JPS6240730A - 紫外線・オゾン処理装置 - Google Patents

紫外線・オゾン処理装置

Info

Publication number
JPS6240730A
JPS6240730A JP17856585A JP17856585A JPS6240730A JP S6240730 A JPS6240730 A JP S6240730A JP 17856585 A JP17856585 A JP 17856585A JP 17856585 A JP17856585 A JP 17856585A JP S6240730 A JPS6240730 A JP S6240730A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ozone
ultraviolet ray
ultraviolet
processing chamber
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17856585A
Other languages
English (en)
Inventor
Moriyuki Okamura
岡村 守之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP17856585A priority Critical patent/JPS6240730A/ja
Publication of JPS6240730A publication Critical patent/JPS6240730A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野] 本発明は電子部品や光学部品等の表面に付着している有
機質汚れ等の不純物を、紫外線による有機化合物の化学
結合の切断効果とオゾンの酸化作用により、分解除去す
る紫外線・オゾン処理装置に関する。
[従来の技術] 半導体デバイスや水晶振動子1表面弾性波素子、磁気ヘ
ッド等の電子部品及び光ディスク、光学レンズ、プリズ
ム、液晶表示素子等の光学部品の洗浄においては例えば
、純水中のバクテリアや製造プロセス中で付着してくる
切削油、ワックス、指紋等の有機汚れを十分に除去する
ことが要求される為に通常の溶液による洗浄工程終了後
に仕上げ洗浄として紫外線・オゾン処理を行うのが一般
化しつつある。
この紫外線・オゾン処理はDeepUVによる有機物質
の化学結合切断と紫外線ランプにより発生するオゾンに
よる強力な酸化の同時作用で有機質汚れを揮発性の低分
子量物質にした後に該低分子を含む分解ガスを排出除去
するという洗節システムで構成されている。
[発明が解決しようとする問題点] 従来の紫外線・オゾン処理装置に使用されている紫外線
ランプはオゾン供給能力が小さいため、洗浄処理途中で
前記分解ガスの排出を行うとオゾンもすべて排出され、
洗浄処理に必要なオゾン濃度を回復するのに時間がかか
った。そのため通常洗浄処理途中での前記分解ガスの排
出は行われず、そのガス中の炭酸ガスや水、その池中間
分解物は、洗浄処理中再び被洗浄物の表面に接するわけ
であり、再汚染又は各種の反応物の生成は避けられない
ものであった。特に反応活性な被洗浄物は再汚染されや
すく、例えば光学硝子に従来の紫外線争オゾン処理を行
った場合、処理中処理後に、該硝子表面に光学特性の低
下やその後の表面処理に悪影響を及ぼす白色のくもりを
生じることがあった。
また、紫外線φオゾン処理の排気及び被洗浄物の出し入
れに伴なうオゾン濃度の低下を回復するには、紫外線ラ
ンプにより生じるオゾン供給量が少いため、長い時間を
必要とし、非能率的であると共に、長持間の紫外線ラン
プによる加熱のため被洗浄物が受けるダメージが大きく
なるという欠点があった。
本発明は上記の問題点に鑑み成されたものであり、その
目的は1分解ガスの早期排出により被洗n1物への分解
ガスの再付着を防ぎ、またオゾン濃度立ち上げのスピー
ドアップにより処理工程の時間を短縮し、紫外線ランプ
による発熱による被洗浄物のダメージを小さくし、さら
に大きなオゾン供給能力によ”る処理装置の大型化をも
可能にする紫外線−オゾン処理装置を提供することにあ
る。
[問題点を解決するための手段] 本発明の上記目的は被処理物の表面を照射するように配
置された1個以上の紫外線発生源を内蔵する処理室と、
該処理室の一端に設けた分解ガス排出■]に接続して換
気設備を有し、前記処理室の他端に設けたオゾン吸入口
に接続してオゾン発生設備を設けである紫外線・オゾン
処理装置により達成される。
本発明に用いるオゾン発生設備としては、無声放電を利
用したオゾン発生装置(オゾナイザ−)やBrodie
オゾン発生器やSiemens−HalSke(7)オ
ゾン管やA b r a h a m −M armi
erのオゾン発生器等が挙げられる。
また本発明に用いるオゾン発生設備から洗浄の行われる
チャンバーへのオゾン移送通路は、5US1石芙、セラ
ミックス、テフロン、塩化ビニル、ハイパロン、高密度
PE等の耐酸化性材料で作られたパイプ又は中空角材等
が良く、オゾン移送を効率よく行うために該通路の中に
耐酸化性材料製のファンを内蔵していることが好ましい
、また通路途中に流量コントロールバルブを設けている
ことが望ましい、。
また本発明の紫外線・オゾン処理装置の紫外線発生源と
しては、184.9n層及び253.7nmの波長の光
を効率良く放射する水銀灯、好ましくは上記2波長を効
率良く発生する低圧水銀灯が使用される。
また本発明に用いる換気設備の換気手段としては、プロ
ペラファンやシロッコファン等のファン類、水流ポンプ
やエアーポンプ等のポンプ類等が使用されるが、それら
の材質は耐オゾン性のものが好ましい。
以下、図面(第1および第2図)を参照しながら本発明
を説明する。
本発明の紫外線・オゾン処理装置は下記のように作用す
る。
紫外線ランプ5を配備した処理室3に被処理物6を設置
した直後に、独立して設けであるオゾン発生装置1から
高濃度オゾンの定常的供給が始まり、すみやかに処理室
3内にオゾンが充満し、被処理物6上の汚れを成してい
る有機化合物の紫外線による化学結合切断及び酸化作用
が始まる。上記の化学結合の切断作用と酸化作用により
汚れがガス化した分解ガスは、洗浄処理が終了するまで
に、換気膜fIO8により、被洗浄物表面の性質及び汚
れ程度にあわせて複数回、排出される。各排出工程後も
、オゾン発生設備1のオゾン供給俺力が大きいため、処
理室3内はすみやかにオゾンで満たされる。
本発明の紫外線・オゾン処理装置の使用方法は上記のよ
うにオゾン発生設備lを定常的に作動させ、排出工程を
複数回繰り待えす方法に限らず、オゾン発生設備1によ
るオゾンの発生量を洗r11時間に従い調節したり、オ
ゾン濃度が低下した時だけオゾン発生設備を作動させた
り、排出を定常的に行ったり、オゾン供給を逢にあわせ
て排出量を調節したり、それらを組み合わせて行う等様
々の方法がある。
また本発明におけるオゾン発生段fllはその設備内に
高濃度のオゾンがたまっている空間があり、分解ガスを
排出する際に排出による圧力低下のために、上記の高濃
度のオゾンが被洗浄物6の設置しである処理室3内に流
れ込むという機能を付けることも可能である。
また換気設fi8において分解ガスが外部に排出される
際に、第2図の9のような該分解ガスの脱水処理、有機
性ガス除去処理を行う設備を、排気管に取り付けてもよ
い。
[実施例] 実施例1 芯取油、ピッチ等の有機溶剤洗浄工程後の光学レンズを
、シリコンH5(超音波洗浄)−超音波水洗−IPA洗
−フロン蒸気乾燥の一連の液体洗浄工程にかけた後、第
1図に示した装置の処理室3内に設置した。オゾン発生
段fllに20KV、50Hzの゛准流を印加して濃度
3%の高濃度オゾンを処理室3内に導入しつつ、処理室
3内で上記光学レンズの紫外線φオゾン処理を2時間に
わたり行った。なおこの間に分解ガスの排出は連続的に
行った。この処理後の該光学レンズの外観は良好であっ
た。
比較例1 分解ガスの排出を最後まで行わなかった以外は実施例1
と同様にして同種の光学レンズの紫外線・オゾン処理を
行った。この処理後の光学レンズの表面には白いくもり
が発生していた。
実施例2 切削油のついたアルミニウム鏡面加工部品を前洗節とし
て有機溶剤とアルカリクリーナーを用いて脱脂した後フ
ロン水切乾燥した。該アルミニウム鏡面加工部品を処理
室3内に設置し、実施例1と同様にしてオゾンを供給し
ながら240秒間紫外線会オーン処理を行った。また同
様に上記前洗浄のすんだアルミニウム鏡面加工部品を従
来の紫外線φオゾン処理装置で処理した。
上記アルミニウム鏡面加工部品の前洗炸後のもの、本発
明の紫外線・オゾン処理装置で処理したもの、また従来
の紫外線・オゾン処理装置で処理したもののそれぞれに
ついて外観チェックおよび水に対する接触角測定を行っ
た。この結果を表1に示す。
表   1 [発明の効果] 以上に説明したように、高濃度オゾンの定常的供給が可
能な独立したオゾン発生専用装置とチャンバー内の換気
をすみやかに行う換気装置とを取り付けた紫外線・オゾ
ン発生装置により、分解ガスによる再汚染のない高度な
洗浄が可能になる、また大きなオゾン供給能力のためオ
ゾン濃度回復のためのロスタイムが減り、それによるT
程時間短縮が可能となり、紫外線ランプによる加熱によ
って被洗浄物がうけるダメージを小さく出来て、さらに
処理装置の大型化をも可能にするという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の、オゾン発生設備と換気設備を備えた
紫外線・オゾン処理装置の縦断面図で、第2図は、第1
図の紫外線・オゾン処理装置に水分、有機性ガスを吸収
する設備を取り付けたものの縦断面図である。 1、オゾン発生設備 ?、オゾン吸入口 3、処理室 4、反射鏡 5、紫外線ランプ 6、被処理物 7、分解ガス排出口 8、換気設備 9、水分、有機性ガスを吸収する設備 10、吸着剤(吸水剤)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 被処理物の表面を照射するように配置された1個以上の
    紫外線発生源を内蔵する処理室と、該処理室の一端に設
    けた分解ガス排出口に接続して換気設備を有し、前記処
    理室の他端に設けたオゾン吸入口に接続してオゾン発生
    設備を設けてあることを特徴とする紫外線・オゾン処理
    装置。
JP17856585A 1985-08-15 1985-08-15 紫外線・オゾン処理装置 Pending JPS6240730A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17856585A JPS6240730A (ja) 1985-08-15 1985-08-15 紫外線・オゾン処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17856585A JPS6240730A (ja) 1985-08-15 1985-08-15 紫外線・オゾン処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6240730A true JPS6240730A (ja) 1987-02-21

Family

ID=16050702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17856585A Pending JPS6240730A (ja) 1985-08-15 1985-08-15 紫外線・オゾン処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6240730A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6231676B1 (en) * 1998-01-27 2001-05-15 Seagate Technology Llc Cleaning process for disc drive components
JP2011251228A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Kazusa Dna Kenkyusho 表面改質処理装置
WO2012043156A1 (ja) * 2010-09-30 2012-04-05 ウシオ電機株式会社 デンタルインプラント用光照射装置
JP2012075549A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Ushio Inc 生体インプラント用洗浄処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5160165A (en) * 1974-11-22 1976-05-25 Hitachi Ltd Teionpurazuma nyoru kobunshihimakuno jokyoho
JPS6039240B2 (ja) * 1978-11-06 1985-09-05 東亜特殊電機株式会社 時分割型音声フアイル

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5160165A (en) * 1974-11-22 1976-05-25 Hitachi Ltd Teionpurazuma nyoru kobunshihimakuno jokyoho
JPS6039240B2 (ja) * 1978-11-06 1985-09-05 東亜特殊電機株式会社 時分割型音声フアイル

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6231676B1 (en) * 1998-01-27 2001-05-15 Seagate Technology Llc Cleaning process for disc drive components
JP2011251228A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Kazusa Dna Kenkyusho 表面改質処理装置
WO2012043156A1 (ja) * 2010-09-30 2012-04-05 ウシオ電機株式会社 デンタルインプラント用光照射装置
JP2012075548A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Ushio Inc デンタルインプラント用光照射装置
JP2012075549A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Ushio Inc 生体インプラント用洗浄処理装置
US8912507B2 (en) 2010-09-30 2014-12-16 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Light irradiation device for dental implants

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6399022B1 (en) Simplified ozonator for a semiconductor wafer cleaner
US6217665B1 (en) Method of cleaning substrate using ultraviolet radiation
KR970077317A (ko) 건식 에칭기(Dry Etcher)의 잔류 가스 제거 장치 및 방법
JP5258241B2 (ja) Uv照射チャンバーをクリーニングする方法
US6391117B2 (en) Method of washing substrate with UV radiation and ultrasonic cleaning
JPS6240730A (ja) 紫外線・オゾン処理装置
JPH01226156A (ja) 基板の清浄化処理方法およびその装置
JPS5839377B2 (ja) シリコンウエ−ハの処理方法
JPS60129136A (ja) 紫外線照射装置
JPH05109686A (ja) シリコンウエーハの洗浄方法およびその装置
JP2948110B2 (ja) 被処理物体表面または当該表面上の物質を減圧下で酸化する方法
JP2000066003A (ja) 光学部品の洗浄方法
JP2003077885A (ja) 基板処理装置
JP3457059B2 (ja) 容器の洗浄方法及び洗浄装置
US20070062372A1 (en) Method of producing a mixture of ozone and high pressure carbon dioxide
JPS63115343A (ja) 処理装置
JPH1018069A (ja) 炭化水素系溶剤を用いた精密洗浄装置
JP3085128B2 (ja) 光洗浄方法
JP2002018379A (ja) 薄膜剥離方法、薄膜剥離装置及び電子デバイスの製造方法
JPS6127635A (ja) フオトレジストの高能率乾式除去装置
JP4645781B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2004290906A (ja) 光洗浄方法および光洗浄装置
JP3576216B2 (ja) 合成樹脂製収納ケースの洗浄方法
JPH0768162A (ja) 付着物の洗浄方法及びその装置
JPS61123143A (ja) レジスト灰化方法