TW464763B - High resolution analytical probe station - Google Patents

High resolution analytical probe station Download PDF

Info

Publication number
TW464763B
TW464763B TW088113628A TW88113628A TW464763B TW 464763 B TW464763 B TW 464763B TW 088113628 A TW088113628 A TW 088113628A TW 88113628 A TW88113628 A TW 88113628A TW 464763 B TW464763 B TW 464763B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sample
electron microscope
computer
scanning electron
detection
Prior art date
Application number
TW088113628A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenneth F Hollman
Original Assignee
Micromanipulator Company Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micromanipulator Company Inc filed Critical Micromanipulator Company Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW464763B publication Critical patent/TW464763B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/22Optical or photographic arrangements associated with the tube
    • H01J37/226Optical arrangements for illuminating the object; optical arrangements for collecting light from the object
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302Contactless testing
    • G01R31/305Contactless testing using electron beams
    • G01R31/307Contactless testing using electron beams of integrated circuits
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2887Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 4 6 47 6 3 A7 B7 五、發明説明(/ ) 發明背景 本發明一般係有關於用於積體電路(1C)樣本探測站的 高解析度顯微鏡,且特別有關於利用掃瞄電子顯微鏡 (SEM)做探測定位來對積體電路樣本上之電子測試訊號做 .探測的方法及系統,該顯微鏡係被放置來觀察可以電子性 辨識傳導終端之樣本之表面標記。 現在的探測站通常使用光學顯微鏡=雖然晶圓的直徑 越來越大,但是建構於這些晶圓之上及其中的結構卻越來 越小。在過去幾十年中,產業已致力使得這些結構的尺寸 由幾百分之一英吋的大尺寸水準改善爲當今的幾分之微米 小。直到最近,大多數的結構均可藉由一般的高放大率光 學顯微鏡來觀察及探測。然而,現代的結構尺寸已達到標 準光學顯微鏡無法觀察的地步。由於產業積體電路設計法 則趨向0.18微米及更小的外形,大多數的先進光學光顯微 鏡在測試時無法被仰賴從測試中之積體電路樣本表面的傳 導路徑標記來正確地辨識電子性傳導的終端。另外,當觀 察於樣本上非常小的外形時,光學顯微鏡鏡片通常必須被 放置相當靠近樣本,使其可能會千擾測試探測。 若產業繼續探測這些結構,則除了光學顯微鏡之外’ 另一個方法是必須的。因而,希望提供可視察且探測甚至 最先進光學顯微鏡一般均無法肉眼觀察之外形的探測站’ 當維持一般被發現於光學顯微鏡之探測站的外形時’其可 與電子光學一起被使用。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29#公釐了 ---^---_·-----------ix--r----β (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 47 6 3 A7 ______B7 五、發明説明(/ ) 發明槪要 本發明之一個目的是提供以可克服先前技蓋遭遇之缺 點及問題的高解析度分析探測站所做的探測。 本發明另一個目的是提供高解析度分析探測站,以施 加電子測試訊號至積體電路樣本上。 本發明再一個目的是利用可觀察樣本表面之掃瞄電子 顯微鏡,來提供將電子測試訊號定位至積體電路樣本上的 探測。 本發明再另一個目的是提供一個真空室,其中從電腦 出來之電子訊號被鶴合至被馬達化(motorized)之調處器 ,及許多探測針上,使得電腦與被馬達化之調處器得以通 訊,以定位探測針來應用電子測試訊號。 簡單總結,本發明係有關於利用被放置來觀察暴露樣 本上之電子性傳導終端之樣本表面的掃瞄電子顯微鏡 (SEM)或聚焦離子束(FIB),以積體電路樣本上之電子測試 訊號做探測的方法及系統。當電腦從掃瞄電子顯微鏡取得 可辨識樣本表面上之傳導路徑標記之影像時,一載子被提 供用來支撐有關掃瞄電子顯微鏡的樣本。被馬達化之調處 器是由電腦遙控,或利用控制桿或類似物由操作員直接操 縱,可操縱許多位於樣本表面之探測針,以傳導包覆掃瞄 電子顯微鏡,載子,被馬達化之調處器及許多探測針,以 分析真空中樣本之真空室內圍內的電子測試訊號。真空室 上的饋通將從電腦出來之電子訊號耦合至被馬達化之調處 器及許多探測針上。電腦與被馬達化之調處器通訊,以定 本紙張尺度速用中國國家樣準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 4 7 6 3 a? _B7_ 五、發明説明(今) 位探測針,及利用電腦獲得之影像以掃瞄電子顯微鏡從樣 本表面上之傳導路徑標記來辨識電子性傳導終端,以應用 電子測試訊號至樣本上之終端。 藉由附圖觀點之下列說明書及申請專利範圍之詳述, 本發明其他的目的及優點將可被熟習本項技藝人士所了解 圖式簡單說明 圖1顯示一個具體化本發明之高解析度探測站; 圖2顯示根據本發明之包覆掃瞄電子顯微鏡(SEM), 被馬達化之調處器及許多位於積體電路樣本上之探測針的 真空室之剖面圖; 圖3A,3B及3C爲真空室的立體圖,其中,從電腦出 來之電子訊號被耦合至被馬達化之調處器及許多探測針上 ,使得電腦與被馬達化之調處器得以通訊,以定位探測針 來應用電子測試訊號;及 圖4爲顯示提供電子測試訊號至顯示樣本表面標記及 許多探測針之積體電路樣本探測定位之掃瞄電子顯微鏡照 片。 較佳實施例的詳細說明 現在參考附圖且特別是圖1及2,其顯示如半導體晶 圓之積體電路樣本之高解析度分析探測的系統10,系統10 將電子測試訊號應用至可包含整個晶圓,封裝零件或晶圓 本紙乐尺度逋用中國國家捸準(CNS ) A4規格< 210X29$公釐〉 ---,---„-----★·------1T--r----手 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7 4 6 4 7 6 3 五、發明説明(φ) 碎片的積體電路樣本50上。因此系統10除了可探測大量 各種類似尺寸之樣本外,尙可探測整個晶圓。傳統的掃瞄 電子顯微鏡(SEM),探測功能期間用做物質分析的X射線 顯微鏡或聚焦離子束(FIB)系統12可被用來加強此能力。 因此,該探測站可被合併至聚焦離子束系統及掃瞄電子顯 微鏡系統。在此說明之實施例使用由R.J. Lee儀器公司提 供之掃瞄電子顯微鏡,其被定位,以觀察暴露樣本50上之 電子性傳導終端之樣本50的表面。如見以下討論之圖4。 系統10可以具有電子光束感應電流(EBIC)能力提供允許做 爲非接觸探測型式的電流路徑追蹤測試及其類似物。 如圖2顯示,載子14被提供以支撐有關掃瞄電子顯微 鏡12的樣本50。掃瞄電子顯微12被充分地放置於樣本50 上,使其允許樣本50上之許多測試探測的定位,其不可能 利用光學顯微鏡來觀察非常小的電路外形6圖1中,電腦 系統16被耦合至載子/運動控制Η ’且電腦系統16更進 一步提供圖4之高解析度影像之合倂,其以掃瞄電子顯微 鏡Π來辨識樣本50表面之傳導路徑標記。電腦系統16可 被提供做爲如適合用做以下說明之資訊處理的傳統微處理 機基礎之系統,或電子控制器,或微控制器。分別由參考 符號18,20及22辨識的多重被馬達化調處器,同時也被 電腦系統16所遙控。因此,許多探測針24被用來以被馬 達化調處器18,20及22傳導位於樣本50表面之電子測試 訊號。 顯示於圖3Α,3Β及3C中之真空室立體圖描述了系統 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,-'β 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) A7 46 47 6 3 五、發明説明(《) 操作,其中內圍27被採用做包覆掃瞄電子顯微鏡Π,載 子14,多重被馬達化調處器18,2〇及22,及與掃瞄電子 顯微鏡12 —起使用之用來分析由真空室20產生於真空下 之樣本50的許多探測針24。以不同類型之可替代探測尖 端型式之調整能力從45度至9〇度的入射角’亦即以45度 及90度攻擊角幫助探測針達成有關掃瞄電子顯微鏡12的 定位。 內圍27之室的尺寸視所需的探測而定。小樣本的探測 就需要相對小的室。小樣本可能是封裝零件或晶圓片。對 於晶圓水準探測’室尺寸必須夠大以容納大至300毫米及 更大的晶圓階段轉換。該室係大約23”內徑xlO”深。此容 許擁有低於一英吋又及γ軌跡的6”晶圓夾盤。此同時也允 許大至擁有至少米解析度及所有軸中之0.5英吋軌跡 的六(6)可程式調處器。系統之足標大約3’χ3’χ5’,其包含 所有需要的電子及幫浦設備。 系統1〇是建造於可由各種製造者供應之Kinetics系統 所提供之振動隔離桌之上。此桌系統的設計被量身定做, 以容納位於桌面上下的真空室。此安置使得更容易進入探 測站而不需在高於正常桌面嵩度上運作。對於框結構而言 ,以氣體力學或液體推動的提升機械29被用來升降室頂 28 ° 室壁27已饋通焊接,其提供做成凸緣途徑以符合繫上 繩索至操作系統之可程式功能及提供訊號路徑給夾盤面14 、個別探測針接觸24及探測卡訊號(此處無圖示)的需要。 \紙張尺度適用中國國家標ί ( CNS )八4賴·( 210X29$公釐) ~ " {—免先—閲讀^:面:,之;:iiitii;^1#·填寫本頁); 訂 線 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 46 47 6 3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明u ) 熱夾盤14可使用於系統室內。室底13也已饋通焊接,其 提供做成凸緣途徑以附上以下討論之將室內抽爲真空及交 互連接需要之額外饋通埠的裝置。因此,當以被說明之交 .互連接硬體及儀器配適時,系統10相當適合低噪音及低電 流的測試。 內華達州,Carson市之微調處器公司的模型900VM調 處器被設計,以滿足”不需手”操作及可程式探測應用的需 要。在X,Y及Z軸上之調處器18,19,20,21,22及23被賦予 馬達化。Ζ軸定位是由手輔助的,普通的定位允許各種探 測固定器及探測站系統的補償,其可視控制器系統之選擇 而定而被操作於完全可程式或僅爲馬達化模式(例如控制桿 操縱)。模型900VM調處器接受所有隨意處理端或結構合 適端模型中的標準探測固定器。 模型900VM調處器於0.05微米時提供非常高的調處 器解析度。此解析度可以被馬達化(控制桿)或可程式控制 來達成。900VM同時也有廣泛的探測固定器”Ζ”定位設置 ’被賦予指標之旋轉盤,針對快速探測針變化而快速的手 ”Ζ”提升及快速釋放之穩定真空基礎的特色。模型900VM 可以只能控制桿控制(REM版)或以利用以下討論之個人電 腦探測TM (PcPr〇beTM)軟體之外部電腦控制來使兩。 ~~個饋通被提供於真空室26上以如經由電腦匯流排 28將電子訊號從電腦系統16耦合至被馬達化之調處器 18,19,2〇,21,22及23,足臺14及許多探測針24上。被使 用之饋通是由PAVE科技公司所提供,且其他包含訊號, 本紙張从逋用中家標_ (⑽)&4腦_ ( 2lQx297公瘦) -----------------IT--r----竽 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 46 47 6 3 B7 經濟部智慧財產局員工消资合作社印製 五、發明説明(?) 定位器及探測卡連接器互連二項目之任一個。第一個項目 是這些被提供做爲DUT測試訊號處理能力的。這些可能但 不限定是單針插座,同軸電纜、三軸電纜、SMA及應用調 處器控制器連接器。再者,由於固定位置探測卡用途,所 有被提及之饋通可被一起使用加上許多其他裝置以處理大 量的鉛棒。第二個項目是用來提供控制訊號以符合所有探 測站功能所需。典型的控制軸可能需要七個鉛棒,以滿足 馬達化步驟及方向及限制有關軌跡的控制。 再者,額外的鉛棒可被用於位置回饋被運用之處。 Kelvin探測針及探測固定器勾勒出可適用於此應用。此可 能需要雙倍的訊號鉛棒。利用電腦系統16獲得之影像,來 辨識從掃瞄電子顯微鏡12觀察到之樣本50表面之傳導路 徑標記的電子性傳導終端,電腦系統16可與被馬達化之調 處器18,,20及22通訊,以定位許多探測針24,來應用電 子測試訊號至樣本50上之終端。 如上所述,探測站系統10可定位掃瞄電子顯微鏡12 ’以觀察樣本12表面以定位探測針24。系統10提供用以 支撐樣本50之裝置,其包含載子/運動控制器14,及一個 用以支撐樣本50的夾盤。整個探測站全貌是夾盤、探測卡 接收器、六個或更多之可程式調處器、足臺及平台25轉換 及測量訊號路徑爲滿足系統的需要可能需要126或更多饋 通連接。至少五個訊號路徑被用做足臺表面及探測針及以 探測卡爲基礎之連接的需要。Kelvin探測針及探測固定器 全貌可能是互連數量的兩倍。 t Β1 ϋ { CNS ) { 210X 297^¾ ) ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
A 訂 線 464763 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 _ 五、發明説明(2 ) 參考圖2及圖3A,一旦室頂28被提升’其可能被旋 出路線,使得光學顯微鏡70可藉於顯微鏡樑上滑動’以便 於使用者有興趣區域之DUT50上做最初探測之定位’而被 移入整個晶圓夾盤14的位置。一旦系統在真空下’此達成 降低於DUT上探測區域的定位時間。完成後’光學顯微鏡 70可被定位於線路外,使得室頂28可被降低進入位置中 。此可能有兩個會落於被正確放置之軸套中的長尖針(此處 無圖示)使得有掃瞄電子顯微鏡柱12的室頂28可正確地與 室壁校準,以完美地密封。由於如上述之系統的掃瞄電 子顯微鏡12實施例,熱陰極電子發射器技術可能被使用, 然而,系統10的另一實施例可能使用如上述之磁場發射。 磁場發射以較少損害樣本50之能量來提供影像品質的改善 。再者,藉由校準針之室頂27應確保掃瞄電子顯微鏡柱 12會正確地被放置於探測針24及調處器18-23之中。 在室26內,有一個可支撐如下述之所有正常探測站功 能的被馬達化Χ-Υ探測站平台46。此平台46除了做爲支 撐架構外的目的是可將所有的探測站功能一致轉換,以模 擬被發現於當今最新探測站之典型顯微鏡轉換。由平台46 提供之Χ/Υ轉換便於大區域DUT的觀察而不需擾亂探測 針24。因爲柱無法輕易地獨立於足臺、平台及調處器而被 移動,所以移動平台使得使用者可掃瞄DUT位置,以探測 或檢查由探測卡提供之每個探測針或所有探測針的位置, 其爲針對此功能之獨特方法。平台25可被用來瞬間提升調 處器及移動可被使用的固定位置探測卡。因此,由具有平 ί紙張又度適用中國國家揉準(CNS ) Α4规格(21^X29V公釐j" · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線r A7 464763 五、發明説明(/ ) 台25之被馬達化之傾斜軸15所提供之傾斜/斜向功能,使 得探測針24之另一觀察得以垂直地運動樣本50上的探測 定位。 於平台46下及平台及室26底部之間爲被用來以被馬 達化之傾斜軸15將平台傾斜於垂直於”Z”方向。此功能使 得平台46沿著”X”或”Y”軸被傾斜,使使用者得以非垂直 之角度觀察與DUT50接觸之探測針24。被馬達化之傾斜/ 斜向功能改善了探測觀察的角度。此幫助使用者成功地”看 到”非常小的DUT結構。 被附上平台的是可以0爲晶圓夾盤14調整台階17的 X-Y台階17。附上晶圓夾盤之DUT的方法是藉由機械裝 置。因此,可安置彈簧夾來將晶圓固定至夾盤。在真空室 中,做爲向下壓低方式的真空顯然無效。以登記一般現今 發展出之最好晶圓上之缺口或平盤用之校準針來設定輕微 減壓狀態。 同時被附上平台46的是可支撐被固定之探測針及微調 處器的”Z”平台25。平台是以馬達於”Z”軸上驅動,使得被 固定位置探測卡及/或單探測針可瞬間被提升或下降。此被 控制之運動提供了探測及探測卡的” Z”定位。 多重被馬達化/可程式微調處器18-23被設定於平台25 之頂上。補充的附圖指出了六個這些裝置。雖然此六個實 行上可能有限制,任何數量可以如所需的被用來引導探測 針與DUT接觸。 掃瞄電子顯微鏡12以可與電腦輔助設計航行軟體一起 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 )47 6 3 A7 ___ _B7_ 五、發明説明(L 〇 ) 使用之掃瞄電子顯微鏡介面30被耦合至電腦系統16。因 而,電腦系統16經由匯流排28經由包含可獲得含第一電 腦之影像之裝置的掃瞄電子顯微鏡介面30,通訊至掃瞄電 子顯微鏡12。 電腦系統16可包含第一電腦32,如設計成可從掃瞄 電子顯微鏡12獲得影像之數位影像處理器的一般用途個人 電腦(PC)。電腦系統16可同時包含經由被馬達化調處器 18來遙控眾多探測針24的第二個人電腦34。可替代的是 ’電腦系統16可爲單一電腦或可實施探測站功能及顯微鏡 功能之控制運作的伺服器◎電腦系統16可同時包含兩個電 腦及三個原型版本的監視器。然而在所述之實施例中,吾 人發現擁有一個用作高解析度觀察且另一個用於所有的系 統控制及航向功能的兩個監視器是具有優點的。 可被提供做爲用來分別顯示有關掃瞄電子顯微鏡12及 探測針24之高解析度顯微鏡影像及電腦圖形的分離視頻顯 示單元(VDUs)36及38。藉由獲得可傳送資訊給使用者有 關對應樣本50之被電子性暴露之傳導性終端的特別積體電 路表面標記,分離視頻顯示單元(VDUs)36及38可被用來 幫助使用者在視覺上遙控眾多探測針24,以放置在樣本50 上。內華達州之Carson市的微調處器公司,與Windows 爲基礎之個人電腦一起被使用之pcProbell軟體(PCPII)提 供了如自動平面性補償,可經由立即探測處理來自動引導 臨時使用者的自動校準及設置。如滑鼠及/或操縱桿的手控 40同時也被使用者用來控制被放置於樣本50上之眾多探 本紙張尺度適用中囤國家標準(CNS ) A4規格(21〇X 297公釐) ----r----『------ΐτ——:----终 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 464763 五、發明説明(丨1 ) 測針24。電子測試訊號探測介面42被耦合至探測針24以 應用電子測試訊號至樣本5〇。可替代的是’眾多探測針24 可被提供做爲可應用電子測試訊號至樣本5〇的固定位置探 測卡。 與電腦系統16 —起被使用之pcProbell軟體提供了擁 有以簡化直覺圖像基礎裝置套件型式之控制能力的探測定 位系統。PcProbell探測軟體被設計成模組模式以允許晶圓 映射,晶片及晶片內劃分,多重元件航向選擇及著陸感覺 。PcProbell探測外形包含有主動航向控制之螢幕上視訊, 經由晶圓投射之先進校準及刻度功能及規劃,互動的學習 及矩陣模式。PcProbell探測航向軟體支援了 Windows, DDE,RS-232及GPIB介面。PcProbell探測航向模組提供 了可控制四個或更多的調處器,樣本載子台階,平台及顯 微鏡的交互影響裝置管理。 當利用探測針分析樣本50時,航向器顯示器顯示了主 動樣本裝置的位置及控制資訊。航向器模組同時也提供系 統操作資料及探測著陸參數。晶圓投射模組提供了被挑選 晶片的連續視覺指示,且顯示了晶片樣本的正確座標。 PcProbell探測軟體同時也包含了有個人電腦之樣本50之 即時影像的視訊模組。每個PC/Probell模組使用一個分離 應用視窗,其藉界定每個模組之放置及個別最小或做最大 化每個視窗,使得使用者得以量身定做觀察螢幕。. 在其他事物中,環境控制44被提供來控制溫度,及用 以包覆操作掃瞄電子顯微鏡12之室探測站之內包圍27中 本紙張尺度適用1ί1國國家榇準(CNS > A4規格(210X297公釐) -------------------訂-------線、 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 4 7 6 3 A7 B7 五、發明説明(丨> ) 的真空狀態’且可於控制真空環境狀態下來分析樣本5〇。 環境控制44可包含,首先如最好的電子光束光學系統’沒 有它的磁性屏障,光束可能不會正確對準適當地解析度。 .第二,當晶圓探測區域被金屬完全包圍時,使用者將會經 歷可改善現今傳統探測站之顯著電磁屏蔽特性。有著金屬 化表面之絕緣體之額外層可被用來屏障夾盤表面14,且提 供了低噪音環境。另外,當室被接地時,被隔離之同軸電 纜連接器的使用將允許三軸的測量。接著,因爲探測功能 產生於真空,所以低溫探測應用期間可能不會產生結霜現 象。因爲存在稀少空氣,探測針於自由流通及被提升之空 氣應用期間將不會氧化。最後,與系統10 —起被使用之熱 夾盤使得DUT可於周圍附近上下的溫度被測試。 板覚型式的桌子被用來支撐分離視頻顯示單元監視器 、鍵盤、滑鼠及操縱桿。200毫米系統的室是位於大約 2’χ2”χΓ + /-階層且對於300毫米系統是近似3’χ5’χΓ。 較大室之抽汲組件可能需要額外的空間。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 現在翻到圖4,掃瞄電子顯微鏡圖與被暴露之電子性 傳導電子路徑54上之樣本50上之探測針24之多重景像 52、54及56 —起被顯示,做爲積體電路之電子測試訊號 。分析積體電路樣本50的方法獲得了從掃瞄電子顯微鏡 12可辨識樣本表面之傳導路徑標記之影像,其由 PcProbell軟體介面所驅動。PcProbell航向軟體,便於處 理樣本50之高解析度影像內之探測針24之定位。因此, 如上討論之獲得影像的步驟被用來從與掃瞄電子顯微鏡12 - —- „ _._— ________ 本紙張尺度適用中國國家標牟(CNS ) A4規格(210X297公釐) 修產s 機充幕 90.2〇 4 6^783
Jl A7 B7 五、辞;明說明() 一起被觀_眾多探測針之定位與遙控眾多探測針之步驟的 樣本50表面上之傳導路徑標記54來辨識電子性傳導性終 端。最低放大圖是項目56,中間放大圖是項目58 ’而最高 放大圖是項目52。使用三個圖的原因是爲了幫助操作者維 持其工作中之良好景點。 雖然描繪及說明完本發明之較佳實施例’熟習本項技 藝人士可了解現行技術水準中之這些技可以產生修正’且 意欲附帶申請專利範圍會涵蓋所有位於本發明之真正精神 及範疇內的這些改變及修正》 [元件符號說明] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 探測的系統 12 電子顯微鏡 13 室底 14 載子 15 傾斜軸 16 電腦系統 17 台階 18 馬達化調處器 19 馬達化調處器 20 馬達化調處器 21 馬達化調處器 22 馬達化調處器 23 馬達化調處器 24 探測針 16 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. ---------- 修夏禰充泰 46 47 C A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 '申請專利範圍 ι. — 琿用以將電子測試訊號施加至積體電路樣本之探 測站系統,包含: 一個用來將掃瞄電子顯微鏡定位以觀察樣本上暴露電 子性傳導終端之樣本表面的平台裝置; 一個用來支撐有關掃瞄電子顯微鏡之樣本的台階裝置 一個用來從掃瞄電子顯微鏡獲得可辨識樣本表面之傳 導路徑標記之影像的映像裝置; 一個用來與該映像裝置一起遙控複數個探測針以獲得 傳送可放置於樣本表面之電子測試訊號之影像的探測控制 裝置; 一個用來產生擁有可包覆樣本之內圍之室中之真空的 真空室:及 .一個藉由室上饋通從可獲得影像之該映像裝裝置將電 子訊號耦合至可遙控複數個探測針之該探測控制裝置的饋 通裝置,該影像裝置與該探測控制裝置通訊,以遙控複數 個探測針,以利用所獲得影像來從掃瞄€子顯微鏡觀察到 之樣本表面之傳導路徑標記來,辨識電子性傳導終端,以 應用電子測試訊號至樣本上之終端。 2·如申請專利範圍第1項之系統,其中,該台階裝置 被相對耦合至可與該影像裝置一起提升及降低以便於觀察 複數個探測針的平台。 3.如申請專利範圍第1項之系統,其中,用以獲得影 像之該影像裝置包含第一電腦。 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) n n n n tE n n I^* 1 n n n 一5、 f— fl- fL I n I <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 90. 7. 23 464763 A8 B8 C3 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 六、申請專利範圍 4.如申請專利範圍第1項之系統,其包含一第二電腦 ,該可遙控複數個探測針的探測控制裝置包含一個可被該 第二電腦遙控的被馬達化之調處器。 5·如申請專利範圍第3項之系統,其中,該可遙控複 數個探測針的探測控制裝置包含一個可被該第一電腦遙控 的被馬達化之調處器。 6. 如申請專利範圍第3項之系統,其中,該樣本包含 一個積體電路晶圓。 7. —種可從積體電路樣本獲得電子測試訊號的探測站 系統,包含: 一個被放置用來觀察樣本上暴露電子性傳導終端之樣 本表面的掃瞄電子顯微鏡; 一個用來支撐有關該掃瞄電子顯微鏡之載子; 了一個用來從該掃瞄電子顯微鏡來獲得辨識樣本表面之 傳導路徑標記的影像的電腦; 一個被該電腦遙控的被馬達化之調處器; 複數個探測針,其用以使用該馬達it之調處器,運送 可放置於樣本表面的電子測試訊號; 一個擁有可包覆該掃瞄電子顯微鏡、該載子、該被馬 達化之調處器及該複數個探測針之內圍且用來分析真空狀 態下之該樣本的真空室;及 一個用來從該電腦將電子訊號耦合至該被馬達化之調 處器及該複數個探測針之該真空室上的饋通,該電腦與該 被馬達化之調處器通訊,以定位該複數個探測針,以利用 2 -------1 I------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 言
    本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2i0 x 297公爱) 00 □0 098 ABaD 46 47 6 六、申請專利範圍 所獲得影谭來從掃瞄電子顯微鏡觀察到之樣本表面之傳導 路徑標記,經由樣本上之終端來應用及接收電子測試訊號 0 8. 如申請專利範圍第7項之系統,其中,該載子包含 一個用來支撐晶圓樣本之被屏蔽的積體電路夾盤。 9. 如申請專利範圍第7項之系統,其中,該載子包含 一個熱夾盤。 10. 如申請專利範圍第7項之系統,其中,該用以獲得 影像之電腦包含一個個人電腦。 11. 如申請專利範圍第7項之系統,其包含被耦合至該 載子之被馬達化之平台的系統,該平台提供對裝置的該載 子之轉換傾斜及斜向移動及探測觀察。 12. 如申請專利範圍第7項之系統,其中,該電腦包含 一個與該掃瞒電子顯微鏡結合之影像處理器。 13. 如申請專利範圍第7項之系統,其中,該電腦爲一 種一般用途的個人電腦。 H.如申請專利範圍第7項之系統,真中,該可遙控複 數個探測針的裝置包含一個可被該個人電腦遙控的被馬達 化之調處器。 15. 如申請專利範圍第14項之系統,其中,該可遙控 複數個探測針的裝置包含多種被馬達化之調處器。 16. 如申請專利範圍第7項之系統,其中,該複數個探 測針包含一個用來電子測試訊號應用至樣本的固定位置探 測卡。 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 二1'g- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 90. 7. 26 6 4 7 6 3 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 17. —種分析積體電路樣本的方法,包含的步驟爲: 放置掃瞄電子顯微鏡來觀察樣本上暴露電子性傳導終 端之樣本表面; 支撐有關掃瞄電子顯微鏡之樣本; 從掃瞄電子顯微鏡來獲得可辨識樣本表面之傳導路徑 標記的影像; 遙控可放置於樣本表面上的複數個探測針,來傳送電 子測試訊號; 於擁有可包覆掃瞄電子顯微鏡及複數個探測針之內圍 且用來分析真空狀態下之室中產生真空狀態;及 從室上的饋通將通訊訊號耦合以應用電子測試訊號至 樣本上之終端,利用獲得影像之步驟,來從掃瞄電子顯微 鏡觀察到之樣本表面之傳導路徑標記,來辨識電子性傳導 終端,以與遙控複數個探測針的步驟來定位複數個探測針 〇 18. 如申請專利範圍第17項之方法,其中,該獲得影 像的步驟提供了一個利用掃瞄電子顯微會來獲得可辨識樣 本表面之傳導路徑標記之影像的電腦。 19. 如申請專利範圍第18項之方法,其中,該遙控複 數個探測針的步驟利用了用以控制用來遙控可傳送電子測 試訊號之可放置於樣本表面上的複數個探測針之被馬達化 調處器之該獲得影像步驟的電腦。 20. 如申請專利範圍第19項之方法,包含了提供一個 電腦使用者介面,其用於與電腦將探測針定位於樣本表面 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公愛) -------------梦--------訂---------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 條嚴 9〇β v, 23 4 6 4 7 6 3 as ^ Α λ. n m bs 靡女餐*Τ Λ C8 獨·?L D8 六、申請專利範圍 之可遙控複數個探測針的步驟。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 11111!11!11! I — — — — — — — II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 公釐)
TW088113628A 1998-08-27 1999-08-10 High resolution analytical probe station TW464763B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/140,910 US6198299B1 (en) 1998-08-27 1998-08-27 High Resolution analytical probe station

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW464763B true TW464763B (en) 2001-11-21

Family

ID=22493333

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088113628A TW464763B (en) 1998-08-27 1999-08-10 High resolution analytical probe station

Country Status (7)

Country Link
US (4) US6198299B1 (zh)
EP (1) EP1108216A4 (zh)
JP (1) JP2002523784A (zh)
KR (1) KR20010072948A (zh)
CN (1) CN1246699C (zh)
TW (1) TW464763B (zh)
WO (1) WO2000013030A1 (zh)

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6744268B2 (en) * 1998-08-27 2004-06-01 The Micromanipulator Company, Inc. High resolution analytical probe station
US6445202B1 (en) * 1999-06-30 2002-09-03 Cascade Microtech, Inc. Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current
US6965226B2 (en) 2000-09-05 2005-11-15 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US6914423B2 (en) 2000-09-05 2005-07-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station
US6766996B1 (en) 2001-07-16 2004-07-27 Reid-Ashman Manufacturing, Inc. Manipulator
US6683316B2 (en) * 2001-08-01 2004-01-27 Aspex, Llc Apparatus for correlating an optical image and a SEM image and method of use thereof
US6776848B2 (en) * 2002-01-17 2004-08-17 Applied Materials, Inc. Motorized chamber lid
JP2003231074A (ja) * 2002-02-12 2003-08-19 Daiken Kagaku Kogyo Kk ナノピンセットの操作方法
US6967335B1 (en) 2002-06-17 2005-11-22 Zyvex Corporation Manipulation system for manipulating a sample under study with a microscope
US6891170B1 (en) * 2002-06-17 2005-05-10 Zyvex Corporation Modular manipulation system for manipulating a sample under study with a microscope
DE10227332A1 (de) * 2002-06-19 2004-01-15 Akt Electron Beam Technology Gmbh Ansteuervorrichtung mit verbesserten Testeneigenschaften
US7046025B2 (en) * 2002-10-02 2006-05-16 Suss Microtec Testsystems Gmbh Test apparatus for testing substrates at low temperatures
US7248062B1 (en) * 2002-11-04 2007-07-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Contactless charge measurement of product wafers and control of corona generation and deposition
DE10253717B4 (de) * 2002-11-18 2011-05-19 Applied Materials Gmbh Vorrichtung zum Kontaktieren für den Test mindestens eines Testobjekts, Testsystem und Verfahren zum Testen von Testobjekten
US7023225B2 (en) * 2003-04-16 2006-04-04 Lsi Logic Corporation Wafer-mounted micro-probing platform
US7492172B2 (en) 2003-05-23 2009-02-17 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
JP2005024278A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Canon Inc プローブ担体の製造方法及び製造装置
US7083106B2 (en) * 2003-09-05 2006-08-01 Cytyc Corporation Locally storing biological specimen data to a slide
CN1871684B (zh) * 2003-09-23 2011-08-24 塞威仪器公司 采用fib准备的样本的抓取元件的显微镜检查的方法、系统和设备
US7250626B2 (en) 2003-10-22 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe testing structure
DE102004058483B4 (de) * 2003-12-05 2009-12-17 Hitachi High-Technologies Corp. Vorrichtung zur Untersuchung von Produkten auf Fehler, Messfühler-Positionierverfahren und Messfühler-Bewegungsverfahren
US7187188B2 (en) 2003-12-24 2007-03-06 Cascade Microtech, Inc. Chuck with integrated wafer support
TWI232938B (en) * 2004-02-11 2005-05-21 Star Techn Inc Probe card
US20060038554A1 (en) * 2004-02-12 2006-02-23 Applied Materials, Inc. Electron beam test system stage
US7355418B2 (en) * 2004-02-12 2008-04-08 Applied Materials, Inc. Configurable prober for TFT LCD array test
US7319335B2 (en) * 2004-02-12 2008-01-15 Applied Materials, Inc. Configurable prober for TFT LCD array testing
US6833717B1 (en) * 2004-02-12 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Electron beam test system with integrated substrate transfer module
TW200531420A (en) 2004-02-20 2005-09-16 Zyvex Corp Positioning device for microscopic motion
US7319336B2 (en) * 2004-02-23 2008-01-15 Zyvex Instruments, Llc Charged particle beam device probe operation
JP4824282B2 (ja) * 2004-03-11 2011-11-30 株式会社トプコン 微小アライメント部材のアライメント装置
US7326293B2 (en) * 2004-03-26 2008-02-05 Zyvex Labs, Llc Patterned atomic layer epitaxy
JP4993849B2 (ja) 2004-05-31 2012-08-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 不良検査装置及び荷電粒子線装置
JP4842533B2 (ja) * 2004-10-27 2011-12-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 不良検査装置
MY138949A (en) * 2004-12-24 2009-08-28 Pentamaster Instrumentation Sdn Bhd Apparatus/test handler for testing un-moulded ic devices using air flow system and the method of testing the same
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US7535238B2 (en) * 2005-04-29 2009-05-19 Applied Materials, Inc. In-line electron beam test system
US20060273815A1 (en) * 2005-06-06 2006-12-07 Applied Materials, Inc. Substrate support with integrated prober drive
US7869184B2 (en) * 2005-11-30 2011-01-11 Lam Research Corporation Method of determining a target mesa configuration of an electrostatic chuck
KR100755067B1 (ko) * 2005-12-29 2007-09-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 제조용 챔버 및 이를 이용한 반도체 소자제조방법
KR100731910B1 (ko) * 2006-01-11 2007-06-25 코닉시스템 주식회사 진공챔버 내에서 사용하기 적합한 기판 스테이지
US7439084B2 (en) * 2006-02-17 2008-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Predictions of leakage modes in integrated circuits
KR101004625B1 (ko) * 2006-02-23 2011-01-03 씨에스전자(주) 자동식 반도체 웨이퍼 검사장치
JP5829376B2 (ja) * 2006-03-14 2015-12-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated マルチカラム電子ビーム検査システムにおけるクロストークの軽減方法
US7602199B2 (en) * 2006-05-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Mini-prober for TFT-LCD testing
US7786742B2 (en) * 2006-05-31 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Prober for electronic device testing on large area substrates
US7583101B2 (en) * 2007-01-18 2009-09-01 Formfactor, Inc. Probing structure with fine pitch probes
US7764079B1 (en) 2007-01-31 2010-07-27 SemiProbe LLC Modular probe system
US20080251019A1 (en) * 2007-04-12 2008-10-16 Sriram Krishnaswami System and method for transferring a substrate into and out of a reduced volume chamber accommodating multiple substrates
US7573283B2 (en) * 2007-06-19 2009-08-11 Suss Micro Tec Test Systems Gmbh Method for measurement of a device under test
DE102008048081B4 (de) * 2008-09-19 2015-06-18 Cascade Microtech, Inc. Verfahren zur Prüfung elektronischer Bauelemente einer Wiederholstruktur unter definierten thermischen Bedingungen
US8319503B2 (en) 2008-11-24 2012-11-27 Cascade Microtech, Inc. Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test
US8536526B2 (en) * 2008-12-29 2013-09-17 International Business Machines Corporation Methods of operating a nanoprober to electrically probe a device structure of an integrated circuit
WO2011123923A1 (en) * 2010-04-07 2011-10-13 University Of Toronto Manipulator carrier for electron microscopes
CN102445568B (zh) * 2011-10-10 2013-09-18 北京大学 多探针共成像的超高真空四探针扫描隧道显微镜
US9234853B2 (en) * 2012-06-08 2016-01-12 Beijert Engineering Probe apparatus
CN103632912A (zh) * 2012-08-21 2014-03-12 B-纳诺有限公司 电子显微镜成像系统及方法
US9529041B2 (en) * 2012-11-05 2016-12-27 Brian D. Erickson Method for testing through-silicon vias at wafer sort using electron beam deflection
CN104377101B (zh) 2013-08-14 2017-08-08 Fei 公司 用于带电粒子束系统的电路探头
KR20150107939A (ko) * 2014-03-13 2015-09-24 참엔지니어링(주) 시료 관찰 장치
US10539589B2 (en) * 2014-06-25 2020-01-21 Fei Efa, Inc. Through process flow intra-chip and inter-chip electrical analysis and process control using in-line nanoprobing
CN104090358A (zh) * 2014-07-21 2014-10-08 张波 全自动智能诊断显微镜系统
US9958501B1 (en) * 2015-03-04 2018-05-01 Applieed Materials Israel Ltd. System for electrical measurements of objects in a vacuumed environment
CN106206343B (zh) * 2015-05-07 2019-01-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件测试方法
US9964589B1 (en) 2016-11-08 2018-05-08 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. System for detection of a photon emission generated by a device and methods for detecting the same
JP7042071B2 (ja) * 2016-12-20 2022-03-25 エフ・イ-・アイ・カンパニー eビーム操作用の局部的に排気された容積を用いる集積回路解析システムおよび方法
US10790114B2 (en) * 2017-06-29 2020-09-29 Kla-Tencor Corporation Scanning electron microscope objective lens calibration using X-Y voltages iteratively determined from images obtained using said voltages
KR20210088207A (ko) 2020-01-06 2021-07-14 윤태근 압전 소자 프로브 스테이션 탐침
CN114720502B (zh) * 2022-04-11 2024-06-25 重庆大学 用于微观形貌观测的阵列式定位方法及装置
US11940486B2 (en) * 2022-06-01 2024-03-26 Nanya Technology Corporation Probe station capable of maintaining stable and accurate contact to device under test

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH643397A5 (de) 1979-09-20 1984-05-30 Ibm Raster-tunnelmikroskop.
JPS56142636A (en) 1980-04-07 1981-11-07 Toshiba Corp Holding mechanism for cassette of electron ray device
EP0069750B1 (en) 1981-01-16 1987-04-22 Kevex Corporation Emission-electron microscope
US4498833A (en) 1982-05-24 1985-02-12 Varian Associates, Inc. Wafer orientation system
JPS58210631A (ja) * 1982-05-31 1983-12-07 Toshiba Corp 電子ビ−ムを用いたicテスタ
JPS59112217A (ja) 1982-11-29 1984-06-28 Toshiba Corp 寸法測定方法
EP0138250A3 (en) 1983-09-19 1986-12-30 North American Philips Corporation Structure for increasing number of specimens viewed in an electron microscope
US4618767A (en) 1985-03-22 1986-10-21 International Business Machines Corporation Low-energy scanning transmission electron microscope
US4665313A (en) 1985-06-28 1987-05-12 International Business Machines Corporation Apparatus and method for displaying hole-electron pair distributions induced by electron bombardment
EP0231247B1 (en) 1985-07-23 1990-10-10 SMITH, George David William Improvements in atom probes
JPH0646550B2 (ja) * 1985-08-19 1994-06-15 株式会社東芝 電子ビ−ム定位置照射制御方法および電子ビ−ム定位置照射制御装置
DE3532781A1 (de) 1985-09-13 1987-03-19 Siemens Ag Anordnung zur detektion von sekundaer- und/oder rueckstreuelektronen in einem elektronenstrahlgeraet
JPS6276640A (ja) * 1985-09-30 1987-04-08 Toshiba Corp 半導体集積回路装置
US4706019A (en) * 1985-11-15 1987-11-10 Fairchild Camera And Instrument Corporation Electron beam test probe system for analyzing integrated circuits
EP0223918B1 (en) 1985-11-26 1990-10-24 International Business Machines Corporation Method and atomic force microscope for imaging surfaces with atomic resolution
US4747698A (en) 1986-04-30 1988-05-31 International Business Machines Corp. Scanning thermal profiler
US4730158A (en) * 1986-06-06 1988-03-08 Santa Barbara Research Center Electron-beam probing of photodiodes
EP0252745A3 (en) 1986-07-11 1990-01-24 AGENCY OF INDUSTRIAL SCIENCE & TECHNOLOGY MINISTRY OF INTERNATIONAL TRADE & INDUSTRY Relative displacement control apparatus
DE3628170A1 (de) 1986-08-20 1988-02-25 Max Planck Gesellschaft Verstellbare praeparathalterung fuer ein korpuskularstrahlenmikroskop
US4772846A (en) * 1986-12-29 1988-09-20 Hughes Aircraft Company Wafer alignment and positioning apparatus for chip testing by voltage contrast electron microscopy
JPS63231858A (ja) * 1987-03-20 1988-09-27 Hitachi Ltd 電子ビ−ム装置
JPH077654B2 (ja) 1988-04-01 1995-01-30 株式会社日立製作所 走査型電子顕微鏡
JP2572107B2 (ja) 1988-04-04 1997-01-16 三菱電機株式会社 走査型トンネル顕微鏡の粗動機構
DE3811441A1 (de) 1988-04-06 1989-10-26 Karl Poetz Separatorelement
JPH0758164B2 (ja) 1988-04-22 1995-06-21 三菱電機株式会社 走査型トンネル顕微鏡の微動機構
US4871938A (en) 1988-06-13 1989-10-03 Digital Instruments, Inc. Positioning device for a scanning tunneling microscope
DE3822504A1 (de) 1988-07-03 1990-01-04 Kernforschungsanlage Juelich Mikromanipulator
US4894537A (en) 1988-07-21 1990-01-16 Canadian Patents & Development Ltd. High stability bimorph scanning tunneling microscope
FR2644290A1 (fr) 1989-03-10 1990-09-14 Labo Electronique Physique Micromanipulateur
US4992660A (en) 1989-06-26 1991-02-12 Jeol Ltd. Scanning tunneling microscope
JP2909829B2 (ja) 1989-07-05 1999-06-23 セイコーインスツルメンツ株式会社 位置合わせ機能付複合走査型トンネル顕微鏡
US4999494A (en) 1989-09-11 1991-03-12 Digital Instruments, Inc. System for scanning large sample areas with a scanning probe microscope
NL8902568A (nl) 1989-10-17 1991-05-16 Philips Nv Vacuuem systeem voorzien van een evacueerbaar huis, een objecthouder en een losneembaar daarmee gekoppelde objectdrager.
JPH0687003B2 (ja) 1990-02-09 1994-11-02 株式会社日立製作所 走査型トンネル顕微鏡付き走査型電子顕微鏡
JP2945090B2 (ja) 1990-07-09 1999-09-06 キヤノン株式会社 エンコーダ
JPH0483104A (ja) 1990-07-26 1992-03-17 Olympus Optical Co Ltd 走査型トンネル顕微鏡
JPH0758193B2 (ja) 1990-09-14 1995-06-21 三菱電機株式会社 原子間力顕微鏡の微動走査機構
JP3285092B2 (ja) 1990-10-12 2002-05-27 株式会社日立製作所 走査形電子顕微鏡、及び走査形電子顕微鏡による試料像形成方法
EP0504972A1 (en) 1991-03-18 1992-09-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Specimen holder for use in a charged particle beam device
EP0538861B1 (en) 1991-10-24 1999-06-16 Hitachi, Ltd. Electron microscope specimen holder
EP0949653B1 (en) 1991-11-27 2010-02-17 Hitachi, Ltd. Electron beam apparatus
DE4140710A1 (de) 1991-12-10 1993-06-17 Integrated Circuit Testing Positioniersystem
US5672816A (en) 1992-03-13 1997-09-30 Park Scientific Instruments Large stage system for scanning probe microscopes and other instruments
US5519212A (en) 1992-08-07 1996-05-21 Digital Instruments, Incorporated Tapping atomic force microscope with phase or frequency detection
EP0584869A1 (en) 1992-08-27 1994-03-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Specimen holder for a particle-optical apparatus
JP2927627B2 (ja) 1992-10-20 1999-07-28 株式会社日立製作所 走査電子顕微鏡
US5444244A (en) 1993-06-03 1995-08-22 Park Scientific Instruments Corporation Piezoresistive cantilever with integral tip for scanning probe microscope
JPH0714898A (ja) * 1993-06-23 1995-01-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハの試験解析装置および解析方法
US5530372A (en) * 1994-04-15 1996-06-25 Schlumberger Technologies, Inc. Method of probing a net of an IC at an optimal probe-point
US5557156A (en) 1994-12-02 1996-09-17 Digital Instruments, Inc. Scan control for scanning probe microscopes

Also Published As

Publication number Publication date
WO2000013030A1 (en) 2000-03-09
US6198299B1 (en) 2001-03-06
US6838895B2 (en) 2005-01-04
US20020000819A1 (en) 2002-01-03
US6191598B1 (en) 2001-02-20
EP1108216A1 (en) 2001-06-20
CN1315002A (zh) 2001-09-26
EP1108216A4 (en) 2005-11-16
JP2002523784A (ja) 2002-07-30
US6621282B2 (en) 2003-09-16
US20040056672A1 (en) 2004-03-25
CN1246699C (zh) 2006-03-22
KR20010072948A (ko) 2001-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW464763B (en) High resolution analytical probe station
US6744268B2 (en) High resolution analytical probe station
JP4733959B2 (ja) プローブ接触方法及び荷電粒子線装置
US7043848B2 (en) Method and apparatus for maintaining accurate positioning between a probe and a DUT
US7129727B2 (en) Defect inspecting apparatus
KR101344415B1 (ko) 스캐닝 탐침 현미경을 포함하는 측정 시스템 동작 방법 및측정 시스템
US20080067374A1 (en) Specimen Analyzing Apparatus and Specimen Holder
JP2008508924A (ja) Mri装置における受信機要素の自動選択
US20150014529A1 (en) Charged particle beam device
WO2020080508A1 (ja) アライメントシステム及び位置合わせ用シール
US20210172978A1 (en) Customizable probe cards, probe systems including the same, and related methods
JP2001515594A (ja) 裏面放出型顕微鏡検査を用いた探測
CN101810486B (zh) 放射线成像设备及用于该设备的处理方法
WO2023212770A1 (en) System and method for analysis of specimens
KR100198806B1 (ko) 인쇄회로 기판의 전자파 장해 모니터링 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees