TW504597B - Liquid crystal display device - Google Patents

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504597 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（i ) 發明領域 本發明關於一種液晶顯示裝置以及，更明確地，一種 液晶顯示裝置，其應用於所謂的單片全彩的液晶顯示板， 例如無一個彩色過濾器之微透鏡結合的液晶顯示裝置。 相關之背景技術 今曰之世界是處於多媒體的時代，而藉由影像資訊之 通信的裝備變爲愈來愈重要。其中，液晶顯示裝置正引起 注意，因爲它們的微小及低功率損耗，並且已成長爲相較 於半導體之一種基礎工業。液晶顯示裝置目前主要被使用 於1 0英寸之筆記型尺寸的個人電腦。期待的是將來其較 大螢幕尺寸之液晶顯不裝置將不只被使用於個人電腦，也 同時用於工作站及家庭使用之電視。然而，隨著螢幕尺寸 之增加，其製造裝備變爲昂貴而，此外，其電方面之精密 的特性被要求以驅動此大型的螢幕。其製造成本將因此顯 著地增加，正比於其螢幕所增加之尺寸的平方至立方。 近來，注意力因此被吸引至一種投射方法以準備一種 小型的液晶顯示板並且光學地放大一液晶影像來顯示一放 大的影像。這是因爲半導體之微小結構的趨勢容許其尺寸 之減少，其特性之增進，以及其成本之減少，相同於其比 例規則以增進性能及成本。從這幾個方面，於T F T型式 之液晶顯示板的狀況下，T F T必須是小型的並且具有足 夠的驅動力量，而轉換如今是發生自使用非結晶矽之 T F T至那些使用聚晶體矽之T F T。使用於一般電視而 (請先閱讀背面之注意事項再 本頁) 裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -4- 504597 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ____五、發明説明（2 ) 適合於N T S C系統等之解析位準的影像信號不需要如此 快速的處理方法。 如此容許不只T F T同時還有周邊驅動電路，例如相 位記錄器或解碼器，來以聚晶體矽所製造，因此液晶顯示 裝置可被施行以一顯示區域與一周邊驅動電路區域之整體 的結構。然而，聚晶體矽不如單晶體矽。‘爲了實現具有較^ 高解析位準之高淸晰度電視，其相較於以聚晶體矽之電腦 解析標準的N T S C系統或X G A (延伸圖形陣列）或 S X G A (超延伸圖形陣列）類別的顯示，一種相位記錄 器必須被組成以多數部分。於此狀況下，雜訊，稱爲重像 ，出現在相應於部分之間的邊緣的顯示區域中，並且有解 決此領域中之此問題的相法。 此外，焦點也同時被吸引至使用一種單晶體矽基底的 顯示裝置，其可實現較聚晶體矽之整體結構的顯示裝置更 爲高的驅動力量。於此狀況下，其周邊驅動電路之電晶體 具有足夠的驅動力量而因此上述之分區的驅動是不需要的 。如此解決了雜訊及類似的問題。 一種微透鏡結合的液晶板及一種使用它的投射型式液 晶顯示裝置被發現於日本揭開專利申請編號 8 — 1 1 4 7 8 0，舉例之，微透鏡結合的液晶體於此狀 況中通常是傳輸型式的，並且它被施行於如圖1 3中所顯 示的結構中。特定地，其R，G與B之個別主要色彩的照 亮光速被導引以相互不同的角度至液晶板上且之後至像素 1 3 1 8上，其藉由微透鏡1 3 1 6之收斂作用而彼此不 (請先閱讀背面之注意事項 本百〇 裝- 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -5- 504597 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五 、發明説明 ( 3 ) 同 〇 如 此 消 除 了 彩 色 cm 過 濾 器 的 需 求 並 且 可 以 達 成 局 的 光 利 用 效 率 〇 此 型 式 之 投 射 型 顯 示 裝 置 可 投 射 且 顯 示 一 光 的 全 彩 圖 型 即 使 藉 由 使 用 單 片 的 液 晶 板 其 爲 可 以 產 生 色 彩 R G B 的 一 種 單 一 液 晶 板 0 此 種 投 射 型 式 的 顯 示 裝 置 逐 漸 變 爲 商 業 上 可 利 用 的 〇 此外 不 同 的 企 圖 已 被 嘗 試 以 獲 取使 用 於 液 晶 顯 示 裝 置 中 之 液 晶 板 的 液 晶 的 操 作 模 式 而 其 操 作 模 式包含 — 種 使 用 鐵 電 液 晶 的 模 式 一 種 使 用 向 列 之 液 晶 的 T N 模 式 其 被 相 當 普 遍 地使 用 一 種 S T N 模 式 一 種 I P S ( 平 面 中 轉 換 ) 模 式 — 種 多 聚 體 分 散 的 液 晶 模 式 j 以 及 一 種 電 控 制的 雙 折射 ( E C B ) 模 式 以 藉 由 —* 電 場 之 m Λ/匕A、 用 來 控 制液 晶 細 胞 的 雙 折射 〇 對 於 E C B 模 式 而 言 j 有 — 種 型 式 的 方 法 j 其 中 D A P ( 垂 直 校 準 相位 的 變 形 ) 型 式使 用 具 有 負 介 電 之 個 向 異 性 的 向 列 的 液 晶 〇 即 其 起 始狀 育g >Qi、 下 之 液 晶 是 以 垂 直 的 校 準 ( 垂 直 校 準 ) 而 液 晶 分 子 變 爲 易 於以 電 壓 之 應 用 來 改 變 入 射 1 線 性 偏 光 的 光 至 橢 圓 形 偏 光 的 光 藉 由 雙 折 射 效 應 ， 因 而 達 成分 級 顯 示 〇 此 方 法 具 有 陡 的 電 壓 反 射 率 特 性 並 且 里 J \ \ \ 色 可 藉 由 正 交 偏 光 器 之 使 用 而 輕 易 地 被 製 造 以 正 常 的 黑 色 模 式 0 因 此 > 此 方 法 可 實 現 局 對 比 的 液 晶 顯 示 0 對 於 D A P 模 式 之 液 晶 裝 置 的使 用 重 要 的 是 在 起 始 階 段 中 以 垂 直 於 基 底 的 方 向 來均 勻 地 校 準 液 晶 分 子 的 縱 向 軸 1 而 分 子 之 事 先 傾 斜 的 角 度 及 方 向 如 何 被 均 勻 且 穩 定 地 控 制 將 是 —· 個 關 鍵 以 加 強 對 比 與 平 面 中 均 勻 度 ， 其 代 表 液 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） _ 6 _ 裝 請 先· 閱 讀 背、 ιδ 5 ί 事 項 本 頁 ht 504597 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) 晶顯示裝置的性能。一種已知以實現此垂直校準的方法是 ’例如，此一兩親表面活性劑之應用如卵磷脂或有機矽烷 (液晶應用，P 6 1 ，由 Koji Okano 與 Shunsuke Kobayashi ’所共同著作，Baifukan)。 一些不透明的蒸發方法及摩擦方法通常被使用爲方法 以控制液晶分子之事先傾斜角度在關於一校準層表面之大 約1至5度的上升，而且也有一篇最近的報告建議一種方 法以藉由用紫外線照射垂直校準層來控制校準。在這其中 ’摩擦方法是於大量生產及成本效率上之絕佳的技術，其 經常被實際地使用。 然而，垂直校準層仍然具有它們的變濕能力不足的問 題，其欲穩定地形成層於均勻厚度及薄膜品質是困難的， 並且欲實現可靠的校準控制是困難的。尤其，有某些狀況 下，其中顯示特性因在基礎層之處理步驟部分與校準層接 觸之校準層之接合的微弱所引發之校準的干擾而顥著地被 降低。尤其有一種可能性，其問題於摩擦以控制事先傾斜 的狀況下變爲很嚴重。 還有，於微透鏡結合之液晶板的狀況下，如上述之傳 統的範例（圖1 3 )，其一個投射顯示影像是R，G與B 之像素1 3 1 8於螢幕上的一個放大的投射影像而’因此 ，r，G與B之馬塞克型態變爲顯著的，如圖1 4中所顯 示。如此可能降低顯示影像的品質。 發明槪述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -7 - (請先閱讀背面之注寒項舄本買) .裝· 訂 線 504597 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 本發明之一目的是提供一種液晶顯示裝置，其可被應 用於單片的投射型液晶顯示裝置並且其可顯示色彩混合於 每個像素中而無馬賽克型態的一種全彩的投射影像。 本發明之另一目的是提供一種液晶顯示裝置，其可達 成高對比的顯示於D A P模式中而具有穩定校準特性之聚 醯亞胺的垂直校準層。 本發明之另一目的是提供一種液晶顯示裝置，其包括 一種矩陣基底，其中多數像素電極被排列以相應於R (紅 色），G (綠色），及B (藍色）之色彩的一個矩陣型態 ，一種相反的基底，其中一相反的電極被放置相反於該像 素電極，以及一種具有負介電之各向異性的液晶物質，其 液晶物質被放置於矩陣基底與相反的基式之間，其中有提 供具有一種垂直校準性質之一聚醯亞胺的校準層以及具有 多數微透鏡之一微透鏡陣列，並且其中微透鏡被提供在關 於一陣列像素電極之兩個像素的一個點頂上。 本發明包含此一結構，其在無色彩過濾器反射液晶板 之一 R，G與B的基本像素陣列中，色彩像素被排列以致 這三種主要顏色像素中之互相不同的兩個顏色組合被排列 以一個第一方向以及一個與其不同的第二方向，一個二維 的微透鏡陣列具有透鏡在關於像素陣列之兩個像素的頂點 上，顏色R，G，B中之第一主要顏色像素被放置在相應 於微透鏡之中央的位置上，第二主要顏色像素被放置在相 應於第一微透鏡線之方向上的鄰接微透鏡之間的邊緣的位 置上，第三主要顏色微透鏡被放置在相應於第二微透鏡線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項本頁) 、1' 504597 A7 B7

經濟部中央標準局員工消費合作社印$L 五、發明説明（6 ) 之方向上的鄰接微透鏡之間的邊緣的位置上，一個第一主 要顏色光束被形成入射自垂直於反射液晶板的一個方向上 ，一個第二主要顏色光束被形成入射至成爲傾向關於朝向 第一方向的垂直方向’而一個第三主要顏色光束被形成入 射至成爲傾向關於朝向第二方向的垂直方向，如此以照射 液晶板。 於此結構中，上述之照射系統被設置以致入射通過一 微透鏡至一第一主要顏色像素上之第一主要顏色光束因而 被反射以返回於相同的光路徑，而傾斜地入射通過某一微 透鏡至一第二或第三主要顏色像素上之第二或第三主要顏 色光束被反射，藉由位於微透鏡邊緣上的像素，並且被射 出自其所鄰接之一微透鏡。於以其連接中，最好是選擇每 組R，G與B像素之一結合，其組成對著每個微透鏡位置 之每個圖形元素如下。於每個第二及第三主要顏色像素中 ，一個所選擇的像素是位於來自鄰接第一主要顏色像素之 兩個像素之照射光的入射方向上，而如此所選擇之第二及 第三主要顏色的像素被結合與前述之第一主要顏色像素。 來自每組R，G及B像素之個別主要顏色的反射光束被藉 由液晶所調變並且之後被射出通過相同的微透鏡。 當尤其位於液晶板中之此微透鏡藉由如一透鏡等之一 種投射裝置而被投射且映像至螢幕上時，則一個影像便經 由液晶板之調變而被投射以一種宏觀的本質，而來自每個 像素之R，G ’ B像素影像以一個顏色混合的狀態被投射 成爲一個重疊的影像以一種微觀的本質。 ^ 裝-- (請先閱讀背面之注意事項本頁)

、1T 線 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -9- 504597 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（7 ) 還有，當上述之活性矩陣基底的表面變爲平坦時，則 垂直校準層可被穩定地形成而其液晶顯示裝置可被建構以 高對比。 還有，垂直校準薄膜可被形成以多層的結構，其中在 一基礎金屬電極層上之一層是對於基礎金屬電極層具有高 接合度及高潮溼能力的一層，並且其中與液晶接觸之最外 表面層具有低的表面能量。此結構容許具有高可靠度但具 有極小剝除層之D A P模式的液晶板的形式，其中液晶之 校準是垂直的，並且其中事先傾斜之角度是均勻的。 圖示簡單說明 圖1 A，圖1 B及圖1 C是總結構圖以顯示依據本發 明之一種投射型液晶顯不裝置之一種光系統的一個實施例 贅 圖2A，圖2 B及圖2 C是使用於依據本發明之投射 型式液晶顯示裝置之光系統中的分色鏡的光譜反射特性圖 9 圖3是依據本發明之投射型式液晶顯示裝置之光系統 中之一顏色分離/照射部分的一個透視圖； 圖4是一個斷面圖以顯示依據本發明之一液晶板的~ 個第一實施例； 圖5 A，圖5 B及圖5 C是說明的圖形以解釋依據本 發明之液晶板中之顏色分離與顏色合成的原理； 圖6是依據本發明之第一個實施例中之液晶板的一個 (請先閱讀背面之注意事項本頁) •裝'

、1T 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ^04597 A7 _____B7 五、發明説明（8 ) 部分放大的，頂部平面圖； 圖7是一個部分的結構圖以顯示依據本發明之投射型 式液晶顯示裝置的一個投射光系統； 圖8是一個方塊圖以顯示依據本發明之投射型式液晶 顯示裝置的一個驅動電路系統； 圖9是依據本發明之投射型式液晶顯示裝置中之螢幕 上的一個投射影像的一個部分放大圖； 圖1 0是依據本發明之第一實施例之液晶板的另一形 式的一個部分放大的，頂部平面圖； 圖1 1是液晶板的一個斷面圖以顯示本發明的第一個 實施例； 圖1 2是液晶板附近之周邊驅動電路的一個方塊圖以 顯示本發明的第一個實施例； 圖1 3是傳統微透鏡結合之傳輸型式液晶板的一個部 分放的，斷面圖； 圖1 4是使用微透鏡結合傳輸型式之液晶板之傳統投 射型式液晶顯示裝置中的螢幕上之一投射影像的一個部分 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) •裝-

、1T 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 介 中 例 施 實 個1 第 之 明 發 本 示 顯·’ 以係 形關 圖的 個間 _ 之 是比 5 對 ; τ—與 圖圖驟 大步 放於 第 的 明 發 本 示 顯 以 圖 面 斷 個1 的 板 晶 液 個 T 是·’ 6 例 1施 圖 實 個 二 第 的 明 發 本 示 顯 以 圖 面 斷 個1 的 板 晶 液 個 - 是 ·’ 7 例 1 施 圖 實 個 三 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -11 - 504597 Α7 Β7 五、發明説明（9 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項^^馬本頁} •裝 訂 線 圖1 8是一個基礎基底 第四個實施例； 圖1 9是一個液晶板的 四個實施例； 圖2 0是液晶板周圍之 本發明的第四個實施例； 圖 21A，圖 21B， 2 1 E是斷面圖以顯示液晶 圖22F ，圖22G及 顯示裝置的生產步驟。 主要元件對照表 13 0 1 13 0 2 13 0 3 13 4 0 13 4 1 13 4 2 13 4 3 13 5 0 13 5 1 13 0 6 13 0 7 13 0 8 的一個斷面圖以顯不本發明白勺 一個斷面圖以顯示本發明的第 驅動電路的一個方塊圖以顯示 圖2 1C，圖2 1D，及圖 顯示裝置的生產步驟；以及 圖2 2 Η是斷面圖以顯示液晶 投射透鏡 液晶板 偏光光束分裂器 紅光反射分光鏡 藍及綠光反射分光鏡 藍光反射分光鏡 高度反射鏡 菲涅耳透鏡 凸透鏡 桿型式積分器 橢圓形反射器 弧光燈 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X297公釐）-12 - 504597 A7 B7 五、發明説明（10) 13 2 1 13 2 2 13 2 3 13 2 4 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 13 2 6 13 2 7 13 2 8 12 5 2 13 2 9 13 0 9 13 10 13 11 13 12 13 13 13 14 13 15 2〇1 2 0 2 2 0 3 2 0 5 2 0 7 2 1〇 2 18 微透鏡基底 微透鏡 玻璃薄片 透明的相反電極 D A P模式的液晶層 像素電極 活性的矩陣驅動電路區域 矽半導體基底 周邊的接合部分 R，G及B像素之組成 營幕 面板驅動器 解碼器 介面 控制器 光電路 電源電路 半導體基底 場氧化物薄膜 P型及η型井 閘區域 漏極或來源區域 來源電極 漏電極 (請先閱讀背面之注意事項ν •裝-- 專馬本頁) 、1Τ 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -- 504597 A7 B7 五、發明説明（11 ) 2 13 2 2 0 2 0 8 2 14 1 1 1 〇，1 1 1 1 2 15 2 16 2 17 2 19 2 2 2 1112 1113 1 2 1，1 2 2 12 3 124-129,1210,1211 1 2 1 2 〜1 2 2 3 1 2 2 4 〜1 2 3 5 12 3 6 12 3 7 12 3 8 1 239,1 240,1 24 1 1 2 4 2 〜1 2 4 5 2 8 2 7 像素電極 屏蔽層 絕緣層 D A P模式之液晶材料 垂直校準層 共同透明基底 共同電極基底 高度集中的雜質區域 顯示區域 周邊區域 微透鏡 玻璃薄片 水平的移置記錄器 垂直的移置記錄器 視訊線 取樣Μ〇S電晶體 信號線 轉換Μ〇S電晶體 液晶 額外的電容 驅動線 輸出線 半導體基底 活性的矩陣基底電極 (請先閱讀背面之注意事項ν 裝-- 澤馬本頁) 、1Τ 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） _ - 504597 A7 B7 五、發明説明（12 ) 4 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 2 6 2 1 2 4 2 3 2 2 15 2 4 〇 1，4 0 2 10 1 10 5 10 6 10 8 l〇8a，l〇8b 6〇1 6 0 2 1〇9 6 0 5 5 0 8 2 0 0 2 1，2 1 > 2 2，2 2 / 2 3，2 3 > 2 2 5 2 2 6 像素電極 液晶 相反的透明電極 玻璃薄片 微透鏡 水平的校準薄膜 垂直的校準薄膜 垂直的校準薄膜 玻璃基底 氧化物薄膜 閘電極 線層 像素電極 間層絕緣器 不透明金屬 絕緣薄膜 絕緣薄膜 像素電極層 液晶板 微透鏡基底 微透鏡 玻璃薄片 D A P液晶層 透明的像素電極層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ 15 _ 504597 A7 五、發明説明（13 ) 活性的矩陣驅動電路 偏光器 視訊線 鬧線 轉換T F T s (請先閱讀背面之注意事項^^寫本頁) 2 2 7 4 6，4 7 30 1,302,303 3 10 3 2 1 〜3 2 3 較佳實施例的詳細說明 〔實施例1〕 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Η 1 A至1 C是使用本發明之液晶顯示裝置之一前及 後投射型式液晶顯示裝置的一種光系統的結構圖。圖1 A 是光系統的一個頂部平面圖，圖1 B是其一個前面上昇， 而圖1 C是其一個側面圖。在這些圖形中，參考數字 1 3 0 1指示一個投射透鏡以投射一影像至一螢幕上， 1302是具有微透鏡的一個液晶板，1303是一個偏 光光束分裂器（PBS) ，1 340是一個R (紅光）反 射分光鏡，1341是一個B/G (藍及綠光）反射分光 鏡’ 1 342是一個B (藍光）反射分光鏡，1 343是 一固高度的反射鏡以反射所有顏色的光，1 3 5 0是一個 菲涅耳透鏡，1351是一個凸透鏡，1306是一個桿 型式積分器，1307是一個橢圓形反射器，而1308 是一個弧光燈，例如一個金屬鹵素燈或U Η P。 這裡，R (紅光）反射分光鏡1 3 4 0，B / G (藍 及綠光）反射分光鏡1 3 4 1，及Β (藍光）反射分光鏡 1342具有如那些圖2C，圖2Β，及圖2Α中所顯示 本紙張尺度適用中國國家標皁（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -16 - 504597 A 7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（14) 之此種個別的光譜反射特性。這些分光鏡’連同高度的反 射鏡1 3 4 3，被排列以一個三維的基礎，如圖3之透視 圖中所顯示，並且它們執行如在下文中所詳述之白色照射 光的顏色分離爲R，G，與B的顏色光束，並且使得主要 顏色的每個光束照射三維空間中之三個不同方向上的液晶 板 1 3 0 2。 光系統之操作將延著光束之前進程序來被說明。首先 ，發射自光源的燈1 3 0 8的光是白色光而橢圓形反射器 1 3 0 7聚集配置於其前方之積分器1 3 0 6之入口處的 白色光。當其光隨著此積分器1 3 0 6中之重複反射而前 進時，則光束之空間強度分布是均勻的。然後出射自積分 器1 3 0 6之光束藉由凸透鏡1 3 5 1及菲涅耳透鏡 1 3 5 0而被轉換爲一個平行於X軸之負向的光束（相關 於圖1B之前面上昇中的參考））。然後其平行光束首先 達到B反射分光鏡1 3 4 2。此B反射分光鏡1 3 4 2只 反射B光（藍光）並且其B光被指引以相關於z軸之一預 定的角度在Z軸之負向上或者向下（相關於圖1 B之前面 上昇中的參考）朝R反射分光鏡1 3 4 〇。 此外，除了 B光之外之顏色的光束（即，R / G光束 )傳輸通過此B反射分光鏡1 3 4 2並且接著藉由高度的 反射鏡1 3 4 3被反射以直角於z軸的負向上（向下）來 同時市向R反射分光鏡1 3 4 0。在此參考圖1 B之前面 上昇，其B反射分光鏡1 3 4 2及高度的反射鏡1 3 4 3 被排列以致反射來自積分器1 3 0 6的光束（沿著X軸的 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) |裝· 本 :ν5 線 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -17- 504597 A7 B7 五、發明説明（15) 負向）至z軸的負向（向下），並且高度的反射鏡 1 3 4 3被傾斜以剛好4 5 °至y軸方向之旋轉軸周圍的 X - y平面。相對地，其B反射分光鏡1 3 4 2同時被設 定以一個小於4 5 °之角度相關於y軸方向之旋轉周圍的 X — y平面。 因此，由高度反射鏡1 3 4 3所反射之R / G光被反 射以直角至z軸的負向，然而由B反射分光鏡1 3 4 2反 射的B光傳輸向下以相關於z軸之預定的角度（以一個傾 斜於X - z平面上）。在此，高度反射鏡1 343與B反 射分光鏡1 3 4 2之移置量及傾斜量被選擇以致個別顏色 光束之主要光線彼此交叉於液晶板1 3 0 2上以等化液晶 板1 3 0 2上之B光及R/G光的照射區域。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 然後如上述傳輸向下（於z軸之負方向）之R/G/ B光束傳輸朝向R反射分光鏡1 3 4 0及B/G反射分光 鏡1341。這些被放置於B反射分光鏡1342及高度 反射鏡1 3 4 3之下。首先，B/G反射分光鏡1 3 4 1 被排列以一個4 5 °之傾斜相關於X軸方向之旋轉軸周圍 的X - z平面。R反射分光鏡i 3 4 0也被設置以一個小 於4 5 °之角度相關於X軸方向之旋轉軸周圍的X 一 z平 面。 於是’於入射至這些之R/G/B光束中，B/G光 首先傳輸通過R反射分光鏡1 3 4 0且之後藉由B/G反 射分光鏡1 3 4 1而被反射以直角至y軸之正向。然後B / G光被偏光通過p b S 1 3 0 3並且接著照射水平地位 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 504597 A7 B7 五、發明説明（16) 於X — z平面上的液晶板1 3 ◦ 2。於B / G光束中，其 B光是傳輸以如前述（見圖1 A及圖1 B )之相關於X軸 的預定的角度（以X — z平面中之傾斜），並且，因此， 它保持了相關於y軸之預定的角度（X - y平面中之傾斜 )在由B/G反射分光鏡1 3 4 1所反射之後，然後B光 照射液晶板1 3 0 2以如同一個入射角之角度（以X — y_ 平面上之一方向）。 G光藉由B/G反射分光鏡1 3 4 1而被反射以直角 來傳輸於y軸的正向上；並且接著被偏光通過P B S 1 3 0 3。之後，G光照射液晶板1 3 0 2以0 °之入射 角，即，垂直地。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 R光藉由如前述放置於B/G反射分光鏡1 3 4 1之 前的R反射分光鏡來被反射至y軸之正向，但R光傳輸以 相關於如圖1 C (側面圖）所顯示之y軸正向上之y軸的 預定的角度（以y - Z平面中之傾斜），並且被偏光通過 P B S 1 3 0 3。之後，R光照射液晶板1 3 0 2以對於 y軸之此角度，成爲一個入射角（於y — z平面上之一方 向）。B/G反射分光鏡1 34 1與R反射分光鏡 1 3 4 0之移置量及傾斜量被選擇以致個別顏色光束之主 要光線彼此交叉於液晶板1 3 0 2上以等化液晶板 1 3 0 2上之R，G，B顏色光束的照射區域，以如上述 之相同的方式。 還有，B反射分光鏡1341之切削波長爲480 nm，如圖2A中所顯示，B/G反射分光鏡1341之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -19 - 504597 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（17 ) 切削波長爲5 7 0 nm，如圖2 B中所顯示，而R反射分 光鏡1 3 4 0之切削波長爲6 0 0 nm，如圖2 C中所顯 示；於是，不需要的橘光傳輸通過G反射分光鏡 1 3 4 1以被摒除。如此達成了最佳的顏色平衡。 如下文中所敘述，每個R，G，B光束經歷液晶板 1 3 0 2中之反射及偏光調變並接著返回PB S 1 3 0 3‘ 。由PBS13 0 3之之PBS表面1303a所反射於 X軸正向上的光束組成影像光，其被放大且投射通過投射 透鏡1 3 0 1至螢幕上（未顯示）。偶而，照射液晶板 1302之R，G，B光束具有互相不同的入射角，以致 其所反射的R，G，B光束具有不同的出射角。此處所使 用之投射透鏡1 3 0 1是具有足夠透鏡直徑及孔徑以捕取 所有這些光束的一種透鏡。然而，注意到其入射至投射透 鏡1 3 0 1之光束的傾斜是相當平行的，如同每個顏色光 束傳輸兩次通過微透鏡，並且它們因而保持了入射至液晶 板1 3 0 2之光的傾斜。 在如圖1 3中所顯示之傳統範例之傳輸型式板的狀況 中，出射自液晶板的光束會發散得較大，因爲微透鏡之收 斂動作的加入，且因此用以捕取這些光束之投射透鏡必須 具有一個較大的額定孔徑。其投射透鏡因此爲一種昂貴的 透鏡。相對地，於本實施例中來自液晶板1 3 0 2之光束 的分散是相當小的，如上所述，以致一個足夠光亮的投射 影像可被保持於螢幕上，即使藉由一個具有一較小額定孔 徑之投射透鏡。於是，本實施例容許一種較便宜之投射透 (請先閱讀背面之注意事項本頁) .裝· 丨訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） _ 20 _ 504597 A7 B7 五、發明説明（18) 鏡的使用。應用本實施例至線條型式之顯示方法的範例， 其中如圖1 4中所顯示相同的顏色被校準於垂直方向上， 是可能的，但此種顯示方法於具有微透鏡之液晶板的狀況 下不是較佳的，如下文中將被討論。 接下來描述的是此處所使用之本發明的液晶板 1 3 0 2。圖4是液晶板1 3 0 2之一放大的橫斷面的一 個槪圖（相應於圖1A至1C之y — z平面）。在圖形中 ，數字1321代表一個微透鏡基底，1322代表微透 鏡，1 323代表一個玻璃薄片，1 324代表一個透明 的相反電極，1 3 2 5代表一個D A P模式的液晶層， 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 1 3 2 6代表像素電極，1 3 2 7代表一個活性的矩陣驅 動電路區域，而1 3 2 8代表一個矽半導體基底。數字 1 2 5 2表示一個周邊的接合部分。此處，本實施例中之 r，G與B像素被結合於一塊板子中並且一個像素的尺寸 是小的。因此，孔徑比率之增加是顯著的，並且存在有反 射的電極於收斂光之區域中。微透鏡1 3 2 2藉由所謂的 離子交換方法而被形成玻璃基底（鹼性玻璃）之表面上， 並且被排列以二維之陣列結構在相等於像素電極1 3 2 6 之兩倍間距的間距上。 還有，液晶層1 3 2 5利用採用於反射型式之所謂 D A P模式的向列式液晶並且藉由未顯示之校準層而被保 持於預定的校準（其將被說明於下文中）。像素電極 1 3 2 6由鋁所製造並且同時被當作一個反射器。爲了藉 由表面性質中之改良來增加反射率，其像素電極表面之所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ 21 - 504597 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（19) 謂的C Μ P處理被執行於成型之後的最後步驟中（其細節 將被說明於下文中）。 活性的矩陣驅動電路區域1 3 2 7是一種提供於所謂 矽半導體基底1 3 2 8之上的半導體電路區域，並且驅動 上述之像素電極1 3 2 6以活性的矩陣驅動方式。於電路 矩陣之周邊部分，有提供未顯示之閘線驅動器（重直記錄· 器等等）以及信號線驅動器（水平記錄器等等）（其細節 將被說明於下文中）。這些周邊的驅動器及活性的矩陣驅 動電路被建構以個別寫入R，G及Β之個別主要顏色的影 像信號至預定的R，G，Β像素。每個像素電極1 3 2 6 並不具有一個顏色過濾器，但它們藉由活性的矩陣驅動電 路所寫入之主要顏色影像信號來被辨別爲R，G，Β像素 ，因此形成預定陣列之R，G，Β像素，說明於下文中。 現在讓我們檢視照射液晶板1 3 0 2之G光束。如以 上之說明，其G光束由PB S 1 3 0 3所偏光並且接著被 垂直地入射至液晶板1 3 0 2。於G光之光線中，入射至 一微透鏡1 3 2 2 a之光線的一個範例被顯示以圖形中之 箭號G (進/出）。如此處所顯示，G光線被微透鏡 1 3 2 2所聚集以照射G像素電極1 3 2 6 g。然後光線 被鋁的像素電極1 3 2 6 g所反射並且再次傳輸通過相同 的微透鏡1 3 2 2 a以離開其板。由於G光線以此方式傳 輸以進去且返回通過液晶層1 3 2 5，故G光線（偏光的 光）經歷調變，因爲由施加於像素電極1 3 2 6 g之信號 電壓所建立於像素電極1 3 2 6 g與相反電極1 3 2 4之 (請先閲讀背面之注意事項再IPr本頁)

-訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） _ 22 - 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 504597 A7 B7 五、發明説明（20) 間的一個電場所引發之液晶的動作。然後G光線離開液晶 板並返回PBS 1 303 。 因爲由P B S表面1 3 0 3 a所反射及傳輸朝向投射 透鏡1 3 0 1之光的是依據調變的程度而改變’故每個像 素之所謂的密度分級顯示因而被達成。另外，關於如上述 之圖4的橫斷面中（於y — z平面中）之入射於傾斜方向 上的R光，讓我們集中注意於R光線，其也被P B S 1 3 0 3所偏光且之後進入，例如，微透鏡1 3 2 2 b。 如圖形中之箭號R (進）所指示，其光線由微透鏡 1322b所聚集並且接著照射R像素電極1326r ， 其位於移置自緊接微透鏡1 3 2 2 b之下的位置的一個位 置上。然後光線由像素電極1 3 2 6 r所反射，而接著此 次傳輸通過微透鏡1 3 2 2b之後的微透鏡1 3 2 2 a ( 於負的z方向），如所顯示，以離開其板（R (出））。 於此狀況下，R光線（偏光的光）也經歷調變，因爲 由施加於像素電極1 3 2 6 r之信號電壓所建立介於像素 電極1 3 2 6 r與相反電極1 3 2 4之間依據一影像信號 之一電場所引發之液晶的動作，然後離開液晶板，且返回 P B S 1 3 0 3。於接續的程序中，影像光以如同上述G 光之狀況中的相同方式來被投射自投射透鏡1 3 0 1。偶 而，在圖4之圖示中，其G光與R光出現重疊與彼此干擾 於像素電極1 3 2 6 g之上以及於像素電極1 3 2 6 r之 上，但此狀況乃導致自槪圖中之液晶層之厚度的放大及強 調的圖不；此種干擾實際上不會發生而無關像素的尺寸， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） · 23 - (請先閱讀背面之注意事項再_舄本頁) 裝- •、v'口 504597 A7 B7__ 五、發明説明（21 ) 因爲液晶層之實際厚度爲1至5 # m，其甚小於玻璃薄片 1323 之 50 至 100//m° 接下來，圖5 A至5 C爲解釋的圖形以顯示本實例中 之顏色分離與顏色合成的原則。圖5 A是液晶板1 3 0 2 之一槪要的頂部平面圖，而圖5 B及圖5 C個別爲液晶板 之槪要頂部平面圖沿著5 B — 5 B (於X方向）及沿著 5C - 5C (於z方向）的槪要斷面圖。此處，每個微透 鏡1 3 2 2相應於覆蓋一個G光之像素與鄰接至其任一邊 上之兩個顏色像素的一半，而因此相應於總共三個像素， 如圖5 A中由鏈線所指示。圖5 C相應於上述之圖4以顯 示y — z橫斷面，其顯示入射至每個微透鏡1 3 2 2之G 光與R光的入射及出射的狀態。如自此圖形所見，每個G 像素電極被置於直接在每個透鏡的中心之下而每個R像素 電極直接在介於透鏡之間的邊緣之下。其於是爲較佳的因 爲R光之入射角被設置以致其t a η 0可變爲等於像素間 距（Β & R像素的）相對於微透鏡與像素電極之間距離的 一個比率。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 另外，圖5 Β相應於液晶板1 3 0 2之一個X — y橫 斷面。於此X - y橫斷面中，其B像素電極與G像素電極 被排列以一個交替的方式，如圖5 C中，且每個G像素電 極被置於直接在每個微透鏡的中心之下而每個B像素電極 被置於直接在介於微透鏡之間的邊緣之下。 偶而，用以照射液晶板之B光被P B S 1 3 0 3所偏 光且之後進入液晶板以如前述之圖1 A之橫斷面（於X - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ 24 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 504597 A7 B7 五、發明説明（22) y平面中）之傾斜的方向，以致，以如R光之狀況中的相 同方式，其入射至每個微透鏡1 3 2 2之B光線由B像素 電極1 3 2 6 b所反射，如其顯示，且接著被射出自鄰接 在X方向上之入射微透鏡1 3 2 2的微透鏡1 3 2 2。由 液晶於B像素電極1 3 2 6 b上之調變以及自液晶板之b 出射光的投射基本上是相同於上述之那些G光與R光。 每個B像素電極1 3 2 6 b被置於直接在介於微透鏡 之間的邊緣之下並且同時較佳的是其B光入射至液晶板的 角度被設置以致其t a η 0可變爲等於像素間距（G & B 像素的）對於微透鏡與像素電極之間距離的比率，如同R 光的狀況。偶而，本範例之液晶板具有如上述之R，G， Β像素的陣列，明確地以R G R G R G……之序列於ζ方 向以及B G B G B G……之序列於X方向，而圖5 Α顯示 平面圖上的陣列。如其說明，每個像素之尺寸大約爲微透 鏡的一半於垂直方向以及水平方向上，而像素間距爲其微 透鏡的一半於X及ζ方向上。還有，G像素被置於直接在 微透鏡的中心之下如同於平面圖中，R像素被置於G像素 之間並且在ζ方向中介於微透鏡之間的邊緣上，而β像素 被置於G像素之間並且在X方向中介於微透鏡之間的邊緣 上。一個微透鏡單元的形狀是方形的（每個像素之尺寸的 兩倍）。 圖6是本液晶板之一個部分放大的，頂部平面圖。於 圖形中，每個由虛線所指示之方塊1 3 2 9代表組成一個 圖形元素之R，G與B像素的一個組成。此表示當r , g 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -25， (請先閱讀背面之注意事項再^一馬本頁) ——裝. 太 ·訂 504597 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（23) 及B像素由圖4之活性的矩陣驅動電路區域1 3 2 7 m _ 動，則由一虛線方塊1 3 2 9所指示之每個R G B像素單 元被相應於一個共同像素位置之R，G，B影像信號所驅 動。 讓我們在此集中注意於由R像素電極1 3 2 e I* ，（5 像素電極1 3 2 6 g，以及B像素電極1 3 2 6 b所組成· 的一個圖形元素。首先，r像素電極1 3 2 6 r被照射以 傾斜地入射自微透鏡1 3 2 2 b的R光，如箭號r 1所指 示且如先前所說明。其R反射光被射出通過微透鏡 1322a，如箭號r2所指示。B像素電極1326b 被照射以傾斜地入射自微透鏡1 3 2 2 c的B光，如箭號 b 1所指示且如先前所說明。其B反射光地被射出通過微 透鏡1 3 2 2 a，如前號b 2所指示。G像素電極 1 3 2 6 g被照射以垂直地（於進人圖形之平面的方向上 )入射自微透鏡1 3 2 2 a的G光，如進入/離開箭號 g 1 2所指示且如先前所說明。G反射光也被垂直地（於 離開自圖形之平面的方向上）射出通過相同的微透鏡 1 3 2 2 a ° 如其說明，於本液晶板中，個別主要顏色照射光束之 入射照射位置在由一個圖形元素所組成之每個R G B像素 單元中是彼此不同的，但自其出射之光束傳輸通過相同的 微透鏡（1 3 2 2 a於此狀況中）。此亦適用於所有其他 的圖形元素（R，G，B像素單元）。

當整個自本液晶板出射的光被投射通過P s B 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26 - (請先閱讀背面之注意事項再本頁) —裝· 本 ·,訂 504597 A7 B7 五、發明説明（24) 1 3 0 3及投射透鏡13 0 1至螢幕1 3 0 9上時且當光 之調節被達成以致液晶板1 3 0 2中之微透鏡1 3 2 2的 位置被映像且投射至螢幕1 3 0 9上如圖7中所顯示時， 則投射之影像被組成以圖形元素的成分單元，其每個均以 來自由每個圖形元素所組成之R，G，B像素單元的出射 光束的一種混合顏色狀態，即，以如圖9中所顯示之微透’ 鏡之格子型態中之個別像素中之顏色的一種混合狀態。因 此，具有高品質之良好的彩色影像顯示可被達成而無需如 前述之圖1 4之傳統範例中所謂的R G B馬賽克型態。 接下來，如圖4中所顯示，活性的矩陣驅動電路區域 1 3 2 7存在於像素電極1 3 2 6之下。由一個圖形元素 所組成之R，G及B像素被簡單地描述以水平的排列於圖 4之電路斷面圖之上，但個別之像素F E T的漏極被連接 至如圖2 0中所顯示之二維陣列的相應的R，g，B像素 電極2 2 6。

經濟部中央標隼局員工消費合作社印$L 附帶地，本投射型式液晶顯示裝置之驅動電路系統的 總方塊圖被顯示於圖8中。數字1 3 1 0代表一個面板驅 動器’其轉換R ’ G ’ B視訊信號的極性，其形成由預定 之電壓放大所放大的液晶驅動信號，並且其形成相反電極 1 3 2 4之驅動信號’不同的時序信號，等等。數字 1 3 1 2是一個介面，其解碼不同的視訊及控制傳輸信號 爲標圣的視訊信號及其同類。 數字1 3 1 1代表一個解碼器，其解碼並轉換來自介 面1 3 1 2之標準的視訊信號爲r，g，B主要顏色視訊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210x 297公釐） -27 · 504597 A7 B7 五、發明説明（25) 信號及合成信號，即，成爲相應於液晶板1 3 0 2的影像 信號。數字1 3 1 4指示一光電路做爲一鎭流器，其啓動 一橢圓形反射器1 3 0 7中之一弧光燈1 3 0 8。數字 1 3 1 5是一個電力供應電路’其供應電力至每個電路區 塊。數字1313指定包含一未顯示之控制區域的一個控 制器，其完全控制每個上述的電路區塊。如其所述，本投· 射型式液晶顯示裝置具有驅動電路系統，其爲用於單一板 之投射器的一種非常受觀迎的系統，它可顯示一種彩色影 像，其具有良好品質但沒有如前述之R G B馬賽克，尤其 沒有施加於驅動電路系統之上的負載。 經濟部中央標举局員工消費合作社印製 圖1 0爲本實施例中之液晶板之另一形式的一個部分 放大的，頂部平面圖。於此例中，B像素電極被排列於直 接在微透鏡1 3 2 2的中心之下的位置上，G像素 1 3 2 6 g被排以交替地且水平地相關於B像素 1 3 2 6 b，而1 R像素1 3 2 6 r被排列以交替地且垂 直地相關於B像素1 3 2 6 b。此陣列亦可達成如先前範 例之相同的效果，藉由利用此一結構，其B光被垂直地入 射而R，G光被傾斜地入射（以相同的角度但不同的方向 )以射出反射光自由一圖形元素所組成的R，G，B像素 單元，透射一個共同的微透鏡。還有另一範例是如此的， 其R像素被排列於直接在微透鏡1 3 2 2的中心之下的位 置上，而其他的顏色像素，G與B像素，被交替排列以水 平地或垂直地相關於R像素。 接下來詳細描述的是像素電極1 3 2 6以及用以主動 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -28 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 504597 A7 ____B7 五、發明説明（26 ) 地驅動它們的活性矩陣驅動電路區域1 3 2 7，其被提供 於矽半導體基底1 3 2 8之上。 〔實施例2〕 本發明之第二實施例將參考圖形而被詳細地描述。圖 1 1是一說明圖形以解釋使用於本發明中的基礎基底。此· 基底2 0 1是由一種p型的半導體所組成且其基底是於操 作期間的最低電位（通常是地電位）。供應至像素的電壓 被置於顯示區域中的η型井上，另外，邏輯驅動電壓被供 應至周邊電路的邏輯部分。此結構容許最佳的裝置被依據 個別的電壓來建構，並且不只可實現晶片尺寸的減少，同 時還可實現根據驅動速度之增加的高像素密度的顯示。 於圖1 1中，參考數字2 0 1指示一個半導體基底， 2 0 2指示一場氧化物薄膜，例如L〇C〇S，2 0 3指 示Ρ型及η型井，205指示閘區域，207指示漏極或 來源區域，2 1 0指示連接至個別資料線的來源電極， 2 1 8指示連接至個別像素電極的漏電極，而2 1 3指示 同樣當作反射電極的像素電極。 數字2 2 0代表覆蓋顯示區域及周邊區域之一屏蔽層 ，其中Ti ，丁丨^^，貿，！^〇，或其同類均可適用。如 自圖1 1中所見，其屏蔽層2 2 0覆蓋除了介於像素電極 2 1 3與源電極2 1 0之間的連接部分之外的顯示區域。 屏蔽層被如此設計於周邊像素區域中以致屏蔽層2 2 0被 移除自其布線電容很大的區域，例如某些視訊線、時鐘線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） -29 - (請先閱讀背面之注意事項再本頁) •裝 504597 A7 B7 經濟部中央標率局員工消費合作社印¾ 五、發明説明（27) ，等等。然而，在其無屏蔽層2 2 0之部分中的照射光之 入射導致一錯誤操作的一個區域上，其像素電極層被覆蓋 了，因此企圖獲取可以高速傳輸信號的一種方法。 此外，數字2 0 8指示位於屏蔽層2 2 0之下的一個 絕緣層，其絕緣層2 0 8之穩定性是藉由以S 0 G來執行 一平坦化程序於一個P — S i〇覆之上以及進一步以一個’ P - S i 0層來覆蓋其層。無須提及的，除了以SOG來 平坦化之外，其絕緣層之形成可藉由一種方法以形成一個 P—TE〇S薄膜，以P—SiO覆蓋之，且之後以cm p程序來平坦化其絕緣層。 數宇2 2 1指示一個提供於反射電極2 1 3與屏蔽層 2 2 0之間的絕緣層，而每個反射電極之一充電儲存電容 器是透過此絕緣層所產生的。爲了產生一個大的電容器， 利用具有筒電容率之P — S i N，T a2〇5，或S i〇2 之一多層薄膜，除了 S i〇2以外，是很有效率的。一個較 佳的厚度範圍是大約500至50000A，藉由提供絕 緣層於Ti ，TiN，Mo，或W或其同類之平坦金屬上 而成爲屏蔽層。 數字2 1 4代表D A P模式之一液晶材料，1 1 1 〇 ，1 1 1 1代表垂直的校準層，2 1 5代表一共同的透明 電極，2 1 6代表一共同的電極基底（相反的電極）， 2 1 7代表高度集中的雜質區域，2 1 9代表顯示區域， 2 2 2代表周邊區域，而1 1 1 2代表微透鏡。數字 1 1 1 3代表一玻璃薄片。 張尺度適元中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210、/ 297公^ 「30 - ' (請先閱讀背面之注意事項再^^本頁)

.,訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 504597 A7 B7 五、發明説明（28) 於圖1 1中，每個形成於電晶體之下與相關之井相同 極性的高度集中雜質區域被製造於井2 0 3之周圍及內部 ，而井電位藉由低電阻層而被固定於所要的電位。一種製 造液晶板之方法將參考圖2 1 A至2 1 E及圖2 2 F至 22H而被說明。圖21A至21B及圖22F至22H 顯示活性矩陣基底之製造步驟及液晶裝置之斷面圖。本實 施例將逐步地被詳細說明。圖2 1 A至2 1 E及圖2 2 F 至2 Η顯示像素部分及，同時爲像素部分之形成的步驟， 用以驅動像素部分中之轉換電晶體的周邊驅動電路，例如 移置記錄器，也可被製造於相同的基底之上。 具有不超過1 0—5 cm — 3之雜質集中的ρ型矽半導體 基底2 0 1被局部地熱氧化以形成LOCOS 2 0 2並且 ，以L〇C〇S 2 0 2當作一屏蔽，硼之離子以大約 1012cm_2之份量被注入以形成PWU2 0 3，其代表 具有1 016cm — 3至1 017cm_3之雜質集中的η型雜 質區域。同樣地，N W L區域被形成以磷之雜子注入（雖 外顯示）。此基底201再次被熱氧化以形成具有不超過 1 0 0 0 Α之氧化物薄膜厚度的閘氧化物薄膜2 0 4 (圖 2 1 A )。 此外，由塗抹以大約1 0 2。c m — 3之磷的η型矽所製 造的閘電極2 0 5被形成且之後磷或硼之離子以大約 1 012cm — 2之份量被注入至基底2 0 1以形成NLD 206 (或PLD)其代表具有大約1016cm — 3之雜質 集中的η型或p型的雜質區域。接著，使用一成形的光阻 r^-- (請先閱讀背面之注意事項再^馬本頁) I- 丨^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） -31 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 504597 A7 B7 五、發明説明（29 ) 當作一屏蔽，磷或硼之雜子以大約1 0 1 5 C m — 2之份量被 注入以形成具有大約1 0 1 9 c m — 3之雜質集中的來源及漏 極區域2〇7，207’ （圖21B)。 PSG208，其爲一間層薄膜’被形成於基底20 1之整個表面上。此PSG208可被取代以NSG (未 塗抹的矽玻璃）/ B P S G (硼磷矽玻璃）或T E〇S (’ 四乙氧基矽烷）。P S G 2 0 8被模製以形成接觸洞直接 在來源與漏極區域2 0 7，2 0 7 /之上，鋁藉由濺射來 蒸發，而之後鋁層被模製以形成鋁電極2 0 9 (圖2 1 C )。爲了改良具有來源與漏極區域207，207 /之鋁 電極2 0 9的歐姆接解特性，一種例如T i / T i N之阻 擋層金屬被理想地置於鋁電極2 0 9與來源/漏極區域 2〇7 ， 2〇7 /之間。 電漿S i N2 1 0被澱積以大約3 0 0 0 A之厚度於 基底2 0 1的整個表面上並且接著P S G 2 1 1被澱積以 大約10〇〇0A之厚度於其上（圖21D)。 使用電漿S i N 2 1 0當作一乾式的蝕刻阻斷層，其 P S G 2 1 1被模製以單只留下介於像素之間的區域並且 接著電漿S i N 2 1 0藉由乾式触刻而被模製以形成，透 過直接在鋁電極2 0 9之上而與漏極區域2 0 7 —接觸的 洞 2 1 2 (圖 2 1 E )。 然後一像素電極層2 1 3被澱積以不超過1 〇 〇 〇 〇 A之厚度於基底2 0 1之上，藉由濺射或E B (電子光束 )蒸發（圖22F)。此像素電極層213爲一種A1 ， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X 297公釐)I 32 - " ' ~ (請先閲讀背面之注意事項再本頁)

•訂 504597 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _B7_五、發明説明（3〇) Ti ，Ta ，W，或其同類之金屬薄膜’或這些金屬之任 一複合物的一種複合薄膜。 一種用以形成像素電極的方法將被說明於下。像素電 極2 1 3藉由濺射以形成一 T i N薄膜於基底2 0 1之整 個表面之上而被製造。於其薄膜上，一種厶丨，六1一 Si，Al_Cu，Al-Si - Cu’Ti，Ta，W· 或Μ 〇或其同類之金屬薄膜被進一步形成以4 0 0至 5 0 0 °C的高溫。沒有任何特定的限制於其材料上，但最 好是選擇具有高反射率及具有一優良塡充性質的材料。之 後，其基底接受一熱處理以加熱至4 0 0至5 0 0°C且帶 來其層之再流動，因此流動性被進一步加強以形成其層， 而塡充連接像素電極至基礎的洞2 1 2。T i N薄膜之一 適當厚度爲大約2〇〇〇至30〇〇A。 然後像素電極層213之表面被磨光以CMP (圖 2G)。當PSG211之厚度爲10000A而像素電 極層之厚度爲X A時，則磨光量不小於X A但小於X +1 0 0 0 0 A。 明確地，其磨光被執行以使用可取自Ebara Seisakusho 之CMP裝置EP〇—1 14，可取自Rodel Inc.之磨光布 SUPREME RN-H ( D 5 1 )，以及可取自 FU JIMI Co·之泥漿 PUNERLITE5102。 接下來說明的是一種方法以驅動使用於依據本實施例 之液晶投射器裝置中的液晶板。於圖1 2中，數字1 2 1 ’ 1 2 2指示水平的移置記錄器，1 2 3指示一垂直的移 (請先閱讀背面之注意事項再本頁)

•,、訂 % 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 504597 A7 B7 五、發明説明（31 ) 置記錄器，124至129 ，1210 ，1211指示用 於視訊信號的視訊線，1 2 1 2至1 2 2 3指示用以依據 來自水平移置記錄器之掃描脈衝來取樣視訊信號的取樣 Μ〇S電晶體，1 2 2 4至1 2 3 5指示其視訊信號被供 應通過的信號線，1 2 3 6指示每個像素部分之一轉換 Μ〇S電晶體，1 2 3 7指示插入於像素電極與共同電極 之間的液晶，而1 2 3 8指示於每個像素電極上之一額外 的電容管理器。數字1239，1240，1241代表 用於來自垂直移置記錄器1 2 3之水平掃描輸出的驅動線 ，而1 2 4 2至1 2 4 5代表用於來自水平移置記錄器 1 2 1，1 2 2之垂直掃描的輸出線。 於此電路中，其視訊信號輸入被取樣以水平移置記錄 器之垂直掃描控制信號1 2 4 2至1 2 4 5，經由取樣 MOS電晶體1 2 1 2至1 2 2 3。假設此時垂直移置記 錄器之水平掃描控制信號1 2 3 9是在一種輸出狀態中， 則像素部分之轉換Μ〇S電晶體1 2 3 6變爲開，因此取 樣信號線之一電位被寫入至像素中。 如此形成之基礎基底的表面遍及整個基底表面是平坦 的，而其不平坦爲5 0 0 Α或更少之峰谷比於區域性部分 ，其中顯示於圖6之平面圖中的一個微透鏡被形成。然後 一聚醯亞胺垂直校準薄膜（可得自Nissan Kagaku Kogyo之 S E 1 2 1 1 )被稀釋以η B (正常的乙基溶纖劑）且由 印製方法印刷於基礎基片上。預熱被執行迟8 0 °C —分鐘 而聚醯亞胺形成被執行於1 8 0 °C之溫度下一小時。然後 本^張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） .34 - (請先閱讀背面之注意事項再本頁)

•-訂 504597 A7 B7 五、發明説明（32) 磨擦被執行以2 0 // m之直徑的人造絲磨擦布。自一接解 角度所獲取之表面能量於此時爲3 5 d y n/c m。於摩 擦之後，其垂直校準層之表面是均勻的，即使於像素邊緣 部分中及通過洞的部分且無剝落被觀察到。 此外，I TO之一透明電極層被形成於相反基底上， 其透鏡陣列被形成於上，而之後相同的垂直校準薄膜被印 製方法所印製。然後磨擦被執行於反平行方向至其基礎基 底。然後基底被彼此接合，示範負介電各向異性之液晶（ 可得自MerckJapanLtd之ML C — 6 6 0 9 )被注入至它 們之間，並且它們被密接以形成使用於反射顯示裝置中之 液晶顯示板。此板被評估，藉由檢查垂直校準以一偏光顯 微鏡以及測量事先傾斜角度與對比。於本實施例中，其事 先傾斜角度爲4° ，對比爲300,而不均勻度未被發現 於像素部分中。因此，本實施例實現了高品質影像的液晶 顯示裝置。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再本頁) 此外，比較的樣本被準備當作具有2 0 0 A至1 /z m 之表面步驟於微透鏡區域中的樣本。其中聚醯亞胺垂直校 準層被印製而且磨擦被執行以如上述之相同的方式。其磨 擦條件爲那些可達成對比之最高値及滾筒之滾動率爲恆定 之1〇〇r p m 。 於圖1 5中，橫座標代表間距而縱座標代表對比。於 圖1 5中，標記X表示在磨擦後受損於垂直校準薄膜之樣 本。可看出當其間距超過5 0 0 A時，則垂直校準薄膜之 剝落於磨擦之後被觀察到而對比値也隨其減少。因此可了 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 504597 A7 B7 五、發明説明（33 ) 解其間距須爲不超過5 Ο Ο A。 〔實施例3〕 本發明之實施例3將被說明於下。圖1 6是一個圖以 顯示第三實施例。於圖1 6中，數字2 8代表一半導體基 底，2 7代表形成於半導體基底上之一活性的矩陣基底電’ 極，2 6代表相應於個別顏色的像素電極，2 1 4代表液 晶’ 2 4代表I T〇或其同類之一相反的透明電極，2 3 代表微透鏡被形成於其上之一玻璃薄片，而2 2代表微透 鏡。微透鏡2 2被形成於每三個像素電極2 6之上。 參考圖1 6，基礎基底相同於實施例1，但垂直校準 層是雙層的結構。一個第一校準薄膜1 5 1爲一水平的校 準薄膜，其被形成爲藉由旋轉方法而具有5 2 d y η/ cm之表面能量於3 Ο Ο Α之厚度的聚醯亞胺之一水平校 準薄膜。一個具有較第一層之聚醯亞胺水平校準薄膜 151爲小之表面能量的聚醯亞胺之第二垂直校準薄膜 1 5 2被形成以大約5 Ο Ο A之厚度於其上而之後第二聚 醯亞胺垂直校準薄膜1 5 2藉由磨擦方法來被磨擦。此處 所使用之磨擦布爲具有直徑2 0 // m之人造絲布。此處之 重點是其第一層聚醯亞胺水平校準薄膜1 5 1爲具有高溼 潤能力及良好接合的水平校準薄膜並且其待與液晶接觸或 用以決定液晶之校準狀態的第二層聚醯亞胺垂直校準薄膜 1 5 2爲具有較小表面能量且具有強的，垂直校準性質的 垂直校準薄膜。此結構容許具有高可靠度之垂直校準層被 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X撕公釐） -36 - (請先閱讀背面之注意事項再本頁) —裝_ 訂 504597 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（34) 形成於當穩定地控制垂直校準性時。 此外，於I T〇透電電極2 4形成於裝置以微透鏡陣 列2 2之相反基底2 3上之後，其垂直校準薄膜1 5 2及 水平校準薄膜1 5 1也被形成以如上述之相同的程序並且 其磨擦被執行於反平行的方向。然後基底被彼此接合，示 範負介電各向異性之晶體（可取自Merck Japan Ltd.之 ML C - 6 6 Ο 9 )被注入至其基底之間，並且它們被密 接以形成使用於反射液晶顯示裝置中的液晶顯示板。其所 得之板具有4 °之事先傾斜角度以及3 0 0之對比，因此 展示了良好的特性。 〔實施例4〕 本發明之實施例4將被說明。圖1 7是一個圖形以顯 示第四實施例。於圖1 7中，參考數字2 Ο 1指示一半導 體基底，2 0 7指示形成於井區域中之高集中區域的來源 區域或漏極區域，220指示一屏蔽層，2 1 3指示反射 電極，而2 1 4指示液晶層。 參考圖1 7，其基礎基底是相同於實施例1，但垂直 校準層是雙層的結構。第一垂直校準薄膜4 0 1爲具有 3 6 d y n/ c m之表面能量的聚醯亞胺之一垂直校準薄 膜（可取自 Dow Corning Toray Silicone Co.，Ltd.)，其藉 由旋轉方法而被形成以3 0 0 A之厚度。然後具有較第一 層之聚醯亞胺垂直校準薄膜爲小之表面能量的聚醯亞胺之 第二垂直校準薄膜4 0 2被形成以大約2 0 0 A之厚度於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37- (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂 504597 A7 B7 五、發明説明（35) 其上並且之後第二聚醯亞胺垂直校準薄膜4 0 2的表面被 磨擦以磨擦方法。此處所使用之摩擦布爲具有直徑2 0 # m之人造絲布。此處之重點爲其第一層是具有高溼潤能 力及良好接合之垂直校準薄膜4 0 1而其用以決定液晶之 校準狀態的第二層是具有較小表面能量且具有強垂直校準 性質的垂直校準薄膜4 0 2。此結構容許具有高可靠度之 垂直校準層被形成於當穩定地控制垂直校準性質時。 另一效應是可以增加磨擦的強度。隨著磨擦之刻痕量 的增加以及滾筒的滾動，其第二層聚醯亞胺垂直校準薄膜 被部分剝落，主要地，於間距部分。尤其，微粒（微粒小 粒子）之存在增加了剝落的頻率，但如此不會導致垂直校 準層之完全喪失。仍存在有第一垂直校準薄膜。因爲此部 分之表面能量是有一點高於其第二層，所以用以控制校準 之性能變得比其他部分多少較弱點。然而，被發現到其校 準之失序並非如此大，因爲其互作用不只在介面上，也同 時在周邊部分中。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 此外，I T 0之透明電極層被形成於微透鏡陣列所被 形成於其上的相反基底之上，而之後相同的垂直校準層被 印製以印製方法。然後磨擦被執行於其基礎基底的反平非 方向。然後基底被彼此接合，其展示負介電各向異性之液 晶（可取自MerckJapanLtd·之ML C — 6 6 0 9 )於注入 至基底之間，並且它們被密接以形成使用於反射顯示裝置 中的液晶顯示板。 其板被評估以如實施例1中之相同方式中的對比。對 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 504597 A7 B7 五、發明説明（36) 比之減少未被察覺，即使其磨擦被執行於導致磨擦之刻痕 量及滾筒之滾動爲3 0%及較以前高的力量之下。 本實施例顯示不同型式之聚醯亞胺垂直校準薄膜的範 例如第一層及第二層之垂直校準薄膜，但本發明亦關連下 列校準層。這是一個範例，其中第一層及第二層之校準薄 膜的結構於最後的型式中是相等的，但它們的形成方法是 不同的。 第一層之垂直校準薄膜將首先被說明。其聚醯亞胺基 礎的垂直校準薄膜爲可取自Nissan Kagaku Kogyo之S E 1 2 1 1。此S E 1 2 1 1被混合與η B C以1 : 2的比 率，而具有改良溼潤能力之一薄膜被形成於基礎反射電極 之上。此外，第二層被形成使用一種混合，其中S E 12 1 1之聚醯亞胺垂直校準薄膜被混合與η B C以2 : 1之比率。此時，第二薄膜被達成以不同的溼潤能力以及 較小的，穩定的表面能量。 至此我們已說明於上之範例，其中相同的結構被應用 至兩個垂直校準層於基礎基底上以及於相反的基底上，但 無需提及其沒有任可特定之限制於其結構上。其效果即使 在其中只有於任一邊上之垂直校準層爲如圖17所顯示之 多薄膜的垂直校準層的結構中仍然是很高的。 〔實施例5〕 本發明之第五實施例將參考圖1 8而被說明。本實施 例將被說明爲應用低溫ρ 0 1 y 一 s i T F Τ之一種處理 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再

訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -39- 504597 Α7 Β7 五、發明説明（37) 方法。 首先，一玻璃基底1 0 1被緩衝氧化且之後一層a〜 S i被源積以大約5 0 nm之厚度於4 2 5 °C並且取自 S i 2H6而藉由普通的L P CVD。之後，其層被多晶化 以K r F聚醯亞胺雷射。然後一個1 〇至1 〇 〇 nm厚之 氧化物薄膜1 0 5被形成爲一閘氧化物薄膜。於閘電極· 1 0 6形成之後，其來源及漏極被形成以離子摻雜方法。 雜質之活化被執行以3 0 0 °C至4 0 0 °C於一氮環境下〜 至三小時，並且在一個5 0 0 n m之絕緣薄膜形成之後， 它被模製以形成接觸洞。然後一個線層1 0 8被形成。例 如，本實施例利用T i N當作屏蔽金屬以及摻雜以0 .. 5 至2 %之矽的鋁線。用於像素電極1 0 8 a ，1 〇 8 b之 電極材料可被選擇自使用於普通半導體及T F T處理方法 中的材料，包含其他的鋁合金，W，Ta，Ti，Cu， C r，Μ 〇，或其矽化合物，等等。它們被使用於依要求 的狀況下。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 因爲本實施例容許以低溫且具有高性能之T F Τ的形 成，所以可實現區域之增加及成本之減少。低溫之 Ρ ο 1 y - S i T F Τ被說明於此，但沒有特定之限制於

其T F T。也可被計劃其高性能之Ρ ο 1 y — S i T F T 被準備以離子注入或固態相位生長方法，因此形成也包含 周邊電路的電路。其T F T不需被特別限制於高性能的 Ρ 〇 1 y — S i TFT，而可以是普通的P〇 1 y — S i T F T或a — S i T F Τ，雖然它們的性能是較低的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） · 40 - 504597 A7 B7 五、發明説明（38) 。然而，其成本藉此種TF T之使用而減少。因此，無需 提及其此種T F T不違背本發明之本質。 在電極層的模製之後，一種間層絕緣器6 0 1被進一 步形成。其接受如實施例i中所使用之SOG，TEOS ，或C Μ P的平坦化處理方法。一種不透明金屬6 0 2接 下來被形成當作一屏蔽薄膜並且接著被模製（例如，T f 被澱積以濺射）。然後當作一電容薄膜之一絕緣薄膜 1 0 9被形成，例如，藉由分解政院氣及氨氣或砂院氣與 N2〇之混合氣體以2 0 0至4 0 0°C之溫度於電漿中，並 且接著熱處理以3 5 0至5 0 0°C之溫度於氫氣或氫氣與 惰性氣體，例如氮氣，之混合氣體T _ 1 〇至2 4 0分鐘 來氫處理多晶的矽。一種類似S i 0之絕緣薄膜6 0 5被 再次澱積且模製以透過其洞而形成。之後，像素電極層 5 0 8被澱積。本實施例利用I T〇於此透明的電極層， 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 但本發明並不限定於此。之後，像素電極層之表面被 C Μ P平坦化以如實施例1中所說明之相同的方式。垂直 校準層被形成於由此所形成之基礎基底的表面上，藉由以 下方法。 首先，其表面被處理以一種矽烷耦合劑，且之後垂直 校準層被形成於實施例4之結構中。之後，相反的基底被 接合至基礎基底並且接著其具有負介電各向異性之液晶被 注入至基底之間。然後基底被密接。 接下來說明的是依據此處所使用之本發明的液晶板。 圖1 9是一個槪圖以顯示液晶板2 0 0之一放大的橫斷面 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 504597 A7 —__ B7 ___ 五、發明説明（39) (相應於圖3之yz平面）。於圖19中，21 ，21 一 代表微透鏡基底，2 2，2 2 >代表微透鏡，2 3， 2 3 代表玻璃薄片，2 4代表一透明的相反電極， 2 2 5代表一 D A P液晶層’ 2 2 6代表一透明的像素電 極層，2 2 7代表一活性的矩陣驅動電路部分，而4 6， 4 7代表放置於正交尼科耳關係中的偏光鏡。 微透鏡2 2，2 2 /被形成於每個玻璃基底（鹼性玻 璃）2 1，2 1 > ，藉由所謂的離子交換方法，並且被排 列以二維的陣列結構在等於兩倍像素電極2 2 6之間距的 間距上。玻璃薄片2 3，2 3 >被接合至每個微透鏡陣列 上。液晶層2 2 5採用D A P型式之向列的液晶並且藉由 未顯示之校準層來被保持於預定的校準。像素電極22 6 由I T〇所製造並且形成於玻璃薄片2 3 —之上。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 活性矩陣驅動電路部分2 2 7包含根據所謂非晶形矽 之所謂的T F T電路或聚矽薄薄膜，其藉由活性矩陣驅動 來激發像素電極2 2 6，並且其被形成於如圖2 0所顯示 之圖案中的玻璃薄片2 3,上。圖2 0爲一特定的線路圖 ，其中數字301 ，3〇2，303個別代表B，G與R 信號的視訊線，3 1 0代表一閘線，3 2 1至3 2 3個別 代表R，G與B液晶像素之轉換T F T，而2 2 6 r， 226g，與226b個別代表R，G與B之透明像素電 極。 於電路矩陣之周邊部分中，有提供未顯不之閘線驅動 器（垂直記錄器等）以及信號線驅動器（水平記錄器等） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 42 - 504597 A7 B7 五、發明説明（40) 。這些周邊驅動器及活性矩陣電路被排列以寫入個別主要 顏色R，G與B之視訊信號至預定之相應的R，G，B像 素。每個像素電極2 2 6不具有一個顏色過濾器，但其像 素電極2 2 6藉由以活性矩陣驅動電路所寫入之一主要顏 色視訊信號來被彼此區別爲一 R，G或B像素，因而形形 在下文中所描述之預定的R，G，B像素陣列。 讓我們在此檢視G光，其照射液晶板2 0 0。如先前 之說明，G光被垂直地入射至液晶板2 0 0。於G光的光 線之中，入射至一微透鏡2 2 a之光線被指示以圖1 9中 之箭號G (入）。如此處所顯示，其G光線被微透鏡2 2 聚集以照射G像素電極2 2 6 g上之一區域。在G光線傳 輸通過液晶層2 2 5之後，它們此時接著傳輸通過T F 丁 側上之微透鏡2 2 / a以離開液晶板。當以此方式傳輸通 過液晶層2 2 5時，其G光線（由偏光鏡4 6所偏光）依 據液晶之操作而被調變於一個建立於像素電極2 2 6 g與 相反電極2 4之間的電場之下，藉由施加至像素電極 2 2 6 g之一信號電壓，並且接著離開液晶板。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 此處，傳輸通過偏光鏡4 7且傳輸朝向投射透鏡1之 光量依修飾之程度而改變，因此完成了每個像素之所謂的 密度分級顯示。此外，R光被入射於如前述所顯示的橫斷 面（y z平面）之中，並且也被偏光鏡4 6所偏光。例如 ，集中注意於入射，例如，至微透鏡2 2 b之R光線上’ 如圖形中由箭號R (入）所指示，R光線照射於R像素電 極2 2 6 r上之一區域，其被置於由微透鏡2 2 b所移置 -43- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 504597 A7 B7 五、發明説明（41 ) 自直接在收斂點之下的一個位置上。於傳輸通過R像素電 極2 2 6 r之後，其R光線也傳輸通過如顯示之τ F T側 上之微透鏡2 2 > a並且接著離開其板（G/R (出）） 於此 而被調變 建立介於 電場之下 之G光的 偶而 多少彼此 2 2 6 r 強調於一 狀況中，R 在由供應至 R像素電極 ，並且接著 狀況，並且 ，圖1 9之 重疊且干擾 之上，但這 槪略的方式 光線（偏 R像素電 2 2 6 r 離開液晶 R光被投 顯不中出 於G像素 是因爲液 。實際上 請 閲 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ，某極 干擾將 於 良好的 且其平 如 排列以 液晶所 其板， 向之個 示裝置 端窄於玻 不會發生 上述之液 ，其特定 面中均勻 以上所述 致由來自 調變之後 使用微透 別主要顏 可投射且

璃薄片之5 0 ，無關像素尺 晶顯示裝置中 於D A P模式 度也是良好的 ，依據本發明 一組構成一圖 的反射光束傳 鏡結合的反射 色的光束來照 顯示無R G B 光之光）也依 極2 2 6 r之 與相反電極.2 板。其程序之 射成爲影像光 現其G光與R 電極2 2 6 g 晶層之厚度之 ，液晶層之厚 至 1 0 0 // m 寸。 ，其投射之後 之高對比顯示 據液晶之操作 一信號電壓所 4之間 後相同 之部分 光之顏 與R像 圖示的 度約爲 ，且於 的一個 於前述 〇 色光束 素電極 放大與 5 // m 是，此 的影像特性是 特性被達成， 之投射型式液晶顯示裝置被 形元素之R，G與B像素的 輸通過相同的微透鏡以離開 液晶板及以來自相互不同方 射液晶板的光系統，因而顯 馬賽克型態且具有高品質之 背 面 之 Ϊ

訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） -44 - 504597 A7 ____B7_ 五、發明説明（42) 一良好的顏色影像。因來自個別像素之光束傳輸通過微透 鏡兩次以成爲機手平行的，故一光亮之投射影像可被獲得 於螢幕上，即使藉由具有一小額定開口之一便宜設射透鏡 的使用。 此外，上述活性矩陣基底之表面的平坦化容許了垂直 校準層之穩定的形成以及高對比之液晶顯示裝置的產生。’ 此外，D A P模式之液晶板可被形成，其具有高可靠 度，具有少量剝落層，以及具有液晶之垂直校準與均勻的 預先傾斜角度，藉由利用結構，其中垂直校準層爲多層結 構，其中基礎金屬電極層上之薄膜具有高接合度及高溼潤 能力，並具其中與液晶接觸之最外層薄膜具有較低的表面 能量。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 —本紙&尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. I 乂 I 本當補 ---1— . 4 ο 5 Λ ABCD 六、申請專利範圍 第87 1 1 82 1 0號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 -- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國90年.1月修正 1 · 一種液晶顯示裝置，包括： 一矩陣基底，其中多數像素電極被排列以相應於R ( 紅），G (綠），與B (藍）之顏色之一矩陣型態中； 一相反的基底，其中一相反電極被放置相反於該像素 電極；以及 具有負介電各向異性之一液晶材料，該液晶材料被置 於該矩陣基底與該相反基底之間， 其中有提供具有一種垂直校準性質之聚醯亞胺之一校 準層以及具有多數微透鏡之一微透鏡陣列，該微透鏡被提 供在相關於該像素電極之一陣列之兩個像素的一個間距。 2 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該 校準層包括多數薄膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 ·如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其中與 該·多數薄膜中之液晶接觸的一個最外層薄膜爲那些多數薄 膜中之表面能量最小的。 4 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該 像素電極被平坦化。 5 .如申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置，其中相 應於該微透鏡之一直徑的該矩陣基底之一區域具有此種平 坦度以致一最大間距不超過5 Ο Ο A。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 504597 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 6 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中R ，G與B之該像素電極被提供當作於一第一方向上之兩個 顏色之一種第一組合的像素以及當作於一第二方向上不同 於兩個顏色之該第一組合的兩個顏色之一種第二組合的像 素。 7 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中R ，G與B之基本像素的陣列被排列以致當一個顏色之光爲 直光時，則兩個其他顏色之光爲傾斜的光。 8 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其啐液 晶顯示裝置爲一種反射型式顯示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -2 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）