CN101636278B - 信息记录介质及其制造方法、溅射靶和成膜装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种信息记录介质及其制造方法、溅射靶和成膜装置，在具有包含可产生相变化的记录层在内的信息层的信息记录介质中，记录层含有包含Sb和S、且用式(1)SbxS100-x(原子％)来表示的材料，其中，下标x是利用原子％示出的组成比，满足50≤x≤98。

Description

信息记录介质及其制造方法、溅射靶和成膜装置
技术领域
本发明涉及通过照射激光束或施加电能来进行信息的记录以及再现的信息记录介质、和在其制造中使用的溅射靶(sputtering target)以及成膜装置。
背景技术
一直以来，作为信息记录介质具有由相变化材料形成记录层的相变化信息记录介质。在相变化信息记录介质中，采用激光束来光学地记录、删除、改写以及再现信息的介质被称为光学相变化信息记录介质(以下，记述为光记录介质)。利用激光束的照射所产生的热，使相变化材料例如在结晶相和非晶相之间状态变化，由此来向光记录介质进行信息记录。另外，通过检测结晶相和非晶相之间的反射率的不同来进行信息的再现。
在光记录介质中的可删除及改写信息的改写型光记录介质中，一般情况下记录层的初始状态是结晶相。在记录信息的情况下，照射高功率的激光束来溶融记录层，然后，通过急剧冷却来使激光照射部成为非晶相。另一方面，在删除信息的情况下，与记录时的功率相比，照射更低功率的激光束来升温记录层，然后，通过慢慢冷却来使激光照射部成为结晶相。另外，通过将以高功率和低功率进行功率调制的激光束照射到记录层上，来删除已记录的信息并且记录新的信息、即可改写。
为了高速地进行删除或改写，需要在短时间内使非晶相向结晶相变化。即，在改写型光记录介质中，为了实现高的删除性能，而需要利用结晶化速度高的相变化记录材料来形成记录层。
这样的改写型光记录介质在基板上具有适当设置了记录层、电介质层、反射层以及界面层等的结构。为了防止反复记录时的记录层的蒸发和基板的热变形、以及通过光学干涉效果来高效地生成记录层的光吸收和光学变化等的目的，可设置电介质层。电介质层配置在记录层的两侧。 为了高效地使用照射的激光束、以及提高冷却速度使记录层容易地成为非晶相的目的，而设置反射层。反射层通常从激光束照射侧观察被配置在记录层的里面，使反射层和记录层夹住电介质层。界面层根据需要配置在记录层和电介质层之间，是为了防止记录层和电介质层之间的原子及分子的相互扩散而设置的。
作为公知的相变化材料的例子举出了GeTe-Sb2Te3、GeTe-Bi2Te3及GeTe-SnTe等。尤其，GeTe-Bi2Te3因为结晶化速度高，所以当采用其形成改写型光记录介质的记录层时，可获得良好的删除性能(参照专利文献1)。
另外，为了使改写型光记录介质大容量化，而公开了将两个信息层设置在一个光记录介质上的方法(参照专利文献2)。可通过从介质的一侧入射的激光束来将信息分别记录到两个信息层上。再现也是同样的。由此，具有两个信息层的光记录介质的记录容量大致为仅具有一个信息层的光记录介质的记录容量的2倍。
在具有该两个信息层的改写型光记录介质中，经由透过入射侧的信息层(以下，也称为第2信息层)的激光束来进行距入射侧远的信息层(以下，也称为第1信息层)的记录及再现。因此，优选第2信息层具有尽量高的透过率。因为相变化材料在一般情况下消光系数大，所以为了提高记录层的透过率，而希望第2信息层的记录层的厚度较薄。
另外，为了实现以大容量化为目的增加了信息层数、例如具有3或4个信息层的光记录介质，必需使入射侧的信息层(第3信息层或第4信息层)的透过率进一步提高，使记录层的厚度进一步变薄。专利文献1：日本特开昭63-225935号公报专利文献2：日本特开2000-36130号公报
但是，在现有的GeTe-Bi2Te3记录层中，当为了提高透过率而使厚度变薄时，存在结晶化速度降低、删除性能大大降低这样的问题。另一方面，当在GeTe-Bi2Te3记录层中增加Bi2Te3的比例时，虽然结晶化速度上升、删除性能提高，但还存在非晶相变得不稳定、信号的可靠性降低这样的问题。
发明内容
本发明是为了解决上述问题点而开发的，其目的是提供具有结晶化速度快且非晶相也稳定的良好的记录层的信息记录介质及其制造方法、和为形成这样的记录层而采用的溅射靶以及成膜装置。
为了实现上述目的，本发明提供一种信息记录介质，其包含具有能产生相变化的记录层的信息层，其中，上述记录层含有包含Sb和S、且用下式(1)来表示的材料，SbxS100-x  (原子％)    (1)(下标x是用原子％表示的组成比，满足50≤x≤98)。
另外，本发明提供上述本发明的信息记录介质的制造方法，其包含信息层的形成步骤，该信息层的形成步骤具有通过溅射法来形成能产生相变化、且包含Sb和S的记录层的步骤，在上述记录层的形成步骤中使用包含Sb和S的溅射靶，采用上述溅射靶形成的膜包含用下式(1)来表示的材料，SbxS100-x  (原子％)    (1)(下标x是用原子％表示的组成比，满足50≤x≤98)。
本发明还提供一种溅射靶，其作为适用于上述本发明的信息记录介质的记录层成膜的溅射靶，含有包含Sb和S、且用下式(11)来表示的材料，SbxS100-x  (原子％)    (11)(下标x是用原子％表示的组成比，满足50≤x≤98)。
本发明还提供成膜装置，该成膜装置包括：电源、具有排气口和供气口的真空容器、经由上述排气口与上述真空容器连接的真空泵、配置在上述真空容器内的阳极和阴极、以及与上述阳极连接的溅射靶，其中，上述溅射靶是上述本发明的溅射靶。(发明效果)
本发明的信息记录介质是显示出高删除率、记录再现特性良好且显示出高信号可靠性的介质。另外，本发明的信息记录介质的制造方法能够容易地制造本发明的信息记录介质。此外，根据本发明的溅射靶及成膜装置能够容易地制造本发明的信息记录介质。
附图说明
图1是本发明的信息记录介质的一结构例的剖视图，图2是本发明的信息记录介质的一结构例的剖视图，图3是本发明的信息记录介质的一结构例的剖视图，图4是本发明的信息记录介质的一结构例的剖视图，图5是本发明的信息记录介质的一结构例的剖视图，图6是本发明的信息记录介质的一结构例的剖视图图7是本发明的信息记录介质的一结构例的剖视图，图8是本发明的信息记录介质的一结构例的剖视图，图9是本发明的信息记录介质的一结构例的剖视图，图10是本发明的信息记录介质的记录再现装置的一例的概括图，图11是本发明的信息记录介质的记录再现所使用的记录脉冲波形的一例的概括图，图12是示意地表示本发明的信息记录介质以及电气信息记录再现装置的部分结构的图，图13是示意地表示本发明的大容量、电气信息记录介质的部分结构的图，图14是示意地表示本发明的电气信息记录介质和其记录再现系统的部分结构的图，图15是表示适用于本发明的电气信息记录介质的记录/删除脉冲波形的一例的图，图16是示意地示出制造本发明的信息记录介质的成膜装置的部分图。符号说明
11...信息记录介质，12...信息记录介质，13...信息记录介质，14...信息记录介质，15...信息记录介质，16...信息记录介质，17...信息记录介质，18...信息记录介质，21...基板，22...分离层，23...透明层，24...基板，25...基板，26...伪基板，27...粘接层，28...分离层，29...分离层，31...激光束，32...物镜，40...信息层，41...第1信息层， 42...第2信息层，43...第3信息层，44...第4信息层，48...第N-1信息层，49...第N信息层，402...反射层，403...反射层侧界面层，404...第1电介质层，405...第1界面层，406...记录层，407...第2界面层，408...第2电介质层，412...反射层，414...第1电介质层，416...记录层，418...第2电介质层，421...透过率调整层，422...反射层，424...第1电介质层，426...记录层，428...第2电介质层，431...透过率调整层，432...反射层，434...第1电介质层，436...记录层，438...第2电介质层，441...透过率调整层，442...反射层，444...第1电介质层，446...记录层，448...第2电介质层，491...透过率调整层，492...反射层，494...第1电介质层，496...记录层，498...第2电介质层，501...激光二极管，502...激光束，503...半反光镜，504...物镜，505...电动机，506...信息记录介质，507...光探测器，61，81...电气信息记录介质，62...基板，63...下部电极，64...第1电介质层，65...第1记录层，66...第2记录层，67...第2电介质层，68...上部电极，69...施加部，70...电阻测定器，71，72...开关，73...脉冲电源，74...电气信息记录再现装置，75...字线，76...位线，77...存储单元，78...地址指定电路，79...存储装置，80...外部电路，901，902，903，904，905，908，909...记录波形，906，907...删除波形，667...真空容器，668...排气口，669...供气口，670...阳极，671...基板，672...溅射靶，673...阴极，674...电源。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，以下的实施方式仅是一例，本发明不限于以下的实施方式。另外，在以下的实施方式中，对同一要素标注同一符号，以省略重复的说明。
(实施方式1)作为实施方式1，对本发明的信息记录介质(以下，有时称为「记录介质」或「介质」)的一例进行说明。图1示出实施方式1的信息记录介质11的部分剖视图。信息记录介质11是光记录介质，其利用物镜32会聚并照射激光束31，由此来记录再现信息。
信息记录介质11具有在基板21上顺次设置信息层40及透明层23 的结构。透明层23具有比基板21薄的厚度。在所图示的形态中，激光束从透明层23一侧射入。
激光束31的波长λ越短，越能够利用物镜32汇聚到小的点径上。但是，当波长λ过短时，透明层23等的激光束31的光吸收变大。因此，激光束的波长λ优选在350nm～450nm的范围内。
如图1所示，在信息层40中，从接近基板21的一侧顺次设置有反射层402、第1电介质层404、记录层406以及第2电介质层408。另外根据需要，如图2所示可在反射层402和第1电介质层404之间设置有反射层侧界面层403，在第1电介质层404和记录层406之间设置有第1界面层405，在第2电介质层408和记录层406之间设置有第2界面层407。
利用物镜32将来自透明层23侧的激光束31会聚，并照射到信息层40的记录层406上，从而向该信息记录介质11进行信息记录。记录到该信息记录介质11上的信息也同样地照射激光束来进行。
基板21具有圆盘形状，为了保持信息层40和透明层23而使用该基板21，其作为在形成这些层时的支持体发挥作用。在与基板21的信息层40接触的表面上可形成有用于引导激光束31的引导槽。与基板21的信息层40不接触的表面优选是平滑的。基板21可采用聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片脂类树脂(ノルボルネン系樹脂)、玻璃或适当组合这些的组合物等作为材料来形成。尤其，聚碳酸酯树脂的复制性及批量生产性良好且低成本，因此优选作为基板21的材料。
接着，对构成信息层40的各层进行说明。记录层406的材料是通过激光束31的照射在结晶相与非晶相之间发生相变化的材料。在本发明中作为记录层406的材料而采用包含Sb和S的材料。当仅由Sb来构成记录层406时，非晶相变为不稳定，信号的可靠性降低。通过在Sb中加入S能够使非晶相稳定化。另外，通过在Sb中加入S，可提高记录层406的透过率。
具体地说，当将记录层406的厚度是7nm的情况下的结晶化温度设为Tx(在室温中使非晶相的相变化材料406以50℃/min缓缓升温时，相变化材料相变化为结晶相的温度)时，相对于在记录层406仅由Sb构成时Tx＝100℃的情况，在记录层406由Sb80S20(下标是用原子％表示的组成比) 构成时为Tx＝200℃，与仅由Sb构成的记录层相比，非晶相稳定。
另外，在Sb与S的组合中，当Sb小于50原子％时，结晶化速度过低，从而无法获得可作为改写型光记录介质实际应用的删除性能。因此，在记录层406中优选包含有Sb和S这样的材料，该Sb和S可用以下的式(1)来表示：SbxS100-x  原子％    (1)(下标x是用原子％表示的组成比，满足50≤x≤98)。当x超过98时，无法取得在Sb中添加S所带来的效果。x最好满足60≤x≤80。该式表示合计Sb原子数和S原子数为100原子％时的组成比。由此，记录层406可包含Sb及S以外的元素。
记录层优选由Sb原子和S原子来实质地构成。这里，「实质地」这样的用语是考虑到不可避免地包含少量的其他元素(例如，在溅射中的氛围气体所包含的元素等)的情况而使用的。更具体地说，在构成记录层的所有原子中Sb及S以外的原子的比例小于10原子％时，可称为该记录层由Sb和S实质地构成。Sb及S以外的原子的比例最好小于1原子％。
作为记录层406的材料可采用包含Sb及S、和从Ge、Sn、Bi、In及Mn中选出的至少一个元素(M)在内的物质。这是因为通过在先前示出的包含Sb和S的材料中加入由上述M表示的元素可以进行结晶化速度的调节以及非晶相稳定性的调节。例如，当将Sn或Bi添加到由Sb和S构成的材料中时，材料的结晶化速度变高。另外，当In、Ge以及Mn分别添加到由Sb和S组成的材料中时，可使材料的非晶相稳定化。
根据M的种类，其优选的添加量不同。这里，优选将上述五个元素分成：Ge、In及Sn属于M1的群，Bi及Mn属于M2的群。记录层406在包含M1的情况下，记录层406优选包含用下式(2)表示的材料：(SbzS1-z)100-yM1y  (原子％)    (2)(下标z表示组合Sb原子数和S原子数后与1相比时的各原子比例，满足0.5≤z≤0.98，下标y是用原子％表示的组成比，满足0＜y≤30)。
在上述式(2)内，M1是从Ge、In及Sn中选出的至少一个元素。作为M1可包含两个元素(例如，Ge及Sn或In及Sn)，也可以包含三个元素。z及y优选满足0.5≤z≤0.98且2≤y≤20，最好满足0.6≤z≤0.8且5≤y≤20。
在记录层406包含上述式(2)的材料时，记录层最好由Sb原子、S原子和M1原子实质地构成。这里，「实质地」这样的用语是考虑到不可避免地包含有少量的其他元素(例如，在溅射中的氛围气体所包含的元素等)的情况而使用的。更具体地说，在构成记录层的所有原子中Sb、S及M1以外的原子的比例小于10原子％时，可称为该记录层由Sb、S和M1实质地构成。Sb、S及M1以外的原子的比例最好小于1原子％。
在记录层406包含M2时，记录层406优选包含用下式(3)表示的材料：(SbaS1-a)100-bM2b  (原子％)   (3)(下标a表示组合Sb原子数和S原子数后与1相比时的各原子比例，满足0.5≤a≤0.98，下标b是用原子％表示的组成比，满足0＜b≤20)。在上述式中，M2是从Bi和Mn中选出的至少一个元素。作为M2，也可以包含Bi和Mn的双方。b优选满足2≤b≤10。
在记录层406包含上述式(3)的材料时，记录层优选由Sb原子、S原子和M2原子实质地构成。这里，「实质地」这样的用语是考虑到不可避免地包含有少量的其他元素(例如，在溅射中的氛围气体所包含的元素等)的情况而使用的。更具体地说，在构成记录层的所有原子中Sb、S及M2以外的原子的比例小于10原子％时，可称为该记录层由Sb、S和M2实质地构成。Sb、S及M2以外的原子的比例最好小于1原子％。
或者，记录层406包含M1和M2两方，可包含用下式(4)表示的材料：(SbcS1-c)100-d-eM1dM2e  (原子％)    (4)(下标c表示组合Sb原子数和S原子数后与1相比时的各原子比例，满足0.5≤c≤0.98，下标d及e是用原子％表示的组成比，满足0＜d＜30、0＜e≤20、0＜d+e≤30)。
在记录层406包含上述式(4)的材料时，记录层优选由Sb原子、S原子、M1原子和M2原子实质地构成。这里，「实质地」这样的用语是考虑到不可避免地包含有少量的其他元素(例如，在溅射中的氛围气体所包含的元素等)的情况而使用的。更具体地说，在构成记录层的所有原子中Sb、S、M1及M2以外的原子的比例是小于10原子％时，可称为该记录层由Sb、 S、M1和M2实质地构成。Sb、S、M1及M2以外的原子的比例最好小于1原子％。
记录层406优选在激光束照射时可从非晶相容易地变化为结晶相、且在激光束非照射时不变化为结晶相。当记录层406的厚度过小时，无法取得充分的反射率以及反射率变化。另外，当记录层406的厚度过大时，因为热容量变大所以记录灵敏度降低。因此，记录层406的厚度优选是5nm～15nm的范围内，最好是8nm～12nm的范围内。
反射层402具有增加记录层406所吸收的光量这样的光学功能和使记录层406所生成的热扩散这样的热功能。作为反射层402的材料可采用包含从Ag、Au、Cu及Al中选出的至少一个元素在内的物质。例如，可将Ag-Cu、Ag-Ga-Cu、Ag-Pd-Cu、Ag-Nd-Au、AlNi、AlCr、Au-Cr或Ag-In等合金用作反射层402的材料。尤其因为Ag合金的热传导率高，所以优选作为反射层402的材料。反射层402的厚度越大，热扩散功能越强化。但是，当反射层402的厚度过大时，热过度扩散，导致记录层406的记录灵敏度降低。因此，反射层402的厚度优选是30nm～200nm的范围内，最好是70nm～140nm的范围内。
第1电介质层404处于记录层406和反射层402之间，具有调节从记录层406向反射层402的热扩散的热功能、和调节反射率以及吸收率等的光学功能。作为第1电介质层404的材料例如可采用从ZrO2、HfO2、ZnO、SiO2、SnO2、Cr2O3、TiO2、In2O3、Ga2O3、Y2O3、CeO2及DyO2等氧化物、ZnS及CdS等硫化物、和SiC等碳化物中选择的1种化合物、或从这些化合物中选择的两种以上化合物的混合物，例如ZrO2-SiO2、ZrO2-SiO2-Cr2O3、ZrO2-SiO2-Ga2O3、HfO2-SiO2-Cr2O3、ZrO2-SiO2-In2O3、ZnS-SiO2、以及SiO2-SiC。尤其，ZnS-SiO2优选为第1电介质层的材料。其原因是ZnS-SiO2的成膜速度快且透明、机械特性及耐湿性良好。
当第1电介质层404的厚度过大时，反射层402的冷却效果变弱，来自记录层406的热扩散变小，所以记录层难以成为非晶质化。另外，当第1电介质层404的厚度过小时，反射层402的冷却效果变强，来自记录层406的热扩散变大，灵敏度降低。因此，第1电介质层404的厚度优选是2nm～40nm的范围内，最好是8nm～30nm的范围内。
反射层侧界面层403的作用是防止反射层402被第1电介质层404的材料所腐蚀或破坏。具体地说，在反射层402包含Ag且第1电介质层404包含S(例如包含ZnS-SiO2)时，反射层侧界面层403防止由Ag和S反应而引起的反射层402的腐蚀。
作为反射层侧界面层403的材料可采用Ag以外的金属例如Al或Al合金。另外，作为反射层侧界面层403的材料可采用不包含S的电介质材料。这样的材料例如是从ZrO2、HfO2、ZnO、SiO2、SnO2、Cr2O3、TiO2、In2O3、Ga2O3、Y2O3、CeO2及DyO2等氧化物、和SiC等碳化物中选择的1种化合物、或从这些化合物中选出的两种以上化合物的混合物，例如ZrO2-SiO2、ZrO2-SiO2-Cr2O3、ZrO2-SiO2-Ga2O3、HfO2-SiO2-Cr2O3、ZrO2-SiO2-In2O3、以及SiO2-SiC。或者可采用C等来形成反射层侧界面层403。
当反射层侧界面层403的厚度过大时，妨碍第1电介质层404的热以及光学动作，另外如果过小，则有时无法充分防止反射层402的腐蚀及破坏。因此，反射层侧界面层403的厚度优选是1nm～100nm的范围内，最好是5nm～40nm的范围内。
第1界面层405具有可防止由于反复记录而在第1电介质层404与记录层406之间发生的物质移动的功能。第1界面层405优选由具有在记录时不溶融程度的高融点且与记录层406的粘合性良好的材料形成。第1界面层405的材料例如是从ZrO2、HfO2、ZnO、SiO2、SnO2、Cr2O3、TiO2、In2O3、Ga2O3、Y2O3、CeO2及DyO2等氧化物、ZnS及CdS等硫化物、和SiC等碳化物中选择的1种化合物、或从这些化合物中选择的两种以上化合物的混合物，例如ZrO2-SiO2、ZrO2-SiO2-Cr2O3、ZrO2-SiO2-Ga2O3、HfO2-SiO2-Cr2O3、ZrO2-SiO2-In2O3、ZnS-SiO2、以及SiO2-SiC。或是C等。尤其，Ga2O3、ZnO及In2O3等优选为第1界面层405的材料。这些与记录层406的粘合性良好。
当第1界面层405的厚度过小时，变得不能发挥作为界面层的效果，当过大时，妨碍第1电介质层404的热及光学动作。因此，第1界面层405的厚度优选是0.3nm～15nm的范围内，最好是1nm～8nm的范围内。
第2电介质层408存在于比记录层406更接近激光束入射侧的位置上。第2电介质层408具有防止记录层406的腐蚀及变形等的功能和调整 反射率及吸收率等的光学功能。另外，第2电介质层408的材料的例子与作为第1电介质层404的材料举出的例子是同样的。尤其，ZnS-SiO2优选为第2电介质层的材料。其原因是ZnS-SiO2的成膜速度快且透明、机械特性以及耐湿性良好。
当第2电介质层408的厚度过大时，用于防止记录层406的腐蚀及变形等的功能降低。另外，第2电介质层408的厚度通过基于矩阵法的计算来严密地决定，满足记录层406是结晶相的情况和记录层406是非晶相的情况的反射光量的变化大这样的条件。第2电介质层408的厚度优选是20nm～80nm的范围内。
第2界面层407与第1界面层405同样具有可防止由于反复记录而在第2电介质层408与记录层406之间产生的物质移动的功能。因此，第2界面层407为了具有与第1界面层405同样的性能，优选由作为第1界面层405的材料所例示的材料形成。
第2界面层407的厚度与第1界面层405同样优选为0.3nm～15nm的范围内，最好是1nm～8nm的范围内。
通过设置上述反射层402、第1电介质层404、记录层406和第2电介质层408、以及根据需要进一步设置反射层侧界面层403、第1界面层405和第2界面层407来构成信息层40。
透明层23处于信息层40的激光束31入射侧，并保护信息层40。透明层23最好对激光束31具有小的光吸收。透明层23可采用聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片脂类树脂、紫外线固化性树脂(例如，丙烯酸系树脂及环氧树脂系树脂)、迟效性热固化性树脂、玻璃或适当组合这些的组合物等来形成。另外，可将由这些材料构成的片用作透明层23。
当透明层23的厚度过小时，无法发挥保护信息层40的功能。另外，当透明层23的厚度过大时，在信息记录介质11中，从激光束31入射侧到信息层40的距离比物镜32的焦点距离长，从而无法使激光束31的焦点对应到记录层406上。在NA是0.85的情况下，优选透明层的厚度是5μm～150μm的范围内，最好是40μm～110μm的范围内。
信息记录介质11可利用以下说明的方法来制造。 首先，在基板21(厚度例如是1.1mm)上形成信息层40。信息层40由多层膜构成，各个层(膜)可通过依次溅射来形成。另外，关于构成基板21的材料，由于基板21有时具有高的吸湿性，所以可根据需要，在进行溅射之前实施除去水分的基板退火(anneal)步骤。
可通过在Ar气体、Kr气体或Xe气体等稀有气体氛围中、或稀有气体与反应气体(从氧气以及氮气中选出的至少一种气体)的混合气体氛围中对构成各层的材料的溅射靶进行溅射，来形成各个层。作为溅射方法根据需要而分开使用DC(直流)溅射法和RF(高频)溅射法。通常，DC溅射能够以高的成膜速率来实施，因此被优选使用。但是，电介质材料等导电性低的材料有时不能利用DC溅射法来进行溅射，在此情况下，采用RF溅射法。导电性高的电介质材料、以及在溅射靶制作时设法提高了导电性的电介质材料等可通过DC溅射法或脉冲DC溅射法来进行溅射。
通过溅射形成的各个层的组成有时与最初溅射靶的组成不完全一致。例如，在氧化物的情况下，利用溅射容易造成氧欠缺。在此情况下，通过采用氧气作为反应气体可弥补氧欠缺。决定溅射靶的组成，以使通过溅射所形成的膜成为希望的组成。通过溅射所形成的膜的组成可以与溅射靶的组成一致。
这里，对本发明的信息记录介质的制造中所采用的溅射装置(成膜装置)的一例进行说明。图16是示意地示出采用溅射装置来成膜的状况。如图16所示，在该溅射装置中，真空泵(未图示)经由排气口668与真空容器667连接，在真空容器667内保持高真空。从供气口669提供一定流量的气体。基板671(这里所谓基板是在其表面使膜堆积的基体材料)被载置到阳极670上。通过使真空容器667接地，来将真空容器667以及基板671保持在阳极上。
溅射靶672与阴极673连接，并经由开关(未图示)与电源674连接。在已图示的形态中，对阴极673进行水冷。通过在阳极670和阴极673之间施加规定的电压，来从溅射靶672放出粒子，并在基板671上形成薄膜。该装置可为了形成形成信息层的各个层而使用，也可以为了制造后述的其他形态的介质而使用。
在已图示的形态中，信息层40的形成具体地说从在基板21上形 成反射层402开始。可通过在稀有气体氛围中或稀有气体和反应气体的混合气体氛围中，对由构成反射层402的金属或合金组成的溅射靶进行DC溅射，来形成反射层402。
接着，根据需要在反射层402上形成反射层侧界面层403。通过在稀有气体氛围中或稀有气体和反应气体的混合气体氛围中对由构成反射层侧界面层403的材料组成的溅射靶进行溅射，来形成反射层侧界面层403。在反射层侧界面层403的材料是金属等导电性高的材料时，可采用DC溅射法，在是氧化物等导电性低的材料时，可采用RF溅射法。
接着，在反射层侧界面层403上或反射层402上形成第1电介质层404。通过在稀有气体氛围中或稀有气体和反应气体的混合气体氛围中，对由构成第1电介质层404的材料组成的溅射靶以RF溅射法进行溅射来形成第1电介质层404。根据情况，第1电介质层404可通过DC溅射法来形成。
接着，根据需要在第1电介质层404上形成第1界面层405。在稀有气体氛围中或稀有气体与反应气体的混合气体氛围中，对由构成第1界面层405的材料组成的溅射靶进行RF溅射，来形成第1界面层405。根据情况，第1界面层405可经由DC溅射法来形成。
接着，在第1界面层405上或第1电介质层404上形成记录层406。记录层406例如可通过在稀有气体氛围中对包含Sb和S的溅射靶进行溅射来形成。具体地说，为了记录层406成为包含用上述式(1)表示的材料的组成，可通过对调整了组成的溅射靶进行DC溅射，来形成记录层406。这样的溅射靶例如是包含具有Sb和S、并用下式(11)表示的材料的溅射靶：SbxS100-x  原子％    (11)(下标x表示用原子％表示的组成比，满足50≤x≤98)。
另外，作为为了形成记录层406而采用的溅射靶，在上述溅射靶中可采用还添加有从Sn、Bi、In、Ge以及Mn中选出的至少一个元素的溅射靶。具体地说，为了记录层406成为包含用上述式(2)、(3)或(4)表示的材料的组成，可通过对调整了组成的溅射靶进行DC溅射来形成记录层406。这样的溅射靶例如包含用下式(12)～(14)表示的材料。
(SbZS1-Z)100-YM1Y    (原子％)    (12)(M1是从Ge、In以及Sn中选出的至少一个元素，下标Z表示Sb原子数 与S原子数组合后与1相比时的各原子比例，满足0.5≤Z≤0.98，下标Y是用原子％表示的组成比，满足0＜Y≤30)
(SbAS1-A)100-BM2B    (原子％)    (13)(M2是从Bi及Mn中选出的至少一个元素，下标A表示组合Sb原子数和S原子数后与1相比时的各原子比例，满足0.5≤A≤0.98，下标B是用原子％表示的组成比，满足0＜B≤20)
(SbCS1-C)100-D-EM1DM2E  (原子％)    (14)(M1是从Ge、In及Sn中选出的至少一个元素，M2是从Bi及Mn中选出的至少一个元素，下标C表示组合Sb原子数和S原子数后与1相比时的各原子比例，满足0.5≤C≤0.98，下标D以及E是用原子％表示的组成比，满足0＜D＜30、0＜E≤20、0＜D+E≤30)
或者，还可以对从Sb、S、M(其中，M是Sn、Bi、In、Ge以及Mn中的至少一个元素)、Sb-S、Sb-M、S-M以及Sb-S-M所表示的溅射靶中选出的至少2个以上的溅射靶进行同时溅射，来形成记录层406。在此情况下，可根据使用的溅射靶数和电源的输出来决定所取得的记录层的组成，因此适当地选择这些进行溅射，使所形成的膜成为希望的组成。在难以形成混合物的溅射靶的情况下，使用这样的两种以上的溅射靶是有用的。
接着，根据需要在记录层406上形成第2界面层407。可通过在稀有气体氛围中或稀有气体和反应气体的混合气体氛围中，对由构成第2界面层407的材料组成的溅射靶进行RF溅射，来形成第2界面层407。根据情况，第2界面层407可通过DC溅射来形成。
接着，在第2界面层407上或记录层406上形成第2电介质408。可通过在稀有气体氛围中或稀有气体与反应气体的混合气体氛围中对由构成第2电介质层408的材料组成的溅射靶进行RF溅射，来形成第2电介质层408。根据情况，第2电介质层407可通过DC溅射来形成。
这样，在基板21上形成信息层40，然后，在信息层40上形成透明层23。利用旋涂法(spin coat method)将紫外线固化性树脂(例如，丙烯酸系树脂及环氧树脂系树脂)或迟效性热固化性树脂涂布到第2信息层41上后，使该树脂固化，由此来形成透明层23。另外，透明层23可采用由聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片脂类树脂或玻璃 等组成的圆盘状的板或片来形成。在此情况下，可以将紫外线固化性树脂或迟效性热固化性树脂涂布到信息层40上，并以涂布的树脂密封了板或片后，使固化性树脂固化，由此来形成透明层23。作为其他方法还可以预先对板或片均匀地涂布粘接性树脂，并利用该粘接性树脂将板或片粘合在第2电介质层408上。
信息记录介质11的记录层406通常在保持着成膜的状态(沉积(as-depo)的状态)下是非晶质状态。由此，可进行根据需要照射激光束等使记录层406结晶化的初始化步骤。
如以上所述，可制造信息记录介质11。另外，在本实施方式中，作为构成信息层的各层的形成方法采用了溅射法。形成方法不限于此，还可以采用真空蒸镀法、离子镀法、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法等
(实施方式2)作为实施方式2，对本发明的信息记录介质的其他例进行说明。图3示出实施方式2的信息记录介质12的部分剖视图。信息记录介质12是多层光记录介质，其利用物镜32会聚并照射激光束31，由此来记录再现信息。
在信息记录介质12中，在基板21上顺次设置有第1信息层41、第2信息层42、……第N-1信息层48、第N信息层49这N个信息层(N为N≥2的整数)、以及透明层23(以下，将从激光入射侧的相反侧数第K个(1≤K≤N)信息层称为第K信息层)。在信息层与信息层之间设置有分离层22、……28、29。
在信息记录介质12中，到达与第N信息层49相比位于基板21侧的信息层的激光束及其反射光，经由透过与该信息层相比接近激光束31入射侧的信息层而衰减。因此，第1信息层41、第2信息层42、……以及第N-1信息层48需要具有高记录灵敏度和高反射率，第2信息层42、……、第N-1信息层48以及第N信息层49需要具有高透过率。
基板21以及透明层23的材料、形状及功能与实施方式1所说明的相同，所以这里省略其详细的说明。
分离层22、……28、29是为了区别信息记录介质12的第1信息层41、第2信息层42……第N信息层49的各自对焦位置而设置的层。分离层22、……28、29的厚度优选为由物镜32的数值孔径(Numerical Aperture) NA和激光束31的波长λ所决定的焦点深度以上。另一方面，经由分离层22、……28、29分离的全部信息层需要通过物镜32来收敛于可会聚的范围内。为了满足这个要求，分离层22、……28、29等需要变薄至某程度。假设，在λ是405nm、NA是0.85的情况下，分离层22、……28、29的厚度优选为5μm～50μm的范围内。
分离层22、……28、29最好对激光束31具有小的光吸收。在分离层22、……28、29的激光束31照射侧可形成有用于引导激光束31的引导槽。分离层22、……28、29的材料可以是聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片脂类树脂、紫外线固化性树脂、迟效性热固化性树脂、玻璃、或适当组合了这些的组合物等。
另外，在将本发明作为如图3所示的多层构造介质提供的情况下，N个信息层中的至少一个第K信息层(K为1≤K≤N的整数)包含有可产生相变化的记录层。例如，仅第N信息层49可以是改写型信息层，该改写型信息层具备先前与实施方式1的记录层406关联说明的包含具有Sb和S、并用上述式(1)～(4)中任意一个表示的材料在内的记录层(在包含以下说明的本说明书中，有时将这样的记录层称为「包含Sb和S的记录层」)。此时，从第1信息层41到第N-1信息层48的N-1个信息层可以是再现专用的信息层、或仅能够写入1次的只读型信息层。
或者，从第N信息层到第2信息层的N-1个信息层中的至少一个信息层可以是包含具有Sb和S的记录层的改写型信息层。包含Sb和S并用上述式(1)～(4)表示的材料具有高透过性，所以适合构成第1信息层以外的信息层(即，将通过了该信息层的光用于其他信息层的记录再现中的信息层)的记录层。或者，全部信息层可具有包含Sb和S的记录层。在介质中仅设有一个包含Sb和S的记录层时，包含Sb和S的记录层优选包含在第N信息层上。这是因为第N信息层需要最高的透过率。
以下，对第N信息层49的结构进行说明。如图3所示，在第N信息层49中，从接近基板21的一侧开始顺次设置有透过率调整层491、反射层492、第1电介质层494、记录层496以及第2电介质层498。另外，可根据需要，在反射层492与第1电介质层494之间设置有反射层侧界面层，在第1电介质层494与记录层496之间设置有第1界面层， 在第2电介质层498与记录层496之间设置有第2界面层。在图3中，反射层侧界面层可以是在层491与492之间用493表示的层，第1界面层可以是在层492与494之间用495表示的层，第2界面层可以是在层496与498之间用497表示的层。
作为记录层496的材料可以采用与实施方式1的记录层406的材料相同的材料。因为包含Sb和S的材料的透明性高，所以特别适合作为记录层496的材料。另外，在其他信息层具有包含Sb和S的记录层的情况下，作为记录层496的材料还可以采用包含(Ge-Sn)Te、GeTe-Sb2Te3、(Ge-Sn)Te-Sb2Te3、GeTe-Bi2Te3、(Ge-Sn)Te-Bi2Te3、GeTe-(Sb-Bi)2Te3、(Ge-Sn)Te-(Sb-Bi)2Te3、GeTe-(Bi-In)2Te3、(Ge-Sn)Te-(Bi-In)2Te3、Sb-Te、Sb-Ge、(Gb-Te)-Ge、Sb-In、(Sb-Te)-In、Sb-Ga以及(Sb-Te)-Ga中的任意一个的材料。为了提高第N信息层49的透过率，记录层496的厚度优选为10nm以下，最好是2nm～8nm的范围内。
反射层492具有与实施方式1的反射层402同样的功能。即，具有增加记录层496所吸收的光量这样的光学功能和使在记录层496上产生的热扩散这样的热功能。因此，反射层492的材料的例子与实施方式1所说明的反射层402的材料的例子是同样的。尤其因为Ag合金的热传导率大，所以优选作为反射层492的材料。
为了提高第N信息层49的透过率，反射层492的厚度优选为20nm以下，最好是3nm～14nm的范围内。当反射层492的厚度处于此范围内时，可充分地发挥反射层492的光学以及热功能。
第1电介质层494具有与实施方式1的第1电介质层404同样的功能。即，具有调节从记录层496向反射层492热扩散的热功能和调节反射率及吸收率等的光学功能。因此，第1电介质层494的材料的例子与实施方式1的第1电介质层404的材料的例子是相同的。
为了充分发挥光学功能以及热功能，第1电介质层494的厚度优选为1nm～40nm的范围内，最好是4nm～30nm的范围内。
第2电介质层498具有与实施方式1的第2电介质层408同样的功能。即，具有防止记录层496的腐蚀及变形等的功能和调整反射率及吸收率等的光学功能。因此，第2电介质层498的材料的例子与实施方式1所说 明的第2电介质层408的材料的例子是相同的。第2电介质层498的厚度可通过基于矩阵法的计算来严密地决定，满足记录层496是结晶相的情况和记录层496是非晶相的情况的反射光量的变化大这样的条件。
透过率调整层491由电介质构成，其具有调节第N信息层49的透过率的功能。通过该透过率调整层491，可共同提高记录层496是结晶相时的第N信息层49的透过率Tc(％)和记录层496是非晶相时的第N信息层49的透过率Ta％。
透过率调整层491可以由从TiO2、ZrO2、HfO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、Al2O3、SiO2、Cr2O3、CeO2、Ga2O3、及Bi2O3等氧化物、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ge-N、Cr-N及Al-N等氮化物和ZnS等硫化物中选择的1种化合物、或从这些化合物中选出的两种以上化合物的混合物形成。为了提高透过率Tc及Ta，透过率调整层491的折射率nt和消光系数kt优选为nt≥2.4且kt≤0.1。作为满足此条件的材料优选采用TiO2或包含TiO2的材料。这是因为这些材料的折射率大(nt＝2.6～2.8)、消光系数小(kt＝0.0～0.1)，所以采用这些材料而形成的透过率调整层491可有效地提高第N信息层49的透过率。
在透过率调整层491的厚度近似为λ/8nt(其中，λ为激光束31的波长，nt为透过率调整层491的材料的折射率)时，可更有效地提高透过率Tc及Ta。假设在λ＝405nm、nt＝2.6时，透过率调整层491的厚度在考虑了反射率等其他特性后优选为5nm～36nm的范围内。
反射层侧界面层、第1界面层以及第2界面层分别具有与实施方式1的反射层侧界面层403、第1界面层405以及第2界面层407同样的功能。由此，这些层的材料的例子分别与实施方式1所说明的反射层侧界面层403、第1界面层405以及第2界面层407的材料的例子相同。
信息记录介质12可通过以下说明的方法来制造。首先，在基板21上经由分离层22、……、28等依次叠层从第1信息层41到第N-1信息层48的N-1个信息层。各信息层由多层膜构成，构成信息层的各层(膜)可依次通过溅射来形成。另外，将紫外线固化性树脂(例如，丙烯酸系树脂及环氧树脂系树脂)或迟效性热固化性树脂涂布在信息层上，接着使整体进行旋转来均匀地延展树脂(旋涂)，然后使该树脂固化，由此可形成分离层22、……、28等。在分离层22、……、28等具有激光束31的引 导槽时，将形成有槽的基板(模型)粘合在固化前的树脂上，并在此状态下使树脂固化，然后剥离基板(模型)，由此可形成引导槽。
这样，在基板21上经由分离层22、……、28等叠层了N-1个信息层中的第N-1信息层上形成分离层2。
接着，在分离层29上形成第N信息层49。具体地说，首先在分离层29上形成透过率调整层491。可通过在稀有气体氛围中或稀有气体与反应气体的混合气体氛围中利用RF溅射法或DC溅射法对由构成透过率调整层491的材料组成的溅射靶进行溅射，来形成透过率调整层491。
接着，在透过率调整层491上形成反射层492。反射层492可利用与实施方式1的形成反射层402的方法同样的方法来形成。
接着，根据需要在反射层492上形成反射层侧界面层。反射层侧界面层可利用与实施方式1的形成反射层侧界面层403的方法同样的方法来形成。
接着，在反射层侧界面层上或反射层492上形成第1电介质层494。第1电介质层494可利用与实施方式1的形成第1电介质层404的方法同样的方法来形成。
接着，根据需要在第1电介质层494上形成第1界面层。第1界面层可利用与实施方式1的第1界面层405的形成方法同样的方法来形成。
接着，在第1界面层上或第1电介质层494上形成记录层496。记录层496在包含Sb及S的情况下，可利用与实施方式1的记录层406的形成方法同样的方法来形成。在记录层406由其他材料形成的情况下，可根据该材料来选择溅射靶，并通过溅射法来形成。
接着，根据需要在记录层496上形成第2界面层。第2界面层可通过与实施方式1的第2界面层407的形成方法同样的方法来形成。
接着，在第2界面层上或记录层496上形成第2电介质498。第2电介质层498可利用与实施方式1的第2电介质层408的形成方法同样的方法来形成。
这样，在分离层29上形成第N信息层49，然后，在第N信息层49上形成透明层23。透明层23可利用实施方式1所说明的方法来形成。
信息记录介质12的各记录层通常在保持着成膜的状态下是非晶质状态，所以可进行根据需要照射激光束等使记录层结晶化的初始化步骤。
如以上所述，可制造信息记录介质12。另外，在本实施方式中，作为构成信息层的各层的形成方法采用了溅射法。形成方法不限于此，还可以采用真空蒸镀法、离子镀法、MBE法等。
(实施方式3)作为实施方式3，对在实施方式2的本发明的多层记录介质中由N为2的即2个信息层构成的记录介质的一例进行说明。图4示出实施方式3的信息记录介质13的部分剖视图。信息记录介质13是二层光记录介质，其利用物镜32会聚并照射激光束31，由此来记录再现信息。
在信息记录介质13中，在基板21上顺次设置有第1信息层41、分离层22、第2信息层42以及透明层23。
基板21、分离层22以及透明层23各自的材料、形状及功能与实施方式1以及2所说明的相同。
第2信息层42发挥与实施方式2所说明的第N信息层49同样的作用(因为在实施方式3中N＝2)。因此，构成第2信息层42的各层可由构成实施方式2所说明的第N信息层49的各层材料形成。另外，构成第2信息层42的各层的形状以及功能与构成实施方式2所说明的第N信息层49的各层的形状以及功能同样。
以下，对第1信息层41的结构进行说明。如图4所示，在第1信息层41中从接近基板21的一侧顺次设置有反射层412、第1电介质层414、记录层416以及第2电介质层418。另外，可根据需要，在反射层412与第1电介质层414之间设置反射层侧界面层，在第1电介质层414与记录层416之间设置第1界面层，在第2电介质层418与记录层416之间设置第2界面层。在图4中，反射层侧界面层可以是在层412与414之间用413表示的层，第1界面层可以是在层414与416之间用415表示的层，第2界面层可以是在层416与418之间用417表示的层。
作为记录层416的材料可采用与实施方式1的记录层406的材料相同的材料。另外，在第2信息层42具有包含Sb和S的记录层的情况下，记 录层416的材料可以是(Ge-Sn)Te、GeTe-Sb2Te3、(Ge-Sn)Te-Sb2Te3、GeTe-Bi2Te3、(Ge-Sn)Te-Bi2Te3、GeTe-(Sb-Bi)2Te3、(Ge-Sn)Te-(Sb-Bi)2Te3、GeTe-(Bi-In)2Te3、(Ge-Sn)Te-(Bi-In)2Te3、Sb-Te、Sb-Ge、(Gb-Te)-Ge、Sb-In、(Sb-Te)-In、Sb-Ga或(Sb-Te)-Ga。
反射层412、第1电介质层414以及第2电介质层418分别具有与实施方式1的反射层402、第1电介质层404以及第2电介质层408同样的功能，可由同样的材料形成。
另外，反射层侧界面层、第1界面层以及第2界面层分别具有与实施方式1的反射层侧界面层403、第1界面层405以及第2界面层407同样的功能，可由同样的材料形成。
信息记录介质13可通过以下说明的方法来制造。首先，在基板21(厚度例如是1.1mm)上形成第1信息层41。具体地说，首先，在基板21上形成反射层412。反射层412可利用与实施方式1的反射层402的形成方法同样的方法来形成。
接着，根据需要在反射层412上形成反射层侧界面层。反射层侧界面层可利用与实施方式1的反射层侧界面层403的形成方法同样的方法来形成。
接着，在反射层侧界面层上或反射层412上形成第1电介质层414。第1电介质层414可利用与实施方式1的第1电介质层404的形成方法同样的方法来形成。
接着，根据需要在第1电介质层414上形成第1界面层。第1界面层可利用与实施方式1的第1界面层405同样的方法来形成。
接着，在第1界面层上或第1电介质层414上形成记录层416。记录层416在包含Sb及S的情况下，可利用与实施方式1的记录层406的形成方法同样的方法来形成。在记录层416由其他材料形成的情况下，可根据该材料来选择溅射靶，并利用溅射法来形成。
接着，根据需要在记录层416上形成第2界面层。第2界面层可通过与实施方式1的第2界面层407的形成方法同样的方法来形成。
接着，在第2界面层上或记录层416上形成第2电介质418。第2电介质层418可利用与实施方式1的第2电介质层408的形成方法同样的方 法来形成。
这样，在基板21上形成第1信息层41，然后，在第1信息层41上形成分离层22。分离层22可通过实施方式2所说明的方法来形成。
另外，在形成了第2电介质层418后或形成了分离层22后，可进行根据需要照射激光束等使记录层416结晶化的初始化步骤。
接着，在分离层22上形成第2信息层42。具体地说，首先在分离层22上形成透过率调整层421。透过率调整层421可通过与实施方式2的透过率调整层491的形成方法同样的方法来形成。
接着，在透过率调整层421上形成反射层422。反射层422可通过与实施方式2的反射层492的形成方法同样的方法来形成。
接着，根据需要在反射层422上形成反射层侧界面层。反射层侧界面层可利用与实施方式2的反射层侧界面层的形成方法同样的方法来形成。
接着，在反射层侧界面层上或反射层422上形成第1电介质层424。第1电介质层424可通过与实施方式2的第1电介质层494的形成方法同样的方法来形成。
接着，根据需要在第1电介质层424上形成第1界面层。第1界面层可通过与实施方式2的第1界面层的形成方法同样的方法来形成。
接着，在第1界面层上或第1电介质层424上形成记录层426。记录层426可通过与实施方式2的记录层496的形成方法同样的方法来形成。
接着，根据需要在记录层426上形成第2界面层。第2界面层可通过与实施方式2的第2界面层的形成方法同样的方法来形成。
接着，在第2界面层上或记录层426上形成第2电介质428。第2电介质层428可通过与实施方式2的第2电介质层498的形成方法同样的方法来形成。
这样，在分离层22上形成第2信息层42，然后，在第2信息层42上形成透明层23。透明层23可通过实施方式1所说明的方法来形成。
信息记录介质13的各记录层通常在保持着成膜的状态下是非晶质状态，所以可进行根据需要照射激光束等使记录层结晶化的初始化步骤。或者在已经使记录层416初始化的情况下，在形成了第2信息层42后， 可仅对记录层426进行初始化。
如以上所述，可制造信息记录介质13。另外，在本实施方式中，作为构成信息层的各层的形成方法采用了溅射法。形成方法不限于此，还可采用真空蒸镀法、离子镀法、MBE法等。
如果N是2、波长405nm附近的青紫色区域的激光被使用于记录再现中、使每1信息层的容量约为25GB，则能够获得具有约50GB容量的信息记录介质。或者，如果提高记录密度使每1信息层的容量约为33GB，则能够获得具有约66GB容量的信息记录介质。
(实施方式4)作为实施方式4，对在实施方式2的本发明的多层信息记录介质中由N＝4即4个信息层构成的信息记录介质的一例进行说明。图5示出实施方式4的信息记录介质14的部分剖视图。信息记录介质14是4层光记录介质，其利用物镜32会聚并照射激光束31，由此来记录再现信息。
在信息记录介质14中在基板21上顺次设置有第1信息层41、分离层22、第2信息层42、分离层28、第3信息层43、分离层29、第4信息层44以及透明层23。
在信息记录介质12中，到达与第4信息层44相比处于基板21侧的信息层的激光束及其反射光，经由透过与该信息层相比处于激光束31入射侧的信息层而衰减。因此，第1信息层41、第2信息层42以及第3信息层43需要具有高记录灵敏度和高反射率，且第2信息层42、第3信息层43以及第4信息层44需要具有高透过率。
基板21、分离层22、28、29以及透明层23可由与实施方式1以及2所说明的材料相同的材料来形成。另外，这样的形状以及功能与实施方式1及2所说明的相同。
构成第1信息层41的各层的材料、形状及功能与实施方式3所说明的相同，所以省略其详细的说明。
第4信息层44发挥与实施方式2所说明的第N信息层49同样的作用(因为在实施方式4中N＝4)。因此，构成第4信息层44的各层可以由构成实施方式2所说明的第N信息层49的各层材料来形成。另外，构成第4信息层44的各层的形状以及功能与构成实施方式2所说明的第N信息层49的各 层的形状以及功能同样。
以下，对第2信息层42以及第3信息层43的结构进行说明。在第2信息层42中，从接近基板21的一侧顺次设置有透过率调整层421、反射层422、第1电介质层424、记录层426以及第2电介质层428。另外，可根据需要，在反射层422与第1电介质层424之间设置反射层侧界面层，在第1电介质层424与记录层426之间设置第1界面层，在第2电介质层428与记录层426之间设置第2界面层。在图5中，反射层侧界面层可以是在层422与424之间用423表示的层，第1界面层可以是在层424与426之间用425表示的层，第2界面层可以是在层426与428之间用427表示的层。
记录层426、反射层422、第1电介质层424、第2电介质层428以及透过率调整层421分别具有与实施方式2的记录层496、反射层492、第1电介质层494、第2电介质层498以及透过率调整层491同样的功能，并可由同样的材料形成。
另外，反射层侧界面层、第1界面层以及第2界面层分别具有与实施方式2的反射层侧界面层、第1界面层以及第2界面层同样的功能，并可由同样的材料形成。
在第3信息层43中，从接近基板21的一侧开始顺次设置有透过率调整层431、反射层432、第1电介质层434、记录层436以及第2电介质层438。另外，可根据需要在反射层432与第1电介质层434之间设置反射层侧界面层，在第1电介质层434与记录层436之间设置第1界面层，在第2电介质层438与记录层436之间设置第2界面层。在图5中，反射层侧界面层可以是在层432与424之间用433表示的层，第1界面层可以是在层434与436之间用435表示的层，第2界面层可以是在层436与438之间用437表示的层。
记录层436、反射层432、第1电介质层434、第2电介质层438以及透过率调整层431分别具有与实施方式2的记录层496、反射层492、第1电介质层494、第2电介质层498以及透过率调整层491同样的功能，可由同样的材料形成。
另外，反射层侧界面层433、第1界面层以及第2界面层分别具有与实施方式2的反射层侧界面层、第1界面层以及第2界面层同样的功能，并可由同样的材料形成。
在该形态的介质中，从第2信息层42到第4信息层44的三个信息层中任意一个信息层所包含的记录层优选包括具有Sb及S、且用上述式(1)～(4)中的某个表示的材料。其理由和与实施方式2关联说明的相同。
信息记录介质14可通过以下说明的方法来制造。首先，在基板21(厚度例如是1.1mm)上形成第1信息层41。具体地说，在基板21上顺次形成有反射层412、第1电介质层414、记录层416以及第2电介质层418。此时可根据需要在反射层412与第1电介质层414之间形成反射层侧界面层，在第1电介质层414与记录层416之间形成第1界面层，在第2电介质层418与记录层416之间形成第2界面层。这些各层可通过实施方式3所说明的方法来形成。
这样，在基板21上形成第1信息层41，然后，在第1信息层41上形成分离层22。分离层22可通过实施方式2所说明的方法来形成。
在形成了第2电介质层418后或形成了分离层22后，可进行根据需要照射激光束等使记录层416结晶化的初始化步骤。
接着，在分离层22上形成第2信息层42。具体地说，首先在分离层22上形成透过率调整层421。透过率调整层421可通过与实施方式2的透过率调整层491的形成方法同样的方法来形成。
接着，在透过率调整层421上形成反射层422。反射层422可通过与实施方式2的反射层492的形成方法同样的方法来形成。
接着，根据需要在反射层422上形成反射层侧界面层。反射层侧界面层可通过与实施方式2的反射层侧界面层同样的方法来形成。
接着，在反射层侧界面层上或反射层422上形成第1电介质层424。第1电介质层424可通过与实施方式2的第1电介质层494的形成方法同样的方法来形成。
接着，根据需要在第1电介质层424上形成第1界面层。第1界面层可通过与实施方式2的第1界面层的形成方法同样的方法来形成。
接着，在第1界面层上或第1电介质层424上形成记录层426。记录层426可通过与实施方式2的记录层496的形成方法同样的方法来形成。
接着，根据需要在记录层426上形成第2界面层。第2界面层可通 过与实施方式2的第2界面层的形成方法同样的方法来形成。
接着，在第2界面层上或记录层426上形成第2电介质428。第2电介质层428可通过与实施方式2的第2电介质层498的形成方法同样的方法来形成。
这样，在分离层22上形成第2信息层42，然后，在第2信息层42上形成分离层28。分离层28可通过实施方式2所说明的方法来形成。
另外，在形成了第2电介质层428后或形成了分离层28后，可进行根据需要照射激光束等使记录层426结晶化的初始化步骤。
接着，在分离层28上形成第3信息层43。具体地说，首先在分离层28上形成透过率调整层431。透过率调整层431可通过与实施方式2的透过率调整层491的形成方法同样的方法来形成。
接着，在透过率调整层431上形成反射层432。反射层432可通过与实施方式2的反射层492的形成方法同样的方法来形成。
接着，根据需要在反射层432上形成反射层侧界面层。反射层侧界面层可通过与实施方式2的反射层侧界面层的形成方法同样的方法来形成。
接着，在反射层侧界面层上或反射层432上形成第1电介质层434。第1电介质层434可通过与实施方式2的第1电介质层494的形成方法同样的方法来形成。
接着，根据需要在第1电介质层434上形成第1界面层。第1界面层可通过与实施方式2的第1界面层的形成方法同样的方法来形成。
接着，在第1界面层上或第1电介质层434上形成记录层436。记录层436可通过与实施方式2的记录层496的形成方法同样的方法来形成。
接着，根据需要在记录层436上形成第2界面层。第2界面层可通过与实施方式2的第2界面层的形成方法同样的方法来形成。
接着，在第2界面层上或记录层436上形成第2电介质438。第2电介质层438可通过与实施方式2的第2电介质层498同样的方法来形成。
这样，在分离层28上形成第3信息层43，然后，在第3信息层43上形成分离层29。分离层29可通过实施方式2所说明的方法来形成。
另外，在形成了第2电介质层438后或形成了分离层29后，可进行根据需要照射激光束等使记录层436结晶化的初始化步骤。
接着，在分离层29上形成第4信息层44。具体地说，在分离层29上顺次形成有透过率调整层441、反射层442、第1电介质层444、记录层446以及第2电介质层448。此时，可根据需要，在反射层442与第1电介质层444之间形成反射层侧界面层，在第1电介质层444与记录层446之间形成第1界面层，在第2电介质层448与记录层446之间形成第2界面层。这些各层可通过实施方式2所说明的方法来形成。
这样，在分离层29上形成第4信息层44，然后，在第4信息层44上形成透明层23。透明层23可通过实施方式1所说明的方法来形成。
另外，信息记录介质14的各记录层通常在保持着形成的状态下是非晶质状态，所以可进行根据需要照射激光束等使记录层结晶化的初始化步骤。或者，在已经对记录层416、426及436初始化的情况下，在形成了第4信息层44后，可仅对记录层446进行初始化。
如以上所述，可制造信息记录介质14。另外，在本实施方式中，作为构成信息层的各层的形成方法采用了溅射法。形成方法不限于此，还可采用真空蒸镀法、离子镀法、MBE法等。
如果N是4、波长405nm附近的青紫色区域的激光被使用于记录再现中、每1信息层的容量约为25GB，则可以获得具有约100GB容量的信息记录介质。或者，如果提高记录密度使每1信息层的容量约为33GB，则能够获得具有约133GB容量的信息记录介质。
作为实施方式3及4对N＝2及4的介质进行了说明。N也可以是3。N＝3的介质由图4所示层中的基板21、第1信息层42、分离层22、第2信息层42、分离层28、第3信息层43及透明层23构成。关于N＝3的介质，在第2信息层及第3信息层中的任意一方或两方所包含的记录层优选包含具有上述Sb及S、且用式(1)～(4)中的某个表示的材料。另外，在仅仅与激光束入射侧最接近的第3信息层所包含的记录层是包含具有上述Sb及S且用式(1)～(4)中的某个表示的材料的记录层时，也能够充分地获得本发明的效果。
如果N是3、波长405nm附近的青紫色区域的激光被使用于记录再现、每1信息层的容量约为25GB，则能够获得具有约75GB容量的信息记 录介质。或者，如果提高记录密度使每1信息层的容量约为33GB，则能够获得具有约100GB容量的信息记录介质。
(实施方式5)作为实施方式5对本发明的信息记录介质的其他例进行说明。图6示出实施方式5的信息记录介质15的部分剖视图。信息记录介质15是光记录介质，其利用物镜32会聚并照射激光束31，由此可记录再现信息。
信息记录介质15的结构是经由粘接层27来粘合已叠层在基板24上的信息层40和伪基板(dummy substrate)26。
基板24以及伪基板26为透明且具有圆盘形状。在与基板24的信息层40连接的表面上可形成有用于引导激光束31的引导槽。未与基板24的信息层40连接的表面以及未与伪基板的粘接层27连接的表面优选为平滑的。基板24以及伪基板26可采用聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片脂类树脂、玻璃或适当组合了这些的组合物等作为材料来形成。尤其，聚碳酸酯树脂的复制性以及批量生产性良好且低成本，所以优选作为基板24以及伪基板26的材料。
粘接层27最好对激光束31具有小的光吸收。可将聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片脂类树脂、紫外线固化性树脂(例如，丙烯酸系树脂及环氧树脂系树脂)、迟效性热固化性树脂、玻璃或适当组合了这些的组合物等作为材料来形成粘接层27。
构成信息层40的各层的材料、形状及功能与实施方式1所说明的相同，所以省略其详细的说明。另外，针对标注有与实施方式1所使用的符号相同的符号的要素省略其说明。
信息记录介质15可通过以下说明的方法来制造。首先，在基板24(厚度例如为0.6mm)上形成信息层40。具体地说，在基板24上顺次形成有第2电介质层408、记录层406、第1电介质层404以及反射层402。此时可根据需要，在第2电介质层408与记录层406之间形成第2界面层，在第1电介质层404与记录层406之间形成第1界面层，在第1电介质层404与反射层402之间形成反射层侧界面层。在图5中，第2界面层可以是在层408与406之间用407表示的层，第1界面层可以是在层406与404之间用405表示的层，反射层侧界面层可以是在层402与404之间用403表示的 层。这些层可通过实施方式1所说明的方法来形成。
接着，采用粘接层27来粘合叠层有信息层40的基板24和伪基板26(厚度例如为0.6mm)。具体地说，可通过如下的方法来实施粘合：在伪基板26上以旋涂法来涂布紫外线固化性树脂或迟效性热固化性树脂，并将叠层有信息层40的基板24粘接在伪基板26上，然后使树脂固化。作为其他方法还可以有：预先在伪基板26上均匀地涂布粘接性树脂，使伪基板26粘合在叠层有信息层40的基板24上。
信息记录介质15的记录层406通常在保持成膜的状态下是非晶质状态。由此，可进行根据需要照射激光束等使记录层406结晶化的初始化步骤。
如以上所述，可制造信息记录介质15。另外，在本实施方式中，作为构成信息层的各层的形成方法采用了溅射法。形成方法不限于此，还可采用真空蒸镀法、离子镀法、MBE法等。
(实施方式6)作为实施方式6，对本发明的信息记录介质的其他例进行说明。图7示出实施方式6的信息记录介质16的部分剖视图。信息记录介质16是多层光记录介质，其利用物镜32会聚并照射激光束31，由此可记录再现信息。
信息记录介质16的结构是经由粘接层27来粘合在基板24上依次叠层的第N信息层49、第N-1信息层48、……第2信息层42这N-1个信息层(N为N≥2的整数)和在基板25上叠层的第1信息层41。在信息层和信息层之间存在分离层29、28……等。
基板25为透明且具有圆盘形状。在与基板25的第1信息层41连接的表面上可形成有用于引导激光束31的引导槽。未与基板25的第1信息层41连接的表面优选为平滑的。基板25可采用聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片脂类树脂、玻璃或适当组合了这些的组合物等作为材料来形成。尤其，聚碳酸酯树脂的复制性及批量生产性良好且低成本，所以优选作为基板25的材料。
另外，针对标注有与实施方式2以及5所采用的符号相同的符号的要素省略其说明。
信息记录介质16可通过以下说明的方法来制造。 首先，在基板24(厚度例如为0.6mm)上形成第N信息层49。具体地说，在基板24上顺次形成有第2电介质层498、记录层496、第1电介质层494、反射层492以及透过率调整层491。此时可根据需要，在第2电介质层498与记录层496之间形成第2界面层，在第1电介质层494与记录层496之间形成第1界面层，在第1电介质层494与反射层492之间形成反射层侧界面层。这些层可通过实施方式2所说明的方法来形成。然后，从第N-1信息层48开始经由分离层29、28……等依次叠层第2信息层42。
另外，在基板25(厚度例如为0.6mm)上形成第1信息层41。信息层一般由多层膜组成，构成信息层41的各层(膜)与实施方式2同样，可通过在成膜装置内依次对与构成各层相应的溅射靶进行溅射来形成。
最后，采用粘接层27来粘合叠层有信息层的基板24以及基板25。具体地说，可通过如下的方法来实施粘合：在叠层于基板25上的第1信息层41上以旋涂法来涂布紫外线固化性树脂或迟效性热固化性树脂，将叠层有第2信息层42的基板24粘合在第1信息层41上，然后使树脂固化。作为其他方法还可以有：预先在第1信息层41上均匀地涂布粘接性树脂，并将第1信息层41粘合在叠层有第2信息层42的基板24上。
信息记录介质16的各记录层通常在保持成膜的状态下是非晶质状态，所以可进行根据需要照射激光束等使记录层结晶化的初始化步骤。
如以上所述，可制造信息记录介质16。另外，在本实施方式中，作为构成信息层的各层的形成方法采用了溅射法。形成方法不限于此，还可采用真空蒸镀法、离子镀法、MBE法等。
(实施方式7)作为实施方式7，对在实施方式6的本发明的多层信息记录介质中由N是2即2个信息层构成的信息记录介质的一例进行说明。图8示出实施方式7的信息记录介质17的部分剖视图。信息记录介质17是2层光记录介质，其利用物镜32会聚并照射激光束31，由此可记录再现信息。
信息记录介质17的结构是经由粘接层27来粘合叠层在基板24上的第2信息层42、叠层在基板25上的第1信息层41。
构成第1信息层41以及第2信息层42的各层的材料、形状及功能与实施方式3所说明的相同，所以这里省略其详细的说明。另外，针对标 注有与实施方式3、5以及6所采用的符号相同的符号的要素省略其说明。
信息记录介质17可通过以下说明的方法来制造。首先，在基板24(厚度例如为0.6mm)上形成第2信息层42。具体地说，在基板24上顺次形成有第2电介质层428、记录层426、第1电介质层424、反射层422以及透过率调整层421。此时可根据需要在第2电介质层428与记录层426之间形成第2界面层，在第1电介质层424与记录层426之间形成第1界面层，在第1电介质层424与反射层422之间形成反射层侧界面层。这些层可通过实施方式3所说明的方法来形成。
在形成了透过率调整层421后，可进行根据需要照射激光束等使记录层426结晶化的初始化步骤。
另外，在基板25(厚度例如为0.6mm)上形成第1信息层41。具体地说，在基板25上顺次形成有反射层412、第1电介质层414、记录层416以及第2电介质层418。此时可根据需要，在反射层412与第1电介质层414之间形成反射层侧界面层，在第1电介质层414与记录层416之间形成第1界面层，在第2电介质层418与记录层416之间形成第2界面层。这些层，可通过实施方式3所说明的方法来形成。
在形成了第2电介质层418后，可进行根据需要照射激光束等使记录层416结晶化的初始化步骤。
最后，采用粘接层27来粘合叠层有信息层的基板24以及基板25。具体地说，可通过如下的方法来实施粘合：在叠层于基板25上的第1信息层41上以旋涂法来涂布紫外线固化性树脂(例如，丙烯酸系树脂及环氧树脂系树脂)或迟效性热固化性树脂，并将叠层有第2信息层42的基板24粘合在第1信息层41上，然后使树脂固化。作为其他方法还可以有：预先在第1信息层41上均匀地涂布粘接性树脂，将第1信息层41粘合在叠层有第2信息层42的基板24上。
信息记录介质17的各记录层通常在保持成膜的状态下是非晶质状态，所以可进行根据需要照射激光束等使记录层结晶化的初始化步骤。在预先对记录层416及426进行了初始化的情况下，不需要在粘合后实施初始化步骤。
如以上所述，可制造信息记录介质17。另外，在本实施方式中， 作为构成信息层的各层的形成方法采用了溅射法。形成方法不限于此，还可采用真空蒸镀法、离子镀法、MBE法等。
N是2的介质如先前与实施方式7关联说明的那样，例如，可具有约50GB的容量，或者具有约66GB的容量。
(实施方式8)作为实施方式8，对在实施方式6的本发明的多层信息记录介质中由N是4即4个信息层构成的信息记录介质的一例进行说明。图9示出实施方式8的信息记录介质18的部分剖视图。信息记录介质18是可通过利用物镜32会聚并照射激光束31来记录再现信息的4层光记录介质。
信息记录介质18的结构是经由粘接层27来粘合叠层在基板24上的第4信息层44、第3信息层43以及第2信息层42和叠层在基板25上的第1信息层41。在第4信息层44与第3信息层43之间设置有分离层29，在第3信息层43与第2信息层之间设置有分离层28。
构成第1信息层41、第2信息层42、第3信息层43以及第4信息层44的各层的材料、形状及功能与实施方式4所说明的相同，所以这里省略其详细的说明。另外，针对标注有与实施方式4、5、6以及7所采用的符号相同的符号的要素省略其说明。
信息记录介质18可通过以下说明的方法来制造。首先，在基板24(厚度例如为0.6mm)上形成第4信息层44。具体地说，在基板24上顺次形成有第2电介质层448、记录层446、第1电介质层444、反射层442以及透过率调整层441。此时，可根据需要在第2电介质层448与记录层446之间形成第2界面层，在第1电介质层444与记录层446之间形成第1界面层，在第1电介质层444与反射层442之间形成反射层侧界面层。这些层可通过与实施方式4关联说明的方法来形成。
接着，在透过率调整层441上通过与实施方式4关联说明的方法来形成分离层29。
在形成了透过率调整层441后或形成了分离层29后，可进行根据需要照射激光束等使记录层446结晶化的初始化步骤。
接着，在分离层29上形成第3信息层43。具体地说，在分离层29上顺次形成第2电介质层438、记录层436、第1电介质层434、反射层432以 及透过率调整层431。此时可根据需要，在第2电介质层438与记录层436之间形成第2界面层，在第1电介质层434与记录层436之间形成第1界面层，在第1电介质层434与反射层432之间形成反射层侧界面层。这些层可通过与实施方式4关联说明的方法来形成。
接着，在透过率调整层431上，通过与实施方式4关联说明的方法来形成分离层28。
在形成了透过率调整层431后或形成了分离层28后，可进行根据需要照射激光束等使记录层436结晶化的初始化步骤。
接着，在分离层28上形成第2信息层42。具体地说，在基板24上顺次形成第2电介质层428、记录层426、第1电介质层424、反射层422以及透过率调整层421。此时可根据需要在第2电介质层428与记录层426之间形成第2界面层，在第1电介质层424与记录层426之间形成第1界面层，在第1电介质层424与反射层422的间形成反射层侧界面层。这些层可通过与实施方式4关联说明的方法来形成。
在形成了透过率调整层421后，可进行根据需要照射激光束等使记录层426结晶化的初始化步骤。
另外，在基板25(厚度例如为0.6mm)上形成第1信息层41。具体地说，在基板25上顺次形成反射层412、第1电介质层414、记录层416以及第2电介质层418。此时可根据需要，在反射层412与第1电介质层414之间形成反射层侧界面层，在第1电介质层414与记录层416之间形成第1界面层，在第2电介质层418与记录层416之间形成第2界面层。这些层可通过与实施方式4关联说明的方法来形成。
在形成了第2电介质层418后，可进行根据需要照射激光束等使记录层416结晶化的初始化步骤。
最后，采用粘接层27来粘合叠层有信息层的基板24以及基板25。具体地说，可通过如下的方法来实施粘合：在叠层于基板25上的第1信息层41上通过旋涂法来涂布紫外线固化性树脂(例如，丙烯酸系树脂及环氧树脂系树脂)或迟效性热固化性树脂，并将叠层有第2信息层42的基板24粘合在第1信息层41上，然后使树脂固化。作为其他方法还可以有：预先在第1信息层41上均匀地涂布粘接性树脂，并将第1信息层41粘合在叠层有第2信 息层42的基板24上。
信息记录介质18的各记录层通常在保持着成膜的状态下是非晶质状态，所以可进行根据需要照射激光束等结晶化的初始化步骤。在预先对记录层416、426、436及446进行了初始化的情况下，需要在粘合后实施初始化步骤。
如以上所述，可制造信息记录介质18。在本实施方式中，作为构成信息层的各层的形成方法采用了溅射法。形成方法不限于此，还可采用真空蒸镀法、离子镀法、MBE法等。
另外，在本实施方式中在第2信息层42与第1信息层41之间采用粘接层27来粘合了基板24以及基板25。粘接层的位置、即粘合的位置不限于此。
例如，在基板24上经由分离层29叠层第4信息层44以及第3信息层43，在基板25上经由分离层(其位置是图9的粘接层27的位置)叠层第1信息层41以及第2信息层42，之后，在第3信息层43与第2信息层42之间可采用粘接层(其位置是图9的分离层28的位置)来粘合基板24以及基板25。
N是4的介质如先前与实施方式8关联说明的那样，例如，可具有约100GB的容量，或者可具有约133GB的容量。
作为具有两个基板并具有多个信息层的实施方式7及8说明了N＝2和4的介质。N也可以是3。在N＝3的介质中，第2信息层及第3信息层中任意一方或两方所包含的记录层优选包含具有上述Sb及Sn、且用式(1)～(4)中的某个来表示的材料。另外，即使仅最接近激光束入射侧的第3信息层所包含的记录层包含具有上述Sb及Sn、且用式(1)～(4)中的某个来表示的材料，也能够充分地获得本发明的效果。
N是3的介质如先前所说明的那样，例如，可具有约75GB的容量，或者可具有约100GB的容量。
(实施方式9)在实施方式9中，对在实施方式1至8所说明的信息记录介质中记录信息、和/或再现已记录到介质中的信息的方法的一例进行说明。图10示出在本发明的信息记录介质的记录再现中采用的记录再现装置的结构一例的概括图。从激光二极管501射出的激光束502通过半反光镜 (halfmirror)503以及物镜504，使其焦点对应到信息记录介质506上。信息记录介质506利用电动机505进行旋转。通过使来自信息记录介质506的反射光入射到光探测器507并检测信号来进行信息的再现。
在进行信息信号的记录时，在多个功率电平间对激光束502的强度进行调制。作为调制激光强度的手段可采用以调制半导体激光驱动电流的方式来进行的电流调制手段。在形成记录标记的部分可照射峰值功率Pp的单一矩形脉冲的激光束。或者，在形成特别长的标记的情况下，以防止过度加热记录层、使标记宽度均匀为目的，如图11所示可采用在峰值功率Pp以及底部(bottom)功率Pb(其中，Pp＞Pb)之间调制的由多个脉冲串组成的记录脉冲串。另外，在最后脉冲的后面可设有使激光功率成为冷却功率Pc(Pc＜Pb)的冷却区间。针对未形成标记的部分照射偏置功率Pe(其中，Pp＞Pe)的激光束。
为了将激光束502的点径调整到0.4μm-0.7μm的范围内，物镜504的数值孔径NA优选为0.5～1.1的范围内，最好是0.6～0.9的范围内。激光束502的波长优选在350nm～450nm的范围内。为了难以引起再结晶化、且能够获得充分的删除性能，记录信息时的信息记录介质506的线速度优选为4m/s～50m/S的范围内，最好是9m/s～40m/s的范围内。不言而喻可根据信息记录介质502的种类等，使用这里未例示的波长、物镜的数值孔径以及线速度。例如，激光束502的波长可以是650～670nm。
采用这样的记录再现装置可如下地评价信息记录介质506的性能。
在0～Pp(mw)之间对激光束502进行功率调制，以(1-7)调制方式记录从标记长0.149μm(2T)到0.596μm(8T)的随机信号，并利用时间间隔分析仪来测定记录标记的前端区间以及后端区间的抖动(标记位置的误差)，由此可评价记录性能。另外，抖动值越小，记录性能越好。Pp、Pb、Pc以及Pe被确定为前端区间以及后端区间的抖动平均值最小。被确定的Pp是记录灵敏度。
另外，在0～Pp(mw)之间对激光束502进行功率调制，使标记长0.149μm(2T)和0.671μm(9T)的信号在相同的磁道上连续交替地记录10次，最后利用光谱分析仪来测定在写上2T信号时的2T信号频率下的信号振 幅(carrier level)和噪声振幅(noise level)之比(CNR(Carrier to Noise Ratio))，由此可评价信号强度。CNR越大，信号强度越高。
另外，在0～Pp(mw)之间对激光束502进行功率调制，使2T信号和9T信号在相同的磁道上连续交替地记录10次，将第11次写上2T信号时的2T信号的信号振幅和随后写上9T信号时的2T信号的信号振幅之差作为2T信号的删除率利用光谱分析仪来进行测定，由此可评价删除性能。删除率越大，删除性能越好。
(实施方式10)作为实施方式10，对本发明的信息记录介质的其他例进行说明。图12示出实施方式10的信息记录介质61的一结构例。信息记录介质61是通过电能(尤其是电流)的施加来记录再现信息的电气信息记录介质。
作为基板62可采用聚碳酸酯等树脂基板、玻璃基板、Al2O3等陶瓷基板、Si等半导体基板以及Cu等金属基板。这里对采用Si基板作为基板的形态进行说明。电气信息记录介质61的结构是在基板62上顺次叠层有下部电极63、第1电介质层64、第1记录层65、第2记录层66、第2电介质层67以及上部电极68。为了在第1记录层65以及第2记录层66上施加电流而形成下部电极63以及上部电极68。第1电介质层64是为了调整在第1记录层65上施加的电能量而设置的，第2电介质层67是为了调整在第2记录层66上施加的电能量而设置的。第1电介质层64及第2电介质层67的材料的例子与实施方式1的第1电介质层404的材料的例子相同。
第1记录层65以及第2记录层66由基于施加电流所产生的焦耳热而在结晶相与非晶相之间引起可逆的相变化的材料构成。由此，在该介质中，将在结晶相与非晶相之间电阻率变化的现象利用到信息记录中。第1记录层65以及第2记录层66的至少一方包含具有Sb和S、且用上述式(1)～(4)中的某个来表示的材料。这样的材料和与实施方式1关联说明的相同。任意一方的记录层在不是包含Sb和S的记录层的情况下，可使用与实施方式2关联例示的材料。第1记录层65以及第2记录层66可分别通过与实施方式1的记录层406或实施方式2的记录层496的形成方法同样的方法来形成。
下部电极63以及上部电极68可由Ti、W、Al、Au、Ag、Cu、Pt等单体金属材料来形成。或者下部电极63以及上部电极68将从上述元素中选出的一个或多个元素作为主成分、为了提高耐湿性或调整热传导率等可采用适当添加了一个或多个其他元素的合金材料来形成。在Ar气体氛围中或Ar气体和反应气体(从O2气体或N2气体中选出的至少1种气体)的混合气体氛围中对作为材料的金属原料或合金原料进行溅射，由此可形成下部电极63以及上部电极68。各层的形成方法可以是真空蒸镀法、离子镀法、CVD法或MBE法等。
电气信息记录介质61经由施加部69与电气信息记录再现装置74电连接。在该电气信息记录再现装置74中，在下部电极63与上部电极68之间，为了对第1记录层65以及第2记录层66施加电流脉冲，而经由开关71连接脉冲电源73。另外，为了检测基于第1记录层65以及第2记录层66的相变化的电阻值变化，而在下部电极63与上部电极67之间经由开关72连接电阻测定器70。
为了使位于非晶相(高电阻状态)的第1记录层65或第2记录层66变化至结晶相(低电阻状态)，而闭合开关71(断开开关72)对电极间施加电流脉冲。在施加电流脉冲的部分的温度高于材料的结晶化温度且低于融点的温度下、结晶化期间，保持施加。在从结晶相再次返回到非晶相的情况下，以更短的时间施加比结晶化时相对高的电流脉冲，在成为高于融点的温度使记录层溶融之后，急剧进行冷却。另外，电气信息记录再现装置74的脉冲电源73是可输出图15的记录/删除脉冲波形这样的电源。
这里，将第1记录层65为非晶相时的电阻值设为ra1，将第1记录层65为结晶相时的电阻值设为rc1，将第2记录层66为非晶相时的电阻值设为ra2，将第2记录层66为结晶相时的电阻值设为rc2。可通过rc1≤rc2＜ra1＜ra2、rc1≤rc2＜ra2＜ra1、rc2≤rc1＜ra1＜ra2或rc2≤rc1＜ra2＜ra1，将第1记录层65和第2记录层66的电阻值之和设定为ra1+ra2、ra1+rc2、ra2+rc1以及rc1+rc2这四个不同的值。因此，可通过以电阻测定器70测定电极间的电阻值，来一次检测四个不同的状态即2值的信息。
通过矩阵地配置多个该电气信息记录介质61，可构成如图14所示的大容量的电气信息记录介质81。在各个存储单元77的微小区域中形成有与电气信息记录介质61同样的结构。通过分别指定一个字线75以及位线76，可向各个存储单元77进行信息的记录再现。
图13示出采用了电气信息记录介质81的信息记录系统的一结构例。存储装置79由电气信息记录介质81和地址指定电路78构成。可通过地址指定电路78来分别指定电气信息记录介质81的字线75以及位线76，并向各个存储单元77进行信息的记录再现。另外，通过将存储装置79与至少由脉冲电源73和电阻测定器70构成的外部电路80电连接，可向电气信息记录介质81进行信息的记录再现。实施例
以下，通过实施例对本发明进一步具体地进行说明。(实施例1)在实施例1中，制作图1的信息记录介质11，调查记录层406的材料与信息层40的删除性能以及信号可靠性之间的关系。具体地说，制作具有包含Sb和S且Sb和S的组成比不同的记录层406的8种信息记录介质的样本(1-1至1-8)，并测定信息层40的删除性能以及信号可靠性。
信号可靠性通过再现光恶化来进行评价。这里，再现光恶化定义为：在对记录有信号的磁道照射了规定次数的再现光(再现功率Pr)时的信号强度的降低量(dB)。
样本以如下的方式来制造。首先，作为基板21准备了形成有用于引导激光束31的引导槽(深度20nm、磁道间距0.32μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度1.1mm)。在该聚碳酸酯基板上依次利用溅射法形成了Ag-Pd-Cu层(厚度：80nm)作为反射层402、形成了(ZrO2)50(In2O3)50层(厚度：25nm)作为第1电介质层404、形成了包含Sb和S的记录层406(厚度：10nm)(Sb与S的组成比如表1所示)、且形成了(ZrO2)50(Cr2O3)50层(厚度：5nm)作为第2界面层(未图示)、形成了(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：60nm)作为第2电介质层408。
上述的溅射各层的成膜装置分别具有：用于形成反射层402的Ag-Pd-Cu合金溅射靶、用于形成第1电介质层404的(ZrO2)50(In2O3)50溅射靶、用于形成记录层406的包含Sb和S的溅射靶、用于形成第2界面层的(ZrO2)50(Cr2O3)50溅射靶、用于形成第2电介质层408的(ZnS)80(SiO2)20溅射靶。溅射靶的形状都是直径100mm、厚度6mm。
反射层402的形成是在Ar气体氛围中采用DC电源将压力设为 0.3Pa、将投入功率设为100W来进行的。第1电介质层404的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为200W来进行的。记录层406的形成是在Ar气体氛围中采用DC电源将压力设为0.2Pa、将投入功率设为50W来进行的。第2界面层的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为200W来进行的。第2电介质层408的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为400W来进行的。
最后，将紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)涂布到第2电介质层408上并使其旋转，来形成均匀的树脂层，之后照射紫外线使树脂固化，由此来形成厚度100μm的透明层23。然后，进行了利用激光束使记录层406结晶化的初始化步骤。如以上所述，可制造出记录层406的材料不同的多个样本。
针对这样获得的样本，采用图10的记录再现装置来测定信息记录介质11的信息层40的删除性能以及信号可靠性。在测定中，激光束31的波长是405nm，物镜32的数值孔径NA是0.85，测定时样本的线速度是19.7m/s(相当于以Blu-ray盘为标准的4倍速)，最短标记长(2T)是0.149μm。
关于各个样本，在(表1)中示出记录层406的组成、信息层40的删除性能以及信号可靠性的评价结果。删除性能基于删除率值来进行评价。评价基准如下所述。25dB以上「○」，20dB以上且小于25dB「△」，小于20dB「×」。
信号可靠性基于照射了Pr＝0.35mW的再现光100万次后的再现光恶化量来进行评价。评价基准如下所述。小于0.3dB「○」，0.3dB以上且小于2dB「△」，2dB以上「×」。
在上述评价中，评价为「○」以及「△」的介质表示针对其评价项目可进行实际应用，评价为「×」的介质表示针对其项目不能进行实际应用。
此外，还实施了介质的综合评价。在上述评价项目中有一个被评价为「×」的介质评价为「×」，在上述评价项目中有一个被评价为「△」的介质评价为「○」，在上述评价项目中全部被评价为「○」的介质评价为「◎」。
[表1] 
  样本  No.   记录层的组  成(原子％)   删除性能   信号可靠性   综合评价
  1-1   Sb100   ○   ×   ×
  1-2   Sb98S2   ○   △   ○
  1-3   Sb90S10   ○   △   ○
  1-4   Sb80S20   ○   ○   ◎
  1-5  1-6   Sb70S30  Sb60S40   ○  ○   ○  ○   ◎  ◎
  1-7   Sb50S50   △   ○   ○
  1-8   Sb45S55   ×   ○   ×
其结果可知，在记录层406仅由Sb组成的样本1-1中记录层的结晶化速度过高导致信号可靠性差。另外，在记录层406的组成是Sb45S55的样本1-8中添加S的量过多导致结晶化速度降低、删除55性能恶化。
另外可知，记录层406包含Sb和S、记录层406的组成用式(1)：SbxS100-x(原子％)(其中，x是50≤x≤98)表示的样本1-2～1-7表示良好的删除性能和信号可靠性。由以上结果可知，当记录层406的组成用式(1)表示时，包含该记录层的介质显示出良好的特性。另外可知，在x是60以上80以下时，记录介质还显示出更好的特性。
(实施例2)在实施例2中，与实施例1同样地制作图1的信息记录介质11，并调查记录层406的材料和信息层40的删除性能以及信号可靠性之间的关系。具体地说，制作了具有包含Sb、S和M(M是Sn、Bi、In、Ge以及Mn中的至少一个元素)且Sb/S/M的组成比不同的记录层406的25种信息记录介质11的样本(2-1～2-25)，并测定信息层40的删除性能以及信号可靠性。
样本的制造方法与实施例1所采用的制造方法相同。但是，记录层406是通过在Ar气体氛围中采用DC电源将压力设为0.2Pa、将投入功率设为50W并对包含Sb、S和M(M是Sn、Bi、In、Ge以及Mn中的至少一个元素)的合金溅射靶进行溅射而形成的。
针对这样获得的样本，以与实施例1同样的方法来测定删除性能及信号可靠性。针对各个样本，在(表2)中示出记录层406的组成、信息层40的删除性能以及信号可靠性的评价结果。删除性能基于删除率值进行评价。评价基准如下所述。25dB以上「○」，20dB以上且小于25dB「△」，小于20dB「×」。
信号可靠性基于照射Pr＝0.35mW的再现光100万次后的再现光恶化量来进行评价。评价基准如下所述。小于0.3dB「○」，0.3dB以上且小于2dB「△」，2dB以上「×」。
在上述评价中，被评价为「○」以及「△」的介质表示针对其评价项目可进行实际应用，被评价为「×」的介质表示针对其项目不能进行实际应用。
此外，还实施了介质的综合评价。在上述评价项目中有一个被评价为「×」的介质评价为「×」，在上述评价项目中有一个被评价为「△」的介质评价为「○」，在上述评价项目中全部被评价为「○」的介质评价为「◎」。
[表2] 
  样本  No.   记录层的组成  (原子％)  (括号内是原子比)   删除性能   信号可靠性   综合评价
  2-1   (Sb0.98S0.02)98Ge2   ○   ○   ◎
  2-2   (Sb0.98S0.02)95Ge5   ○   ○   ◎
  2-3   (Sb0.98S0.02)90Ge10   ○   ○   ◎
  2-4   (Sb0.98S0.02)80Ge20   ○   ○   ◎
  2-5   (Sb0.98S0.02)70Ge30   △   ○   ○
  2-6   (Sb0.98S0.02)65Ge35   ×   ○   ×
  2-7   (Sb0.5S0.5)98Sn2   ○   ○   ◎
  2-8   (Sb0.5S0.5)95Sn5   ○   ○   ◎
  2-9   (Sb0.5S0.5)90Sn10   ○   ○   ◎
  2-10   (Sb0.5S0.5)80Sn20   ○   ○   ◎
  2-11   (Sb0.5S0.5)70Sn30   ○   △   ○
  2-12   (Sb0.5S0.5)65Sn35   ○   ×   ×
  2-13   (Sb0.7S0.3)98In2   ○   ○   ◎
  2-14   (Sb0.7S0.3)90In10   ○   ○   ◎
  2-15   (Sb0.7S0.3)80In20   ○   ○   ◎
  2-16   (Sb0.7S0.3)70In30   △   ○   ○
  2-17   (Sb0.7S0.3)65In35   ×   ○   ×
  2-18   (Sb0.7S0.3)98Mn2   ○   ○   ◎
  2-19   (Sb0.7S0.3)90Mn10   ○   ○   ◎
  2-20   (Sb0.7S0.3)80Mn20   △   ○   ○
  2-21   (Sb0.7S0.3)70Mn30   ×   ○   ×
  2-22   (Sb0.7S0.3)98Bi2   ○   ○   ◎
  2-23   (Sb0.7S0.3)90Bi10   ○   ○   ◎
  2-24   (Sb0.7S0.3)80Bi20   ○   △   ○
  2-25   (Sb0.7S0.3)70Bi30   ○   ×   ×
  2-26   (Sb0.7S0.3)90Ge5Sn5   ○   ○   ◎
  2-27   (Sb0.7S0.3)90Mn5Sn5   ○   ○   ◎
  2-28   (Sb0.7S0.3)90Ge5Bi5   ○   ○   ◎
  2-29   (Sb0.7S0.3)90In5Sn5   ○   ○   ◎
  2-30   (Sb0.7S0.3)90Ge3Mn2Sn5   ○   ○   ◎
  2-31   (Sb0.7S0.3)90Ge5Sn3Bi2   ○   ○   ◎
其结果可知，在记录层406的组成是(Sb0.98S0.02)65Ge35的样本2-6 中，因为添加的Ge量多所以结晶化速度降低、删除性能恶化。另外可知，在记录层406的组成是(Sb0.98S0.02)65Sn35的样本2-12中，因为添加Sn的量多所以结晶化速度过高导致信号可靠性差。此外还可知，在记录层406的组成是(Sb0.7S0.3)65In35的样本2-17中，因为添加In的量多所以结晶化速度降低从而无法获得可实际应用的删除性能。
另外可知，记录层406包含Sb、S和M1(M是Ge、Sn及In选出的至少一个元素)、且记录层406的组成用式(2)表示的样本2-1～2-5、2-7～2-11以及2-13～2-16中，删除性能和信号可靠性都是良好的，式(2)：(SbzS1-z)100-yM1y  (原子％)    (2)(下标z表示组合Sb原子数和S原子数后与1相比时的各原子比例，满足0.5≤Z≤0.98，下标y是用原子％表示的组成比，满足0＜y≤30)。由以上的结果可知，包含Sb、S和M1的记录层406的组成优选用式(2)表示的情况。尤其，从样本2-1～2-4、样本2-7～2-10、样本2-13～2-15可知，在上述式(2)中，当y满足2≤y≤20时可获得更好的特性。
在记录层406的组成是(Sb0.7S0.3)70Mn30的样本2-21中可知，因为添加Mn的量多，所以结晶化速度降低，从而无法获得可实际应用的删除性能。另外可知，记录层的组成由于结晶化速度过快从而导致信号可靠性差。此外还可知，在记录层406的组成是(Sb0.7S0.3)70Bi30的样本2-25中，由于添加Bi的量多，所以结晶化速度过高从而导致信号可靠性差。
记录层406包含Sb、S和M2(M2是从Bi及Mn中选出的至少一个元素)且记录层406的组成用式(3)表示的样本2-18～2-20以及2-22～2-24，显示出良好的删除性能和信号可靠性，式(3)：(SbaS1-a)100-bM2b  (原子％)    (2)(下标a表示组合Sb原子数和S原子数后与1相比时的各原子比例，满足0.5≤a≤0.98，下标b是用原子％表示的组成比，满足0＜b≤20)。由以上的结果可知，包含Sb、S和M2的记录层406的组成优选用式(2)所表示的情况。此外，从样本2-18及2-19可知，在上述式(3)中当b满足2≤b≤10时可获得更好的特性。
此外，作为M1包含两种元素的记录介质(样本2-26、2-29)、包含M1及M2的记录介质(样本2-27、2-28、2-30、2-31)也显示出良好的删除性能及信号可靠性。
(实施例3)在实施例3中制造了图1的信息记录介质11，并调查记录层406的厚度和信息层40的删除性能以及信号可靠性之间的关系。具体地说，制作了包含记录层406的厚度不同的信息层40的6种信息记录介质11的样本(3-1～3-6)，并测定信息层40的删除性能以及信号可靠性。
样本的制造方法除了记录层406的厚度之外与实施例1中所采用的制造方法相同。记录层406是通过在Ar气体氛围中采用DC电源将压力设为0.2Pa、将投入功率设为50W并对包含Sb和S的溅射靶进行溅射而形成的。记录层的组成是Sb60S40。
针对这样获得的各个样本，在(表3)中示出记录层406的厚度、信息层40的删除性能以及信号可靠性的评价结果。评价方法是与在实施例1中采用的方法相同的方法。删除性能基于删除率值进行评价。评价基准如下所述。25dB以上「○」，20dB以上且小于25dB「△」，小于20dB「×」。
信号可靠性基于照射Pr＝0.35mW的再现光100万次后的再现光恶化量来进行评价。评价基准如下所述。小于0.3dB「○」，0.3dB以上且小于2dB「△」，2dB以上「×」。
在上述评价中，被评价为「○」以及「△」的介质表示针对其评价项目可进行实际应用，被评价为「×」的介质表示针对其项目不能进行实际应用。
此外，还实施了介质的综合评价。在上述评价项目中有一个被评价为「×」的介质评价为「×」，在上述评价项目中有一个被评价为「△」的介质评价为「○」，在上述评价项目中全部被评价为「○」的介质评价 为「◎」。
[表3] 
  样本  No.   记录层厚  度(nm)   删除性能   信号可靠性   综合评价
  3-1   7   △   ○   ○
  3-2   9   ○   ○   ◎
  3-3   11   ○   ○   ◎
  3-4   13   ○   ○   ◎
  3-5   15   ○   △   ○
  3-6   16   ○   ×   ×
其结果可知，记录层406的厚度是16nm的样本3-6示出记录层406过厚、信号可靠性低。从而可知，只要记录层406的厚度是15nm的范围，介质就能够显示出良好的删除性能和信号可靠性。由以上的结果可知，包含Sb和S的记录层406的厚度优选为15nm以下。另外，只要记录层406的厚度在9nm～13nm的范围内，就能够获得非常良好的特性。
(实施例4)在实施例4中制造了图4的信息记录介质13，并调查第2信息层42所包含的记录层426的厚度和第2信息层42的删除率、信号可靠性、以及第1信息层41的信号强度之间的关系。具体地说，制作了包含记录层426的厚度互不相同的信息层42的信息记录介质13的样本4-1～4-6，并测定第2信息层42的删除率、信号可靠性以及第1信息层41的信号强度。这里，信号强度基于CNR的大小进行评价。另外，信息记录介质13具有将信息层数设为N个(N是N≥2的整数)时的相当于N＝2的2个信息层。
样本如下地进行了制造。首先，作为基板21准备了形成有用于引导激光束31的引导槽(深度20nm、磁道间距0.32μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度1.1mm)。在该聚碳酸酯基板上依次利用溅射法叠层了Ag-Pd-Cu层(厚度：80nm)作为反射层412、叠层了(ZrO2)50(In2O3)50层(厚度：25nm)作为第1电介质层414、叠层了Sb60S40(厚度：10nm)作为记录层416、叠层了(ZrO2)50(Cr2O3)50层(厚度：5nm)作为第2界面层(未图示)、叠层了(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：60nm)作为第2电介质层418。
上述的溅射各层的成膜装置分别具有：用于形成反射层412的Ag-Pd-Cu合金溅射靶、用于形成第1电介质层414的(ZrO2)50(In2O3)50溅射靶、用于形成记录层416的包含Sb和S的溅射靶(为了形成Sb60S40组成的膜而调整了组成的溅射靶)、用于形成第2界面层的(ZrO2)50(Cr2O3)50溅射靶、用于形成第2电介质层418的(ZnS)80(SiO2)20溅射靶。溅射靶的形状都是直径100mm、厚度6mm。
反射层412的形成是在Ar气体氛围中采用DC电源将压力设为0.3Pa、将投入功率设为100W来进行的。第1电介质层414的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为200W来进行的。记录层416的形成是在Ar气体氛围中采用DC电源将压力设为0.2Pa、将投入功率设为50W来进行的。第2界面层的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为200W来进行的。第2电介质层418的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为400W来进行的。
接着，在第2电介质层418上通过旋涂法来涂布紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)，来形成均匀的树脂层。在该树脂层上覆盖有形成引导槽(深度20nm，磁道间距0.32μm)的基板并粘合，然后使树脂固化，在树脂固化后剥离基板。结果，获得了在第2信息层42侧形成有引导激光束31的引导槽的厚度25μm的分离层22。
然后，在分离层22上依次利用溅射法叠层了TiO2层(厚度：20nm)作为透过率调整层421、叠层了Ag-Pd-Cu层(厚度：10nm)作为反射层422、叠层了(ZrO2)50(In2O3)50层(厚度：15nm)作为第1电介质层424、叠层了Sb70S30层作为记录层426、叠层了(ZrO2)50(Cr2O3)50层(厚度：5nm)作为第2界面层(未图示)、叠层了(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：40nm)作为第2电介质层428。
上述的溅射各层的成膜装置分别具有：用于形成透过率调整层421的TiO2溅射靶、用于形成反射层422的Ag-Pd-Cu合金溅射靶、用于形成第1电介质层424的(ZrO2)50(In2O3)50溅射靶、用于形成记录层426的包含Sb和S的溅射靶(为了形成Sb70S30组成的膜而调整了组成的溅射靶)、用于形成第2界面层的(ZrO2)50(Cr2O3)50溅射靶、用于形成第2电介质层428的(ZnS)80(SiO2)20溅射靶。溅射靶的形状都是直径100mm、厚度6mm。
透过率调整层421的形成是在Ar与氧的混合气体氛围(相对于整体为3体积％的比例的氧气)中采用RF电源将压力设为0.3Pa、将投入功率设为400W来进行的。反射层422的形成是在Ar气体氛围中采用DC电源将压力设为0.3Pa、将投入功率设为100W来进行的。第1电介质层424的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为200W来进行的。记录层426的形成是在Ar气体氛围中采用DC电源将压力设为0.2Pa、将投入功率设为50W来进行的。第2界面层的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为200W来进行的。第2电介质层428的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为400W来进行的。
最后，将紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)涂布到第2电介质层428上并使其旋转，来形成均匀的树脂层，之后照射紫外线使树脂固化，由此来形成厚度75μm的透明层23。然后，进行了对记录层416以及记录层426照射激光束使记录层416以及426结晶化的初始化步骤。如以上所述，可制造出记录层426的厚度不同的多个样本。
针对这样获得的样本采用图10的记录再现装置，来测定信息记录介质13的信息层42的删除性能、信号可靠性以及第1信息层41的信号强度。在测定中，激光束31的波长是405nm，物镜32的数值孔径NA是0.85，测定时样本的线速度是19.7m/s，最短标记长(2T)是0.149μm。
关于各个样本，在(表4)中示出记录层426的厚度、第2信息层42的删除性能、信号可靠性以及第1信息层41的信号强度的评价结果。删除性能基于删除率值进行评价。评价基准如下所述。25dB以上「○」，20dB以上且小于25dB「△」，小于20dB「×」。
信号可靠性基于照射Pr＝0.7mW的再现光100万次后的再现光恶化量进行了评价。评价基准如下所述。小于0.3dB「○」，0.3dB以上且小于2dB「△」，2dB以上「×」。
另外，第1信息层41的信号强度基于CNR进行了评价。评价基准如下所述。40dB以上「○」，34dB以上且小于40dB「△」，34dB以下「×」。
在上述评价中，被评价为「○」以及「△」的介质表示针对其评价项目可进行实际应用，被评价为「×」的介质表示针对其项目不能进行实际应用。
此外，还实施了介质的综合评价。在上述评价项目中有一个被评价为「×」的介质评价为「×」，在上述评价项目中有一个被评价为「△」的介质评价为「○」，在上述评价项目中全部被评价为「○」的介质评价为「◎」。
[表4] 
其结果可知，只要记录层426的厚度在4nm～9nm的范围内，就能够获得第2信息层42的删除性能、信号可靠性以及第1信息层41的信号强度全部良好的介质。另外，如果记录层426的厚度在5nm～8nm的范围内，则可以获得更好的特性。
(实施例5)在实施例5中，制造了图5的信息记录介质14，并调查第4信息层44所包含的记录层446的厚度和第4信息层44的删除率、信号可靠性、第3信息层43的信号强度、第2信息层42的信号强度以及第1信息层41的信号强度之 间的关系。具体地说，制作了包含记录层446的厚度互不相同的信息层44的6种信息记录介质14的样本(5-1～5-6)，并测定第4信息层44的删除率、信号可靠性、第3信息层43的信号强度、第2信息层42的信号强度以及第1信息层41的信号强度。这里，信号强度基于CNR进行了评价。另外，信息记录介质14具有将信息层数设为N个(N为N≥2的整数)时的N＝4的4个信息层。
样本如下地进行了制造。首先，作为基板21准备了形成有用于引导激光束31的引导槽(深度20nm、磁道间距0.32μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度1.1mm)。在该聚碳酸酯基板上依次利用溅射法叠层了Ag-Pd-Cu层(厚度：80nm)作为反射层412、叠层了(ZrO2)50(In2O3)50层(厚度：25nm)作为第1电介质层414、叠层了Sb60S40(厚度：10nm)作为记录层416、叠层了(ZrO2)50(Cr2O3)50层(厚度：5nm)作为第2界面层(未图示)、叠层了(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：60nm)作为第2电介质层418。
上述的溅射各层的成膜装置分别具有：用于形成反射层412的Ag-Pd-Cu合金溅射靶、用于形成第1电介质层414的(ZrO2)50(In2O3)50溅射靶、用于形成记录层416的包含Sb和S的溅射靶(为了形成Sb60S40组成的膜而调整了组成的溅射靶)、用于形成第2界面层的(ZrO2)50(Cr2O3)50溅射靶、用于形成第2电介质层418的(ZnS)80(SiO2)20溅射靶。溅射靶的形状都是直径100mm、厚度6mm。
反射层412的形成是在Ar气体氛围中采用DC电源将压力设为0.3Pa、将投入功率设为100W来进行的。第1电介质层414的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为200W来进行的。记录层416的形成是在Ar气体氛围中采用DC电源将压力设为0.2Pa、将投入功率设为50W来进行的。第2界面层的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为200W来进行的。第2电介质层418的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为400W来进行的。
接着，在第2电介质层418上通过旋涂法来涂布紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)，来形成均匀的树脂层。在该树脂层上覆盖有形成引导槽(深度20nm，磁道间距0.32μm)的基板并粘合，然后使树脂固化，在树 脂固化后剥离基板。结果，获得了在第2信息层42侧形成有引导激光束31的引导槽的厚度10μm的分离层22。
然后，在分离层22上依次利用溅射法叠层了TiO2层(厚度：30nm)作为透过率调整层421、叠层了Ag-Pd-Cu层(厚度：8nm)作为反射层422、叠层了(ZrO2)50(In2O3)50层(厚度：10nm)作为第1电介质层424、叠层了Sb80S20层(厚度：4nm)作为记录层426、叠层了(ZrO2)50(Cr2O3)50层(厚度：5nm)作为第2界面层(未图示)、叠层了(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：40nm)作为第2电介质层428。
上述的溅射各层的成膜装置分别具有：用于形成透过率调整层421的TiO2溅射靶、用于形成反射层422的Ag-Pd-Cu合金溅射靶、用于形成第1电介质层424的(ZrO2)50(In2O3)50溅射靶、用于形成记录层426的包含Sb和S的溅射靶(为了形成Sb80S20组成的膜而调整了组成的溅射靶)、用于形成第2界面层的(ZrO2)50(Cr2O3)50溅射靶、用于形成第2电介质层428的(ZnS)80(SiO2)20溅射靶。溅射靶的形状都是直径100mm、厚度6mm。
透过率调整层421的形成是在Ar与氧的混合气体氛围(相对于整体为3体积％的比例的氧气)中采用RF电源将压力设为0.3Pa、将投入功率设为400W来进行的。反射层422的形成是在Ar气体氛围中采用DC电源将压力设为0.3Pa、将投入功率设为100W来进行的。第1电介质层424的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为200W来进行的。记录层426的形成是在Ar气体氛围中采用DC电源将压力设为0.2Pa、将投入功率设为50W来进行的。第2界面层的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为200W来进行的。第2电介质层428的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为400W来进行的。
接着，在第2电介质层428上通过旋涂法来涂布紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)，来形成均匀的树脂层。在该树脂层上覆盖有形成引导槽(深度20nm，磁道间距0.32μm)的基板并粘合，然后使树脂固化，在树脂固化后剥离基板。结果，获得了在第3信息层43侧形成有引导激光束31的引导槽的厚度15μm的分离层28。
然后，在分离层28上依次利用溅射法叠层了TiO2层(厚度：30nm) 作为透过率调整层431、叠层了Ag-Pd-Cu层(厚度：8nm)作为反射层432、叠层了(ZrO2)50(In2O3)50层(厚度：10nm)作为第1电介质层434、叠层了Sb80S20层(厚度：5nm)作为记录层436、叠层了(ZrO2)50(Cr2O3)50层(厚度：5nm)作为第2界面层(未图示)、叠层了(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：38nm)作为第2电介质层438。
上述的溅射各层的成膜装置分别具有：用于形成透过率调整层431的TiO2溅射靶、用于形成反射层432的Ag-Pd-Cu合金溅射靶、用于形成第1电介质层434的(ZrO2)50(In2O3)50溅射靶、用于形成记录层436的包含Sb和S的溅射靶(为了形成Sb80S20组成的膜而调整了组成的溅射靶)、用于形成第2界面层的(ZrO2)50(Cr2O3)50溅射靶、用于形成第2电介质层438的(ZnS)80(SiO2)20溅射靶。溅射靶的形状都是直径100mm、厚度6mm。
透过率调整层431的形成是在Ar与氧的混合气体氛围(相对于整体为3体积％的比例的氧气)中采用RF电源将压力设为0.3Pa、将投入功率设为400W来进行的。反射层432的形成是在Ar气体氛围中采用DC电源将压力设为0.3Pa、将投入功率设为100W来进行的。第1电介质层434的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为200W来进行的。记录层436的形成是在Ar气体氛围中采用DC电源将压力设为0.2Pa、将投入功率设为50W来进行的。第2界面层的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为200W来进行的。第2电介质层438的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为400W来进行的。
接着，在第2电介质层438上通过旋涂法来涂布紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)，来形成均匀的树脂层。在该树脂层上覆盖有形成引导槽(深度20nm，磁道间距0.32μm)的基板并粘合，然后使树脂固化，在树脂固化后剥离基板。结果，获得了在第4信息层44侧形成有引导激光束31的引导槽的厚度10μm的分离层29。
在分离层29上依次利用溅射法叠层了TiO2层(厚度：25nm)作为透过率调整层441、叠层了Ag-Pd-Cu层(厚度：7nm)作为反射层442、叠层了(ZrO2)50(In2O3)50层(厚度：10nm)作为第1电介质层444、叠层了(Sb0.85S0.15) 95Ge5层作为记录层446、叠层了(ZrO2)50(Cr2O3)50层(厚度：5nm)作为第2界 面层(未图示)、叠层了(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：35nm)作为第2电介质层448。
上述的溅射各层的成膜装置分别具有：用于形成透过率调整层441的TiO2溅射靶、用于形成反射层442的Ag-Pd-Cu合金溅射靶、用于形成第1电介质层444的(ZrO2)50(In2O3)50溅射靶、用于形成记录层446的包含Sb、S和Ge的溅射靶(为了形成(Sb0.85S0.15)95Ge5组成的膜而调整了组成的溅射靶)、用于形成第2界面层的(ZrO2)50(Cr2O3)50溅射靶、用于形成第2电介质层448的(ZnS)80(SiO2)20溅射靶。溅射靶的形状都是直径100mm、厚度6mm。
透过率调整层441的形成是在Ar与氧的混合气体氛围(相对于整体为3体积％的比例的氧气)中采用RF电源将压力设为0.3Pa、将投入功率设为400W来进行的。反射层442的形成是在Ar气体氛围中采用DC电源将压力设为0.3Pa、将投入功率设为100W来进行的。第1电介质层444的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为200W来进行的。记录层446的形成是在Ar气体氛围中采用DC电源将压力设为0.2Pa、将投入功率设为50W来进行的。第2界面层的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为200W来进行的。第2电介质层448的形成是在Ar气体氛围中采用RF电源将压力设为0.1Pa、将投入功率设为400W来进行的。
最后，将紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)通过旋涂法涂布到第2电介质层448上，来形成均匀的树脂层，之后照射紫外线使树脂固化，由此来形成厚度65μm的透明层23。然后，进行了采用激光束使记录层416、记录层426、记录层436以及记录层446结晶化的初始化步骤。如以上所述，可制造出记录层446的厚度不同的多个样本。
针对这样获得的样本采用图10的记录再现装置，来测定信息记录介质13的信息层42的删除性能、信号可靠性、第3信息层43的信号强度、第2信息层42的信号强度以及第1信息层41的信号强度。在测定中，激光束31的波长是405nm，物镜32的数值孔径NA是0.85，测定时样本的线速度是19.7m/s，最短标记长(2T)是0.149μm。
针对各个样本，在(表5)中示出记录层446的厚度、第2信息层42的删除性能及信号可靠性、第3信息层43的信号强度、第2信息层42的信号强度以及第1信息层41的信号强度的评价结果。删除性能基于删除率值进 行评价。评价基准如下所述。25dB以上「○」，20dB以上且小于25dB「△」，小于20dB「×」。
信号可靠性基于照射Pr＝1.4mW的再现光100万次之后的再现光恶化量进行了评价。评价基准如下所述。小于0.3dB「○」，0.3dB以上且小于2dB「△」，2dB以上「×」。
另外，各信息层的信号强度基于CNR进行了评价。评价基准如下所述。40dB以上「○」，34dB以上40dB且小于「△」，34dB以下「×」。
在上述评价中，被评价为「○」以及「△」的介质表示针对其评价项目可进行实际应用，被评价为「×」的介质表示针对其项目不能进行实际应用。
[表5] 
Figure G2008800086503D00531
其结果可知，记录层446的厚度是1nm的样本5-1记录层446过薄导致结晶化速度降低、使删除性能变差。另外可知，如果记录层446的厚度在2～6nm的范围内，则第4信息层44的删除性能及信号可靠性、第3信息 层43的信号强度、第2信息层42的信号强度和第1信息层41的信号强度良好。
(实施例6)在实施例6中，制作了图6的信息记录介质15，并与实施例1及2同样地评价了性能。样本如下地进行了制造。首先，作为基板21准备了形成有用于引导激光束31的引导槽(深度40nm、磁道间距0.68μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度0.6mm)。在该聚碳酸酯基板上依次利用溅射法叠层了(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：60nm)作为第2电介质层408、叠层了(ZrO2)50(Cr2O3)50层(厚度：5nm)作为第2界面层(未图示)、叠层了包含Sb和S或包含Sb、S和M且这些组成比不同的记录层406(厚度：10nm)、叠层了(ZrO2)50(In2O3)50层(厚度：25nm)作为第1电介质层404、叠层了Ag-Pd-Cu层(厚度：80nm)作为反射层402。使用的成膜装置、溅射靶、成膜条件(气体种类，压力，投入功率)等与实施例1所使用的相同。
在形成了信息层后，通过旋涂法将紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)涂布到伪基板26上，并形成了均匀的树脂层(厚度20μm)。接着，使基板24上的反射层402粘合到伪基板26上，然后从伪基板26侧照射紫外线使树脂固化。由此，经由粘接层27来粘接基板24和伪基板26。最后，进行了利用激光束使整个记录层406结晶化的初始化步骤。
关于这样获得的样本，利用与实施例1及2同样的方法来测定信息记录介质15的信息层40的删除性能以及信号可靠性。在测定中，激光束11的波长是405nm，物镜41的数值孔径NA是0.65，测定时样本的线速度是22.4m/s，最短标记长是0.173μm。
其结果与实施例1同样，记录层406包含Sb和S、且记录层406的组成用式(1)：SbxS100-x(原子％)(其中，x是50≤x≤98)表示的样本显示了良好的删除性能和信号可靠性。
另外，与实施例2同样，记录层406包含Sb、S和M1(M1是从GeSn及In中选出的至少一个元素)、且记录层406的组成用式(2)：(SbzS1-z)100-yM1y(原子％)(下标z表示组合Sb原子数和S原子数后与1相比时的各原子比例，满足0.5≤Z≤0.98，下标y是用原子％表示的组成比，满足0＜y≤30)来表示的样本显示出良好的删除性能和信号可靠性。
此外，与实施例2同样，记录层406包含Sb、S和M2(M1是从Bi及Mn中选择出的至少一个元素)、且记录层406的组成用式(3)：(SbaS1-a)100-bM2b(原子％)(下标a表示组合Sb原子数和S原子数后与1相比时的各原子比例，满足0.5≤a≤0.98，下标b是用原子％表示的组成比，满足0＜b≤20)来表示的样本显示出良好的删除性能和信号可靠性。
(实施例7)在实施例7中制作了图6的信息记录介质15，并与实施例3同样地评价了性能。
样本的制造方法除了记录层406的厚度只要与实施例6所采用的制造方法是同样的。记录层406是在Ar气体氛围中采用DC电源将压力设为0.2Pa、将投入功率设为50W对包含Sb和S的溅射靶进行溅射而形成的。记录层406的组成是SbxS100-x。
针对这样获得的样本，利用与实施例1同样的方法来评价了删除性能及信号可靠性。其结果可知与实施例3同样，如果记录层406的厚度是7～15nm的范围，则删除性能与信号可靠性都良好。
(实施例8)在实施例8中，制作了图8的信息记录介质17，并与实施例4同样地评价了性能。
样本如下地进行了制造。首先，作为基板24准备了形成有用于引导激光束31的引导槽(深度40nm、磁道间距0.68μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度0.6mm)。在该聚碳酸酯基板上依次利用溅射法叠层了(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：40nm)作为第2电介质层428、叠层了(ZrO2)50(Cr2O3)50层(厚度：5nm)作为第2界面层(未图示)、叠层了Sb70S30层作为记录层426、叠层了(ZrO2)50(In2O3)50层(厚度：15nm)作为第1电介质层424、叠层了Ag-Pd-Cu层(厚度：10nm)作为反射层422、叠层了TiO2层(厚度：20nm)作为透过率调整层421。使用的成膜装置、溅射靶、成膜条件(气体种类，压力，投入功率)等与在实施例4的第2信息层42的形成中所使用的相同。
另外，作为基板25准备了形成有用于引导激光束31的引导槽(深度40nm、磁道间距0.68μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度0.58mm)。然后，在该聚碳酸酯基板上依次利用溅射法叠层了Ag-Pd-Cu层(厚度：80nm) 作为反射层412、叠层了(ZrO2)50(In2O3)50层(厚度：25nm)作为第1电介质层414、叠层了Sb60S40(厚度：10nm)作为记录层416、叠层了(ZrO2)50(Cr2O3)50层(厚度：25nm)作为第2界面层(未图示)、叠层了(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：60nm)作为第2电介质层418。使用的成膜装置、溅射靶、成膜条件(气体种类，压力，投入功率)等与在实施例4的第1信息层41的形成中所使用的相同。
然后，通过旋涂法将紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)涂布到基板25的第2电介质层418上，并形成了均匀的树脂层(厚度20μm)。接着，使基板24上的透过率调整层421粘合到基板25上，之后从基板24侧照射紫外线使树脂固化。其结果是经由粘接层27来粘接基板24和基板25。最后，进行了利用激光束使整个记录层416和记录层426结晶化的初始化步骤。
针对这样获得的样本利用与实施例4所采用的方法相同的方法，测定信息记录介质17的第2信息层42的删除性能、信号可靠性以及第1信息层的信号强度。在测定中，激光束31的波长是405nm，物镜41的数值孔径NA是0.65，测定时样本的线速度是22.4m/s，最短标记长是0.173μm。
其结果可知，与实施例4同样如果记录层426的厚度是4～9nm的范围，则第2信息层42的删除性能及信号可靠性和第1信息层41的信号强度良好。
(实施例9)在实施例9中制作图9的信息记录介质18，并与实施例5同样地评价了性能。
样本如下地进行了制造。首先，作为基板24准备了形成有用于引导激光束31的引导槽(深度40nm、磁道间距0.68μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度0.6mm)。在该聚碳酸酯基板上依次利用溅射法叠层了(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：35nm)作为第2电介质层448、叠层了(ZrO2)50(Cr2O3)50层(厚度：5nm)作为第2界面层(未图示)、叠层了(Sb0.85S0.15)95Ge5层作为记录层446、叠层了(ZrO2)50(In2O3)50层(厚度：10nm)作为第1电介质层444、叠层了Ag-Pd-Cu层(厚度：7nm)作为反射层442、叠层了TiO2层(厚度：25nm)作为透过率调整层441。使用的成膜装置、溅射靶、成膜条件(气体种类，压力，投入功率)等与在实施例5的第4信息层44的形成中所使用的相同。
接着，在透过率调整层441上通过旋涂法来涂布紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)，形成均匀的树脂层。在该树脂层上覆盖有形成引导槽(深度40nm，磁道间距0.68μm)的基板并粘合，然后使树脂固化，在树脂固化后剥离基板。结果，获得了在第3信息层43侧形成有引导激光束31的引导槽的厚度15μm的分离层29。
然后，在分离层29上依次利用溅射法叠层了(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：38nm)作为第2电介质层438、叠层了(ZrO2)50(Cr2O3)50层(厚度：5nm)作为第2界面层(未图示)、叠层了Sb80S20层(厚度：4nm)作为记录层436、叠层了(ZrO2)50(In2O3)50层(厚度：10nm)作为第1电介质层434、叠层了Ag-Pd-Cu层(厚度：8nm)作为反射层432、叠层了TiO2层(厚度：30nm)作为透过率调整层431。使用的成膜装置、溅射靶、成膜条件(气体种类，压力，投入功率)等与在实施例5的第3信息层43的形成中所使用的相同。
接着，通过旋涂法将紫外线固化性树脂(丙烯酸系树脂)涂布到透过率调整层431上，来形成均匀的树脂层。在该树脂层上覆盖形成有引导槽(深度40nm，磁道间距0.68μm)的基板并粘合，然后使树脂固化。在树脂固化后剥离基板。结果，获得了在第3信息层43侧形成有引导激光束31的引导槽的厚度10μm的分离层28。
然后，在分离层28上依次利用溅射法叠层了(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：40nm)作为第2电介质层428、叠层了(ZrO2)50(Cr2O3)50层(厚度：5nm)作为第2界面层(未图示)、叠层了Sb80S20层(厚度：4nm)作为记录层426、叠层了(ZrO2)50(In2O3)50层(厚度：10nm)作为第1电介质层424、叠层了Ag-Pd-Cu层(厚度：8nm)作为反射层422、叠层了TiO2层(厚度：30nm)作为透过率调整层421。使用的成膜装置、溅射靶、成膜条件(气体种类，压力，投入功率)等与在实施例5的第2信息层42的形成中所使用的相同。
另外，作为基板25准备了形成有用于引导激光束31的引导槽(深度40nm、磁道间距0.68μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度0.56mm)。然后，在该聚碳酸酯基板上依次利用溅射法叠层了Ag-Pd-Cu层(厚度：80nm)作为反射层412、叠层了(ZrO2)50(In2O3)50层(厚度：25nm)作为第1电介质层414、叠层了Sb60S40(厚度：10nm)作为记录层416、叠层了(ZrO2)50(Cr2O3)50层(厚度：5nm)作为第2界面层(未图示)、叠层了(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：60nm)作为第2电介质层418。使用的成膜装置、溅射靶、成膜条件(气体种类，压力，投入功率)等与在实施例5的第1信息层41的形成中所使用的相同。
然后，通过旋涂法将紫外线固化性树脂涂布到基板25的第2电介质层428上，并形成了均匀的树脂层(厚度15μm)。使基板24的透过率调整层431粘合到该树脂层上，之后从基板24侧照射紫外线使树脂固化。由此，经由粘接层27来粘接基板24和基板25。最后，进行了利用激光束使整个记录层416、426、436、446结晶化的初始化步骤。
针对这样获得的样本，利用与实施例5所采用的方法相同的方法，来测定信息记录介质18的第4信息层44的删除性能及信号可靠性、第3信息层43的信号强度、第2信息层42的信号强度和第1信息层41的信号强度。在测定中，激光束11的波长是405nm，物镜41的数值孔径NA是0.65，测定时样本的线速度是22.4m/s，最短标记长是0.173μm。
其结果可知，与实施例5同样如果记录层446的厚度是2～6nm的范围，则第4信息层44的删除性能及信号可靠性、第3信息层43的信号强度、第2信息层42的信号强度和第1信息层41的信号强度良好。
从实施例3、4、5、7、8以及9的结果判断出，在信息记录介质11～18中，记录层的厚度优选为2nm～15nm的范围内。即，包含Sb和S的记录层当具有处于2nm～15nm范围内的厚度时，在介质中可确保良好的性能。
(实施例10)改变第2信息层42所包含的记录层426的组成来制作与在实施例4中制作出的信息记录介质相同构成的介质。记录层426的组成在样本10-1中为Sb70Sn30，在样本10-2中为Sb70Ge30。在样本10-1及10-2中，分别采用SbSn合金靶(样本10-1)及SbGe合金靶(样本10-2)在Ar气体氛围中使用DC电源将压力设为0.2Pa、将投入功率设为50W来进行记录层的形成。其他层的材料及形成条件与在实施例4中所制作的样本的相同。
为了与样本10-1及10-2进行比较，准备了在实施例4中所制作的样本45。为了测定这些样本的第2信息层的透过率，而制作了不具有图4所示的信息记录介质13的第1信息层41和分离层22、在基板21上仅形成有第2信息层42和透明层23的透过率测定用样本，并调查记录层426的记录层组成与第2信息层42的透过率之间的关系。
透过率测定用样本如下地进行了制造。首先，作为基板21准备了形成有用于引导激光束31的引导槽(深度20nm，磁道间距0.32μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm，厚度1.1mm)。在基板21上依次利用溅射法叠层了TiO2层(厚度：20nm)作为透过率调整层421、叠层了Ag-Pd-Cu层(厚度：10nm)作为反射层422、叠层了(ZrO2)50(In2O3)50层(厚度：15nm)作为第1电介质层424、叠层了记录层426(厚度：8nm)、叠层了(ZrO2)50(Cr2O3)50层(厚度：5nm)作为第2界面层(未图示)、叠层了(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：40nm)作为第2电介质层428。各层的形成条件与在实施例4中所制作的样本的相同。
最后，利用旋涂法将紫外线固化性树脂涂布到第2电介质层428上，形成均匀的树脂层，之后照射紫外线使树脂固化，由此来形成厚度75μm的透明层23。然后，进行利用激光束使记录层426结晶化的初始化步骤。如以上所述，制造了记录层426的记录层组成不同的透过率测定用的样本。
这些透过率测定用样本在波长405nm下的透过率由分光器来测定，将测定值作为第2信息层的透过率。透过率为49％以上的介质评价为「○」，小于49％的介质评价为「×」。在表6中示出评价结果。
[表6] 
Figure G2008800086503D00591
相当于本发明的样本4-5由于第2信息层的透过率高，因此第1信息层的信号强度也成为充分大。在记录层不包含S的样本10-1及10-2由于透过率小，因此第1信息层的信号强度比样本4-5低。
(实施例11) 改变第4信息层44所包含的记录层446的组成来制作与在实施例5中制作出的信息记录介质相同结构的介质。记录层446的组成在样本11-1中为Sb80Sn20，在样本11-2中为Sb80Ge20。在样本11-1及11-2中，分别采用SbSn合金靶(样本11-1)及SbGe合金靶(样本11-2)在Ar气体氛围中使用DC电源将压力设为0.2Pa、将投入功率设为50W来进行记录层的形成。其他层的材料及形成条件与在实施例5中所制作的样本的相同。
为了与这些样本进行比较，准备了在实施例5中所制作的样本5-5。为了测定这些样本第4信息层的透过率，而制作了不具有图5所示的信息记录介质14的第1、第2、第3信息层41、42、43和分离层22、28、29、在基板21上仅形成有第4信息层44和透明层23的透过率测定用样本，并调查记录层446的记录层组成与第4信息层44的透过率之间的关系。
透过率测定用样本如下地进行了制造。首先，作为基板21准备了形成有用于引导激光束31的引导槽(深度20nm，磁道间距0.32μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm，厚度1.1mm)。在基板21上依次利用溅射法叠层了TiO2层(厚度：25nm)作为透过率调整层441、叠层了Ag-Pd-Cu层(厚度：7nm)作为反射层442、叠层了(ZrO2)50(In2O3)50层(厚度：10nm)作为第1电介质层444、叠层了记录层446(厚度：5nm)、叠层了(ZrO2)50(Cr2O3)50层(厚度：5nm)作为第2界面层(未图示)、叠层了(ZnS)80(SiO2)20层(厚度：35nm)作为第2电介质层448。各层的形成条件与在实施例5中所制作的样本的相同。
最后，利用旋涂法将紫外线固化性树脂涂布到第2电介质层448上，形成均匀的树脂层，之后照射紫外线使树脂固化，由此来形成厚度65μm的透明层23。然后，进行利用激光束使记录层446结晶化的初始化步骤。如以上所述，制造了记录层446的记录层组成不同的透过率测定用的样本。
这些透过率测定用样本在波长405nm下的透过率由分光器来测定，将测定值作为第4信息层的透过率。透过率为68％以上的介质评价为「○」，小于68％的介质评价为「×」。在表7中示出评价结果。
[表7] 
Figure G2008800086503D00611
第3信息层的信号强度也成为充分大。在记录层不包含S的样本11-1及11-2由于透过率小，因此第1～第3信息层的信号强度比样本5-5低。
(实施例12)在实施例12中，在图12所示的电气信息记录介质61中制造了没有第2记录层66的电气信息记录介质61，并确认了基于该电流施加的相变化。
作为基板62准备了表面已氮化处理的Si基板，在该基板上形成了由Pt组成、表面积是6μm×6μm、厚度是0.1μm的层来作为下部电极63。在该下部电极63上形成了由(SiO2)50(ZrO2)50组成、表面积是4.5μm×5μm、厚度是0.01μm的层来作为第1电介质层64。此外，还形成了由Sb80S20组成、表面积是5μm×5μm、厚度是0.05μm的层来作为第1记录层65。形成了由(SiO2)50(ZrO2)50组成、表面积是4.5μm×5μm、厚度是0.01μm的层来作为第2电介质层67。形成了由Pt组成、表面积是5μm×5μm、厚度是0.1μm的层来作为上部电极68。各个层都是通过溅射法来形成的。
第1电介质层64以及第2电介质层67是绝缘体。因此，为了在第1记录层65上流过电流，第1电介质层64以及第2电介质层67形成为具有小于第1记录层65的表面积，下部电极63及上部电极68分别与第1记录层65部分连接。
然后，在下部电极63以及上部电极68上连接Au导线，并经由施加部69将电气信息记录再现装置74与电气信息记录介质61连接。通过该电气信息记录再现装置74，将脉冲电源73经由开关71连接在下部电极63与上部电极68之间。此外，通过经由开关72连接到下部电极63与上部电极68之 间的电阻测定器70来检测基于第1记录层65的相变化的电阻值变化。
当第1记录层65为非晶相时，在下部电极63与上部电极68之间具有图15的记录波形901，由于施加了Ic1＝5mA、tc1＝50ns的电流脉冲，所以第1记录层65从非晶相转移到结晶相。另外，在第1记录层65为结晶相时，在下部电极63与上部电极68之间具有图15的删除波形906，由于施加了Ia1＝10mA、ta1＝10ns的电流脉冲，所以第1记录层65从结晶相转移到非晶相。
另外，由于测定了电气相变化信息记录介质61的反复改写次数，所以具有第1电介质层64以及第2电介质层67的介质的反复改写次数是没有第1电介质层64以及第2电介质层67的介质的10倍以上。这是因为，第1电介质层64以及第2电介质层67抑制了从下部电极63以及上部电极68向第1记录层65的物质移动。
另外，即使采用Sb80S20以外的Sb-S系材料、Sb-S-M系材料(M是从S、n、Bi、In、Ge以及Mn中选出的至少一个元素)来形成第1记录层48也能够获得同样的结果。产业上的可利用性
本发明的信息记录介质具有可长时间保持记录信息的性质(非易失性)，作为高密度的改写型光盘等(例如，Blu-ray DiscRewritable(BD-RE)、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW等)或电气存储器是有用的。

Claims (24)

1.一种信息记录介质，包含N个信息层，其中N为2以上的整数，其中，
设上述N个信息层从激光入射侧开始为第N信息层、第N-1信息层、第N-2信息层……第2信息层、第1信息层时，第2信息层～第N信息层中的至少一个信息层含有能产生相变化的记录层，上述记录层含有包含Sb和S、且用下式(1)来表示的材料，并且厚度在2nm～9nm的范围内，
SbxS100-x  (原子％)   (1)
其中，下标x是用原子％表示的组成比，满足50≤x≤98。
2.根据权利要求1所述的信息记录介质，在上述式中x满足50≤x≤80。
3.根据权利要求1或2所述的信息记录介质，在上述记录层中，Sb原子和S原子的合计占构成记录层的全部原子的90原子％以上。
4.根据权利要求1或2所述的信息记录介质，在上述记录层中，Sb原子和S原子的合计占构成记录层的全部原子的99原子％以上。
5.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，
上述记录层含有还包含M1、且用下式(2)来表示的材料，
(SbzS1-z)100-yM1y  (原子％)    (2)
其中M1是从Ge、In以及Sn中选出的至少一个元素，下标z表示Sb原子数和S原子数之和设为1时的各原子比例，满足0.5≤z≤0.98，下标y是用原子％表示的组成比，满足0＜y≤30。
6.根据权利要求5所述的信息记录介质，在上述记录层中，Sb原子、S原子以及M1原子占构成记录层的全部原子的99原子％以上。
7.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，
上述记录层含有还包含M2、且用下式(3)来表示的材料，
(SbaS1-a)100-bM2b  (原子％)    (3)
其中，M2是从Bi及Mn中选出的至少一个元素，下标a表示Sb原子数和S原子数之和设为1时的各原子比例，满足0.5≤a≤0.98，下标b是用原子％表示的组成比，满足0＜b≤20。
8.根据权利要求7所述的信息记录介质，在上述记录层中，Sb原子、S原子以及M2原子占构成记录层的全部原子的99原子％以上。
9.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，
上述记录层含有还包含M1和M2、且用下式(4)来表示的材料，
(SbcS1-c)100-d-eM1dM2e  (原子％)    (4)
其中，M1是从Ge、In及Sn中选出的至少一个元素，M2是从Bi及Mn中选出的至少一个元素，下标c表示Sb原子数和S原子数之和设为1时的各原子比例，满足0.5≤c≤0.98，下标d及e是用原子％表示的组成比，满足0＜d＜30、0＜e≤20、0＜d+e≤30。
10.根据权利要求9所述的信息记录介质，在上述记录层中，Sb原子、S原子、M1原子及M2原子占构成记录层的全部原子的99原子％以上。
11.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，
上述N是2。
12.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，
上述N是4。
13.根据权利要求12所述的信息记录介质，其中，
第N信息层含有上述包含Sb和S的记录层。
14.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，
上述包含Sb和S的记录层是通过激光束的照射而发生相变化的层，含有上述包含Sb和S的记录层的上述信息层从上述激光束入射侧开始至少顺次包含第2电介质层、上述包含Sb和S的记录层、第1电介质层以及反射层。
15.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，
上述包含Sb和S的记录层是通过激光束的照射而发生相变化的层，含有上述包含Sb和S的记录层的上述信息层从上述激光束入射侧开始至少顺次包含第2电介质层、上述包含Sb和S的记录层、第1电介质层、反射层以及透过率调整层。
16.一种信息记录介质的制造方法，上述信息记录介质包含N个信息层，其中N为2以上的整数，设上述N个信息层从激光入射侧开始为第N信息层、第N-1信息层、第N-2信息层……第2信息层、第1信息层时，第2信息层～第N信息层中的至少一个信息层含有能产生相变化的记录层，上述记录层是包含Sb和S的记录层，其中，
该信息记录介质的制造方法包含信息层的形成步骤，该信息层的形成步骤具有通过溅射法来形成上述记录层的步骤，在上述记录层的形成步骤中使用包含Sb和S的溅射靶，采用上述溅射靶形成的膜包含用下式(1)来表示的材料，并且具有在2nm～9nm范围内的厚度，
SbxS100-x  (原子％)    (1)
其中，下标x是用原子％表示的组成比，满足50≤x≤98。
17.根据权利要求16所述的信息记录介质的制造方法，其中，
上述溅射靶还包含M1，其中M1是从Ge、In及Sn中选出的至少一个元素，采用上述溅射靶形成的膜包含用下式(2)来表示的材料，
(SbzS1-z)100-yM1y  (原子％)    (2)
其中，下标z表示Sb原子数和S原子数之和设为1时的各原子比例，满足0.5≤z≤0.98，下标y是用原子％表示的组成比，满足0＜y≤30。
18.根据权利要求16所述的信息记录介质的制造方法，其中，
上述溅射靶还包含M2，其中M2是从Bi及Mn中选出的至少一个元素，采用上述溅射靶形成的膜包含用下式(3)来表示的材料，
(SbaS1-a)100-bM2b  (原子％)    (3)
其中，下标a表示Sb原子数和S原子数之和设为1时的各原子比例，满足0.5≤a≤0.98，下标b是用原子％表示的组成比，满足0＜b≤20。
19.根据权利要求16所述的信息记录介质的制造方法，其中，
上述溅射靶还包含M1和M2，其中M1是从Ge、In及Sn中选出的至少一个元素，M2是从Bi及Mn中选出的至少一个元素，采用上述溅射靶形成的膜包含用下式(4)来表示的材料，
(SbcS1-c)100-d-eM1dM2e  (原子％)    (4)
其中，下标c表示Sb原子数和S原子数之和设为1时的各原子比例，满足0.5≤c≤0.98，下标d及e是用原子％表示的组成比，满足0＜d＜30、0＜e≤20、0＜d+e≤30。
20.根据权利要求16～19中任意一项所述的信息记录介质的制造方法，其中，
上述N是2。
21.根据权利要求16～19中任意一项所述的信息记录介质的制造方法，其中，
上述N是4。
22.根据权利要求16所述的信息记录介质的制造方法，其中，
含有上述包含Sb和S的记录层的形成步骤在内的上述信息层的形成步骤，至少顺次实施反射层的形成步骤、第1电介质层的形成步骤、上述包含Sb和S的记录层的形成步骤以及第2电介质层的形成步骤。
23.根据权利要求16所述的信息记录介质的制造方法，其中，
含有上述包含Sb和S的记录层的形成步骤在内的上述信息层的制造步骤，至少顺次实施第2电介质层的形成步骤、上述记录层的形成步骤、第1电介质层的形成步骤以及反射层的形成步骤。
24.根据权利要求22或23所述的信息记录介质的制造方法，还具备以下的步骤：
在上述反射层的形成步骤之前或之后，实施透过率调整层的形成步骤。
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