einen Dateiserver. Der Host-Computer 51 schließt einen Prozessor 52 und eine Lagereinheit 53 ein.
  • Der Prozessor 52 ist eine Vorrichtung, die Programme ausführt. Der Prozessor 52 führt den Prozess des Schreibens von Daten auf oder des Lesens von Daten aus einem Wafer 100 im Kassettengehäuse 200 aus.
  • Die Lagereinheit 53 ist eine Vorrichtung zum Lagern von Kassettengehäusen 200. In der Lagereinheit 53 werden die Kassettengehäuse 200, in denen der Wafer 100 gelagert ist; gelagert. Die Anzahl der in der Lagereinheit 53 gelagerten Kassettengehäuse 200 kann ein oder mehrere Kassettengehäuse betragen.
  • Als nächstes wird die interne Konfiguration der Sondenvorrichtung 30 beschrieben. Die Sondenvorrichtung 30 schließt eine Befestigungs-/Ablösevorrichtung 31 ein. Die Befestigungs-/Ablösevorrichtung 31 ist eine Vorrichtung, die den Wafer 100 und das Kassettengehäuse 200 ineinander integriert oder voneinander trennt. Wenn in der Sondenvorrichtung 30 ein Wafer 100 durch die Befestigungs-/Ablösevorrichtung 31 in einem jeweiligen Kassettengehäuse 200 eingelagert wird, werden die Pad-Elektroden des Wafers 100 und die Sonden der jeweiligen Sondenkarte im Kassettengehäuse 200 miteinander in Kontakt gebracht. Folglich sind der NAND-Chip des Wafers 100 und das Sondenkartensubstrat der Sondenkarte elektrisch miteinander verbunden.
  • Als nächstes wird der Austausch von Wafern 100 in einem Kassettengehäuse 200, das im Server-Rack 50 gelagert ist, gegen Wafer 100 in einem Kassettengehäuse 200, das in der Kassetten-Lagervorrichtung 20 gelagert ist, oder gegen Wafer 100, die in der Wafer-Lagervorrichtung 10 gelagert sind, erläutert.
  • Wenn sich ein Wafer 100, auf den der Prozessor 52 des Host-Computers 51 Daten schreiben oder von dem er Daten lesen will, im Server-Rack 50 befindet, während er im Kassettengehäuse 200 gelagert ist, muss das Lagersystem 1 den Wafer 100 nicht austauschen.
  • Wenn ein Wafer 100, auf den der Prozessor 52 Daten schreiben oder von dem er Daten lesen will, nicht im Server-Rack 50 vorhanden ist, führt das Lagersystem 1 einen Austausch eines im Server-Rack 50 gelagerten Wafers 100 im Kassettengehäuse 200 mit dem in der Kassetten-Lagervorrichtung gelagerten Wafer 100 im Kassettengehäuse 20 oder dem Wafer 100 in der Wafer-Lagervorrichtung 10 durch.
  • Wenn sich beispielsweise ein Wafer 100, auf den der Prozessor 52 Daten schreiben will, in der Kassetten-Lagervorrichtung 20 befindet, während er im Kassettengehäuse 200 gelagert ist, tauscht das Lagersystem 1 die Kassettengehäuse 200 zwischen dem Server-Rack 50 und der Kassetten-Lagervorrichtung 20 aus. Das aus dem Server-Rack 50 zu entnehmende Kassettengehäuse 200 ist z. B. das Kassettengehäuse 200, das den Wafer 100, auf den der Prozessor 52 am längsten nicht zugegriffen hat, im Server-Rack 50 lagert.
  • Wenn sich beispielsweise ein Wafer 100, auf den der Prozessor 52 Daten schreiben will, in der Wafer-Lagervorrichtung 10 befindet, lagert das Lagersystem 1 den Wafer 100, auf den der Prozessor 52 Daten schreiben will, durch die Sondenvorrichtung 30 in das Kassettengehäuse 200 ein. Ferner entnimmt das Lagersystem 1 aus dem Server-Rack 50 ein Kassettengehäuse 200, das beispielsweise den Wafer 100 lagert, auf den der Prozessor 52 am längsten im Server-Rack 50 nicht zugegriffen hat. Das Lagersystem 1 bewegt das aus dem Server-Rack 50 entnommene Kassettengehäuse 200 in die Kassetten-Lagervorrichtung 20. Des Weiteren bewegt das Lagersystem 1 das Kassettengehäuse 200, das von der Sondenvorrichtung 30 zum Lagern des Wafers 100 bereitgestellt wird, aus der Sondenvorrichtung 30 in das Server-Rack 50.
  • Als nächstes wird ein Temperaturanpassungsmechanismus beschrieben. Der Temperaturanpassungsmechanismus ist ein Mechanismus, der die Temperatur des Wafers 100 senkt oder erhöht. Der Temperaturanpassungsmechanismus ist im Kassettengehäuse 200, in der Sondenvorrichtung 30 und im Server-Rack 50 bereitgestellt. ist ein Diagramm, das den Temperaturanpassungsmechanismus des Kassettengehäuses 200 und der Sondenvorrichtung 30 zeigt.
  • Zunächst soll der Temperaturanpassungsmechanismus des Kassettengehäuses 200 erläutert werden. Das Kassettengehäuse 200 schließt ein oberes Gehäuse 201 und ein unteres Gehäuse 202 ein. Das obere Gehäuse 201 ist ein Element, das eine Oberflächenseite des Wafers 100 abdeckt. Auf dem oberen Gehäuse 201 wird die Sondenkarte 201 platziert. Das untere Gehäuse 202 ist ein Element, das eine untere Oberflächenseite des Wafers 100 abdeckt. An einem inneren Wandabschnitt des unteren Gehäuses 202 ist eine Lagereinheit 203 bereitgestellt.
  • Das obere Gehäuse 201 und das untere Gehäuse 202 sind zusammengefügt, um einen Behälter 204 zu bilden. Der Behälter 204 nimmt das Wärmeübertragungsfluid 300 zum Senken oder Erhöhen der Temperatur auf. Das Wärmeübertragungsfluid 300 ist z. B. ein Fluorkohlenwasserstoff-basierter Hydrofluorether. Das Wärmeübertragungsfluid 300 kann ebenso flüssiger Stickstoff sein.
  • Der Behälter 204 schließt eine Einlassöffnung und eine Auslassöffnung für das Wärmeübertragungsfluid 300 ein. Solange das Kassettengehäuse 200 nicht in der Sondenvorrichtung 30 oder dem Server-Rack 50 gelagert ist, sind die Einlass- und die Auslassöffnung für das Wärmeübertragungsfluid 300 geschlossen. Wenn das Kassettengehäuse 200 in der Sondenvorrichtung 30 oder dem Server-Rack 50 gelagert ist, sind die Einlass- und die Auslassöffnung des Wärmeübertragungsfluids 300 geöffnet.
  • Als nächstes wird der Temperatursteuerungsmechanismus der Sondenvorrichtung 30 beschrieben. Die Sondenvorrichtung 30 schließt ein Fluidzufuhrrohr 31A, ein Fluidablassrohr 31B und eine Pumpe (Fluidvorrichtung) 32 ein. Das Fluidzufuhrrohr 31A ist ein hohles zylindrisches Element, das beispielsweise dazu dient, das Wärmeübertragungsfluid 300 von außerhalb des Kassettengehäuses 200 ins Innere des Kassettengehäuses 200 zu transportieren. Das Fluidablassrohr 31B ist ein hohles zylindrisches Element, das z. B. dazu dient, das Wärmeübertragungsfluid 300 von der Innenseite des Kassettengehäuses 200 zur Außenseite des Kassettengehäuses 200 zu transportieren. Die Pumpe 32 ist eine Vorrichtung, die das Wärmeübertragungsfluid 300 von einer Endseite des Fluidzufuhrrohrs 31A und des Fluidablassrohrs 31B zur anderen Endseite transportiert.
  • Wenn ein Wafer 100 durch die Befestigungs-/Ablösevorrichtung 31 in das Kassettengehäuse 200 eingelagert wird, spritzt die Sondenvorrichtung 30 das Wärmeübertragungsfluid 300 aus dem Fluidzufuhrrohr 31A in das Kassettengehäuse 200 durch die Pumpe 32 ein. Wenn der Wafer 100 durch die Befestigungs-/Ablösevorrichtung 31 aus dem Kassettengehäuse 200 entfernt wird, lässt die Sondenvorrichtung 30 das Wärmeübertragungsfluid 300 im Kassettengehäuse 200 durch die Pumpe 32 aus dem Fluidablassrohr 31B ab. Die Sondenvorrichtung 30 wälzt das Wärmeübertragungsfluid 300 in dem Kassettengehäuse 200 um.
  • Im Folgenden wird der Temperatursteuermechanismus des Server-Racks 50 beschrieben. ist ein Diagramm, das den Temperaturanpassungsmechanismus des Server-Racks 50 zeigt. zeigt ebenfalls den Temperaturanpassungsmechanismus des Kassettengehäuses 200. Das Server-Rack 50 schließt ein Fluidzufuhrrohr 54A, ein Fluidablassrohr 54B und eine Pumpe 55 ein. Das Fluidzufuhrrohr 54A ist z. B. ein hohles zylindrisches Element. Das Fluidzufuhrrohr 54A dient zum Einspritzen des Wärmeübertragungsfluids 300 von außerhalb des Kassettengehäuses 200 in das Kassettengehäuse 200. Das Fluidablassrohrs 54B ist z. B. ein hohles zylindrisches Element. Das Fluidablassrohr 54B dient dazu, das Wärmeübertragungsfluid 300 von innerhalb des Kassettengehäuses 200 nach außerhalb des Kassettengehäuses 200 abzuleiten. Die Pumpe 32 ist eine Vorrichtung, die das Wärmeübertragungsfluid 300 von einer Endseite des Fluidzufuhrrohrs 54A und des Fluidablassrohrs 54B zur anderen Endseite transportiert. Das Server-Rack 50 spritzt das Wärmeübertragungsfluid 300 in das Kassettengehäuse 200 ein. Ferner lässt das Server-Rack 50 das Wärmeübertragungsfluid 300 aus dem Inneren des Kassettengehäuses 200 ab. Somit wälzt das Server-Rack 50 das Wärmeübertragungsfluid 300 im Kassettengehäuse 200 um.
  • Ein Kassettengehäuse 200, welches das Wärmeübertragungsfluid 300 nicht enthält, kann von der Kassetten-Transportvorrichtung 40 zum Server-Rack 50 gebracht werden. In diesem Fall, wenn das in der Kassetten-Lagervorrichtung 20 gelagerte Kassettengehäuse 200 von der Kassetten-Transportvorrichtung 40 zum Server-Rack 50 gebracht wird, wird das Kassettengehäuse 200 mit dem Wärmeübertragungsfluid 300 gefüllt. Wenn das Kassettengehäuse 200 aus dem Server-Rack 50 entnommen wird, kann das Server-Rack 50 das gesamte Wärmeübertragungsfluid 300 aus dem Kassettengehäuse 200 ablassen. Das Kassettengehäuse 200, in dem der Wafer 100 gelagert ist, kann in der Kassetten-Lagervorrichtung 20 gelagert werden, während das Wärmeübertragungsfluid 300 darin enthalten ist. Alternativ kann das Kassettengehäuse 200, das den Wafer 100 enthält, in der Kassetten-Lagervorrichtung 20 gelagert werden, während das Wärmeübertragungsfluid 300 nicht darin enthalten ist.
  • Nachfolgend werden einige Beispiele für die Kühlung im Kassettengehäuse 200 durch das Wärmeübertragungsfluid 300 beschrieben.
  • <Beispiel 1>
  • zeigt ein erstes Beispiel, bei dem das Sondenkartensubstrat 210 einer Sondenkarte in das Wärmeübertragungsfluid 300 innerhalb des Kassettengehäuses 200 eingetaucht ist. Die Sondenkarte schließt das Sondenkartensubstrat 210 und die Sonde 211 ein.
  • In diesem ersten Beispiel ist der Behälter 204 so gebildet, dass das Sondenkartensubstrat 212 in das Wärmeübertragungsfluid 300 eingetaucht ist. Im ersten Beispiel kann die Temperatur der Vorrichtung auf dem Sondenkartensubstrat 212 durch das Wärmeübertragungsfluid 300 gesenkt oder erhöht werden.
  • <Beispiel 2>
  • zeigt ein zweites Beispiel, bei dem die Sonde 211 der Sondenkarte und die Pad-Elektrode 101 des Wafers 100 in das Wärmeübertragungsfluid 300 im Kassettengehäuse 200 eingetaucht sind.
  • Im zweiten Beispiel sind das obere Gehäuse 201 und das untere Gehäuse 202 zusammengefügt, um den Behälter 204 zu bilden, sodass die Sonde 211 und die Pad-Elektrode 101 in das Wärmeübertragungsfluid 300 eingetaucht sind. Im zweiten Beispiel kann die Temperatur der Sonde 211 der Sondenkarte 210 und der Pad-Elektrode 101 des Wafers 100 durch das Wärmeübertragungsfluid 300 gesenkt oder erhöht werden.
  • Es ist zu beachten, dass der in als zweites Beispiel gezeigte Temperaturanpassungsmechanismus mit dem in als erstes Beispiel gezeigten Temperaturanpassungsmechanismus kombiniert werden kann.
  • <Beispiel 3>
  • zeigt ein drittes Beispiel, bei dem der Wafer 100 in das Wärmeübertragungsfluid 300 im Kassettengehäuse 200 eingetaucht ist.
  • Im dritten Beispiel sind das obere Gehäuse 201 und das untere Gehäuse 202 zusammengefügt, um den Behälter 204 für das Wärmeübertragungsfluid 300 zu bilden, sodass der Wafer 100 in das Wärmeübertragungsfluid 300 eingetaucht ist. Im dritten Beispiel kann der Wafer 100 durch das Wärmeübertragungsfluid 300 gekühlt werden. Genauer gesagt, kann die Temperatur des auf dem Wafer 100 gebildeten NAND-Chips durch das Wärmeübertragungsfluid 300 gesenkt oder erhöht werden.
  • Es ist zu beachten, dass der in als drittes Beispiel gezeigte Temperaturanpassungsmechanismus mit einem oder beiden der in als erstes Beispiel und dem in als zweites Beispiel gezeigten Temperaturanpassungsmechanismen kombiniert werden kann.
  • Wie oben beschrieben, schließt das Lagersystem 1 der ersten Ausführungsform seinen unabhängigen Temperaturanpassungsmechanismus zur Umwälzung des Wärmeübertragungsfluids im Kassettengehäuse 200 ein. Mit dieser Struktur kann das Lagersystem 1 der ersten Ausführungsform die Temperaturanpassung in Bezug auf den Wafer 100, der eine Vielzahl von NAND-Chips enthält, durchführen.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • Als nächstes wird ein zweite Ausführungsform beschrieben.
  • Bei der zweiten Ausführungsform handelt es sich, wie bei der ersten Ausführungsform, um ein Lagersystem mit hoher Kapazität, das nicht gewürfelte Halbleiterwafer verwendet. Die gleichen Strukturelemente wie bei der ersten Ausführungsform werden mit den gleichen Bezugssymbolen bezeichnet. Ferner wird auf Erläuterungen zu denselben Strukturelementen wie bei der ersten Ausführungsform verzichtet.
  • ist ein Diagramm, das ein Beispiel zeigt, in dem ein Kassettengehäuse 200, in dem ein Wafer 100 gelagert ist, mit dem Wärmeübertragungsfluid 300 in einem Lagersystem 1 der zweiten Ausführungsform in seiner Temperatur gesenkt oder erhöht wird. zeigt einen Zustand, in dem das Kassettengehäuse 200, in dem der Wafer 100 gelagert ist, in der Sondenvorrichtung 30 gelagert ist.
  • Das Lagersystem 1 der ersten Ausführungsform wälzt das Wärmeübertragungsfluid 300 in dem Kassettengehäuse 200 um. Bei dem Lagersystem 1 der zweiten Ausführungsform hingegen ist das Kassettengehäuse 200 selbst in das Wärmeübertragungsfluid 300 in der Sondenvorrichtung 30 und dem Server-Rack 50 eingetaucht. Folglich wird in dem Lagersystem 1 der zweiten Ausführungsform die Temperatur des gesamten Kassettengehäuses 200 abgesenkt oder erhöht. Zu diesem Zweck schließt die Sondenvorrichtung 30 einen Behälter 33 ein. Der Behälter 33 ist eine Vorrichtung, die das Wärmeübertragungsfluid 300 enthält. Der Behälter 33 ist zum Abdichten des Kassettengehäuses 200 bereitgestellt. Das Server-Rack 50 schließt einen Behälter 56 ein. Der Behälter 56 ist eine Vorrichtung, die das Wärmeübertragungsfluid 300 enthält. Der Behälter 56 ist zum Abdichten des Kassettengehäuses 200 bereitgestellt.
  • ist ein Diagramm, das den Temperaturanpassungsmechanismus des Lagersystems 1 in der zweiten Ausführungsform zeigt. In ist das Kassettengehäuse 200 in der Sondenvorrichtung 30 untergebracht.
  • In der ersten Ausführungsform spritzt die Sondenvorrichtung 30 das Wärmeübertragungsfluid 300 in das Kassettengehäuse 200 unter Verwendung des Fluidzufuhrrohrs 31A, des Fluidablassrohrs 31B und der Pumpe 32 ein. Ferner lässt die Sondenvorrichtung 30 das Wärmeübertragungsfluid 300 aus dem Inneren des Kassettengehäuses 200 ab. Somit wälzt die Sondenvorrichtung 30 das Wärmeübertragungsfluid 300 in dem Kassettengehäuse 200 um. In der zweiten Ausführungsform hingegen spritzt die Sondenvorrichtung 30 das Wärmeübertragungsfluid 300 mit Hilfe des Fluidzufuhrrohrs 31A, des Fluidablassrohrs 31B und der Pumpe 32 in den Behälter 33 ein. Ferner lässt die Sondenvorrichtung 30 das Wärmeübertragungsfluid 300 aus dem Inneren des Behälters 33 ab. Somit wälzt die Sondenvorrichtung 30 das Wärmeübertragungsfluid 300 in der Sondenvorrichtung 30 um. Genauer gesagt, wälzt die Sondenvorrichtung 30 das Wärmeübertragungsfluid 300 um das Kassettengehäuse 200 herum um. Das Server-Rack 50 spritzt das Wärmeübertragungsfluid 300 in den Behälter 56 ein. Ferner lässt das Server-Rack 50 das Wärmeübertragungsfluid 300 aus dem Behälter 56 ab. So wälzt das Server-Rack 50 das Wärmeübertragungsfluid 300 im Server-Rack 50 um. Genauer gesagt, wälzt das Server-Rack 50 das Wärmeübertragungsfluid 300 um das Kassettengehäuse 200 herum um.
  • Ein Beispiel für die Kühlung des Kassettengehäuses 200 mit der Sondenvorrichtung 30 ist beispielsweise der Fall, in dem ein Kassettengehäuse 200, das aus dem Server-Rack 50 entnommen und dorthin transportiert wurde, gekühlt wird. Der Wafer 100 in dem aus dem Server-Rack 50 entnommenen Kassettengehäuse 200 wird in der Kassetten-Lagervorrichtung 20 gelagert, während er im Kassettengehäuse 200 enthalten ist. Oder der Wafer 100 im Kassettengehäuse 200, das aus dem Server-Rack 50 entnommen worden ist, wird in die Wafer-Lagervorrichtung 10 in einem Zustand eingelagert, der aus dem Kassettengehäuse 200 entnommenen lautet. Dabei ist zu beachten, dass, wenn das Kassettengehäuse 200 aus dem Server-Rack 50 in die Sondenvorrichtung 30 gebracht wird, die Temperatur des Wafers 100 im Kassettengehäuse 200 im Server-Rack 50 erhöht worden sein kann. Die Sondenvorrichtung 30 kühlt den Wafer 100, dessen Temperatur im Server-Rack 50 erhöht wurde, ab, bevor sie ihn in die Wafer-Lagervorrichtung 10 bringt, z. B. durch Kühlung des gesamten Kassettengehäuses 200, um andere Wafer 100, die bei einer niedrigeren Temperatur gelagert sind, nicht zu beeinträchtigen.
  • Die Kühlung des Kassettengehäuses 200 im Server-Rack 50 wird durchgeführt, um den Temperaturanstieg des Wafers 100 zu unterdrücken, der beispielsweise durch die von den Vorrichtungen auf dem Sondenkartensubstrat 212 erzeugte Wärme verursacht wird.
  • Wie oben beschrieben, besitzt das Lagersystem 1 der zweiten Ausführungsform einen einzigartigen Temperatursteuerungsmechanismus, der ein Wärmeübertragungsfluid um das Kassettengehäuse 200 herum umwälzt. Folglich kann das Lagersystem 1 der zweiten Ausführungsform eine Temperaturanpassung in Bezug auf den Wafer 100, der mehrere NAND-Chips enthält, durchführen.
  • (Dritte Ausführungsform)
  • Als nächstes wird eine dritte Ausführungsform beschrieben.
  • Bei der dritten Ausführungsform handelt es sich wie bei der ersten und der zweiten Ausführungsform ebenfalls um ein Lagersystem mit hoher Kapazität, das nicht gewürfelte Halbleiterwafer verwendet. Für die Strukturelemente, die mit denen der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform identisch sind, werden hier die gleichen Bezugssymbole verwendet wie für diese. Ferner wird auf Erläuterungen zu den mit der ersten und zweiten Ausführungsform identischen Strukturelementen verzichtet.
  • ist ein Diagramm, das den Temperaturanpassungsmechanismus eines Lagersystems 1 gemäß der dritten Ausführungsform zeigt.
  • In den Lagersystemen 1 der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform erfolgt die Absenkung oder Anhebung der Temperatur durch Wärmeübertragungsfluid. Im Gegensatz dazu bringt das Lagersystem 1 der dritten Ausführungsform Isolierelemente 213 in Kontakt mit dem Wafer 100. Auf diese Weise führt das Lagersystem 1 der dritten Ausführungsform eine Senkung oder Erhöhung der Temperatur durch Wärmeleitung durch. Die Isolierelemente 213 sind auf einer Fläche bereitgestellt, auf der die Sonden 211 der Sondenkarte 210 im Kassettengehäuse 200 platziert sind, die dem im Kassettengehäuse 200 gelagerten Wafer 100 gegenüberliegt. Die Fläche, auf der die Sonden 211 der Sondenkarte 210 bereitgestellt werden, ist von einem Innenwandabschnitt des oberen Gehäuses 201 exponiert.
  • Wenn die Sondenvorrichtung 30 einen Wafer 100 in dem Kassettengehäuse 200 einlagert, werden die Isolierelemente 212 physisch in Kontakt mit dem Wafer 100 gebracht, wenn das obere Gehäuse 201 und das untere Gehäuse 202 zusammengefügt werden. Die Isolierelemente 213 sind jedoch nicht elektrisch mit dem Wafer 100 verbunden. Die Isolierelemente 213 besitzen beispielsweise die Form eines Stifts, eines Vorsprungs oder einer Ebene.
  • Das Lagersystem 1 der dritten Ausführungsform kann unter Verwendung der Wärmeleitung durch die Isolierelemente 212, die nicht elektrisch mit dem Wafer 100 verbunden sind, die Temperaturanpassung in Bezug auf den Wafer 100, der mehrere NAND-Chips einschließt, durchführen.
  • ist ein Diagramm, das ein modifiziertes Beispiel für den Temperaturanpassungsmechanismus in der dritten Ausführungsform zeigt.
  • zeigt ein Beispiel, bei dem die isolierenden Elemente 213 von als Kissen 214 bereitgestellt werden, welche die Ausbreitung von Stößen auf den Wafer 100, die beispielsweise während des Transports auf das Kassettengehäuse 200 einwirken, reduzieren. Ferner sichern die Kissen 214 den Wafer 100 innerhalb des Kassettengehäuses 200. , Teil (A), zeigt den Zustand der Kissen 214, bevor das obere Gehäuse 201 und das untere Gehäuse 202 zusammengefügt werden. , Teil (B) zeigt den Zustand der Kissen 214, nachdem das obere Gehäuse 201 und das untere Gehäuse 202 zusammengefügt worden sind.
  • Wenn die Sondenvorrichtung 30 den Wafer 100 im Kassettengehäuse 200 einlagert, werden die Kissen 214, die isolierend wirken, physisch in Kontakt mit dem Wafer 100 gebracht, wenn das obere Gehäuse 201 und das untere Gehäuse 202 zusammengefügt werden, wie in , Teil (B) gezeigt. Die Kissen 214 sind jedoch nicht elektrisch mit dem Wafer 100 verbunden. In diesem modifizierten Beispiel kann die Temperaturanpassung in Bezug auf den Wafer 100, der eine Vielzahl von NAND-Chips einschließt, durch Wärmeleitung erfolgen, die durch die Kissen 213 vermittelt wird, die nicht elektrisch mit dem Wafer 100 verbunden sind.
  • Wie oben beschrieben, werden bei dem Lagersystem 1 der dritten Ausführungsform die Isolatoren 212 im Kassettengehäuse 200 mit dem Wafer 100 in Kontakt gebracht. Das heißt, das Lagersystem 1 der dritten Ausführungsform schließt einen einzigartigen Temperaturanpassungsmechanismus ein, der eine Temperatursenkung oder -erhöhung durch Wärmeleitung durchführt. Auf diese Weise kann das Lagersystem 1 der dritten Ausführungsform die Temperaturanpassung in Bezug auf den Wafer 100, der mehrere NAND-Chips enthält, durchführen.
  • Die Ausführungsformen sind nur Beispiele und der Anwendungsbereich der Erfindung ist nicht darauf beschränkt.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Lagersystem
    10
    Wafer-Lagervorrichtung
    20
    Kassetten-Lagervorrichtung
    30
    Sondenvorrichtung (Kassettenvorrichtung)
    31
    Befestigungs-/Ablösevorrichtung
    31A
    Fluidzufuhrrohr
    31B
    Fluidablassrohr
    32
    Pumpe
    33
    Behälter
    40
    Kassetten-Transportvorrichtung
    50
    Server-Rack
    51
    Host-Computer
    52
    Prozessor
    53
    Lagereinheit
    54A
    Fluidzufuhrrohr
    54B
    Fluidablassrohr
    55
    Pumpe
    56
    Behälter
    100
    Wafer
    101
    Pad-Elektrode
    200
    Kassettengehäuse
    201
    Oberes Gehäuse
    202
    Unteres Gehäuse
    203
    Lagereinheit
    204
    Behälter
    210
    Sondenkarte
    211
    Sonde
    212
    Sondenkartensubstrat
    213
    Isolierelement
    214
    Kissen
    300
    Wärmeübertragungsfluid
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2020188076 A [0003]
    • US 10663511 [0003]
    • US 7975759 B [0003]

Claims (19)

  1. Kassettengehäuse, Folgendes umfassend: eine Lagereinheit, die einen Halbleiterwafer lagert, der eine Vielzahl von nichtflüchtigen Speicherchips einschließt; eine Sondenkarte, die eine Sonde einschließt, die mit einer auf dem Halbleiterwafer bereitgestellten Pad-Elektrode in Kontakt gebracht werden soll; und einen Behälter, der ein Wärmeübertragungsfluid zum Senken oder Erhöhen der Temperatur eines oder beider von der Sondenkarte und dem Halbleiterwafer enthält, die in der Lagereinheit gelagert sind.
  2. Kassettengehäuse nach Anspruch 1, wobei der Behälter so konfiguriert ist, dass eine Leiterplatte an einer zweiten Fläche an einer Rückseite einer ersten Fläche der Sondenkarte in das Wärmeübertragungsfluid eingetaucht ist, wobei die erste Fläche dem in der Lagereinheit gelagerten Halbleiterwafer zugewandt ist.
  3. Kassettengehäuse nach Anspruch 1, wobei das Gehäuse so konfiguriert ist, dass die Sonde, die auf einer Oberfläche der Sondenkarte bereitgestellt ist, die dem in der Lagereinheit gelagerten Halbleiterwafer zugewandt ist, und eine Pad-Elektrode, die auf einer Oberfläche des Halbleiterwafers bereitgestellt ist, die der Sondenkarte zugewandt ist, in die Wärmeübertragungsflüssigkeit eingetaucht sind.
  4. Kassettengehäuse nach Anspruch 1, wobei der Behälter so konfiguriert ist, dass der in der Lagereinheit gelagerte Halbleiterwafer in das Wärmeübertragungsfluid eingetaucht ist.
  5. Kassettengehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Wärmeübertragungsfluid Fluorkohlenstoff enthält.
  6. Kassettengehäuse, Folgendes umfassend: eine Lagereinheit, die einen Halbleiterwafer lagert, der eine Vielzahl von nichtflüchtigen Speicherchips einschließt; und eine Sondenkarte, die eine Sonde einschließt, die mit einer auf dem Halbleiterwafer bereitgestellten Pad-Elektrode in Kontakt gebracht werden soll; wobei die Sondenkarte ein Isolierelement einschließt, das auf einer Fläche bereitgestellt ist, die dem in der Lagereinheit gelagerten Halbleiterwafer zugewandt ist, wobei das Isolierelement in physischem Kontakt mit dem Halbleiterwafer steht und nicht elektrisch mit dem Halbleiterwafer verbunden ist.
  7. Kassettengehäuse nach Anspruch 6, wobei das Isolierelement die Form eines Stifts, eines Vorsprungs oder einer Ebene aufweist.
  8. Kassettengehäuse nach Anspruch 6, wobei das Isolierelement als ein Kissen bereitgestellt ist, das die Ausbreitung auf den Halbleiterwafer von Stößen, die auf das Kassettengehäuse einwirken, reduziert und den Halbleiterwafer innerhalb des Kassettengehäuses sichert.
  9. Sondenvorrichtung, Folgendes umfassend: eine Befestigungs-/Ablösevorrichtung, die einen Halbleiterwafer und ein Kassettengehäuse miteinander integriert oder voneinander trennt, wobei der Halbleiterwafer eine Vielzahl von nichtflüchtigen Speicherchips einschließt, das Kassettengehäuse eine Sondenkarte einschließt, die Sondenkarte eine Sonde einschließt, die mit einer auf dem Halbleiterwafer bereitgestellten Pad-Elektrode in Kontakt gebracht werden soll; und eine Fluidvorrichtung, die Wärmeübertragungsfluid zum Senken oder Erhöhen der Temperatur eines oder beider von dem Halbleiterwafer und der Sondenkarte in einen Behälter einspritzt oder daraus ablässt, wobei der Behälter in dem Kassettengehäuse bereitgestellt ist und das Wärmeübertragungsfluid enthält.
  10. Sonde nach Anspruch 9, wobei die Fluidvorrichtung das Wärmeübertragungsfluid im Kassettengehäuse über den Behälter umwälzt.
  11. Sondenvorrichtung, Folgendes umfassend: eine Befestigungs-/Ablösevorrichtung, die einen Halbleiterwafer und ein Kassettengehäuse miteinander integriert oder voneinander trennt, wobei der Halbleiterwafer eine Vielzahl von nichtflüchtigen Speicherchips einschließt, das Kassettengehäuse eine Sondenkarte einschließt, die Sondenkarte eine Sonde einschließt, die mit einer auf dem Halbleiterwafer bereitgestellten Pad-Elektrode in Kontakt gebracht werden soll; und einen Behälter, der ein Wärmeübertragungsfluid zum Senken oder Erhöhen der Temperatur des Kassettengehäuses enthält, in dem der Halbleiterwafer durch die Befestigungs-/Ablösevorrichtung montiert ist.
  12. Sondenvorrichtung nach Anspruch 11, ferner Folgendes umfassend: eine Fluidvorrichtung, die das Wärmeübertragungsfluid in den Behälter einspritzt oder daraus ablässt.
  13. Sondenvorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei das Wärmeübertragungsfluid Fluorkohlenstoff einschließt.
  14. Server-Rack, Folgendes umfassend: einen Prozessor; eine Lagereinheit, die ein Kassettengehäuse lagert, in dem ein Halbleiterwafer, der eine Vielzahl von nichtflüchtigen Speicherchips einschließt, auf die oder aus denen Daten vom Prozessor geschrieben oder gelesen werden sollen, montiert ist, und in dem eine Sondenkarte mit einer Sonde, die mit einer auf dem Halbleiterwafer bereitgestellten Pad-Elektrode in Kontakt gebracht werden soll, bereitgestellt ist; und eine Fluidvorrichtung, die Wärmeübertragungsfluid zum Senken oder Erhöhen der Temperatur eines oder beider von dem Halbleiterwafer und der Sondenkarte in einen Behälter einspritzt oder daraus ablässt, wobei der Behälter in dem Kassettengehäuse bereitgestellt ist und das Wärmeübertragungsfluid enthält.
  15. Server-Rack, Folgendes umfassend: einen Prozessor; eine Lagereinheit, die ein Kassettengehäuse lagert, in dem ein Halbleiterwafer, der eine Vielzahl von nichtflüchtigen Speicherchips einschließt, auf die oder aus denen Daten vom Prozessor geschrieben oder gelesen werden sollen, montiert ist, und in dem eine Sondenkarte, die eine Sonde einschließt, die mit einer auf dem Halbleiterwafer bereitgestellten Pad-Elektrode in Kontakt gebracht werden soll, bereitgestellt ist; und einen Behälter, der ein Wärmeübertragungsfluid zum Senken oder Erhöhen der Temperatur des in der Lagereinheit gelagerten Kassettengehäuses enthält.
  16. Server-Rack nach Anspruch 15, ferner umfassend eine Fluidvorrichtung, die das Wärmeübertragungsfluid in den Behälter einspritzt oder daraus ablässt.
  17. Server-Rack nach einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei das Wärmeübertragungsfluid Fluorkohlenstoff einschließt.
  18. Lagersystem, Folgendes umfassend: ein Kassettengehäuse; eine Sondenvorrichtung; und ein Server-Rack, wobei das Kassettengehäuse Folgendes einschließt: eine erste Lagereinheit, die einen Halbleiterwafer lagert, der eine Vielzahl von nichtflüchtigen Speicherchips einschließt, eine Sondenkarte, die eine Sonde einschließt, die mit einer auf dem Halbleiterwafer bereitgestellten Pad-Elektrode in Kontakt gebracht werden soll, und einen Behälter, der ein Wärmeübertragungsfluid zum Senken oder Erhöhen der Temperatur eines oder beider von der Sondenkarte und dem Halbleiterwafer enthält, die in der ersten Lagereinheit gelagert sind, die Sondenvorrichtung Folgendes einschließt: eine Befestigungs-/Ablösevorrichtung, die den Halbleiterwafer und das Kassettengehäuse miteinander integriert oder voneinander trennt, und eine erste Fluidvorrichtung, die Wärmeübertragungsfluid zum Senken oder Erhöhen der Temperatur eines oder beider von dem Halbleiterwafer und der Sondenkarte in den Behälter einspritzt oder daraus ablässt, der in dem Kassettengehäuse bereitgestellt ist, und das Server-Rack Folgendes einschließt: einen Prozessor, der das Schreiben oder Lesen von Daten in die oder aus der Vielzahl von nichtflüchtigen Speicherchips anfordert; eine zweite Lagereinheit, die das Kassettengehäuse lagert, in dem der Halbleiterwafer gelagert ist; und eine zweite Fluidvorrichtung, die das Wärmeübertragungsfluid in den Behälter einspritzt oder daraus ablässt, der in dem in der zweiten Lagereinheit gelagerten Kassettengehäuse bereitgestellt ist.
  19. Lagersystem, Folgendes umfassend: eine Sondenvorrichtung; und ein Server-Rack, wobei die Sondenvorrichtung Folgendes einschließt: eine Befestigungs-/Ablösevorrichtung, die einen Halbleiterwafer und ein Kassettengehäuse miteinander integriert oder voneinander trennt, wobei der Halbleiterwafer eine Vielzahl von nichtflüchtigen Speicherchips einschließt, das Kassettengehäuse eine Sondenkarte einschließt, die Sondenkarte eine Sonde einschließt, die mit einer auf dem Halbleiterwafer bereitgestellten Pad-Elektrode in Kontakt gebracht werden soll; und einen ersten Behälter, der ein Wärmeübertragungsfluid zum Senken oder Erhöhen der Temperatur des Kassettengehäuses enthält, in dem der Halbleiterwafer durch die Befestigungs-/Ablösevorrichtung montiert ist, das Server-Rack Folgendes einschließt: einen Prozessor, der das Schreiben oder Lesen von Daten in die oder aus der Vielzahl von nichtflüchtigen Speicherchips anfordert, eine Lagereinheit, die das Kassettengehäuse lagert, in dem der Halbleiterwafer gelagert ist, und einen zweiten Behälter, der ein Wärmeübertragungsfluid zum Senken oder Erhöhen der Temperatur des in der Lagereinheit gelagerten Kassettengehäuses enthält.
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TW (1) TWI792396B (de)
WO (1) WO2022201285A1 (de)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7975759B2 (en) 2006-09-19 2011-07-12 Tokyo Electron Limited Temperature control method, temperature control apparatus and high/low temperature processing system
US10663511B2 (en) 2017-07-20 2020-05-26 Tokyo Electron Limited Substrate mounting table and substrate inspection apparatus
JP2020188076A (ja) 2019-05-10 2020-11-19 東京エレクトロン株式会社 載置台及び載置台の作製方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5550482A (en) * 1993-07-20 1996-08-27 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Probe device
JP2007088203A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Tokyo Electron Ltd ウエハ検査装置およびウエハ検査方法、ならびにコンピュータプログラム
JP4744382B2 (ja) * 2006-07-20 2011-08-10 株式会社東京精密 プローバ及びプローブ接触方法
JP5088167B2 (ja) * 2008-02-22 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置、プロービング方法及び記憶媒体
EP2418503B1 (de) * 2010-07-14 2013-07-03 Sensirion AG Nadelkopf
JP6289962B2 (ja) * 2013-07-11 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP6339035B2 (ja) 2015-03-13 2018-06-06 東芝メモリ株式会社 電子機器
WO2017170393A1 (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 株式会社東京精密 プローバ及びプローバの操作方法
KR20190021101A (ko) * 2017-08-22 2019-03-05 삼성전자주식회사 프로브 카드, 프로브 카드를 포함한 테스트 장치, 그 프로브 카드를 이용한 테스트 방법 및 반도체 소자 제조방법
JP7274350B2 (ja) 2019-05-28 2023-05-16 東京エレクトロン株式会社 搬送システム、検査システム及び検査方法
EP4060720A4 (de) 2019-11-15 2023-08-16 Kioxia Corporation Speichervorrichtung und speichersystem

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7975759B2 (en) 2006-09-19 2011-07-12 Tokyo Electron Limited Temperature control method, temperature control apparatus and high/low temperature processing system
US10663511B2 (en) 2017-07-20 2020-05-26 Tokyo Electron Limited Substrate mounting table and substrate inspection apparatus
JP2020188076A (ja) 2019-05-10 2020-11-19 東京エレクトロン株式会社 載置台及び載置台の作製方法

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