TW484126B - Manufacturing and recording regeneration method for information record medium - Google Patents

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TW484126B
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TW
Taiwan
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layer
phase
information recording
recording medium
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Application number
TW089105044A
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English (en)
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Rie Kojima
Noboru Yamada
Hideki Kitaura
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
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Description

484126 A7 B7 五 、發明說明（ί ) [技術領域] 本發明係關於能以光學性的進行記錄、再生、消除、 重寫之資訊記錄媒體及其製造方法以及其記錄再生方法。 [習知技術] 以往，相變化型資訊記錄媒體，於成膜步驟中在透明 之碟片基板上以濺鍍等方式’形成包含有產生於結晶狀態 與非結晶狀態間可逆相變態之記錄層的多層膜。成膜後之 記錄層的構造爲非晶質，經過使用光學或熱方法使記錄層 全面自非晶質成爲結晶相之步驟(以下，稱「初期化步驟」 )，製造相變化型資訊記錄媒體。（本說明書中，將以此成 膜方式形成之非晶質稱爲as-depo非晶質，以和下述藉照射 高功率雷射熔融後再急冷所形成之非晶質加以區別。） 相變化型資訊記錄媒體，藉調變單一雷射光束爲高功 率及低功率以此照射記錄層，即可進行信號之記錄及重寫 。照射高功率雷射時，記錄層熔融，若加以急冷即形成非 晶質（記錄狀態），當照射低功率雷射時，記錄層昇溫，若 使之徐徐冷卻即形成結晶相（消除狀態），於磁軌上形成〇. 數//m(數lOOnm)程度之記錄標誌。信號之再生，則係利用 記錄層爲結晶相時之媒體的反射率Rc(%)，與記錄層爲非 晶質時之媒體的反射率Ra(%)之差△RWXARs | Rc-Ra I )加以進行。無論是Rc> Ra或Ra> Rc之任一媒體皆能進 行信號之記錄再生。 前述初期化步驟中，媒體之反射率自Ra變化爲Rc。 特別是光學上設計爲Ra>Rc之媒體，由於反射率爲下降， ----------------$ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 ________ B7 五、發明說明（i) 因此Rc以10%以上較佳。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 初期化步驟中需要具備光學性或熱方法之設備。例如 使用半導體雷射作爲光學性方法時’亦需要進行使雷射照 射功率、冷卻速度、媒體之旋轉速度、所需時間等種種的 條件，成爲最適合於各種媒體之作業。此外，已知記錄層 在自非晶質相變化爲結晶相時，會產生數％之體積收縮。 因此，當在多層膜成膜後使記錄層結晶化時，將因記錄層 之體積收縮，而至少在接觸於記錄層之層上產生成膜後原 本沒有的內部應力。又，若爲l〇nm以下極薄之記錄層， 則由於光吸收較小熱也較容易擴散，因此於初期化步驟中 有爲了結晶化需較大之功率密度、在基板上預先複製之槽 或位址坑產生熱負擔等多數之問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若能省略初期化步驟，即能削減設備投資及開發費用 ，大量的節省媒體之成本。針對（l)Rc>Ra之媒體、（2)Ra >Rc之媒體，分別有能不需初期化之不同的方式。爲獲得 良好之伺服特性，反射率以維持較高者較佳，各情形之條 件如下：（1)時，成膜後之記錄層爲結晶相(初期狀態Rc); ⑵時，成膜後之記錄層爲非晶質(初期狀態Ra)。（初期狀態 係指進行記錄前之媒體的狀態。）爲實施此等狀態，需要在 成膜中使記錄層結晶化之技術及記錄於as-depo非晶質之技 術。 使相變化型光學資訊記錄媒體之記錄層於成膜中結晶 化之方法揭示於國際公開第W098/47142號中。該方法係 在設置結晶構造爲由面心立方格子系統或菱形體格子系統 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 _ B7 五、發明說明（+) 之材料所構成的結晶化促進層後，於該結晶化促進層之$ 上方使記錄層成膜之方法，以及使記錄層成膜中之基板溫 度爲45°C〜110°C之製造方法。又，作爲結晶化促進層之材 料，係至少包含Sb、Bi、Sb化合物，Bi化合物之一種，以 此製造方法所製造之相變化型光學資訊記錄媒體之記錄層 以結晶狀態成膜。 又，作爲Ra>Rc之構成之相變化型光學資訊記錄媒 體的製造方法，於IPC第W098/38636號案中揭示有將記錄 層成膜中之基板溫度設爲35°C以上150°C以下之製造方法 及將記錄層成膜前一刻之基板溫度設爲35°C以上95°C以下 β製造方法。其所揭示者，係以該製造方法所製造之相變 化型光學資訊記錄媒體，即使對as-dep〇非晶質之記錄層不 進行初期化步驟而進行記錄時，亦能在一開始記錄時即得 到高的記錄特性。 然而，W098/38636中，由於Bi之熔點爲較低的約271 °C ’因此無法提高濺鍍功率。又，w〇98/38636中，爲了加 熱基板以使記錄層成膜爲as_depo非晶質，須使基板全面升 至一樣的溫度並保持該溫度。例如，加熱基板保持具本體 時爲了將熱傳至基板，如不將基板保持具與基板全面接觸 ’欲升溫至一樣溫度是非常困難的。然而，若將基板與基 板保持具全面接觸，卻又產生易在基板表面造成傷痕或污 損的問題。此外，於進行高頻率誘導或瞬間加熱時，欲於 真空裝置內以非接觸方向將基板加熱至一樣的溫度，除成 膜裝置將變得非常複雜外，於成膜前一刻或成膜中欲安定 5 本紙張尺度翻冢標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） ^---------^ i^w. rtf先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（β) 的保持一定溫度亦非常的困難。再者’亦產生於真空裝置 內以非接觸方式測定基板之溫度，於裝置外監控該溫度之 必要性，而無法避免裝置之複雜化及大型化。 以往，於as-depo非晶質進行記錄之所以困難的原因 在於，as-depo非晶質與對結晶相照射雷射所形成之非晶質 之性質相異之故。一般來說，非晶質中具有若干準安定之 能量狀態，當將媒體長時間保存或保存於高溫條件下時， 其能量狀態將變化爲與保存前相異之能量狀態。是以，由 於保存前後之最適當的記錄再生條件不同，因此以相同條 件進行記錄再生時，亦有記錄再生特性變化之情形。例如 ，記錄層之記錄標誌變化爲較爲安定之能量狀態時，由於 使記錄層結晶化之消除靈敏度降低，因此有進行資訊信號 之覆寫時之消除率降低之情形。 [發明之揭示] 本發明爲解決上述課題，其第1目的在於，提供一使 用熔點高之材料，不須加熱基板，記錄層成膜後爲結晶相 、不需初期化步驟之資訊記錄媒體及其製造方法，以及提 供一能降低結晶化所需之能量的資訊記錄媒體。 又，本發明爲解決上述課題，其第2目的在於，提供 一成膜前一刻及成膜中亦不須對基板之溫度進行嚴密的控 制’對光學設計爲Ra>Rc之資訊記錄媒體不進行初期化步 驟’亦能在記錄層爲as-depo非晶質之狀態下進行記錄動作 之資訊記錄媒體。 又，本發明爲解決上述課題，其第3目的在於，提供 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 A7 B7 五、發明說明（^ 一不需初期化步驟，即使RC幾乎爲〇%亦能安定的進行位 址之讀取及循跡伺服控制之資訊記錄媒體，及其製造方法 以及其記錄再生方法。 爲達成上述目的，本發明爲一種資訊記錄媒體，係於 基板上至少成膜有記錄層，其特徵在於：前述記錄層，包 含有藉光束之照射產生於結晶狀態與非晶質狀態間可逆相 變態之相變態層，及使前述相變態層之結晶化能提升之結 晶化能提升層，在使前述相變態層成膜前先使前述結晶化 能提升層成膜，於前述相變態層之成膜中使結晶核生成及 結晶成長，於前述相變態層之至少一部份成膜後形成爲結 晶相。此時，結晶化能提升層最好是由碲化合物或鹵化合 物中選擇者。具體來說，碲化合物係自SnTe、PbTe、Te、 Sb2Te3、BhTe3、GeSbTe、GeBiTe共熔中選擇，其膜厚爲 lnm〜10nm者較佳。鹵化合物則係自ZnF2.、A1F3、KF、 CaF!、NaF、BaF2、MgF2、LaF3、LiF 中選擇，其膜厚爲 lnm〜20nm者較佳。又，相變態層最好是以GeSbTe爲主 成份、結晶構造爲岩鹽型之材料，若結晶化能提升層之結 晶構造亦爲岩鹽型的話則更佳。相變態層之成膜時的成膜 速度，以5nm/分〜20nm/分之範圍進行成膜者較佳。藉將 碲化合物或鹵化合物之材料使用於結晶化能提升層，以低 成膜速度進行相變態層之成膜，即能使相變態層成膜後成 爲結晶相。 又，本發明亦具有將結晶化能提升層成膜時之記錄層 結晶化之能量設爲A，結晶化能提升層不成膜時之記錄層 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐了 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —— — — — — II ·11111111 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 _________ B7 五、發明說明（t) 結晶化之能量設爲B時，A較B爲小之作用。 又，本發明，作爲解決上述課題之方法，爲一種雙層 資訊記錄媒體，係將在第1基板上至少成膜有第1記錄層 之第1資訊記錄媒體，及在第2基板上至少成膜有第2記 錄層之第2資訊記錄媒體黏合爲一，其特徵在於：前述第 1記錄層包含有藉光束之照射產生於結晶狀態與非晶質狀 態間可逆相變態之相變態層，及使前述相變態層之結晶化 能提升之結晶化能提升層，在使前述相變態層成膜前先使 前述結晶化能提升層成膜，於前述相變態層之成膜中使結 晶核生成及結晶成長，於前述相變態層之至少一部份成膜 後形成爲結晶相。藉由此種構成，具有於第1記錄層之成 膜中使結晶核生成及結晶成長，於第1記錄層之至少一部 份成膜後形成爲結晶相之作用。 又，本發明，爲一種資訊記錄媒體，係於基板上至少 具備有記錄層，其特徵在於：前述記錄層包含有藉光束之 照射產生於結晶狀態與非晶質狀態間可逆相變態之相變態 層(此處，所謂之層，並不限於均勻地形成於一面之情形， 亦包含形成爲島狀之情形。結晶核供給層亦相同。），以及 積層於相變態層、使相變態層容易結晶化之結晶核供給層 。若根據上述資訊記錄媒體，即能在相變態層爲as-depo非 晶質之狀態下，開始進行記錄。此外，若根據上述資訊記 錄媒體，即能獲得高密度•高線速度之資訊信號的記錄再 生時之高可靠度的資訊記錄媒體。 上述資訊記錄媒體中，前述結晶核供給層與前述相變 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------^ i^w (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（？） 態層，最好是能自則述基板側以此順序積層。此外’上述 資訊記錄媒體中，最好是能進一步的包含使前述相變態層 之結晶化更爲容易的第2結晶核供給層，而前述前述相變 態層與前述第2結晶核供給層，係自前述基板側以此順序 積層。上述資訊記錄媒體中，前述相變態層與前述結晶核 供給層，最好是能自前述基板側以此順序積層。 上述資訊記錄媒體中，前述結晶核供給層之自非晶質 移至結晶相之轉移溫度（以下，稱爲結晶化溫度)TxlfC)與 前述相變態層之結晶化溫度Tx2(°C)，最好是能滿足Tx2> Txl之關係。上述資訊記錄媒體中，前述結晶核供給層之 熔點Tml(°C)與前述相變態層之熔點Tm2(°C)，最好是能滿 足Tml>Tm2之關係。若根據此種構成，即使結晶核供給 層係相對於相變化層配置於雷射光束之射入側，亦能獲得 結晶核供給層之安定性較高的資訊記錄媒體。 上述資訊記錄媒體中，前述結晶核供給層以含有Te者 較佳。根據此種構成。由於Te係發揮作爲結晶核之機能， 因此相變態層易於結晶化。又，上述資訊記錄媒體中，前 述結晶核供給層以含有自SnTe及PbTe中所選出之至少一 種者較佳。上述資訊記錄媒體中，前述結晶核供給層以包 含SnTe-Μ者較佳(但，Μ係含有自N、Ag、Cu、Co、Ge、 Μη、Nb、Ni、Pd、Pt、Sb、Se、Ti、V、Zr 及 PbTe 中所選 出之至少一種者）。.此處’ SnTe-Μ係不改變對Sn之Te的 存在比率，而於SnTe中添加Μ者。例如，係包含SnTe與 Μ之化合物或SnTe與Μ之共晶等。上述Μ之含有量最好 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱1 " --------t---------線. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 _ B7 五、發明說明（f) 是能高至50%。較佳之Μ的含有量爲〇·5〜50atm%之範圍 。此外，SnTe雖以SnwTeWSn : Te=50 : 50)之化學量論組 成較佳，但如 Sn45Te55(Sn : Te=45 : 55)或 Sn55Te45(Sn : Te=55 :45)般，亦可有±5%左右之容許量。 上述資訊記錄媒體中，前述相變態層最好是能由硫屬 系材料所構成。根據此種構成，即可獲得能進行高密度記 錄之資訊記錄媒體。又，上述資訊記錄媒體中，前述相變 態層以包含自 GeTe、GeSbTe、TeSnSe、InSbTe、GeBiTe 及 AglnSbTe中所選出之至少一種者較佳。又，上述資訊記錄 媒體中，前述相變態層以包含GeSbTe，與自Ag、Sn、Cr 、Μη、Pb、Bi、Pd、Se、In、Ti、Zr、Au、Pt、A1 及 N 中 所選出之至少一種元素者較佳。 又，上述資訊記錄媒體中，前述結晶核供給層之厚度 dl(nm)與前述相變態層之厚度d2(nm)，最好是能滿足d2> dl之關係。根據上述構成，能防止射入相變態層之雷射光 束之能量不足。又，上述資訊記錄媒體中，前述結晶核供 給層之厚度dl(nm)，最好是能滿足0.3<dlS5之關係。而 上述資訊記錄媒體中，前述相變態層之厚度d2(nm)，最好 是能滿足3<d2S20之關係。 此外，上述資訊記錄媒體中，前述相變態層爲結晶相 時之資訊記錄媒體的反射率Rc(%)、與前述相變態層爲非 晶質時之資訊記錄媒體的反射率Ra(%)’最好是能滿足Ra >Rc之關係。根據上述之構成’能獲得特別容易偵測出基 板上所形成之槽或位址的資訊記錄媒體。 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱Ί " --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 ----B7 五、發明說明（1 ) 又’本發明之資訊記錄媒體之製造方法，係至少具有 記錄層之資訊錄媒體之製造方法，其特徵在於：包含有 形成前述記綠層之步驟，前述記錄層包含有產生於結晶狀 態與非晶質狀態間可逆相變態之相變態層，以及積層於相 變態層、使相變態層容易結晶化之結晶核供給層。根據上 述資訊記錄媒體之製造方法，即能容易的製造本發明之資 訊記錄媒體。上述製造方法中，形成前述相變態層之步驟 ，最好是能以前述相變態層成爲非晶質之條件進行。根據 上述構成，即能進行as-depo記錄。 上述製造方法中，前述相變態層之成膜速度r(nm/分) 以能滿足r^30之關係者較佳。根據上述構成，能在非晶 質狀態下使相變態層成膜。 又，本發明之資訊記錄媒體之記錄再生方法，係將資 訊記錄於具有記錄層之資訊記錄媒體，其特徵在於：前述 記錄層包含有產生於結晶狀態與非晶質狀態間可逆相變態 之相變態層，以及積層於相變態層、使相變態層容易結晶 化之結晶核供給層，藉對前述記錄層照射雷射光束’使前 述相變態層產生相變態，以進行資訊之記錄。根據上述資 訊記錄媒體之記錄再生方法，能以良好之可靠度進行資訊 之記錄。 上述記錄再生方法中，前述結晶核供給層以包含自 SnTe及PbTe中所選出之至少一種者較佳。根據上述構成 ，能以特別良好之可靠度進行資訊之記錄。 上述記錄再生方法中，前述相變態層以包含自GeTe、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 ___ B7 五、發明說明)
GeSbTe、TeSnSe、InSbTe、GeBiTe 以及 AglnSbTe 中所選出 之至少一種者較佳。根據上述構成，能以特別良好之可靠 度進行資訊之記錄。 又，上述記錄再生方法中，前述相變態層最好是能以 非晶質狀態成膜，不結晶化而以非晶質狀態開始前述資訊 之記錄。 [圖式之簡單說明] 第1圖係顯示本發明之資訊記錄媒體之一構成例的部 份截面圖。 第2圖係顯示本發明之資訊記錄媒體之另一構成例的 部份截面圖。 第3圖係顯示本發明之資訊記錄媒體中之雙層資訊記 錄媒體之一構成例的部份截面圖。 第4圖係顯示用以判斷本發明之結晶化能提升層或積 層於結晶化能提升層上之記錄層之相構造的透過率之溫度 依存性之圖表。橫軸爲溫度、縱軸爲透過率。第4A圖係 相構造爲非晶質時之圖表。第4B圖係相構造爲非晶質與 結晶相之混合狀態時之圖表。第4C圖係相構造爲結晶相 時之圖表。 第5圖係顯示本發明之資訊記錄媒體之另一構成例的 部份截面圖。 第6圖係顯示本發明之資訊記錄媒體之另一構成例的 部份截面圖。 第7圖顯示本發明之資訊記錄媒體之另一構成例的部 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） I — — — — — — — — · I----ί til —---丨·線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（） 份截面圖。 第8圖係顯示本發明之資訊記錄媒體之記錄再生方法 中，於記錄時所使用之雷射光束的調變波形之圖。橫軸爲 時間，縱軸爲雷射功率。 [發明之實施形態] 以下，根據第1圖〜第3圖，說明以不需初期化爲目 的，於成膜後使相變態層結晶化之發明。 第1圖，係顯示本發明之資訊記錄媒體50之一構成例 ，其係於基板1上依序積層保持層2、結晶化能提升層3、 相變態層4、保持層6、反射層7，並以黏著層8和僞基板 9黏合。記錄層5，則係由結晶化能提升層3與相變態層4 之二層構成。 基板1係透明之圓盤狀物，可採用聚碳酸酯、聚甲基 丙烯酸甲酯、聚烯烴樹脂、原菠烷系樹脂、紫外線硬化性 樹脂、玻璃等。基板1之厚度並無特別限定，但可使用 0.05〜2.0mm左右者。又，於形成基板1之膜側的表面，可 視需要設置雷射光循跡用之螺旋狀或同心圓狀之導引槽。 未形成膜側之表面，則係使用平滑之物。 保護層2、6係電介質薄膜，具有調節光學距離以提高 對記錄層之光吸收效率，使記錄前後之反射光量的變化加 大，以增大信號振幅之作用。又，爲了抑制因記錄層5之 熱損傷等所造成之雜訊的增加，對雷射光27之反射率、吸 收率及反射光之相位的調整等目的，以使用物理、化學特 性安定，其熔點及軟化溫度較記錄層5之熔點爲高，不至 13 尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " "" I I----------— — — 訂---—---- ·線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（a) 與記錄層之材料產生固溶的材料較佳。例如可使用Y、Ce 、Ti、Zr、Nb、Ta、Co、Zn、Al、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、 Bi、Te 等之氧化物，Ti、Zr、Nb、Ta、Cr、Mo、W、B、 A卜 Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb 等之氮化物，Ti、Zr、Nb、 Ta、Cr、Mo、W、Si等之碳化物，Zn、Cd等之硫化物，硒 化物或碲化物，Mg、Ca等之氟化物，C、Si、Ge等之單體 ，或由該等之混合物所構成之介電質或相當於介電質之材 料。其中尤以混合物之ZnS-Si02係非晶質，具有高折射率 、成膜速度快且機械特性及耐濕性亦良好，特別是優異之 保護層。保護層之膜厚，例如可根據矩陣法（例如，參照 1971年日本岩波新書出版之「波動光學」第3章，久保田 廣著）之計算，嚴密的決定以滿足記錄層結晶狀態（記錄前) 與記錄層非晶質狀態（記錄後）之反射光量的變化大，且對 記錄層5之光吸收率較大之條件。保護層2 .及6，可視需 要使用不同之材料、組成之物，亦可使用相同之材料、組 成之物。 本發明之結晶化能提升層3，具有使成膜於結晶化能 提升層3上之相變態層4產生結晶核生成及結晶成長，使 成膜中之相變態層4結晶化之作用。結晶化能提升層3本 身，若能於成膜厚成爲結晶構造，該作用將變得更大。一 般來說，使氣相冷卻所得之薄膜的構造，易受到基板構造 之影響。此係被認爲是因形成相變態層4前設置結晶性之 材料層，而促進了結晶化之故。與記錄層所具有之結晶構 造相同者效果較大。例如，由於Ge-Sb-Te時係爲岩鹽型， 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明) 因此若結晶化能提升層3亦爲岩鹽型之結晶的話，該作用 更加的大。作爲結晶化能提升層3之材料，高速結晶化材 料之 SnTe、PbTe，低熔點材料之 TE、Sb2Te2、BhTe3、 GeSbTe共熔、GeBiTe共熔等之碲化合物，或CaF2、MgF2 、LaF、A1F3、NaF、BaF2、KF、LiF、ZnF2 等之鹵化合物具 有結晶化效果。特別是SnTe、PbTe、NaF、LiF、KF之效 果非常大。爲了使對相變態層4之光吸收變得更大，由於 爲碲化合物時之結晶化能提升層3本身有光吸收，因此以 Inm〜lOnrn之極薄的膜厚者較佳，而由於爲鹵化合物時結 晶化能提升層3本身幾乎沒有光吸收，因此可將膜厚設定 於lnm〜20nm之範圍。 相變態層4，藉由光束之照射產生於結晶相狀態與非 晶質狀態間之可逆相變態，以使用其光學常數(折射率η、 衰減常數k)變化之材料者較佳。亦可使用以Te爲主成份之 Ge-Sb-Te、Ge-Bi-Te系者，或於該等系中添力口 Au、Ag、Cu 、八卜Pd、Pt、Ce、Sn、Μη、Cr、Τι中任一者之材料。此 外，亦可添加氮素。特別是Ge-Sb-Te，其GeTe-Sb2Te3擬二 元系組成作爲高速晶化材料，可確保良好之記錄消除性能 。GeTe : Sb2Te3=x : l(l$xS6)之組成範圍因具有優異之相 安定性，爲實用上較佳之組成。以此等將Te作爲主成份之 材料作爲母材料，於Ar氣體及N2氣體環境中以反應性濺 鍍法形成了含有氮素之相變態層4。結晶化能提升層3及 相變態層4成膜後之相構造的評鑑，係於石英玻璃成膜 l〇nm左右之薄膜，邊以He-Ne雷射加溫至35CTC，邊測量 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _______B7___ 五、發明說明（/>) 了產生光學變化之溫度。又，亦透過實驗測量結晶化能提 升層3之膜厚及反射率、穿透率，算出了對既定之雷射波 長的複折射率。使用所得之複折射率以矩陣法進行多層膜 之光學計算，決定了資訊記錄媒體之構成。 本發明之記錄層5，在使結晶性之結晶化能提升層3 成膜後，成爲具相變態層4之之雙層構成。由於成爲此種 雙層構成，因此於相變態層4之結晶化能提升層3側界面 容易生成結晶核，相變態層4即產生結晶成長，成膜後成 爲結晶狀態。資訊之記錄再生，係藉由相變態層4之光學 性變化進行。以下，如無特別規定的話，將相變態層4爲 結晶狀態或非晶質狀態之情形，分別以記錄層5爲結晶狀 態或非晶質狀態加以表現。 反射層7，具有在光學上增大記錄層5所吸收之光量 、在熱性上使記錄層5所產生之熱迅速擴散.，以易於非晶 質化之作用，此外亦兼具自使用環境中保護多層膜之作用 。作爲反射層7之材料，可使用例如a卜au、Ag、Cu等 熱傳導率較高的單體金屬材料，或以該等中之一個或複數 個元素爲主成份，爲提升耐濕性或調整熱傳導率等而適當 地添加一個或複數個其他元素之Al-Cr、、Ag_Pd、Ag_ Pd-Cu、Ag-Pd-Ti等之合金材料。該等材料皆係耐腐纟虫彳、生佳 且能滿足急冷條件之優異的材料。此外，反射層7亦有因 線速度等之記錄條件或相變態層之組成等，即使、沒有急冷 效果亦能充分容易的非晶質化、而能加以省_。 自保護層2使反射層7成膜後，於反射層7上旋轉塗 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 A7 ___ B7 五、發明說明（β) 覆黏著層8，並與基板9貼合。 黏著層8，可使用耐熱性及黏著性高的材料，例如紫 外線硬化性樹脂等之黏著樹脂，亦可使用以丙烯樹脂爲主 成份之材料或環氧樹脂爲主成份之材料。或者適當的組合 與此等相同之材質、或不同材質之紫外線硬化性樹脂等之 黏著樹脂、雙面膠區域、介電質膜、或適當地加以組合使 用，如第1圖般與其他之僞基板貼合而成爲單面構造碟片 ，或將相同之物的膜面相對貼合而成爲雙面構造碟片皆可 〇 僞基板9，係用以提高資訊記錄媒體50之機械性強度 ，同時保護積層之多層膜者。作爲僞基板9之材料，可自 基板1之材料中加以選擇。其重點在於，貼合構造之資訊 記錄媒體50上不至產生機械性的扭曲、變形，因此僞基板 9與基板1不一定非爲同一材料，亦不需要爲相同厚度。 第2圖，係顯示本發明之資訊記錄媒體50的另一構成 例，其構成係於基板1上依序積層保護層2、界面層10、 結晶化能提升層3、相變態層4、界面層11、保護層6、光 吸收修正層12、反射層7，以黏著層8與僞基板9貼合。 此構成係使記錄層5爲結晶狀態時之記錄層5之光吸收率 Ac，較記錄層5爲非晶質狀態時之光吸收率Aa爲大般， 於保護層6與反射層7間設置光吸收修正層12，以使光吸 收平衡之構成。於此構成中，可藉由在相變態層4之前先 使結晶化能提升層3成膜，驗證相變態層4之結晶化。 基板1、保護層2,6、結晶化能提升層3、相變態層4 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（Μ ) 、反射層7、黏著層8、僞基板9等，可採用與第丨圖相同 系之材料。 界面層10、11，具有防止因重複記錄而產生於保護層 2與記錄層5以及保護層6與記錄層5間之物質移動的機 能，其成份以Si、Al、Zr、Ti、Ge、Ta、Cr等爲主成份之 氮化物、氧化物、氮氧化物、碳化物，或以該等之混合物 爲主成份之材料較佳。又，雖然只要設置界面層1〇或U 之任何一方即能發揮上述機能，但以設置兩方者較佳’此 時可視需要使用不同之材料、組成，亦可使用相同之材料 、組成。該等界面材料，係將金屬母材於Ar氣體及處理氣 體環境中加以反應性濺鍍處理，或將化合物母材於Ar氣體 環境中加以濺鍍處理而形成。該等界面層之膜厚過厚的話 ，將因多層構成之反射率及吸收率產生較大的變化而對記 錄消除性能造成影響，因此以2nm〜lOnm間較佳，尤以膜 厚約爲2nm〜5nm者更佳。 光吸收修正層12，由於係以調整記錄層5爲結晶狀態 時與非晶質狀態時之光吸收率比，以使覆寫時之標誌形狀 不至變形，及增大記錄層5爲結晶狀態時與非晶質狀態時 之反射率差，以加大信號振幅等爲目的，因此以折射率高 、適度的吸收光之材料較佳。例如，可使用折射率η爲3 以上6以下、衰減係數k爲1以上4以下之材料。具體來 說，以使用 Ge-Cr、Ge-Mo、Si-Cr、Si-Mo、Si-W 等之非晶 質Ge合金及Si合金、Te化物，或1^、2『、奶、丁&、0:、 Mo、W、SnTe、PbTe等之結晶性金屬、半金屬及半導體材 18 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------t---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 _______________ B7 五、發明說明（1) 料者較佳。 第3圖，係顯示本發明之雙層資訊記錄媒體的一構成 例，係將第一資訊記錄媒體20與第二資訊記錄媒體貼合之 構造。由於係自第一基板側13側射入雷射光27，以自單 側進行兩資訊記錄媒體20、29之記錄再生，因此不需將媒 體翻面，記錄再生容量約爲2倍之方式。 第一基板13、第一基板28，可使用與第1圖之基板1 相同系之材料。 第一保護層14、19，第二保護層22、26，可使用與第 1圖之保護層2、6相同系之材料。 第一界面層15、18，第二界面層23、25，可使用與第 2圖之界面層10、11相同系之材料。 本發明之結晶化能提升層3，係形成於第一光學資訊 記錄媒體20，使用與第1圖相同系之材料。. 第二資訊記錄媒體29,由於係藉通過第一資訊記錄媒 體20射入之雷射光27以進行記錄再生，是以在光學設計 上係使弟一資訊記錄媒體20之穿透率盡量的高。因此，資 訊媒體20之相變態層4係設定爲約5nm〜約8nm之極薄的 膜厚。結晶化能提升層3之膜厚亦以inm〜3nm之較薄者 爲佳。由於相變態層4之膜厚非常薄，雖在初期化步驟中 需要較大之雷射能量，但由於將結晶化能提升層3形成爲 lnm，因此能使相變態層4易於結晶化，大幅度的降低雷 射能量。再者，由於將結晶化能提升層3形成爲3nm，因 此相變態層4成膜後結晶化。 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) ------—^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 ----B7 五、發明說明（J) 第二記錄層24，係使用與相變態層4相同系之材料。 本發明之第一記錄層17，具有與第1圖之記錄層5相 同之作用。 分離層21，由於係針對第一資訊記錄媒體20及第二 資訊記錄媒體29以雷射光27進行記錄再生，因此於雷射 光27之波長λ時，以透明且耐熱性及黏著性高之材料較佳 。具體來說，可使用紫外線硬化性樹脂等之黏著樹脂、雙 面膠區域、介電質膜、或將此等適當地加以組合者。又， 分離層21之厚度，爲了避免對第一資訊記錄媒體20及第 二資訊記錄媒體29中任一者進行記錄再生時，弄亂記錄於 另一方之信號資訊、或產生任何遺漏，因此其厚度須在焦 點深度以上，例如2//m以上，且爲了在第一資訊記錄媒 體20及第二資訊記錄媒體29之任一方皆能對雷射光27進 行集光，因此其與基材厚之合計厚度須在基材厚公差 (Allowance)之範圍內，例如須在100//m以下。 反射層7，係使用與第1圖相同系之材料。 以下，以第5圖〜第7圖，說明以不需初期化爲目的 ，記錄於as-depo之發明。 第5圖，係顯示本發明之資訊記錄媒體53的一構成例 ，其構成係於基板1上依序積層保護層2、界面層10、結 晶核供給層32、相變態層33、界面層11、保護層6、反射 層7，以黏著層8與僞基板9貼合。記錄層31，包含有自 基板1側依序積層之結晶核供給層32及相變態層33。（以 下之實施形態中亦相同）。 20 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） " " --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1) 記錄層31，包含有積層於基板1上方之結晶核供給層 32及相變態層33。結晶核供給層32，係用以使相變態層 33易於結晶化之層。又，相變態層33，係能在結晶狀態與 非晶質狀態間進行可逆相變態之層，藉此相變態進行資訊 之記錄的層。資訊記錄媒體53中，由於記錄層31具有上 述般之構成，因此相變態層33能容易的自與結晶核供給層 32之界面產生結晶化。 爲了使相變態層33之結晶化易於產生，結晶核供給層 32以較相變態層33之結晶化溫度（自非晶質到結晶相之轉 移溫度)爲低、結晶狀態安定之材料構成者較佳。亦即，結 晶核供給層32之結晶化溫度Txl(°C)與相變態層33之結晶 化溫度Tx2(°C)之關係，以能滿足Tx2^Txl者較佳(以下之 實施形態中亦相同）。.. 相變態層33，係由能藉光束之照射而在結晶狀態與非 晶質狀態間進行可逆相變態之材料構成。相變態層33，例 如係由硫族系材料所構成。具體來說，相變態層33，以包 含自硫族系材料中之GeTe、GeSbTe、TeSnSe、InSbTe、 GeBiTe及AglnSbTe中所選出之至少一種者較佳。此外， 相變態層33，亦可使用包含GeSbTe，以及自Ag、Sn、Cr 、Pb、Bi、Pd、Se、In、Ti、Zr、Au、Pt、A卜 Μη、Cu 及 N中所選出之至少一種元素的材料。特別是Ge-Sb-Te系材 料，由於其GeTe-Sb2Te3擬二元化組成作爲高速晶化材料， 可確保良好之記錄消除性能，因此較佳。此時，GeTe : Sb2Te3=l〜6 : 1之組成範圍因具有優異之相安定性，爲實 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（) 用上較佳之組成。相變態層33之結晶化溫度約自i4(rc到 240°C，熔點約自600°C到650°C。又，相變態層33之結晶 構造’在以雷射照射而結晶化時’爲NaCl型。又，相變態 層33，形成時係非晶質狀態，能進行as-depo記錄。相變 態層33之膜厚，例如係3nm以上20nm以下。 因此，作爲結晶核供給層32之材料，以包含Te之材 料較佳，包含自SnTe及PbTe中所選之至少一種者則更佳 〇 如資訊記錄媒體53般，於相變態層33之雷射射入側 形成結晶核供給層32之情形時，由於由光束先到達結晶核 供給層32而被吸收，因此結晶核供給層32之熔點以較相 變態層33之熔點高者較佳。亦即，結晶核供給層32熔點 Tml(°C)與相變態層33之熔點Tm2(°C)之關係，以能滿足 Tml>Tm2者較佳。此係因對相變態層33照射高功率之雷 射光束以進行信號之記錄時，防止於熔融急冷之過程中， 結晶核供給層32亦同時熔解而喪失結晶核供給層之機能之 故。此處，於表1中顯示以包含Te之材料作爲結晶核供給 層32之材料的結晶化溫度及熔點。 【表1】 如表1所示，自表示之熔點，可看出作爲結晶核供給 層之材料，SnTe及PbTe特別的佳。 由於結晶核供給層32以結晶狀態之安定狀態較佳，因 此結晶核供給層32之膜厚，以2nm以上較佳，且比較厚 者爲佳（因過薄的話，結晶化所需之原子數將不足）。然而 22 i紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 A7 B7 五、發明說明（Μ ) ，若結晶核供給層32之膜厚過厚，則將因能量束被結晶核 供給層32所吸收，而使能量束無法到達相變態層33。因 此，結晶核供給層32之，以2nm以上4nm以下較佳。 結，曰核供給層32，可在Ar氣體或Ar-N2混合氣體環境 中濺鍍母材而形成。又，相變態層33，可在Ar氣體或Ar-N2混合氣體環境中濺鍍母材而形成。此時，爲了使相變態 層33成膜後爲as-depo非晶質，相變態層33之成膜速度以 約30nm/分以上較佳。根據本案發明人等之實驗，當結晶 化能提升層之膜厚爲5nm、記錄層之膜厚爲l〇nm，記錄層 之成膜速度爲5nm/分〜20nm/分時，記錄層即在成膜中結 晶化；成膜速度爲30nm/分〜40nm/分時，即成爲as-depo 非晶質與結晶相之混合狀態；當成膜速度爲50nm/分以上 時，即成爲as-depo非晶質。即使如可逆光學資訊記錄媒體 1〇般具有結晶核供給層32之情形下，若相變態層33之成 膜速度較慢，則相變態層33亦有在成膜中結晶化之情形。 因結晶核供給層32之膜厚與相變態層33之膜厚的組合， 而使相變態層33在成膜中結晶化之成膜速度雖不相同，但 爲了防止相變態層33之結晶化，相變態層33之成膜速度 以30nm/分以上較佳，最好是能在40nm/分以上。 資訊記錄媒體53中，作爲結晶核供給層32，使用 SnTe、SnTe-M(但 Μ 爲包含自 N、Ag、Cu、Co、Ge、Μη、 Nb、Ni、Pd、Pt、Sb、Se、Ti、V、Zr 及 PbTe 中所選之至 少一種者）、PbTe、Sb2Te3、BhTe3、GeSbTe 共晶、GeBiTe 共晶之任一者時，相變態層33皆能以as-depo非晶質之狀 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（u) 態進行資訊之記錄(as-depo記錄）。特別是當使用包含熔點 高之SnTe之材料、或包含PbTe之材料時，獲得了良好的 結果。 又，作爲相變態層33，當使用包含自GeTe、GeSbTe 、TeSnSe、InSbTe、GeBiTe、AglnSbTe 及 GeSbTe 中所選出 之至少一種，且添加有自Ag、Sn、Cr、Pb、Bi、Pd、Se、 In、Ti、Zr、Au、Pt、A1、Mn及N中所選出之至少一種之 材料的任一者時，皆能進行as-depo記錄。 如上述般，根據資訊記錄媒體53，即能進行as-depo 記錄。 第6圖，係顯示本發明之資訊記錄媒體545之一構成 例的截面圖。參照第6圖可知，資訊記錄媒體54具備有基 板1，及於基板1上依序積層之保護層2、界面層10、記 錄層34、界面層11、保護層6及反射層7，·以及於反射層 7上以黏著層8黏著之僞基板9。其中，記錄層34包含有 自基板1側依序積層之相變態層33與結晶核供給層35。 又，除了記錄層34以外之部份，由於係與第5圖中所說明 之資訊記錄媒體53相同，因此省略重複之說明。 記錄層34，結晶核供給層35與相變態層33之機能， 係分別與第5圖中所說明之記錄層31 ’結晶核供給層32 與相變態層33相同。亦即，結晶核供給層35係用以使相 變態層33易於結晶化之層。又，相變態層33係在結晶狀 態與非晶質狀態間產生可逆相變態’以此相變態進行資訊 之記錄的層。資訊記錄媒體54中’由於記錄層34具有上 24 本^張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚Γ -----I--^ · I-------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 A7 B7 五、發明說明（d) 述之構成，因此相變態層33易自與結晶核供給層35之界 面產生結晶化。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 資訊記錄媒體54中，與第5圖不同的，係記錄層34 具備有自基板1側依序積層之相變態層33與結晶核供給層 35 ° 相變態層33，係與資訊記錄媒體53之相變態層33相 同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 與資訊記錄媒體53之結晶核供給層32不同的，結晶 核供給層35係相對於相變態層33、積層於雷射射入側之 相反側。因此，結晶核供給層35，亦非常適合使用具有較 相變悲層3 3之溶點爲低之溶點的材料。具體而言，除第5 圖中所說明之結晶核供給層32之材料外，作爲包含Te之 材料，除SnTe、PbTe外，亦適合使用Sb/Te;、Bi2Te;、Te 、GeSbTe共晶組成、GeBiTe共晶組成等。又.，資訊記錄媒 體54中，由於能量束係通過相變態層33後射入結晶核供 給層35，因此與資訊記錄媒體53相較，可使結晶核供給 層35之膜厚較厚。具體來說，結晶核供給層35之膜厚以 約2nm〜5nm較佳。又，相變態層33之成膜速度，以約 30nm/分以上較佳，能以非晶質狀態成膜。 資訊記錄媒體54中，作爲結晶核供給層35，使用 SnTe、SnTe-M(但 ’ Μ 係含有自 N、Ag、Cu、Co、Ge、Μη 、Nb、Ni ' Pd、Pt、Sb、Se、Τι、V、Zr 及 PbTe 中所選出 之至少一種者）、PbTe、Sb2Te3、BhTe;、Te、GeSbTe 共晶 、或GeBiTe共晶之任一者時，相變態層33皆能以as-depo 25 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（外） 非晶質之狀態進行資訊之記錄。資訊記錄媒體54，使用上 述任一種材料，皆獲得了良好的結果。 又，作爲相變態層33，使用GeTe、GeSbTe、TeSnSe 、：[nSbTe、GeBiTe、AglnSbTe，或包含 GeSbTe 且添加有自 Ag、Sn、Cr、Pb、Bi、Pd、Se、In、Ti、Zr、Au、Pt、A1、 Mn及N中所選出之至少一種之材料的任一者時，皆能進 行as-depo記錄。 如上述般，根據資訊記錄媒體54，即能獲得與資訊記 錄媒體53相同之效果。 第7圖，係說明本發明之資訊記錄媒體一例。資訊記 錄媒體55，具備有基板1，及於基板1上依序積層之保護 層2、界面層10、記錄層36、界面層11、保護層6及反射 層7，以及於反射層7上以黏著層8黏著之僞基板9。其中 ，記錄層36包含有自基板1側依序積層之結晶核供給層 32與相變態層33與結晶核供給層35。又，除了記錄層36 以外之部份，由於係與第5圖中所說明之資訊記錄媒體53 相同，因此省略重複之說明。 結晶核供給層32及35，具有與第5圖中所說明之結 晶核供給層32相同之機能。亦即，結晶核供給層32及35 係用以使相變態層33易於結晶化之層。資訊記錄媒體55 中，由於記錄層36具有上述之構成，因此相變態層33易 自與結晶核供給層32或35之界面產生結晶化。 資訊記錄媒體55中，與第5圖之資訊記錄媒體53不 同的，係相變態層33被結晶核供給層32與結晶核供給層 26 本紙張尺度適用中國國家標準(cnS)A4規格（210 X 297公釐） " ' --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（4) 35所包挾。 相變態層33，係使用與第5圖中所說明者相同之材料 〇 結晶核供給層32，可使用與第5圖中所說明之結晶核 供給層32相同之材料。結晶核供給層32，於包含Te之材 料中，以熔點較相變態層33之熔點爲高之材料所構成者較 佳。 結晶核供給層35，可使用與6圖中所說明之結晶核供 給層35相同之材料。結晶核供給層35，於包含Te之材料 中，亦較爲適合使用熔點較相變態層33之熔點爲低之材料 〇 結晶核供給層32之材料與結晶核供給層35之材料亦 可不同。例如，結晶核供給層32由SnTe構成、而結晶核 供給層35由PbTe構成者亦可。又，晶核供給層32由 PbTe構成、而結晶核供給層35由GeBiTe共晶組成構成者 亦可。此外，若晶核供給層32與結晶核供給層35皆使用 相同材料，即具有成膜時母材之數量較少、且可使成膜裝 置較爲簡單化之優點。 結晶核供給層32之膜厚與結晶核供給層35之膜厚雖 可不同，但兩膜厚之合計以在5nm以下較佳。例如，可使 結晶核供給層32之膜厚爲liim而結晶核供給層35之膜厚 爲2nm，或者使結晶核供給層32之膜厚爲2nm而結晶核供 給層35之膜厚爲3nm亦可。 資訊記錄媒體55中，作爲結晶核供給層32及35，使 27 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------til--I 11 · ^ . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（“） 用 SnTe、SnTe-M(但，Μ 係含有自 N、Ag、Cu、Co、Ge、 Μη、Nb、Νι、Pd、Pt、Sb、Se、Ti、V、Zr 及 PbTe 中所選 出之至少一種者）、pbTe、Sb/Te;、Bi2Te3、Te、GeSbTe 共 晶、或GeBiTe共晶之任一者時，皆能進行as-depo記錄。 特別是，於結晶核供給層32使用包含熔點較高之SnTe或 包含PbTe之材料時，獲得了良好的結果。. 此外，作爲相變態層33 ’使用GeTe、GeSbTe、 TeSnSe、InSbTe、GeBiTe、AglnSbTe，或包含 GeSbTe 且添 加有自 Ag、Sn、Cr、Pb、Bi、Pd、Se、In、Ti、Zr、Au、 Pt、A1、Mn及N中所選出之至少一種之材料的任一者時， 皆能進行as-depo記錄。 如上述般，根據第7圖之資訊記錄媒體55，即能獲得 與資訊記錄媒體53相同之效果。 第5圖〜第7圖中所說明之資訊記錄媒體，係設計爲 Ra>Rc，相變態層33可在as-depo非晶質的狀態下，不進 行初期化步驟而記錄信號。 接著，說明本發明之資訊記錄媒體之製造方法之一例 〇 本發明之資訊記錄媒體之製造方法，係製造具備記錄 層之資訊記錄媒體之方法，其特徵在於：包含有形成記錄 層之步驟，該記錄層包含有在結晶狀態與非晶質狀態間產 生可逆相變態之相變態層，及積層於相變態層、使相變態 層易於結晶化之結晶核供給層。以下，針對第5圖中所說 明之資訊記錄媒體53之製造方法，參照第5圖加以說明。 28 ^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） --------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（θ) 首先，於基板1上形成保護層2及界面層10 °該等層 ，可在Ar氣體及反應氣體環境中對目標材料(金屬母材)進 行反應性濺鍍，或將化合物母材於Ar氣體環境中或Ar氣 體及反應氣體環境中進行濺鍍加以形成。 其次，於界面層10上積層結晶核供給層32與相變態 層33。結晶核供給層32與相變態層33，可在Ar氣體或 Ar-N2混合氣體環境中對母材進行濺鍍加以形成。又’相變 態層33，係以成爲非晶質之條件形成。爲了使相變態層33 在成膜後爲as-depo非晶質，如第5圖之說明般’相變態層 33之成膜速度以約30nm/分以上較佳。 其次，於相變態層33上積層界面層11與保護層6。 該等層，係與保護層2及界面層10相同之方法形成。 其次，於保護層6上形成反射層7。反射層7，係以濺 鍍法或蒸鍍法加以形成。 最後，以旋轉塗敷方式於反射層7上塗敷黏著層8， 貼合僞基板9後，照射紫外線使黏著層8硬化。以此方式 ，即能製造資訊記錄媒體53。 又，資訊記錄媒體54或55，皆能以和上述相同之方 式容易的製造出。 根據上述之製造方法，即能容易的製造出本發明之資 訊記錄媒體。 其次，說明本發明之資訊記錄媒體之製造方式的一例 〇 本記錄再生方法，係使用第5圖〜第7圖之任一圖中 29 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公髮） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 Α7 ____ Β7 五、發明說明（y) 所記載之本發明之資訊記錄媒體的記錄再生方法。 具體而言，藉對第5圖〜第7圖之任一圖中所說明之 資訊記錄媒體照射調變之雷射光束，於相變態層上形成非 晶質區域及結晶相區域’以進行信號之記錄。以低功率之 雷射光束照射相變態層之非晶質區域，即能使照射部份之 非晶質區域結晶化。又，以高功率之雷射光束照射相變態 層之結晶區域，即能使照射部份之結晶區域非晶質化。 根據本記錄再生方法，即能以良好之可靠性進行資訊 信號之記錄。特別是，藉使用第5圖〜第7圖之任一圖中 所記載之資訊記錄媒體，即能進行as-depo記錄。 [實施例] 其次，說明本發明之具體例6 實施例1〜13 ’係針對以不需初期化爲目的，於成膜 後使相變態層結晶化之發明的實施例。 實施例14〜26，係針對以不需初期化爲目的，以相變 態層爲as-depo非晶質之狀態進行記錄之發明的實施例。實 施例26係關於可靠性之實施例。 (實施例1) 作爲使相變態層於成膜中結晶化之結晶化能提升層的 機能中，其必要條件係結晶化能提升層本身於成膜後爲結 晶。選擇數種其結晶在構造上較爲安定之高速結晶化材料 或低熔點材料’檢查了該等之薄膜於成膜後之結晶相。材 料係 Bi2Te3、SbzTe]、Sb、Te、SnTe、PbTe、GeSbTe 共熔、 GeBiTe共熔之8種。將直徑爲100mm、厚度爲6mm(以下 30 1紙張尺度適用+國國家標準（CNS)A4規格⑽x 297公ϋ " ------------—-----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 A7 B7 五、發明說明（j) ，以l〇〇mm0><6mmt之方式表示）之濺鍍標的，於Ar環境 中進行DC濺鍍，於石英基板上形成了各爲5nm之薄膜。 將所得之8種薄膜，邊使用He-Ne雷射以每分鐘50°C之速 度加以昇溫，邊測量了穿透率。溫度與穿透率之關係顯示 於第4圖A〜第4圖C。成膜後之構造若爲非晶質，如第4 圖般，相對於室溫下之高穿透率，觀察出於昇溫中之溫度 下，隨著至結晶相之相變態，穿透率急遽降低。成膜後之 構造若爲非晶質與結晶相之混合狀態時，室溫下之穿透率 較第4圖A之情形爲低，如第4圖B般，僅有些微之穿透 率變化。又，結晶化溫度較第4圖A之情形爲低，戒第4 圖A之狀態易於結晶化。第4圖B中之a、b、c線，係表 示結晶狀態與非晶質狀態之比例相異，結晶相所含之比例 以a、b、c之順序增加。成膜後之構造若爲結晶相，相對 來說於室溫下之穿透率最低，即使如第4圖C般加以昇溫 亦幾乎無穿透率之變化。根據此種差異，既能判斷相構造 。8種類之薄膜於室溫下之構造顯示於表2。 【表2】 (實施例2) 此實施例中檢查了實施例1之薄膜是否具有作爲結晶 化能提升層之機能。在真空處理室中於石英基板上形成結 晶化能提升層，檢查了於結晶化能提升層上連續成膜相變 態層之試料之成膜後的相構造。膜厚爲，石英|結晶化能 提升層(5nm) |相變態層（10nm)。結晶化能提升層之濺鍍條 件與實施例1相同，相變態層之材料爲Ge2Sb2Te5。相變態 31 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------% (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（γ ) 層之相構造，係以和實施例1相同之方式以穿透率測定加 以檢查。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 【表3】 當沒有結晶化能提升層時，Ge2Sb2Te5相變態層成膜後 爲非晶質且顯不了與第4圖A般之穿透率變化。結晶化溫 度約爲200°C。於結晶化能提升層使用Sb時，相變態層之 結晶化溫度不下降，無法認定其結晶化及結晶核生成。於 結晶化能提升層使用Bi2Te3、Sb2Te3、Te、GeSbTe共熔時， 相變態層成爲非晶質與結晶相之混合狀態。於結晶化能提 升層使用SnTe、PbTe、GeSbTe共熔時，成爲如第4圖C 般之結果相變態層結晶化。自此結果可知，當使用Te化合 物作爲結晶化能提升層時，促進了相變態層之結晶化。此 外，亦知道了 Te化合物中結晶構造爲岩鹽型之材料，其結 晶化效果更大。 (實施例3) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於結晶化能提升層使用SnTe，調查了膜厚與結晶化效 果之關係。於石英基板上形成lnm〜20nm之不同膜厚的 SnTe，於其上形成了 1 〇nm之相變態層。該等試料之相變 態層的構造顯示於表4。 【表4】 lnm時成爲非晶質與結晶相之混合狀態，但較沒有結 晶化能提升層時，具有較易結晶化之效果。若爲3nm以上 ，相變態層即結晶化。 (實施例4) 32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（V ) 調查了相變態層之成膜條件與結晶化效果之關係。在 不同之成膜速度下，於石英基板上形成膜厚5nm之SnTe， 於其上形成10nm之相變態層。該等試料之相變態層的構 造顯示於表5。 【表5】 知道了結晶化能提升層使相變態層結晶化之效果，係 依存於相變態層成膜速度。相變態層之成膜速度爲5nm/分 〜20nm/分時結晶化，30nm/分〜40nm/分時成爲非晶質與結 晶相之混合狀態。該速度以上即成爲非晶質。可知相變態 層之成膜速度爲低速度時相變態層較易結晶化。最佳之成 膜速度爲5nm/分〜10nm/分。 (實施例5) 以實驗求SnTe之複折射率時，折射率n=4.2、衰減係 數k=4.5。以該複折射率進行光學計算，決定並試作了光學 資訊記錄媒體。測定光學資訊記錄媒體之反射率，調查了 相變態層是否已結晶化。如第1圖所示，使用分批式濺鍍 裝置、在真空處理室內，連續地於聚碳酸酯基板上依序形 成膜厚lOOnm之保護層、5nm之結晶化能提升層、！8nm之 相變態層、25nm之保護層、80nm之反射層。各個之詳細 的成膜條件顯示於表6。 【表6】 光學資訊§3錄媒體之反射率’係以Pulstec製相變化光 碟評鑑裝置加以測定。光源之波長爲660nm、NA爲0.6。 以8m/s之線速度使光學資訊記錄媒體旋轉，測定了半徑 33 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " --- --------------------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（p) 40nm處之鏡面部之反射率。其結果’獲得了 20%之反射率 〇 爲了調查是否完全結晶化，於同位置照射通常可充分 使其結晶化之功率的雷射光束’測定了反射率。此時’獲 得了 20.3%之反射率。證實了相變態層於成膜厚幾乎完全 的結晶化。使用PbTe、GeBiTe共熔時亦獲得了同樣的效果 〇 (實施例6) 測量了於實施例5之多層膜構成中只改變結晶化能提 升層之膜厚時，光學資訊記錄媒體之反射率與記錄靈敏度 是如何的變化。此時係使用SnTe作爲結晶化能提升層。反 射率測定條件與實施例5相同，記錄靈敏度係以同裝置將 3T信號於槽間記錄1次，能得到CNR値爲50Db之記錄功 率加以定義。其結果顯示於表7、 【表7】 雖然結晶化能提升層之膜厚越厚、多層膜之反射率越 高，但記錄靈敏度卻降低，於15nm以上之膜厚中，需 14mW以上之記錄功率、實用上非常困難。根據此結果， 可知作爲結晶化能提升層之膜厚，以l〜10nm較佳。 (實施例7) 對實施例5所試作之光學資訊記錄媒體之覆寫振動特 性進彳了了 s平鑑。對無結晶化能提升層之習知構成中，經由 以半導體雷射進行之結晶化步驟的光學資訊記錄媒體之覆 寫振動特性亦進行了評鑑。其結果顯示於表8。 34 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ------------------- —訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（\y) 【表8】 表中之振動値，係記錄標誌之前端間振動値與後端間 振動値之平均値。 又，前端間振動値與後端間振動値之差，無論記錄次 數爲何，皆爲0.5%以內。 當相變態層之結晶化不充分，而在結晶相中殘留非晶 質時，自第2次到第4次記錄時之振動値增大。本實施例 中，即使對設置結晶化能提升層、於成膜中使相變態層結 晶化之光學資訊記錄媒體進行記錄，於第2次到第4次記 錄下之振動値的增大亦無法觀測出。而得到了與習知於成 膜後照射半導體雷射，以使之結晶化之記錄膜大致相等的 結晶相。 (實施例8) 以第3圖之雙層資訊記錄媒體之第1資訊記錄媒體之 構成，調查了結晶化能提升層之效果。使用分批式濺鍍裝 置、在真空處理室內，連續地於聚碳酸酯基板上形成膜厚 100nm之保護層、5nm之界面層、3nm之結晶化能提升層 、7nm之相變態層、5nm之界面層、9〇nm之保護層。試作 了結晶化能提升層材料之不同的7種資訊記錄媒體與沒有 結晶化能提升層之資訊記錄媒體。同時，亦製作了於石英 基板上以相同構成形成多層膜之試料片。以該試料片測調 查了成膜後之相變態層。使用BhTe3、sb/Tu、Te、GeSbTe 共熔時，成爲非晶質與結晶相之混合狀態。由於該等並非 完全地非晶質，因此爲了評鑑結晶化之容易程度，亦試了 35 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐)^^------ --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 A7 B7 五、發明說明（u) 於光學資訊記錄媒體之藉照射半導體雷射的結晶化。無結 晶化能提升層時，初期化所需之半導體雷射之功率爲 800mW。此係大致爲雷射輸出之上限。使用結晶化能提升 層之結果顯示於表9。 【表9】 此處，可知即使相變態層不完全成爲結晶相，只要設 置3nm之結晶化能提升層，即能使初期化之功率減半，而 更容易的結晶化。設置lnm之結晶化能提升層亦獲得了相 同之結果。 (實施例9) 針對第2圖所示之具有光吸收層之構成，亦進行了實 施例5之調查。 於聚碳酸酯基板上成膜120nm之保護層ZnS-Si〇2、 5nm之界面層GeN、5nm之結晶化能提升層SnTe、10nm之 相變態層GeSbTe、5nm之界面層GeN、50NM之保護層保 護層ZnS-SiCb、30nm之光吸收修正層Si合金、80nm之反 射層Ag合金，試作了資訊記錄媒體。成膜後，因結晶化 能提升層之效果，相變態層係成結晶化，得到了 17.0%之 反射率。又，於相同位置照射半導體雷射光束後，測定反 射率亦得到了 16.9%之反射率，證實了成膜後完全的結晶 化。第2圖之構成亦證實了結晶化能提升層之效果。 (實施例10) 至第9實施例爲止，皆係採用Te化合物作爲結晶化能 提升層而得到了優異的效果。但，由於結晶化能提升層會 36 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 _ B7 五、發明說明（π) 吸收光，當膜厚範圍在5nm以下時，即被限定於極薄之範 圍。因此，對光吸收小、且亦包含岩鹽型化合物之鹵族化 合物，亦進行了是否具有作爲結晶化能提升層之機能的調 查。材料係 ZnF2、AIF3、KF、CaF2、NaF、BaFi、MgF2、 LaFs、LiF之9種F化合物。將各個lOOmm0X6mm之化合 物濺鍍標的，於Ar環境中進行濺鍍，於石英基板上形成 10nm之薄膜。接著，對在其上連續形成lOnm之相變態層 之試料的成膜後之相變態層之相構造進行了調查。與實施 例1相同地，邊使用He-Ne雷射以每分鐘50°C之速度加以 昇溫，邊測量了穿透率。自第4圖A〜第4圖C，對9種 試料之相構造進行判斷之結果，皆係非晶質與結晶相之混 合狀態。於第4圖B中顯示了之穿透率變化，岩鹽型構造 之材料LiF、NaF、Kf係相近於b之線，其他材料則與a線 相近。於結晶化能提升層使用岩鹽型構造之材料時之相變 態層之結晶相的比例增加，作爲結晶化能提升層之效果較 局。 (實施例11) 形成lOnm之鹵化物作爲結晶化能提升層，進行了實 施例8。其結果顯示於表10。 【表10】 即使是非晶質與結晶相之混合狀態，相較於無結晶化 能提升層之情形時，亦能大幅地降低初期化雷射功率。藉 設置鹵化物之結晶化能提升層，即可得知結晶化所需之能 量變小。設置鹵化物之結晶化能提升層時，亦獲得了相變 37 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —-----—^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（0) 態層易結晶化的結果。 (實施例12) 此實施例中，決定作爲結晶化能提升層之機能較高的 LiF、NaF、KF之複折射率。於石英基板上形成各個之結晶 化能提升層，以高低差計測定膜厚’以分光器測定反射率 及穿透率以算出複折射率。所得之複折射率顯示於表11。 【表11】 該等膜，係k=0之透明膜。 (實施例13) 測定了於實施例8之多層膜構成中僅改變結晶化能提 升層之膜厚時，光學資訊記錄媒體之反射率與記錄靈敏度 是如何的變化。此時係使用UF作爲結晶化能提升層。其 結果顯示於表12。 【表12】 結晶化能提升層之膜厚越厚多層膜之反射率越高。 Inm即下降15%。又，超過25nm之記錄靈敏度爲14mW以 上。根據此結果，鹵化物結晶化能提升層之膜厚以5nm以 上20nm以下較佳。與實施例6之結果相較，可知結晶化 能提升層自身之k較小時，可將結晶化能提升層之膜厚設 定的較厚。 又，以上之實施例中，係針對第1、第2、第3圖之構 成之結晶化能提升層的效果加以說明，但本發明並不限於 該等構成，只要在相變態層之成膜前形成結晶化能提升層 ，即能不受保護層之膜厚或界面層之有無的影響而獲得該 38 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---— — — — — — — — · I I I----訂-----I I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 _ B7 五、發明說明（θ) 效果。 根據上述之本發明，藉於相變態層之基板側面形成結 晶化能提升層，即能使相變態層成膜後之相構造成爲結晶 相，獲得不需要熱方法之結晶化步驟或以較少的功率即能 進行結晶化的效果。 (實施例14) 實施例14，係顯示針對結晶核供給層之材料所作之檢 討的結果。爲了不進行相變態層之初期化而在as-depo狀態 下開始資訊之記錄，由於須邊使as-depo非晶質部份結晶化 邊進行記錄，因此必須使由as-depo非晶質所構成之相變態 層易於生成結晶核。結晶核生成越多，自非晶質成爲結晶 相之移轉溫度(結晶化溫度)越低。 作爲結晶核供給層之材料，選擇數種結晶相爲NaCl型 構造之材料、高速結晶化材料及低熔點材料.，對在該等材 料積層相變態層時之相變態層的結晶化溫度進行了調查。 結晶核供給層之材料，爲B^Te3、SbaTes、Sb、Te、 SnTe、PbTe、SnTe-PbTe、SnTe-Ag、SnTe-Se、SnTeN、 GeSbTe共晶、GeBiTe共晶、TiN、ZrN等。相變態層之材 料爲 GeSbTe 〇 作爲試料，係使用石英基板/結晶核供給層（膜厚 2nm) /相變態層(膜厚10nm)之層構造者。除SnTeN、TiN 及ZrN以外之結晶核供給層，係藉將直徑lOOmmX厚度 6mm之濺鍍標的，於Ar氣體環境中進行DC濺鍍加以形成 。由SnTeN、TiN及Zr*N所構成之結晶核供給層，係藉由 39 --------1---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（說） 將SnTe、Ή、Zr之各個濺鍍標的，於Ar-N2混合氣體環境 中進行RF濺鍍加以形成。由GeSbTe所構成之相變態層， 係於Ar氣體環境中對標的進行DC濺鍍加以成膜。 此外，亦製作了沒有結晶核供給層之試料。然後，分 別對有結晶核供給層之試料及沒有結晶核供給層之試料， 邊使用He-Ne雷射以每分鐘50°C之速度加以昇溫，邊測量 了穿透率。由於當相變態層達到結晶化溫度時，試料之穿 透率即急遽的下降，因此自穿透率之變化即能明顯知道結 晶化溫度。針對各試料之結晶化溫度，其測定値顯示於表 13 ° 【表13】 沒有結晶核供給層時，相變態層之GeSbT的結晶化溫 度爲192°C。此係因使用包含Te之材料於結晶核供給層時 ，相變態層之結晶化溫度降低，對結晶核生成具有效果之 故。ΤιΝ與ZrN之結晶相雖係NaCl型構造，但並未觀測出 對結晶核生成之效果。Sb亦未觀測出效果。 (實施例15) 實施例15,係針對使用於實施例14中對結晶核生成 具有效果之材料製造資訊記錄媒體53，進行as-depo記錄 之一例加以說明。 於具有導引槽之聚碳酸酯基板上，以下列之順序連續 成膜作爲保護層之 ZnS-20mol%Si〇2(80mol%ZnS-20mol%Si〇2 。以下亦同）、5nm之界面層GeN、2nm之結晶核供給層、 10nm之相變態層GeSbTe、5nm之界面層GeN、ZnS- 40 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） " --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（约） 20mol%Si〇2之保護層、Ag合金之反射層。成膜後，以旋轉 塗敷方式於將紫外線硬化樹脂塗敷於Ag合金上’並將之 與僞基板貼合。作爲結晶核供給層之材料’係使用 、Sb〗Te3、Te、SnTe、SnTe-PbTe、SnTe-Ag、SnTe-Se、PbTe 、GeSbTe共晶、或GeBiTe共晶。 其次，說明各材料之成膜條文件。ZnS-20mol%S1〇2係 以ZnS-20mol%Si〇2爲母材，於Ar氣體環境中以RF濺鍍法 加以成膜。GeN係以Ge爲母材，於Ar-%混合氣體環境中 以RF濺鍍法加以成膜。結晶核供給層係以和實施例1相 同之條件加以成膜。由GeSbTe所構成之相變態層，係以 GeSbTe爲母材，於Ai*-N2混合氣體環境中以DC濺鍍法加 以成膜。由Ag合金所構成之反射層，係以Ag合金爲母材 ，於Ar氣體環境中以DC濺鍍法加以成膜。實施例15之 資訊記錄媒體，係使Ra約成爲28%而Rc約成爲10%般， 嚴密的決定了兩保護層之膜厚。 使用搭載λ =660nm、NA=0.6之雷射的評鑑用放大器 (DrWe)，對實施例2之可逆光學資訊記錄媒體進行了評鑑 。評鑑項目爲槽上之3T信號的振幅，雜訊位準、CNR等 。評鑑係在雷射光束照射部份之線速度爲8.2m/s之條件下 加以進行。記錄則係在將雷射光束調變於高功率Pp(mW)與 低功率Pb(mW)加以進行。調變記錄波形顯示於第8圖。與 原本之狀態無關地(as-depo非晶質、初期化之結晶相、記 錄狀態），藉調變雷射光束而形成了非晶質與結晶相，記錄 新的資訊。又，Pr(mW)係再生功率。 41 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " " --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 _ B7 五、發明說明（枰） 藉對資訊記錄媒體之部份的環狀區域進行初期化，將 仍爲as-depo狀態未進行初期化之as-depo非晶質區域，以 及進行了初期化之結晶相區域形成於同一面內。然後，藉 比較兩狀態之CNR，判斷了是否能進行as-depo記錄。由 於各媒體之Ra皆約爲28%、而Rc皆約爲10%，因此雨狀 態區域中位址之讀取良好，伺服安定、能進行CNR之評鑑 。又，將3T信號於槽上記錄了 1次。評鑑結果顯示於表 14 〇 【表14】 自表14中明顯可知，於使用包含SnTe之材料或包含 PbTe之材料時，as-depo非晶質區域之CNR與結晶相區域 之CNR大致爲相同位準。僅as-depo非晶質區域之雜訊位 準較低約ldB，亦即CNR較結晶相區域爲高。使用包含Te 之其他材料時，as-depo非晶質區域下之CNR雖較結晶相 區域之CNP低約3dB到5dB，但也有45dB以上。根據上 述之結果，可知以上述之材料能進行as-depo記錄。 相變態層之GeSbTe之熔點爲65(TC，SnTe及PbTe以 外之結晶核供給層材料之熔點爲620°C以下。因此，認爲 係由於記錄時結晶核供給層熔化而混入相變態層，光學特 性產生變化是以CNR低數dB之故。承上所述，於結晶核 供給層之後使相變態層成膜之構成中，可知以包含SnTe之 材料或包含PbTe之材料較佳。 (實施例16) 實施例16,係針對使用在第14例中於結晶核生成時 42 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^----------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（以） 具有效果之材料製造資訊記錄媒體54,進行as-depo記錄 之一例加以說明。 於具有導引槽之聚碳酸酯基板上，以下列之順序連續 成膜作爲保護層之ZnS-20mol%Si〇2、5nm之界面層GeN、 10nm之相變態層GeSbTe、2nm之結晶核供給層、5nm之界 面層GeN、ZnS-20mol%Si〇2之保護層、Ag合金之反射層。 成膜後，以旋轉塗敷方式於將紫外線硬化樹脂塗敷於Ag 合金上，並將之與僞基板貼合。作爲結晶核供給層之材料 ’係使用 Bi2Te3、Sb2Te3、Te、SnTe、SnTe-PbTe、SnTe-Ag 、SnTe-Se、SnTeN、PbTe、GeSbTe 共晶、或 GeBiTe 共晶 。各層之成膜條件與實施例15相同。 使資訊記錄媒體之一部份的環狀區域初期化，將成膜 後未初期化之as-depo非晶質區域與初期化後之結晶相區域 形成於同一面內。然後，藉比較兩狀態區域之CNR，判斷 了是否可進行as-depo記錄。 記錄條件與評鑑條件和實施例12相同。其結果顯示於 表15。 【表15】 根據表15，可知作爲結晶核供給層之任一材料，as_ depo非晶質區域之CNR與結晶相區域之CNR大致爲相同 位準，皆能對as-depo非晶質區域進行記錄。如此般，於結 晶核供給層之後使相變態層成膜之構成中，可知使用較相 變態層之熔點爲低之材料作爲結晶核供給層材料時亦可進 行as-depo記錄。 43 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------I---------- - 訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明 (實施例17) 實施例17，係針對使用在實施例15中已知可進行as-depo記錄之SnTe形成結晶核供給層，測量了 as-depo記錄 之結晶核供給層之膜厚依存性及記錄次數依存性。實施例 17中，係以和實施例15相同之方法製作了資訊記錄媒體 53。此時，對每一樣品中資訊記錄媒體之結晶核供給層之 膜厚，自〇nm到7nm爲止，以〇.5nm爲單位進行改變。 於未初期化之非晶質狀態記錄了 1次、2次及10次之 3T信號。評鑑條件與實施例15相同。其評鑑結果顯示於 表16 〇 【表16】 自表16中明顯可知，當結晶核供給層之膜厚在2nm 以上時，能得到大致飽和之CNR。當膜厚爲1.5nm以下較 薄時，由於1次記錄之振幅較小，2次記錄時雜訊位準較 高之故，CNR較低。此外’雖然雜訊位準隨記錄次數而降 低，但爲了獲得飽和CNR須要7次記錄。當膜厚爲4.5nm 以上較厚時，記錄功率爲12mW而無法獲得飽和CNR。當 結晶核供給層較厚時，可知相變態層之記錄靈敏度降低。 能進行as-depo記錄、且記錄靈敏度亦良好之結晶核供給層 之膜厚，約爲2nm〜4nm。 因此，可知實施例Π之資訊記錄媒體中’結晶核供給 層之膜厚以約2nm〜4nm較佳。 (實施例18) 實施例18，係對資訊記錄媒體54進行了與實施例π 44 ^^尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱1 ~ --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（B) 相同之實驗。 於具有導引槽之聚碳酸酯基板上，以下列之順序連續 成膜作爲保護層之ZnS-20mol%Si〇2、5nm之界面層GeN、 10nm之相變態層GeSbTe、2nm之結晶核供給層SnTe、5nm 之界面層GeN、ZnS-20mol%Si〇2之保護層、Ag合金之反射 層。成膜後，以旋轉塗敷方式於將紫外線硬化樹脂塗敷於 Ag合金上，並將之與僞基板貼合。對結晶核供給層SnTe 之膜厚，自Onm到7nm爲止，以0.5nm爲單位進行改變。 進行了與實施例17相同之測定的結果，顯示於表17。 【表17】 自表17中明顯可知，當結晶核供給層之膜厚在2nm 以上時，自1次記錄起即能得到大致飽和之CNR。當膜厚 爲5.5nm以上時，記錄功率爲15mW而無法獲得飽和CNR 。與實施例17之結果相同的，當結晶核供給層較厚時，相 變態層之記錄靈敏度降低。實施例18之資訊記錄媒體中， 能進行as-depo記錄、且記錄靈敏度亦良好之結晶核供給層 之膜厚，約爲2nm〜5nm。因此，於相變態層之後積層結晶 核供給層之構成中，結晶核供給層之膜厚以約2nm〜5nm 較佳。 (實施例19) 實施例19，係針對製作可逆光學資訊記錄媒體之一例 加以說明。 於具有導引槽之聚碳酸酯基板上，以下列之順序連續 成膜作爲保護層之ZnS-20mol%Si〇2、5nm之界面層GeN、 45 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " -------------------—訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（ 10nm之結晶核供給層32之SnTe與相變態層GeSbTe、5nm 之結晶核供給層35之SnTe與界面層GeN、ZnS-20mol%Si〇2 之第2保護層、Ag合金之反射層。成膜後，以旋轉塗敷方 式於將紫外線硬化樹脂塗敷於Ag合金上，並將之與僞基 板貼合。改變結晶核供給層32、35之膜厚，與實施例17 相同之條件進行了 as-depo記錄。評鑑結果顯示於表18。 【表18】 以結晶核供給層包挾相變態層之情形中，結晶核供給 層32及35之膜厚分別爲lnm且能進行as-depo記錄。此外 ，若將結晶核供給層之膜厚分別設爲3nm時，記錄靈敏度 不足。此係被認爲與僅在相變態層之單側設置結晶核供給 層，於相變態層之兩側設置結晶核供給層時，核生成效果 -相乘之故。因此，於相變態層之兩側形成結晶核供給層時 ，結晶核供給層之膜厚約一半即可，以約lnm〜2nm較佳 〇 (實施例20) 實施例20，係針對資訊記錄媒體53，調查結晶核供給 層之膜厚、相變態層之成膜速度與相變態層成膜後之狀態 間之關係的一例加以說明。 於具有導引槽之聚碳酸酯基板上，以下列之順序連續 成膜作爲保護層之ZnS-20mol%Si〇2、5nm之界面層GeN、 l〇nm之結晶核供給層SnTe與相變態層GeSbTe、5nm之界 面層GeN、ZnS-20mol%Si〇2之保護層、Ag合金之反射層。 成膜後，以旋轉塗敷方式於將紫外線硬化樹脂塗敷於Ag 46 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 A7 B7 五、發明說明（ft) 合金上，並將之與僞基板貼合。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 各樣品之資訊記錄媒體，由於其相變態層之成膜速度 r(nm/分)不同，因此進行了 5nm/分〜60nm/分之改變。結晶 核供給層之膜厚dl爲2nm與5nm。Dl=2nm之資訊記錄媒 體，係以結晶相區域之反射率Rc爲約10%之方式進行光學 設計，dl=5nm之資訊記錄媒體則係以非晶質區域之反射率 Ra爲約30%、結晶相區域之反射率Rc爲約12%之方式進 行了光學設計。貼合後，使資訊記錄媒體之部份的環狀區 域初期化，於同一面內形成成膜後未初期化之as-depo非晶 質區域及初期化後之結晶相區域，測定了兩狀態區域之反 射率。 反射率係使用搭載λ=660ηιη、NA=0.6之雷射的評鑑用 drive，以線速度8.2m/s使焦點伺服動作之狀態下，測定了 形成於基板之鏡面部份的反射率。相變態層之成膜速度與 反射率之關係，顯不於表19。 【表19】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 自表19，於dl=2nm情形中，r —20(nm/分)時未初期化 區域之反射率約爲28%，可判斷成膜後之狀態爲非晶質。 另一方面，於r<20(nm/分)時反射率僅有10數％，相變態層 之至少一部份係在成膜中結晶化。 又，dl=5nm之情形中，當r^50(nm/分)時未初期化區 域之反射率約爲30%，可判斷成膜後之狀態爲非晶質。另 一方面，於r<50(rim/分)時，相變態層之至少一部份係在成 膜中結晶化。如此般，藉相變態層之成膜速度與結晶核供 47 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（叫） 給層之膜厚，決定相變態層成膜後之狀態。爲了使相變態 層在非晶質之狀態下成膜，結晶核供給層越厚，使相變態 層之成膜速度越大越佳。 (實施例21) 實施例21，係使用資訊記錄媒體53，針對是否即使 Rc幾乎爲0%之資訊記錄媒體’只要能進行as-depo記錄’ 即能以drive獲得伺服之安定性及良好之位址讀取性的調查 〇 於具有導引槽之聚碳酸酯基板上，以下列之順序連續 成膜作爲保護層之ZnS-20mol%Si〇2、5nm之界面層GeN、 2nm之結晶核供給層、l〇nm之相變態層GeSbTe、5nm之界 面層GeN、ZnS-20mol%Si〇2之保護層、Ag合金之反射層。 成膜後，以旋轉塗敷方式於將紫外線硬化樹脂塗敷於Ag 合金上，並將之與僞基板貼合。 嚴密的決定兩保護膜之膜厚，以Ra(相變態層爲非晶 質時之資訊記錄媒體之反射率)>Rc(相變態層爲結晶相時之 資訊記錄媒體之反射率)之方式製作了 4種。 使資訊記錄媒體之部份的環狀區域初期化，於同一面 內形成成膜後未初期化之as-depo非晶質區域(Ra)及初期化 後之結晶相區域(Rc)，評鑑了兩狀態區域之伺服安定性及 位址讀取性以及CNR。評鑑結果顯示於表20。 【表20】 如表20所示，當資訊記錄媒體之RC爲5.3%時，在已 初期化之結晶相區域中位址之讀取非常困難。又，當Rc爲 48 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 A7 B7 五、發明說明rV]) 0.9%時，在已初期化之結晶相區域中循跡伺服之動作非常 困難。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另一方面，當Rc>10(%)時，即使在結晶相區域中伺服 特性安定，位址讀取性亦良好。如上述般，若將以Ra>Rc 光學設計之資訊記錄媒體初期化，Rc之下限値將受到限制 。相對於此，於成膜後未初期化之as-depo非晶質區域中， 與Rc値無關的，位址讀取性良好。由於不初期化的話位址 部之反射率將以Ra加以保存，因此Rc之下限値將不至受 到限制。如此般，若使用積層結晶核供給層與相變態層之 相變態層，即能進行as-dep◦記錄，即使Rc接近0%，由於 位址部份之反射率能以充分大之Ra保存，因此得以驗證能 讀取資訊記錄媒體之位址，伺服亦安定。又，亦獲得了良 好的CNR。 (實施例22) 實施例22，係與實施例21相同的製作資訊記錄媒體 ，使用A=405nm之雷射測定反射率之一例加以說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲製作資訊記錄媒體53，以下列之順序連續成膜作爲 •保§蒦層之ZnS-20mol%Si〇2、5nm之界面層GeN、2nm之結 晶核供給層、12nm之相變態層GeSbTe、5nm之界面層GeN 、ZnS-20mol%Si〇2之保護層、Ag合金之反射層。成膜後， 以旋轉塗敷方式於將紫外線硬化樹脂塗敷於Ag合金上， 並將之與僞基板貼合。 保護層、界面層、晶核供給層、相變態層及反射層， 係以橢圓光度法(Ellipsometry)測定對λ=405ιιιη之雷射光束 49 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（#) 的複折射率，使相對於λ=405ηπι之記錄波長的△^△RzRc - Ra)之絕對値充分大之方式嚴密的決定了各層之膜厚。於 as-depo非晶値區域與結晶相區域之層上記錄1次3T信號 ，測定了 CNR。測定結果顯示於表21。 【表21】 A=405nm之短波長時亦能進行as-depo記錄，當能進 行as-depo記錄時，Rc即使較低，伺服亦安定，位址之讀 取性亦良好。如此般，若使用積層結晶核供給層與相變態 層之相變態層，即能進行使用短波長之雷射光束的as-depo 記錄，驗證了於高密度化記錄亦可實施。 (實施例23) 實施例23，係針對資訊記錄媒體53，使用AglnSbTe 作爲相變態層，進行as-depo記錄之一例加以說明。 於具有導引槽之聚碳酸酯基板上，以下列之順序連續 成膜作爲保護層之ZnS-20mol%Si〇2、5nm之界面層GeN、 10nm之結晶核供給曆SnTe及相變態層GeSbTe、5nm之界 面層GeN、ZnS-20mol%Si〇2之保護層、Ag合金之反射層。 ZnS-20mol%Si〇2 係以 ZnS-20mol%Si〇2 爲母材，於 Ar 氣體環 境中以RF濺鍍法加以成膜。GeN係以Ge爲母材，於Ar-N2混合氣體環境中以RF濺鍍法加以成膜。結晶核供給層 係將母材於Ar氣體環境中以DC濺鍍法加以成膜。 AglnSbTe係以AglnSbTe爲母材，於Ar氣體環境中以DC 濺鍍法加以成膜。Ag合金係以Ag合金爲母材，Ar氣體 環境中以DC濺鍍法加以成膜。成膜後，以旋轉塗敷方式 50 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------------------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明) 於將紫外線硬化樹脂塗敷於Ag合金上，並將之與僞基板 貼合。各樣品之資訊記錄媒體的結晶核供給層之膜厚不同 。自Onm到7nm爲止，以〇.5rim爲單位改變了膜厚。此外 ，於as-depo非晶値狀態記錄了 3T信號1次、2次及10次 。其結果顯示於表22。 【表22】 如表22所示，當結晶核供給層之膜厚在2nm以上時 ，自1次記錄起即能得到大致飽和之CNR。當膜厚爲 1.5nm以下較薄時，可知由於1次記錄之振幅較小，2次記 錄則因雜訊位準較高之故，CNR較低。又，雜訊位準雖會 隨記錄次數而下降，但爲了獲得飽和CNR須要7次記錄。 當結晶核供給層之膜厚爲4.5nm以上較厚時，記錄功率爲 15mW而無法獲得飽和CNR。結晶核供給層之膜厚越厚， 相變態層之記錄靈敏度即降低。能進行as-dePo記錄、且記 錄靈敏度亦良好之結晶核供給層之膜厚，約爲2nm〜4nm。 即使於相變態層使用AglnSbTe亦能進行as-depo記錄，驗 證了作爲結晶核供給層之SnTe的效果。此係有可能因 AglnSbTe 爲 InSb 與 AgSbTe2 之混合物，AgSbTe2 爲 NaCl 型 構成，因此SnTe之結晶核生成較易受到促進之故。 (實施例24) 實施例24，係針對使用在GeSbTe中添加Ag、Sn、Cr 、Pb、Bi、Pd、Se、In、Ti、Zr、Au、Pt、A1 或 Μη 中任一 者之物作爲相變態層，以製作資訊記錄媒體53之一例加以 說明。 51 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 B7 五、發明說明（炉） 於具有導引槽之聚碳酸酯基板上，以下列之順序連續 成膜作爲保護層之ZnS-20mol%Si〇2、5nm之界面層GeN、 2nm之結晶核供給層SnTe、10nm之相變態層GeSbTe + M(M 係 Ag、Sn、Cr、Pb、Bi、Pd、Se、In、丁i、Zr、Au、 Pt、A1或Mn中任一者）、5nm之界面層GeN、ZnS-20mol%Si〇2之保護層、Ag合金之反身寸層。成膜後，以旋轉 塗敷方式於將紫外線硬化樹脂塗敷於Ag合金上，並將之 與僞基板貼合。 針對上述樣品，將在as-depo狀態下進行記錄實驗之 結果顯示於表23。又，表23中，（△CNR(dB))=(第10次記 錄之CNR(dB))—(第1次記錄之CNR(dB))。 【表23】 如表23所示，在GeSbTe中添加任一種元素，亦能自 第1次起即獲得大致飽和之CNR。因此，可知即使使用以 組成式GeSbTe + M所表示之材料作爲相變態層，亦能進行 as-depo言己錄。 (實施例25) 實施例25,係針對製作相變態層之膜厚不同之資訊記 錄媒體53，以進行as-depo記錄實驗之一例加以說明。 於具有導引槽之聚碳酸酯基板上，以下列之順序連續 成膜作爲保護層之ZnS-20mol%Si〇2、5nm之界面層GeN、 2nm之結晶核供給層SnTe、5nm之相變態層GeSbTe及界 面層GeN、ZnS-20mol%Si〇2之保護層、Ag合金之反射層。 成膜_後，以旋轉塗敷方式於將紫外線硬化樹脂塗敷於Ag 52 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A7 _ B7 五、發明說明（η) 合金上，並將之與僞基板貼合。貼合後，使資訊記錄媒體 之部份的環狀區域初期化，於同一面內形成成膜後未初期 化之as-depo非晶質區域及初期化後之結晶相區域。 記錄條件與評鑑條件與實施例15相同，於兩狀態區域 分別於槽上記錄1次3T信號測定了 CNR。測定結果顯示 於表24。 【表24】 如表24所示，當相變態層之膜厚爲2nm時，並未結 晶化。雖然相變態層之膜厚自3nm起即能進行as-depo記 錄，但到25nm時記錄功率爲15mW而CNR無法飽和，記 錄靈敏度不足。於進行as-depop記錄時，相變態層之膜厚 自3nm到20nm係實用可能之範圍，5nm到15nm係較佳之 膜厚。 (實施例26) 實施例26，係針對資訊記錄媒體53，說明了對結晶核 供給層之記錄特性可靠度之效果加以調查之一例。 於具有導引槽之聚碳酸酯基板上，以下列之順序連續 成膜作爲保護層之ZnS-20mol%Si〇2、5nm之界面層GeN、 2nm之結晶核供給層SnTe、10nm之相變態層GeSbTe、5nm 之界面層GeN、ZnS-20mol%Si〇2之保護層、Ag合金之反射 層。成膜後，以旋轉塗敷方式於將紫外線硬化樹脂塗敷於 Ag合金上，並將之與僞基板貼合。實施例26之資訊記錄 媒體，係以Ra>Rc之方式製作。又，相變態層則不初期化 而以as-depo非晶値狀態開始了信號之記錄。 53 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------I-----------^----I----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（、&) 於上述實施例26中，於製作資訊記錄媒體之後，以 90°C20%RH之環境中放置24小時’測定了放置前後之振動 變話。測定係以試驗1、試驗2及試驗3之3種方式進行 。試驗1，係於放置前進行as-depo記錄並加以測定，放置 後僅進行了測定。試驗2，係於放置前進行as-dep〇記錄並 加以測定，放置後進行了覆寫測定。射擊3，係在放置前 未進行記錄，於放置後進行as-depG記錄並加以測定。 以；l=660nm、NA=0.6之雷射’對資訊記錄媒體進行了 評鑑。評鑑了槽間及槽上之3T信號的振動値。3T信號係 記錄了 1次。線速度爲8.2m/s。放置前後之槽間振動値差 顯示於表25，槽上振動値差顯示於表26。又，此處(振動 値差)=(放置後之振動値）-（放前之振動値）。 【表25】 【表26】 如表25〜表26所示，無論在槽間或槽上，試驗1、實 驗2及試驗3之振動差皆在2%以下，記錄至as-depo非晶 質時，可靠度亦良好。如此般，藉積層結晶核供給層與相 變態層(產生可逆相變態之部份），即可獲得能進行as-depo 記錄，亦能確保覆寫之可靠度的2個效果。 以上，係針對本發明之實施形態舉例加以說明，但本 發明並不限定於此，根據本發明之技術思想亦能適用於其 他的實施形態。 例如，針對資訊記錄媒體，並不限於上述實施形態， 只要是具備有積層結晶核供給層與相變態層之相變態層的 54 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 A7 ------ 五、發明說明（θ) 資訊記錄媒體。 如上述般，本發明之資訊記錄媒體’由於具備有積層 結晶核供給層與相變態層之相變態層，因此能以良好之可 靠度容易的進行資訊之記錄。又，根據本發明之資訊記錄 媒體，不需初期化步驟即能進行as-depo記錄。特別是在 Ra>Rc之資訊記錄媒體中，即使Rc接近〇%亦能獲得良好 之位址讀取性及伺服之安定性的效果。 又，根據本發明之資訊記錄媒體之製造方法，能容易 的製造本發明之資訊記錄媒體。 又，根據本發明之資訊記錄媒體之記錄再生方法，能 以良好之可靠度容易的進行資訊之記錄。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 適 度 尺 張 1紙 本 5 5 公 一297 X 10 2 /(\ 格 規 A4 S) N (C 準 標 家

Claims (1)

  1. 484126 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 ·一種資訊記錄媒體，係於基板上至少成膜有記錄層 ，其特徵在於： 前述記錄層，包含有藉光束之照射產生於結晶狀態與 非晶質狀態間可逆相變態之;相售態感，及使前述相變態層 --------------------------------- 〆 之結晶化能提升之晶化能提升層，在使前述相變態層成 膜前先使前述結晶化能提升層成膜，於前述相變態層之成 膜中使結晶核生成及結晶成長，於前述相變態層之至少一 部份成膜後形成爲結晶相。 2 ·如申請專利範圍第1項之資訊記錄媒體，若將前述 結晶化能提升層成膜時使前述記錄層結晶化之能量設爲A ，前述結晶化能提升層不成膜時使記錄層結晶化之能量設 爲B時，A < B。 3 ·如申請專利範圍第1項之資訊記錄媒體，其中結晶 化能提升層係自碲化合物或鹵化合物中所選擇之至少一種 者。 4·如申請專利範圍第3項之資訊記錄媒體，其中碲化 合物係自 SnTe、PbTe、Te、Sb2Te3、BhTe3、GeTe-Sb2Te3 共 熔組成(以下稱爲GeSbTe共熔)及、GeTe-BhTe;共熔組成( 以下稱爲GeBiTe共熔）中所選擇之至少一種，鹵化合物則 係自 Z11F2、A1F3、KF、CaF2、NaF、BaF2、MgF2、LaF3、LiF 中所選擇之至少一種者。 5 ·如申請專利範圍第1項之資訊記錄媒體，其中相變 態層之結晶構造爲岩鹽型。 6 ·如申請專利範圍第1項之資訊記錄媒體，其中相變 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣----- 訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 態層包含有GeSbTe ° 7 ·如申請專利範圍第1項之資訊記錄媒體，其中結晶 化能提升層之結晶構造爲岩鹽型。 8 ·如申請專利範圍第3項之資訊記錄媒體，其中自碲 化合物中所選擇之結晶化能提升層之厚度dt(nm)，爲l$dt $10。 9 ·如申請專利範圍第3項之資訊記錄媒體’其中自鹵 化合物中所選擇之結晶化能提升層之厚度df(nm)，爲 $20。 10 ·如申請專利範圍第1項之資訊記錄媒體，其中記 錄層上進一步的積層有保護層與反射層。 11 ·如申請專利範圍第10項之資訊記錄媒體，其中保 護層與反射層間形成有光吸收修正層。 12 ·如申請專利範圍第1項之資訊記錄媒體，其係不 需記錄層之初期化。 13·如申請專利範圍第1〜12項中任一項之資訊記錄 媒體，係一種雙層資訊記錄媒體’其基板由第1基板與第 2基板構成，於前述兩基板上形成有申請專利範圍第1項 之記錄層，將前述兩基板置於外側加以貼合構成。 14 ·如申請專利範圍第13項之資訊記錄媒體，其中前 述第1基板側形成有申請專利範圍第1項之記錄層。 15 · —種資訊記錄媒體之製造方法，係具備有包含結 晶化能提升層與相變態層之記錄層的資訊記錄媒體之製造 方法，其特徵在於： ^ 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------------^---------^ ^9. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 A8 B8 C8 -— _2!__—— 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 結晶化能提升層成膜後，使相變態層成膜之際’若將 前述相變態層之成膜速度設爲r(nm/分）時，係成膜於5‘Γ 120之範圍。 16 ·如申請專利範圍第15項之資訊記錄媒體之製造方 法，係於相變態層之成膜中.，使相變態層結晶化。 Π ·如申請專利範圍第15項之資訊記錄媒體之製造方 法，其中結晶化能提升層係自碲化合物或鹵化合物中所選 擇之至少一種者。 18 ·如申請專利範圍第17項之資訊記錄媒體之製造方 法，其中碲化合物係自SnTe、PbTe、Te、Sb2Te3、BhTe3及 GeSbTe共熔、GeBiTe共熔中所選擇之至少一種，鹵化合物 則係自 ZnF2、A1F3、KF、CaF2、NaF、BaF2、MgF2、LaF3、 LiF中所選擇之至少一種者。 19 ·如申請專利範圍第15項之資訊記錄媒體之製造方 法，其中相變態層之結晶構造爲岩鹽型。 20 ·如申請專利範圍第15項之資訊記錄媒體之製造方 法，其中相變態層包含有GeSbTe。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 21 ·如申請專利範圍第15項之資訊記錄媒體之製造方 法，其中結晶化能提升層之結晶構造爲岩鹽型。 22 ·如申請專利範圍第π項之資訊記錄媒體之製造方 法，其中自碲化合物中所選擇之結晶化能提升層之厚度 dt(nm)，爲 1 10。 23 ·如申請專利範圍第π項之資訊記錄媒體之製造方 法，其中自鹵化合物中所選擇之結晶化能提升層之厚度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484126 A8 驾 D8 六、申請專利範圍 df(nm)，爲 1 ‘df$20。 24 ·如申請專利範圍第15項之資訊記錄媒體之製造方 法，其中記錄層上進一步的積層有保護層與反射層。 25 ·如申請專利範圍第15項之資訊記錄媒體之製造方 法，其中保護層與反射層間形成有光吸收修正層。 26 · —種資訊記錄媒體，係在基板上至少具有記錄層 ，其特徵在於： 前述記錄層包含有藉光束之照射產生於結晶狀態與非 晶質狀態間可逆相變態之相變態層，以及積層於相變態層 、促進相變態層結晶化之結晶核供給層。 27 ·如申請專利範圍第26項之資訊記錄媒體，其中相 變態層及結晶核供給層係均一的形成於一面。 28 ·如申請專利範圍第26項之資訊記錄媒體，其中相 變態層及結晶核供給層係形成爲島狀。 29 ·如申請專利範圍第26項之資訊記錄媒體，其中相 變態層於成膜後，係爲非晶質狀態。 3〇 ·如申請專利範圍第26項之資訊記錄媒體，其中結 晶核供給層與相變態層，係以此順序自基板側依序積層。 31 ·如申請專利範圍第26項之資訊記錄媒體，其中更 進一步的包含有促進相變態層結晶化之第2結晶核供給層 ，前述相變態層與前述第2結晶核供給層係以此順序自基 板側依序積層。 32 ·如申請專利範圍第26項之資訊記錄媒體，其中相 變態層與結晶核供給層，係以此順序自基板側依序積層。 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------------------訂---------線 ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484126 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 33 ·如申請專利範圍第26項之資訊記錄媒體，其中結 晶核供給層之自非晶質移至結晶相之轉移溫度(以下’稱爲 結晶化溫度)Txl(°C)與前述相變態層之結晶化溫度Tx2(°c) ，係滿足Tx2>Txl之關係。 34 ·如申請專利範圍第.26項之資訊記錄媒體，其中結 晶核供給層之熔點Tml(°C)與前述相變態層之熔點Tm2(°C) ，係滿足Tm 1 > Tm2之關係。 35 ·如申請專利範圍第26項之資訊記錄媒體，其中結 晶核供給層係包含Te之化合物。 36 ·如申請專利範圍第35項之資訊記錄媒體，其中結 晶核供給層係包含自SnTe及PbTe中所選出之至少一種者 〇 37 ·如申請專利範圍第35項之資訊記錄媒體，其中結 晶核供給層係包含SnTe-Μ(但，Μ係含有自N、Ag、Cu、 Co、Ge、Μη、Nb、Ni、Pd、Pt、Sb、Se、Ti、V、Zr 及 PbTe中所選出之至少一種者）。 38 ·如申請專利範圍第37項之資訊記錄媒體，其中Μ 之含有量在0.5〜50atm%之範圍。 39 ·如申請專利範圍第26項之資訊記錄媒體，其中相 變態層係由硫屬系材料所構成。 40 ·如申請專利範圍第26項之資訊記錄媒體，其中相 變態層係包含自 GeTe、GeSbTe、TeSnSe、InSbTe、GeBiTe 及AglnSbTe中所選出之至少一種者。 41 ·如申請專利範圍第26項之資訊記錄媒體，其中相 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    484126 A8 d _ D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 變態層係包含 GeSbTe，與自 Ag、Sn、Cr、Μη、Pb、Bi、 Pd、Se、In、Ti、Zr、Au、Pt、A1 及 N 中所選出之至少一 種元素者。 42 ·如申請專利範圍第26項之資訊記錄媒體，其中結 晶核供給層之厚度dl(nm)與相變態層之厚度d2(nm)，係滿 足d2>dl之關係。 43 ·如申請專利範圍第26項之資訊記錄媒體，其中結 晶核供給層之厚度dl(nm)，係滿足〇.3<dl$5之關係。 44 ·如申請專利範圍第26項之資訊記錄媒體，其中相 變態層之厚度d2(nm)，係滿足3<d2$20之關係。 45 ·如申請專利範圍第26項之資訊記錄媒體，其中相 變態層爲結晶相時之資訊記錄媒體的反射率RC(%)、與前 述相變態層爲非晶質時之資訊記錄媒體的反射率Ra(%)， 係滿足Ra>Rc之關係。 46 · —種資訊記錄媒體之製造方法，該資訊記錄媒體 至少具有記錄層，其特徵在於： 於成膜前述記錄層時，係使用汽相薄膜堆積法，首先 成膜相變態層，其次再成膜結晶核供給層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 47 ·如申請專利範圍第46項之資訊記錄媒體之製造方 法，其中汽相薄膜堆積法，係自真空蒸鍍法、濺鍍法、離 子電鍍法、化學蒸鍍法(Chemical Vaper Deposition)及分子束 外延法(Molecular Beam Epitaxy)中所選擇之至少一種者° 48 ·如申請專利範圍第46項之資訊記錄媒體之製造方 法，其中使相變態層成膜之步驟，係在前述相變態層成爲 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4M126 C8 一 D8 、申請專利範圍 非晶質之條件下進行。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 49 ·如申請專利範圍第46項之資訊記錄媒體之製造方 法’其中前述使相變態層成膜之條件，係設成膜速度爲 r(nm/分），而 r^3〇。 5〇 · —種資訊記錄媒體之記錄再生方法，係於至少具 有記錄層之資訊記錄媒體記錄資訊，其特徵在於： 前述記錄層包含有相變態層及結晶核供給層，藉對前 述記錄層照射雷射光束，使前述相變態層產生相變態，以 進丫了資訊之記錄。 51 ·如申請專利範圍第50項之資訊記錄媒體之記錄再 生方法，其中結晶核供給層係包含自SnTe及PbTe中所選 出之至少一種者 52 ·如申請專利範圍第50項之資訊記錄媒體之記錄再 生方法，其中相變態層係包含自GeTe、GeSbTe、TeSnSe、 InSbTe、GeBiTe以及AglnSbTe中所選出之至少一種者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 53 ·如申請專利範圍第50項之資訊記錄媒體之記錄再 生方法，其中相變態層係以非晶質狀態成膜，不結晶化而 以非晶質狀態開始前述資訊之記錄。 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 484126 【表1】 結晶核供給層材料 結晶化温度（°C) 熔點（°c) S b 2 Τ β 3 15 0 6 2 0 B i 2 T e 3 <25 5 9 0 S b 14 5 6 2 0 T e <2 5 4 5 0 S η T e <25 8 0 6 P b T e <2 5 9 2 0 G e S b T e共晶 12 0 5 9 3 G e B i T e共晶 <25 5 5 2 【表2】 結晶化能提升層 結晶化能提升層之室 l 显下的相構造 B i 2T e 3 結晶相 S b 2T e 3 非晶莨與結晶相之混合 S b T e 非晶質與結晶相之混合 結晶相 S η T e 結晶相 P b T e 結晶相 G e S b T e共熔 非晶質與結晶相之混合 G e B i T e共熔 結晶相 【表3】 結晶化能提升層 相變態層之室溫下的相構造 無 非晶質 B i 2 T e 3 非晶質與結晶相之混合 S b 2 Τ β 3 非晶質與結晶相之混合 S b 非晶質 、 T e 非晶質與結晶相之混合 S η T e 結晶相 P b T e 結晶相 G e S b T e共熔 非晶質與結晶相之混合 G e B i T e共熔 結晶相 【表4】 SnT e 膜厚（nm) 相變態層之構造 1 非晶質與結晶相之混合 3 大致爲結晶相 5 結晶相 7 結晶相 10 結晶相 1 5 結晶相 2 0 結晶相 【表5】 相變態層之成膜速度（n m /分） 相變態層之構造 5 結晶相 7 結晶相 10 結晶相 2 0 .大致爲結晶相 3 0 非晶質與結晶相之混合 4 0 非晶質與結晶相之混合 5 0 大致爲非晶質 6 0 非晶質 【表6】 碟片1 層與厚度 (nm) 母材 濺鍍氣體 濺鍍壓力 (mTorr) 濺鍍功率 (W) 保護層 (100) ZnS-20molXSi0a Ar 0. 5 RF500 結晶化能提升層 (5) S r τ T e Ar 1 DC50 記録層 (18) G < 3 S b T e Ar+N? 1 DC30 保護層 (25) G < Ar+N! 10 RF300 反射層 (80) A 1 1 C r Ar 3 DC200 【表7】 • 碟片N 〇 . 結晶化能提升層膜厚 (n m) 反射率 (%) 記録靈敏度0 n W) 碟片2 1 1 5 . 2 8 . 3 碟片3 3 1 7 · 6 9. 4 碟片1 5 2 0 . 0 1 0. 6 碟片4 7 2 3 . 5 1 1 . 4 碟片5 10 2 1 · 6 1 2. 6 碟片6 15 3 4 . 8 >14. 0 碟片7 2 0 4 1 . 3 >14. 0 【表8】 振動値（％) 碟片1 · 碟片8 數有結晶化能提升層 無結晶化能提升層 無初期化步驟· 有初期化步驟 484126 【表9】 碟片No. 結晶化能提升層 相變態層之相構造 初期化雷射功率 (mW) 碟片9 無 非晶質 8 0 0 碟片10 B i 2 T e 3 非晶質與結晶相之昆合 4 3 0 碟片11 S b 2 T e 3 非晶質與結晶相之混合 4 7 0 碟片12 T e 非晶質與結晶相之混合 4 4 0 碟片13 S η T e 結晶相 碟片14 P b T e 結晶相 碟片15 G e S b 丁 e共融 非晶質與結晶相之混合 4 2 0 碟片16 G e B i T e共融 結晶相 【表1 0】 碟片No. 結晶化能提升層 相變態層之相構造 初期化雷射功率 · (m W) 碟片17 無 非晶質相 8 0 0 碟片18 Z n F 2 非晶質與結晶相之混合状態 5 5 0 碟片19 A 1 F3 非晶質與結晶相之混合状態 5 3 0 碟片20 K F 非晶質與結晶相之混合状態 4 6 0 碟片21 C a F 2 非晶質與結晶相之混合状態 5 7 0 碟片22 N a F 非晶質與結晶相之混合状態 4 4 0 碟片23 B a F 2 非晶質與結晶相之混合状態 5 7 0 碟片24 M g F 2 非晶質與結晶相之混合状態 5 8 0 碟片25 L a F a 非晶質與結晶相之混合状態 6 0 0 碟片26 L i F 非晶質與結晶相之混合状態 4 2 0 484126 結晶化能提升層 η 一 k L. ί F 1.41 一 0 · 0 0 i N a F 1.48 -0 . 0 0 ί K F 1.52 -0 . 0 0 i 【表1 2】
    結晶化能提升層膜厚 反射率 (%) 記錄靈敏度（mW) (n m) 1 1 3. 6 7 . 5 5 1 5 . 2 8 . 3 10 1 6 . 8 9 . 3 15 1 8 . 2 1 0. 4 2 0 2 0. 1 1 2. 5 2 5 2 2. 4 1 4. 0 3 0 2 5 . 0 >14. 0
    484126 【表13】 結晶核供給層 相変態層之 結晶化温度（°C) 無 19 2 S b 2 T e 3 15 4 B i 2 T e 3 14 2 S b 19 2 T e 18 0 S η T e 17 0 SnT e — PbT e 15 9 S η T e — A g 17 2 S η T e — S e 17 3 S η T e — N 17 0 P b T e 16 6 G e S b T e共晶 15 8 G e B i T e共晶 14 6 T i N 19 2 Z r N 19 2 484126 【表1 4】 資訊記錄媒體 3 T信号 CNR (d B) No. '結晶核供給層材料 未初斯化區域 初期化區域 2 — 0 1 無 2 9.4 5 2. 5 2 — 0 2 S b 2 T e 3 4 7.5 5 2.3 2 — 0 3 Β ί 2 T e 3 4 9. 1 5 2.0 2-0 4 T e 4 6. 5 5 1.5 2-0 5 S η T e 5 3.3 5 2. 6 2-0 6 SnT e — PbT e 5 3.3 5 2.4 2-0 7 S η T e 一 A g 5 3.6 5 2.6 2-0 8 S η T e — S e 5 3. 5 5 2. 8 2-0 9 S η T e — N 5 3.2 5 2· 4 2-10 P b T e 5 3.4 5 2.6 2 — 1 1 G e S b T e共晶 4 8. 1 5 2. 1 2 — 1 2 G e B i T e共晶 4 9.4 5 2.0 【表1 5】 資訊記錄媒體 3 T信号 CNR (d B) No. 結晶核供給層材料 未初斯化區域 初期化區域 2-0 1 無 2 9. 4 5 2. 5 3-0 1 S b 2 T e 3 5 3. 1 5 2.5 3 — 0 2 B i 2 T e 3 5 2.9 5 2. 4 3-0 3 T e 5 3. 1 5 2.3 3-0 4 S η T e 5 3. 3 5 2.6 3-0 5 SnT e — PbT e 5 3.3 5 2. 4 3 — 0 6 SnT e — A g 5 3.6 5 2. 6 3-0 7 S η T e — S e 5 3.5 5 2.8 3 — 0 8 S η T e —N 5 3.4 5 2.6 3-0 9 P b T e 5 3.4 5 2. 6 3 — 1 0 G e S b T e共晶 5 3.0 5 2. 2 3 — 1 1 G e Β ί T e共晶 5 2.9 5 2.4 484126 【表1 6】 資訊記錄媒體 No. SnTe膜厚 (nm) 3T信号 CNR (d B) 1次記錄 2次記錄 10次記錄 2- -0 1 0. 0 2 9, 4 3 9. 0 5 3. ,5 4- -0 1 0. 5 3 2. 2 4 1 . 1 5 3, 2 4- - 0 2 1 · 0 3 2. 0 4 3. 0 5 3. 4 4- - 0 3 1 . 5 3 9. 5 4 9. 2 5 3. 3 2- -0 5 2. 0 5 3. 2 5 3. 3 5 3. 4 4- -0 4 2. 5 5 3. 4 5 3. 2 5 3. 2 4- -0 5 3. 0 5 3. 2 5 3. 4 5 3. 5 4- -0 6 3. 5 5 3. 3 5 3. 2 5 3. 2 4· -0 7 4. 0 5 3. 4 5 3. 1 5 3. 3 4- -0 8 4. 5 5 1 . 1 5 1 . 0 5 0. 0 4- -0 9 5. 0 4 9. 7 4 9. 8 4 8. 8 4- -1 0 5. 5 4 8. 5 4 8. 6 4 7. 5 4- - 1 1 6. 0 4 7. 2 4 7. 1 4 6. 1 4 - -1 2 6. 5 4 5. 3 4 5. 2 4 4. 3 4- _ 1 3 7. 0 4 2. 3 4 2. 5 4 1 · 4 484126 【表1 7】 【表1 8】 資訊記錄媒體 N 〇. SnTe膜厚 (nm) 3T信号 CNR (d B) 1次記錄 2次記錄 10次記錄 2- -0 1 0. 0 2 9. .4 3 9. .0 5 3 .5 5 - -0 1 0. 5 3 2. 2 4 1 _ .1 5 3 .2 5 - - 0 2 1 . 0 3 2. 0 4 3. 0 5 3. .4 5 - -0 3 1 · 5 3 9. 5 4 9. 2 5 3. 3 3- -0 4 2. 0 5 3. 5 5 3. 4 5 3. 4 5 - -0 4 2. 5 5 3. 4 5 3. 2 5 3. 2 5 - _0 5 3. 0 5 3. 2 5 3. 4 5 3. 5 5- -0 6 3. 5 5 3. 3 5 3. 2 5 3. 2 5- -0 7 4. 0 5 3. 4 5 3. 1 5 3. 3 5 - -0 8 4. 5 5 3. 1 5 3. 2 5 3. 2 5 - -0 9 5. 0 5 3. 2 5 3. 2 5 3. 1 5 - -1 0 5. 5 4 9. 6 4 9. 5 4 9. 6 5- -1 1 6. 0 4 8. 4 4 8. 5 4 8. 5 5 - -1 2 6. 5 4 6. 3 4 6. 2 4 6. 3 5- -1 3 7. 0 4 3. 9 4 3. 8 4 4. 0 資訊記錄媒體 No. 両SnTe膜厚 (nm) 3 T信号CNR (d B) 1次記錄 2次記錄 10次記錄 2 -0 1 0. 0 2 9. 4 3 9. 0 5 3. 5 6 - -0 1 0. 5 3 2. 1 4 2. 8 5 3· 1 6- -0 2 1 . 0 5 2. 6 5 3. 0 5 3. 0 6- -0 3 1 · 5 5 2. 9 5 3. 0 5 3. 0 6 - -0 4 2. 0 5 3. 0 5 3. 2 5 3. 1 6- •0 5 2. 5 5 3. 1 5 3. 1 5 3. 2 6 - -0 6 3. 0 4 7. 1 4 7. 2 4 7. 1 6 - •0 7 3. 5 4 1 · 6 4 1 · 4 4 1 . 6 484126 【表1 9】 資訊記錄媒體 No. d 1 (nm) r (nm/分） 反射率（％) 未初斯化區域 初期化區域 7 — 0 1 2 5 12.3 1 0. 4 7 — 0 2 2 10 16.4 1 0. 5 7-0 3 2 2 0 2 8.2 1 0. 6 2-0 5 2 3 0 2 8.4 1 0. 5 7-0 4 2 4 0 2 8.4 1 0. 5 7-0 5 2 5 0 2 8.3 1 0. 6 7-0 6 2 60 2 8.4 10.4 7 —0 7 5 5 1 2. 6 1 2. 6 7-0 8 5 10 12.5 1 2. 6 7-0 9 5 2 0 1 3. 6 1 2. 7 7 — 1 0 5 3 0 1 8. 4 1 2. 5 7 — 1 1 5 4 0 2 3.5 1 2. 5 7 — 1 2 5 5 0 2 9.6 1 2. 6 7 — 1 3 5 6 0 3 0.7 1 2. 7 【表2 0】 資訊記錄媒體 N 〇. R c (%) R a (%) 結晶相區域 位址讀取 as-depo非晶質區域 位址讀取 C N R (dB) 8-0 1 15.2 30. 7 〇 〇 5 2. 8 8-0 2 10.6 25.9 〇 〇 5 3. 5 8-0 3 5.3 20. 1 X 〇 5 3. 9 8-04 0.9 16.2 X 〇 5 4. 7 484126 【表2 1】 資訊記錄媒體 No. R c (%) R a (%) 結晶相區域 位址讀取 as-depo非晶質區域 位址讀取 CNR(dB) 9-0 1 16.3 31.5 〇 〇 48.9 9-0 2 11.4 26. 1 〇 〇 49.8 9-0 3 5.7 21.0 X 〇 51.0 9-0 4 1.2 15.6 X 〇 52.5 484126 【表22】 資訊記錄媒體 No· SnTe膜厚 (nm) 3 T信号CNR (d B) 1次記錄 2次記錄 10次記錄 1 1 - 一 0 1 0 0 2 6. 8 3 5. 8 5 3. 0 1 1 - - 0 2 0 5 3 2. 2 4 1 · 1 5 3. 0 1 1 - -0 3 1 0 3 2. 0 4 3. 0 5 2. 9 1 1 - -0 4 1 5 3 9. 5 4 9. 2 5 3. 0 1 1 - -0 5 2 0 5 2. 5 5 3. 0 5 3. 1 1 1 - -0 6 2 5 5 2· 8 5 2. 9 5 3. 0 1 1 - -0 7 3 0 5 3. 0 5 3. 1 5 3. 0 1 1 - -0 8 3 5 5 3. 0 5 3. 0 5 3. 0 1 1 - -0 9 4 0 5 2. 9 5 3. 0 5 3. 1 1 1 - -1 0 4 5 5 1 . 8 5 2. 1 5 2. 0 1 1 - -1 1 5 0 4 9. 8 4 9. 1 5 0. 0 1 1 - -1 2 5 5 4 8. 1 4 8. 0 4 8. 3 1 1 - - 1 3 6 0 4 6. 8 4 6. 7 4 6. 9 1 1 - -1 4 6 5 4 4. 6 4 4. 7 4 4. 6 1 1 - -1 5 7. 0 4 2. 3 4 2. 5 4 2. 4 484126 【表23】 資訊記錄媒體 No.' 添加元素 △ CNR (d B) 1 2- -0 1 A g 0. 5 1 2- -0 2 S n 0. • 0 1 2- _0 3 C r 0. 8 1 2- -0 4 P b 0. 1 1 2- -0 5 B i 0. 5 1 2- -0 6 P d 0. 3 1 2- -0 7 S e 0. 4 1 2- -0 8 I n 0· 8 1 2- -0 9 τ i 0. 2 1 2- -1 0 ζ r 0· 1 1 2 - -1 1 A u 0. 3 1 2- -1 2 P f 0. 1 1 2- -1 3 A I 0. 1 1 2- -1 4 M n 0· 2 【表24】 資訊記錄媒體 No. 相変態層膜厚(nm) 3 T信号 CNR (d B) as-depc非晶質區域 結晶相區域 13-0 1 2 無法記錄 不結晶化 13-0 2 3 4 6. 0 4 6. 8 13-0 3 5 5 2. 4 5 2. 6 13-0 4 7 5 3. 3 5 3. 2 13-0 5 9 5 3. 1 5 3. 2 13-06 11 5 3. 4 5 3, 3 13-0 7 15 5 3.0 5 3. 1 13-0 8 2 0 4 9. 8 5 0.6 13-0 9 2 5 4 3. 5 4 4. 7 484126 【表25】 【表26】 資訊記錄媒體 No. SnTe膜厚 (nm) 振動差（％) 試験1 試験2 試験3 14-0 1 2. 0 0. 0 1 . 0 0. 3 資訊記錄媒體 No. SnTe膜厚 (nm) 振動差（％) 試験1 試験2 試験3 14-0 1 2. 0 0. 0 0. 8 0. 3
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