TW480689B - An efficient semiconductor packaging process suitable for high-volume production of semiconductor devices - Google Patents

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Α7 Β7 五、發明説明（ :發明大体係關於半導体封裝領域，特別是關於用以 :除+導体封裝機具所用模具上之表面污染物的系統雷射 >月洗方法與系統。 封裝半導体儀器的過程對熟悉此藝者已廣為了解。一 般而言，此過程典型上包括將—載有晶片的基質置於兩個 半模具之間’ Μ此半模具並在賴㈣τ注人—種樹脂 材料以液化及硬化此樹脂材料。就在—相#短的時間内典 型處理大量儀器而言，此為一大容量過程。 :此裝囊過程通常在模具表面上留下表面污染物，而在 持續執行此封裝機具數小時後，該表面污染物可能變得相 田重這些/亏染物可能為油脂、蠟及殘餘樹脂。因為此裝 囊過程為發生在強熱強壓下，污染物緊密附於表面使得去 除污染物變成相當困難的工作。 因此，去除這些污染物為一複雜過程。目前，清洗模 具伴隨著將一種稱為三聚氰胺的物質注入空的模具，將其 曝路在強熱強壓下以液化該物質，而接著使其固化。在此 過程期間，污染物與三聚氰胺化合杨作用並結合至固化三 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 聚氰胺化合物的表面。一旦固化，即丟出該三聚氰胺化合 物。 雖然這是一個在業界廣為使用之已設立的模具清洗方 法，但它有一些缺點。其一，它很耗時，整個過程可能超 過兩小時。在高容量生產為相當重要的工業中，此時間的 花費相當寶貴。再者，即使在此過程後清洗過程仍未完成， 仍留有一些殘留污染物，這些殘留可對裝囊過程相當致命 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -4 - 480689

因他們可能導致缺陷封裝。再者，清洗物質，三聚氛胺， 釋出對人财害的毒減体。目此為了使纽最小化必需 小心處理三聚氰胺物質。 為了這些原因，在業界很需要有一個有效的清洗過 程。理想上，這樣的一個過程應該要快速、完整且相當安 全。但是，就目前而言，業界尚未在半導体封裝業中成功 提出這樣的清洗系統。 所以本發明的一個目標為提供一種用以去除半導体 封裝機具所用模具上t表面污澡物的過程與系统而此清洗 過程要快速、完整且相當安全。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本發明利用雷射來自半導体封裝機具所用模具上去除 如油脂、蠟及樹脂殘留等的表面污染物。一般而言，利用 雷射之污染物去除過矛呈包括發射一束雷射光至具有污染物 之模具的表面。雷射是以脈衝傳送，其僅持續一短的期間， 例如23微毫秒（ns)可能需要多個脈衝以完全去除污染 物。由於每個脈衝占據的面積通常比模具表面的總面積要 小得多’雷射光束需要移動直到整個模具表面都已曝露在 雷射下。因為當雷射分解污染物時會產生氣体，應該使用 一些型式的真空以去除殘留氣体及其他殘骸。 為了成功使用此雷射過程，應該考量一些因素以產生 -最佳結果。其-，此過程應要相當快—即雷射不應採取 未經控制的時間來去除表面污染物。此去除過程也應該要 完全--即雷射應去除所有或實質上所有的表面污染物。此 外’此去除過程也應該為非侵略性的__即它不應該以任 本紙張尺度適用中國國冬標準（CNS ) A4規格（21〇χ 297公兹）' -^

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 實質方式損害模具表面。 為了產生最佳結果，必須控制一些參數。這些參數為， 舉例而言，雷射的型式、電力輸出、雷射的波長、雷射傳 送的型式（脈衝或連續）等等。對本系統而言，雖然存在 有許多雷射型式，希望利用一種雷射，其產生一種脈衝雷 射光束具有同質能量側像，其為不連續。這些條件准許較 高的峰值電力、雷射光束的較佳控制因而有較佳的污染物 過程。已顯示出KrF激態雷射具有此性質，因此為一較 佳的雷射型式，雖然其他雷射型式可能也載有這些性質。， 此外，希望雷射脈衝載有23ns (微毫米）的脈衝寬度。 為了成功去除污染物，雷射光束在特定波長必須有足 夠的電力。對雷射應用而言，電力是以能量密度來定義， 其定義為能量除以面積而單位為mJ/cm2。波長典型是以 微毫米或簡寫為”nm”來測量。雖然波長可能有一個範圍， 較佳的波長為248nm。同樣地，雖然電力輸出可能有一個 範圍’較佳的電力輸出為3〇〇mj/cm2。 重要的是不要使用可能會損害涔染物下的模具表面之 電力輸出。足以導致損害之電力的大小視雷射的波長及被 雷射所擊中物質之型式與本質而定。 在較佳的設定中，即波長為248nm、脈衝寬度為23ns、 脈衝覆蓋面積1cm2而能量密度水平為3〇〇mJ/cm2的KrF 激態雷射，需要在相同地點至少兩個脈衝以確保在覆蓋面 積内完全去除污染層。污染層典型上大約為1至2/zm厚。 此1至2/z m的污染物深度形成自持續執行裝囊機具大約 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ---- 、1Τ 線--

I- i I I I- I— I - i 本紙張尺度適财關家^^( CNS ) A4規格（210X297^7 480689 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（4 ) 24小時的期間。當機具被執行了 一較長的期間，污染層 當然會增加》為了解釋污染層的不同厚度，需要修正脈^ 寬度或單位面積的脈衝數目或兩者的結合，雖然改變一此 其他參數也可能可以。 ~ 以1至2/zm的厚度為例，整個模具表面（其表面積 大約為468cm2)使用上述的過程參數可以在大約2至3 分鐘内清洗元成。然而，為了減少清洗的總時間，可以增 加覆蓋的脈衝面積。覆蓋的脈衝面積基本上是由雷射光束 的大小所決定；；光束越大，每個脈衝覆蓋的面積越大。； 由於模具表面具有各種槽腔用以接收半導体儀器及用 以傳送樹脂，模具表面並不是完全平坦的。有時候，特別 如果雷射光束的大小相當大，雷射脈衝可能曝露兩個或更 多個不同深度的表面。雖然雷射能量水平通常在一段距離 内為均勻’焦點長度可能有助於對不同深度雷射能量水平 的差異。此差異可能相當大雖然焦點長度很小。為 了避免此問題，希望具有一非常長的焦點長度並使用一平 行光束。 〜 模具上的槽腔對雷射清洗過程產生一額外的問題。這 對具有與模具主表面垂直的側壁之槽腔是典型的。如果雷 射垂直射入模具的表面，側壁不會自雷射光束接收足夠的 能量’因為光束可能本質上與側壁平行。為了避免此問題， 希望雷射光束是以一個角度射入模具表面。以此方式，所 有表面可以自雷射接收足夠的能量。 在本發明較佳的應用實施例中，雷射清洗過程是以獨 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（21〇χ297公釐） - - ---雷：！ ----- m - -- I -Γ、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--- 480689 Λ7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

#于|----訂-----# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ) 480689 Λ7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 於、一導体封裝機械之模具上發現的污染層深度剖面β 第 5 圖為 Auger Electron Spectroscopy ( AES)光 譜圖顯示典型上在進行本發明之雷射清洗過程後，在使用 於半導体封裝機械之模具上發現的污染層深度剖面。 第 6 圖為一 Auger Electr〇n Spectr〇sc〇py (aes)光 4圖顯不典型上在進行本發明之雷射清洗過程後連績一小 時，在使⑽半導体封裝機械之模具上發現的污染層深度 剖面。 本發明利用雷射以自使用在半導体封裝機具之模具去 除如油脂、蠟及樹脂殘留等之表面污染物。一般而言，利 用雷射之去除過程包括發射一束雷射至具有污染物之模具 表面。此雷射是以脈衝來傳送，其只持續一短期間，例如 23微毫秒（ns)。完全去除污染物可能需要多個脈衝。由 於每個脈衝的覆蓋面積通常比模具表面的總面積要小得 多，雷射光束需要轉動直到整個模具表面都已曝露在雷射 下。因為當雷射分解污㈣時會產生氣体，應該使用一些 型式的真空來去除殘留氣体與其他殘散。 為了成功使用此雷射過程，在產生最佳結果應該考慮 -些因素。其-’此過程應該要相當快“即雷射不應該二 用未經控制的時間來去除表面污染物。雖然去除的速度可 視對雷射選取的參數而改變，希望應該挑選這些參數，使 得自單一半模具（不論為底部或頂部那一半）去除所有亏 染物所需要的期間應該不超過5分鐘。 此去除過程也應該要完全—即雷射應該去除所有或實 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ 297公楚） ------IT-----sw (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ' 9 480689 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（7 ) 質上所有的表面污染物，當然所需完成的程度視過程指定 而定。此外，此去除過程應該為非侵略性—即它不應該以 任何貫質方式損害模具表面。例如，模具表面典型上在鋼 貝基質上有一鉻披覆，且重要的是雷射光束不會導致此彼 覆剝落或損害其下的基質。而最後，此過程對操作此雷射 清洗系統的人員應該要相當安全。 為了產生最佳結果，必須控制一些參數。這些參數為， 舉例而言，雷射的型式、電力輸出、雷射的波長、雷射傳 送的型式（脈衝或連續）等等。對本系·統而言，雖然存在 有許多雷射型式，希望利用一種雷射，其產生一種脈衝雷 射光束具有同質能量側像，其為不連續。這些條件准許較 问的峰值電力一雷射光束的較佳控制因而有較佳的污染物 過程。已顯示出KrF激態雷射具有此性質，因此為一較 佳的雷射型式，雖然其他雷射型式可能也載有這些性質。 此外’希望雷射脈衝載有23ns。 實驗已顯示至少一種型式的雷射對去除模具表面上的 污染物可能不是最佳的。例如，一個實驗使用一 YAG雷 射，一光束具有532nm的波長而另一光束具有1〇64nm的 波長，兩者都具有7微亳秒的脈衝寬度，並沒有產生最佳 果因為雷射雖然真的去除了表面污染物，但會輕易地 扣害模具表面，一種極不希望發生的結果。 為了成功去除污染物，雷射光束在特定波長必須有足 夠的電力。對雷射應用而言，電力是以能量密度來定義， 疋義為此置除以面積而單位為mj/cm2。波長典型以 本紙張尺度賴 ( CNS ) 297，.^ ) L,-------衣------1T-----ΦΜ i ， ί V. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 10 i .v+iit 經濟、邓中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（8 ) ' 微亳米或簡寫為”nm，，來測量。雖然波長可能有一個範圍， 較佳的波長為248nm。同樣地，雖然電力輸出可能有一個 範圍，較佳的電力輸出為3〇〇mJ/cm2。 選擇合適的波長及電力輸出是重要的，而必須考慮幾 個因素。對波長而言，其應該要夠短使得污染材料吸收足 夠的此量。對本應用而言，已發現波長248nm足夠。對 電力輸出而言，電力應該要超過去除污染物的最小臨限。 此臨限主要視污染物的化學組成而言。對典型上在半導体 封裝.機具之模具表面上發現的·污染物之型式.而言，例如油 脂、蠟、樹脂殘留，其通常為碳基，此臨限一般發現在波 長248nm時大約為i50mJ/cm2。 然而，雖然足以去除污染物，最小電力輸出可能不是 最佳的，因為去除的速率可能慢或去除過程可能不完全， 即一些殘留可能被留下，因而需要許多脈衝以完全去除。 因此，可能希望在高於最小臨限操作雷射以加速此過程。 此外，藉使用較短的雷射波長可以增加去除表現，因而增 加雷射的吸收量。 〜 雖然較尚的電力可能增加去除速率且為一般所希望， 同樣重要的是不要使用一可能會損害污染物下模具表面的 電力輸出。再一次，導致損害所需的電力量部分視雷射的 波長與雷射所擊中材料的型式及本質而定。在半導体封裝 工業中使用模具的例子中，模具典型上在鋼質基質上有一 2至3/zm的鉻彼覆。一此基質的一般材料為AST粉末高 速鋼。對此情形，非常重要的是雷射不會導致在鉻披覆的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公芨） 1 #έ! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂 •f 480689 Λ7 _________B7 五、發明説明（9 ) 任何剝蝕或在鋼質基質本身。特別重要的是清洗過程不會 導致鉻彼覆剝落。 在分析電力輸出為相關於損害下層材料之可能性的兩 個重要觀念為模具表面上的熱擴散長度β及溫升Δτ，兩 者對熟悉此藝者皆為廣知的觀念。經驗決定在本例中V為 1.42/zm，其少於鉻披覆的厚度。一般而言，希望有一小 的#，而特別是在這個例子中，希望#不超過鉻披覆的厚 度。 在平均溫升超過攝氏4〇〇度之後，鉻彼覆與下層鋼質 基質間熱沿伸的差一般變得重要，因此希望避免雷射的電 力輸出會導致溫升超過此水平。脈衝寬度23ns而能量密 度200mJ/Cm2的雷射導致平均攝氏175度的溫升，相同脈 衝寬度而能量密度300mJ/cm2的雷射導致平均攝氏227 升’兩者皆低於不希望的400度溫升水平。雖然會導致攝 氏400度溫升之精確電力輸出水平並不準確知道，對模具 表面的損害相信可能發生在能量密度水平大約為 1500mJ/cm2 〇 〜 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

在較佳的設定中，即波長為248nm、脈衝寬度為23ns、 脈衝覆蓋面積lcm2而能量密度水平為3〇〇mJ/cm2的KrF 激態雷射，需要在相同地點至少兩個脈衝以確保在覆蓋面 積内完全去除污染層。污染層典型上大約為1至2“瓜厚。 此1至2vm的污染物深度形成自持續執行裝囊機具大約 24小時的期間。當機具被執行了一較長的期間，污染層 當然會增加。為了解釋污染層的不同厚度，需要修正脈衝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公楚） 12 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 480689 Λ7 ------- B7 五、發明説明（l〇 ) '~ --- 寬度或單位面積的脈衝數目或兩者的結合，雖然改變一些 其他參數也可能可以。例如，若污染層的厚度為兩倍厚， 即4/zm，脈衝寬度可能需要加倍或可能需要四個脈衝， 而不是兩個脈衝。然而，因為此過程並不是完全線性，加 倍>可染層的厚度必需加倍過程參數可能不是永遠為真。因 此，可能需要一些實驗來找出最佳的脈衝寬度及/或脈衝 的數目其需要以在給定覆蓋面積内有效去除污染層。 以1至2/zm的厚度為例，整個模具表面（其表面積 大’約為468cm2)，使用上述.的過程參數可以在大約2至3 分鐘内清洗完成。然而，為了減少清洗的總時間，可以增 加覆蓋的脈衝面積。覆蓋的脈衝面積基本上是由雷射光束 的大小所決定；光束越大，每個脈衝覆蓋的面積越大。然 而，因為能量密度是定義為雷射能量除以表面積，若要保 2相同的能量密度，則增加每個脈衝的覆蓋面積需要增加 每個脈衝的雷射能量。視覆蓋的面積有多大，可能需要一 更有力的雷射產生器。當然，另一個減少清洗時間的方法 為只將多個雷射光束射至不同的區域，雖然這個方法可能 需要多個雷射產生器及/或一更有力的雷射產生器可以分 裂成多個光束。 由於模具表面具有各種槽腔用以接收半導体儀器及用 以傳送樹脂，模具表面並不是完全平坦的。有時候，特別 如果雷射光束的大小相當大，雷射脈衝可能曝露兩個或更 多個不同深度的表面。雖然雷射能量水平通常在一段距離 内為均勻，焦點長度可能有助於對不同深度雷射能量水平 本紙張尺度適用中國：標準（CNS) A4規格（21〇χ297么---

-13 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（11 ) 的差異此差異。此差異可能相當大雖然焦點長度很小。為 了避免此問題，希冑具有一非常長的焦點長度並使用一平 行光束。作為一個示範，一個典型的模具可能其有一個大 約5mm深的槽腔。如果挑選了 15〇mm的焦點長度，傳送 至不同深度之能量内的差異會只大約68%，這是一個可 以接受的差異。當然，此差異可以藉具有一更大的焦點長 度來進一步減小。 模具上的槽腔對雷射清洗過程產生一額外的問題。這 對具有與模具主表面垂直的卹壁之槽腔是典型的。如果雷 射垂直射入模具的表面，側壁不會自雷射光束接收足夠的 月b量，因為光束可能本質上與側壁平行。為了避免此問題， 希望雷射光束是以一個角度射入模具表面。以此方式，所 有表面可以自雷射接收足夠的能量。雖然調整雷射的角度 會稍微增加每個雷射脈衝的覆蓋面積，但這並不重要，或 可以藉增加脈衝的能量水平來調整。 第4至6圖顯示此上述清洗過程的效能。第4至6圖 顯示 Auger Electron Spectroscopy《AES)圖，其可以用 來分析不同深度之材料的組成。AES技術對熟悉此藝者 為一般廣知的技術。 第4圖為一顯示在模具進行雷射清洗過程前，於具有 鉻彼覆之模具表面上所發現之污染層的實際組成之圖面。 每個曲線代表頂層表面下一特定的深度。因此，在此例中 深度0表示污染層的最頂層。各種尖端代表存在一特別材 料；一般而言，尖端愈高，存在愈多。標記，，C”的尖端指 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ 297公釐） 1T------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 14 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（12 ) ^ ' -- Γ =存在；標記”Cr，，的尖端指示鉻的存在；標記，，〇，，的 =指不氧的存在0發現在半導体封裝機具内的污染物大 夕载有碳，因此碳存在愈多指示污染物的水平愈高。氧的 存在通常指示可能發生鉻彼覆表面的損害，因為雷射可以 導致該表面的氧化。一些氧化物也可能來自污染物本身。 另一方面，希望有鉻的存在，因為這是模具表面的坡覆材 料，如第4圖的圖面可見，存在有高水平的碳，幾乎達到 l〇4nm 〇 •比較第4圖中與声5圖中的圖面。第5圖顯示進行雷 射清洗過程後污染層的組成。注意到只有在該層最頂部可 以發現低水平的碳，而此水平在只有一點微毫米深度之後 急速下降。另一方面，整層中有一高水平的鉻。一些水平 的氧化物只有在接近頂層處發現，其指示對鉻表面沒有損 害，但氧化物在模具自清洗階段轉移至測量階段期間已被 吸收。 在本發明較佳的應用實施例中，雷射清洗過程是以一 獨立操作的系統來實行，其可以使用一模具在任何半導体 裝囊機具60鄰近操縱，如第1圖所示。雖然一個一般熟 悉此藝者必然可以欣賞此過程所可以用來實行的多個方 法’一個較佳的實行顯示在第i、2及3圖中。 如第2圖所顯示，雷射光束2經幾個鏡子導向以達一 想要的目標。雷射產生器20產生一脈衝雷射光束2，其 導至一光束分翠器，其分裂一部分光束至鏡子ml上，其 導向光束2至鏡子m2上。光束的其他部分則用來監控雷

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（21〇'χ297公H ^裝丨 (請先閲讀背面之注意寧項再填寫本頁)

、1T 15 480689 五、發明説明（η 經 中 央 標 準 員 工 消 費 合 社 印 製 射的電力水平。鏡子m2再導向光束2 i⑽，其再導向 光束2至透鏡卜3〇與透鏡2, 35。透鏡a。重合光束 2，光束再打至鏡子m4。鏡子m4再導向光束2至模具表 面上。當然，所需鏡子的數目視系統的結構與需要導向光 束於-特定路徑而定，而不是整合至雷射清洗過程。 現在參照第1圖及第3圖，鏡子m4位於半模具5及 1〇之間。鏡子m4附於一機械手臂（示於第3圖中，但未 於第1圖中顯示）其可精確地旋轉鏡子m4至任何角度， 而其也可以精；確地將鏡子改置於平行於模具5及1〇表面 5a及l〇a之平面的任何位置。機械手臂附於一 χ-γ桌面 50，其便於機械手臂的定位。 第3圖顯示第i圖之χ_γ桌面5〇的結構圖。如所示 可見，鏡子m4附於機械手臂52 ,其附於χ_γ桌面5〇。 鏡子1114接收雷射光束2，其經鏡子1113、1112及1111導向， 如第2圖所示。 現在參照第1、2及3圖，為了操作此清洗系統，獨 立操作單元1，操縱於模具機械6〇，所近。機械手臂52延 伸在兩個半模具5及1〇之間，而定向鏡子m4至模具1〇 表面上的一參考點。一旦定向，雷射產生器2〇發射雷射 光束2的兩個脈衝，其經一連串的鏡子ml、m2、m3及 導向至模具ι〇的表面上一區域。雷射導向至模具表 上的角度與雷射的能量水平多少視所使用模具的型式， 上所解釋。當污染層被分解時，一吸入系統（未顯示） 入氣体與其他殘骸。一旦此區域的污染物被去除，χ_γ桌 訂 面 如 吸 >’X 297 公釐） 16

經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 面移至下一個位置而去除過程再次啟動。此過程本身一再 重覆直到模具ίο整個表面都完成。此後，鏡子m4旋轉 使得雷射光束導向至上模具5，而對下模具1〇，每個相同 的過程也重覆清洗過程。 僅管在此，雷射清洗系統較佳的應用實施例為一獨立 操縱系統，應該欣賞其可以輕易地整合至裝囊機具本身。 而雖然此處只顯示一個雷射系統，其完全可能在相同時間 具有數個清洗幾個模具的單元。再者，一單一雷射光束可 •能分裂至數個光束，使得上及下辑具可以同哼清洗。 所以，本發明在不偏離其精神或基本特性下可以具体 化至其他特定型式。所以，本揭示之應用實施例在各方面 應考量為說明性而不是限制性，所以由所附專利範圍及在 專利範圍相同意義與範圍内所有的改變所指示之本發明的 範疇應包含其内。 元件標號對照 1.. .清洗系統 2…雷射光束 〜 5，10...半模具 5a，1 Oa·"表面 20.. .雷射產生器 30.. .透鏡1 35.. .透鏡2 50.. .X-Y 桌面 52.. .機械手臂 60···半導體裝囊機具/模具機械 ml，m2，m3，m4···鏡子 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs ) A4規格（210X297公釐） --------裏------丁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 17

Claims (1)

1. 480689 /、、申睛專利範圍 第87106779號巾請案巾請專利範圍修正本 卜種適於大量生產半導體裝置之有效率半導體封裝方· 法’该半導體封裝方法使用_具有二等分模具之傳統半 導體封裝工具，該方法包含： ‘a)將一載有晶片之基體放置於該等等分模具間； b)關閉該等等分模具； ^ C)將-樹脂材料注人於該等等分模具間以密封該載 有晶片之基體； d) 加熱並加壓以固化該樹脂材料； e) 移除該密封載有晶片之基體； f) 將一雷射光束導入一具有因該樹脂材料而產生之 表面污染物之該等模具之表面覆蓋區域，直至所有表面 污染物實質上皆由該覆蓋區域移除為止； S)將該雷射光束導入該等模具之一新表面覆蓋區域 直至所有表面污染物實質上皆由該覆蓋區域移除；及 h)重覆該步驟g)直至所有表面污染物實質上皆由該 等等分模具移除。 2·如申請專利範圍第丨項所述之方法，其中該雷射光束為 一 KrF準分子脈衝雷射。 3. 如申請專利範圍第丨項所述之方法，其中該雷射光束係 發身十於149至301mJ/cm2之功率範圍間。 4. 如申請專利範圍第丨項所述之方法，其中該雷射光束係 發射'於248¾:微米（nanometer)之波長。 5. 如令請專利範圍第丨項所述之方法’其中該雷射光束具 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（21。X 297钱孝)— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I ί ϋ n ·1 II i I ϋ ϋ n ϋ I * 480689 A8 B8 C8 D8

   申請專利範圍 有23耄微秒（nanosec〇nd)之脈衝寬度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6·如申請專利範圍第1項所述之方法%中該雷射光束係 發射於一非垂直於該等模具表面之角度。 7. 如申請專利範圍第i項所述之方法，其中該覆蓋區域約 為 lcm2 〇 8. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該雷射光束係 發射於149至301mJ/cm2之功率範圍間。 9·如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該雷射光束係 發射於248宅微米（nanometer)之波長。 、 1Q如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該雷射光束具 有23亳微秒（nanosecond)之脈衝寬度。 η·如申請專利範圍第U)項所述之方法，其中該雷射光束係 發射於一非垂直於該等模具表面之角度。 、 U如申請專利範圍第η項所述之方法，其中該覆蓋區 為 lcm2 〇 ‘紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297_ )