TW503573B - Imager structure - Google Patents

Description

503573 A7 ---- ---B7_________ 五、發明說明（1 ) 發明背景 本發明大體上係關於光感映像矩陣。詳言之，本發明 ---------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '係關於將有機介電層之曝光邊緣加以密封以防止有機介電 —層下方被切掉，而對影像機性能及可靠度產生不利的影響 〇 用以將入射之射線能轉換成電氣訊號之光感元件矩陣 ’係普遍使用在映像應用中，例如，在X射線影像機及傳 真裝置矩陣中。氫化無結晶矽（a — s i )以及a — S i 之合金係普遍使用在此類矩陣之光感元件之製造上，這係 因爲a -Si具有之特性,g及較易於製造的優點。詳言之 ，光感元件，諸如光電寒:係可以由此類材料並配合 所需要之控制或切換元件（諸如電晶體（T F T s ) )’而以較大之矩陣規模製造而成。 丨線 舉例來說，X射線影像機係形成在一大致扁平的基板 上3通常係玻璃基板。該影像機係包括一像素矩陣，具有 光感映像元件，通常係光電二_^:'廣一元件係具有一連 結之切換元件，諸如TFT，或者或更多之其他定 址二與一·閃爍器光體配合，X射線便可以切換成可 p 見光，以^9%感元件來加以映像。該光感元件，通常係 ε» \ 光電二極體，其一表面係連接至一切換裝置，通常係一薄 i 膜電晶體，而其另一表面則係連接至一共用電極，其係接 ί 觸所有平行之光電矩陣係藉由複數橫行及縱歹u p 位址線所定址，其中該位係具有接點墊沿著矩陣之側 ρ 邊而配置。在操作上，在橫行位址線以及其上之丁 F 丁 s 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公釐〉 -4- 503573 A7 B7 五、發明說明（2 ) 之_壓，係依序地被轉換，而使得在該掃描線上之光電二 電荷，可以藉由縱列位址線而被解讀出來，其中 該縱歹m址線係連接至外部放大器。橫行位址線係通稱爲 Ascan line ξ，而縱列位址線則係通稱爲Adata line ξ。該 位址線係電性地鄰接接觸指，其中該接觸指係由主動部位 .朝向基板邊緣延伸而出，且其接著係電性地連接至接點墊 。藉由辑點墊，便可以連接至外部掃描線驅動器及資料線 解讀電路。 共用電極係配置光電的頂面，其係用以與 光電导寒廢.陣形成電性連接極矩陣通常係覆 有一第一病"嘗餐:合物介電層及一第二有機電層， 如在1 9 9 3年8月3日公告之美國專利第 5 2 3 3 1 8 1 號（Kwansnick(sic )等 j)中所揭露者。 接點渠係形成在每一介電層之光電上，以藉由共用 電極而與光電二極體頂部形成電性接觸 共用電極之樣式係包含沉積、光刻及光阻帶，·如業界 戶斤習知者。就包含無結晶性矽之光線影像機而言，可以看 出’若光阻劑係藉由潤溼帶方法來加以移除時，則在接點 塾與接觸指之間電氣連接所需要之渠道便有可能會受損， 進而損壞影像機。因此，通常係使用共用電極光阻劑之乾 燥帶’例如，藉由內含〇2之電漿來加以灰洗。然而，乾 燥帶亦會侵蝕底層之有機聚合體，造成位在共用電極下方 之邊緣被切除。通常在共用電極形成之後，在影像機上通 常係配置一屏障層，舉例來說，參照1 9 9 9年3月2 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------------------訂-—------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 503573 A7 -——____B7___ 五、發明說明（3 ) 曰公告之美國專利第5 4 0 1 6 6 8號（Kwasinck等人） ’且此一共用電極之突伸係會造成該屏障層較差之步階覆 〜蓋，因而造成環境保護被破壞，並且有可能會使光電二極 -管滲漏。因此，便有需要改善上述下切之問題。 最好，該影像機結構係夠堅固而可以承受製造過程之 外力’並且在操作上具有良好的性能。對於影像機之性能 要求愈高（例如’雜訊、解析度等等），則影像機結構的 樣式要求便愈高，以使其在操作上可以具有良好性能，並 且可以承受製造及使用上之嚴格要求。 發明摘要 在本發明之一實例中，其係提出構成一影像機之結構 及方法。該結構係包含一有機介電層，以及一共用電極， 且包含一透光導電層，該共用電極係覆蓋該有機介電層， 且使其沿著該共用電極之”長條狀”部分而延伸超過該有 機介電層之外露邊緣。 圖式之簡單說明 圖1係依照本發明之影像機的平面視圖。 圖2係圖1之影像機中之映像矩陣部分的立體分解視 圖。 圖3係沿著剖面線3 — 3而通過圖2之矩陣部分之部 位的截面視圖。 圖4 - 7係圖3之矩陣部分在製造期間的截面視圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱〉 n n n n I n n n K— n n n K * n n m n n is n^δ,，· n n Is n n >1 d I (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) -6 - 503573 A7 B7 五、發明說明（5) 3 9 部位 橋接構件 橋接構件 部位 渠道 底部接點墊 4 0 4 1 4 2 4 3 4 6 4 8 5 0 5 2 5 4 5 6 5 8

--------------裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 4 6 6 6 7 7 0 7 2 9 8 10 0 10 2 10 4 10 5 層體 層體 層體 透光導電層 聚硫亞氨邊緣 部分 相關部位 邊緣 延伸部 部分 層體 層體 邊緣 終端部位 -線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 503573 A7 B7 五、發明說明（ 6 ) 10 6 邊緣 11 0 部分 11 1 部分 11 2 導電層 .11 4 層體 1 1 6 層體 11 8 層體 12 2 延伸部 12 4 延伸部 12 6 邊緣 12 8 邊緣 本發明之詳細說明 圖1係本發明之示例性影像機1 0之平面圖。該影像 機1 0通常係形成在一大致平坦的基板1 2上，且通常係 玻璃基板。該影像機1 包括一感光映像元件（最好係光 電二極管）之矩陣1 4，其係以陣列之方式排列，每一映 像元件係具有2切換元件，且其最好係薄膜電晶體（ TFT)。兩元件（光電二極管與TFT)最好係包含無 結晶矽（a - Si)。該矩陣之光感區域係通稱爲矩陣之 主動部位。矩陣1 4係藉由複數橫行及縱列之位址線而沿 其周長來加以定址，其中該複數橫行及縱列之位址線係分 別具有接點墊1 6及1 8，其係定位在矩陣1 4之側緣， 如在圖1中由小格點所標示者。在操作上，在橫行位址線 _____ 本紙張尺度適用中關家裸準（CNS)A4規格(21G X 297公釐） 義 -9 - ----------------I----訂---- - ---- (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 503573 A7 -----B7____ 五、發明說明（7 ) 及其T F T s上之電壓係會依序地被打開，而使得在被掃 描過之位址線上的電荷可以藉由縱列位址線而被解讀出來 -。該橫行位址線係通稱爲描掃線，而縱列位址線則係通稱 爲資料線。一資料線3 2 (在圖1中僅顯示幾條做爲代表 .)通常係延伸在矩陣中之每一組對應的接點墊1 8之間， 其中該資料線係用以解讀在映像操作期間累積在光電二極 管上之電荷。 位址線係配置在圖素矩陣1 4之主動區域，其具有接 觸指2 0由主動部位朝向基板邊緣而延伸。該接觸指2 0 係電性地連接至接點墊，諸如橫行接點墊1 6及縱列接點 墊1 8，其接著便電性連接至外部裝置。如在1 9 9 5年 2月14日公告之美國專利第5389775號（Kwasnic 等人）中所詳細說明之內容，該接點墊係包括連接至矩陣 之共用電極之接點墊。 在接點墊外側，諸如在接點墊1 6之外側，一護環 2 2係包圍該圖素矩陣之周邊而配置。護環2 2通常在操 作期間係保持在接地電位勢，以避免在影像機形成期間， 以及在將影像機連接至外部電路期間，使該矩陣受到靜電 荷干擾，並且用以做爲影像機10之接地電位勢。該護環 2 2係具有一個或以上之保護接點墊2 4，其係包圍該護 環2 2之周邊內側而彼此相隔開，如圖1所示。 一共用電極3 8 (在圖1中僅顯示其一小部分）係配 置在矩陣上方，以在影像機矩陣中之每一二極體的頂部提 供一共用接點。在資料線3 2與共用電極3 8之間的電容 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -------------裝 --------訂---I-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -10- 503573 A7 ___B7 _ 五、發明說明（8 ) 係會在解δ賣電路中is成電氣雜訊。就低訊號應用而言，諸 如在醫療程序中之螢光檢査，以及在具有長度超過2 Q公 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -分之資料線的大型影像機中，該雜訊便係該影像機性能衰 退的指標。因此，共用電極通常係由與該資料線3 2重疊 .之部位移開，以降低電容’並藉此增進影像機性能，而形 成一種所謂的A s t r i p e ds共用電極。該共用電極 因此具有複數個條紋部分3 9 ’其係延伸通過該影像機而 大致平行於該資料線3 2 ’但與資料線3 2不重疊。該各 別之條紋部分3 9係藉由複數個橋接構件4 〇 (插置成如 圖1所示之”相交條紋”狀），其係跨過資料線3 2而橋 接在條紋部分3 9之間。 圖2係圖1之光感映像矩陣1 4之部分2 6的平面圖 ，包括玻璃基板1 2，且鄰近光感映像元件2 8及3 0與 資料線3 2及3 4。最好，元件2 8及3 0係光電二極管 。在圖上亦以虛線表示掃描線3 6。一長條狀· 3 8係連 結至矩陣中之所有的光感映像元件，以及連結至橋接構件 (以下將說明），並且用以做爲由外部電路至光電二極體 之低阻抗之電流返回路徑。該長條狀共用電極係電性連接 至各別的光電二極管，每一光電二極管係分別具有一渠道 4 3 ’其係貫穿底部的介電層，以使共用電極材料可以與 光電二極管主體之半導體材料形成電性接觸。 如上所述，該長條狀共用電極3 8大體上係與資料線 平行’但不覆蓋該資料線。最好，共用電極係與資料線橫 向地隔開大約3微米。橋接構件4 0及4 1係將光電二極 ^張尺度適財0國家標準(CNS)Am格（21D X 297公釐) " -- -11- 503573 A7 ____B7___ _ 五、發明說明（9) 管3 0之左右兩側電性連接至相鄰之光電二極管（圖上未 顯示）。雖然橋接構件4 0、4 1係電性連結三個相鄰的 -光電二極管，然而可以瞭解的是，其亦可以採用或多或少 緊鄰之橋接構件群，以電性地連結光電二極管。雖然在所 有相鄰光電二極管之間係皆可具有橋接構件，然而，其亦 可以週期性地配置在矩陣中，例如，每隔一個光電二極管 而相連，或者係在一定橫行中在橋接構件群之間係具有十 個至二十個光電二極管，以降低資料線電容。 該橋接構件係可以在攝取一影像之後，促進該矩陣中 之電性重新平衡的狀態。由於矩陣係包括很多光電二極管 ，因此每一光電二極管在映像期間係具有不同的電壓，且 . ·.· · .. 電流係傾向於沿著掃描線及資料線:之方向琉入。該橋接構 · . · . . .； - ·' ；- ·· , .·；v；" ....... -·· · :. •件係有助於電流沿·著育撤^之‘:复向流動。" 由於共用電極係呈長條狀，因此在維修時，中斷該共 用電極或將一二極體電性隔離，將會切斷連接。該橋接構 件係藉由提供另一連結路徑而解決上述之問題，其中該另 一連結路徑係當橋接構件基於任何緣故而形成中斷時，便 可以發揮其功用。關於橋接構件之詳細說明可參考在 1 9 9 8年7月7日所公告之美國專利第5 7 7 7 3 5 5 號（Possin 等人），其名稱爲"A Radiation Imager with Discontinuous Dielectric”。 在此所用之術語，共用電極之 > 條紋狀部分〃，係指 該共用電極其垂直地（部分3 9 )以及水平地（跨過橋接 構件4 0 )之部分，如圖1所示’且參照該介電材料沿著 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 -----------—-裝·-------訂 ί t— n n n n n κ (請先w讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ 12· 503573 A7

五、發明說明（1〇) --------------裝i — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 共用電極之條紋部分之邊緣，係對應於該共用電極材料已 經被終結（亦即，導電材料已被移除）之邊緣，以使其不 會重疊該資料線3 2，且不會與渠道4 0有關，其中該渠 道係用以在光電二極管與共用電極之間形成電性接觸。一 般而言’在渠道中，該共用電極材料並未被終結，而是構 成該渠道之壁體以及當形成該渠道時會使光電二極管主體 之半導體材料外露出來之表面的覆體。 圖3係顯示圖2之部分2 6的部位4 2沿著剖面線3 » * -線 - 3而通過光電二極管2 8所取的截面圖。部位4 2係包 括位在基板1 2上之資料線3 2及3 4，以及二極體底部 接點墊4 6。·該資料線通常係包含鉬、鋁或其層疊組合體 。一鈍態介電體之層體4 8係覆蓋資料線以及二極管底部 接點墊之邊緣，舉例來說，藉由電漿強化蒸氣沉積方法所 鍍覆之氧化矽。在底部接點墊上方係光電二極管5 0。光 電二極管5 0係包括，例如，一摻雜有磷之N+型矽之底 部層5 2。在底部層5 2上方係一大致爲固有矽之層體 5 4，在該層體5 4上方係摻雜有硼之P +型矽層體5 6 。一鈍化介電體之層體5 8係覆蓋光電二極管5 0之邊緣 ，諸如氮化矽或氧化矽。或者，亦可採用在1 9 9 9年8 月3日公告之美國專利第5 2 3 3 1 8 1號（KwansnicM SiC )等人）中所揭露之雙層介電體。一第二有機介電體（ 最好係預硫亞氨化之聚硫亞氨，例如，可由A r c h化學 公司所購得）之層體6 0係覆蓋層體5 8之內緣並與光電 二極管5 0之頂層5 6相接觸。最後，一與該光電二極管 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（210 X 297公* > -13- 503573 A7 ----------_Β7____ 五、發明說明（H) 5 0相接觸（在此係與光電二極管之頂部接觸）之透光導 電層6 2係覆蓋該聚硫亞氨層，且其係用以做爲長條狀之 ' 共用電極38。最好，層體62(構成共用電極62)係 一透光導電性氧化物，且最好係氧化銦錫。最佳的透光度 •係使光線能夠穿透至光電二極管中。在此所用之術語、透 光a ’係指可使至少1 0 %之入射光線穿透。 使用聚硫亞氨層6 0係具有三個目的。第一目的係促 進覆蓋該後續製造之層體的步驟。聚硫亞氨係以黏滯性液 體之狀態而配置在基板上，並且在層體5 8上構成一保形 之層體。當藉由習知光刻方法來形成樣式時，·其便會構成 一針對共用電極材料（亦即，透光導電材料）所提供之漸 斜形狀，因爲其係由〇2電漿而以相同於光阻劑之速率來 進行蝕刻，其係藉由標準光刻方法之一部分的後烘步驟而 自然地傾斜。舉例來說，形成在透光導電層6 2上之溼屏 .障層，係可以藉由使用聚硫亞氨來做爲有機介電層60而 增進步階覆蓋。第二目的係有助於防止電氣短路，因爲聚 硫亞氨係不會形成針孔，其中該針孔係普見於某些無機介 電層（例如，氧化矽）。使用聚硫亞氨之第三目的係降低 在共用電極與資料線之間的電容。如上所述，使該共用電 極3 8形成長條狀部分3 9之形狀，且具有連接之橋接構 件4 0，這亦有助於降低在共用電極與資料線之間不當的 附生電容。 在圖2及圖3中，在每一圖素中之切換元件，例如， 薄膜電晶體，在圖式中並未顯示出來，這係爲了簡化圖式 Ϊ紙張尺度適中國國家標準(CNS〉A4規格（210 ><297公^ )~一 猶 一 -14 » -------------裝--------訂-----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 503573 A7 ___B7____ 五、發明說明（12) 以方便瞭解本發明。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當施加至矩陣1 4時，尤其係施加至部位4 2時（圖 ' 3)，在本發明之一實施例中係包括覆蓋該有機介電層 60 (在此例中爲聚硫亞氨）及層體1〇〇 (層體100 •將在下文中說明）其沿著共用電極具有透光導電材料（在 此例中爲氧化銦錫）之長條狀部分之外露邊緣之至少一部 分·〜，、此將在下文中做更詳細的說明。舉例來說，聚硫亞氨 邊緣6 4係由共用電極層6 2之部分6 6所覆蓋。覆蓋外 露邊緣（例如，有機介電體在其變得不連續之部分的非水 平表面）係可用以密封這些邊緣（亦即，將其包覆），以 保護這些邊緣，這可以降低有機介電層受到下切或其他蝕 刻劑侵触之表面積。 圖4顯示在後續製程期間，位在圖3之部位4 2之資 料線3 2上方之一相關部分6 7。可以瞭解的是，在資料 線3 4上方之製造方法亦係相同的。在此一階段，就構成 該共用電極之長條狀部分之方法的一部分而言，其係沉積 有機介電層6 0，並且除了資料線與橋接構件4 0相交部 位以外，將有機介電層6 0位在資料線上方之部分加以移 除。有機介電層6 0係具有大約0 · 5微米至大約2 . 5 微米之厚度。可使用於層體60之有機介電體材料之實例 係包括聚硫亞氨，且最好係預硫亞氨化之聚硫亞氨。 圖5係顯示在構成該有機介電層6 0之樣式之後的部 分6 7。此一打樣採用習知之光刻技術（例如，光阻劑） 來完成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 -15· 503573 A7 ----------B7 ___ 五、發明說明（13) 圖6係顯示該部分6 7在鍍覆透光導電層6 2之後且 在完成打樣之則的狀態。透光導電層6 2係具有大約 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 0 0冑0 0 0微米之厚度，且由氧化銦錫或類以 元素所構成。 圖7係顯不圖6之部分6 7在鍍覆、曝光及顯影該光 阻劑6 8以進行該透光導電層6 2打樣之後的狀態。_旦 層體6 2未由光阻劑6 8所覆蓋之部分移除之後，餘留的 光阻劑亦必須加以移除。 舉例來說’當透光導電層6 2係氧化銦錫時，打樣通 常係藉由包含蝕刻劑（亦即，Awet ξ etch )之H C 1來完 成。然而，可以瞭解的是，其他潤溼蝕刻（或乾燥鈾刻， 諸如活化離子蝕刻方法）亦可採用。每一光阻劑移除方法 .皆具有其獨特之特性。 潤溼剝離通常係成本較高，且經證實會對用以與矩陣 以外之元件相連接之接點墊的渠道產生損害，其將在下文 中參考圖1 0來加以說明，同時其灰麈亦會侵蝕聚硫亞氨 層6 0，並且容易造成下切之情況產生。此鼠下切對於後 續的鍍覆程序亦會損害步階覆蓋，例如，針對一 X射線影 像機之屏障層，使得屏障層其保護光電二極管以防止水氣 之功能受損。本發明亦可使用灰洗法，而不會在下切狀態 下留下外露之有機介電層。 習於此技者應可瞭解，灰洗主要係一種溫和的電漿侵 蝕方法。其中一種蝕刻方法係採用活化離子蝕刻（R I Ε )方法。簡單地說，該工件係放置在具有〇2電漿而比習 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16* 503573 A7 --— _ B7 _ 五、發明說明（14) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 知R I E之壓力還高的腔室中。一R F電位勢係產生一電 漿，其係可蝕刻該光阻劑。較高的壓力係會改變離子之平 均自由路徑，降低離子的撞擊，而這表示其撞擊係較爲溫 和。大體而言，灰洗係可視爲利用氧化離子而以一強化氧 化方法來將材料燒除。 圖8係顯示在打樣該透光導電層6 2且將光阻劑移除 之後的部分6 7。如圖8所示，有機介電層6 0之邊緣 7 0係以透光導電層6 2之延伸部7 2來加以密封。延伸 部7 2係延伸超過邊緣7 0大約1至5微米。其最後之結 果係如圖3所示。 圖9係橋接構件4 0之部分9 8沿著圖2之剖面線9 - 9所取之截面視圖。如圖所示，每一橋接構件係包括圖 3之有機介電層6 0之層體1 0 0，以及共用電極之透光 導電材料之層體1 〇 2。該導電材料係覆蓋介電材料之邊 緣104及106 ，並且延伸超過邊緣104、106大 約1至5微米（亦即，超過層體1 0 0之終端部分1 〇 5 )，以提供對於層體100之保護。 圖1 0係顯示圖1之影像機1 0之部分1 1 0。部分 1 1 0係顯示在接點墊1 6與指部2 0之間之連接的細部 結構。指部2 0係精確地位在接點墊1 6下方，並且以接 點渠2 1而與其形成電性連接。接點渠2 1通常係包含， 例如，一透光導電層（例如，IT〇）。接點墊16最好 係由相同於共用電極（最好係氧化銦錫）之材料所構成。 圖1 1係沿著圖1 0之剖面線1 1 一 1 1而通過部位 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17- 503573 A7 -— ___B7_____ 五、發明說明（15) 1 1 0之部分1 1 1之截面視圖。如圖1 1所示，位在基 板1 2上之指部2 0係包含一導電層1 1 2 (例如，鉬、 -銘或每種材料之層疊組合），其成份係相同於資料線之材 料。在導電層上方係具有一雙鈍態介電體，其係由層體 • 1 1 4與1 16所構成。相同於在圖3中之層體48，層 體1 1 4係由，例如，氧化矽所構成。同樣地，如同在圖 3中之層體5 8，該層體1 1 6係由，例如，氮化矽或其 他氧化矽或其組合物所構成。在鈍態介電體上方一有機介 電層體1 1 8 (例如，聚硫亞氨）。層體1 1 8最好係與 層體6 0 (圖3 )同時形成，且實際上可以係相同的層體 °該充塡接點渠2 1之透光導電層2 3係可以在指部2〇 之導電層1 1 2與接點墊1 6之間形成電性連接。如圖3 所示’透光導電層23係包括延伸部122及124，其 係分別覆蓋有機介電層1 1 8之邊緣1 2 6及1 2 8至少 大約1至5微米，以防止其受損。再者，層體2 3及6 2 (圖3 )最好係在相同的製程時間中形成，且實際上可以 係相同的層體。 如上所述沿著共用電極之長條部分而將外露之聚硫亞 氨邊界加以密封，係可以擴張應用至該有機介電層有可能 受到下切損害之任何狀態中。 在本發明之另一實例中，其係提出一種製造一影像機 結構之方法。一有機介電層係由一透光導電層所形成並覆 蓋之。該透光導電層係延伸超過該有機介電層之外露邊緣 ’且其長度係足以保護在影像機後續製程中之外露邊緣。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-18、 503573 A7 ___ B7___ 五、發明說明（16) 在本發明之另一實例中，其係提出一種製造影像機之 方法。一透光導電材料層係直接形成在一有機介電層，以 在影像機中做爲一電性接點。透光導電材料層係延伸超過 有機介電層之外露邊緣至少大約一微米。 雖然本發明以上已經針對特定實施例而詳加說明，然 而可以瞭解的是，以透光導電氧化物或其他導電材料來密 封聚硫亞氨邊緣或其他介電體之技術，亦可以應用在其他 的狀態。因此，習於此技者亦可以進行不同的修飾。 --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19-

Claims (1)

1. 503573 A8 B8 C8 —D8 六、申請專利範圍 1 · 一種影像機結構，其包含： 〜有機介電層60;以及 一共用電極3 8，該共用電極係包含一透光導電層 6 2 ’其係覆蓋該有機介電層且沿著共用電極之長條狀部 分3 9、4 0而延伸超過該有機介電層之外露邊緣6 4 ^ 2 ·根據申請專利範圍第1項之結構，其中該有機介 電層6 〇係由聚硫亞氨所構成^ 3 ·根據申請專利範圍第2項之結構，其中該共用電 極3 8係由複數長條狀部分3 9、4 0所構成。 4 ·根據申請專利範圍第3項之結構，其中該有機介 電層之外露邊緣6 4係沿著共用電極之複數長條狀部分 39、40來加以配置。 5 ·根據申請專利範圍第4項之結構，其中該透光導 電層6 2係由氧化銦錫所構成。 6 ·根據申請專利範圍第1項之結構，其中該透光導 電層6 2係延伸超過該外露邊緣6 4至少大約一微米。 7.根據申請專利範圍第6項之結構，其中透光導電 層6 2係延伸超過外露邊緣6 4大約一微米及五微米之間 〇 * 8 . —種影像機1 0，其包含： 在影像機1 0中之至少一電性接點，該至少一電性接 點1 6係包含一第一導電材料層2 3以及一共用電極3 8 ，該共用電極係包含一第二透光導電材料層； 一有機介電層60、1 1 8，其係位在該第一及第二 本紙張尺度速用中國國家揉準（CNS〉A4*t格（2]ΟΧ 297公|Γ) ----------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -•Φ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^20- 503573 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 A8 BE C8 D8 _ 六、申請專利範圍 導電材料層之部分之間匕. 一渠部分2 1 ，其係用以在該第一導電材料層之間形 成電性接觸，使得該第二透光導電材料層係與第一導電材 料層形成電性接觸，該有機介電體係由影像機位在該渠部 分那一側邊上之至少一部分移除； 該共用電極3 8係包含複數個長條狀部分3 9、4 0 該第二透光導電材料層係配置成延伸超過在該渠部分 中之有機介電層之外露邊緣1 2 6至少大約一微米，且沿 著共用電極之外露部分而延伸。 9 ·根據申請專利範圍第8項之影像機，其中該透光 導電材料層2 3係延伸超過該有機介電層之外露邊緣 1 2 6大約一微米至五微米之間。 1 0 ·根據申請專利範圍第8項之影像機，其進一步 包含一感光映像元件矩陣2 8，該共用電極3 8係配置成 與該矩陣中之每一感光映像元件形成電性接觸。 1 1 ·根據申請專利範圍第1 0項之影像機，其中該 複數長條狀部分3 9、4 0係包含部分3 9及複數橋接構 件4 0，其中該部分3 9係配置成大致平行於矩陣中之複 數資料線，而複數橋接構件4 0則係配置成大致垂直於該 資料線。： 1 2 ·根據申請專利範圍第1 1項之影像機，其中該 有機介電層6 0係終結在每一個共用電極之長條狀部分。 1 3 ·根據申請專利範圍第1 2項之影像機，其中該 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS) A4说袼（2丨0X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 -21 - 503573 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 _ 六、申請專利範圍 共用電極3 8係進一步配置成可以與每一個感光映像元件 2 8形成電性接觸。 1 4 .根據申請專利範圍第1 0項之影像機’其中至 少一接點1 6係用以使矩陣電性連接至位在矩陣外面的電 路。 1 5 .根據申請專利範圍第8項之影像機，其中該有 機介電層6 0、1 1 8係包含聚硫亞氨。 1 6 .根據申請專利範圍第1 5項之影像機，其中該 聚硫亞氨係由預硫亞氨化之聚硫亞氨所構成。 1 7 ·根據申請專利範圍第8項之影像機，其中該透 光導電材料係由透光導電氧化物所構成。 1 8 ·根據申請專利範圍第1 7項之影像機，其中該 透光導電氧化物係由氧化銦錫所構成。 1 9 ·根據申請專利範圍第8項之影像機，其中該透 光導電材料層2 3係延伸超過外露邊緣1 2 6大約一微米 至五微米之間。 2 0 · —種製造影像機1 〇之結構的方法，其包含： 形成一有機介電層6 0 ; 形成一覆蓋有機導電層之透光導電層6 2 ;以及 使透光導電層延伸超過該有機介電層之外露邊緣6 4 ，且其延伸長度足以在影像機之後續製程中保護該外露邊 緣。 2 1 ·根據申請專利範圍第2 0項之方法，其中構成 該有機介電層6 0之方法係包含構成一聚硫亞氨層。 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) 格（2丨OX2W公釐1 ~ ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   -22- 503573 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 2 ·根據申請專利範圍第2 1項之方法，其中構成 聚硫亞氨層之步驟係包含形成一預硫亞氨化之聚硫亞氨層 〇 23·根據申請專利範圍第20項之方法，其中構成 透光導電層6 2之步驟係包含構成一透光導電氧化層。 2 4 ·根據申請專利範圍第2 3項之方法，其中構成 透光導電氧化層之步驟係包含構成一氧化銦錫層。 2 5 ·根據申請專利範圍第2 0項之方法，其中該延 伸步驟係包含使透光導電層6 2延伸超過該外露邊緣6 4 至少大約一微米。 2 6 ·根據申請專利範圍第2 5項之方法，其中該延 伸步驟係包含使透光導電層6 2延伸超過該外露邊緣6 4 至少大約一微米至五微米之間。 27 · —種製造一影像機之方法，其包含： 直接在一有機介電層上形成一透光導電材料層2 3， 以做爲在一影像機中之電性接點1 1 8 ;以及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使該透光導電材料層沿著一共用電極3 8之長條狀部 分3 9、4 0而延伸超過該有機介電層之外露邊緣6 4、 1 2 6至少大約一微米，其中該共用電極3 8係由該透光 導電材料所構成。 2 8 ·:根據申請專利範圍第2 7項之方法，其中該延 伸步驟係包含使透光導電材料層2 3延伸超過該外露邊緣 6 4、1 2 6至少大約一微米至五微米之間。 2 9 .根據申誚專利範圍第2 7項之方法，其進一步 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4此格（2】ΟΧ 297公釐）" •23- 503573 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 包含在有機介電層1 1 8上配置一感光映像元件2 8，其 中構成該透光導電材料層2 3係會與至少一感光映像元件 形成一電性接點1 6。 3 0 ·根據申請專利範圍第2 9項之方法，其中該影 像機2 8係包含複數感光映像元件，該方法進一步包含形 成一共用電極3 8與複數感光映像元件形成電性連結，其 中構成共用電極之步驟係包含形成透光導電材料層2 3以 及延伸該透光導電材料層。 訂 3 1 ·根據申請專利範圍第2 9項之方法，其中該影 像機2 8係包含複數感光映像元件，該方法進一步包含構 成至少一橋接構件4 0，其係電性地連結至少某些複數感 光映像元件，其中構成該至少一橋接構件之步驟係包含形 成透光導電材料層以及延伸該透光導電材料層。 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 2 ·根據申請專利範圍第3 1項之方法，其中構成 該至少一橋接構件4 0之步驟係包含在成行或行列之複數 感光映像元件中配置複數橋接構件，使得在該行或該列中 係具有大約1 〇至2 0個複數感光映像元件與該橋接構件 隔開。 3 3 ·根據申請專利範圍第2 9項之方法，其中至少 一感光映像元件2 8係包含一感光映像元件之矩障1 4， 該方法進一步包含將矩陣電性連結至位在矩陣外面的電路 ，且其中該電性連結步驟係包含形成透光導電材料層2 5 以及延伸該透光導電材料層之步驟。 本紙張尺度適用中國國家梂车（CMS ) Α4規袼（2丨ΟΧ297公嫠） -24-