CN101981620A - 信息记录介质、记录装置、再现装置以及再现方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种信息记录介质、记录装置、再现装置及再现方法。该信息记录介质，具有可记录信息的N个(N为N≥3的整数)信息层，且通过照射激光，进行在各信息层上的信息记录以及上述各信息层中所记录的信息的再现，上述N个信息层包括：从激光入射侧按顺序配置的第N信息层、第N-1信息层、第N-2信息层...第2信息层、第1信息层，上述第N信息层的反射率为R_N，第M信息层(M为满足N＞M≥1的所有的整数)的反射率为R_M，当再现上述第N信息层中所记录的信息时，照射至上述第N信息层的激光的上限再现功率为Pr_Nmax，在进行上述第M信息层中所记录的信息的再现时，照射至上述第M信息层的激光的上限再现功率为Pr_Mmax，且同时满足下列公式(1)、(2)。R_N＞R_M ···(1)；Pr_Nmax＜Pr_Mmax ···(2)。

Description

信息记录介质、记录装置、再现装置以及再现方法

技术领域

本发明涉及一种信息记录介质，特别涉及一种具有3层以上的通过激光的照射进行信息的记录以及所记录的信息的再现的信息层的信息记录介质、在该信息记录介质中进行记录的记录装置、进行该信息记录介质的再现的再现装置、以及再现该信息记录介质的再现方法。

背景技术

近年来，可通过激光的照射进行信息的记录、删除、改写、再现的信息记录介质的研制开发及产品化在广泛地进行。这种信息记录介质具有包括由相变化型记录材料等的薄膜构成的记录层的信息层。当记录信息的情况下，通过向记录层照射激光，进行局部加热，从而形成由于照射条件的不同而导致光学常数不同的区域。例如，由于激光的照射所产生的热量的缘故，使记录层的相变化材料在结晶相和非晶质相之间发生状态变化，记录信息。具体而言，例如，在记录层的磁道上，形成用基于通过应该记录的信息而调制的信号的长度所表示的空格以及标记的组合。

在将相变化记录材料用于记录层的信息记录介质中，由于相变化是可逆性的，因此，在可进行信息的删除或改写的改写型信息记录介质的情况下，一般来讲，记录层的初始状态为结晶相。在记录信息的情况下，通过照射高功率的激光，将记录层的一部分熔解，然后，通过快速冷却，使被照射激光的部分成为非晶质相。在删除信息的情况下，通过照射比记录时功率低的激光，使记录层的一部分的温度上升，然后，通过慢慢冷却，使被照射激光的部分成为结晶相。另外，通过在记录层上照射用高功率和低功率进行了功率调制的激光，可一边删除所记录的信息，一边记录新的信息、也就是说可进行改写。

为了高速进行信息的删除或改写，需要在短时间内将非晶质相变化为结晶相。即：在改写型信息记录介质中，为了实现高的删除性能，需要在记录层中使用结晶化速度快的相变化材料。并且，在将不产生可逆性相变化的材料用于记录层的追记型信息记录介质中，不能进行信息的改写，只能进行1次的信息记录。

在信息记录介质中所记录的信息的再现，是通过检测根据结晶相和非晶质相之间的反射率的不同的反射光的光量变化而进行的。具体而言，是通过在信息记录介质上照射某种设定为一定的再现功率的激光，并检测出由信息记录介质反射的光的强度作为信号而进行的。反射光的强度与信息记录介质的反射率和激光的再现功率之积成比例。一般来讲，反射光的强度越大，信息的再现信号质量变得越高，因此，优选再现功率高。

但是，当再现改写型信息记录介质或追记型信息记录介质等可记录的信息记录介质的情况下，如果再现功率过高，则在信息记录介质中形成的记录层的标记或空格的部分的状态发生变化，获得的再现信号的质量变差。即：用在信息记录介质中形成的标记或空格等所表示的信息变差。因此，将再现时照射在信息记录介质上的激光的能量，换句话说，将再现功率设定得不会过高(参照专利文献1)。将难以由于再现而导致信息变差这一性能称为再现耐久性能。以下，将不会由于再现而导致信息变差的上限的再现功率称为上限再现功率。越是再现耐久性能高的信息记录介质，上限再现功率越高。上限再现功率是按照每个信息层规定的，是各信息层所具备的特性之一。

近年来，作为用于将信息记录介质大容量化的技术，提出了各种各样的技术方案。例如，使用具有2个信息层的改写型信息记录介质，通过从其一侧入射的激光进行2个信息层的记录·再现(专利文献2、专利文献3)。根据该技术，通过使用2个信息层，可将信息记录介质的记录容量增加2倍。

在通过从一侧入射的激光进行2个信息层的记录以及再现的信息记录介质中，离入射侧远的信息层(以下称为第1信息层)的记录以及再现是利用透射离入射侧近的信息层(以下称为第2信息层)的激光进行的。因此，如果第2信息层的透射率低，则到达第1信息层的激光的能量衰减。另外，来自第1信息层的反射光再次透射第2信息层，因此，来自第1信息层的反射光进一步衰减，反射光的强度会降低。因此，基于反射光的再现信号的质量会降低。

考虑到第2信息层中的光的衰减，也可以想到用更强的激光在第1信息层中记录信息。但是，在这种情况下，需要用功率更强的激光照射第1信息，当激光的功率超过记录装置的界限的情况下，变得不能进行良好的记录，记录质量变差。另外，在这种情况下，更强的激光不衰减地照射至第2信息层。因此，离激光入射侧最近的信息层具有容易由于再现的缘故使信号变差、难以提高再现耐久性能的倾向。

通过以上描述可知，优选第2信息层具有尽可能高的透射率。另外，为了实现为达到大容量化而具有例如3层或4层的增加了信息层的数量的信息记录介质，需要进一步提高入射侧的信息层(第3信息层或第4信息层)的透射率。特别是离激光入射侧最近的信息层在向与该信息层相比离激光入射侧远的信息层进行记录再现的情况下，透射激光。因此，离激光入射侧最近的信息层的透射率优选尽可能高。一般来讲，记录材料由于消光系数大，因此，为了使其具有高的透射率，优选激光入射侧的信息层的记录层的厚度薄。

与再现耐久性能相关的这一倾向，改写型信息记录介质以及追记型记录介质这两者都适用。在改写型信息记录介质的情况下，如上所述，也需要考虑记录层的删除性能。因此，需要对记录层等进行调整，以便兼顾删除性能和再现耐久性能。

专利文献1：JP特开2001-14679号公报

专利文献2：JP特开2000-36130号公报

专利文献3：国际公开第03/025922号文本

但是，在改写型的信息记录介质的情况下，一般来讲，由相变化材料构成的记录层越薄，结晶化速度越慢。因此，难以发生由非晶质相向结晶相的相变化，信息的删除性能恶化。由于这一点，有时会选择相变化材料，以使离激光入射侧近的信息层的记录层比离激光入射侧远的信息层的记录层厚，并且加快结晶化速度。不过，由于如果结晶化速度变化，则再现耐久性能恶化，因此，结晶化速度不能过快。

另一方面，在可记录的信息记录介质中，如果包括在信息层中的记录层的厚度过薄，则信息层的特性降低。例如，在改写型信息记录介质的情况下，如果记录层的厚度过薄，则难以兼顾删除性能和再现耐久性能。因此，在具有3个以上的信息层的信息记录介质中，存在如下问题：在离需要高透射率的激光入射侧最近的一侧的信息层中，不能高质量地进行信息的再现。

发明内容

本发明就是鉴于上述课题而实现的，其目的是：提供一种可以在具有3个以上的信息层的信息记录介质的所有信息层中高质量地进行信息的再现的信息记录介质。另外的目的是：提供一种适合该信息记录介质的记录装置、再现装置以及再现方法。

本发明的信息记录介质具有可记录信息的N个(N为N≥3的整数)信息层，通过照射激光，进行在各信息层上的信息的记录以及上述各信息层中所记录的信息的再现，上述N个信息层包括：从激光入射侧按顺序配置的第N信息层、第N-1信息层、第N-2信息层...第2信息层、第1信息层，上述第N信息层的反射率为R_N，第M信息层(M为满足N＞M≥1的所有的整数)的反射率为R_M，当再现上述第N信息层中所记录的信息时，照射至上述第N信息层的激光的上限再现功率为Pr_Nmax，当再现上述第M信息层中所记录的信息时，照射至上述第M信息层的激光的上限再现功率为Pr_Mmax，且同时满足下列公式(1)、(2)。

R_N＞R_M    ···(1)

Pr_Nmax＜Pr_Mmax    ···(2)

在某优选的实施方式中，上述第N信息层的上述反射率R_N和上述第N-1信息层的上述反射率R_N-1满足下列公式(3)。

R_N/R_N-1≥1.2···(3)

在某优选的实施方式中，上述第N信息层的上述反射率R_N和上述上限再现功率Pr_Nmax之积R_N×Pr_Nmax与第N-1信息层的反射率R_N-1和上限再现功率Pr_N-1max之积R_N-1×Pr_N-1max相等。

在某一实施方式中，上述第N信息层以及第N-1信息层分别至少包括：反射层、第1电介质层、通过激光的照射能引起相变化的记录层和第2电介质层；上述第2电介质层、上述记录层、上述第1电介质层以及上述反射层从上述激光入射侧按照该顺序配置；上述第2电介质层、上述记录层、上述第1电介质层以及上述反射层在上述第N信息层和上述第N-1信息层中分别由相同的材料构成。

在某优选的实施方式中，上述第N信息层以及第N-1信息层还分别包括位于上述反射层的上述激光入射侧的相反一侧的透射率调整层，且上述透射率调整层在第N信息层和第N-1信息层中由相同的材料构成。

在某一优选实施方式中，上述N为3。

本发明的再现装置是用于再现上述任意一项中所述的信息记录介质中所记录的信息的再现装置，该再现装置将上述第N信息层中所记录的信息以再现功率Pr_N(Pr_N≤Pr_Nmax)进行再现；将上述第N-1信息层中所记录的信息以再现功率Pr_N-1(Pr_N-1≤Pr_N-1max)进行再现。

本发明的记录装置是用于在上述任意一项中所述的信息记录介质中记录信息的记录装置，且通过向上述信息记录介质照射上述激光来记录信息。

本发明的信息记录介质的再现方法用于再现上述任意一项中所述的信息记录介质中所记录的信息，该再现方法包括：将上述第N信息层中所记录的信息以再现功率Pr_N(Pr_N≤Pr_Nmax)进行再现的工序，以及将上述第N-1信息层中所记录的信息以再现功率Pr_N-1(Pr_N-1≤Pr_N-1max)进行再现的工序，上述第N信息层的上述反射率R_N和上述再现功率Pr_N之积R_N×Pr_N与上述第N-1信息层的上述反射率R_N-1和上述再现功率Pr_N-1之积R_N-1×Pr_N-1相等

在某一实施方式中，上述激光的波长λ在400nm到410nm的范围内，为了将上述激光会聚在上述各信息层上而使用的物镜的开口数NA，在0.84到0.86的范围内。

(发明效果)

根据本发明的信息记录介质，通过使第N信息层的反射率R_N高于其他信息层的反射率R_M，从而即使降低第N信息层的再现功率，也可在第N信息层中实现高质量的信息再现。随之，可采用使第N信息层的上限再现功率低于其他信息层的上限再现功率的结构，并提高设计的自由度。因此，可进行重视透射率的设计，与以往相比，可提高第N信息层的透射率，并且可提高从第1信息层到达第N-1信息层的激光的强度。其结果是，在从第1信息层到第N-1信息层的各信息层中都能实现高质量的信息再现。

另外，根据本发明的信息记录介质的再现方法，由于第N信息层的反射率和再现功率之积与第N-1信息层的反射率和再现功率之积相等，因此，即使第N信息层的再现功率比第N-1信息层的再现功率小，也能在第N信息层中实现高质量的信息再现。

附图说明

图1(a)是表示本发明的信息记录介质的一个实施方式的部分剖视图，(b)是用于说明各信息层中的反射率的示意图。

图2是详细表示图1所示的信息记录介质的构成的部分剖视图。

图3是表示本发明的记录再现装置的一个实施方式的概要性框图。

图4是表示在使用图3所示的记录再现装置而将信息记录在图1所示的信息记录介质上的情况下所使用的记录脉冲波形的一个例子的概要图。

图中：

11   信息记录介质

21   基板

22   分离层

23   透明层

28   分离层

31   激光

32   物镜

40   信息层

41   第1信息层

42   第2信息层

43   第3信息层

402  反射层

403  反射层侧界面层

404  第1电介质层

405  第1界面层

406  记录层

407  第2界面层

408  第2电介质层

412  反射层

413  反射层侧界面层

414  第1电介质层

415  第1界面层

416  记录层

417  第2界面层

418  第2电介质层

421  透射率调整层

422  反射层

423  反射层侧界面层

424  第1电介质层

425  第1界面层

426  记录层

427  第2界面层

428  第2电介质层

431  透射率调整层

432  反射层

433  反射层侧界面层

434  第1电介质层

435  第1界面层

436  记录层

437  第2界面层

438  第2电介质层

501  激光二极管

502  激光

503  半反射镜

504  物镜

505  电动机

506  信息记录介质

507  光电探测器

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的信息记录介质、记录装置、再现装置以及再现方法的实施方式进行说明。以下的实施方式仅是一个例子，本发明不局限于以下的实施方式。另外，在以下的实施方式中，为了避免重复说明导致说明书冗长，对相同的结构要素赋予相同的附图符号，有时会省略对该结构要素的说明。

(第1实施方式)

对本发明的信息记录介质的一个实施方式进行说明。图1(a)是作为本发明的一个实施方式的信息记录介质11的部分剖视图。信息记录介质11具有N个信息层，在记录装置或再现装置中，通过照射由物镜32会聚的激光31，在各信息层上记录信息，另外，再现在各信息层中所记录的信息。N为满足N≥3的整数。在本实施例中，N为3。但是，N也可以为4以上。

如图1(a)所示，在信息记录介质11中，N个信息层包括：从激光31的入射侧F按顺序配置的第3信息层43、第2信息层42以及第1信息层41。即：从激光31的入射侧F，按顺序配置第N信息层、第N-1信息层、第N-2信息层...、第2信息层以及第1信息层。将从第N信息层以外的第1信息层到第N-1信息层或从第1个到第N个总称为第M信息层或第M个。M是满足N＞M≥1的所有的整数。

另外，在本申请说明书中，“信息层”是指具有可记录信息的结构的层状的结构体。以下，将对信息层的具体结构进行详细的说明。从离激光31的入射侧F最远的信息层到激光31的入射侧F，N个信息层也被称为L0层、L1层...L(N-1)层。

优选的是，信息记录介质11还包括在第2信息层42和第3信息层43之间配置的分离层28、在第1信息层41和第2信息层42之间配置的分离层22以及基板21。隔着分离层22、28层叠的3个信息层被基板21支撑，以使第1信息层41成为基板21一侧。更加优选的是，信息记录介质11包括与第3信息层43相比配置在更靠近激光31的入射侧F的透明层23。

在记录装置或再现装置中，通过调节物镜32与信息记录介质11的各信息层的距离，透射透明层23的激光31被会聚，以便在进行信息的记录或再现的信息层中形成规定大小的光束点(beam spot)，在该信息层中记录信息，另外，再现在该信息层中记录的信息。

激光31的波长λ越短，越能通过物镜32将激光31会聚，以形成小的光束点。但是，如果波长λ过短，则透明层23等中的激光31的光吸收变大。因此，优选激光31的波长λ在350nm～450nm的范围内。

在信息记录介质11中，到达位于离基板21比第3信息层43还近的一侧的信息层的激光，由于在透射该信息层之前先透射激光31的入射侧F的信息层，所以会衰减。因此，优选第1信息层41以及第2信息层42具有高的记录灵敏度。另外，优选第2信息层42以及第3信息层43具有高的透射率。

基板21为圆盘状，支撑从第1信息层41到透明层23为止的各层。在基板21的第1信息层41一侧的表面上也可以形成用于引导激光31的引导槽。优选基板21的第1信息层41一侧的相反一侧R具有平滑的表面。基板21由聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片烯系树脂、玻璃或将上述这些进行适当组合后的材料等形成。特别地，由于聚碳酸酯树脂的转写性·批量生产性优异且成本低，因此，优选作为基板21的材料。

在信息记录介质11中，分离层22、28是为了调整在用基板21支撑的第1信息层41、第2信息层42以及第3信息层43的信息记录介质11的厚度方向上的高度(位置)而设置的。通过调整各信息层的位置，可用物镜32将激光31只会聚到所希望的信息层上，并在其他的信息层上使激光31成为发散的状态，因此，即使具有多个信息层，也可只在所希望的信息层上进行信息的记录以及再现。也就是说，分离层22、28会调整信息记录介质11中的焦点位置。

分离层22、28的厚度优选为由物镜32的开口数NA和激光31的波长λ所决定的焦点深度以上。另一方面，如果分离层22、28过厚，则从信息记录介质11的激光31的入射侧F到第1信息层41的距离变长。因此，信息记录介质11相对于激光31倾斜时的慧形像差变大，难以正确地将激光31会聚在第1信息层41上。即：从降低慧形像差的观点来看，优选分离层22、28越薄越好。假设当λ＝405nm、NA＝0.85的情况下，优选分离层22、28的厚度在5μm～50μm的范围内。

优选分离层22、28的激光31的波长中的光吸收小。在分离层22、28的激光31的入射侧F，也可以形成用于引导激光31的引导槽。分离层22、28可以由聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片烯系树脂、紫外线硬化性树脂、迟效性热硬化树脂、玻璃或将上述这些适当组合之后的材料等形成。

透明层23位于比第3信息层43靠近激光31的入射侧F，且保护第3信息层43。优选激光31的波长中的光吸收小。透明层23可以由聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片烯系树脂、紫外线硬化性树脂、迟效性热硬化树脂、玻璃或将上述这些适当组合之后的材料等形成。另外，也可以将由这些材料构成的薄片用作透明层23。

如果透明层23过薄，则不能充分发挥保护第3信息层43的功能。另外，如果过厚，则与分离层22、28同样，从信息记录介质11的激光31的入射侧到第1信息层41的距离变长。因此，信息记录介质11相对于激光31倾斜时的慧形像差变大，难以将激光31正确地会聚在第1信息层41上。假设当NA＝0.85的情况下，优选透明层的厚度在5μm～150μm的范围内；更优选在40μm～110μm的范围内。

本实施方式的信息记录介质，为了在N个信息层的所有层中都能实现高质量的信息再现，将N个信息层中最靠近激光31的入射侧F的信息层即第N信息层的反射率设定得比其他的信息层高，并且，将第N信息层的上限再现功率设定得比其他的信息层小。

具体地，如图1(b)所示，在第N信息层的反射率为R_N，第M信息层(M为满足N＞M≥1的整数)的反射率为R_M的情况下，对于满足N＞M≥1的所有整数M，满足下列公式(1)的关系。

R_N＞R_M    ···(1)

在此，反射率R_N以及反射率R_M是按照以下方式进行定义的，即：在构成信息记录介质11的状态下，从激光31的入射侧F入射到信息记录介质11的光分别在第N信息层以及第M信息层上反射，以射出光的光量与在射出到信息记录介质11的激光31的入射侧F的情况下的入射光的光量之比例来定义反射率R_N以及反射率R_M。并不是第N信息层以及第M信息层的单独状态下的反射率。

另外，如图1(b)所示，当进行在第N信息层中所记录的信息的再现时，向第N信息层照射的激光的上限再现功率为Pr_Nmax；当进行在第M信息层中所记录的信息的再现时，向第M信息层照射的激光的上限再现功率为Pr_Mmax，对于满足N＞M≥1的所有整数M，满足下列公式(2)的关系。

Pr_Nmax＜Pr_Mmax  ···(2)

在以往的信息记录介质中，为了使各信息层中的再现性能等特性相同，将各信息层的反射率或上限再现功率设定为相同的值。相比之下，在本实施方式的信息记录介质11中，通过如上所述使第N信息层的反射率R_N高于其他信息层(第M信息层)的反射率R_M，从而即使降低第N信息层的再现功率，也可增大反射光的光量。因此，在第N信息层中，可实现高质量的信息再现。另外，通过降低第N信息层的再现功率，由于在激光入射之前不会透射其他的信息层，因此，可抑制将强度没有衰减的激光进行入射的第N信息层中所记录的信息的变差。而且，通过使第N信息层的上限再现功率低于其他的信息层，由于第N信息层的记录层即使不具有高的再现耐久性能，也会变好，因此，可提高选择记录层的材料时的自由度以及设计的自由度。因此，可进行重视透射率的设计，与现有技术相比，可提高第N信息层的透射率，并且可提高从第1信息层到达第N-1信息层的激光的强度。因此，在第1信息层到第N-1信息层中都能实现高质量的信息再现。

优选第N信息层的反射率R_N和第N-1信息层的反射率R_N-1满足下列公式(3)。

R_N/R_N-1≥1.2     ···(3)

由此，与第N-1信息层的反射率R_N-1相比，可充分地提高第N信息层的反射率R_N，即使降低第N信息层的再现功率，也可充分增加来自第N信息层的反射光的光量。因此，在第N信息层中，能更可靠地实现高质量的信息的再现。

优选第N信息层的反射率R_N和上限再现功率Pr_Nmax之积R_N×Pr_Nmax与第N-1信息层的反射率R_N-1和上限再现功率Pr_N-1max之积R_N-1×Pr_N-1max相等。这里所说的相等，不仅包括2个积完全一致的情况，也包括在±5％左右的范围内一致的情况。具体是指下列公式(4)的关系成立的情况。

[数1]

$0.95\≤\left|\frac{R_{N-1\max }\×{\mathrm{Pr}}_{N-1\max }}{R_{N\max }\×{\mathrm{Pr}}_{N\max }}\right|\≤1.05---\left(4\right)$

在满足上述关系的情况下，来自第N信息层的反射光和来自第N-1信息层的反射光的光量大致相等。因此，可使得在将记录在第N信息层中的信息再现的情况下获得的再现信号和在将记录在第N-1信息层中的信息再现的情况下获得的再现信号的质量达到相同的程度。

图2为更详细地表示图1的各信息层的信息记录介质11的部分剖视图。如图2所示，第1信息层41优选包括第2电介质层418、记录层416、第1电介质层414以及反射层412。第2电介质层418、记录层416、第1电介质层414以及反射层412按照该顺序从激光31的入射侧F进行配置。

图2中虽然没有表示，但是可以根据需要，在反射层412和第1电介质层414之间设置反射层侧界面层413。同样，可以在第1电介质层414和记录层416之间设置第1界面层415；也可以在第2电介质层418和记录层416之间设置第2界面层417。

第2信息层42优选包括第2电介质层428、记录层426、第1电介质层424、反射层422以及透射率调整层421。第2电介质层428、记录层426、第1电介质层424、反射层422以及透射率调整层421从激光31的入射侧F按照该顺序进行配置。

图2中虽然没有表示，但是可以根据需要，在反射层422和第1电介质层424之间设置反射层侧界面层423。同样，可以在第1电介质层424和记录层426之间设置第1界面层425；也可以在第2电介质层428和记录层426之间设置第2界面层427。

第3信息层43优选包括第2电介质层438、记录层436、第1电介质层434、反射层432以及透射率调整层431。第2电介质层438、记录层436、第1电介质层434、反射层432以及透射率调整层431从激光31的入射侧F按照该顺序进行配置。

图2中虽然没有表示，但是可以根据需要，在反射层432和第1电介质层434之间设置反射层侧界面层433。同样，可以在第1电介质层434和记录层436之间设置第1界面层435；也可以在第2电介质层438和记录层436之间设置第2界面层437。

接下来，对构成第1信息层41的各层进行说明。记录层416由通过激光31的照射而在结晶相和非晶质相之间引起可逆性的相变化的材料构成。作为记录层416的材料，可以使用含有下列的任意一种的材料：(Ge-Sn)Te、GeTe-Sb₂Te₃、(Ge-Sn)Te-Sb₂Te₃，GeTe-Bi₂Te₃、(Ge-Sn)Te-Bi₂Te₃、GeTe-(Sb-Bi)₂Te₃、(Ge-Sn)Te-(Sb-Bi)₂Te₃、GeTe-(Bi-In)₂Te₃、(Ge-Sn)Te-(Bi-In)₂Te₃、Sb-Te、Sb-Ge、(Gb-Te)-Ge、Sb-In、(Sb-Te)-In、Sb-Ga以及(Sb-Te)-Ga。在记录层416中，优选非晶质相的部分可通过记录时的激光照射而容易地变化为结晶相，以及优选在不进行激光照射时不变化为结晶相。

记录层416如果过薄，则不能获得充分的反射率、反射率变化以及删除率。另外，如果记录层416过厚，则由于热容量变大，记录敏感度降低。因此，记录层416的厚度优选在5nm～15nm的范围内。更优选在8nm～12nm的范围内。

反射层412具有增加被记录层416吸收的光量的光学功能和使在记录层416生成的热扩散的热功能。在反射层412的材料中可使用含有从Ag、Au、Cu以及Al中所选择的至少1种元素的材料。例如，可使用Ag-Cu、Ag-Ga-Cu、Ag-Pd-Cu、Ag-Nd-Au、A1Ni、A1Cr、Au-Cr、Ag-In这些合金。特别是Ag合金由于热传导率大，因此优选作为反射层412的材料。虽然反射层412越厚，热扩散功能越高，但是，如果过厚，则热扩散功能过高，记录层416的记录敏感度降低。因此，反射层412的厚度优选在30nm～200nm的范围内，更优选在70nm～140nm的范围内。

第1电介质层414位于记录层416和反射层412之间，具有调节从记录层416到反射层412的热扩散的热功能以及调节反射率或吸收率等的光学功能。作为第1电介质层414的材料，可使用例如：ZrO₂、HfO₂、ZnO、SiO₂、SnO₂、Cr₂O₃、TiO₂、In₂O₃、Ga₂O₃、Y₂O₃、CeO₂、DyO₂等氧化物；ZnS、CdS等硫化物；SiC等碳化物的单体；或它们的混合物，例如ZrO₂-SiO₂、ZrO₂-SiO₂-Cr₂O₃、ZrO₂-SiO₂-Ga₂O₃、HfO₂-SiO₂-Cr₂O₃、ZrO₂-SiO₂-In₂O₃、ZnS-SiO₂、SnO₂-SiC。特别是ZnS-SiO₂作为第2电介质层的材料非常优异。ZnS-SiO₂具有成膜速度快、透明、机械特性以及耐湿性良好的特征。

如果第1电介质层414过厚，则反射层412的冷却效果变弱，来自记录层416的热扩散变小，因此，记录层416变得难以进行非晶质化。另外，如果第1电介质层414过薄，则反射层412的冷却效果变强，来自记录层416的热扩散变大，敏感度降低。因此，第1电介质层414的厚度优选在2nm～40nm的范围内，更优选在8nm～30nm的范围内。

反射层侧界面层413具有防止由于第1电介质层414的材料的缘故而导致反射层412被腐蚀或被破坏的功能。具体而言，在反射层412中使用含有Ag的材料，并且，在第1电介质层414中使用含有S的材料(例如，ZnS-SiO₂)时，由于Ag与S进行反应，因此可以防止腐蚀。

作为反射层侧界面层413的材料，可使用Ag之外的金属，例如Al、或Al合金。另外，作为反射层侧界面层413的材料也可使用：不含有S的电介质材料，例如ZrO₂、HfO₂、ZnO、SiO₂、SnO₂、Cr₂O₃、TiO₂、In₂O₃、Ga₂O₃、Y₂O₃、CeO₂、DyO₂等的氧化物；SiC等的碳化物的单体；或它们的混合物，例如ZrO₂-SiO₂、ZrO₂-SiO₂-Cr₂O₂、ZrO₂-SiO₂-Ga₂O₂、HfO₂-SiO₂-Cr₂O₃、ZrO₂-SiO₂-In₂O₃、SnO₂-SiC。或者也可使用C等。

如果反射层侧界面层413过厚，则妨碍第1电介质414的热功能以及光学功能；另外，如果过薄，则会使防止反射层412的腐蚀、破坏的功能降低。因此，反射层侧界面层413的厚度优选在1nm～100nm的范围内，更优选在5nm～40nm的范围内。

第1界面层415具有防止由于反复记录而在第1电介质层414和记录层416之间发生的物质移动的作用。第1界面层415优选具有在记录时不会熔融的程度的高熔点，且由与记录层416紧密性良好的材料构成。作为第1界面层415的材料，可使用例如：ZrO₂、HfO₂、ZnO、SiO₂、SnO₂、Cr₂O₃、TiO₂、In₂O₃、Ga₂O₃、Y₂O₃、CeO₂、DyO₂等的氧化物；ZnS、CdS等的硫化物；SiC等的碳化物的单体；或它们的混合物，例如ZrO₂-SiO₂、ZrO₂-SiO₂-Cr₂O₃、ZrO₂-SiO₂-Ga₂O₃、HfO₂-SiO₃-Cr₂O₃、ZrO₂-SiO₂-In₂O₃、ZnS-SiO₂、SnO₂-SiC。另外，也可使用C等。特别是，由于与记录层416的紧密性优异，因此，特别优选Ga₂O₃、ZnO、In₂O₃等作为第1界面层415的材料。

如果第1界面层415过薄，则不能发挥作为界面层的效果；如果过厚，则妨碍第1电介质层414的热功能以及光学功能。因此，第1界面层415的厚度优选在0.3nm～15nm的范围内；更优选在1nm～8nm的范围内。

第2电介质层418相对于记录层416位于激光入射侧F，且具有防止记录层416的腐蚀、变形等的功能和调整反射率或吸收率等的光学功能。对于第2电介质层418，可使用与第1电介质层414相同的材料。特别是以ZnS-SiO₂作为第2电介质层的材料非常优异。ZnS-SiO₂具有成膜速度快、透明、机械特性以及耐湿性良好的特征。

如果第2电介质层418过薄，则防止记录层416的腐蚀、变形等的功能降低。另外，第2电介质层418的厚度可通过基于矩阵法的计算而严密地确定，以满足在记录层416为结晶相的情况下和非晶质相的情况下的反射光量的变化变大的条件；第2电介质层418的厚度优选在20nm～80nm的范围内。

第2界面层417与第1界面层415相同，且具有防止由于反复记录的缘故而在第2电介质层418和记录层416之间发生的物质移动的功能。因此，优选与第1界面层415具有相同性能的材料。

与第1界面层415相同，第2界面层417的厚度优选在0.3nm～15nm的范围内；更优选在1nm～8nm的范围内。

信息层41由上述反射层412、第1电介质层414、记录层416以及第2电介质层418，并且，根据需要，再加上反射层侧界面层413、第1界面层415以及第2界面层417而构成。

接下来，对构成第2信息层42的各层进行说明。对于记录层426，可使用与第1信息层41的记录层416相同的材料。为了提高第2信息层42的透射率，记录层426的厚度优选在10nm以下，更优选在4nm～8nm的范围内。

反射层422具有与第1信息层41的反射层412同样的功能。具体而言，具有增加被记录层426吸收的光量的光学功能和将记录层426产生的热量扩散的热功能。因此，对于反射层422，可以使用与第1信息层41的反射层412相同的材料。特别是由于Ag合金的热传导率高，因此优选作为反射层422的材料。

为了提高第2信息层42的透射率，反射层422的厚度优选在20nm以下，更优选在3nm～14nm的范围内。由于反射层422的厚度在该范围内，因此，反射层422的光学功能以及热功能变得充分。

第1电介质层424具有与第1信息层41的第1电介质层414相同的功能。具体而言，具有调节从记录层426向反射层422进行的热扩散的热功能和调节反射率或吸收率等的光学功能。因此，对于第1电介质层424，可使用与第1信息层41的第1电介质层414的材料相同的材料。

为了实现充分的光学功能以及热功能，第1电介质层424的厚度优选在1nm～40nm的范围内；更优选在4nm～30nm的范围内。

第2电介质层428具有与第1信息层41的第2电介质层418相同的功能。具体而言，具有防止记录层426的腐蚀、变形等的功能和调整反射率或吸收率等的光学功能。因此，对于第2电介质层428，可使用与第1信息层41的第2电介质层418的材料相同的材料。第2电介质层428的厚度可通过基于矩阵法的计算而严密地确定，以满足在记录层426为结晶相的情况下和非晶质相的情况下的反射光量的变化变大的条件。

透射率调整层421由电介质构成，具有调节第2信息层42的透射率的功能。利用该透射率调整层421，可同时提高记录层426为结晶相的情况下的第2信息层42的透射率Tc(％)和记录层426为非晶质相的情况下的第2信息层42的透射率Ta(％)。

作为透射率调整层421的材料，可使用：TiO₂、ZrO₂、HfO₂、ZnO、Nb₂O₅、Ta₂O₅、Al₂O₃、SiO₂、Cr₂O₃、CeO₂、Ga₂O₃、Bi₂O₃等的氧化物；或者Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ge-N、Cr-N、Al-N等的氮化物；或ZnS等硫化物的单体；或它们的混合物。为了提高透射率Tc以及Ta，透射率调整层421的折射率n₁和消光系数k₁优选为n₁≥2.4、并且k₁≤0.1。因此，在上述材料中，更优选使用TiO₂或含有TiO₂的材料。这些材料的折射率大(n₁＝2.6～2.8)，消光系数小(k₁＝0.0～0.1)。因此，使用这些材料形成的透射率调整层421，可有效地提高第2信息层42的透射率。

当透射率调整层421的厚度为大致λ/8n₁(其中，λ为激光31的波长λ；n₁为透射率调整层491的材料的折射率)时，可有效地提高透射率Tc以及Ta。假设λ＝405nm，n₁＝2.6的情况下，考虑到反射率等其他条件，透射率调整层491的厚度优选在5nm～36nm的范围内。

反射层侧界面层423、第1界面层425以及第2界面层427分别具有与第1信息层41的反射层侧界面层413、第1界面层415以及第2界面层417相同的功能，可使用与构成第1信息层41的对应层的材料相同的材料形成。

构成第3信息层43的各层具有与构成第2信息层的对应层相同的功能，可使用相同的材料。具体而言，优选的是，第3信息层43的第2电介质层438、记录层436、第1电介质层434、反射层432以及透射率调整层431，由与构成第2信息层42的第2电介质层428、记录层426、第1电介质层424、反射层422以及透射率调整层421的材料相同的材料形成。

为了使信息记录介质11满足上述公式(1)到(4)，从上述材料中选择构成在第1信息层41、第2信息层以及第3信息层43中所包含的各层、分离层22、分离层28以及透明层23的材料，另外，根据上述优选的厚度范围，决定合适的值。这种信息记录介质11，可通过使用与例如公知的改写型2层状法记录介质相同的设计方法进行设计。

信息记录介质11可利用以下说明的方法进行制造。首先，在基板21(厚度为例如1.1mm)上层叠第1信息层41。第1信息层41，虽然由多层膜构成，但是，这些层可按顺序通过溅射形成。并且，根据基板21的材料不同，基板21具有高的吸湿性，因此，根据需要，可以在进行溅射之前实施除去水分的基板退火工序。

各层可在Ar气体、Kr气体或Xe气体等的稀有气体气氛中或稀有气体与反应气体(从氧气以及氮气中选择的至少一种气体)的混合气体气氛中，通过将构成各层的材料的溅射靶进行溅射而形成。作为溅射方法，可根据需要，对DC溅射法和RF溅射法分开使用。通常，由于DC溅射法可提高成膜率，因此为优选。但是，有时电介质材料等导电性低的材料不能利用DC溅射法进行溅射，在这种情况下，通过RF溅射法来形成各层。另外，当使用的虽然是电介质材料，但其导电性高时、或者当使用在溅射靶的制造过程中通过努力而提高了导电性的材料的溅射靶时，可采用DC溅射法或脉冲DC溅射法。

有时，利用溅射成膜的各层的组成与构成原始的溅射靶的材料的组成不完全一致。例如，在氧化物的情况下，由于溅射的缘故，容易发生氧缺失。在这种情况下，通过使用氧气作为反应气体，可弥补氧缺失。构成溅射靶的材料的组成被确定为使通过溅射成膜的膜具有所希望的组成。并且，溅射靶以及通过溅射成膜的膜能用例如X射线微量分析仪进行分析，来确认组成。

具体而言，信息记录介质11的制造，首先包括在基板21上成膜反射层412。反射层412可通过在稀有气体气氛中或稀有气体与反应气体的混合气体气氛中，对构成反射层412的由金属或合金形成的溅射靶进行DC溅射而形成。

接下来，根据需要，在反射层412上成膜反射层侧界面层413。反射层侧界面层413可通过在稀有气体气氛中或稀有气体与反应气体的混合气体气氛中，对由构成反射层侧界面层413的材料形成的溅射靶进行溅射而形成。反射层侧界面层413的材料，当为金属等导电性高的材料的情况下，使用DC溅射法；当为氧化物等导电性低的材料的情况下，使用RF溅射法即可。

接下来，在反射层侧界面层413上，或在反射层412上成膜第1电介质层414。第1电介质层414可通过在稀有气体气氛中或稀有气体与反应气体的混合气体气氛中，针对由构成第1电介质层414的材料形成的溅射靶，主要利用RF溅射法进行溅射而形成。之所以使用RF溅射法是因为：在构成第1电介质层414的材料之中，导电性低的材料很多，DC溅射不适合。

接下来，根据需要，在第1电介质层414上成膜第1界面层415。第1界面层415可通过在稀有气体气氛中或稀有气体与反应气体的混合气体气氛中，对由构成第1界面层415的材料形成的溅射靶，主要进行RF溅射而形成。

接下来，在第1界面层415上，或在第1电介质层414上成膜记录层416。记录层416可以通过在稀有气体气氛中，对由构成记录层416的材料形成的溅射靶，主要进行DC溅射而形成。

接下来，根据需要，在记录层416上成膜第2界面层417。第2界面层417可通过在稀有气体气氛中或稀有气体与反应气体的混合气体气氛中，对由构成第2界面层417的材料形成的溅射靶，主要进行RF溅射而形成。

接下来，在第2界面层417上，或在记录层416上成膜第2电介质层418。第2电介质层418可通过在稀有气体气氛中或稀有气体与反应气体的混合气体气氛中，对由构成第2电介质层418的材料形成的溅射靶，主要进行RF溅射而形成。

如上所述，在基板21上层叠第1信息层41，然后，在第1信息层41上形成分离层22。分离层22可通过以下方式形成，即：将紫外线硬化树脂(例如，丙烯系树脂以及环氧系树脂)或迟效性热硬化树脂涂敷在第1信息层41上，然后，将其整个进行旋转，将树脂均匀地涂开(旋涂)，然后，使该树脂硬化。并且，当分离层22具有激光31的引导槽的情况下，引导槽可通过以下方式形成，即：使形成槽的基板(模子)与硬化前的树脂紧贴在一起，在该状态下将整体进行旋转，进行旋涂，使树脂硬化，然后，剥离基板(模子)，形成引导槽。

通常，第1信息层41的记录层416在成膜的状态(as-depo的状态)下为非晶质状态。因此，可以根据需要，实施照射激光等操作，进行将记录层416结晶化的初始化工序。

接下来，在分离层22上形成第2信息层42。具体而言，首先在分离层22上成膜透射率调整层421。透射率调整层421可通过在稀有气体气氛中或稀有气体与反应气体的混合气体气氛中，针对由构成透射率调整层421的材料形成的溅射靶，利用RF溅射法或DC溅射法进行溅射而形成。

接下来，在透射率调整层421上成膜反射层422。反射层422可利用与第1信息层41的反射层412相同的方法形成。

接下来，根据需要，在反射层422上成膜反射层侧界面层423。反射层侧界面层423可利用与第1信息层41的反射层侧界面层413相同的方法形成。

接下来，在反射层侧界面层423上或反射层422上成膜第1电介质层424。第1电介质层424可利用与第1信息层41的第1电介质层414相同的方法形成。

接下来，根据需要，在第1电介质层424上成膜第1界面层425。第1界面层425可利用与第1信息层41的第1界面层415相同的方法形成。

接下来，在第1界面层425上或第1电介质层424上成膜记录层426。记录层426可利用与第1信息层41的记录层416相同的方法形成。

接下来，根据需要，在记录层426上成膜第2界面层427。第2界面层427可利用与第1信息层的第2界面层417相同的方法形成。

接下来，在第2界面层427上或记录层426上成膜第2电介质层428。第2电介质层428可利用与第1信息层的第2电介质层418相同的方法形成。

如上所述，在分离层22上层叠第2信息层，然后，在第2信息层42上形成分离层28。分离层28可利用与分离层22相同的方法形成。

并且，在成膜第2电介质层428之后，或在形成分离层28之后，可根据需要，实施照射激光等操作，进行将记录层426结晶化的初始化工序。

接下来，在分离层28上层叠第3信息层43。具体而言，在分离层28上，将透射率调整层431、反射层432、第1电介质层434、记录层436以及第2电介质层438按照该顺序成膜。此时，可以根据需要，在反射层432和第1电介质层434之间成膜反射层侧界面层433。也可以在第1电介质层434和记录层436之间成膜第1界面层435。也可以在第2电介质层438和记录层436之间成膜第2界面层437。这些层分别可利用与第2信息层42的各层相同的方法形成。

如上所述，在分离层28上层叠第3信息层43，然后，在第3信息层43上形成透明层23。

透明层23可通过以下方式形成，即：将紫外线硬化树脂(例如，丙烯系树脂以及环氧系树脂)或迟效性热硬化树脂涂敷在第3信息层43上，进行旋涂，然后，使该树脂硬化。并且，透明层23也可以使用由圆盘状的聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片烯系树脂或玻璃形成的圆盘状的板或片形成。在这种情况下，透明层23可通过以下方式形成，即：将紫外线硬化性树脂或迟效性热硬化性树脂涂敷在第3信息层43上，使板或片与涂敷后的树脂紧贴在一起，进行旋涂，然后，使硬化性树脂硬化，从而形成透明层23。作为其他的方法，也可以在板或片上事先均匀地涂敷粘接性树脂，然后，将板或片与第2电介质层438紧贴在一起。

并且，在成膜第2电介质层438之后，或在形成透明层23之后，可以根据需要，实施照射激光等的操作，进行将记录层426结晶化的初始化工序。

通过如上步骤可制造信息记录介质11。并且，在本实施方式中，作为构成信息层的各层的成膜方法，虽然使用了溅射法。但是，不局限于溅射法，也可以使用真空蒸镀法、离子电镀法、MBE(分子束取向生长：Molecular Beam Epitaxy)法等方法。

另外，在本实施方式中，虽然对具有3个信息层的信息记录介质11进行了阐述，但是在信息层数量为4以上的情况下也可用同样的方法制造。

另外，在本实施方式中，记录层416、426、436是在结晶相和非晶质相之间引起可逆性相变化的层，信息记录介质11是改写型光记录介质。但是，信息记录介质11也可以是追记型光记录介质，在该情况下，记录层416、426、436也可以是引起非可逆性变化的层。作为引起非可逆性变化的层的材料，可使用例如Te-O-Pd等。在该情况下，第1信息层41的记录层416的厚度优选在10nm～50nm的范围内；第2信息层42的记录层426以及第3信息层的记录层436的厚度优选在6nm～30nm的范围内。

(第2实施方式)

以下，参照附图，对本发明的记录装置、再现装置以及信息记录介质的再现方法的实施方式进行说明。在本实施方式中，对在通过第1实施方式说明的信息记录介质11中记录信息的记录装置以及用于再现记录在信息记录介质11中的信息的再现装置以及再现方法进行说明。

图3是表示本实施方式的既是记录装置也是再现装置的记录再现装置的构成的一个例子的概要图。图3所示的记录再现装置具有：激光二极管501、半反射镜503、物镜504、电动机505以及光电探测器507。

电动机505是用于旋转驱动信息记录介质11的驱动部，且承载信息记录介质11，并使其旋转。激光二极管501是射出激光502的光源。从激光二极管501射出的激光502透射半反射镜503，由物镜504聚光到信息记录介质11。

当将记录在信息记录介质11中的信息再现的情况下，利用光电探测器507检测出激光502的反射光。具体而言，通过调整物镜504和信息记录介质11之间的距离，将激光502会聚到记录了应该再现的信息的信息层上，用所会聚的激光502扫描在该信息层上形成的引导槽。通过半反射镜，将在信息层中反射的激光502的反射光引导至光电探测器507，用光电探测器507检测反射光。当再现时，也可以在激光二极管501的驱动电流中叠加高频电流，将激光502射出。综上所述，本实施方式的记录再现装置向信息记录介质11的各记录层上照射激光502，检测来自各记录层的反射光，进行信息的再现。

此时，为了抑制信息层中所记录的信息即记录标记或空间的变差，将照射在信息层的激光502的强度设定为上限再现功率以下。如第1实施方式所述，当信息记录介质11具有N个信息层的情况下，照射在第N信息层的激光的上限再现功率为Pr_Nmax，对于满足N＞M≥1的关系的所有整数M，向第M信息层照射的激光的上限再现功率为Pr_Mmax。Pr_Nmax和Pr_Mmax满足Pr_Nmax＜Pr_Mmax的关系。

实际上，再现各信息层中所记录的信息时的激光502的再现功率为上述上限再现功率以下。具体而言，再现第N信息层中所记录的信息时的再现功率Pr_M满足Pr_N≤Pr_Nmax的关系。另外，再现第M信息层中所记录的信息的时的再现功率Pr_M满足Pr_M≤Pr_Mmax的关系。因此，在M＝N-1的情况下，再现第N-1信息层中所记录的信息时的再现功率Pr_N-1满足Pr_N-1≤Pr_N-1max的关系。

如在第1实施方式所说明的那样，针对第N信息层的反射率R_N以及满足N＞M≥1的关系的任意的整数M，第M信息层的反射率R_M满足R_N＞R_M的关系。因此，在M＝N-1的情况下，第N-1信息层的反射率R_N-1满足R_N＞R_N-1的关系。另外，此时，设定再现功率，以使第N信息层的反射率R_N和再现功率Pr_N之积R_N×Pr_N与第N-1信息层的反射率R_N-1和再现功率Pr_N-1之积R_N-1×Pr_N-1相等。这里所说的相等，不仅包括2个积完全一致的情况，也包括在±5％左右的范围内一致的情况。具体是指下列公式(5)的关系成立的情况。

[数2]

$0.95\≤\left|\frac{R_{N-1}\×{\mathrm{Pr}}_{N-1}}{R_N\×{\mathrm{Pr}}_N}\right|\≤1.05---\left(5\right)$

由于满足上述条件，因此，当再现第N信息层时获得的反射光与当再现第N-1信息层时获得的反射光的强度大致一致，可抑制再现信号的质量的偏差。另外，通过使第N信息层的反射率R_N高于其他信息层(第M信息层)的反射率R_M，从而即使降低第N信息层的再现功率，也可增大反射光的光量。因此，在第N信息层中，可实现高质量的信息再现。另外，通过降低第N信息层的再现功率，从而在激光入射之前不会透射其他的信息层，因此，可抑制将强度没有衰减的激光进行入射的第N信息层中所记录的信息的变差。而且，通过降低第N信息层的再现功率，由于第N信息层的记录层即使不具有高的再现耐久性能，也可以变好，因此，可提高选择记录层的材料时的自由度。由此，可选择透射率更高的材料，并且可提高从第1信息层到达第N-1信息层的激光的强度。因此，在第1信息层到第N-1信息层中都能实现高质量的信息再现。

当在信息记录介质11记录信息的情况下，生成通过应该记录的信息调制的调制信号，利用调制信号将激光502的强度在多个功率级之间进行调制。作为调制激光强度的方法，可使用通过调制半导体激光的驱动电流来进行的电流调制方法。针对形成记录标记的部分，可使用峰值功率Pp的单一矩形脉冲。或者，特别是在形成长标记的情况下，出于节省过剩的热量，且使标记幅度达到均匀的目的，如图4所示，可使用由在峰值功率Pp和谷底功率Pb(这里，Pp＞Pb)之间所调制的多个脉冲列构成的记录脉冲列。另外，也可以在最后的脉冲之后设置冷却功率Pc的冷却区间。对于不形成标记的部分，利用偏压功率Pe(这里，Pp＞Pe)来保持恒定。如上所述，本实施方式的记录再现装置，根据记录信号，向信息记录介质的各信息层上照射激光502，记录信息。

并且，为了将激光502的光点径调整在0.4μm～0.7μm的范围内，物镜504的开口数NA优选在0.5～1.1的范围内；更优选在0.6～0.9的范围内。激光502的波长λ优选在350nm～450nm的范围内。记录信息时的信息记录介质506的线速度优选在难以发生再结晶化、并且可获得充分的删除性能的3m/s～40m/s的范围内，更优选在6m/s～30m/s的范围内。毋庸置疑，根据信息记录介质506的种类等，可以使用此处没有举例说明的波长、物镜的开口数以及线速度。例如，激光502的波长λ可以是650～670nm。

可使用如上所述的记录再现装置，对信息记录介质11的性能进行评价。以下，对两种评价方法进行说明，它们分别是：针对每一层的容量被设为25GB的BD规格的记录方法的评价方法；以及通过缩短最短标记，将每一层的容量提高为33.4GB的记录方法的评价方法。记录再现时使用的激光502的波长λ在400nm到410nm的范围内，物镜504的NA在0.84到0.86的范围内。根据信息记录介质11的种类等，也可以是使用将每一层的容量设为此处没有举例说明的容量的记录方法的评价方法。

信息记录介质11的记录性能可以通过以下方式进行评价，即：将激光502在0～Pp(mW)之间进行功率调制，用(1-7)调制方式来记录标记长度为2T到8T的随机信号，利用时间间隔分析器来测定记录标记的前端之间以及后端之间的时基误差(jitter)(标记位置的误差)，由此进行评价。并且，时基误差值越小，记录性能越好。并且，记录功率Pp、Pb、Pc以及Pe是按照前端之间以及后端之间的时基误差的平均值成为最小的方式来决定的。将此时的最合适的Pp作为记录敏感度。在此，当每一层的容量为25GB的情况下，2T标记长度以及8T标记长度分别成为0.149μm以及0.596μm。另外，当每一层的容量为33.4GB的情况下，2T标记长度以及8T标记长度分别成为0.112μm以及0.447μm。

另外，信息记录介质11的信号强度的性能可以通过以下方式进行评价，即：将激光502在0～Pp(mW)之间进行功率调制，将标记长度为2T和9T的信号在相同的磁道中连续10次交替记录，最后，利用频谱分析仪，对覆写2T信号时的2T信号的频率下的信号振幅(carrier level)和噪声振幅(noise level)之比(CNR(Carrier to Noise Ratio))进行测定，由此，进行评价。CNR越大，信号强度越强。在此，当每一层的容量为25GB的情况下，9T标记的长度成为0.671μm。另外，当每一层的容量为33.4GB的情况下，9T标记的长度成为0.503μm。

另外，信息记录介质11的删除性能可通过以下的方式进行评价，即：将激光502在0～Pp(mW)之间进行功率调制，将2T和9T的信号在相同的磁道中连续10次交替记录，将在第11次覆写了2T信号时的2T信号的信号振幅与之后在覆写了9T信号时的2T信号的信号振幅之差作为信号的删除率，利用频谱分析仪进行测定，由此进行评价。并且，删除率越大，删除性能越好。

另外，信息记录介质11的上限再现功率利用再现光变差进行评价。在此，再现光变差是用向记录信号的磁道上照射规定次数(例如100万次)的再现光(再现功率Pr)时的时基误差或错误率的恶化量来定义的。再现功率变得越高，再现光变差越增大。再现变差不超过容许值的最大功率成为上限再现功率。

(实施例)

以下，对本发明的信息记录介质的实施例进行具体说明。

在本实施例中，制作图1以及图2所示的信息记录介质11，调查了当改变第3信息层43中的记录层436的厚度以及第2电介质438的厚度时，第1信息层41、第2信息层42以及第3信息层43的各信息层的记录特性以及再现特性。测试项目为第3信息层的删除率、各信息层的反射率以及上限再现功率。第1信息层41以及第2信息层42，可采用与例如公知的改写型的2层信息记录介质相同的结构。

如第1实施方式所说明的那样，各信息层的反射率是指层叠状态下的反射率。具体而言，是包含由于到达作为对象的信息层的激光以及由作为对象的信息层所反射的反射光先透射与对象信息层相比更靠近激光31的入射侧的其他的信息层而产生的衰减的值。

如下所述制作样品。首先，作为基板21，准备形成有引导激光31的引导槽(深20nm、磁道间距0.32μm)的聚碳酸酯基板(直径120nm、厚度1.1mm)。

在基板21上，利用溅射法，按照顺序层叠了：作为反射层412的Ag-Pd-Cu层(厚度：80nm)、作为第1电介质层414的(ZrO₂)₅₀(In₂O₃)₅₀层(厚度：25nm)、作为记录层的(GeTe)₉₇(Bi₂Te₃)₃层(厚度：10nm)、作为第2界面层417(图中没有显示)的(ZrO₂)₅₀(Cr₂O₃)₅₀层(厚度：5nm)、以及作为第2电介质层418的(ZnS)₈₀(SiO₂)₂₀层(厚度：60nm)。

利用溅射形成各层的成膜装置分别具有：用于成膜反射层412的Ag-Pd-Cu合金溅射靶、用于成膜第1电介质层414的(ZrO₂)₅₀(In₂O₃)₅₀溅射靶、用于成膜记录层416的(GeTe)₉₇(Bi₂Te₃)₃溅射靶、用于成膜第2界面层417的(ZrO₂)₅₀(Cr₂O₃)₅₀溅射靶、以及用于成膜第2电介质层418的(ZnS)₈₀(SiO₂)₂₀溅射靶。溅射靶的形状都是直径为100mm、厚度为6mm。

反射层412的成膜是在下列条件下进行的：在Ar气体气氛中，压力为0.3Pa，并使用DC电源，且投入功率为100W。第1电介质层404的成膜是在下列条件下进行的：在Ar气体气氛中，压力为0.1Pa，并使用RF电源，且投入功率为200W。记录层406的成膜是在下列条件下进行的：在Ar气体气氛中，压力为0.2Pa，并使用DC电源，且投入功率为50W。第2界面层407的成膜是在下列条件下进行的：在Ar气体气氛中，压力为0.1Pa，并使用RF电源，且投入功率为200W。第2电介质层408的成膜是在下列条件下进行的：在Ar气体气氛中，压力为0.1Pa，并使用RF电源，且投入功率为400W。

接下来，在第2电介质层418上涂敷紫外线硬化性树脂，在其上覆盖上形成了引导槽(深20nm、磁道间距0.32μm)的基板，紧密贴在一起，并进行旋转，由此，形成均匀的树脂层，当树脂硬化之后，剥离基板。由此，可形成在第2信息层42一侧形成了引导激光31的引导槽的厚度为25μm的分离层22。

然后，在分离层22上，利用溅射法，按照顺序层叠了：作为透射率调整层421的TiO₂层(厚度：20nm)、作为反射层422的Ag-Pd-Cu层(厚度：10nm)、作为第1电介质层424的(ZrO₂)₅₀(In₂O₃)₅₀层(厚度：15nm)、作为记录层426的(GeTe)₉₆(Bi₂Te₃)₄层(厚度：7nm)、作为第2界面层427(图中没有显示)的(ZrO₂)₅₀(Cr₂O₃)₅₀层(厚度：5nm)、以及作为第2电介质层428的(ZnS)₈₀(SiO₂)₂₀层(厚度：40nm)。

利用溅射形成这些层的成膜装置分别具有：用于成膜透射率调整层421的TiO₂溅射靶、用于成膜反射层422的Ag-Pd-Cu合金溅射靶、用于成膜第1电介质层424的(ZrO₂)₅₀(In₂O₃)₅₀溅射靶、用于成膜记录层426的(GeTe)₉₇(Bi₂Te₃)₃溅射靶、用于成膜第2界面层427的(ZrO₂)₅₀(Cr₂O₃)₅₀溅射靶、以及用于成膜第2电介质层428的(ZnS)₈₀(SiO₂)₂₀溅射靶。溅射靶的形状都是直径为100mm、厚度为6mm。

透射率调整层421的成膜是在下列条件下进行的：在Ar和氧的混合气体气氛(氧气在整个混合气体中的比例为3％)中，压力为0.3Pa，并使用RF电源，且投入功率为400W。反射层422的成膜是在下列条件下进行的：在Ar气体气氛中，压力为0.3Pa，并使用DC电源，且投入功率为100W。第1电介质层424的成膜是在下列条件下进行的：在Ar气体气氛中，压力为0.1Pa，并使用RF电源，且投入功率为200W。记录层426的成膜是在下列条件下进行的：在Ar气体气氛中，压力为0.2Pa，并使用DC电源，且投入功率为50W。第2界面层427的成膜是在下列条件下进行的：在Ar气体气氛中，压力为0.1Pa，并使用RF电源，且投入功率为200W。第2电介质层428的成膜是在下列条件下进行的：在Ar气体气氛中，压力为0.1Pa，并使用RF电源，且投入功率为400W。

接下来，在第2电介质层428上涂敷紫外线硬化性树脂，在其上覆盖上形成引导槽(深20nm、磁道间距0.32μm)的基板，紧密贴在一起，并进行旋转，由此，形成均匀的树脂层，当树脂硬化之后，剥离基板。由此，可形成在第3信息层43一侧形成了引导激光31的引导槽的厚度为16μm的分离层28。

然后，在分离层28上，利用溅射法，按照顺序层叠了：作为透射率调整层431的TiO₂层(厚度：30nm)、作为反射层432的Ag-Pd-Cu层(厚度：8nm)、作为第1电介质层434的(ZrO₂)₅₀(In₂O₃)₅₀层(厚度：10nm)、作为记录层436的(GeTe)₉₆(Bi₂Te₃)₄层、作为第2界面层437(图中没有显示)的(ZrO₂)₅₀(Cr₂O₃)₅₀层(厚度：5nm)、以及作为第2电介质层438的(ZnS)₈₀(SiO₂)₂₀层。

利用溅射形成这些各个层的成膜装置分别具有：用于成膜透射率调整层431的TiO₂溅射靶、用于成膜反射层432的Ag-Pd-Cu合金溅射靶、用于成膜第1电介质层434的(ZrO₂)₅₀(In₂O₃)₅₀溅射靶、用于成膜记录层436的(GeTe)₉₆(Bi₂Te₃)₄溅射靶、用于成膜第2界面层437的(ZrO₂)₅₀(Cr₂O₃)₅₀溅射靶、以及用于成膜第2电介质层438的(ZnS)₈₀(SiO₂)₂₀溅射靶。溅射靶的形状都是直径为100mm、厚度为6mm。

透射率调整层431的成膜是在下列条件下进行的：在Ar和氧的混合气体气氛(氧气在整个混合气体中的比例为3％)中，压力为0.3Pa，并使用RF电源，且投入功率为400W。反射层432的成膜是在下列条件下进行的：在Ar气体气氛中，压力为0.3Pa，并使用DC电源，且投入功率为100W。第1电介质层434的成膜是在下列条件下进行的：在Ar气体气氛中，压力为0.1Pa，并使用RF电源，且投入功率为200W。记录层436的成膜是在下列条件下进行的：在Ar气体气氛中，压力为0.2Pa，并使用DC电源，且投入功率为50W。第2界面层437的成膜是在下列条件下进行的：在Ar气体气氛中，压力为0.1Pa，并使用RF电源，且投入功率为200W。第2电介质层438的成膜是在下列条件下进行的：在Ar气体气氛中，压力为0.1Pa，并使用RF电源，且投入功率为400W。

最后，在第2电介质层438上涂敷紫外线硬化性树脂，并进行旋转，形成均匀的树脂层，然后，照射紫外线，使树脂硬化，由此，形成了厚度为59μm的透明层23。然后，进行了用激光使记录层416、记录层426以及记录层436结晶化的初始化工序。通过以上工序，制造了第3信息层43的记录层436的厚度以及第2电介质层438的厚度不同的多个样品。

针对如上所述获得的样品，使用图3所示的记录再现装置，对信息记录介质11的各信息层的反射率、上限再现功率以及第3信息层的删除率进行了测定。激光31的波长设为405nm，物镜32的开口数NA设为0.85。另外，通过每一层的容量为33.4GB的记录方法来实施记录，最短标记长度(2T)设为0.112μm。另外，记录时以及测定时的样品的线速度设为7.36m/s。

各样品中的第3信息层43的记录层436的厚度、第2电介质层438的厚度、第3信息层43的删除性能如表1所示。关于删除性能，删除率为25dB以上，用“○”表示；小于25dB，用“×”表示。

如果删除率为25dB以上，则可将误码率设为1.0×10^-5以下，作为处理信息的单位的误码率(symbol error rate)成为低于2.0×10^-4的值。如果误码率为2.0×10^-4，从应用角度来讲，是不会引起问题的水平。

表1

另外，各样品中的第3信息层43的记录层436的厚度、第2电介质层438的厚度、第1信息层41的再现性能如表2所示。关于再现性能，首先调查反射率和上限再现功率，将反射率和上限再现功率之积定义为反射光量，将2.2以上的反射光量定为“○”，将小于2.2的反射光量定为“×”。如果反射光量为2.2以上，则可在实际应用中将信息的再现信号质量维持在不会出问题的水平。

表2

另外，各样品中的第3信息层43的记录层436的厚度、第2电介质层438的厚度、第2信息层42的再现性能如表3所示。关于再现性能，首先调查反射率和上限再现功率，将反射率和上限再现功率之积定义为反射光量，将2.2以上的反射光量定为“○”，将小于2.2的反射光量定为“×”。

表3

另外，关于各样品，第3信息层43的记录层436的厚度、第2电介质层438的厚度、第3信息层43的再现性能如(表4)所示。关于再现性能，首先调查反射率和上限再现功率，将反射率和上限再现功率之积定义为反射光量，将2.2以上的反射光量定为“○”，将小于2.2的反射光量定为“×”。

表4

作为上述结果的总结，以各样品中的第3信息层43的记录层436的厚度、第2电介质层438的厚度、各信息层的再现性能以及第3信息层的删除性能为基础的综合评价如表5所示。关于综合评价，在上述评价项目中，将即使只有1个被评价为“×”的样品评价为“×”，在上述评价项目中，将所有被评价为“○”的样品评价为“◎”。

在综合评价中，被评价为“◎”的样品表示可在实际中应用，被评价为“×”的介质在实际中不能应用。

表5

另外，使用以上的结果，将各样品中的各层的反射率、上限再现功率、反射光量、及综合评价归纳为表6所示。

表6

如表1到表6所示，当离激光31的入射侧最近的第3信息层43的反射率比其他的信息层高，并且第3信息层43的上限再现功率比其他信息层低时，从信息记录介质11的第1信息层到第3信息层都获得了良好的特性。

如上所述，通过提高第3信息层的反射率，即使降低第3信息层的再现功率，也可实现第3信息层的高质量的信息再现。随之，可采用使第3信息层的上限再现功率低于其他信息层的上限再现功率的构成。因此，关于第3信息层，允许进行重视透射率的设计。即：由于第3信息层的再现功率变得比较低，因此，第3信息层不需要实现很高的再现耐久性，可在具有实用性的再现耐久性的同时，使第3信息层的透射率高于以往的透射率。其结果是，通过提高第3信息层的透射率，可提高到达第1信息层以及第2信息层的激光的光量，在第1信息层以及第2信息层的各信息层中实现高质量的信息再现。

另外，第2信息层42的反射率和第3信息层43的反射率之比为1.2以上时，可充分提高第3信息层中的反射光量，并且可在信息记录介质11的第1信息层到第3信息层中都获得良好的特性。

另外，第3信息层43的反射光量和第2信息层42的反射光量相等时，可抑制当再现第3信息层以及第2信息层时的再现信号的质量偏差。

另外，在本实施例中，第2信息层42的记录层426和第3信息层43的记录层，虽然使用了相同的材料，但是，为了调整结晶化速度，也可以使用不同的材料。

另外，在上述实施方式以及实施例中举出的材料以及膜厚，仅是用于实现本发明的各种材料以及膜厚的一个例子，本发明并不局限于此。也可以使用上述实施方式以及实施例中所举出的材料之外的材料，或可以将厚度设定为上述实施方式以及实施例中所举出的各层的厚度以外的厚度。

(工业上的可利用性)

本发明的信息记录介质及其再现方法，对于提高具有3个以上的信息层的信息记录介质中的信息再现的质量非常有用。

Claims (8)

1.一种信息记录介质，具有可记录信息的N个信息层，通过照射激光，进行在各信息层上的信息的记录以及上述各信息层中所记录的信息的再现，其中N为N≥3的整数，

上述N个信息层包括：从激光入射侧按顺序配置的第N信息层、第N-1信息层、第N-2信息层...第2信息层、第1信息层，

上述第N信息层的反射率为R_N，第M信息层的反射率为R_M，其中M为满足N＞M≥1的所有的整数，

当再现上述第N信息层中所记录的信息时，照射至上述第N信息层的激光的上限再现功率为Pr_Nmax，当再现上述第M信息层中所记录的信息时，照射至上述第M信息层的激光的上限再现功率为Pr_Mmax，且同时满足下列公式(1)、(2)

R_N＞R_M    ···(1)

Pr_Nmax＜Pr_Mmax    ···(2)。

2.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，

上述第N信息层的上述反射率R_N和上述第N-1信息层的上述反射率R_N-1满足下列公式(3)

R_N/R_N-1≥1.2  ···(3)。

3.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，

上述第N信息层的上述反射率R_N和上述上限再现功率Pr_Nmax之积R_N×Pr_Nmax与第N-1信息层的反射率R_N-1和上限再现功率Pr_N-1max之积R_N-1×Pr_N-1max相等。

4.根据权利要求1至3的任意一项所述的信息记录介质，其中，

上述N为3。

5.一种再现装置，用于再现权利要求1中所述的信息记录介质中所记录的信息，其中，

将在上述第N信息层中所记录的信息以再现功率Pr_N进行再现，其中Pr_N≤Pr_Nmax；

将上述第N-1信息层中所记录的信息以再现功率Pr_N-1进行再现，其中Pr_N-1≤Pr_N-1max。

6.一种记录装置，用于在权利要求1所述的信息记录介质中记录信息，其中，

通过向上述信息记录介质照射上述激光来记录信息。

7.一种信息记录介质的再现方法，用于再现权利要求1所述的信息记录介质中所记录的信息，该再现方法包括：

将上述第N信息层中所记录的信息以再现功率Pr_N进行再现的工序，其中Pr_N≤Pr_Nmax；以及

将上述第N-1信息层中所记录的信息以再现功率Pr_N-1进行再现的工序，其中Pr_N-1≤Pr_N-1max，

上述第N信息层的上述反射率R_N和上述再现功率Pr_N之积R_N×Pr_N与上述第_N-1信息层的上述反射率R_N-1和上述再现功率Pr_N-1之积R_N-1×Pr_N-1相等。

8.根据权利要求7所述的信息记录介质的再现方法，其中，

上述激光的波长λ在400nm到410nm的范围内，

为了将上述激光会聚在上述各信息层上而使用的物镜的开口数NA，在0.84到0.86的范围内。

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