KR970008370A - 자연산화막 제거장치 및 이를 이용한 자연산화막 제거방법 - Google Patents

자연산화막 제거장치 및 이를 이용한 자연산화막 제거방법 Download PDF

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KR970008370A
KR970008370A KR1019950019395A KR19950019395A KR970008370A KR 970008370 A KR970008370 A KR 970008370A KR 1019950019395 A KR1019950019395 A KR 1019950019395A KR 19950019395 A KR19950019395 A KR 19950019395A KR 970008370 A KR970008370 A KR 970008370A
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KR1019950019395A
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진규안
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 제조과정에서 웨이퍼 표면에서 자연적으로 성장하는 산화막의 제거장치 및 이를 이용한 자연산화막 제거방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 산화막 제거장치는 진공상태를 유지하는 챔버와, 챔버내에 산화막 제거제, 세정제 및 건조제를 공급하는 다수의 노즐과, 챔버내에 설치되어 웨이퍼를 안착시킨 상태로 회전하는 웨이퍼 지지대로 이루어져 회전하는 웨이퍼 표면에 각 노즐을 통하여 산화막 제거제, 세정제 및 건조제를 순차적으로 분사시켜 웨이퍼 표면의 불순물 제거, 세정, 산화막 제거, 세정 및 건조를 순차적으로 실행할 수 있도록 구성하였다.
또한 자연산화막 제거를 위한 본 발명은 회전하는 웨이퍼에 H2SO4용액을 분사시켜 웨이퍼 표면에 흡착된 이물질을 분리하는 단계와, 이물질 분리후 웨이퍼 표면에 순수를 분산시켜 웨이퍼 표면에서 분리된 이물질을 제거하는 단계와, HF가스를 챔버내로 분사시켜 웨이퍼 표면에 성장된 자연산화막을 식각, 제거하는 단계와, 순수를 웨이퍼에 분사하여 웨이퍼 표면에 존재하는 식각 잔유물을 제거시키는 단계와, 회전하는 웨이퍼 표면에 N2가스를 분사시켜 웨이퍼 표면을 건조시키는 단계로 이루어진다.

Description

자연산화막 제거장치 및 이를 이용한 자연산화막 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면은 본 발명의 구성을 도시한 개략적인 측면 구성도.

Claims (6)

  1. 웨이퍼 표면에 성장된 자연산화막을 제거하는 장치에 있어서, 진공상태를 유지하는 챔버와, 상기 챔버내에 산화막 제거제, 세정제 및 건조제를 공급하는 다수의 노즐과, 상기 챔버내에 설치되어 웨이퍼를 안착시킨 상태로 회전하는 웨이퍼 지지대로 이루어져 회전하는 웨이퍼 표면에 각 노즐을 통하여 산화막 제거제, 세정제 및 건조제를 순차적으로 분사시켜 웨이퍼 표면에 불순물 제거, 세정, 산화막 제거, 세정 및 건조를 순차적으로 실행 할 수 있도록 구성한 것을 특징으로 하는 자연산화막 제거장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각 노즐은, 웨이퍼 표면의 자연산화막을 제거하는 HF가스를 분사하는데 제1노즐, 웨이퍼 표면에 흡착된 이물질을 분리하는 H2SO4용액을 분사하는 제2노즐, 분리된 이물질 제거 및 산화막 제거 후 웨이퍼 표면을 세정하는 순수를 분사하는 제3노즐, 세정된 웨이퍼를 건조시키는 N2가스를 분사하는 제4노즐인 것을 특징으로 하는 자연산화막 제거장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 HF가스 및 H2SO4용액은 필터를 통하여 이물질이 여과된 후 웨이퍼 표면으로 분사되는 것을 특징으로 하는 자연산화막 제거장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 챔버의 내부는 20 내지 25℃의 온도를 유지하며, 이를 위하여 그 외벽면에 냉각수단을 설치한 것을 특징으로 하는 자연산화막 제거장치.
  5. 웨이퍼 표면에 성장된 자연산화막을 제거하는 방법에 있어서, (A) 회전하는 웨이퍼에 H2SO4용액을 분사시켜 웨이퍼 표면에 흡착된 이물질을 분리하는 단계와, (B) 이물질 분리 후 웨이퍼 표면에 순수를 분사시켜 웨이퍼 표면에서 분리된 이물질을 제거하는 단계와, (C) HF가스를 챔버내로 분사시켜 웨이퍼 표면에 성장된 자연산화막을 식각, 제거하는 단계와, (D) 순수를 웨이퍼에 분사하여 웨이퍼 표면에 식각 잔유물을 제거시키는 단계와, (E) 회전하는 웨이퍼 표면에 N2가스를 분사시켜 웨이퍼 표면을 건조시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자연산화막 제거 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 HF가스 및 H2SO4용액은 필터를 통하여 이물질이 여과된 후 웨이퍼 표면으로 분사되는 것을 특징으로 하는 자연산화막 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950019395A 1995-07-04 1995-07-04 자연산화막 제거장치 및 이를 이용한 자연산화막 제거방법 KR970008370A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100493251B1 (ko) * 1997-05-23 2005-08-05 세즈 아게 웨이퍼형물품처리장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100493251B1 (ko) * 1997-05-23 2005-08-05 세즈 아게 웨이퍼형물품처리장치

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