TW491911B - Plasma process apparatus - Google Patents

Description

491911 五、4·日4說明.—αχ 發明背景 發明範疇 本發明有關於電漿處理裝置’且尤其有關於一 理裝置用於製造半導體裝置，液晶顯示器裝置等。7 前案說明 一般已將具有電容搞合電漿源的電漿反應室裝置用於製 造半導體裝置，液晶顯示器裝置等’其中一對電極位於處 理室之中且施以13· 56 MHz的高頻功率以作為電聚激勵， 在此一裝置中’要處理的物體置於電極上，若要處理的物

體是導電的’即使用含有這種電容耦合裝置的直流 仍可激勵電漿。 最近想實施一種更精密高生產力的裝置製造方法，已開 =-種電漿處理裝置其中設有一電漿源其激勵所謂的： 被度電漿。雖然上述各原理的電漿激勵裝置可用於這種裝 置，使用微波是優點極多的，當使用微波時，除了可得^ 上述高密度電聚事實以外，並不必提供含有電極的反應室 要的電導入至少一電漿激勵，這不會污染電極材 '斗的雜負，此外，用微波激勵的電漿其電位低於電容性

的電漿’其又產生另一優點即可大幅‘ 至要處理物體表面的量。 里τ卞 採：：$置極難實施一種電漿狀態即允許較廣面積的處 :一.，已有多種方法提及此問題。 八一種ί法揭示在日本公告專利U—11 1493號，圖16，17 刀別不忍顯不所揭示的電漿處理裝置的垂直及水平剖面。

491911 五、發明說明（2) 參考圖16，17，電漿處理裝置包括反應室1〇1，微波導 入窗102，第第107，介電線111，微波分布器113，微波波 導114及微波振盪器115。 金屬反應室101的内部組成反應室120，其上面用微波導 入窗102密封，在反應室120之中設置一第第1〇7以支撐要 處理的半導體基板108，將高頻電源接到第第1 〇7，在微波 導入窗1 0 2上設置4個分割的介電線111，而其間有一預設 間距（空氣間隙112)，各介電線111的外圍蓋著金屬板 11 6，各介電線111的一側經由微波分布器11 3而接到微波 波導114，微波振盪器115接到各微波波導Π4。 在裝置的操作中，反應室120的内部是抽成一定壓力的 真空，接著經由氣體管路而將反應氣體導入，接著在微波 振盡器11 5振盪微波，其經由波導丨丨4而導入微波分布器 113 〇 口 微波分布器11 3中切分的微波在相同功率下同相的導入 各介電線111，導入介電線丨丨丨的微波通過微波導入窗 102 ’藉由微波的導入，電漿即導入反應室wo之中，因而 施加電漿處理（蝕刻）在第第1 〇7上的基板1〇8表面。 較寬區域中實施均一電漿處理的其他方法揭示在曰本公 告專利8-31 6 1 98, 7-1 05385 及2641 450 等號。 曰本公告專利8-316198號揭示一種電漿處理裝置其中單 一微波振盪器所振盪的微波是分支的，且經由複數個介電 層而傳送到反應室。 曰本公告專利7 —105385號揭示一種電漿處理裝置其中複

491911 五、發明說明（3) 數個波導接到處理室的上半部，而複數個微波振盪器分別 接到波導，因而可互相獨立的控制複數個微波。 曰本公告專利2641450號揭示一種與曰本公告專利 7-1 05385號類似的電漿處理裝置，其中各波導需要各組微 波振盪器，其間的差異只是電漿激勵方式。 微波一般是指頻率1到3 0 G Η z的電磁波，惟在工程領域 中，可依照與一般定義微波相同的方式處理VHF帶（30-300 MHz)，UHF帶（0.3-3 GHz)及毫波帶（30-300 GHz)等的波， 因而在本說明書中，這些頻帶的電磁波總稱為微波。 上述前案揭示的方法具有以下缺點。 首先，在曰本公告專利11 — ^ 49 3號的電漿處理裝置中 (圖1 6，1 7 )將具有相同功率的同相微波導入四個分割的介 電線111，惟在微波導入窗1〇2中，在區域SA(接近反應室 101的侧壁l〇lb)及在區域SB(離側壁10 lb較遠）中，在電位 狀態及在電漿中激勵粒子產生/散溢的方式有一些差異。 在此區域SA下面的電漿負載阻抗與區域SB不同，因而阻止 均一的電漿處理。 在曰本公告專利8-316198號的電漿處理裝置中，介電層 僅分成2個部分，這不足以均一的處理較寬區域的基板， 即使介電層的分割數目增加，不同位置中的負載阻抗也不 相同’如日本公告專利11-111493號揭示的，其又阻止均 一的電漿處理。 在曰本公告專利7-105385及2641450號中，各微波需要 一微波振盪器，通常由節省準備的眼光看去這是較佳的，

丄丄

而不是複數個振盪 能基板相等功率， 眼光而言是不好的 時，其缺點更多。 發明總結 器都是低的功率位準 因此這些前案揭示的 ，而且若將其使用在 ’一種強力振盪器 裝置以節省成本的 處理大區域基板 經濟的電漿處理裝置，即使反應 置顯示不同之負載阻抗仍允許一 本發明的目的是提供一 室中產生之電漿在不同位 均一電漿處理。 j據本發明的電漿處理裝置使用反應氣體而在基板上施 =一電衆處理，該反應氣體已藉由微波而激勵到電漿狀 悲’電漿1理裝置包括一室及複數個微波導入窗，當基板 位於其中時’室具有面對基板表面之主壁及圍繞基板側邊 之^壁’在室中執行電漿處理，在主壁設置複數個微波導 入1¾以面對室内以便將微波導入室，在複數個微波導入窗 中’至少2個微波導入窗相對於側壁之位置關係為相等， 且供應大致相等功率之微波，至少2個微波導入窗相對於 側壁之位置關係為不等，且供應不同功率之微波。 在本發明的電漿處理裝置中，將不同功率之微波導入微 波導入窗’其位置關係為不相等，因此即使在這些微波下 電漿之負載阻抗互相不同’仍可在大約互相相等之各微 波導入窗下面產生電漿狀態。 位置關係相等之微波導入窗下面電漿之負載阻抗應該大 致互相相等，因此將相同功率之微波導入這些微波導入 窗’藉以控制窗下之電漿狀態為實質互相相等。

因此能使電漿在整個室中且右 在大面積之基板上執行一均電漿狀態，因此能 使用單一強力微波振盈器 ^ 2 微波導入窗之微波，可省成本將微波導入位置關係相等之 當5 =電漿處理裝置下’ #室中產生之電漿顯示並聯- 等乃載時，微波產生之電衆，該微波從：ΐ 之負载阻抗。 由導入’具有互相大致相等 依此，即使電漿之負載阻抗在處理室中產生，仍 基板之微波，這能使電漿處理更均一。 " 、較佳的，電漿處理裝置更設置有一微波波導以傳送微 波，一種如此微波波導係分支且接到位置關相等之 個微波導入窗之每一者。 一微波振盪源接到此單一微波波導，所以使用一強力微 波振盪源即能將微波導入位置關係相等之各微波導入窗 較佳的’電漿處理裝置更設置有一微波振盪源以振盛微 波’一種如此微波振盪源接到一微波波導。 p 因此能達成一種經濟之電漿處理裝置。 較佳的，電漿處理裝置更設置有一微波波導以傳送微 波’及一衰減器其能調整微波之衰減量。一種如此微波波 導係分支且接到位置關不等之至少2個微波導入窗之每— 者。一種如此衰減器接到微波波導之各分支部分。 因此使用單一強力微波振盡器即能將微波導入位置關係 不等之微波導入窗。因此仍可達成更經濟之電漿處理裝

491911 五、發明說明（6) 置。 配合附圖來敘述以下本發明的詳細說明即可更明了本發 明的上述及其他目的，功能，特徵及優點。 附圖簡單說明 圖1的剖面圖示意的顯示根據本發明第一實施例的電漿 處理裝置配置。 圖2的另一剖面圖示意的顯示根據本發明第 電漿處理裝置配置 圖3顯不從1箭號I π方向看去的微波導入窗配置。 圖4的示意剖面圖顯示一配置，其中在較小反應室中使 用一波導傳送電路以導入微波。 圖5說明圖4電漿處理裝置中的電漿負載阻抗。 圖6的示意剖面圖顯示一配置，其中在較大反應室中使 用一波導傳送電路以導入微波。 圖7說明圖6電漿處理裝置中的電漿負載阻抗。 圖8的示意剖面圖顯示一配置盆 _ . . y；fc 田 访奴加、士、曾# , ^ 其中在較大反應室中使 用一禝數個波導傳送電路以導入微波。 圖9說明圖8電漿處理裝置中的將二 ^ 統。 Y的電毁負载阻抗及電源系 圖1 0是根據本發明第 路圖。 圖11的圖形對應圖3 處理裝置。 實施例的電漿處理裝置的等效電 疋根據本發明第二實施例的電漿 圖1 2的立體圖顯示根據本發明 第一實施例的電漿處理裝

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置的波導傳送電 圖1 3的圖形顯 電路配置。 路配置。 示根據第 一貫施例的電漿處理裝置的等效 圖1 4的剖面圖對廡 _ 電漿處理裝置配置:^不根據本發明第三實施例的 圖15的剖面圖對應 電漿處理裝置配置。 ”、'貝不根據本發明第三實施例的 圖16的垂直剖面 立 一 號中揭示的電漿處理的顯示日本公告專利11-111493 圖17的水平剖面=立二 號中揭示的電％ 的顯不曰本公告專利11-111493 包眾慝理裝f 〇 發明詳細說明 以說明本發明的實施例 以下參考附圖 第一實施例 應 看 沿參線t圖i1 看 =說明本發明的第-實施例〜 去的剖面。I玄的剖面，而圖2對應沿著圖3線i i 主要參考（g| 1 q 1，微波導 j ’ 2 ’本發明的電漿處理裝置包括：反應室 从;、入窗2a，2b，波導3a，3b，匹配裝置4a，4b，絕 緣體 5 a，5 b，μ 。β 试波振盘器6a，6b，及基板支架7。 10反應至1内部是由導體（如金屬）製造以組成一處理室 ’反應室1的上壁具有4個開孔，微波導入窗2a或2b接到 各開孔以面對處理室1〇。 參考圖3，各侧的2個微波導入窗2a，2a相對於反應室1

五、發明說明（8) 2的：置關係為互相相等，類似的在内部區域的2個 喊波導入匈2b，2b相對於側壁lb的位置關係為互相相等， 微波導入窗2a，2b相對於側壁_位置㈣為互相不等。 本文所谓的位置關係相等是指相關微波導入窗的相對長 度（Wa，Wb’ Wc)及相與間距（La，Lb，Lc)相對於侧壁ib大約是 互相相等，微波導入窗的位置關只要其相對長度及間距大 約互相相等，也可包括與反應室i的上壁表面u作點（或 線）對稱者。 參考圖1，微波導入窗2a，2b與反應室1之間的間距用〇 環9加以密封，因而維持處理室丨〇内部的氣密，處理室工〇 的内部又用真空系（未示）抽真空且維持真空。 波導3a是支分且接到微波導入窗2a，2a，以便相對於側 21 b的位置關係為互相相等，另一波導3 b也支分且接到微 波導入窗2b，2b，以便相對於側壁1 b的位置關係為互相相 等。微波振盪器6a，6b分別經由絕緣體5a，5b及匹配裝置 4a，4b而接到各波導3a，3b，因此可以將相同功率的微波 導入微波導入窗2a及2a(或2b及2b)其位置關係為互相相對 接，而且能將不同功率的微波導入微波導入窗2 a及2 b，其 位置關係互相不等。 八 基板支架7位於處理室10之中，其能支撐基板8以便使它 面對反應室1的上壁，反應室1 一般是接地，而且高頻（或 DC)偏壓施加在基板支架7上。 為了簡化說明而未在圖中顯示將反應氣體輸送處理室1〇 等的氣體管路。

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解釋微波導入窗的 π屯水貝秋 現在 關係。 參考 波導入 接到波 示。 可操 到一定 入其中 率（量） 在反 由微波 離子及 仍會循 在反應室1的上面有-開孔且用密封 窗2，波導3接到微波導入窗2的上面以傳送=被 導3的匹配裝置，絕緣體，微波振盪器等並未顯， ，排氣裝置及閥系統（未示）以便將反應室丨内 壓力的，接著依需要而經由氣體管路將排放氣7體 ，以便調整壓力到電漿產生的位準，藉由平衡 及氣體輸送率（量）即可決定反應室丨的内部壓力。 應室1内部已調整到電漿產生的壓力位準時，即抓 導入窗2而將微波導入反應室1，此時雖然電漿中^ 離子化電子已在撞擊反應室丨壁時消耗了，離子化 序發生，所以可維持電漿。 當離子及離子化電子撞擊反應室丨壁時，壁的電位對於 該動作有一臨界效應，明確而言，若壁的電位是正的，即 拒絕離子而電子會容易的撞擊而進入其中，若電位是負 的，則適用相反的情況。 疋、 ，漿本身相對於反應室丨的壁，根據電子與離子之間的 質量差一般維持在正的，反應室1的壁是由導體製造i 一 般是接地的，有一種情況即施加高頻（或D(：)偏壓到基板支 撲機構如基板支架7以支撐基板8，惟微波導入窗2是^絕緣 的:所以直流電不通，因此將它充電到表面電荷處於穩定 狀態’所以沒有淨電荷的進出，換言之，反應室1的壁是

第13頁 491911 五、發明說明（ίο) 導體而微波導入窗2的表面具有不同電位，因此由產生的 電漿中的充電粒子（電子及離子）來看，存在著不同的壁電 位，這會使電漿中（即微波導入窗2的下面區域及接近側壁 lb的周邊區域）的充電粒子的平衡狀態失衡。 假5又圖4中的電漿產生區域較小，在此情況下，即使在 微波導入窗2下面的區域中仍可期望有接地電位效應，因 此在周邊區域與内部區域之間的電漿狀態中不存在大的差 異，否則會產生處理問題，因此可以視圖4電漿處理裝置 中產生的電漿具有負載阻抗Z其在整個電漿中大約是均一 (圖5) ’圖5中的S表示供電系統，其包括微波振盈器 緣體，匹配裝置等。 、 現在假設圖6所示的是大的電漿產生區域，在此情況下 電子極可此因為接地而在接近壁lb的周邊區域從電喷节 出，然而因為僅存在微波導入窗2所以電子不可能從’内/;1 區域流出，因此藉由從微波導入窗2導入微波而產生電^ 在平衡狀態下，即在其周邊區域及内部區域顯示不同^ 度，因此若大區域中的電漿表示並聯總常數電路的相$ 載’則電漿内部區域的負載阻抗Z11即與其周 祕^、、 載阻抗Z12不同（圖7)。 s 、負 若電漿的負載阻抗在其内部區域與周邊區蛣 α * , Α 間不同， 則如上所述電漿密度也不同，在此情況下不能 電漿處理。 ^战均一的 因此在圖8可以將電漿產生區域分成數個部分（將 入窗分成數個窗）及分別導入微波，惟這不會改變^^&導$

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入窗^下面的電漿情況，及微波導入窗2c下面的電漿其負 載阻互相不同的情況’此外，$種負載阻抗差異會在微 ί末，產生*同反射’目*使匹配下面的貞載側的駐波狀 悲f稷雜’因此若僅將相同功率的微波導入分割的微波導 入窗2a及2c，即不能補償電漿阻抗中的差，結果使電漿處 因此藉由將電漿產生區域分成數個部分（圖8)，本發明 中不同功率的微波即可導入微波導入窗2a及2c，其相對於 側壁1 b的位置關係互相不等，明確而言在圖9中，使用分 ，的，源系統S1及S2以個別的將不同功率的微波導入微波 v入®，其位於具有不同負載阻抗zn及Z12的區域上面， 至位位於具有相同負載阻抗Z12的區域上面的微波導入 窗’則連接相同的電源系統gj。 現在以等效電路為例說明本發明實施例的電漿處理 置。 圖10顯示圖1到3中電漿處理裝置的等效電路配置，夂考 圖10，等效電路配置包括2個電源系統SUS2，€源系'统 S1包括匹配裝置4a，絕緣體5a，微波振盪器6a等，電源 統Μ包括匹配裝置4b，絕緣體5b，微波振盪器讣等，/個、 相等負載zii並聯接到電源系統S1，類似的2個相 Z12並聯接到電源系統S2，負載zu與負載Z12不同。、 負載Z11表示圖1微波導入窗23下面的電漿負載阻抗， 載Z12表示圖1微波導入窗託下面的電漿負載阻抗，個、 載Zl 1存在對應於微波導入窗2a的數目（圖中是2個），且類

五、發明說明（12) 似$ 2個負載Z12存在對應於2個微波導入窗。 的:視為等效電路時其電漿負載阻抗是不同 ;二同=載阻抗的料，當表示為等效電：時； 連接相同的電源系統以施加相同功率的微波。 了即 具ί 4 由产支波導3a ’ 3b形成的微波傳送路徑各 :一 、仫阻抗，其包括電漿負載阻抗，惟影變僖、#玖 於電漿負載阻抗，例如其他以 (1)傳送路徑中的介電的介 微波的場強b “電*數θ以非線性方式對應 變（。2)"電ΐ·數於傳送路#中的介電溫度改變時也會改 ⑷若r Λ'皇理室中的氣體成分也產生微妙變化。 Λ: Λ % ’電_度（氣體離子化程度）也 會改變，其因而改變微波導入電聚的方式。 中二與傳迸路徑的材料有關，限制線區域 中的才木作（或控制各部分的、、放 制反應室壁的溫度即可利的:因=可利，，w 對於反應室側壁的幾何配署;’调整微波導入窗相 素！到3的反措施以外），·/果即\利/值因播素（4—)(除了採取因 衡區域中的電衆狀態即以;果播方式改變時，平 題。 ΙΛ相同方式改變，因而不會產生問 491911

實際上 重要的 是調整由波導形成 的傳送路徑的組合狀 態0 因此藉由控制其他因素即能使各電 :相等的微波導入窗)具有相同的傳送。f且;置= 有相同傳送路徑阻抗的電路，則連接相同 於〃 :同功率的微波，至於具有不同傳送路徑阻“= 、接不同電源系統以施加不同功率的微波，因此能產生均 一電漿。 g 化學蒸氣沈積 現在說明本實施例的電漿處理裝置當成 (CVD)裝置使用時的操作。 預先使用真空泵等將反應室丨内部抽真空，微波振盪器 6a，6b產生的微波經由絕緣體5&，5b及匹配裝置“，“°而 分別導入波導3a，3b，且更從各微波導入窗2a，2b導入反 應室1 ’其能已這些窗2a及2b下面的負載阻抗。 依需要而從氣體管路將材料氣體輸入反應室1。 當反應氣體導入反應室1時，藉由微波即可產生所有的 均一電漿，因此在基板支架7上的基板8表面沈積一均一 模。 在圖1的本發明中，將相同功率的微波導入微波導入窗 2a及2a(或2b及2b)，其相對於反應室！側壁的位置關係互 相相等。對比下，將不同功率的微波導入微波導入窗2 a及 2b，其相對於側壁1 b的位置關係互相不等，這能在處理室 10中產生完全均一的電漿，因此即使在大面積基板中仍可 執行均一的電漿處理。

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上述配置的優點县誌少、J、 ο. p ,, 疋即名成本，因為可使用單一與、士上 裔6 a (或6 b)以導入微 '、古5丨丨娜 说波振盪

^ α L 做/皮到说波導入窗2a(或2b) J:仿里BB 互相相等。 因6仏具位置關係 已用範例說明本實施例，i (也稱為（1，4)的分^將试波導入_分成4部分 ίι|Μ ,,, 、^刀割板式）’惟只要分割數目至少是γ八 式。 n==3)，則本發明可適用於任何分割模 第二實施例 現在參考圖1 1 裝置，圖11沿著魂τ Τ Λ 5明第二貫施例的電聚處 、:Hr

著绫II U善i線看去的剖面對應圖1的配置，圖12 者線II-II看去的剖面對應圖2的配置。 口 U ‘考上圖Γ面;:2 ’本實施例與第一實施例不同之處在於反 的微波導入窗分成1 2個窗。 '心至1上表面1&的各角的4個微波導入窗2a相對於 曰w至1側/壁1 b的位置關係互相相等，4個微波導入窗託也 疋，置關係互相相等，2個微波導入窗2c的位置關係互相 相等，而2個微波導入窗2d也是位置關係互相相等，微波 2a ’ 2b，2c，及2d的位置關係互相不等。 ' 1參考圖1 2 ,位於角落的4個微波導入窗2a中的2個經由波 $3a而接到電源S1 —丨，剩下的2個微波導入窗。則經由波 導3a而接到另一電源3丨-2，4個微波導入窗2b經由波導3b 而接到單一電源系統S2，2個微波導入窗2c經由波導3c而 接到單一電源系統S3，而2個微波導入窗2d經由波導3d而

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五、發明說明（15) 接到單一電源系統S4。 電源系統S1-1及S1-2使相同功率的微波振靈，電源系統 S1-1與S1-2分開的目的只是配置方便，其最好製造成單'_ 系統，這是由裝置配置及成本效益的觀點來看，明確而 言，各角的4個微波導入窗2 a最好經由波導3 a而接到單— 電源系統。 因此根據本實施例，將不同功率的微波導入微波導入 窗/其位置關係互相不等，同時將相同功率的微波導入微 波導入窗，其位置關係互相相等。 否則，第二實施例的配置與第一實施例相同，因此2個 實施例的相同元件以相同數字標示，所以省略其詳細說 明0 、 現在以等效電路來說明本實施例的電漿處理裝置。 圖13顯示經由圖12電漿處理裝置的微波導入窗2b的傳逆 路徑的等效電路配置，參去m .守八扪得迗 2b的位置關係互相相等: :所有的微波導入窗 m也大致㈣，至於下：二“下面電浆的負載阻抗 的這種微波導入窗2b，則 电水員戟阻柷Z11 率的微波導入。 、稭由早一電源糸統S2而將相同功 至於其他微波導入窗9 與圖10的相同，因此4、二2c及2d的等效電路配置則大致 至於位置關係詳細說明。 系統而導入不同功率的微波導入窗，貝“吏用不同電源 是互相不等。 、倣波，因為這些窗下面的貪載阻抗

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在此應該確保接到相同電源系統的各電路笋 工其他，素1到4而使其傳送路徑阻抗大致互= 變第一實施例所述的傳送路徑阻抗。 再根據本實施例，將相同功率的微波導入微 (其相對於反應室1侧壁lb的位置關係互相相等），ζ固 同功率的微波與導入微波導入窗，其位置關係互相不 因此在第一實施例中能在處理室中產生完全均一的 因而確保均一的電漿處理。 單一電源系統對於位置關係互相相等的微波導入窗而古 是足夠的，其優點是節省成本。 θ

已用範例說明本實施例，其中將微波導入窗分成丨2部分 (即（3，4)的分割模式），惟本發明適用於任何其他分割& 式（m ， η) 〇 ° 第三實施例 現在參考圖14，1 5，本實施例的電漿處理裝置與第一實 施例不同之處在於微波導入窗2 a及2 b相對於反應室1的側 壁1 b的位置關係互相不等，且接到相同的微波振盪器6，

在此一情況下位置關係互相不等的微波導入窗接到單一微 波振盪器6，且必須提供可變衰減器11給各分支部分，此 可變衰減器11可調整微波的衰減量，藉由可變衰減器U， 即能將不同功率的微波導入微波導入窗2a及“，其位置關 係互相不等。 否則，本的配置大致與第一實施例相同，因此其中的相 同元件以相同數字標示，所以省略其詳細說明。

第20頁 491911 五、發明說明（17) 本實施例中 π 位置關係互相不等的微波導入窗2a及2b接到 單一微波振盪器6，因此與第一實施例相比能再簡化裝置 省成本。 減器11的設置能將不同功率的微波導人微波 其位置關係互相不等，因此能在處理室i 〇 的結構以再節 此外可變衰 導入窗2a及2b 中產生完全均 已用（1 ，η) 一貫施例所述 如上所述， 微波導入微波 相不等，因此 相不同，仍能 到均一的電聚 雖然已詳細 限制，本發明 一的電漿，以使電漿處理均一 的分割模式說明本實施例，惟它也適用於第 的任何分割模式（m，η)。 ' 根據本發明的電漿處理裝置允許不同功率的 導入窗，其相對於處理室側壁的位复係 即使各微波導入窗下面的電漿的負 二 在處理室中產生完全均一的電激， 處理。 β電漿因此能得 說明本發明，明顯的它只是說明性而 的精神及範圍僅由後附申請專利範圏界定。

491911 圖式簡單說明 第22頁

Claims (1)

1. 4919M 公告本 _牛請專利範·圍— 1· 一種電漿處理裝置，使用藉由微波而激勵至電聚狀離 之反應氣體而施加一電漿處理至一基板（8)，包括： ^ 一室（1)具有，其中支撐該基板（8)，一主壁（ia)相辦於 該基板（8 )表面及一側壁（1 b)圍繞該基板（8)之一上壁，< 以導通其中之電漿處理；及 複數個微波導入窗（2a)設置在該主壁（ia)上以面對該室 (1)之内部，用以將微波導入該室（1); " 其中在該複數個微波導入窗（2a)中，至少2個微波導入 窗（2a)相對於該側壁（lb)位置關係互相相等配有相同功率 之微波，及至少2個微波導入窗（2a )相對於該側壁（丨b)位 置關係互相不等與配有相同功率之微波。 2·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中當該室 (1)中產生之電漿表示為並聯總常數電路之相等負載時， Μ波產生之電漿之負載阻抗，該微波從位置關係相等 之至少2個微波導人窗（2a)導人，則Α致互^Υ。致相4 3 ·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中更包括 一微波波導（3a，3b)用以傳送微波，其中一該微波波導 (3a，3b)支分且接到位置關係互相相等之該至少2個微波 導入窗（2a)之每一者。 4·如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置，更包括一電 漿振盪源（6a，6b)用以振盪微波， 其中一該微波振盪源（6a，6]3)接到該微波波導（3a， 3b)。 5·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，更包括

   第23頁 491911 六、申請專利範圍 一微波波導（3a，3b)用以傳送微波；及 一衰減器（11)配置成調整微波之衰減量； 其中一該微波波導（3 a，3 b)支分且接到位置關係互相不 等之該至少2個微波導入窗（2a)之每一者， 及其中各該衰減器（11)接到微波波導之各支分部分 (3a ， 3b)。

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