CZ17940U1 - Aplikátor mikrovlnného generátoru plazmatu, a mikrovlnný generátor plazmatu zahrnující tento aplikátor - Google Patents

Aplikátor mikrovlnného generátoru plazmatu, a mikrovlnný generátor plazmatu zahrnující tento aplikátor Download PDF

Info

Publication number
CZ17940U1
CZ17940U1 CZ200719202U CZ200719202U CZ17940U1 CZ 17940 U1 CZ17940 U1 CZ 17940U1 CZ 200719202 U CZ200719202 U CZ 200719202U CZ 200719202 U CZ200719202 U CZ 200719202U CZ 17940 U1 CZ17940 U1 CZ 17940U1
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
microwave
applicator
outlet
interface
guide portion
Prior art date
Application number
CZ200719202U
Other languages
English (en)
Inventor
Špatenka@Petr
Vozáb@Jaroslav
Original Assignee
Špatenka@Petr
Vozáb@Jaroslav
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Špatenka@Petr, Vozáb@Jaroslav filed Critical Špatenka@Petr
Priority to CZ200719202U priority Critical patent/CZ17940U1/cs
Publication of CZ17940U1 publication Critical patent/CZ17940U1/cs
Priority to EP08801041A priority patent/EP2189047B1/en
Priority to PCT/CZ2008/000106 priority patent/WO2009033437A1/en
Priority to AT08801041T priority patent/ATE555639T1/de
Priority to US12/677,887 priority patent/US8299714B2/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Description

Aplikátor mikrovlnného generátoru plazmatu, a mikrovlnný generátor plazmatu zahrnující tento aplikátor
Oblast techniky
Technické řešení se týká aplikátoru mikrovlnného generátoru plazmatu, sloužícího k přenosu elektromagnetického pole do plazmatu, a mikrovlnného generátoru plazmatu zahrnujícího řešený aplikátor.
Dosavadní stav techniky
Je známa celá řada typů mikrovlnných generátorů plazmatu, které lze v zásadě charakterizovat jako uzavřené generátory, kde plazmová komora je obklopena kovovými stěnami, tvořící mikro10 vinný rezonátor, nebo jako otevřené generátory, mezi které patří např. mikrovlnné zářiče, struktury s pomalými vlnami a surfatrony, popř. elektronové rezonanční generátory s magnetickými polem, označované často zkratkou ECR (electron cyclotron resonance).
Známý mikrovlnný generátor plazmatu sestává v podstatě z mikrovlnného zdroje (magnetronu), z vlnovodu, z cirkulátoru,a z aplikátoru, který zajišťuje přenos mikrovlnné energie do plazmové náplně (plazmového oblaku).
Jako aplikátor se u dosavadních mikrovlnných generátorů plazmatu užívá nejčastěji trychtýřová (Hom) anténa, což je vlastně skříň se vstupem na jedné straně a se zvětšujícím se čtyřúhelníkovým průřezem směrem k výstupu opatřenému přepážkou z dielektrika na druhé straně. Aplikátor šíří lineárně polarizované vlny. Je napojen na vlnovod, ve kterém je připojen také cirkulátor, po20 třebný k odvodu odražených vln.
Jedním z obecných problémů při přenosu elektromagnetického pole do plazmatu je to, že určitá část dodávaného výkonu, se odráží zpět. Generované plazma má určitou elektrickou vodivost, a proto neabsorbuje všechny vlny, a část vlnění se odráží zpět. Tento problém je obzvláště výrazný u mikrovlnných generátorů, protože odražené vlnění se šíří vlnovodem zpět ke zdroji (magne25 tronu). Při dlouhodobém zatížení magnetronu odraženým vlněním může dojít k jeho zničení. Aby k tomu nedošlo, musí se odražené vlnění odvádět mimo magnetron. Z tohoto důvodu se zařazuje mezi magnetron a aplikátor do dráhy vlnovodu navíc ještě cirkulátor, kteiý zajišťuje odvod odraženého vlnění a jeho přeměnu v teplo. Cirkulátor je zařízení sice účinné, ale také poměrně komplikované a především drahé, které značně zvyšuje rozměry, složitost a cenu dosud známých mi30 krovlnných generátorů plazmatu. Navíc pro naladění aplikátoru musí být mikrovlnné vedení zakončeno posuvným zkratem (pohyblivý píst), který slouží k vyladění vedení za účelem maximální účinnosti aplikátoru.
Úkolem technického řešení je vytvoření takového mikrovlnného generátoru plazmatu, který by odstraňoval výše uvedené nedostatky a umožňoval účinnou eliminaci části odraženého vlnění bez nutnosti použití výše popsaných složitých, drahých a rozměrných prvků.
Podstata technického řešení
Tento úkol je vyřešen vytvořením aplikátoru a mikrovlnného generátoru plazmatu, zahrnujícího řečený aplikátor, podle tohoto technického řešení.
Podstata technického řešení spočívá v tom, že je možné odražené vlny interferenčně vyrušit ji40 nými odraženými vlnami stejné vlnové délky, ale s patřičným fázovým posuvem. Toto je dosaženo vytvořením aplikátoru s vodicí částí uzavřeného profilu a se dvěma výstupy na protilehlých koncích. Na rozhraních obou výstupů a plazmového pole vznikají odražené vlny, a odrážejí se zpět proti sobě do vodicí části, kde se setkávají a interferují. Účinné eliminace působení odražených vln na zdroj mikrovlnného vlnění (magnetron) je dosaženo překvapivě tak, že magnetron se umístí přímo na vstup aplikátoru, který je umístěn ve stěně jeho vodicí části, a to ve vzdálenosti A od rozhraní prvého výstupu a ve vzdálenosti B od rozhraní druhého výstupu, přičemž absolutní hodnota rozdílu vzdáleností A-B nebo B-A je rovna λ/2, kde λ je vlnová délka mikrovlnného
-1 CZ 17940 Ul vlnění z mikrovlnného zdroje (magnetronu). Vzdálenosti A a B přitom odpovídají trajektorii šíření mikrovlnného vlnění.
Pak se odražené vlny z protilehlých výstupů setkávají ve vodicí části v místě vstupu zdroje mikrovlnného záření (magnetronu) přesně s opačnou polaritou, a jejich účinek se ruší, takže samotný magnetron není zatěžován žádným odraženým vlněním.
V jednom výhodném provedení aplikátoru je vodicí část upevněná z jedné strany ke kovové vakuové přírubě, která je opatřena otvory uspořádanými na přivrácené straně proti výstupům vodicí části. Na odvrácené straně jsou tyto otvory překryty krytem z dielektrika.
Rovněž je výhodné, když vodicí část má tvar dutého tělesa, dosedajícího na přírubu a překrývají10 čího otvory svými výstupy.
Toto řešení se vyznačuje velmi malými vnějšími rozměry a značnou variabilitou - lze jej namontovat do jakéhokoli zařízení, které má otvor odpovídající kruhové přírubě.
V jiném výhodném provedení aplikátoru podle technického řešení má vodicí část v půdorysu přibližně tvar písmene „U“, jehož ramena jsou na koncích opatřena výstupy, a vstup je uspořádán v jednom z ramen. Toto řešení je charakterizováno delší drahou, větší přesností a stabilitou.
Předmětem technického řešení je rovněž mikrovlnný generátor plazmatu, zahrnující mikrovlnný zdroj (magnetron) a aplikátor, kde mikrovlnný zdroj je připojen na vstup vodicí části aplikátoru, která je na jednom svém konci opatřena prvým výstupem, na druhém svém konci druhým výstupem, a vstup je uspořádán ve stěně vodicí části ve vzdálenosti A od rozhraní prvého výstupu a ve vzdálenosti B od rozhraní druhého výstupu, přičemž absolutní hodnota rozdílu vzdáleností A-B nebo B-A je rovna λ/2, kde λ je vlnová délka mikrovlnného vlnění mikrovlnného zdroje.
Výhoda výše popsaného aplikátoru a mikrovlnného generátoru plazmatu zahrnujícího tento aplikátor spočívá především v tom, že je možné vynechat při konstrukci zařízení drahý a rozměrný cirkulátor včetně vlnovodu event. laditelného zkratu mikrovlnného vedení, a vytvořit tak mikro25 vinný generátor jednoduchý, kompaktní, snadno přemístitelný s malými vnějšími rozměry a s nízkými výrobními náklady.
Přehled obrázků na výkresech
Technické řešení bude blíže objasněno s pomocí výkresů, na nichž znázorňují obr. 1 schematický řez otevřeným mikrovlnným generátorem plazmatu včetně aplikátoru s vodicí částí ve tvaru du30 tého tělesa, obr. 2 schematický řez otevřeným mikrovlnným generátorem plazmatu včetně aplikátoru s vodicí částí mající v řezu přibližně tvar písmene „U“.
Příklady provedení technického řešení
Rozumí se, že dále popsané a zobrazené konkrétní příklady uskutečnění technického řešení jsou představovány pro ilustraci, nikoli jako omezení příkladů provedení technického řešení na uve35 děné případy. Odborníci znalí stavu techniky najdou nebo budou schopni zjistit za použití rutinního experimentování větší či menší počet ekvivalentů ke specifickým uskutečněním technického řešení, která jsou zde speciálně popsána. I tyto ekvivalenty budou zahrnuty v rozsahu následujících nároků na ochranu.
V jednom konkrétním příkladu provedení technického řešení, schematicky znázorněném na obr. 1, je znázorněn otevřený mikrovlnný generátor plazmatu, napájený z nezobrazeného zdroje pulsního napětí 3 kV, a určený pro plazmovou modifikaci práškových materiálů na bázi polyetylénu.
Mikrovlnný zdroj (magnetron) 5 je magnetron Panasonic o výkonu 1 kW, s pulsním řízením výkonu, a je zasazen do stěny vodicí části 3 aplikátoru 1, která je vytvořena z mosazného plechu.
Vodicí část 3 má tvar dutého tělesa s prvým výstupem 4 a s druhým výstupem 4Λ Těmito výstupy 4, 41 dosedá vodicí část 3 na otvory 11, 11' v kruhové vakuové hliníkové přírubě 8, a je k ní přišroubována. Na odvrácené straně příruby 8 jsou otvory 11, 11' překryty kryty 6 z dielektrika,
-2CZ 17940 Ul např. z korundu nebo z křemenného skla. Strany krytů 6, odvrácené od výstupů 4, 4/ tvoří rozhraní 10, 10', na kterých se odráží mikrovlnné vlnění, a za kterými je u každého výstupu 4, 41 vytvářen plazmový oblak 9. Celý aplikátor I lze pomocí příruby 8 vyrobené v rozměrové řadě ISO namontovat na libovolný nezobrazený recipient, kterým je zpravidla komora z nerezového plechu. Podstatné je, aby vstup 2 mikrovlnného vlnění z mikrovlnného zdroje 5 byl uspořádán ve vodicí části 3 např. v její stěně ve vzdálenosti A od rozhraní K) prvého výstupu 4 a ve vzdálenosti B od rozhraní 10' druhého výstupu 41, přičemž musí platit, že absolutní hodnota rozdílu vzdáleností A-B nebo B-A je rovna λ/2, tedy polovině vlnové délky mikrovlnného vlnění zdroje 5, a vzdálenosti A a B odpovídají trajektorii šíření mikrovlnného vlnění.
ío Na obr. 2 je dále schematicky znázorněn stejný otevřený mikrovlnný generátor plazmatu, ovšem s malou modifikací v tom, že vodicí část 3 má v řezu přibližně tvar písmene „U“, jehož ramena 7, 71 jsou na koncích opatřena výstupy 4,4', a vstup 2 je uspořádán v jednom z ramen 7, T_. Průmyslová využitelnost
Aplikátor mikrovlnného generátoru plazmatu a mikrovlnný generátor plazmatu zahrnující tento aplikátor, podle tohoto technického řešení, lze využít v mnoha oblastech lidské činnosti, ve kterých se pracuje s plazmatem, a je potřeba mít k dispozici kompaktní generátor malých rozměrů s eliminací negativních účinků odrážené složky mikrovlnného vlnění.

Claims (5)

1. Aplikátor (1) mikrovlnného generátoru plazmatu, zahrnující vstup (2) mikrovlnného vlnění
20 od mikrovlnného zdroje (5), vodicí část (3) uzavřeného průřezu, a alespoň jeden výstup (4, 4') mikrovlnného vlnění, překrytý krytem (6) z dielektrika jehož strana odvrácená od výstupu (4, 4') tvoří rozhraní (10, 10') mezi aplikátorem (1) a plazmovým oblakem (9), vyznačující se tím, že vodicí část (3) je na jednom svém konci opatřena prvým výstupem (4), na druhém svém konci druhým výstupem (4'), a vstup (2) je uspořádán ve vodicí části (3) ve vzdálenosti (A)
25 od rozhraní (10) prvého výstupu (4) a ve vzdálenosti (B) od rozhraní (10') druhého výstupu (4'), přičemž absolutní hodnota rozdílu vzdáleností A-B nebo B-A je rovna λ/2, kde λ je vlnová délka mikrovlnného vlnění, a vzdálenosti A a B odpovídají trajektorii šíření mikrovlnného vlnění.
2. Aplikátor podle nároku 1, vyznačující se tím, že vodicí část (3) je upevněna ke kovové vakuové přírubě (8), která je opatřena otvory (11,11') uspořádanými na přivrácené straně
30 proti výstupům (4, 4') vodicí části (3) a překrytými na odvrácené straně alespoň jedním krytem (6) z dielektrika.
3. Aplikátor podle nároku 2, v y z n a č u j í c í se tí m , že vodicí část (3) má tvar dutého tělesa, které dosedá na přírubu (8) a překiývá otvory (11, 1 Γ) svými výstupy (
4, 4'), a vstup (2) je uspořádán ve stěně vodicí části (3).
35 4. Aplikátor podle nároku 1 nebo 2 nebo 3, vyznačující se tím, že vodicí část (3) má v řezu přibližně tvar písmene „U“, jehož ramena (7, 7') jsou na koncích opatřena výstupy (4, 4'), a vstup (2) je uspořádán v jednom z ramen (7, 7').
5. Mikrovlnný generátor plazmatu, zahrnující mikrovlnný zdroj (magnetron) (5) a aplikátor (1), vyznačující se tím, že mikrovlnný zdroj (5) je připojen na vstup (2) vodicí části
40 (3) aplikátoru (1), která je na jednom svém konci opatřena prvým výstupem (4), na druhém svém konci druhým výstupem (4'), přičemž oba výstupy (4, 4') jsou překryty kryty (6) z dielektrika, jejichž odvrácené strany od výstupů (4, 4') tvoří rozhraní (10, 10') mezi aplikátorem (1) a plazmovými oblaky (9), a vstup (2) je uspořádán ve vodicí části (3) ve vzdálenosti (A) od rozhraní (10) prvého výstupu (4) a ve vzdálenosti (B) od rozhraní (10') druhého výstupu (4'), přičemž
45 absolutní rozdíl vzdáleností A-B nebo B-A je roven λ/2, kde λ je vlnová délka mikrovlnného
- J CZ 17940 Ul vlnění mikrovlnného zdroje (5), a vzdálenosti A a B odpovídají trajektorii šíření mikrovlnného vlnění.
CZ200719202U 2007-09-13 2007-09-13 Aplikátor mikrovlnného generátoru plazmatu, a mikrovlnný generátor plazmatu zahrnující tento aplikátor CZ17940U1 (cs)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ200719202U CZ17940U1 (cs) 2007-09-13 2007-09-13 Aplikátor mikrovlnného generátoru plazmatu, a mikrovlnný generátor plazmatu zahrnující tento aplikátor
EP08801041A EP2189047B1 (en) 2007-09-13 2008-09-12 Applicator of microwave plasma generator and microwave plasma generator including this applicator
PCT/CZ2008/000106 WO2009033437A1 (en) 2007-09-13 2008-09-12 Applicator of microwave plasma generator and microwave plasma generator including this applicator
AT08801041T ATE555639T1 (de) 2007-09-13 2008-09-12 Applikator eines mikrowellenplasmagenerators und mikrowellenplasmagenerator mit diesem applikator
US12/677,887 US8299714B2 (en) 2007-09-13 2008-09-12 Applicator of microwave plasma generator and microwave plasma generator including this applicator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ200719202U CZ17940U1 (cs) 2007-09-13 2007-09-13 Aplikátor mikrovlnného generátoru plazmatu, a mikrovlnný generátor plazmatu zahrnující tento aplikátor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CZ17940U1 true CZ17940U1 (cs) 2007-10-15

Family

ID=38606593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ200719202U CZ17940U1 (cs) 2007-09-13 2007-09-13 Aplikátor mikrovlnného generátoru plazmatu, a mikrovlnný generátor plazmatu zahrnující tento aplikátor

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8299714B2 (cs)
EP (1) EP2189047B1 (cs)
AT (1) ATE555639T1 (cs)
CZ (1) CZ17940U1 (cs)
WO (1) WO2009033437A1 (cs)

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004089046A1 (ja) 1991-11-05 2004-10-14 Nobumasa Suzuki 無端環状導波管を有するマイクロ波導入装置及び該装置を備えたプラズマ処理装置
US5522934A (en) * 1994-04-26 1996-06-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another
JP2000514136A (ja) * 1996-06-28 2000-10-24 ラム リサーチ コーポレイション 高密度プラズマ化学蒸着装置および方法
US5939831A (en) * 1996-11-13 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for pre-stabilized plasma generation for microwave clean applications
JP3317209B2 (ja) * 1997-08-12 2002-08-26 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US6335535B1 (en) * 1998-06-26 2002-01-01 Nissin Electric Co., Ltd Method for implanting negative hydrogen ion and implanting apparatus
US6652709B1 (en) * 1999-11-02 2003-11-25 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus having circular waveguide, and plasma processing method
JP3953247B2 (ja) * 2000-01-11 2007-08-08 株式会社日立国際電気 プラズマ処理装置
JP3792089B2 (ja) * 2000-01-14 2006-06-28 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置
JP2001203099A (ja) * 2000-01-20 2001-07-27 Yac Co Ltd プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置
JP4222707B2 (ja) * 2000-03-24 2009-02-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び方法、ガス供給リング及び誘電体
JP3676680B2 (ja) * 2001-01-18 2005-07-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ装置及びプラズマ生成方法
JP4819244B2 (ja) * 2001-05-15 2011-11-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4183934B2 (ja) 2001-10-19 2008-11-19 尚久 後藤 マイクロ波プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ処理方法及びマイクロ波給電装置
JP3969081B2 (ja) * 2001-12-14 2007-08-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6805779B2 (en) * 2003-03-21 2004-10-19 Zond, Inc. Plasma generation using multi-step ionization
KR20080000630A (ko) * 2005-04-06 2008-01-02 도요 세이칸 가부시키가이샤 표면파 플라즈마에 의한 증착막의 형성 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP2189047A1 (en) 2010-05-26
ATE555639T1 (de) 2012-05-15
EP2189047B1 (en) 2012-04-25
US8299714B2 (en) 2012-10-30
US20100301753A1 (en) 2010-12-02
WO2009033437A1 (en) 2009-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI651754B (zh) 一種微波傳輸裝置和半導體處理設備
Lu et al. Generation of high-power, reversed-Cherenkov wakefield radiation in a metamaterial structure
CN109374595B (zh) 一种超快脉冲辐解的探测系统
CN101622912A (zh) 等离子体处理装置及等离子体处理装置的使用方法
US9490102B2 (en) Device for generating plasma having a high range along an axis by electron cyclotron resonance (ECR) from a gaseous medium
CN102044728B (zh) 可提高介质窗高功率微波击穿阈值的方法及装置
WO2017205034A3 (en) Compact microwave plasma applicator utilizing conjoining electric fields
Singh et al. Design of 42 GHz gyrotron for Indian fusion tokamak system
CZ17940U1 (cs) Aplikátor mikrovlnného generátoru plazmatu, a mikrovlnný generátor plazmatu zahrnující tento aplikátor
Denisov et al. New radiation input/output systems for millimeter-wave gyrotron traveling-wave tubes
JP4092027B2 (ja) プラズマ生成装置
US20170093012A1 (en) Superconducting cavity coupler
RU127553U1 (ru) Устройство сложения мощностей трех свч генераторов на магнетронах
RU2516874C1 (ru) Лампа бегущей волны
Zhang et al. Maximum power radiated from an aperture antenna before air breakdown in the near-field region
Farid et al. Theory and algorithms for a quasi-optical launcher design method for high-frequency gyrotrons
Chittora et al. Design and simulation of transition waveguide to connect vircator to mode converter
Tot’meninov et al. Frequency-tunable relativistic coaxial backward-wave oscillator with a modulating reflector
US2812504A (en) Shunted resonant window
US3008098A (en) Microwave switch
Tian-Zhong et al. Designed of a quasi-optical mode converter for 0.42 THz high order mode gyrotron
Chauhan et al. Double Square Ring Metamaterial based Backward Wave Oscillator for Microwave Generator
JP2014155077A (ja) 整合装置
Franzi et al. The Distributed Bunch Amplifier
Seema et al. Fundamentals of microwave engineering: principles, waveguides, microwave amplifiers and applications

Legal Events

Date Code Title Description
FG1K Utility model registered

Effective date: 20071015

ND1K First or second extension of term of utility model

Effective date: 20110621

MK1K Utility model expired

Effective date: 20140913