CZ17940U1 - Aplikátor mikrovlnného generátoru plazmatu, a mikrovlnný generátor plazmatu zahrnující tento aplikátor - Google Patents
Aplikátor mikrovlnného generátoru plazmatu, a mikrovlnný generátor plazmatu zahrnující tento aplikátor Download PDFInfo
- Publication number
- CZ17940U1 CZ17940U1 CZ200719202U CZ200719202U CZ17940U1 CZ 17940 U1 CZ17940 U1 CZ 17940U1 CZ 200719202 U CZ200719202 U CZ 200719202U CZ 200719202 U CZ200719202 U CZ 200719202U CZ 17940 U1 CZ17940 U1 CZ 17940U1
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- microwave
- applicator
- outlet
- interface
- guide portion
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000037237 body shape Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
Aplikátor mikrovlnného generátoru plazmatu, a mikrovlnný generátor plazmatu zahrnující tento aplikátor
Oblast techniky
Technické řešení se týká aplikátoru mikrovlnného generátoru plazmatu, sloužícího k přenosu elektromagnetického pole do plazmatu, a mikrovlnného generátoru plazmatu zahrnujícího řešený aplikátor.
Dosavadní stav techniky
Je známa celá řada typů mikrovlnných generátorů plazmatu, které lze v zásadě charakterizovat jako uzavřené generátory, kde plazmová komora je obklopena kovovými stěnami, tvořící mikro10 vinný rezonátor, nebo jako otevřené generátory, mezi které patří např. mikrovlnné zářiče, struktury s pomalými vlnami a surfatrony, popř. elektronové rezonanční generátory s magnetickými polem, označované často zkratkou ECR (electron cyclotron resonance).
Známý mikrovlnný generátor plazmatu sestává v podstatě z mikrovlnného zdroje (magnetronu), z vlnovodu, z cirkulátoru,a z aplikátoru, který zajišťuje přenos mikrovlnné energie do plazmové náplně (plazmového oblaku).
Jako aplikátor se u dosavadních mikrovlnných generátorů plazmatu užívá nejčastěji trychtýřová (Hom) anténa, což je vlastně skříň se vstupem na jedné straně a se zvětšujícím se čtyřúhelníkovým průřezem směrem k výstupu opatřenému přepážkou z dielektrika na druhé straně. Aplikátor šíří lineárně polarizované vlny. Je napojen na vlnovod, ve kterém je připojen také cirkulátor, po20 třebný k odvodu odražených vln.
Jedním z obecných problémů při přenosu elektromagnetického pole do plazmatu je to, že určitá část dodávaného výkonu, se odráží zpět. Generované plazma má určitou elektrickou vodivost, a proto neabsorbuje všechny vlny, a část vlnění se odráží zpět. Tento problém je obzvláště výrazný u mikrovlnných generátorů, protože odražené vlnění se šíří vlnovodem zpět ke zdroji (magne25 tronu). Při dlouhodobém zatížení magnetronu odraženým vlněním může dojít k jeho zničení. Aby k tomu nedošlo, musí se odražené vlnění odvádět mimo magnetron. Z tohoto důvodu se zařazuje mezi magnetron a aplikátor do dráhy vlnovodu navíc ještě cirkulátor, kteiý zajišťuje odvod odraženého vlnění a jeho přeměnu v teplo. Cirkulátor je zařízení sice účinné, ale také poměrně komplikované a především drahé, které značně zvyšuje rozměry, složitost a cenu dosud známých mi30 krovlnných generátorů plazmatu. Navíc pro naladění aplikátoru musí být mikrovlnné vedení zakončeno posuvným zkratem (pohyblivý píst), který slouží k vyladění vedení za účelem maximální účinnosti aplikátoru.
Úkolem technického řešení je vytvoření takového mikrovlnného generátoru plazmatu, který by odstraňoval výše uvedené nedostatky a umožňoval účinnou eliminaci části odraženého vlnění bez nutnosti použití výše popsaných složitých, drahých a rozměrných prvků.
Podstata technického řešení
Tento úkol je vyřešen vytvořením aplikátoru a mikrovlnného generátoru plazmatu, zahrnujícího řečený aplikátor, podle tohoto technického řešení.
Podstata technického řešení spočívá v tom, že je možné odražené vlny interferenčně vyrušit ji40 nými odraženými vlnami stejné vlnové délky, ale s patřičným fázovým posuvem. Toto je dosaženo vytvořením aplikátoru s vodicí částí uzavřeného profilu a se dvěma výstupy na protilehlých koncích. Na rozhraních obou výstupů a plazmového pole vznikají odražené vlny, a odrážejí se zpět proti sobě do vodicí části, kde se setkávají a interferují. Účinné eliminace působení odražených vln na zdroj mikrovlnného vlnění (magnetron) je dosaženo překvapivě tak, že magnetron se umístí přímo na vstup aplikátoru, který je umístěn ve stěně jeho vodicí části, a to ve vzdálenosti A od rozhraní prvého výstupu a ve vzdálenosti B od rozhraní druhého výstupu, přičemž absolutní hodnota rozdílu vzdáleností A-B nebo B-A je rovna λ/2, kde λ je vlnová délka mikrovlnného
-1 CZ 17940 Ul vlnění z mikrovlnného zdroje (magnetronu). Vzdálenosti A a B přitom odpovídají trajektorii šíření mikrovlnného vlnění.
Pak se odražené vlny z protilehlých výstupů setkávají ve vodicí části v místě vstupu zdroje mikrovlnného záření (magnetronu) přesně s opačnou polaritou, a jejich účinek se ruší, takže samotný magnetron není zatěžován žádným odraženým vlněním.
V jednom výhodném provedení aplikátoru je vodicí část upevněná z jedné strany ke kovové vakuové přírubě, která je opatřena otvory uspořádanými na přivrácené straně proti výstupům vodicí části. Na odvrácené straně jsou tyto otvory překryty krytem z dielektrika.
Rovněž je výhodné, když vodicí část má tvar dutého tělesa, dosedajícího na přírubu a překrývají10 čího otvory svými výstupy.
Toto řešení se vyznačuje velmi malými vnějšími rozměry a značnou variabilitou - lze jej namontovat do jakéhokoli zařízení, které má otvor odpovídající kruhové přírubě.
V jiném výhodném provedení aplikátoru podle technického řešení má vodicí část v půdorysu přibližně tvar písmene „U“, jehož ramena jsou na koncích opatřena výstupy, a vstup je uspořádán v jednom z ramen. Toto řešení je charakterizováno delší drahou, větší přesností a stabilitou.
Předmětem technického řešení je rovněž mikrovlnný generátor plazmatu, zahrnující mikrovlnný zdroj (magnetron) a aplikátor, kde mikrovlnný zdroj je připojen na vstup vodicí části aplikátoru, která je na jednom svém konci opatřena prvým výstupem, na druhém svém konci druhým výstupem, a vstup je uspořádán ve stěně vodicí části ve vzdálenosti A od rozhraní prvého výstupu a ve vzdálenosti B od rozhraní druhého výstupu, přičemž absolutní hodnota rozdílu vzdáleností A-B nebo B-A je rovna λ/2, kde λ je vlnová délka mikrovlnného vlnění mikrovlnného zdroje.
Výhoda výše popsaného aplikátoru a mikrovlnného generátoru plazmatu zahrnujícího tento aplikátor spočívá především v tom, že je možné vynechat při konstrukci zařízení drahý a rozměrný cirkulátor včetně vlnovodu event. laditelného zkratu mikrovlnného vedení, a vytvořit tak mikro25 vinný generátor jednoduchý, kompaktní, snadno přemístitelný s malými vnějšími rozměry a s nízkými výrobními náklady.
Přehled obrázků na výkresech
Technické řešení bude blíže objasněno s pomocí výkresů, na nichž znázorňují obr. 1 schematický řez otevřeným mikrovlnným generátorem plazmatu včetně aplikátoru s vodicí částí ve tvaru du30 tého tělesa, obr. 2 schematický řez otevřeným mikrovlnným generátorem plazmatu včetně aplikátoru s vodicí částí mající v řezu přibližně tvar písmene „U“.
Příklady provedení technického řešení
Rozumí se, že dále popsané a zobrazené konkrétní příklady uskutečnění technického řešení jsou představovány pro ilustraci, nikoli jako omezení příkladů provedení technického řešení na uve35 děné případy. Odborníci znalí stavu techniky najdou nebo budou schopni zjistit za použití rutinního experimentování větší či menší počet ekvivalentů ke specifickým uskutečněním technického řešení, která jsou zde speciálně popsána. I tyto ekvivalenty budou zahrnuty v rozsahu následujících nároků na ochranu.
V jednom konkrétním příkladu provedení technického řešení, schematicky znázorněném na obr. 1, je znázorněn otevřený mikrovlnný generátor plazmatu, napájený z nezobrazeného zdroje pulsního napětí 3 kV, a určený pro plazmovou modifikaci práškových materiálů na bázi polyetylénu.
Mikrovlnný zdroj (magnetron) 5 je magnetron Panasonic o výkonu 1 kW, s pulsním řízením výkonu, a je zasazen do stěny vodicí části 3 aplikátoru 1, která je vytvořena z mosazného plechu.
Vodicí část 3 má tvar dutého tělesa s prvým výstupem 4 a s druhým výstupem 4Λ Těmito výstupy 4, 41 dosedá vodicí část 3 na otvory 11, 11' v kruhové vakuové hliníkové přírubě 8, a je k ní přišroubována. Na odvrácené straně příruby 8 jsou otvory 11, 11' překryty kryty 6 z dielektrika,
-2CZ 17940 Ul např. z korundu nebo z křemenného skla. Strany krytů 6, odvrácené od výstupů 4, 4/ tvoří rozhraní 10, 10', na kterých se odráží mikrovlnné vlnění, a za kterými je u každého výstupu 4, 41 vytvářen plazmový oblak 9. Celý aplikátor I lze pomocí příruby 8 vyrobené v rozměrové řadě ISO namontovat na libovolný nezobrazený recipient, kterým je zpravidla komora z nerezového plechu. Podstatné je, aby vstup 2 mikrovlnného vlnění z mikrovlnného zdroje 5 byl uspořádán ve vodicí části 3 např. v její stěně ve vzdálenosti A od rozhraní K) prvého výstupu 4 a ve vzdálenosti B od rozhraní 10' druhého výstupu 41, přičemž musí platit, že absolutní hodnota rozdílu vzdáleností A-B nebo B-A je rovna λ/2, tedy polovině vlnové délky mikrovlnného vlnění zdroje 5, a vzdálenosti A a B odpovídají trajektorii šíření mikrovlnného vlnění.
ío Na obr. 2 je dále schematicky znázorněn stejný otevřený mikrovlnný generátor plazmatu, ovšem s malou modifikací v tom, že vodicí část 3 má v řezu přibližně tvar písmene „U“, jehož ramena 7, 71 jsou na koncích opatřena výstupy 4,4', a vstup 2 je uspořádán v jednom z ramen 7, T_. Průmyslová využitelnost
Aplikátor mikrovlnného generátoru plazmatu a mikrovlnný generátor plazmatu zahrnující tento aplikátor, podle tohoto technického řešení, lze využít v mnoha oblastech lidské činnosti, ve kterých se pracuje s plazmatem, a je potřeba mít k dispozici kompaktní generátor malých rozměrů s eliminací negativních účinků odrážené složky mikrovlnného vlnění.
Claims (5)
1. Aplikátor (1) mikrovlnného generátoru plazmatu, zahrnující vstup (2) mikrovlnného vlnění
20 od mikrovlnného zdroje (5), vodicí část (3) uzavřeného průřezu, a alespoň jeden výstup (4, 4') mikrovlnného vlnění, překrytý krytem (6) z dielektrika jehož strana odvrácená od výstupu (4, 4') tvoří rozhraní (10, 10') mezi aplikátorem (1) a plazmovým oblakem (9), vyznačující se tím, že vodicí část (3) je na jednom svém konci opatřena prvým výstupem (4), na druhém svém konci druhým výstupem (4'), a vstup (2) je uspořádán ve vodicí části (3) ve vzdálenosti (A)
25 od rozhraní (10) prvého výstupu (4) a ve vzdálenosti (B) od rozhraní (10') druhého výstupu (4'), přičemž absolutní hodnota rozdílu vzdáleností A-B nebo B-A je rovna λ/2, kde λ je vlnová délka mikrovlnného vlnění, a vzdálenosti A a B odpovídají trajektorii šíření mikrovlnného vlnění.
2. Aplikátor podle nároku 1, vyznačující se tím, že vodicí část (3) je upevněna ke kovové vakuové přírubě (8), která je opatřena otvory (11,11') uspořádanými na přivrácené straně
30 proti výstupům (4, 4') vodicí části (3) a překrytými na odvrácené straně alespoň jedním krytem (6) z dielektrika.
3. Aplikátor podle nároku 2, v y z n a č u j í c í se tí m , že vodicí část (3) má tvar dutého tělesa, které dosedá na přírubu (8) a překiývá otvory (11, 1 Γ) svými výstupy (
4, 4'), a vstup (2) je uspořádán ve stěně vodicí části (3).
35 4. Aplikátor podle nároku 1 nebo 2 nebo 3, vyznačující se tím, že vodicí část (3) má v řezu přibližně tvar písmene „U“, jehož ramena (7, 7') jsou na koncích opatřena výstupy (4, 4'), a vstup (2) je uspořádán v jednom z ramen (7, 7').
5. Mikrovlnný generátor plazmatu, zahrnující mikrovlnný zdroj (magnetron) (5) a aplikátor (1), vyznačující se tím, že mikrovlnný zdroj (5) je připojen na vstup (2) vodicí části
40 (3) aplikátoru (1), která je na jednom svém konci opatřena prvým výstupem (4), na druhém svém konci druhým výstupem (4'), přičemž oba výstupy (4, 4') jsou překryty kryty (6) z dielektrika, jejichž odvrácené strany od výstupů (4, 4') tvoří rozhraní (10, 10') mezi aplikátorem (1) a plazmovými oblaky (9), a vstup (2) je uspořádán ve vodicí části (3) ve vzdálenosti (A) od rozhraní (10) prvého výstupu (4) a ve vzdálenosti (B) od rozhraní (10') druhého výstupu (4'), přičemž
45 absolutní rozdíl vzdáleností A-B nebo B-A je roven λ/2, kde λ je vlnová délka mikrovlnného
- J CZ 17940 Ul vlnění mikrovlnného zdroje (5), a vzdálenosti A a B odpovídají trajektorii šíření mikrovlnného vlnění.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CZ200719202U CZ17940U1 (cs) | 2007-09-13 | 2007-09-13 | Aplikátor mikrovlnného generátoru plazmatu, a mikrovlnný generátor plazmatu zahrnující tento aplikátor |
EP08801041A EP2189047B1 (en) | 2007-09-13 | 2008-09-12 | Applicator of microwave plasma generator and microwave plasma generator including this applicator |
PCT/CZ2008/000106 WO2009033437A1 (en) | 2007-09-13 | 2008-09-12 | Applicator of microwave plasma generator and microwave plasma generator including this applicator |
AT08801041T ATE555639T1 (de) | 2007-09-13 | 2008-09-12 | Applikator eines mikrowellenplasmagenerators und mikrowellenplasmagenerator mit diesem applikator |
US12/677,887 US8299714B2 (en) | 2007-09-13 | 2008-09-12 | Applicator of microwave plasma generator and microwave plasma generator including this applicator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CZ200719202U CZ17940U1 (cs) | 2007-09-13 | 2007-09-13 | Aplikátor mikrovlnného generátoru plazmatu, a mikrovlnný generátor plazmatu zahrnující tento aplikátor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CZ17940U1 true CZ17940U1 (cs) | 2007-10-15 |
Family
ID=38606593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CZ200719202U CZ17940U1 (cs) | 2007-09-13 | 2007-09-13 | Aplikátor mikrovlnného generátoru plazmatu, a mikrovlnný generátor plazmatu zahrnující tento aplikátor |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8299714B2 (cs) |
EP (1) | EP2189047B1 (cs) |
AT (1) | ATE555639T1 (cs) |
CZ (1) | CZ17940U1 (cs) |
WO (1) | WO2009033437A1 (cs) |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004089046A1 (ja) | 1991-11-05 | 2004-10-14 | Nobumasa Suzuki | 無端環状導波管を有するマイクロ波導入装置及び該装置を備えたプラズマ処理装置 |
US5522934A (en) * | 1994-04-26 | 1996-06-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another |
JP2000514136A (ja) * | 1996-06-28 | 2000-10-24 | ラム リサーチ コーポレイション | 高密度プラズマ化学蒸着装置および方法 |
US5939831A (en) * | 1996-11-13 | 1999-08-17 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for pre-stabilized plasma generation for microwave clean applications |
JP3317209B2 (ja) * | 1997-08-12 | 2002-08-26 | 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US6335535B1 (en) * | 1998-06-26 | 2002-01-01 | Nissin Electric Co., Ltd | Method for implanting negative hydrogen ion and implanting apparatus |
US6652709B1 (en) * | 1999-11-02 | 2003-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus having circular waveguide, and plasma processing method |
JP3953247B2 (ja) * | 2000-01-11 | 2007-08-08 | 株式会社日立国際電気 | プラズマ処理装置 |
JP3792089B2 (ja) * | 2000-01-14 | 2006-06-28 | シャープ株式会社 | プラズマプロセス装置 |
JP2001203099A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Yac Co Ltd | プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 |
JP4222707B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2009-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び方法、ガス供給リング及び誘電体 |
JP3676680B2 (ja) * | 2001-01-18 | 2005-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ装置及びプラズマ生成方法 |
JP4819244B2 (ja) * | 2001-05-15 | 2011-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4183934B2 (ja) | 2001-10-19 | 2008-11-19 | 尚久 後藤 | マイクロ波プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ処理方法及びマイクロ波給電装置 |
JP3969081B2 (ja) * | 2001-12-14 | 2007-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US6805779B2 (en) * | 2003-03-21 | 2004-10-19 | Zond, Inc. | Plasma generation using multi-step ionization |
KR20080000630A (ko) * | 2005-04-06 | 2008-01-02 | 도요 세이칸 가부시키가이샤 | 표면파 플라즈마에 의한 증착막의 형성 방법 및 장치 |
-
2007
- 2007-09-13 CZ CZ200719202U patent/CZ17940U1/cs not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-09-12 WO PCT/CZ2008/000106 patent/WO2009033437A1/en active Application Filing
- 2008-09-12 US US12/677,887 patent/US8299714B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-12 AT AT08801041T patent/ATE555639T1/de active
- 2008-09-12 EP EP08801041A patent/EP2189047B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2189047A1 (en) | 2010-05-26 |
ATE555639T1 (de) | 2012-05-15 |
EP2189047B1 (en) | 2012-04-25 |
US8299714B2 (en) | 2012-10-30 |
US20100301753A1 (en) | 2010-12-02 |
WO2009033437A1 (en) | 2009-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI651754B (zh) | 一種微波傳輸裝置和半導體處理設備 | |
Lu et al. | Generation of high-power, reversed-Cherenkov wakefield radiation in a metamaterial structure | |
CN109374595B (zh) | 一种超快脉冲辐解的探测系统 | |
CN101622912A (zh) | 等离子体处理装置及等离子体处理装置的使用方法 | |
US9490102B2 (en) | Device for generating plasma having a high range along an axis by electron cyclotron resonance (ECR) from a gaseous medium | |
CN102044728B (zh) | 可提高介质窗高功率微波击穿阈值的方法及装置 | |
WO2017205034A3 (en) | Compact microwave plasma applicator utilizing conjoining electric fields | |
Singh et al. | Design of 42 GHz gyrotron for Indian fusion tokamak system | |
CZ17940U1 (cs) | Aplikátor mikrovlnného generátoru plazmatu, a mikrovlnný generátor plazmatu zahrnující tento aplikátor | |
Denisov et al. | New radiation input/output systems for millimeter-wave gyrotron traveling-wave tubes | |
JP4092027B2 (ja) | プラズマ生成装置 | |
US20170093012A1 (en) | Superconducting cavity coupler | |
RU127553U1 (ru) | Устройство сложения мощностей трех свч генераторов на магнетронах | |
RU2516874C1 (ru) | Лампа бегущей волны | |
Zhang et al. | Maximum power radiated from an aperture antenna before air breakdown in the near-field region | |
Farid et al. | Theory and algorithms for a quasi-optical launcher design method for high-frequency gyrotrons | |
Chittora et al. | Design and simulation of transition waveguide to connect vircator to mode converter | |
Tot’meninov et al. | Frequency-tunable relativistic coaxial backward-wave oscillator with a modulating reflector | |
US2812504A (en) | Shunted resonant window | |
US3008098A (en) | Microwave switch | |
Tian-Zhong et al. | Designed of a quasi-optical mode converter for 0.42 THz high order mode gyrotron | |
Chauhan et al. | Double Square Ring Metamaterial based Backward Wave Oscillator for Microwave Generator | |
JP2014155077A (ja) | 整合装置 | |
Franzi et al. | The Distributed Bunch Amplifier | |
Seema et al. | Fundamentals of microwave engineering: principles, waveguides, microwave amplifiers and applications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FG1K | Utility model registered |
Effective date: 20071015 |
|
ND1K | First or second extension of term of utility model |
Effective date: 20110621 |
|
MK1K | Utility model expired |
Effective date: 20140913 |