JPH08306192A - 不揮発性メモリ書き込み装置 - Google Patents
不揮発性メモリ書き込み装置Info
- Publication number
- JPH08306192A JPH08306192A JP11147495A JP11147495A JPH08306192A JP H08306192 A JPH08306192 A JP H08306192A JP 11147495 A JP11147495 A JP 11147495A JP 11147495 A JP11147495 A JP 11147495A JP H08306192 A JPH08306192 A JP H08306192A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- volatile memory
- writing
- written
- writing device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 書き込み回数に限度がある不揮発性メモリへ
の不要なデータ書き込みを行なわないようにする。 【構成】 不揮発性メモリ５に対して書き込むデータが
決定された時点で、不揮発性メモリ５からデータを読み
出し、書き込むデータと比較し、データが異なっている
時のみ不揮発性メモリえに対してデータの書き込みを行
ない、比較した結果同じデータと判断されれば、データ
の書き込みを行なわないようにする。
の不要なデータ書き込みを行なわないようにする。 【構成】 不揮発性メモリ５に対して書き込むデータが
決定された時点で、不揮発性メモリ５からデータを読み
出し、書き込むデータと比較し、データが異なっている
時のみ不揮発性メモリえに対してデータの書き込みを行
ない、比較した結果同じデータと判断されれば、データ
の書き込みを行なわないようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は不揮発性メモリにデータ
を書き込むことによって、データの記憶を行なう装置に
関するものである。
を書き込むことによって、データの記憶を行なう装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、不揮発性メモリ書き込み装置は書
き込むデータが発生した時点で、不揮発性メモリに既に
保持されているデータとは無関係にデータの書き込みが
なされている。
き込むデータが発生した時点で、不揮発性メモリに既に
保持されているデータとは無関係にデータの書き込みが
なされている。
【０００３】以下図面を参照しながら従来の不揮発性メ
モリ書き込み装置について説明する。図３は従来の不揮
発性メモリ書き込み装置のブロック構成図である。図３
において１符号２は不揮発性メモリに書き込むデータを
決定するデータ決定手段であり、１３は不揮発性メモリ
に対してデータの書き込み作業を行なうデータ書き込み
手段であり、１４は不揮発性メモリである。
モリ書き込み装置について説明する。図３は従来の不揮
発性メモリ書き込み装置のブロック構成図である。図３
において１符号２は不揮発性メモリに書き込むデータを
決定するデータ決定手段であり、１３は不揮発性メモリ
に対してデータの書き込み作業を行なうデータ書き込み
手段であり、１４は不揮発性メモリである。
【０００４】このように構成された不揮発性メモリ書き
込み装置の動作は、まずデータ決定手段１２によって記
憶したいデータが決定され、そのデータがデータ書き込
み手段１３によって不揮発性メモリ１４に書き込まれ
る。これによりデータの記憶が行なわれる。
込み装置の動作は、まずデータ決定手段１２によって記
憶したいデータが決定され、そのデータがデータ書き込
み手段１３によって不揮発性メモリ１４に書き込まれ
る。これによりデータの記憶が行なわれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の構
成では、書き込み回数に限度がある不揮発性メモリに対
し、同じデータの場合にも書き込みを行なう。その結
果、長期間にわたり使用する場合、書き込み限度回数を
越えて書き込みを行なう場合があり、書き込まれたデー
タの信頼性が失われるという問題点を有していた。
成では、書き込み回数に限度がある不揮発性メモリに対
し、同じデータの場合にも書き込みを行なう。その結
果、長期間にわたり使用する場合、書き込み限度回数を
越えて書き込みを行なう場合があり、書き込まれたデー
タの信頼性が失われるという問題点を有していた。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、不揮発性メモリに書き込むデータが発生した際、ま
ず不揮発性メモリからデータを読み出し、書き込むデー
タと比較し、データが異なっている時のみ書き込みを行
なう不揮発性メモリ書き込み装置を提供することを目的
とする。
で、不揮発性メモリに書き込むデータが発生した際、ま
ず不揮発性メモリからデータを読み出し、書き込むデー
タと比較し、データが異なっている時のみ書き込みを行
なう不揮発性メモリ書き込み装置を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の不揮発性メモリ書き込み装置は、データ決定
手段によって決定されたデータとデータ読み出し手段に
よって読み出されたデータとを比較する比較回路を設
け、比較した結果データが同じであれば不揮発性メモリ
に対して書き込みを行なわず、データが異なった時のみ
データ書き込み手段を用いて、不揮発性メモリに対して
書き込みを行なうという構成を有している。
に本発明の不揮発性メモリ書き込み装置は、データ決定
手段によって決定されたデータとデータ読み出し手段に
よって読み出されたデータとを比較する比較回路を設
け、比較した結果データが同じであれば不揮発性メモリ
に対して書き込みを行なわず、データが異なった時のみ
データ書き込み手段を用いて、不揮発性メモリに対して
書き込みを行なうという構成を有している。
【０００８】
【作用】この構成によって不揮発性メモリへの不要なデ
ータ書き込みを削減することができ、書き込み回数に限
度がある不揮発性メモリが正しくデータを保持する期間
を延ばすことができる。
ータ書き込みを削減することができ、書き込み回数に限
度がある不揮発性メモリが正しくデータを保持する期間
を延ばすことができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例における不揮発性メ
モリ書き込み装置を図面とともに説明する。
モリ書き込み装置を図面とともに説明する。
【００１０】（実施例１）図１は本発明の第１の実施例
における不揮発性メモリ書き込み装置のブロック構成図
を示す。図１において、符号１、３、４は各種操作手段
である。２は操作手段１、３によって生成されたデータ
の比較を行なう回路である。５はデータが書き込まれる
不揮発性メモリである。
における不揮発性メモリ書き込み装置のブロック構成図
を示す。図１において、符号１、３、４は各種操作手段
である。２は操作手段１、３によって生成されたデータ
の比較を行なう回路である。５はデータが書き込まれる
不揮発性メモリである。
【００１１】次に、図１の構成装置の動作について説明
する。データ決定手段１によって不揮発性メモリ５へ書
き込みたいデータが発生すると、不揮発性メモリ５から
データ読み出し手段３によってデータが読み出される。
次に、前記読み出されたデータと前記データ決定手段１
によって発生したデータとを比較回路２によって比較を
行なう。比較した結果、双方のデータに違いがなければ
不揮発性メモリ５への書き込み作業を行なわず、作業を
終了する。比較した結果、双方のデータに違いがあれば
データ書き込み手段４によって、不揮発性メモリ５へ、
前記データ決定手段１によって決定された前記データを
書き込む。
する。データ決定手段１によって不揮発性メモリ５へ書
き込みたいデータが発生すると、不揮発性メモリ５から
データ読み出し手段３によってデータが読み出される。
次に、前記読み出されたデータと前記データ決定手段１
によって発生したデータとを比較回路２によって比較を
行なう。比較した結果、双方のデータに違いがなければ
不揮発性メモリ５への書き込み作業を行なわず、作業を
終了する。比較した結果、双方のデータに違いがあれば
データ書き込み手段４によって、不揮発性メモリ５へ、
前記データ決定手段１によって決定された前記データを
書き込む。
【００１２】（実施例２）図２は本発明の第２の実施例
における不揮発性メモリ書き込み装置のブロック構成図
を示す。図２において、符号６、８、９、１０は各種操
作手段である。７は操作手段６、８によって生成された
データの比較を行なう回路である。１１は不揮発性メモ
リである。
における不揮発性メモリ書き込み装置のブロック構成図
を示す。図２において、符号６、８、９、１０は各種操
作手段である。７は操作手段６、８によって生成された
データの比較を行なう回路である。１１は不揮発性メモ
リである。
【００１３】次に、図１の構成装置の動作について説明
する。データ決定手段６によって不揮発性メモリ１１へ
書き込みたいデータが決定すると、まずアドレス決定手
段９によって不揮発性メモリ５のどのアドレスへデータ
を書き込むか決定される。次に、決定されたアドレスか
らデータ読み出し手段８によってデータが読み出され比
較回路９に送られる。比較回路９ではデータ書き込み手
段６によって決定されたデータとデータ読み出し手段８
によって読み出されたデータとを比較し、データに違い
がなければ不揮発性メモリ５への書き込み作業を行なわ
ず作業を終了する。比較した結果データに違いがあれ
ば、データ決定手段６によって、前記決定されたデータ
を前記データ書き込み手段１０によって不揮発性メモリ
１１へ書き込む。
する。データ決定手段６によって不揮発性メモリ１１へ
書き込みたいデータが決定すると、まずアドレス決定手
段９によって不揮発性メモリ５のどのアドレスへデータ
を書き込むか決定される。次に、決定されたアドレスか
らデータ読み出し手段８によってデータが読み出され比
較回路９に送られる。比較回路９ではデータ書き込み手
段６によって決定されたデータとデータ読み出し手段８
によって読み出されたデータとを比較し、データに違い
がなければ不揮発性メモリ５への書き込み作業を行なわ
ず作業を終了する。比較した結果データに違いがあれ
ば、データ決定手段６によって、前記決定されたデータ
を前記データ書き込み手段１０によって不揮発性メモリ
１１へ書き込む。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、書き込み
回数に限度がある不揮発性メモリへの不要な書き込みを
行なわなくすることができ、書き込み回数が限度回数を
越えてしまったことによるデータの信頼性が失われると
いった事態を起こりにくいものにすることができる。
回数に限度がある不揮発性メモリへの不要な書き込みを
行なわなくすることができ、書き込み回数が限度回数を
越えてしまったことによるデータの信頼性が失われると
いった事態を起こりにくいものにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例における不揮発性メモリ
書き込み装置のブロック構成図
書き込み装置のブロック構成図
【図２】本発明の第２の実施例における不揮発性メモリ
書き込み装置のブロック構成図
書き込み装置のブロック構成図
【図３】従来の不揮発性メモリ書き込み装置のブロック
構成図
構成図
１、６ データ決定手段 ２、７ 比較回路 ３、８ データ読み出し手段 ４、１０ データ書き込み手段 ５、１１ 不揮発性メモリ ９ アドレス決定手段
Claims (2)
- 【請求項１】 不揮発性メモリと、該不揮発性メモリに
書き込むデータを決定するデータ決定手段と、前記不揮
発性メモリからデータを読み出すデータ読み出し手段
と、前記データ決定手段によって決定されたデータと前
記データ読み出し手段によって読み出されたデータとを
比較する比較回路と、前記比較回路によって比較された
データが異なっている場合のみに不揮発性メモリ対して
データの書き込みを行なうデータ書き込み手段とを備え
たことを特徴とする不揮発性メモリ書き込み装置。 - 【請求項２】 ｎ個の（ｎ＝１、２、・・・ 自然数）
不揮発性メモリに書き込むデータを決定するデータ決定
手段と、該決定されたｎ個のデータを不揮発性メモリへ
書き込むアドレスを決定するアドレス決定手段を持ち、
ｎ個のデータに対して書き込みを可能にしたことを特徴
とする請求項１記載の不揮発性メモリ書き込み装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11147495A JPH08306192A (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | 不揮発性メモリ書き込み装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11147495A JPH08306192A (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | 不揮発性メモリ書き込み装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08306192A true JPH08306192A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14562177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11147495A Pending JPH08306192A (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | 不揮発性メモリ書き込み装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08306192A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003502791A (ja) * | 1999-06-22 | 2003-01-21 | オヴォニクス インコーポレイテッド | 相変化記憶要素をプログラミングする方法 |
| EP1727151A1 (en) * | 2005-05-20 | 2006-11-29 | Infineon Technologies AG | Method for operating a PMC memory and CBRAM memory circuit |
| JP2008217975A (ja) * | 2008-03-31 | 2008-09-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPWO2007043133A1 (ja) * | 2005-10-04 | 2009-04-16 | スパンション エルエルシー | 半導体装置およびその制御方法 |
| US7869275B2 (en) * | 2006-10-07 | 2011-01-11 | Active-Semi, Inc. | Memory structure capable of bit-wise write or overwrite |
| US8446768B2 (en) | 2009-12-24 | 2013-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Control device for nonvolatile memory and method of operating control device |
| JP2021047827A (ja) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | キヤノン株式会社 | デバイス、システム、制御方法、及びプログラム |
| CN115588454A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-01-10 | 北京紫光青藤微系统有限公司 | 存储器的数据写入方法及装置、电子设备、存储介质 |
-
1995
- 1995-05-10 JP JP11147495A patent/JPH08306192A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003502791A (ja) * | 1999-06-22 | 2003-01-21 | オヴォニクス インコーポレイテッド | 相変化記憶要素をプログラミングする方法 |
| JP4641692B2 (ja) * | 1999-06-22 | 2011-03-02 | オヴォニクス インコーポレイテッド | 相変化記憶要素をプログラミングする方法 |
| EP1727151A1 (en) * | 2005-05-20 | 2006-11-29 | Infineon Technologies AG | Method for operating a PMC memory and CBRAM memory circuit |
| US8531863B2 (en) | 2005-05-20 | 2013-09-10 | Adesto Technologies Corporation | Method for operating an integrated circuit having a resistivity changing memory cell |
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| CN115588454A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-01-10 | 北京紫光青藤微系统有限公司 | 存储器的数据写入方法及装置、电子设备、存储介质 |
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