TW495864B - Arrangement for treatment of wafer-shaped articles, especially silicon wafers - Google Patents
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Description
經淌部中央標準局员工消费合作社印則水 A7 _____B7 五、發明説明(1 ) \~"一'一 " 本發明係有闕於一種具有如申請專利範圍第1項的前 言引介部份之特徵的裝置。 在某些處理圓片狀物特別是(矽)晶圓的特定過程中, 尤其當它們被以諸如侵蝕液之處理介質處理之後而要冲洗 該等晶圓時,會有在晶圓表面上形成斑點的問題產生。這 些斑點的形成係因為該圓片狀物特別是(矽)晶圓的(矽)表 面,由於水及氧的存在而被氧化所產生‘。 本發明的目的即在防止這些“水斑,,的形成。 該目的乃可由具有申請專利範圍第丨項的特徵之裝置 來達到。 本發明所申請之裝置的較佳及進一步的實施例係為各 附屬項請求部份之標的。 因為在該例如是一(矽)晶圓之圓片狀物的卡盤上方, 設有一罩蓋可供應惰性氣體,例如氮氣,故使會造成水斑 的空氣得以從該圓片狀物上方的處理空間直接被排除。 由於依據本發明之一建議,該罩蓋係被獨立製成而無 干於該圓片狀物的卡盤,因此其乃為固定不動的,且形成 一簡單的構造而使處理液及惰性氣體得能容易地供入其内 。在本發明之一實施例中,該等供給的惰性氣體及處理液 係經由該罩蓋來施加,而供入的惰性氣體會從處理空間將 不用的空氣取代排除。 在本發明所申請的裝置中,該卡盤的操作與構造對該 圓片狀物並不重要。任何的,包括習用的該等卡盤皆可使 用。 本紙張尺㈣則7 _ ^4~: 衣— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部中央標準局負.Τ消f合作社印¾ 495864 A7 '_______一_ 五、發明説明(2 ) — 本發明所申請的裝置之進一步效益係包含於該罩蓋中 ,在該旋轉的圓片狀物之作動下,有一負壓會形成而支持 清理動作,且其可被調整成適當的數值,例如用以冲洗的 惰性氣體之輸入量,該圓片狀物之卡盤的轉速,及該罩蓋 蓋底緣與該卡搫或圓片狀物之間的間隙之寬度等。 本發明所申請之裝置的其它細節、特徵及優點等,係 如本發明所申請之裝置的兩個實施例之以下說明。 圖式之簡單說明: 第1圖係表示第一實施例之部份略除的側視示意圖; 第2圖係表示有部份略除的另一實施例。 於第1圖所示的實施例中,有一略呈鐘形的罩蓋5設於 一卡盤1上方,該卡盤係被轉軸2所支撐而可被一配設於該 轉軸2的馬達驅動繞其軸心3轉動。鐘形罩蓋5係設在卡盤i 上方而使被固持於該卡盤上的圓片狀物4,例如矽晶圓, 得完全被該罩蓋5之底部開放端6所覆蓋。在該裝置中卡盤 1及晶圓4(該晶圓4亦可具有一直徑大於該卡盤1}在一側, 而該鐘形罩蓋5在另一側,其間形成一環狀間隙7。 在該罩蓋5頂端8中央區域係聯結一中空支樓管9,在 導管10及11等導入供應介質。特別是,在第丨圖所示的實 施例中,至少有一導管10可供應一種處理液及導管u可供 應冲洗介質,例如去離子水,該二者乃在.罩蓋5之頂端8區 域釋洩於由該罩蓋5所圍覆的空間丨2內。 而且,中空支撐管9供應一種惰性氣體,例如氮氣, 其乃經由喷嘴裝置13進入罩蓋5的空間12内,而存佔於該 本紙張尺度適州中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0X297公羞) ----------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
,1T 丨〇〇4 ¾消部中央標準局員工消f合作社印?木 A7 B7 發明説明(3) , 罩蓋5之頂端8區域中。喷嘴裝置π的喷嘴14等係排成一列 ’而使從噴嘴裝置13釋出的惰性氣體能大致呈放射狀地充 入’並把空氣排出該空間12而均勻地將惰性氣體填滿整個 空間12。 本發明所申請而示於第2圖的實施例裝置乃不同於第! 圖中所示者’最好在該罩蓋5之底端6係被一壁20所封閉。 在該壁20上設有數個孔21乃大致平行排列,例如平行於軸 心3,而分佈於該整個壁2〇之表面上。並且,在第2圖所示 的實施例中,罩蓋5的支撐管9係被加長至該壁20處。導管 及Π釋洩於該壁20面對圓片狀物4與卡盤1的一側。因此 處理液將會洩在該圓片狀物4的附近而施加於其中央處。 在該罩蓋5的側壁上乃聯結有導管22,惰性氣體(例如氮氣) 乃可由此進入該罩蓋5内的空間12。進入該空間12内的惰 性氣體會經由各孔21均勻地佈散於整個圓片狀物4的上表 面,而使在壁20與圓片狀物4之間的空氣被排開,因此形 成一種惰性氣體充佔的環境。 在本發明所申請的該兩個實施例裝置中,該罩蓋5係 為固定的,只有卡盤丨及固持其上的圓片狀物4會一起轉動 〇 為方便該圓片狀物4佈設於卡盤1上及將之由卡盤1上 移走,該罩蓋5可被從靠近卡盤丨的操作位置(如第丨及2圖) 處移開。 概言之,本發明所申請用以處理圓片狀物,特別是矽 晶圓,之較佳實施例的裝置,乃可述明如下: 本紙張尺度適中國國家標鋒·( CNS ) A4規格(21〇 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意,事項I填寫本頁)
、1T ^〇〇4
五、發明説明(4 ) 在處理矽晶圓4的裝置中,有一供處理矽晶圓4的卡盤 1 ’其乃可經由一轉軸2而繞其軸心3被驅轉。於該卡盤J固 持著石夕晶圓4的表面上方設有一罩蓋5,當該圓片狀物4被 處理時罩蓋並不轉動。最好是為氮氣的惰性氣體,乃被導 入該罩蓋5内部,而使空氣被從該罩蓋5所圍覆的空間12内 排除。利用此方法該矽晶圓上由於水和氧的存在而產生的 氧化斑點即可以避免。 % 元件標號對照 ---------衣-- (請先閱讀背.面之注意事項#填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 1···卡盤 9…支撐管 2…轉軸 10、11.··導管 3···軸心 12…空間 4…圓片狀物 13···喷嘴裝置 5…罩蓋 14…喷嘴 6…開放端 20…壁 7…間隙 21…孔 8…頂端 22…導管 -丁 -口 本紙張凡度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐)
Claims (1)
- 經濟部中央椋準局K工消費合作社印製 ΟΌ外 is8 C8 ^7^—--—__ /、、申請專利範圍 I 一種處理特別是矽晶圓之圓片狀物的裝置,具有一可 固持該圓片狀物的卡盤,該卡盤可繞其軸心被驅轉, 並設有數導管至少其一可供應處理液及有一供應冲洗 液;其特徵在於: 該卡盤上方設有一罩蓋,該罩蓋具有導管可將諸 如氮氣的惰性氣體供入其内部,該罩蓋係位於卡盤上 方而完全罩覆著被固持於卡盤上的圓片狀物,且在該 卡盤或固持其上的圓片狀物與該罩蓋之間形成一環狀 間隙,可供處理液及惰性氣體逸出。 2·如申睛專利範圍第1項之裝置,其中該罩蓋係與卡盤同 3·如巾請專利範圍第!項之裝置,其中該罩蓋係於其面向 卡盤的端面開放。 4.如申請專利範圍JM項之裝置,其中該罩蓋係被一中空 管子所固持,並有數導管經由該中空管子導入該罩蓋 的頂部。 5·如申請專利範圍第4項之裝置,其中在該罩蓋頂部係為 具有數喷嘴的喷嘴裝置,乃可經由中空管子來供應情 性氣體。 6.如申請專利範圍第1項之裝置,其中該罩蓋係在面向卡 盤或圓片狀物之-端面被一壁所封閉,且於該壁上設 有多數小孔,使罩蓋内之惰性氣體·得以由該等小孔逸 入該壁與圓片狀物之間。 7 ·如申請專利範圍第6項之裝置 f 衣罝其中乃有供應惰性氣體 ( CNS ) A4^m ( 210X297i5T~-_ (請先聞讀f:面之:¾意事項再填寫本頁)經濟部中央標準局員工消費合作社印製 申請專利範j 的導管聯接於該罩蓋。 8.如“專利範圍第6項之裝置,其中該支料子係延伸 9 ^ 5亥壁’且各導管乃釋洩於該壁面向卡盤的一側。 • σ申晴專利範圍第1項之果詈,盆由兮$觉被處理時係、為吻;;其中叫在圓片狀物 請 先 聞 之 注· 意 事 項· 再 % 寫 本 頁 裝 訂 ,^' 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 9
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