TW478031B - Ozone treatment apparatus for semiconductor processing system - Google Patents

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A7 B7 五 發明說明（J) 登_明領域 本發明係關於半導體處埋系統的臭氧處理裝置，其係 =利用臭㈣半導體晶圓等被處理基板施行改質或酸化 、处里S者’在本文巾，所謂的半導體處理意指為了在 "導體晶圓或咖基板等被處理基板上，形成半導體層、 、”邑緣層、導電層等所定之圖案，為了在該被處理基板上製 造含有半導體裝置、連接半導體裝置之配線、電極等構造 物所實施之種種處理。 JL景技術 於半導體裝置的製造方法中，在半導體晶圓等被處埋 基板上進行配設時，例如改質如氧化叙（Ta〇x)膜 時，係制活化之氧原子（氧自由基）。在此情況中，所 使用之氧自由基係藉由臭氧發生單元產生臭氧氣體 (〇3)，利用紫外線（UV)燈等活化該臭氧氣體而產生。 線 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 第5圖係顯示習知技術用於進行改質處理之臭氧處理 裝，的概略圖。如第5圖所示，此裝置包含連接至不錄鋼 配官15之臭氧發生單元1〇及改質處理單元2〇。臭氧發生單 元10係具有框體14，其内部配設有臭氧發生器u、臭氧濃 度計12及壓力調整㈣。處理單元2()之_側具有處理室 21，其内部配設有載置晶圓w之載置台23。處理室21之上 方配設有用於處理室21内紫外線照射的ux^f22。處理室幻 之底部為透過配管連接的真空栗24。 就此裝置而言，首先，將氧氣及氮氣混合形成之原料 氣體供應至臭氧發生器丨，於此處對原料氣體施與高周波高 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 -4 -

五、發明說明（2) 電壓以供發生臭氧氣體。接著 ^ , ^ 按者將此臭氧氣體（處理氣體） 紅由配Γ 5达入處理室21。在此處利用來自UV燈22之紫外 線使臭減體活化以生成氧原子（氧 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

由基進行載置台23上晶圓裡如I 卸之處理。在此處理中，處理室 21内係利用真空泵24排氣。 對=5圖圖示之臭氧處理裝置而言，所考慮之配管" 及处理室21等構成材料來源為利用鉻、鐵等金屬的化合 物，但是存在所謂的晶㈣及其上薄膜的污染問題。此類 金屬化合物，例如微量存在的話，伴隨半導體裝置的微細 化'薄膜化’為半導體裝置品f低下的主要原因、 發明揭露 因此本毛明之目的為提供一種用於抑制被處理基板 之金屬污染的臭氧處理裝置。 本發明之第一*方面/ 马種半導體系統的臭氧處理裝 置，其包含： ^ 一氣密的處理室； 一用於支龍處理基板的支持料，錢配設於該氣 密的處理室中； 一排氣機構，其係用於進行該處理室之排氣； 一處理氣體供給管，其係連接至該處理室； -臭氧發生器’其係連接至該處理氣體供給管，且與 與該處理氣體相通以提供含有臭氧之氣體至該處理室；、 一原料氣體供給管，其係連接至該臭氧發生器； -氧源，其係連接至該原料氣體供給管，且與該原料 P氏張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478031 A7 B7 五、發明說明（3) 氣體供給管相通以提供氧氣至該臭氧發生器； 一分岐管，其係自該處理氣體供給管分歧，且不與該 處理室連接； 一濃度計，用於測定該含有臭氧之氣體中的臭氧濃 度，且配設在該分歧管上；以及 一控制器，用於以依該濃度計測定之臭氧濃度的測定 值為基礎，控制該臭氧發生器。 本發明之第二方面為提供一種半導體系統的臭氧處理 裝置，其包含： 一氣密的處理室； 一用於支持被處理基板的支持部材，其係配設於該氣 密的處理室中； 一排氣機構，其係用於進行該處理室之排氣； 一處理氣體供給管，其係連接至該處理室，且由非金 屬材料製成； 一臭氧發生器，其係連接至該處理氣體供給管，且與 該處理氣體供給管相通，用於提供臭氧氣體至該處理室； 一原料氣體供給管，其係連接至該臭氧發生器； 一氧源，其係連接至該原料氣體供給管，且與該原料 氣體供給管相通，两於提供氧氣至該臭氧發生器； 一外殼體，其係氣密地包圍該處理氣體供給管，在此 該處理氣體供給管及該外殼體之間形成一間隙空間； 一乾燥機構，其係藉由供給經加熱之乾燥氣體至該處 理氣體供給管，及以由内面乾燥該處理氣體供給管者；以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------------：----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 478031 A7 B7 五、發明說明（4) 及 一換氣機構，用於進行該間隙空間之換氣。 一分岐官，其係自該處理氣體供給管分歧，且不與該 處理室連接； ’、Λ 一濃度計，用於測定該含有臭氧之氣體中的臭氧濃 度’係配設在該分歧管上； 控制裔，用於以藉由該濃度計測定之臭氧濃度的測定 值為基礎，控制該臭氧發生器。 第1圖係關於本發明之一實施態樣，顯示用於對半導 體處理系統進行改質處理的臭氧處理裝置的截面圖； 第2A及2B圖顯示第1圖圖示之裝置中，臭氧發生 器之平面圖及縱向剖面圖； 第3圖為第1圖顯示之裝置的改質處理單元的縱向剖 面圖； 第4圖係關於本發明之另一實施態樣，顯示臭氧處理 裝置的截面圖； 第5圖為習知技術用於進行改質處理之臭氧處理裝置 的概略圖。 發明實施之最佳熊槎 消 訂 線 本案發明人，於本發明之開發過程中，對於參考第5 圖所述之習知臭氧處理裝置中，晶圓w之金屬污染發生原 因進研究。本案發明人將知曉之結果描述於下文中。 為了防止當氧氣形成臭氧時形成之氧原子（〇)回復 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 478031 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（5) 至〇2,於原料氣體中混合〇·5%氮氣(N2)。氮氣之一部分與 氧原子反應形成氧化氮(Ν〇χ)並送至處理單元20(參考第5 圖）。在此情況中，為了維護作業而分解配管14等原因，水 分係附著在配管14内，Ν0Χ與水分反應形成硝酸 。峭酸與 構成配管14之不锈鋼反應形成鉻(Cr)或鐵(Fe)等金屬化合 物。此等金屬化合物若處理中飛散於臭氧氣體中，在處理 室21内運送的話，會對晶圓…帶來金屬污染的問題。 就配官材料而言，例如特開平6-163480號公報所揭露 者’已知利用杭硝酸腐蝕的PTFE(聚四氟乙烯樹脂：商品 名鐵弗龍等）。然而，當利用PTFE製造如第5圖所示之裝 置的配管時，由於PTFE之多孔性，因維護作業造成之配管 内部的PTFE吸著水分將花費相當長的時間來乾燥。再者， 若PTFE吸著之水分的乾燥不完全，此水分保持在流通的氣 體中。因此，在配管中容易形成硝酸，若處理室21係由不 锈鋼製成的話，將形成鉻或鐵等金屬化合物。 就其他的配管材料而言，如特開平8_117〇68號公開案-揭露者，已知可利用鋁或鎳。然而，當此類材料用於製造 第5圖所示之配管時，亦無法避免硝酸之腐蝕，仍然會引 發對晶圓W產生金屬污染。再者，若處理室21由不锈鋼製 成的話，與硝酸之反應將形成鉻或鐵等金屬化合物。 再者，就相關的問題而言，高純度之N2氣中存在的水 份為可忽視的範圍，〇2氣體中無法避免製造過程中混入之 微量水分。此水份為N〇x與硝酸反應所生成。再者，利用 例如不锈鋼金屬製造臭氧濃度計12之氣體流路部將引 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂-------!線# ί請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478031 Α7 _____- __ Β7_ ， 五、發明說明（6) 起硝酸生成及其腐蝕而對晶圓W造成金屬污染。 於下文中’將基於上述觀察到的知識參考圖式說明本 發明之實施態樣。再者，就下述之說明而言，大致相同之 機能及構成的構成要件在有必要重覆說明的情況下係以相 • 同的符號表示。 第1圖係關於本發明之一實施態樣，顯示用於對半導 體處理系統進行改質處理的臭氧處理裝置的截面圖。如第 1圖所示，此裝置係包含藉由連接配管部40連接臭氧發生 單元30及改質處理單元50。 臭氧發生元30為以氣密之方式被包圍框體31内部的裝 置。框體31之頂部連接至通到工廠内的排氣管路（圖未顯示) 的排氣管32。框體31内部配設有臭氧發生器33及壓力調整 器34，透過配管35互相連接。配管35及壓力調整器34係由 對NOx具有耐飫性之非金屬材料，例如pTFE、pFA (樹脂） 等氟樹脂所構成。 分歧管36係自配管35之途中分歧，與工廠排氣管路連 接。分歧管36處配設布流量計37及臭氧濃度計38。流量計 37由對Ν〇χ具有耐蝕性之非金屬材料，例如PTFE、PFA等 I樹脂所構成。另一方面，臭氧濃度計38之内側係露出不 锈鋼等的金屬部分。然而，臭氧濃度計38除了本管35之外 的配置係為了防止自臭氧濃度計38發生將此類金屬化合物 送入處理單元50之可能性。 再者，流量計37對於分歧管36内產生之壓差可達到為 逆流防止構件的功能。對於此點，可防止來自臭氧濃度計 本紙張尺度適用中(CNS)A4規格⑵Gx 297公爱） -------------裝-----；----訂-------— 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^/^031 ^/^031 A7

五、發明說明（7) 38之金屬化合物朝向本管35逆流。再者，其他可行之方法 為在臭氧濃度計38之上流配設如防逆閥之逆流防止構件。 第2A及2B圖$別顯示臭氧發生器33之平面圖及縱向 側面圖。臭氧發生器33包含由氟系膠形成之墊片61及藉其 分隔之一對電極62、63。電極62、63與原料氣體之接觸面 為利用陶瓷形成塗層。電極63之一側配設有原料氣體供給 口 64及處理氣體排出口 65。供給口64係連接至後述之配管 71，排出口65係連接至配管35。 電極62、63之間可施與來自高周波電源部66之高周波 電壓，此電壓係藉由電壓控制器67控制。另一方面，臭氧 濃度計38之輸出功率（臭氧濃度檢出值）為電壓控制器67之 輸入功率，可控制臭氧濃度之檢出值及設定值之間的偏差 對應電極62、63之間施加的高周波電壓大小。臭氧濃度係 受到電壓大小的影響，因此可控制臭氧濃度之設定值。 臭氧發生器33之上流側即為原料氣體供給口 64，其連 接供給由氧氣（〇2)及氮氣(NO形成之混合氣體的配管7卜配 官71係自上流側順著閥VI及水分除去器72而配設。就水分 除去器72而言，例如使用不锈鋼之過濾器及化學吸附劑之 組合以供去除水分至1 ppb以下，例如可使用日本s y术了 版伤有限公司製造之商品（商品名夕工/、1 一匕。二了夕力、， 。閥VI係位在配管71之更上游處，連接氧氣源TS1 及氮氣源TS2。供給至臭氧發生器33的原料氣體組成為例 如設定為氧99.5%、氮0.5%。 臭氧發生單tl30及水分除去器72之間，配管71係經由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ----------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 -10· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 478031 A7 ， B7 五、發明說明（8) 臭氧發生單元3〇連接至供給經加熱之乾燥氣體至連接配管 部40的配管73。配管73係經由閥V2，與由氮、氫等惰性氣 體構成之乾燥氣體的供給源TS3(包含加熱裝置）連接。配管 35及後述的連接配管部40的内管41的材質係含有PTFE、 PFA等氟樹脂，乾燥氣體係設定為80-180°C，較佳為約150 V。 就連接配管部40而言，臭氧發生單元30及處理單元50 之間的部位為由内管41及外管42構成之二重管。内管41係 對ΝΟχ具耐餘性的非金屬材料，例如由PTFE、PFA等氟樹 脂一起形成，外管42係例如由不锈鋼形成。外管42係將内 管41氣密地包圍，内管41及外管42之間形成間隙空間43。 間隙空間43係經由框體31之側壁上形成之孔與框體31内部 相通。 内管41係經由閥V3連接至後述處理單元50之處理室 51的處理氣體供給口。在靠近閥V3處，自内管41分歧出旁 管44，經由閥V4連接至處理單元50的排氣管80。亦即，旁 管4 4係以與處理室51相對並列的方式配設。 連接配管部40係在閥V3及V4之附近與供給間隙空間 43内換氣氣體的配官45a及45b連接。配管45a及45b係由闊 V5及V6,與由氮及氬等惰性氣體形成之換氣氣體的供給源 TS4連接。因此’即使在臭氧氣體由内管41漏洩的情況下， 亦可藉由外管42防止臭氧氣體洩漏至作業領域中。尤其， 間隙空間43内係藉由自供給管45a及45b至排氣管32流動的 換氣氣體，經常進行換氣，以確保較高的安全性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） ^ -----Γ---^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -11- 五、發明說明（9) -第3圖為顯不改質處理單元5〇之縱向側面圖。處理單 疋50已3氣密的處理室51，其底部中央配設有載置台μ。 載置台52具有用於載置半導體晶圓w的圓形上表面（載置 面）。在載置台52内部接近載置面處，埋設祕加熱晶圓的 加熱裝置，例如與電源供應器（圖未顯示）連接之由電阻加 熱體形成的加熱器53。 、广至51的上方，與載置面相對處，配設有石英製的 透光ώ 55。透光窗55的上方配設有uv(紫外線）燈,當活 化之處理氣體（臭氧）通過透光窗Μ時，對處理室㈣予 紫外線照射。處理室51的側壁為了供晶圓w進出配設有出 入閥56。處理室51的底部附近係連接至真空泵81。再者， 閥V7比排氣官8〇連接旁管44處更接近處理室5丨的上流側 位置。 線 其次，就上述臭氧處理裝置的作用而言，分別說明對 被處理基板進行之處理工程及於該裝置之維護工程進行後 之裝置乾燥工程。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 就處理工程而言，首先，經由閥VI自配管71供給原料 氣體（例如氧99.5%及氮0.5%)通過水分除去器72供給至 臭氧發生器33。原料氣體的主要部分含有氧，因為係經由 氧氣罐車補給至氧氣源TS1，其純度通常為99.5-99.9%，具 有某一程度的水分含量。因此，經由使原料氣體通過水分 除去器72，進行氧氣中混入的水分的去除。水分除去器72 係配設在臭氧發生器33的上游，可減輕臭氧發生器33生成 臭氧時，NOx與原料氣體中所含的水反反應形成硝酸的情 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478031 A7 B7 五、發明說明（10) 形。因此·處理室51内壁側可利用鋁或不銹鋼等所謂的防 腐蝕性金屬材料。 原料氣體中的氧氣係在臭氧發生器33處藉由施加電壓 轉變成臭氧氣體，例如8體積％。含有如此生成之臭氧的處 理氣體係經由配管35送至壓力調整器34。臭氧發生器33内 係調整在約0.1 MPa( G )之功壓氣體環境，處理室51内的 處理壓力係在例如5 kPa程度之減壓氣體環境。因此，藉由 1 壓力調整器34調節處理氣體的壓力。 處理氣體係自臭氧發生器33以例如10升/分之流速流 出，其一部分，例如500 cc/分程度之流量係流入分歧管36 側，經由流量計37及濃度計38而排氣至外部。利用濃度計 38測量流過分歧管36之處理氣體中的臭氧濃度，基於此測 定值，控制上述臭氧發生器33的電壓。 原料氣體供應開始後，在臭氧發生量尚未安定的期間 内係關閉V3，開啟V4，來自旁管44之處理氣體係進入排氣 > 管80排出。之後，切換V3及V4之開閉而將處理氣體供應至 處理室51。具有晶圓W之被處理基板此時方載置在載置台 52上。 藉由來自UV燈54之紫外線能量活化處理氣體中的臭 氧，生成氧自由基。經由如此生成之氧自由基進行晶圓W 上氧化钽膜（TaOx)的改質處理（退火處理）。具體而言，氧 自由基係進入氧化钽膜（TaOx)内的空隙中形成氧離子。氧 離子與鈕原子在該膜内形成安定的構造，藉此提升膜品質。 再者，臭氧濃度計38係利用不銹鋼等一般使用之金屬 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13- -------------裝-----：----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 478031 A7 R7 五、發明說明（11) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 材料，但不具有如同習知構造中，成為形成引起晶圓W之 金屬污染問題的原因。然而，就第1圖所示之裝置而言’ 自配管35分歧的分歧管36處配置此類流量計（流量計係由 例如PTFE製成）37及濃度計38，測量後之處理氣體不流經 處理室51。因此，可避免硝酸生成時金屬腐蝕對晶圓W之 不良影響。再者，流量計37係經由壓差形成達到防止氣體 逆流的裝置及機能的目的，更可確實達到金屬污染防止。 接著，就裝置的乾燥工程提出說明。例如，為了維護 作業的目的，臭氧發生單元3〇及連接配管部4〇及分離之内 官41係與大氣相通，水分會附著於内管41之内側。乾燥工 程係經由將經加熱之乾燥氣體供給至内管41，自内管41之 内側乾燥附著之水分來達到除去的目的。 具體而言，首先，閥V1及閥V3為關閉狀態，而閥V2 及閥V4為開啟狀態，將8(M8〇〇C， 心隹為150°C之例如氮 軋的經加熱氣體自配管73供給至臭氧 〇體係由臭氧發生單元3〇開始經過内管 U3G。乾餘亂 管排出。乾燥氣體的供應時間例如叫、時旁管44進入排氣 此時若加熱連接配管部4〇時，維護作 40内附著的水分係迅速蒸發。例如當心業時連接配管部 多孔性材料製造時，為了去除進入孔中2係利用PTFE等 氣體流過内管41内部可使直接加熱内管4丨尺分，藉由乾燥 此法，連接配管部40可在短時間内乾燥，有政進行。 轉效率。再者，經加熱的乾燥氣體較隹為可提升農置 之直接下游側供給至管41。 “、、自臭氧發生 藉由 的運 器3〇 -----------------„----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標：^Ss)A4規格⑵◦ x 297公$ 14- 478031 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

A7 五、發明說明（1¾ 第1圖圖示之臭氧處理裝置中，因為在臭氧發生器33 的上游側配水分除去器72 ·處理氣體中的水分可達極微量 或實質上幾乎為零。因此，因為含有NOx之硝酸的生成受 到抑制’可抑制處理室51之内壁的腐蝕，降低晶圓W的污 染。來自氧氣源TS1之氧内混入上述某程度之水分是無法 避免的’臭氧處理裝置一方面會經由微量水分產生金屬腐 触。因此’將水分除去器72配設在臭氧發生器33之上游側 > 方能達到效果。 再者’將由具有腐蝕可能性之金屬製造的濃度計38等 裝置配設在處理氣體分歧管36處，可抑制經由金屬腐蝕造 成之晶圓W的污染。維護作業後，使經加熱之乾燥氣體在 連接配管部40内流動，可使進入多孔性内管41之孔内的水 刀迅速療發。再者’此來自旁管44之乾燥氣體係經過排氣， 處理單7L50内的水分不會流入。再者，配管乾燥後，乾燥 氣體係經由閥V3流入處理室5卜可使處理室51完全乾燥。 ^ 再者，連接配管部4〇亦可為例如由不銹鋼製成之單管 構=在此例子中，水分除去器72之配置亦可有效地抑制 配1之腐餘作用。再者，水分除去器72亦可配設在氧氣供 、笞路 再者，原料氣體的一部分可利用CO氣體替代 乳亂。在此例子中，因為可預測到C02之形成，故必須去 除水分。 、 一實施態樣的臭氧處理裝置 的截面圖。就此裝置而言，臭氧發生單元默框㈣内的 空間係與連接s己管部4G的間隙空間43不相通，各自進行換 -------------裝-----Γ---訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -15- 1 X 297公釐） 478031 A7 B7 五、發明說明（13)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 氣。因此，框體31係連接至供給管45z，於該處，經由閱 V8，連接至由氮及氬等惰性氣體形成之換氣氣體供給源 TS5。另一方面，間隙空間43之最上游側係連接至通住工 廠中排氣管路（圖未顯示）之排氣管32。 就第4圖圖示之裝置而言，間隙空間43内，由氮及氬等 惰性氣體形成之換氣氣體供給源TS5係包含加熱裝置。亦 即，自供給管45z供應換氣氣體至間隙空間43時，可使用經 加熱的乾燥氣體。對含有PTFE或PFA等氟樹脂的内管41材 料而言，此乾燥氣體之溫度係設定為80_18(rc，較佳為約 150〇C。 藉由此一結構，必要時可使用經加熱之氣體作為間隙 空間43的換氣氣體。如此，自外側乾燥内管41，在較短時 間内即可完成乾燥作業，可提高裝置的運轉效率。另一方 面’因為此乾燥氣體未流經臭氧發生單元3〇之框體31，故 不會對臭氧發生器33產生不良影響。 再者’就第1及第4圖圖示的裝置而言，外管42之周 圍或内管41周圍的加熱方法，亦可使用例如捲繞式帶形加 熱器進行間接式傳熱來進行内管41之乾燥。此類的加熱裝 置係可將使用乾燥氣體或換氣氣體的機構組合。再者，上 述之實施態樣，係以用於臭氧處理裝置之改質處理裝置為 例，本發明亦適用於氧化裝置、擴散裝置、成膜裝置等其 他使用臭氧進行處理的其他裝置。再者，上述的實施態樣 係對於被處理基板以半導體晶圓為例說明，本發明亦可適 用於例如LCD基板或玻璃基板。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------------Γ—訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -16 - 478031 A7 B7 五、發明說明（14) 本發明係在利用臭氧氣體處理被處理基板時，可抑制 處理氣體中的成分對氣體管路或處理室内側產生腐蝕作 用，及可減低被處理基板的污染。 --I----— — — — — — · I I I l· I I I ^ ·11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 -17· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 478031 A7 B7 五、發明說明（15) 元件符號對照表： 10 臭氧發生單元 11 臭氧發生器 12 臭氧濃度計 13 壓力調整計 14 框體 15 不銹鋼配管 20 改質處理單元 21 處理室 22 UV燈 23 載置台 24 真空泵 30 臭氧發生單元 31 框體 32 排氣管 33 臭氧發生器 34 壓力調整器 35 配管 36 分歧管 37 流置計 38 濃度計 40 連接配管部 41 内管 42 外管 43 間隙空間 44 旁管 45a 配管 45b 配管 45z 供給管 38 臭氧濃度計 50 改質處理單元 51 處理室 52 載置台 53 加熱器 54 UV燈 55 透光窗 56 出入閥 61 墊片 62 電極 63 電極 64 原料氣體供給口 65 排出口 66 高周波電源部 67 電壓控制器 71 配管 72 水分除去器 72a 管路 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18- 478031 A7 五、發明說明（16) •經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 73 配管 80 排氣管 VI 閥 V2 閥 V3 閥 V4 閥 V5 閥 V6 閥 V7 閥 TS1 氧氣源 TS2 氮氣源 TS3 乾燥氣體供給源 TS4 換氣氣體供給源 TS5 換氣氣體供給源 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19-

Claims (1)

1. 478031 六、申請專利範圍 一種半導體處理系統之臭氧處理裝置，其包含·· 一氣密的處理室； 一用於支持被處理基板的支持部材，其係配 設於該氣密的處理室中； 一排氣機構，其係用於進行該處理室之排氣； 一處理氣體供給管，其係連接至該處理室，· μ 一臭氧發生ϋ，其係連接至該處理氣體供給 官，且與該處理氣體供給管相通，以提供含有臭 氧之氣體至該處理室； '' 一原料氣體供給管，其係連接至該臭氧發生 器； 一氧源，其係連接至該原料氣體供給管，且 與該原料氣體供給管相通，以提供氧氣至該臭氧 發生器； 一分岐管，其係自該處理氣體供給管分歧， 且不與該處理室連接； 一濃度計，用於測定該含有臭氧之氣體中的 臭氧濃度’且配設在該分歧管上；以及 2. 一控制器’用於依該濃度計測定之臭氧濃度 的測定值為基礎，控制該臭氧發生器。 如申請專利範圍第丨項之裝置，更具有： 一逆流防止構件，是係在該處理氣體供給管及該 濃度計之間，且分歧管上。 如申請專利範圍第,之裝置，其中該逆流防止 (cNS)^Tii77i^ :| 爱 Γ -20- 3. A8 B8 C8

   、申睛專利範圍 以自外面開始乾燥該處理氣體供給管的機構。 12·如申請專利範圍第10項之裝置，其中該換氣機構 之該乾燥氣體係由氮及氬等組成之組群中選出。 13.如t請專利範圍第11項之裝置，該換氣機構之該 乾燥氣體加熱至8〇_18〇°c。 14· 一種半導體系統的臭氧處理裝置，其包含： 一氣密的處理室； 一用於支持被處理基板的支持部 1 設於該氣密的處理室中； /糸配 排氣機構，其係用於進行該處理室之排氣； 一處理氣體供給管，其係連接至該處理室， 且由非金屬材料製成； ^ 一臭氧發生器，其係連接至該處理氣體供給 官，且與該處理氣體供給管相通，以提供臭氧氣 體至的該處理室； 、 ^ 一原料氣體供給管，其係連接至該臭氧發生 器； 氧源，其係連接至該原料氣體供給管，且 與該原料氣體供給管相通，用以提供氧氣至該臭 氧發生器； 、 ^ 外殼體，其係氣密地包圍該處理氣體供給 管，在此，該處理氣體供給管及該外殼體之間^ 成一間隙空間； 一乾燥機構，其係藉由供給經加熱之乾燥氣 <1 申請專利範 15. 16. 17. 18· 19. 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 20. 21. 體至該處理氣體供給管，以由内面乾燥該處理氣 體供給管者；以及 一換氣機構，用於進行該間隙空間之換氣。 如申請專利範圍第14項之裝置，其進一步包含： 相對於該處理室成並列狀而連接該處理氣體供給 管之近端部處及該排氣機構，且選擇性開閉的旁 管。 如申請專利範圍第14項之裝置，其進一步包含： 配δ又在該原料氣體供給管上的水分除去器。 f库丨請專利範圍第14項之裝置，其中該乾燥氣體 氮及氬所組成之組群中選出。 ^[專利範圍第17項之裝置，其中該處理氣體供 给着係由氟樹脂形成，該乾燥氣體可加熱至 8〇-180°C。 如♦申請專利範圍帛12項之裝置，其中該換氣機構 係藉由供給經加熱之乾燥氣體至該間隙空間，以 自外面乾燥該處理氣體供給管的機構。 如申請專利範圍第19項之裝置，其中該換氣機構 之該乾燥氣體係由氮及氬等組成之組群中選出。 t申請專利範圍第2G項之裝置，該換氣機狀該 乾燥氣體加熱至8(M80°C。 巧張尺度_中關iii(CNS)A4規格⑽ X 297公釐） -------------裳--------訂-------I ·線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -23-