495759 A7 —_____B7__ 五、發明說明（1 ) 本發明涉及一種資訊記憶體，其需要一種更新元件以 便在某種時段間距中使記憶胞中所保存之資訊更新。本 發明亦涉及此種更新元件之測試方法，其係以申請專利 範圍第1項之前言爲基準。但本發明之主要應用領域是 所謂DRAM，特別是此類之半導體記憶體。 就一種由資訊之寫入而造成之記憶胞狀態保持穩定之 程度而言，其是與資訊記憶體中所使用之記憶胞之本質 有關。若記憶胞由雙穩態之電路（正反器）所構成，則 只要電源不中斷，則所寫入之資訊即保存著。但其它形 式之某些記憶胞會隨時間而使寫入之資訊遺失，因此須 隨時更新。 這例如適用於一些記憶胞中，其中原來之記憶元件是 電容（其具有不同之充電狀態），所寫入之資訊是由電 荷之位準來表示。由於電容器之不同避免之漏電現象， 則所儲存之電荷會隨時間而減少，使此種由所儲存之電 荷所表示之資訊不再可明確地辨認。記憶胞狀態在讀出 時會被誤解。若此種記憶胞操作成表示1和0之二進位 記憶胞（此時只在二個狀態〃充電〃（高位準）和〃放 電〃（低位準）之間變換），則在一段時間之後具有π 1"之 記憶胞之電荷逐漸消逝而在此記憶胞中讀出"0"。若各記 憶胞分別用來儲存多於二個之各別之資訊値，則類似上 述之問題會更嚴重，此時一些資訊値會對應於此電荷之 固定之中間位準。 除了上述之電容式記憶胞之外，亦需要其它需更新之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 495759 A7 B7___ 五、發明說明（2 ) 記憶胞。這通常適用於全部形式之記憶胞，其中至少一 種資訊寫入狀態是會消失的。這些狀態因此可以是任意 之物理量或化學量。 更新在原理上包含下述過程：在記憶胞狀態可消失至 某種程度使其中所表示之資訊不再可明確辨認之前，此 記憶胞狀態須即時地可感測；然後由此種已感測到之記 憶胞狀態中所得之資訊被寫入相關之記憶胞中而達成更 新作用。 記憶胞中資訊之保持時間（retention time)(此時記憶 胞中寫入之資訊可明顯地辨認）是與構造有關的且在相 同之記憶模組中每一記憶胞亦可差異很大。在商用之電 容性DRAMs中，可確保Ml"之最少之保持時間（此時資 訊是以高（H)位準表示）大部份是數毫秒之間，實際上 在一些記憶胞中"1"之保持時間偶而可大很多，在某些情 況中甚至可達數秒。在選取此種更新所需之時距時，由 於構造上之原因必須依據所確保之最小之保持時間來決 定，即，各更新之間之期間不可大於此種最小之保持時 間。 資訊記憶體（其記憶胞需要更新）須以習知之方式使 用一種更新元件，其包含以下之組件：更新-選擇元 件，用來選取一些待更新之記憶胞；感測元件，用來感 測每一由更新-選擇元件所選取之記憶胞；再記憶元 件；使每一已選取之記憶胞設定成一種更新狀態。這樣 所構成之更新元件通常自動地以下述方式操作：該選擇 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — — — — — — — ·11111111 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495759 A7 __B7 _ 五、發明說明（3 ) 元件依據使用者所設定之序列程式來選取全部記憶胞， 使感測元件可感測每一所選取之記憶胞之狀態且再記憶 元件使相關之記憶胞重新設定成此種序列程式必須由使 用者來設定，使記憶胞在較記憶體之最小-保持時間還 長時不致於仍未被更新。 在設計分析及生產測試時必須檢測：此更新元件能可 靠地且可在全部所選取之記憶胞上進行所期望之更新。 感測功能之作用是可感測：此更新-選擇元件未能準確 地遵循所設定之程式。這特別是在上述之選擇元件中一 種週期性驅動之更新計數器用來週期性地重複計算這些 即將更新之記憶胞或記憶胞組（group)之位址且此計數器 之溢位功能不能正確地操作或此計數口以其它方式而發 生不均勻現象時特別會發生。其它之感測功能是可感 測：一種感測時所選取之記憶胞未由該再記憶元件所存 取時。 爲了測試此更新元件，則儲存一種習知之易於消失之 資訊於整個記憶胞陣列中是不夠的，須在最小保持時間 結束之前在全部記憶胞中進行一種更新週期且隨後檢 測：全部之記憶胞是否總是含有相對應之資訊。這些記 憶胞（其實際之保持時間較最小保持時間大很多）在檢 測時可保持其資訊，若其在更新週期中已被忽略。 爲了提供一種有效之測試效果，則通常在資訊儲存之 後依順序進行許多更新週期，其間之時距不大於最小保 持時間，但整體之進行時間較所預期之最大保持時間還 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495759 A7 —— —__B7 _ —_ 五、發明說明（4 ) 長。因此，可依據隨後所感測之記憶胞之資訊內容來決 定··在更新週期中是否有記憶胞規則地被忽略。但這些 方法需要較長之測試時間且特別是在較大之記憶體中此 種測試只區段性地在較小之記憶體方塊中進行時不使用 這些方法。 另一方式是：不是以檢測此種更新結果爲滿足，而是 只檢測此更新計數器之工作方式。但這樣不能辨認一些 錯誤狀態（例如，所選取之記憶胞實際上不會到來）。 一種在更新計數器和位址解碼器之間的接線上之錯誤仍 未被查覺，多工器中之錯誤同樣未被查覺，多工器通常 用來在正常位址和參考位址之間進行選擇。此外，計數 器之檢測需要對各別已存在之計數狀態（瞬間計數値） 進行偵測，以便可在計數器操作中確定一些錯誤。在許 多更新計數器中未設有元件以顯示此計數器狀態或顯示 一種已界定之重置（re set)狀態，在此種情況下另外需要 一些測試用之偵測硬體（例如，特殊之掃描鏈 (chain))。 本發明之目的是提供一種方法以測試資訊記憶體之更 新元件，其在短時間中提供一種敘述，據此可決定：此 更新元件之全部組件是否已依規定來操作。此目的是由 本發明申請專利範圍第1項之特徵來達成。本發明有利 之其它形式描述在申請專利範圍各附屬項中。 本發明之測試方法基本上包含以下各步驟： 一測試開始時先確認這些測試時將加入之記憶胞之狀 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------tr---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495759 A7 B7 五、發明說明（5 ) 態； 一在最小保持時間結束之前在上述確認過程之後使再記 憶元件操作在測試-操作模式中，此時每一加入之記 憶胞之由其所設定之更新狀態分別是一種預設之狀 態，其是與先前已確認之狀態不同； 一檢測：已加入之記憶胞之由再記憶元件之上述操作所 設定之狀態是否對應於預設之狀態。 本發明以二個認知爲基準，其中之一是，上述問題在 更新測試時只涉及··再記憶元件之特定之操作使一種與 先前所感測之資訊相同之資訊再儲存至各別選取之記憶 胞中。另一個認知是：適當地拋棄此種特定之操作 (即，此種測試-操作模式，其任務是再儲存一種明顯 地不同於所感測之資訊之資訊）實際上可揭示此更新元 件之全部組件之所有可能之錯誤。即，每一錯誤（其可 影響一種即時更新操作之結果）在再記憶元件之上述測 試-操作模式之結果中都可辨認。藉由本發明之測試-操 作模式，則可對付上述問題，儘管此測試結果仍保持著 未受限制之表現力。 測試開始時所進行之記憶胞狀態之確認之目的是：只 要這些狀態未知，則可用來感測相關記憶胞之狀態，這 例如藉由所儲存之資訊之正常讀出來進行。但此種確認 亦可以下述方式來達成：習知之任意資訊藉由正常之寫 入操作而寫入記億胞中（讀出過程因此是多餘的）。 習知之資訊對所有相關之記憶胞未必相同，但較佳是 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495759 A7 B7 五、發明說明（） 使全部之這些記億胞都具有相同之已知之狀態。這樣所 具有之優點是：隨後在再記憶元件之測試操作模式中即 將設定之記憶胞狀態可相同，這樣可使操作簡化且使隨 後之計算簡化。在此種再記憶元件中可在適當之位置 (此處另外施加一種位準，其描述記憶胞先前狀態之資 訊）只饋入任意定義之固定位準，其會造成一種與已寫 入之狀態不同之記憶胞狀態。此種新的（更新之）記憶 胞狀態甚至不能明確地描述一種記憶體資訊，其亦可以 是任意之中間狀態，爲了簡化計算過程，則此種即將設 定之新記憶胞狀態須對應於可能之記憶體資訊之一，其 在二進位記憶胞中是"1 "，若先前已寫入之資訊是"0" 時。 在此種特殊之實施形式中，相關之全部記憶胞在一個 週期（其在再記憶元件之測試操作模式中完成）之後含 有"1 "，若該更新元件無錯誤時。若不知在何處出現"0" 時，則就相關之記憶胞（或記憶胞組）而言可推知該更 新元件之功能錯誤。 如上所述，該更新-選擇元件通常含有一種更新計數 器，其可藉由更新時脈脈衝而週期性地經由計數範圍而 繼續計數，此計數範圍包含N個値（0至N-1 )，以便在更 新所需之週期性重複過程中對此記憶體之N個記憶胞 (組）所成之集合進行定址。在此種情況下較佳是進行本 發明之測試方法，使已知之資訊寫入該測試時所加入之 記憶胞中之後且在最小保持時間結束之前此更新計數器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495759 A7 B7 五、發明說明（7 ) 可藉由依順序之時脈脈衝而繼續計數’在測試-操作模 式中在再記億元件受驅動時使相繼之已定址之記憶胞設 定成此種由此操作模式所預設之〃新〃狀態。然後檢 測：這些新狀態實際上已到達何種程度。 若已進行此種測試超過N個時脈脈衝，則可認爲：即 將加入之記憶胞（組）所成集合之N個元件所用之全部N 個位址W〇至WN· I已進行定址。此種認定當然只有當計 數器和此種使計數値轉變成各別相對應之位址所用之解 矽器正確操作時才是合理的。若此種理想情況滿足，則 一種恰巧有N個時脈脈衝之測試週期顯示：就每一所產 生之位址而言此集合之所屬之各元件實際上是否已由再 記憶元件所達成。即，只有當計數器及解碼器無錯誤 時，則以N個時脈來進行之簡易測試才是有意義的。 反之，若上述情況不成立，則較佳是以特殊之策略來 進行本發明之方法，以便同樣可考慮或完全辨認一些可 能之錯誤（其可在更新位址產生時發生）。這些錯誤可 以是： 1.計數器跳過計數値或短暫地在一個或多個脈衝中停 止； i i · 5十數益之溢位（即’由末_返回§十數區之起始端） 不正確地作用，其是由於使用額外之時脈所造成； 11 i ·位址產生用之數値解碼器不正確地作用或與計數 器輸出端不相連接； 1 V ·可能存在之轉換器（多工器）是有缺陷的，這些轉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線. 495759 A7 B7 五、發明說明（） 換器用來在正常位址和更新位址之間作選擇。 在最不利之情況（此時計數器中不存在該計數値發佈 所用之元件或不存在一種已界定之數値預設（大約適當 地重置成0時所用之元件）中，最好進行以下之測試流 程··首先，藉由正常之寫入使測試時所加入之集合之全 部N個即將選取之元件（記憶胞或記憶組）設定成一種 習知之狀態（例如，L位準）。然後在最小保持時間內 以及使再記憶元件在測試-操作模式中操作時施加N個 依序之時脈至更新計數器，讀出此N個元件之〃新〃狀 態。隨後亦在最小保持時間內但在再記憶元件在更新-操作模式中操作時施加Y個時脈至計數器，其中Y是任 意不同於N之整數倍之其它數（較佳是選取Y = N/2 )。 然後重新使全部N個即將選取之元件設定成一種已知之 狀態，且重新在最小保持時間內又使再記憶元件在測 試-操作模式中操作時施加N個依序之時脈至更新計數 器，然後讀出N個元件之所達成之狀態。 若此更新元件之所有各部份都無缺陷，則上述之二個 讀出過程在所有之N個元件分別顯示此種由再記億元件 所預設之記憶胞狀態。須確保Y個即時更新操作所形成 之中間電路，使二個N部份組成之測試週期之至少一個 含有該更新計數器之一個溢位（overflow)，以表示該測試 結果中可能存在之溢位錯誤。即，須確保：只要溢位未 在第一測試週期中處理完成，即在第二測試週期時此溢 位須處理完成。較佳是選取數字Y = N / 2，因爲此數是離 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495759 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7__ 五、發明說明（9 ) N之整數倍（包括〇)最大可能之距離中最小之數。因 此，在計數器操作時若發生跳躍及中止現象時可有最佳 之機率使此測試週期或另一測試週期中之溢位被處理完 成。 在先前所述之測試流程中，此種測試總共需要2N + N/2個時脈。此二個讀出過程指出以下之結論：再記憶 元件基本上是否己完成N元件中之每一個且此計數器之 溢位功能是否正確地操作。例如’若在此二個測試週期 之每一個之前使二進位狀態"〇n (L位準）寫入全部之N 個元件且由該再記憶元件所預設之狀態寫入"1"( Η位 準），則此二個讀出過程中之每一個都在全部之元件上 顯示二進位狀態"1 "( Η位準），若所有各部份都正確操 作時。在所預期之"1"或"0 "未被讀出之處，則此更新元 件存在一種錯誤功能。 若在計數器中設置一些以告知計數狀態或預設一種明 確之數値，則此測試流程可較前述之情況縮短。首先須 確認此更新計數器之計數狀態，即，讀出此狀態或設定 成一種習知之數値A (例如，〇 )，測試時已加入之集 合之全部N個即將選取之元件（記憶胞或記憶胞組）藉 由正常寫入成一種已知之狀態（例如，全部是L位準） 而設定完成。然後在最小保持時間且此再記憶元件在測 試-操作模式中操作時施加X<N個依序之時脈至更新計 數器，然後第一次讀出全部N個元件之狀態。接著又使 全部N個元件設定在一種已知之狀態（例如，L位 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公€ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
495759 A7 _ B7 五、發明說明（） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 準）。然後在最小保持時間且此再記億兀件在測試-操 作模式中操作時施加N - X + 1個依序之時脈至更新計數 窃’然後弟一^次δ買出全部N個元件之狀悲。 依據此數Α + Χ是否小於或大於Ν，則計數器之溢位在 第二或第一測試週期時須處理完成。在更新元件之全部 各部份都正確地操作時會形成以下之情況： 1) 在第一情況（Α + Χ<Ν)時 1 a)第一讀出過程在位址wA至Wa + x·!中顯示此再記 憶元件在測試-操作模式中所設定之狀態且在其 餘之位址時顯不先前所確認之狀態， lb)第二讀出過程在位址Wa + χ至，^及W。至Wa時 顯示此再記憶元件在測試-操作模式中所設定之 狀態且在其餘之位址時顯示先前所確認之狀態。 2) 在第二情況（A + X>N)時 2a)第一讀出過程在位址WA至及W。至WAni 中顯示此再記憶元件在測試-操作模式中所設定 之狀態且在其餘之位址時顯示先前所確認之狀 態， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2b)第二讀出過程在位址WA + xi至WA時顯示此再記 憶元件在測試-操作模式中所設定之狀態且在其 餘之位址時顯示先前所確認之狀態。 在此種測試流程中，此測試總共只需N + 1個時脈。此 二種讀出過程總共顯示：此再記憶元件基本上已處理完 成全部之元件。在計數器之溢位已處理完成之此一測試 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' "" 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495759 Α7 Β7 五、發明說明（） 週期之後此讀出過程顯示：溢位功能是否已正確地操 作。 若整個系統在每一重置（reset)時（例如，系統起始 時）使更新計數器明確地設定成0，則在測試流程開始 時由此種計數狀態（即，A = 0)開始。舉例而言，XrN] 且在此二個測試週期之每一個開.始之前此二進位狀態” " (L位準）寫入至全部之N個元件以及此種由再記憶元 件所預期之狀態顯示"1 "( Η位準）。在此種情況下在正 確操作時第一讀出過程在位址W〇至Wm顯示二進位狀 態"1 "( Η位準）且在位址Wh顯示二進位狀態"〇" ( L 位準）；第二讀出過程位址和W〇時顯示”1 "且在位 址W!至Wu時顯示"〇"。在未讀出所預期之"1"或"〇"之 處，則可推知此更新元件之功能錯誤。 在第二測試週期時施加較N-X+1個還多之時脈。但通 常恰巧N-X + 1個時脈即已足夠在1個時脈中可靠地辨認 此更新計數器在操作時之跳躍或中止現象。 在一般之DRAM記憶體（其具有N列和Μ行之記憶 胞所形成之矩陣）中，正常操作時由更新計數器選取一 整列（Μ個記憶胞）以進行更新，這是藉由相關之列位 址線（字元線）之選擇性導通且使整個行位址線（位元 線）導通而達成。在存在Ν列及字元線位址是W〇至Wn· !時，由更新計數器所選取之集合之N個元件之每一個 分別含有Μ個記憶胞。爲了測試··定址作用是否正常地 由更新計數中所完成，則在本發明之方法中在測試週期 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495759 A7 __B7____ 五、發明說明（12 ) 時在每一列中只注意這些記憶胞中之一即已止夠，其方 式是在記億胞狀態確認時在測試（例如，寫入）之前且 在記憶胞狀態檢測時在測試（即，讀出）之後只對同一 個行位址進行控制。 在記憶體模組中，記憶體通常劃分成多個排（bank)， 即，字兀線劃分成許多區域，使得在同一時間中在每一 排中只導通一條字元線。因此，就更新操作而言，若b 是這些排之數目，則可同時更新b條字元線上之記憶 胞。 若每一排設有一個特定之更新計數器，則本發明之更 新測試對每一排都可以相同之方式進行而不須改變，且 可同時進行或依序進行。在另一種情況中，若b排只有 一個計數器，則會造成複雜之特性。只有已選取之排才 會被更新，但該共同之計數器在每一更新過程中都會增 加其計數値。例如，若二個排A和B(b = 2)分別以N條字 元線交替地更新，則由此排A開始，在N個更新事件之 後每一字元線利用奇數個AG非來更新且每一字元線利 用偶數個B排來更新。此種特性可利用本發明之更新測 試方法來檢測，這是藉由上述測試圖樣適當地擴大來達 成。特別是依據各記憶胞狀態（其依據本發明之更新元 件之測試-操作模式而讀出）可在並行式更新、依序式 更新和依據混合圖樣之更新中辨認此更新元件之錯誤功 能，若該測試圖樣相對應地擴大時。 爲了進行本發明之測試方法，則該待測試之更新元件 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495759 A7 B7__ 五、發明說明（13 ) 上不需其它硬體。所需之唯一之修改是設計一種切換可 能性以便在再記憶元件之正常更新-操作模式和測試-操 作模式之間切換。特別是在本發明之較佳實施形式中以 相同之資訊（例如，L位準）寫入該全部已加入之記憶 胞中以進行測試操作之前在確認各記心胞狀態時，切換 至測試-操作模式中是簡易的：其只需唯一之可與L位 準區別之位準（例如，Η位準）且在預定之時間施加至 再記憶元件之輸出端。 在一般具有二進位電容式儲存功能之半導體DRAMs 中，使用一種電晶體開關作爲再記憶元牛，其存在於讀 出放大器中且在讀出記憶胞資訊時處於一種切換狀態 中，此時其〃輸出電極〃處於一種可顯示所讀出資訊之 位準中。在正常讀出操作時直接在讀出（此時字元線 (列位址線）仍導通）之後短暫地使該電極仍與相關之位 元線（行位址線）保持連接，以便使所讀出之資訊又寫 入相關之記憶胞中。相同之過程亦在正常更新操作（其 基本上與讀出操作並無不同，當然可輕易地處理此讀出 放大器之輸出信號）時進行。爲了進行本發明之測試-操作模式，則由外部控制上述之電晶體開關或對其輸出 電極或相關之位元線施加一種電壓，以便在再寫入時產 生此種測試-操作模式時所預設之記憶胞狀態。這可以 一種很簡單之方式來進行，如以下將依據圖式所述者。 圖式簡單說明： 第1圖DRAM記憶體模組之一部份，其具有電容性儲 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495759 A7 B7 五、發明說明（14) 存功能。 圖中顯示一個記憶胞，其可由字元線WLn (列位址 線）和位元線B(行位址線）來定址。此記憶胞由電 容C%，m所構成，匕,m之一邊連接至參考電位（接地）且 另一邊經由此記憶胞之電晶體（選擇電晶體）T\，m之通 道而連接至位元線BLm，電晶體Tn,m以此種與其閘極相 連接之字元線WLn來控制。此記憶體模組當然含有許多 其它相同形式之記憶胞，其形成一種由列和行所構成之 矩陣，每一列都有相對應之字元線，每一行都有相對應 之位元線。此圖中除了字元線WLn之外只有各別直接相 鄰之W L η · 1、W L η + 1，且除了位兀線B L m之外只顯示直接 相鄰之BLm·!、BLm + i。每一條位元線（或每一位元線 對，在成對之位元線或二部份之位元線時）連接至所屬 之寫入/讀出電路，其另外含有一種讀出放大器（以便 感測此記憶體電容之充電狀態）以及一種開關系統（以 便使記憶體電容充電至所選取之電壓位準）。此種電路 之操作（用來正常地寫入及讀出此記憶體內容，且在讀 出之後又使資訊再儲存回去）通常已爲人所知，此處因 此不需詳述。.此圖中只顯示此種連接至位元線（BLm)之電 路之一部份，其對本發明之測試操作及正常之更新操作 之了解有所幫助。在隨後之說明中將簡單地由唯一之位 元線（不是一般之位元線對）開始敘述。 任意記憶胞（例如，圖示之記憶胞）上一般之更新操 作以電容C η，m依據下述方式進行： -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495759 A7 __B7__ 五、發明說明（]5 ) 步驟1 :在〃預充電〃狀態中在電壓位準V!時起動相 關之位元線（恰巧像正常讀出過程時一樣）， 此電壓V!由產生器G所設定。預充電開關SU 連接在產生器G和位元線BLm之間。 步驟2 :使開關S 1 m斷開。藉由字元線WLn之控制使選 擇電晶體Tn,m導通且因此使電容Cn,nl連接至位 元線BLm。若記憶胞中儲存較低之位準（L位 準）VL，即，二進位値"0"，則位元線電壓調 整至位準V! -d V。若記憶胞中儲存高位準（Η 位準）VH，位元線電壓調整至位準V, + dV。典 型之方式是選取此種預充電位準Vi = (VL + VH) /2 ° 步驟 3 :現存之位元線電壓和預充電電壓V,之間的差 値在讀出放大器LVni中放大。藉由已斷開之再 充電開關S2m (其配置在讀出放大器LVm之輸 出端和位元線BLm之間）之閉合，則已放大之 差値經由位元線BLm和通常仍保持導通之選擇 電晶體Tn,m而又寫回至電容Cn,m中。在電容中 又有此種〃已更新〃之記憶體位準可供使用。 步驟 4 :藉由字元線WLn之去（de)激發及因此使選擇電 晶體Tn，m關閉，則電容Cn，m由位元線BLm切 離，且藉由預充電開關s U之閉合及再充電開 關S2m之斷開而使位元線BLm又處於預充電電 壓V1 (步驟1 )。 -17- 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線· 495759 A7 _____B7__ 五、發明說明（16 ) 繼續··對隨後所選取之字元線重複進行步驟1至4，例 如，對此字元線WLn+1而言使電容Cn，m (未顯 示）被更新。 實際上通常是使一列之全部記憶胞同時更新，其方式 是依據前述之步驟1至4同時控制全部之位元線。 在使用圖式中之各元件時可簡易地（不需要添加其它 之硬體元件）進行本發明之更新測試。因此可輕易地改 變位元線之控制，使產生器G之輸出電壓V!(並非讀出 放大器LVm之輸出電壓）直接寫入記憶胞中。此時以上 述順序進行步驟1至4即已足夠，唯一須修正之處是： 預充電開關S 1 m總是閉合且再充電開關總是斷開（即， 不導通）。字元線WLn之每一控制都是對所選取之字元 線之一種寫入過程，所寫入之資訊由產生器G之輸出電 壓V 1所支配。 爲了達成本發明之測試-操作模式，則對每一所選取 之字元線進行上述之已修正後之一序列之步驟。換言 之：由開關S 1 m和S2nl及其（未顯示之）控制電路所形 成之再記憶元件可設定在本發明之測試-操作模式中， 其方式是此開關（其在更新-操作模式中可使所感測之 記億胞資訊又儲存回去）之切換間隙須改變，使開關 S 2 m持續地斷開且開關S 1 m持續地閉合，此產生器G調 整至電壓V !，其在記憶胞寫入時會造成該測試-操作模 式中所il設之記憶胞狀態（此時產生器G當然須相對應 地調整）。若電壓v i設定成V 1 η V L，則110 "寫入記億胞 -18- 紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ_297公釐） 魏 一 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) Ρ 訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495759 A7 B7_ 五、發明說明（17 ) 中；在V ! = VH時，π 1 π寫入記憶胞中。在上述之實施例 中，在更新測試開始時已設定之記憶胞狀態等於π 0 π ’則 此時V^VH。 符號說明 B L m - 1、B L m、B L m +丨…位兀線 WLd、WLn、WLn+1 …字元線 cn，m…記憶體電容 Tn，f記憶胞電晶體 LVm···讀出放大器 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）