TW472256B - Method of programming phase-change memory element - Google Patents

Description

472256 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明α ) 發明領域 廣義言之，本發明與相位變化的電氣記憶體有關。更 明確地說，本發明與規劃相位變化記億體元件的方法有關。

V 發明背景

Ovonic EEPROM是一種具有專利、高性能、非揮發 性、薄膜的電子記憶體裝置。它的優點包括以非揮發性的 方式儲存資料，位元密度高，以及成本低，這是因為它所 佔面積小，且是簡單的兩端點裝置的構造，可重複規劃的 循環壽命長，規劃能量低且高速。Ovonic EEPROM具有以 類比或數位方式儲存資訊的能力。數位儲存可以是二進位 (每個記憶格一個位元）或多態（每格多位元）。 在電子式記憶體中使用電氣可寫入及可抹除相位變化 材料（即材料可在一般非晶與'般結晶狀恶.間.切換，或在結 晶形態中，在不同的電阻狀態間電氣地切換）已是習知技 術，例如共同讓予的美國專利5,166,758中的揭示，該項揭 示併入本文參考。電氣相位變化材料及記憶體元件的其它 例子，見於共同讓予的美國專利5,296,716、5,414,271、 5,359,205、5,341,328、5,536,947、5,534,712、5,678,112、 以及5,825,046，所有的揭示都併入本文參考。還有其它相 位變化記憶體元件的例子，揭示於共同讓予的美國專利申 請案09/276,273，也併入本文參考。 一般來說，相位變化材料可以在第一結構狀態（此狀態 一般是非晶）與第二結構狀態（此狀態一般是結晶局部次 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------------訂---------I '' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 472256 發明說明（g) 序）間切換。本文裕/太 晶無次序或次序雜 =用的，，非晶”一詞，是指它的結構較單 係數高。本文中你田i具有可偵測到的特性，例如電阻 有次序，且電阻:結晶"一詞’是指它的結構較非晶 係數較非晶狀態低。 相位變化材料也可在局部次序 電氣地切換，户味b N j扪貝别狀您間 圍。县二 κ 7凡全非晶到完全結晶狀態間的整個範 全結晶i態間這t材曰料的切換不需要發生於完全非晶與完 局部次序的變化=以增量步進的方式切換，反應⑴ 體的變化，以㈣有不同局部次序之兩或多種材料 a,, 更楗供―”灰階”，藉以代表完全非晶到完全 、、口曰曰之間整個範圍内多種局部次序的情況。 —相位4化材料所呈現的不同電氣特性，視它的狀態而 定例如，在結晶狀態，由於次序狀態較多，因此材料呈 見的电阻係數車父它的非晶狀態低，非晶的次序狀態較少。 相位’文化材料體能在較多次序（低電阻狀態）與較少次序 (咼電阻狀態）間切換。低電阻狀態的電阻值低於高電阻狀 心的電阻值。此外，高及低電阻狀態的電阻值可被偵測出 不同。 當—較長脈衝的能量(稱為”設定脈衝，，)施加到担位變 化§己憶體材料體時’它會從高電阻狀態轉換到它的低電阻 狀態。相信是對記憶體材料體施加設定脈衝時，材料體中 至少有部分的局部次序改變。特別是，施加的能量致使某 程度的結晶（即成核及/或生長）’致使至少部分的記憶體材 料體從它的較少次序的"非晶，'狀態改變到較多次序的，’結 4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^1-1 — — — —--訂--------線 —. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 n I —β n ^ n n n n n n n n i 曰曰 壽 五、發明說明（3) 1狀態 &曰應連續設定脈衝可促使記憶體材料進-步的 ::體St續的設定脈衝時，新的核位形成，現有: 體元件真它声門結曰^的大小增加，使得記憶體材料與記憶 接觸展的材ϋ之、界上的應力增加（例如記憶體材料與 ^材因此，記憶體元件之層剝離的傾向增加。 伴不ϋ ’吾人需要―種規魏憶體元件射法，它能綠 保不會對記憶體材料體連續地施加蚊脈愈。 發明概诚 本^明的目的是提供一種規劃相位變化記憶體元件的 太t ’ 不會對記憶體杖料體連續地施加設定脈衝 =明的另一目的是增加相位變化記憶體元件的循環 、'工由將冑乳可規劃的相位變化記憶體元件規劃到低 5阻狀‘％的方法達成此及其它目的，記憶體元件包括一相 位變化記憶體材料體，具有至少—低電阻狀態以及一可福 =不Μ高電阻狀態，該方法的步驟包括：對記憶體材 加第-脈衝的能量’第一脈衝足以使記憶體材料從低 电阻狀恕轉換到高電阻狀態；以及隨在第一脈衝之後對記 憶體材料施加第二脈衝的能量，第二脈蚁以使記憶體材 料從高電阻狀態轉換到低電阻狀態。 一經由設$一具有至少-低電阻狀態以及-可偵測之不 同网電阻狀⑮之電氣可規劃的相位變化記憶體元件的方法 本紙張尺錢”關準（cns)A4 ί、--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 472256

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以達成此及其它目的，該方法的步驟包括：對記憶體材料 施加Η衝的能量，第—脈衝足以使記憶體材料從低電 阻狀態轉換到高電阻狀態；以及隨在第一脈衝之後對纪憶 體，加第二脈衝的能量’第二脈衝足以使記憶體材料 從咼電阻狀態轉換到低電阻狀態。 經由將-電氣可規劃的相位變化記憶體元件規劃到所 要狀態的方法達成此及其它目的，記憶體元件包括—相位 變化記憶體材料體，具有至少—低電阻狀㈣及Κ貞測 之不同的高電阻狀態，該方法的步驟包 取記憶體元 # ^ ^# ^11;^ ^ s t ^ ^ ^ ^ $ ’將記憶體元件從目前狀態規劃到所要狀態。 發明詳細說明 本文揭示一種規劃相位變化記憶體元件的創新方法。 記憶體元件包括至少具有—高電阻狀態及—低電阻狀態的 相位變化記憶體材料體。高電阻狀態的特徵是電阻值高， 低電阻狀態的特徵是電阻值低。高電阻值大於低電阻值。 高電阻值與低電阻值間具有可_的不同。冑電阻狀態是 次序較少的狀態，記憶體材料體中的非晶增加。低電阻狀 態是次序較多的狀態，記憶體材料體中的結晶增加。本文 所使用的記憶體元件是當它對應的記憶體材料體在高電阻 狀態時，它也在高電阻狀態即，較少的次序具有較高的電 阻值）。同樣地，當它對應的記憶體材料體在低電阻狀態 時，它也在低電阻狀態（即，較多的次序具有較低的電阻 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I n n I I I I · n I 1 n - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 472256 五、發明說明（5 值）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 種中的討論’記憶體材料體能反應輸入的信號脈 轉換觀電阻«，在本文中將其稱 能 τ °又疋脈衝足以使記憶體材料體從高 電阻狀 U广電阻狀態。將記憶體材料體從高電阻狀態轉換 到氏電阻狀態的侧，本文稱其為” W體元件。吾 人相仏，對記憶體材料體施加設定脈衝， 體材料體”分的局料序。_是，吾人相信，設定脈 衝足以將至v部分的§己憶體材料體從較少次序的非晶狀態 改變到較多次序的結晶狀態。 圯隐體材料體也旎反應輸入的信號脈衝能量從低電阻 狀態轉換到高f阻狀態，本文稱其為”重置脈衝"。重置脈 衝足以將记憶體材料體從低電阻狀態轉換到高電阻狀態。 將記憶體材料體從低電阻狀態轉換到高電阻狀態的作用， 在本文中稱為，'重置”記憶體元件。雖然不希望受理論約 束，但吾人相信，對記憶體材料體施加重置脈衝，至少改 變了记fe體材料體令部分的局部次序。特別是，吾人相作， 重置脈衝足以將至少部分的記憶體材料體從較多次序的結 晶狀態改變到較少次序的非晶狀態。 本文所揭示之規劃記憶體元件的創新方法，能從任何 其它的電阻狀態規劃到低電阻狀態。記憶體元件可從高電 阻狀態規劃到低電阻狀態。另者，記憶體元件也能從低電 阻狀態規劃到低電阻狀態（即，可能要被規劃的記憶體元件 已在低電阻狀態，使其仍保持在低電阻狀態這種情況可 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注音^事項再填寫本頁) i 線. 472256

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（6) 月b發生在當要被寫入記憶體元件的資料是要將記憶體元件 規劃到低電阻狀態，而該記憶體元件已經在低電阻狀態（例 如，要將邏輯〇的資料寫入記憶體元件，而要被寫入的記憶 體元件已在邏輯0的狀態，或是，要將邏輯1的資料 寫入記 憶體元件，而要被寫入的記憶體元件已在邏輯1的狀態）。 表1顯示兩種從"目前狀態”到”次一狀態"可能的轉換，它們 是將具有高電阻狀態及低電阻狀態的記憶體元件規劃到低 電阻狀態。 表.1 目前狀態 次一狀態 高4阻狀態低電阻狀態 (f 低電阻狀態低電阻狀態 可經由對記憶體材料施加2個脈衝的能量將記憶體元 件從匕的尚電阻狀態規劃到它的低電阻狀態。2個脈衝能量 包括第一脈衝的能量以及跟著第二脈衝的能量。第一脈衝 的月b里足以將3己憶體材料體從它的低電阻狀態轉換到它的 南電阻狀畴。+，特別.是，.第一脈衝的振幅、持續時間、上升 時間以及下降時間等特徵，足以使記憶體材料體從它的低 電阻狀態轉換到它的高電阻狀態。第一脈衝所施加的能 置，足以將至少部分的記憶體材料體從較多次序的結晶狀 心轉換到較少次序的非晶狀態。如前所述，第一能量的脈 衝是重置脈衝。 第一脈衝的能量隨在第一脈衝施加到記憶體材料。第 二脈衝足以將記憶體材料體從它的高電阻狀態轉換到它的 本紙張尺度朗巾_家標準（CNS>A4規格（210 X 297公i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} I ,χ--------^---------^1 I n 472256 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（7) 低電阻狀態。特別是，第二脈衝的振幅、持續時間、上升 犄間以及下降時間等特徵，足以使記憶體材料體從它的高 電阻狀態轉換到它的低電阻狀態。第二脈衝所供應的能量 足以將至少部分的記憶體材料體從較少次序的非晶狀態轉 換到較多次序的結晶狀態。如前所述，第二能量的脈衝是 設定脈衝。因此，對記憶體元件施加重置脈衝接著施加設 定脈衝，可將記憶體元件從它的高電阻狀態規劃到它的低 電阻狀態。 卜" ，第一脈衝（重置脈衝）的振幅以大於第二脈衝（設定脈 衝）的振幅為佳。同樣地，第一脈衝的持續時間以小於第二 脈衝的持續時間為佳。對第一及第二脈衝之振幅、持續時 間、上升時間以及下降時間的選擇，視某些因素而定，例 如但不限於記憶體材料體的大小，所使用的記憶體材料， 所使用之忐s的種類，以及將該能量施加到記憶體材料的 裝置等。 如岫所述，已在低電阻狀態的記憶體元件也許要被規 劃，以使其仍保持在低電阻狀態。經由對記憶體材料體施 加重置脈衝接著施加設定脈衝，可將原已在低電阻狀態的 記憶體元件仍規劃到低電阻狀態。 概§之，按照本發明的規劃方法，相位變化記憶體元 件可以經由施加重置脈衝接著施加設定脈衝，將其從高電 阻狀態規劃到低電阻狀態。記憶體元件也可經由施加重置 脈衝接著施加設定脈衝，將其從低電阻狀態規劃到低電阻 狀態。 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） I I /X---- -- 訂 - - ------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 472256

五、發明說明（8) 以上所揭不的規劃方法，是描述將記憶體元件規劃到 低電阻狀態的方法。當然記憶體元件也可從先前的低電阻 狀恶或先Μ的南電阻狀態規劃到高電阻狀態。表2顯示狀態 過渡到高電阻狀態。 表2 次一狀熊 ，電阻狀態高電阻狀態 高電阻狀態高電阻狀態 經由對δ己憶體材料施加一個重置脈衝也可將記憶體元 件從任何其它的狀態規劃到高電阻狀態。特別是，例如， 經由對記憶體材料施加一個重置脈衝，可以完成表3中所示 兩種狀恶的過渡。因此，對記憶體材料施加一個重置脈衝， 可以從低電阻狀態到高電阻狀態或從高電阻狀態到高電阻 狀態。 §己憶體元件可能的狀態過渡’以及用來將記憶體元件 從一狀態規劃到另一狀態的脈衝順序，包括所有4種可能的 狀態過渡都概述於表3。 . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 目前狀態 高電阻狀態 低電阻狀態 低電阻狀態 高電阻狀態 表3 .次一狀態 低電阻狀態 低電阻狀態 高電阻狀態 高電阻狀態 脈衝丨頁序 重置接著設定 重置接著設定 重置 重置 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮）

-n n _^i n n I 1 I n n n n 1· n n I I 472256

五、發明說明（9) 無論狀態過渡的順序為何，本發明所揭示之將記 =件規_低電阻絲的方法㈣不會對記憶體材料體^ 績施加兩次設定脈衝^此確保當資料“記憶體元件及/ 或從記憶體元件抹除時，記憶體材料不會發生超量的結 晶。因此，將可避免層剝離的情形。 請注意美國專利4,389,713揭示—種寫入非晶記情體 2的雙脈衝法。相較於本發明，，713_示的雙脈衝法: f第-脈衝是將記憶體元件從高電阻狀態切換到低電阻狀 態’以及’接著第-脈衝之後的第二脈衝，义以將部分的 記憶體材料驅使到它的液態。有別於本發明所描述的方法。 (即，控制電氣脈衝的電流）。因此，上述第一及第二能量 的脈衝，即设定與重置的脈衝最好都是電流脈衝。另者， 也可以電壓脈衝的型式施加（即控制電氣脈衝的電壓）電 能0 一般來說，在以上所描述的規劃方法中，能量可以是 任何型式，包括電能、聲能、以及壓力能。施加於記憶體 材料的能量以電能為佳。以電流脈衝的形式施加電能更佳 (U-.ϊ Λ» At > .. 本文mu二種規劃記憶體元件的方法， • ... ........... ........ 八 * j »»j 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 …方法也疋確保在.將資料寫入記憶體元件及/或將記憶體 =件的資料抹除時，不會對記憶體元件連續施加兩次或兩 -欠以上的設定脈衝。第二種規劃記憶體元件之方法包括的 ，驟有：讀取記憶體元件的目前狀態；決定目前狀態是否 等於所要的狀態，如果不是，將記憶體元件規劃成所要的 狀態。 -11 - 本紙張尺度適票準(GNs)IIi^r^rS¥) 472256 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（10)

At此規劃方法的第一步是讀取記憶體元件目前的電阻狀 二，成此步驟的方法是將"讀取”脈衝的能量施加於記憶 to·材料體。—般來說，讀取脈衝的能量可以是任何型式。 月匕里的型式例如包括電能、粒子束能、熱能、電磁能、聲 能及壓力能。這些能量中以電能為佳。讀取脈衝以施加電 二脈衝更仏（即’控制電氣信號的電壓）。讀取電壓脈衝的 振幅要足以讀取記憶體元件的電阻，但不足以將記憶體元 件從一電阻狀態規劃到另一電阻狀態。 讀取的電壓脈衝可以施加於記憶體材料，且電流流過 §己憶體材料，接著用來決定記憶體元件的電阻狀態。如果 記憶體元件本身在高電阻狀態，則流過記憶體材料的電流 低。另者’如果記憶體元件本身是在低電阻狀態，則流過 記憶體材料的電流大。將目前的電阻狀態儲存在暫存器中。 規s彳方法的下一步是決定記憶體元件目前的電阻狀態 疋否等於"所要的，，狀態。所要的狀態是記憶體元件要被規 劃成的下一個電阻狀態。完成決定步驟的方法是比較目前 電阻狀態的電阻值與所要狀態的電阻值。如果記憶體元件 目丽的電阻狀態等於所要的狀態，則不需要進一步的動作 (不須對記憶體材料體施加規劃脈衝）。不過，如果記憶體 元件目前的電阻狀態不等於所要的狀態，則將規割脈 加於記憶體元件，以便將記憶體元件從目前的電 換到所要的狀態。 〜 須注意，，用此第二種規劃方法時，僅#記 件的狀態需要改變時’才對記憶體材料施加規劃脈“如 本紙張尺度翻巾國國家辟（CNS)A4規格⑵f t--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -12- 472256 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（11) 設定或重置規劃脈衝）。特別是，僅當記憶體元件的狀態需 要從它的高電阻狀態改變到它的低電阻狀態，或從它的低 電阻狀態改變到它的高電阻狀態時，才施加規劃脈衝。 當使用.此規劃方法時，可對記憶體材料體施加單設定 脈衝，以將記憶體元件從它的高電阻狀態規劃到它的低電 阻狀態。同樣地，對記憶體材料體施加單重置脈衝可將記 憶體元件從它的低電阻狀態規劃到它的高電阻狀態。 此規劃方法確保不會對記憶體材料連續施加2或多次 設定脈衝。此確保當記憶體元件被規劃時，記憶體材料不 會出現過量的結晶。 相位變化記憶體材料最好是由多種元素構成，相位變 化材料包括的一或多種元素選用自蹄.、石西、鍺、録、麵、 船、錫、珅、输、石夕、雄、氧以及它們的混合物或合金。 相位變化材料最好至少包括一種硫屬元素。包括的至少一 種硫屬元素最好是選用自碲、硒及它們的混合物或合金。 至少一種硫屬元素可以是碲與硒的混合物。 能增進電氣切換性能特性的混合物，在做為沈積的材 料中，碲成分的平均濃度最好小於大約70%，在大約40% 到大約60%間更佳。在材料中鍺的濃度最好大於大約5%， 在大約8%到大約50%更佳，在大約10%到大約44%最佳。 剩下的主要構成元素是録。構成元素之原子的原子百分比 總共100%。因此，此混合物的特徵是TeaGebSb1()(Ha+b)。碲-鍺-銻三元合金是發展其它具有更佳電氣特徵之相位變化 材料很有用的基礎材料。 -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------,-L--------訂—------線 I: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7

相位變化材料包括至少一種過渡金屬元素。本文所使 用的”過渡金屬”包括21到30、39到48、57及72到8〇等元素。 過渡金屬s素以選用自鉻、鐵、鎳、銳u及它們的 混合物或合金為佳。最佳的過渡金屬是鎳。在後文中提及 的此種多元m _是關㈣I錄純，具有或沒 有鎳或砸。包括過渡金屬的相位變化材料是經過元素修改 的蹄”三元系統的相位變化材料。易言之，元素經過 修改的相位變化材料修改成碲_鍺_銻相變合金的型式。此 兀素的修改是在基本的碲_鍺_銻三元系統中加入過渡金 屬，添加或不添額外的硫屬元素，如硒。 修改元素的相位變化材料是包括碲_鍺_銻及過渡金屬 的相位變化材料，其比例是(TeaGebSW(a+b))eTMi。。。，其 中的下標疋原子比例，構成元素的原子總量是〗00〇/。，其中 TM是一或多種過渡金屬，&及{3如前文所述是基本的碲-鍺_ 録二元系統’ c以大約9〇%到大約99.9。/()為佳。過渡金屬以 包括鉻、鐵、鎳、鈮、鈀、鉑及它們的混合物或合金為佳。 修改元素之相位變化材料的另一例是包括碑、鍺、錄、 砸及過渡金屬的相位變化材料，其比例是 (TeaGebSb⑽_(a+b))cTMdSe丨00_(c+d)，其中的下標是原子比例， 構成元素的原子總量是100%，其中TM是一或多種過渡金 屬’ a及b如前文所述是基本的碲-鍺_銻三元系統，^以大約 90%到大約99.5%為佳，d以大約0.01%到10%為佳。過渡金 屬以包括鉻、鐵、鎳、鈮、鈀、鉑及它們的混合物或合金 為佳。 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --— II · I I (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) . -·讀！ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 472256 A7 _B7_ 五、發明說明（’13) 記憶體元件包括將能量施加到記憶體材料體的裝置。 當能量是電能時，記憶體元件包括電氣接點以供應電壓或 電流給記憶體材料體。接點的形狀與它們相對於記憶體材 料體的位置可以變化以構成不同的裝置結構。例如，電氣 接點可以包括第一及第二接點，其位置毗鄰記憶體材料。 須瞭解，本文所描述的揭示是以詳細實施例的型式描 述，其目的是對本發明做完整與完全的揭示，不能將這些 細節解釋成對本發明所附申請專利範圍中所描述及定義之 真正範圍的限制。 -------------(.—i---------訂---------線 I. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 經濟、部智慧財產局員工消費合作社印製 規劃的相位變化記憶體元件規劃到低電 /，該圮憶體元件包括相位變化記憶體材剩 !’至少具有該低電阻狀態及可偵測之不同的高電阻狀 恶，该方法的步驟包括： 對該記憶體材料施加第—脈衝的能量，該第一脈衝及 以祕己憶體材料從低電阻狀態轉換到該高電阻狀能，以及 ^ -脈衝之後接著對該記憶體材料 第二脈衝足以將該記憶體材料從該高_ 狀&、轉換到该低電阻狀態。 如申請專利範圍第丨項的方法 二脈衝的能量是電能。 如申請專利範圍第丨項的方法 二脈衝是電流脈衝。 如申請專利範圍第丨項的方法^ 時間小於該第二脈衝的持續時間 5.利範圍第1項的方法，其中該第-脈衝的掮 大於該第二脈衝的振幅。 6·^申請專利範圍第㈣的方法，其中該相位變化材料 括至少一種硫屬元素。 7.-種設定電氣可_的相位變化記憶體 記憶體元件至少具有—低電阻狀態以及-可偵測之 同的高電阻狀態，該方法的步驟包括： 4 其中該第一脈衝及該 其中該第一脈衝及該 其中該第一脈衝的持 對該記憶體材料施加第—脈衝的能量，該第 脈召 --------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂 .1線丨· 本紙張尺度逋财ϋ财辟（CNS) 16 中請專利範圍 ^ =。己隐體材料從低電阻狀態轉換到該高電阻狀態 ’以及 脈衝之後接著對該記憶體材料施加第二脈衝 广脈衝足以將該記憶體材料從該高電阻 狀々轉換到该低電阻狀態。 如申請專利範圍第7項的方沬，甘 二脈衝的能量是電能、。 八中絲—脈衝及該第 9 如IS1!圍第7項的方法’其中該第-脈衝及該第 一脈衝疋電流脈衝。 10· =請專利範圍第7項的方法，其中該第—脈衝的持續 時間小於該第二脈衝的持續時間。、 u.如申請專利第7項的方法，其中該第-脈衝的振幅 大於該第二脈衝的振幅。 12. 如申請專利·第7項的方法，其中該相位變化材料包 括至少一種硫屬元素。 13. -《電氣可_的触變化㈣紅件規劃到所要 狀態的方法，該記憶體元件包括相位變化記憶體材料體 ’匕至/具有該低電阻狀態及可偵測之不同的高電阻狀 態’該方法的步驟包括： 讀取該記憶體元件的目前狀態； 決定目前狀態是否等於該所要狀態；以及如果不是 將該記憶體元件I目前狀態規劃到該戶斤要狀熊。 14. 如申請專利範圍第13項的方法，其中該讀取步驟的

   '申請專利範圍 包括： 對該記憶體材料施加讀取脈衝的能量；以及 決定該記憶體材料的電阻。 15.如申請專利範圍第13項的 h 4 貝的方法’其中該決定步驟包括比 =記，體材料的目前電阻與該所要的電阻狀態。 。申請專利範圍第13項的方法，其中該相位變化材料包 括一硫屬元素。 如申請專利範圍第14項的方法，其中該能量是電能。 8.如申請專職圍第14項的方法，其中該讀取脈衝是電壓 脈衝。 n- I mu n^i nn km ml ml n^i 1 m —HI— ti 1^^11 HB^i 一 ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）