TW504521B - Methods for preparing ruthenium metal films - Google Patents

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Description

504521 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7_ 五、發明說明（1 ) 發明範疇 本發明有關一種使用化學蒸汽沉積及液態釕先質製備 隹了金屬薄膜之方法β 發明背景 金屬及金屬氧化物之薄膜--尤其是釕薄膜及其氧化 物- -於各種電子及電化學應用中之重要性日趨增加。例 如，沉積於矽晶圓上之高品質R U 0 2薄膜目前係使用於強 誘電性記憶體中。釕及餓薄膜通常不與矽及金屬氧化物反 應，對氧及矽之擴散具有阻抗，而係爲良好導體β此等金 屬之氧化物亦具有此等性質，唯也許程度不同。 因此，釕及其氧化物之薄膜具有適於各種積體電路使 用之性質。例如，其可於積體電路中供電接觸使用。其特 別適於在記憶裝置諸如強誘電性記憶體中於該介電材料與 該矽基材間作爲障壁層。此外，其甚至適於在電容器中作 爲板片（即電極）。 有各式各樣可於該薄製備中作爲先質之釕化合物。有 許多特別適用於化學蒸汽沉積技術。參照例如美國專利第 5，372，849號（McComick等人），揭示一種含有 羰基配位體及其他配位體之釕化合物的用途。該等化合物 一般係形成二聚物，較不易揮發而不易使用於化學蒸汽沉 積技術中。因此，仍需要一種使用化學蒸汽沉積技術製備 钌金屬薄膜之方法。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公釐） I — · I, I I I ! β —·1!1 難 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -4- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504521 A7 --B7 五、發明說明（2 ) 發明總結 本發明提出一種製備釕金屬薄膜之方法。於一具體實 例中’該方法包括步驟有：提供一液態先質組成物，其包 •含一或多種下式（式I )之化合物： (二烯）R u ( C 〇）3 其中、二烯〃係意指直鏈、分枝鏈、或環狀：f烯類、 二環二烯類、三環二烯類、其氟化衍生物、其另外含有雜 原子諸如鹵基、Si 、S、Se、P、As、N或0之衍 生物、或其組合物；蒸發該液態先質組成物，以形成經蒸 發之先質組成物；及將經蒸發之先質組成物對向該半導體 基材或基材組件，以於該半導體基材或基材組件上形成釕 金屬薄膜。此方法尤其可使用於複雜結構，諸如含有一或 多個小型高寬高比開口者，其一般需要優越之階狀覆蓋性 〇 適用於本發明方法之式I錯合物係爲中性錯合物，於 介於約2 0 °C及約5 0 °C範圍內之溫度下係爲液態。其可 使用於閃蒸、擴散、微滴形成技術等。本發明所使用之” 液態〃係意指純液體（於室溫下於液態或於室溫下爲固體 而於高達約5 0 °C之高溫下熔化）。 本發明方法特別適用於在用以形成積體電路而具有高 表面積拓撲之半導體基材或基材組件諸如矽晶圓表面上形 成薄膜。已知本發明方法不限於在矽晶圓上沉積，而亦可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — 篇I----11Λ ^· —Ί---1 — . (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) -5- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504521 A7 _____ B7 五、發明說明（3 ) 使用其他晶圓（例如砷化鎵晶圓等）。.而且本發明方法亦 可使用於絕緣體上積矽技術。此外，本發明方法中可使用 非半導體基材或基材組件之基材。包括例如纖維、線路等 •。若該基材係爲半導體基材或基材組件，則該膜可直接形 成於該基材之最低層半導體表面上，或其可形成於例如已 製作佈線圖型之晶圓中各層中之任一層上（即表面）。因 此， ''半導體基材〃係意指半導體底層例如晶圓中矽材料 之最低層或沉積於其他材料上之矽層諸如藍寶石上積矽。 〜半導體基材組件〃意指其上層具有一或多層或結構之半 ^苗雕甘 4*4* 導體基材。 本發明之一具體實例中，提供一種製造半導體結構之 方法，該結構以具有一個具有一或多個高寬高比開口之表 面爲佳。該方法包括步驟有：提供一半導體基材或基材組 件，以於約1 5 0 °C至約3 5 0 °C之溫度爲佳（以約 2 0 0 °C至約2 5 0 t之溫度更佳），反應槽中含有約 1 0_3托耳至約1大氣壓之壓力（以約0 · 1托耳至約 1 0托耳爲佳）：提供一液態先質組成物，溫度以約2 0 t至約5 0 t爲佳（約4 0 t至約5 0 t之溫度更佳）， 該先質組成物包含一或多種式I之化合物；蒸發該液態先 質組成物以形成經蒸發之先質組成物；及使該經蒸發之先 質組成物面向該半導體基材或基材組件，以於該半導體基 材或基材組件表面上形成釕金屬薄膜，該組件具有一或多 個小型高寬高比開口。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I A9 --------- ------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -6- 504521 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) _1係爲適用於本發明方法之化學蒸汽沉積塗佈系統 圖式簡單說明 之圖示D 元件對照表 10 密閉之化學蒸汽沉積槽 12 葉輪泵 14 初步抽氣泵 16 基材 18 電阻加熱器 4 0 先質組成物 4 2 容器 4 4 惰性氣體來源 4 5 管線 4 6 氣體分配器 4 8 來源 5 0-55 閥 較佳具體奮例詳述 本發明提出一種使用化學蒸汽沉積技術及一或多種液 態釕錯合物形成釕金屬薄膜之方法。詳言之，本發明係有 關一種製造具有釕金屬薄膜之半導體裝置的方法。 該液態釕錯合物係具有下式（式I ): 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —MW ------------—^ <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504521 A7 ---- B7 五、發明說明（5 ) (二烯）R u ( C 〇）3 其中〜二烯〃係意指直鏈、分枝鏈、或環狀二烯類、 •二環二烯類、三環二烯類、其氟化衍生物、其另外含有雜 原子諸如鹵基、S i 、S、Se、P、As、N或〇之衍 生物、或其組合物。該二烯配位體包括約5至約8個碳原 子’以約6至約7個碳原子爲隹。此等先質錯合物係描述 Μ串請人受讓之共待審專利申請案\供釕及氧化釕之化學 蒸'汽沉積使用之先質化學〃，與本發明相同日期1998 年8月27曰申請，編號09/141 ，236。可根據 其中所述之方法或申請人受讓之共待審專利申請案 >製備 釘及餓化合物之方法〃，與本發明相同日期1 9 9 8年8 月27曰申請，編號09/141 ，431所述之方法製 備。 適用於本發明之式I錯合物係爲中性錯合物，於室溫 下係爲液態或於室溫下係爲固態，而於高達約5 0 °C之高 溫下熔化。此等錯合物適用於化學蒸汽沉積（C V D )技 術’諸如閃蒸技術、擴散器技術、微滴技術等。本發明所 述之錯合物的較佳具體實例特別適用於低溫C V D，例如 基材溫度爲約1 〇 〇 °C至約4 0 0 °C之沉積技術。 較佳錯合物係包括於50 °C下之蒸汽壓大於0 · 1托 耳者。該化合物之實例包括（環己二烯）R ια ( C〇）3及 (環庚二烯）Ru(C〇）3。 該先質組成物可視需要於一或多種反應氣體及/或一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） —------------ΜΛ9Ι. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 504521 A7 ___-_ B7 五、發明說明（6 ) 或多種惰性載體氣體存在下蒸發，以形成釕金屬薄膜。然 而’當藉著加熱容裝該先質而連接於沉積槽之容器而使該 先質組成物蒸發，並藉質傳輸送至一基材上時，則不需要 •反應氣體’亦不需要載體氣體。該惰性氣體一般係選自氮 、氦、氬、及其混合物。於本發明中，惰性載體氣體係爲 通常對本發明所述之錯合物非反應性，而不干擾釕金屬薄 膜之形成者。反應氣體可選自各種對本發明所述之錯合物 具有反應性之還原氣體，至係一個處於化學蒸汽沉積條件 下之表面。還原氣體之實例包括H2及NH3。選擇性反應 氣體及選擇性載體氣體之各種組合物可使用於本發明方法 ，以形成薄膜。 本發明方法特別適於在各種基材諸如半導體晶圓（例 如矽晶圓、砷化鎵晶圓等）、玻璃板等上，及於各種基材 表面--或直接位於該基材本身表面上或若爲半導體基材 組件中則於位在沉積於該基材上之材料層上--形成高純 度釕金屬薄膜（以至少9 5原子百分比純度爲佳，使用X 一射線光電子光譜（X P S )，Auger Spectroscopy，或其 他方法測定）。本發明方法特別可使用於在具有高表面積 拓撲--諸如具有高寬高比開口（即間隙）之表面（例如 絕緣層）之半導體基材或基材組件諸如矽晶圓表面上沉積 高純度釕金屬薄膜。小型高寬高比開口一般具有小於約1 微米之圖型尺寸或臨界尺寸（例如一開口之直徑小於約1 微米），而約0 · 3 ^米至約1微米更平常’而寬高比係 大於約1 。該寬高比可用於接觸孔 '通孔、穿圳、及其他 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 504521 A7 ____ B7 玉、發明說明（7 ) 各種結構。例如，具有1微米開口及3微米深度之穿圳之 寬高比係爲3。本發明尤其有利於形成小型高寬高比圖型 之擴散障壁層，因爲使用化學蒸汽沉積方法，以於階狀結 •構上形成柔順之釕金屬擴散障壁層。使用本發明方法一般 可達到高於約8 0百分比之階度覆蓋性。意指沉積於底面 上之薄層厚度相對於頂面上之比例。 該釕金屬薄膜係於一或多種式I錯合物之分解（一般 係爲熱分解）下沉積。本發明方法可使用各種蒸汽沉積技 術諸如閃蒸、擴散等，視情況使用光-或電漿一幫助（唯 經光-及電漿幫助之沉積一般不會有良好之階度覆蓋性） 。適當之化學蒸汽沉積方法實例通常係討論於例如申請人 受讓之共待審專利申請案〜供釕及氧化釕之化學蒸汽沉積 使用之先質化學〃，與本發明相同日期1998年8月2 7日申請’編號09/141，236及美國專利第 5 ’372，849 號（McCormick等人）。 可用以進行本發明方法之典型化學蒸汽沉積（CVD )系統係出示於圖1。該系統包括密閉之化學蒸汽沉積槽 1 0 ’其可爲冷牆型化學蒸汽沉積反應器。可使用葉輪泵 1 2及初步抽氣泵1 4產生減壓。沉積期間，該槽壓以約 1 0 - 3托耳至約一大氣壓爲佳，而以爲約〇 · 1托耳至 約1 0托耳最佳。該壓力係經選擇以產生良好之階狀覆蓋 性及沉積速率。 將一或多個基材1 6 (例如半導體基材或基材組件） 置於槽1 0中。針對該基材建立固定公稱溫度，以約 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公t ) -------- ------- <請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 10 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504521 A7 B7 五、發明說明（8 ) 1 5 0 °C至約3 5 0 °C之溫度爲佳。就最佳階度覆蓋性、 沉積速率及薄膜形成性而言，最佳基材溫度係約2 0 0 °C 至約2 5 0°C。基材1 6可藉著例如放置有基材1 6之電 •阻加熱器1 8加熱。亦可使用其他已知之加熱基材的方法 。然而，就電紫-及光-幫助性化學蒸汽沉積方法而言’ 基材之溫度可大幅降低。 此方法中，含有一或多種式I錯合物之先質組成物 4 0係於液態形式（若爲純液體則於室溫下或若於室溫下 爲固體則於高溫下）儲存於容器4 2中。該液態先質組成 物之溫度以約2 0 °C至約5 0 °C爲佳，約4 0 °C至約5 0 °C更佳。容器42內之壓力一般係與槽1 0內相同。適當 之惰性氣體來源4 4係泵入容器4 2中，冒泡通經該純液 體（即不含溶劑），夾帶該先質組成物，經由管線4 5及 氣體分配器4 6送入槽1 0中。可視情況自來源4 8提供 其他惰性載體氣體或反應氣體，以提供所需之先質組成物 濃度，並調整於基材1 6表面之沉積均勻度。如前所示， 視需要開啓並關閉閥5 0 — 5 5。可視情況將該反應及選 擇性之載體氣體預先加熱。 該先質組成物通常係於約1 0 s c cm (標準立方 厘米）至約5 0 0 s c cm之載體氣體流速下送入該化 學蒸汽沉積槽1 0中，以約1 0 0 s c c m至約4 0 0 s c c m之流速爲佳。若需要，則反應氣體（以還原氣 體爲佳）通般係於約1 0 s c c m至約1 〇 〇 〇 s c c m之流速下導入該化學蒸汽沉積槽丨〇中，以約 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） ill---------- if. (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) -11 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504521 Α7 - _____ Β7 五、發明說明（9 ) 50 seem至約5〇〇 seem流速爲佳。該半導 體基材係於約0·1托耳至約1〇托耳之壓力下曝露於該 先質組成物下歷經約1 〇秒至約3 0分鐘，視所需之厚度 •而定。於槽1 0中，該先質組成物會於該基材1 6之表面 上形成一吸附層。因爲該沉積速率具有溫度相依性，故基 材溫度.增加一般將使沉積速率增加。然而，若需有階度覆 蓋性，則較高之溫度可能有害。因此，選擇基材溫度，以 使此兩性質平衡。所需之沉積速率一般係約1 〇 〇埃/分 鐘至約1 0 0 0埃/分鐘。含有該先質組成物之載體氣體 係藉著關閉閥5 3而終止。 該方法之備擇方法包括一硏究，其中該先質組成物係 經加熱，抽出蒸汽，由蒸汽質流控制器及脈衝化液體注射 法控制，描述於 >使用超音波噴嘴藉脈衝化液體注射進行 之金屬有機化學蒸汽沉積：由異丙醇鈦（IV)於藍寶石上 積二氧化鈦"，Versteeg等人，美國陶瓷協會期刊，78， 2763-2768(1995)。式I之錯合物亦特別 適用於蒸汽沉積系統，如1 9 9 6年1 0月2日申請之美 國序號08/720，710 Μ共蒸發液態先質組成物使 用之方法及裝置及使用彼者之系統"。本發明所述之一方 法通常包括蒸發液態形式之先質組成物。於第一階段，該 先質組成物被粉化或霧化，產生高表面積微滴或噴霧。於 第二階段中，該微滴或噴霧之成分藉著經加熱之載體氣體 時緊密混合物而蒸發。此兩階段蒸發硏究提供先質組成物 可再現之輸送（或爲純液體形式或爲溶於液體介質中之固 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------1J ----------- ΜΨ, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504521 A7 B7 五、發明說明（10 ) 體形式），並提供合理之沉積速率，尤其是於小尺寸裝置 應用中。 載體氣體及/或反應氣體之各種組合可使用於本發明 •之特定具體實例中。其可於各種方式下導入該化學蒸汽沉 積槽中，諸如直接送入該蒸發槽中或與該先質組成物結合 〇 雖然參照圖1描述的是特定之蒸汽沉積方法，但本發 明方法不限於使用所述之特定蒸汽沉積系統。可使用各式 各樣之化學蒸汽沉積槽或反應槽，包括熱牆式或冷牆式反 應器、大氣壓或減壓式反應器、及電漿促進型反應器。此 外’本發明方法不限於任何特定之蒸汽沉積技術。 沉積之後，該薄膜視需要進一步退火以使之致密化。 此可於該化學蒸汽沉積反應槽中進行或不進行β欲使該膜 結晶及/或致密化時，該退火以於惰性氣體中進行爲佳， 如前針對載體氣體所述。此退火後之方法的壓力以約 0·5托耳至約5大氣壓爲佳。此退火後之方法的基材溫 度係約3 0 0 °C至約1 0 0 0 °C爲佳，約5 0 0 °C至約 8 0 0 °C更佳。 本發明錯合物之用途及形成薄膜之方法皆可於半導體 結構中作廣泛之薄膜應用，尤其是需要擴散障壁者（例如 針對其他金屬之障壁，或針對S i ，T i N，T i ，A 1 及C ιι之氧化的障壁）。例如，該應用包括電容器及敷金 屬層’諸如積體電路結構中之多階互連.。該結構係描述於 例如申請人受讓之共待審專利申請案 > 矽化釕擴散障壁層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） I! — 篇 — i ! t _ — 1| (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -13- 504521 經濟部智慧財產局員X消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（11 ) 及其形成方法"，與本發明相同日期1998年8月27 日申請，編號09/141，240。 以下實施例係進一步說明各種特定較佳具體實例及技 •術。然而，已知可於本發明範圍內進行許多改變及改良。 實施例 使甩（C 6 H 8 ) R u ( C 0 ) 3之釕薄膜沉積 淡黃色先質（C6H8) Ru (CO) 3添加於裝置有 浸漬管及出口閥之擴散器中。該擴散器係連接於化學蒸汽 沉積反應器。該擴散器另外連接於氦載體氣體，經質流控 制器導入該擴散器之浸漬管口中。該擴散器係加熱至約 4 0°C，該槽之所有下游連接皆加熱至約5 0°C至約6 0 °C。上層具有B P S G層之矽晶圓（其中蝕刻有各種尺寸 之接觸孔）置於位在該化學蒸汽沉積反應器內部之加熱夾 盤上。釕沉積係藉著將晶圓加熱至2 0 0 °C (使用置於晶 圓表面上之熱偶測量）或使用氦載體流速2 5 seem 及其他氮流5 0 s c cm (個別接管於該先質輸送管） 以建立3托耳之槽壓而進行。該氦載體流動係經由先質擴 散器而分流2.5分鐘，產生一薄膜，稍後藉掃描式電子 顯微照片測定係爲8 0 0埃厚。此對應於3 2 0埃/分鐘 之沉積速率。該膜反射性極高，視爲高純度釕（於覆膜上 以X P S測定）。X —射線繞射證明該膜係爲多晶釕’而 掃描式電子顯微照片顯示於0 · 3微米至1 . 0微米之公 稱直徑及2 · 5微米深度之孔中有高於8 0百分比之階度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） -----—^if------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -14- 504521 A7 __B7_ 五、發明說明（〗2) 覆蓋。 所有專利、專利申請案、及公告皆以提及之方式個別 地完全倂入本發明。前文詳述及實施例係僅供簡易明瞭。 •已知並無非必要之限制。本發明不限於所示之實際細節及 描述，熟習此技藝者已知之變化係包括於申請專利範圍內 s^i — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐）

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  1. 504521
    AI d. D1 :公告本 ★、申請專利範圍 附件一（A):第88 1 14746號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國90年10月修正 1 . 一種產製半導體結構之方法，該方法包括： 提供半導體基材或基材組件； 提供液體先質組成物，其包含一或多種下式（式I )之 化合物： (二烯）R u ( C 〇）3 其中 '' 二烯〃係意指直鏈、分枝鏈、或環狀二烯、二環 二烯、三環二烯、包含鹵基、Si、S、Se、P、 A s、N或0雜原子、或該等雜原子之組合的其衍生物；· 蒸發該液體先質組成物以形成經蒸發之先質組成物；及 使該經蒸發之先質組成物面向該半導體基材或基材組件 ，以於該半導體基材或基材組件表面上形成釕金屬薄膜。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該基材或基材 組件之溫度係1 5 0 °C至3 5 0 °C。 3 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該基材或基材 組件之溫度係2 0 0 至2 5 0 °C。 4 .如申請專利範圍第3項之方法，其中該基材或基材 組件係容裝於一反應槽中，壓力係1 0 — 3托耳至1大氣 壓。 ， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -----------^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *1T 絲 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504521 8888 ABCD 六、申請專利範圍 5.如申請專利範圍第4項之方法，其中該基材或基材 組件係谷裝於一反應槽中，壓力係〇 · 1托耳至1 Q托耳。 6 ·如申請專利範圍第丨項之方法，其中該基材或基材 組件係容裝於一反應槽中，壓力係〇 · 1托耳至1 〇托耳。 7 如申請專利範圍第1項之方法，其中該蒸發該液體 先質之步驟係包括一化學蒸汽沉積技術，選自閃蒸、擴散、 微滴形成、及其組合。 8 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該半導體基材 或基材組件係包括一矽晶圓。 - 9 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該先質組成物 係於至少一種載體氣體存在下蒸發。 ' 1 0 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該先質組成 物係於至少一種還原氣體存在下蒸發。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項之方法，其中該先質組 成物係於先質Η 2、N Η 3、及其組合物之還原氣體存在下 蒸發。 1 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該二烯衍生 物爲氟化衍生物。 1 3 · —種產製半導體結構之方法，該方法包括： 提供半導體基材或基材組件，其係1 5 0 °C至3 5 0 °C 之溫度，容裝於壓力1 0—3托耳至1大氣壓之反應槽中； 提供溫度2 0 °C至5 0 t之液體先質組成物，其包含一 或多種下式（式I )之化合物： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -2 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504521 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 (二烯）R u ( C 〇）3 其中''二烯〃係意指直鏈、分枝鏈 '或環狀二烯、二環 二烯、三環二烯、包含鹵基、S i 、S、S e、P、 A s、N或〇雜原子、或該等雜原子之組合的其衍生物； 蒸發該液體先質組成物以形成經蒸發之先質組成物；及 使該經蒸發之先質組成物面向該半導體基材或基材組件 ，以於該半導體基材或基材組件表面上形成釕金屬薄膜。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之方法，其中該二烯衍 生物爲氟化衍生物。 1 5 . —種產製半導體結構之方法，該方法包括：’ 提供半導體基材或基材組件； 提供液體先質組成物，其包含一或多種下式（式I )之 化合物： · (二烯）R u ( C 〇）3 其中''二烯〃係意指直鏈、分枝鏈、或環狀二烯、二環 二稀、三環二烯、包含鹵基、Si 、S、Se、P、 A s、N或〇雜原子、或該等雜原子之組合的其衍生物； 蒸發該液體先質組成物以形成經蒸發之先質耝成物； 使該經蒸發之先質組成物面向該半導體基材或基材組件 ，以於該半導體基材或基材組件表面上形成釕金屬薄膜；及 使該釕金屬薄膜退火。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公嫠） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
    -3- 504521 A8 B8 C8 ____ D8 六、申請專利範圍 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該退火步 驟係於3 0 0 °C至1 0 〇 〇 t：之溫度下進行。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 7 ·如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該二烯衍 生物爲氟化衍生物。 18 . —種產製半導體結構之方法，該方法包括： 提供半導體基材或基材組件’其包括一個具有一或多個 小型高寬高比開口之表面； 提供液體先質組成物，其包含一或多種下式（式〗）之 化合物： · (二烯）R u ( C 〇）3 · 其中'\二烯〃係意指直鏈、分枝鏈、或環狀二烯、二環 二烯、三環二烯、包含鹵基、Si、S、Se、P、. . A s、N或0雜原子、或該等雜原子之組合的其衍生物； 蒸發該液體先質組成物以形成經蒸發之先質組成物；及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使該經蒸發之先質組成物面向該半導體基材或基材組件 ，以於該具有一或多個高寬高比開口之半導·體基材或基材組 件表面上形成釕金屬薄膜。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項之方法，其中該二烯衍 生物爲氟化衍生物。 , 2 0 . —種於一基材上形成釕薄膜之方法，該方法包括 提供一基材； 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -4 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504521 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 提供液體先質組成物，其包含一或多種下式（式I )之 化合物： .(二烯）R u ( C 〇）3 其中 > 二烯〃係意指直鏈、分枝鏈、或環狀二烯、二環 二烯、三環二烯、包含鹵基、S i、S、Se、P、 A s、N或0雜原子、或該等雜原子之組合的其衍生物； 蒸發該液體先質組成物以形成經蒸發之先質組成物；及 使該經蒸發之先質組成物面向該基材，以於該基材表面 上形成釘金屬薄膜。‘ 2 1 ·如申請專利範圍第2 0項之方法，其中該二烯衍 生物爲氟化衍生物。 2 2 . —種產製半導體結構之方法，該方法包括： . 提供半導體基材或基材組件，包括一個具有一或多個高 寬高比開口之表面，其係爲1 5 0 °C至3 5 0 °C之溫度，其 中該半導體基材係容裝於壓力1 0 - 3托耳至丨大氣壓之反 應槽內； 提供溫度2 0 °C至5 0 °C之液體先質組成物，其包含一 或多種下式（式I )之化合物： (二烯）R u ( C 〇）3 其中、二烯〃係意指直鏈、分枝鏈、或環狀二烯、二環 本紙張足&用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐1 ~- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 504521 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 二嫌、二環二燒、包含鹵基、S i、s、S e、P、 A s、N或〇雜原子、或該等雜原子之組合的其衍生物； 蒸發該液體先質組成物以形成經蒸發之先質組成物；及 使該經蒸發之先質組成物面向該半導體基材或基材組件 ，以於該具有一或多個小型高寬高比開口之半導體基材或基 材組件表面上形成釕金屬薄膜。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項之方法，其中該二烯衍 生物爲氟化衍生物。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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