TW492083B - Method for forming LDD/offset structure of thin film transistor - Google Patents
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Description
492083 五、發明說明（1) 〈發明之領域〉 本發明係有關-種製造薄膜電晶體之方法 的是係有關-種在薄膜電晶體中形成LDD/偏移構造=別 法。 〈發明之背景〉 眾所周知，包含了互補式金屬氧化半導體 膜電晶體被廣泛的用來作為在如主動式陣列液晶顯矛:哭： 平面顯,器中的像素開/關切換單元。這類的薄膜電晶； 應该被设汁成具有電壓電阻和高的開/關電流比。、 一 薄膜電晶體可以分成兩類··非晶矽電晶體和多恭 晶體。雖然多晶矽電晶體由於電子移動速率和可二 係^非晶矽電晶體較優，但是多晶矽電晶體層卻必&形^ 在高溫的環境下，因此使得非晶矽電晶體比較被廣泛使 用。 〃 然而，最近幾年由於多晶矽電晶體能夠形成在如 準分子（eximer)雷射裝置系統之低溫環 電晶體獲得較多的使用發展。 使侍夕晶矽 ^製造多晶矽電晶體通常是藉由在基板上沈積非晶矽， 然後再對非晶矽照射準分子（ex i me r )雷射，使得非晶矽 成多晶矽。多晶矽薄膜電晶體在當它導通時顯現了 θθ 電流品質，然而，因為多晶矽在不同的部分具有典^的: 阱能階（trap levei)，所以當電晶體關掉時合產旦曰 漏電流。 ㈢入$的 為了解決上面的問題’在源極電極與汲極電極之間來
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五、發明說明（2) 成一個沒有摻雜著離子的偏移區域以阻止漏電流。 還可額外形成輕度摻雜閘極（LDD)區域以穩定偏移區域。’ 在傳統的方法中，偏移和LDD區域是藉由複雜的昭 平版印刷法過程所形成。然而，目前已經發展出不蕤 照相平版印刷法過程便能形成偏移區域的技術。 曰由 那就是，首先形成高度摻雜的源極和汲極接觸區 之後再電鍍閘極電極以至於部分區域會被電鍍層所侵蝕， 因此在主動層裡自然地形成偏移區域。 <1 然而，在這種技術裡，減少藉由電鍍過程所形成的 極電極之面積是受到限制的。此外，因為閘極電極所減^ 的厚度是跟電鍍層的厚度一樣，所以使得電流的流量惡 化。而且，在生成電鍍層的過程中，源極電極和汲極電極 之間也許會發生短路的現象。 ^ ^ 在另外的方法中，偏移區域是藉由濕蝕刻在光阻層保 護下的閘極電極邊牆所形成。然而，因為光阻層在摻雜離 子的過程中會變硬，所以在形成偏移區域過程之後很難將 光阻層移除。而且’在校直上如果沒有很好的準確度的、 話’是很難能夠得到要求的偏移區域。 〈發明之總論〉
因此，本發明為了解決上述傳統技術的問題做了努 力。 本發明的目的是為了提供一種製造薄膜電晶體的方 、 /、中偏移和L D D區域能夠簡单地猎由電化學的聚合化 過程所形成。
第6頁 五、發明說明（3) 為薄的目# ’本發明提供了-種形成用來做 2溥％電甜體中LDD結構的聚合物層之方法， 下列步驟··準備一個基板並在1 八 3 7 -層覆蓋著主動層的絕緣声，：門形成-層主動層’ 有早體（m〇nomer)的電解液中；藉由使用具有第一端 連接到閘極電極和第二端連接 /、 生雷尸m山士日日 連接到金屬電極的電源供應器產 :，％，目此在閉極電極的周圍形成具有預定厚度的聚合 包含著形成在基板上的並 有鉻，鎳，銀，金，鋅，：電之金屬電極最好由含 物折十人入 、 辛錫，鋼，鐵，鋁，鉑，釩，碳的 物貝^合金的群體中挑選出所製造。 些單；：：：n?基：體或丙稀基單體中所挑選出。這 喃（THF)，氰曱燒CCH ΓΝ、頁一虱甲烷（CH2C12)，四虱呋 a (CH3CN)，N〜二曱基甲醯胺（DMF)，二曱 _ 丙酮和水的群體中所挑選出的溶劑裡。 方面本發明提供了 —種在薄膜雷曰轉由γ /生 移/ldd構造之方法，其 “成： 一層主動声；力A l、了下列步騄·在基板上形成 曰 土板上沈積—層絕緣層以覆蓋主勤展·力 絕緣層上模製出閑極電極：：二二^主動層’在 =:=;雜；：進入主動層中；移除聚合物層。 驟之前或是移除聚d:列：驟μ在形成聚合物層步 罩來輕度地摻雜離子進二：：：：利用閘極電極做為遮
$ 7頁 492083 五、發明說明（4) 附圖是 細的描述， 〈較佳具 現在將 考，並由附 中，有關相 第la圖 例之薄膜電 如第la 緩衝層22， 用來說明 因而可以 體實施例 對本發明 圖舉例說 同或是相 到第1 f圖 晶體的一 圖所示， 然後在缓 著，如第1 b圖所示， 24的第一層絕緣層26 平版印刷法過程模製出閘極電極28 衝層22上形成一層 在緩衝層22上形成 ，然後在第一層絕 本發明之具體實施 詳細地解釋本發明 之詳細描述〉 之較佳具體實施例 明。不論是否可能 似的部分將使用一 顯示的是依據本發 系列處理過程步驟 首先在薄膜電晶體 例，而且再加上詳 的原理。 做細節的說明參 ’在所有的圖式 樣的參考數字。 明第一項具體實施 〇 基板20上形成一層 主動層2 4。緊接 一層覆蓋著主動層 緣層2 6上經由照相 接下來，如第lc圖所示，利用間極電極28做為遮罩， 對主動層24輕度地摻雜離子。因此，便在主動層24上除 在閘極電極28掩蓋下的部分區域之外形成了LDD區域3〇。 在上述的結構中也許可以省略掉緩衝層22。 為了形成主動層24，首先在緩衝層22上沈積非晶矽， 然後將非晶矽蝕刻成預定的模版。接下來，再對非晶矽模 版照射eximer雷射，使得非晶矽模版長成多晶矽模版，因 而得到主動層2 4。 弟一層絶緣層2 6隶好藉由使用四乙基—氧-石夕酸鹽 (tetraethy卜o-si 1 icate)方法，化學氣相沈積方法，或 是錢鏡方法製造而得的二氧化矽製成在厚度約丨〇 〇ηιη。
第8頁 492083 五、發明說明（5) 閘極電極28是以如钽，鋁，鈮，矽之金屬物質經摻雜 負u)或正（p)離子或IT0後所形成。而閘極電極28最好形 成在厚度小於2〇〇nm下。 , 接下來，在移除掉用來形成閘極電極28的光阻層之 UF:’極電極28上沈積一層聚合物層32。然後再對主動 層24向度地摻雜離子。 此聚合物層32是藉由依據本發明特色之一 Ϊ = ϊ戶即，在於其上形成間極電極模版28的 ς板2 =泡在含有溶解於㈣中的單體之電解液的狀態 32電ii二=金屬電極通入電解液中時，會將聚合物層 w尾鍍在閘極電極28上。 第3圖顯示的是在本發明中所使用的電鍍裝置。 電極Sit:置包含了一個充滿著含有用來在裸露的閘極 有第ί 之單體的電解液42之盆紅44和-個具 連接到閘極電極2 8和第_她 ’ 電源供應器48。 弟—知連接到金屬電極46的 電鍍上的聚合物之厚度可以藉由改變通命、 處理時間來調整。而且•朽予f文复通入的电流量和 料往往也會影塑電：：：；丄電解液’單體’和溶劑的材 〜曰以響電鍍上的聚合物之厚度。 金屬電極是由含有鉻，鋅 鐵，鋁，缸力 „ 螺銀，金，辞，錫，銅， 造η L ’飢’ ^的物質或合金的群體中挑選出所制 、。另外，在薄膜電晶體中的儲在雪：組：挑、出所製 做為金屬電極。在此，♦ ^ :谷之電極也可以用來 曰通甩極取好疋由跟閘極電
形成在基板上的普通電才f:是使用 五、發明說明（6) 極一樣的材料所構成。 金屬電極也可以同〜+ 電極放置在跟閘極雷托疋在盆44上，在此，最好將金屬 極電極的一邊，;冋一平面以便於電場能夠形成在間 的一邊上。邊因而可以容易地將聚合物電鍍在間極電極 上做^ ί ^例中’如第3圖所示，是以形成在基板 過程谷的普通電極為例子。㈣，聚合物的電鍍 疋电源供應器48的第一端（正極）連接到閘極電極28 和弟一端（負極）連接到普通電極46的狀態下進行的。 此外，溶劑是由含有二氯甲烷（CH2Cl2)，四氫呋喃 (THF)，氰甲烷（ch3CN)，N-二甲基甲醯胺（DMF)，二甲亞 礙（DMSO)，丙酮和水的群體中所挑選出的。 電解液則是由含有Bu4NPF6，Bu4NC1〇4，鹽酸，硫酸， 硝酸，和過氣酸（HC104)的群體中所挑選出的。 在聚合化過程中所使用的單體是由乙烯基單體或丙烯 基單體中所挑選出。其中，乙烯基單體最好由含有甲基_ 甲基丙烯酸（methyl methacrylate)，丙烯酸胺 (acrylamide)，丙烯酸（acrylic acid)，丙烯月耷 (acrylonitrile)，苯乙浠（styrene)的群體中所由匕選出 的。而丙烯基單體也許可以使用丙烯苯。 另外，聚合物層也能夠經由以使用己内醯胺 (caprolactam)或硫化苯乙烯（styrenesulfide)的圓環開 放式聚合化過程電鍍而得。 使用上述的電鍍裝置，如第Id圖所示，可將聚合物層
第10頁 492083
32電鍍並覆 在上述 電極模版28 示，在主動 電極的接觸 接著， 製造過程。 面上沈積第 後形成接觸 接觸洞内以 第2a圖 據本發明第 剖面圖。 蓋在閘極電極28上。 層3 2的間極 第1 e圖所 源極和 >及極 物層3 2。 膝電晶體的 緣層2 6的表 模版28，然 金屬填充入 晶體經由依 步驟下的橫 的過程之後，當使用覆蓋著聚合物 做為遮罩進行高度摻雜離子時，如 層24的相反兩邊上變成了為了界定 層34a和34b。接下來，再移除聚合 在移除聚合物層3 2之後，便進行薄 亦即，如第1 f圖所示，在第—層絕 二層絕緣層3 6並且覆蓋住閘極電極 洞以便連結接觸層34a和34b。再將 便形成源極和汲極電極3 8和4 〇。 到第2d圖是為了描述部分的薄膜電 二項具體實施例之一系列處理過程 ★在第一項具體實施例中形成第一個閘極電極28之後， i f2a圖所不’使用與第—項具體實施例相同的方法將聚 合物層32電鍍並覆蓋在閑極電極28上，之後如第託圖所 不，使用聚合物層32做為遮罩進行高度換雜離子。 μ 接著，如第化圖所不，在移除聚合物層32之後，如第 2d，所示，輕度地掺雜離子以便形成㈣區域。而當離子 不疋輕度地摻雜時，則會形成偏移區域。 1根據本發明？其他特別形式的具體實施例被顯示和 二=’明顯的k些改變或是修改過的熟練技術都能 Πί離本發明廣泛的各方面範圍所達到。因纟，附加的 申s月專利範圍將完全指明本發明的範圍而所有的改變和修
492083 五、發明說明（8) 改均屬於本發明之真實精神和範圍。
Hill 第12頁 492083 圖式簡單說明 第1 a圖到第1 f圖是為了描述部分的薄膜電晶體經由依據 本發明第一項具體實施例之一系列處理過程步驟下的橫剖 面圖； 第2a圖到第2d圖是為了描述部分的薄膜電晶體經由依據 本發明第二項具體實施例之一系列處理過程步驟下的橫剖 面圖； 第3圖是依據本發明用來執行電鍍過程之裝置的圖式。 <圖式中元件名稱與符號對照> 20 基 板 22 緩 衝 層 24 主 動 層 26 第 一 層 絕緣層 28 閘 極 電 極 30 LDD區域 32 聚 合 物 層 34a、34b :接觸層 3 6 :第二層絕緣層 3 8 :源極電極 4 0 :汲極電極 42 :電解液 44 :盆缸 4 6 :金屬電極 48 :供應器
第13頁
Claims (1)
- 492083 六、申請專利範圍 1 · 一種用以形成一個使用在形成薄膜電晶體之LDD構 造的聚合物層之方法，其中包含了下列步驟： 準備一個基板，並在其上依序形成一層主動層，一層 覆蓋著主動層的絕緣層，和閘極電槌； 將此基板浸泡在含有單體的電解液中；且 藉由使用具有第一端連接到閘極電極和第二端連接到 金屬電極的電源供應器產生電場，因此在閘極電極的周圍 形成具有預定厚度的聚合物。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中金屬電極包含 了形成在基板上的普通電極。3.如申請專利範圍第1項之方法，其中金屬電極是由 含有鉻，鎳，銀，金，鋅，錫，銅，鐵，鋁，鉑，釩，碳 的物質或合金的群體中挑選出所製造。 4 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中單體是溶解在 溶劑中，而溶劑是由含有CH'L，THF，CH3CN，DMF， DMSO，丙酮和水的群體中所挑選出的。 5·如申請專利範圍第丨項之方法，其中單體是由乙稀 基單體或丙烯基單體中所挑選出的。6 ·如申請專利範圍第5項之方法，其中乙烯基單體是 由έ有甲基-甲基丙稀酸（methyl methacrylate)，丙稀酿 fe(acrylamide)，丙稀酸（acryiic acid)，丙烯腈 (acrylonitrile)，苯乙烯（styrene)的群體中所挑選出 的。 如申請專利範圍第5項之方法，其中丙烯基單體是492083丙烯苯。 、8.如申請專利範圍第1項之方法’其中聚合物是經由 以使用己内醯胺（capr〇 lactam)或硫化苯乙埽 (styrenesulf ide)的圓環開放式聚合化過程而形成的。 9. 一種在薄膜電晶體中形成偏移/ldd構造之 中包含了下列步驟： 其 在基板上形成一層主動層； 在基板上沈積一層絕緣層以覆蓋主動層； 在絕緣層上模製出閘極電極； 曰’ 形成一層聚合物層以致於在閘極電 厚度的聚合物層； 極的周圍具有預定 藉由使用 動層中；且聚a物層做為遮罩來高度地摻雜離子進入主 成 雜 除 雜 的 液 接 移除聚合物層。 I 0 ·如申請專利範圍第9項之方法， 聚合物層步驟之前，利用閘極電極做 離子進入主動層中的步驟。 II ·如申請專利範圍第9項之方法， 聚合物層步驟之後，利 七用閘極電極做 離子進入主動層中的步驟。 1 2 ·如申請專利範圍第9項之方法， 步驟包含了下列步驟··將' 中；且藉由使用具有第：：基板次泡 $,| Α Μ φ ^ 連接到閘 金屬電極的電源供應器產生電場， 另外並包含了在形 為遮罩來輕度地摻 另外並包含了在移 為遮罩來輕度地摻 其中形成聚合物層 在含有單體的電解 極電極和第二端連 因此在閘極電極的492083第16頁
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