JP2002523784A - 高解像度分析プローブステーション - Google Patents

高解像度分析プローブステーション

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JP2002523784A
JP2002523784A JP2000567962A JP2000567962A JP2002523784A JP 2002523784 A JP2002523784 A JP 2002523784A JP 2000567962 A JP2000567962 A JP 2000567962A JP 2000567962 A JP2000567962 A JP 2000567962A JP 2002523784 A JP2002523784 A JP 2002523784A
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scanning electron
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エフ． ハルマン ケネス
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ザ マイクロマニピュレーター カンパニー インコーポレイテッド
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Abstract

(57)【要約】 被検物上に導電性端子を露出させている被検物（５０）の表面を観察するために位置付けられた走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）（１０）を用い集積回路被検物を電気試験信号で検査する方法およびシステムである。走査電子顕微鏡（１０）に関連して被検物（５０）を支持するキャリア（２５）が設けられ、一方、コンピュータは走査電子顕微鏡（１２）から被検物（５０）表面の導通経路インディシアを確認する画像を獲得する。コンピュータにより遠隔制御される動力化されたマニュピュレータは、被検物（５０）表面に位置付けられ得る複数のプローブ（２４）を操作し、走査電子顕微鏡（１２）、キャリア（２５）、動力化されたマニュピュレータおよび真空内で被検物（５０）を分析する複数のプローブ（２４）を収容している真空チャンバの内側囲い（２７）内に電気試験信号を送る。真空チャンバ（２７）のフィードスルーは、コンピュータからの電気信号を動力化されたマニュピュレータおよび複数のプローブ（２４）に伝える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （発明の背景） 本発明は、概して、集積回路（ＩＣ）被検物プローブステーションのための高
解像度顕微鏡の使用に関し、特に、プローブの位置付けのために導電性端子を示
す被検物の表面インディシア（徴候）を観察するために位置付けられる走査電子
顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて集積回路被検物を電気試験信号で検査する方法および
システムに関する。
【０００２】 現在、プローブステーションは典型的には光学顕微鏡を用いている。ウェハの
直径はより大きくなっているが、それに構成される構造はより小さくなっている
。過去の数十年の間に、この業界はこれらの構造をおよそ百分の一インチ程度の
大きな寸法から、今日のマイクロメータ分の一の小ささまで進めてきた。最近ま
で、多くの構造は通常の高倍率光顕微鏡で観察され且つ検査され得た。しかしな
がら、最新の構造は今や、標準の光顕微鏡でもっては見ることを最早許さない寸
法に到達している。業界の集積回路設計ルールが０．１８ミクロン造作以下に向
っている状態では、最も進んだ光学顕微鏡も、試験下にある集積回路被検物の表
面の導通経路インディシアから導電性端子を正確に確認するには信頼できない。
加えて、被検物上の極めて小さな造作を見るときは、光学顕微鏡のレンズが多く
の場合被検物に近接して位置されねばならず、試験プローブと干渉するかもしれ
ない。
【０００３】 もしも業界がこれらの構造を検査するのを続けるなら、これは確実に必要であ
り、光学顕微鏡の使用に加えて他のアプローチが必要である。従って、通常は不
可視である造作を可視化し且つ検査し、光学顕微鏡プローブステーションで典型
的に見出される造作を維持しながら、電子光学との関連で用いられ得るプローブ
ステーションを提供することが望ましいであろう。
【０００４】 （発明の要約） 本発明の目的は、従来技術の不利および問題を克服する高解像度分析プローブ
ステーションでもって検査することを提供することにある。
【０００５】 本発明の他の目的は、集積回路被検物に電気試験信号を与える高解像度分析プ
ローブステーション方法およびシステムを提供することにある。
【０００６】 本発明のさらなる目的は、被検物の表面を観察する走査電子顕微鏡を用いて集
積回路被検物に電気試験信号を位置付けるための探査法を提供することにある。
【０００７】 本発明のさらに他の目的は、コンピュータからの電気信号が動力化されたマニ
ュピュレータおよび複数のプローブに伝えられ、電気試験信号を与えるプローブ
を位置付けるためにコンピュータが動力化されたマニュピュレータと通信するの
を許容する真空チャンバを提供することにある。
【０００８】 簡単に要約すると、本発明は、被検物上に導電性端子を露出させている被検物
の表面を観察すべく位置付けられる走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）または集中イオン
ビーム（ＦＩＢ）システムを用いて、集積回路被検物を電気試験信号でもって検
査する方法およびシステムに関する。被検物を走査電子顕微鏡に関して支持する
キャリアが設けられ、一方、コンピュータは走査電子顕微鏡から被検物表面の導
通経路インディシアを確認する画像を獲得する。コンピュータにより遠隔制御さ
れる、またはオペレータによりジョイスティック等を用いて直接に制御される動
力化されたマニュピュレータは、電気試験信号を搬送するために、被検物表面上
に位置付け可能な複数のプローブを真空チャンバの内側囲い内で操作し得る。内
側囲いは、真空での被検物の分析のために、走査電子顕微鏡、キャリア、動力化
されたマニュピュレータおよび複数のプローブを収容している。真空チャンバの
フィードスルーは、電気信号をコンピュータから動力化されたマニュピュレータ
および複数のプローブに接続している。コンピュータは、走査電子顕微鏡によっ
て観察された被検物の表面の導通経路インディシアから導電性端子を確認すべく
、コンピュータに獲得された画像を用いて、複数のプローブを位置付けるため、
および被検物上の端子に電気試験信号を与えるために動力化されたマニュピュレ
ータと通信する。
【０００９】 本発明の他の目的および有利性は、以下の明細書および特許請求の範囲を添付
の図面に照らし精読すれば、当業者には明らかとなろう。
【００１０】 （好ましい実施の形態の詳細な説明） さて、図面、殊に、図１および２を参照するに、集積回路被検物、例えば、半
導体ウェハ５０の高解像度分析検査のためのシステム１０が示されており、シス
テム１０は、ウェハ全体、パッケージされた部品またはウェハ片を含み得る集積
回路被検物５０に電気試験信号を与える。このように、システム１０は多様な同
寸の被検物に加えてウェハ全体を検査し得る。検査機能の間、従来の走査電子顕
微鏡（ＳＥＭ）、材料分析用Ｘ線マイクロプローブまたは集中イオンビーム（Ｆ
ＩＢ）システム１２が能力を強化するために用いられてもよい。このように、プ
ローバがＦＩＢシステムやＳＥＭシステムに一体化されてもよい。ここに説明さ
れる実施の形態は、R. J. Lee Instruments Ltd.により提供されているＳＥＭを
用いており、被検物５０上に導電性端子を露出している被検物５０の表面を観察
するために位置付けられる。例えば、後述の図４を見よ。システム１０には、電
流経路追跡試験等を非接触検査の一形態として許す電子ビーム誘導電流（ＥＢＩ
Ｃ）能力が具えられてもよい。
【００１１】 図２に示されるように、キャリア１４が走査電子顕微鏡１２に関連して被検物
５０を支持するために設けられている。走査電子顕微鏡１２は、極めて小さい回
路造作を見るのに光学顕微鏡を用いては不可能である被検物５０上に幾つかの試
験プローブを位置させ得るように、被検物５０の十分上方に位置されている。コ
ンピュータシステム１６は、図１のキャリア／モーション制御１４に連結され、
コンピュータシステム１６はさらに、走査電子顕微鏡１２による被検物５０の表
面の導通経路インディシアを確認する図４の高解像度画像の獲得をもたらす。コ
ンピュータシステム１６は、従前のマイクロプロセッサベースのシステムまたは
電子コントローラ、または下に説明される情報処理に適したマイクロコントロー
ラのようなプロセッサとして設けられてもよい。参照番号１８，２０および２２
によりそれぞれ識別された多数の動力化されたマニュピュレータもまた、コンピ
ュータシステム１６によって遠隔制御される。かくて、複数のプローブ２４は、
電気試験信号を搬送すべく、動力化されたマニュピュレータ１８，２０および２
２でもって被検物５０の表面に位置付け可能に用いられる。
【００１２】 図３Ａ、３Ｂおよび３Ｃの斜視図に示されている真空チャンバ２６はシステム
の作動を図解し、ここで、内側囲い２７は走査電子顕微鏡１２、キャリア１４、
多数の動力化されたマニュピュレータ１８，２０および２２、および複数のプロ
ーブ２４を収容し、真空チャンバ２６により発生された真空内で、被検物５０を
分析するために走査電子顕微鏡１２と共に使用するべく適合されている。交換可
能なプローブ先端の異なる形態で調節能力を備えた、すなわち、４５°および９
０°のアタック角を備えた４５°から９０°の入射角度は、走査電子顕微鏡１２
に関してプローブの位置付けを容易とする。
【００１３】 内側囲い２７のチャンバ寸法は必要とされる検査の形式に依存する。比較的小
さなチャンバは、小さな試料の検査に対し必要である。小さな試料は、大抵、パ
ッケージされた部品またはウェハ片である。ウェハレベルの検査のためには、チ
ャンバ寸法は、３００ｍｍを越えるウェハステージ並進装置を収容すべく、より
大きくなければならない。チャンバは、約内径２３インチ×深さ１０インチであ
る。これは、ＸおよびＹ方向に１インチより小さい移動代を有する６インチウェ
ハチャックを許容する。それはまた、少なくとも５０ｎＭ解像度と全ての軸方向
に０．５インチの移動代を有するプログラマブルマニュピュレータを６つまで許
容する。このシステムの台は、約３フィート×３フィート×５フィートであり、
必要とされる全ての電子装置およびポンプ設備を含んでいる。
【００１４】 システム１０は、種々の製造者から供給され得る運動学的システムによっても
たらされる振動遮断テーブル上に組立てられる。このテーブルシステムのデザイ
ンは、テーブル頂面の上および下に存する真空チャンバを収容すべく特注される
。この配列は、通常のテーブル頂部高さよりかなり上方で作業する必要なくプロ
ーバへ容易にアクセスするのを許容すべくなされる。フレーム構造に対しては、
空力的または油圧的に駆動され得るリフト機構２９が設けられており、チャンバ
の頂部２８を昇降させる。さらに、システムが機能するのに必要とされるハード
ウェア機器はテーブルの脚部領域内に一体化されている。
【００１５】 チャンバ壁２７はそれに溶接されたフィードスルーを有し、フィードスルーは
、システムのプログラマブル機能を作動させるために必要とされる配線用のフラ
ンジ付アクセスを提供すると共にチャック表面１４、個々のプローブ接点２４お
よびプローブカードの信号(不図示）用の信号経路を提供する。サーマルチャッ
ク１４はシステムチャンバ内で用いられてもよい。チャンバ床１３はまた、チャ
ンバ内に真空を引き込む手段を取付けるために、それに溶接されフランジ付アク
セスを具えるフィードスルーを有すると共に、以下に説明される相互接続の要求
のために追加のフィードスルーポートを有している。かくて、システム１０は、
上述の相互接続ハードウェアおよび機器類に適合されたとき、低騒音および低電
流試験用に良く適している。
【００１６】 ネバダ州カーソン市、Micromanipulator Company, Inc.のモデル９００ＶＭマ
ニュピュレータは、「ハンドオフ」作動およびプログラマブルプローブ用途の必
要性に合うべくデザインされている。マニュピュレータ１８，１９，２０，２１
，２２および２３はＸ，ＹおよびＺ軸方向に動力化されている。Ｚ軸の位置決め
は手動で補助され、粗い位置決めは種々のプローブホルダおよびプローブステー
ションについての補償を許している。プローブステーションシステムは、コント
ローラシステムの選択に依存して、完全なプログラマブルすなわち動力化のみ（
例えば、ジョイスティック制御）のモードで作動されてもよい。モデル９００Ｖ
Ｍマニュピュレータは、使い捨てチップまたは一体型チップモデルにおいて、全
ての標準プローブホルダを受容れる。
【００１７】 ０．０５ミクロンにおいて、モデル９００ＶＭマニュピュレータは極めて高い
マニュピュレータ解像度を呈する。この解像度は動力化（ジョイスティック）ま
たはプログラマブル制御のいずれかでもって得ることができる。９００ＶＭはま
た、広範囲なプローブホルダ「Ｚ」位置決め設定、割出し付回転可能ノーズピー
ス、迅速なプローブチップ交換のための迅速手動「Ｚ」リフトおよび迅速解放を
伴う安定した真空ベースを特徴としている。モデル９００ＶＭはジョイスティッ
クのみの制御（ＲＥＭバージョン）でもって、または以下に説明されるpcProbe
（商標）ソフトウェアを用いた外部コンピュータ制御でもって用いられ得る。
【００１８】 フィードスルーは、例えば、コンピュータシステム１６からコンピュータバス
２８を経て動力化されたマニュピュレータ１８，１９，２０，２１，２２および
２３、ステージ１４および複数のプローブ２４へ電気信号を伝えるべく真空チャ
ンバ２６に設けられている。用いられているフィードスルーは、PAVE Technolog
y Co. , Inc.およびその他から提供され、２つのカテゴリのいずれかに入る信
号、ポジショナおよびプローブカード接続の相互接続器を含んでいる。第一のカ
テゴリは、ＤＵＴ試験信号取扱い能力のために提供されたものである。これらは
、限定されるわけではなく、単一ピンジャック、同軸、三軸、ＳＭＡおよびＵＭ
Ｃ接続器である。さらに、固定位置のプローブカード使用では、既述のフィード
スルーの全てが、大量のリードを取扱うよう意図された多くの他と共に用いられ
得る。第二のカテゴリは、必要とされるプローバ機能の全てに制御信号を提供す
べく専用化されたものである。典型的な制御の軸は、モータのステップおよび方
向と共に移動に関する限界制御のために７つのリードを要求し得る。
【００１９】 さらに、位置のフィードバックが利用される場合には追加のリードが用いられ
得る。ケルビンプローブおよびプローブホルダ形態がこの用途に適合されてもよ
い。これらは信号リード数の２倍を必要としよう。コンピュータシステム１６は
、複数のプローブ２４を位置付けるために動力化されたマニュピュレータ１８，
２０および２２と通信し、走査電子顕微鏡１２で観察された被検物５０表面の導
通経路インディシアから導電性端子を確認するためにコンピュータシステム１６
により獲得された画像を用いながら、被検物５０上の端子に電気試験信号を与え
る。
【００２０】 説明されたように、プローブステーションシステム１０はプローブ２４を位置
付け被検物１２の表面を観察するために走査電子顕微鏡１２を位置付ける。シス
テム１０は被検物５０の支持手段を提供し、これはキャリア／モーション制御１
４および被検物５０を支持するチャックを含んでいる。チャック、プローブカー
ドアダプタ、６つ以上のプログラマブルマニュピュレータ、ステージおよびプラ
テン２５の並進および測定信号経路を備え完全に構成されたプローバは、システ
ムの要求のために１２６以上のフィードスルー接続を必要としよう。少なくとも
５つの信号経路がステージ表面およびプローブのために、そしてプローブカード
基本の接続に対して必要とされる数の信号経路が用いられる。ケルビンプローブ
およびプローブホルダ形態は相互接続の数を倍にするかもしれない。
【００２１】 図２および３Ａを参照するに、一旦、チャンバ頂部２８が上昇されると、それ
は、光学顕微鏡７０が顕微鏡ブリッジ７１上を滑ることによりウェハチャック１
４上の位置に移動され、ユーザの興味ある領域内でＤＵＴ５０に最初にプローブ
を位置付けるのを容易にし得るように、邪魔にならない位置に回動される。これ
は、システムが一旦真空下におかれると、ＤＵＴで検査されるべき領域に位置さ
せるのに費やされる時間を減ずるために行われる。これが完了すると、チャンバ
頂部２８が所定位置に下降され得るように、光学顕微鏡７０は邪魔にならない位
置に位置されてもよい。ＳＥＭコラム１２を備えたチャンバ頂部２８がチャンバ
壁２７に適切に整列しシールを完全にするように、適切に置かれたブッシュ内に
落ち込む２本のテーパ付ピン(不図示）があってもよい。上述のようなシステム
１０のＳＥＭの実施例によれば、熱カソード電子放出技術が用いられ得るが、し
かしながらシステム１０の他の実施例は上述のようにフィールド放出を用いても
よい。フィールド放出は、被検物５０に損傷を与える可能性が低く、改善された
画像品質をもたらす。さらに、チャンバ頂部２７は、整列ピンにより、ＳＥＭコ
ラム１２がプローブ２４およびマニュピュレータ１８−２３の真中に適切に位置
されるのを保証しなければならない。
【００２２】 チャンバ２６内には、以下に説明される通常のプローバ機能の全てを支持する
動力化されたＸ−Ｙプローバプラットフォーム４６がある。このプラットフォー
ム４６の目的は、支持構造であることの他に、今日の多くのプローブステーショ
ンに見出される典型的な顕微鏡並進をシミュレートすべくプローバ機能の全てを
一体に並進させることである。プラットフォーム４６によりもたらされるＸ／Ｙ
の並進は、プローブ２４を邪魔することなく大きな領域のＤＵＴ観察を促進する
。コラムは、ステージ、プラテンおよびマニュピュレータから独立して容易には
動くことができないので、プラットフォームが動くことは、ユーザが検査する場
所のためにＤＵＴを走査すること、または、各プローブまたはプローブカードに
よってもたらされている全てのプローブの位置をチェックすることを許す、この
機能に対する唯一のアプローチである。プラテン２５はマニュピュレータを同時
に上昇させ、且つ用いられ得る固定位置プローブカードを動かす。このように、
プラテン２５を備え動力化されたチルト軸１５によってもたらされるチップ／チ
ルト機能は、被検物５０上でプローブ２４の交互の観察およびプローブの位置付
けのための垂直方向運動を許す。
【００２３】 プラットフォーム４６の下およびプラットフォームとチャンバ２６の底との間
は、プラットフォームをＺ方向垂直に動力化されたチルト軸１５でチルトさせる
ために用いられる機能である。この機能は、プラットフォーム４６が「Ｘ」また
は「Ｙ」軸のいずれかに沿ってチップまたはチルトされるのを許容し、ユーザが
ＤＵＴ５０に接触しているプローブ２４を垂直以外の角度から観察するのを許容
する。動力化されたチップおよびチルト機能はプローブ観察角度を改善する。こ
れは、極めて小さなＤＵＴ構造上のタッチダウンを見るときにユーザを助ける。
【００２４】 プラットフォームには、ウェハチャック１４のためのテータ（Theta）アジャ
ストがステージに設けられたＸ−Ｙステージ１７が取付けられている。ウェハチ
ャックへのＤＵＴ取付けの方法は機械的手段によっている。かくて、スプリング
クリップ配列がウェハをチャックに固定する。真空チャンバ内では、真空は、押
さえ付け方法としては明らかに働かない。ウェハは、今日の多くのウェハに典型
的に見出されるノッチまたはフラットに整合する整列ピンでもって、僅かな凹み
内に沈みこむ。
【００２５】 プラットフォーム４６にはまた、固定されたプローブカードおよびマイクロマ
ニュピュレータの両者を支持する「Ｚ」プラテン２５が取付けられている。プラ
テンは、固定位置プローブカードおよび／または単一のプローブのいずれかが同
時に上昇および下降されるように、「Ｚ」軸方向にモータ駆動される。この制御
された動きはプローブおよびプローブカードに「Ｚ」位置付けをもたらす。 多数の動力化された／プログラマブルなマイクロマニュピュレータ１８−２３が
プラテン２５の頂部上にセットされている。図面はこれらの装置の６つを示して
いる。６つは実際の限界のようであるが、プローブをＤＵＴに接触させるのには
必要に応じて幾つでもよい。
【００２６】 走査電子顕微鏡１２は、ＣＡＤナビゲーションソフトウェアとともに用いられ
得る走査電子顕微鏡インターフェース３０でもってコンピュータシステム１６に
連結されている。コンピュータシステム１６はかくてバス２８を経てＳＥＭイン
ターフェース３０を介して走査電子顕微鏡１２と通信し、画像を獲得する手段を
含む第一のコンピュータを備えている。
【００２７】 コンピュータシステム１６は、走査電子顕微鏡１２から画像を獲得するデジタ
ル画像プロセッサとして構成された一般目的のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）
のような第一のコンピュータ３２を含み得る。コンピュータシステム１６はまた
、複数のプローブ２４を動力化されたマニュピュレータ１８，２０，２２を経て
遠隔制御する第二のパーソナルコンピュータ３４を含んでもよく、マニュピュレ
ータ１８，２０，２２はコンピュータ３４により遠隔制御される。替わりに、コ
ンピュータシステム１６は、プローバ機能および顕微鏡機能の両者のための制御
動作を遂行する単一のＰＣまたはサーバーでもよい。コンピュータシステム１６
はまた、２つのコンピュータとプロトタイプバージョンの３つのモニターを含ん
でもよく、全部が単一のコンピュータおよびモニターで達成されてもよい。しか
しながら、一つが高解像度観察用および一つがシステム制御およびナビゲーショ
ン機能用の二つのモニターを有することが記載の実施例では有利であることが判
明した。
【００２８】 従前のＰＣコンピュータモニターとして設けられ得る別々のビデオディスプレ
イユニット（ＶＤＵｓ）３６および３８は、ＳＥＭ１２およびプローブ２４のそ
れぞれに関する高解像度の顕微鏡画像とコンピュータグラフィックを表示するの
に用いられる。ＶＤＵｓ３６および３８は、画像を獲得することにより被検物５
０に複数のプローブ２４を置くべく遠隔制御する際、ユーザを視覚的に助けるた
めに用いられる。画像は被検物５０の露出された導電性端子に対応する特異な集
積回路表面インディシアに関する情報をユーザに伝える。Ｗｉｎｄｏｗｓ（商標
）基本のパーソナルコンピュータと共に用いられるネバダ州カーソン市、Microm
anipulator Company, Inc.のｐｃＰｒｏｂｅＩＩ（商標）ソフトウェア（ＰＣＰ
ＩＩ）は、不定期なユーザを検査の準備のプロセスにわたり自動的に案内する自
動二次限補償、自動整列およびセットアップのような機能を提供している。手動
制御器４０、例えば、マウスおよび／またはジョイスティックもまた、被検物５
０上に置かれている複数のプローブ２４を制御するためにユーザによって用いら
れる。電気試験信号プローブインターフェース４２は、被検物５０に電気試験信
号を与えるためにプローブ２４に連結されている。替わりに、被検物５０に電気
試験信号を与えるための固定位置プローブカードとして複数のプローブ２４が設
けられてもよい。
【００２９】 コンピュータシステム１６と共に用いられるＰＣＰＩＩプローブソフトウェア
は、単純化された直感的なアイコン基本のツールキット形態で制御能力を有する
プローブ位置付けシステムを提供している。ＰＣＰＩＩプローブソフトウェアは
、モジュール式フォーマットでデザインされ、ウェハマッピング、ダイおよびイ
ンダイステッピング、多装置ナビゲーションオプションおよびタッチダウン感知
を許している。ＰＣＰＩＩプローブの特徴は、アクティブナビゲーション制御を
伴うオンスクリーンビデオ、進んだ整列および縮尺機能、ウェハマップを介した
プログラミング、対話式学習およびマトリックスモードを含んでいる。ＰＣＰＩ
Ｉプローブナビゲーションソフトウェアは、Ｗｉｎｄｏｗｓ， ＤＤＥ， ＲＳ
−２３２ およびＧＰＩＢインターフェースをサポートしている。ＰＣＰＩＩプ
ローブナビゲータモジュールは、４つ以上のマニュピュレータ、被検物キャリア
ステージ、プラテンおよび顕微鏡を制御する対話式装置管理を提供している。
【００３０】 プローブを用いて被検物５０を分析しながら、ナビゲータディスプレイはアク
ティブな被検物装置の位置および制御情報を示す。ナビゲータモジュールはまた
、システムオペレーションデータおよびプローブタッチダウンパラメータを提供
する。ウェハマッピングモジュールは、選ばれているダイの連続的な視角的指示
を提供し、且つダイ被検物の正確な座標を表示する。ＰＣＰＩＩプローブソフト
ウェアはまた、パーソナルコンピュータによる被検物５０のリアルタイムイメー
ジング用のビデオモジュールを含んでいる。各ＰＣ／ｐｒｏｂｅ ＩＩモジュー
ルは別のアプリケーションウインドウを用い、これは、ユーザが各モジュールの
プレスメントを定め且つ各ウインドウを個々に最大化または最小化することによ
り、観察スクリーンを調整することを許す。
【００３１】 環境制御装置４４が、とりわけ温度を制御し、且つ走査電子顕微鏡１２を作動
させるチャンバプローバハウジングの内側囲い２７内に真空を発生させ、そして
被検物５０を真空下の制御された環境状態で分析するために設けられている。環
境制御装置４４は、例えば第一に、多くのＥ−ビーム光学システムに関して磁気
シールドを含み、これがなければビームは適切な解像度のために適切に平行にさ
れ得ない。第二に、ウェハ検査領域は金属で完全に囲われているので、ユーザは
現行のプローブステーションに対する改良である重大な電磁気シールド特性を経
験しよう。金属化された表面を備える追加のインシュレータ層がチャック表面１
４をシールドするために用いられてもよく、低騒音環境をもたらす。加えて、絶
縁された同軸接続を使用すれば、チャンバが接地されているとき三軸測定を許す
。次に、検査機能は真空内で生ずるので、低音検査用途での霜の形成は存在しな
い。空気がほとんど存在しないので、大気および上昇された温度用途の際にもプ
ローブが酸化しない。最後に、システム１０と共に用いられているサーマルチャ
ックは、ＤＵＴが大気温度以上および以下で試験され得ることをもたらす。
【００３２】 ＶＤＵモニター、キーボード、マウスおよびジョイスティックを支持するのに
ベンチ式のテーブルが用いられた。２００ｍｍシステム用のチャンバは約２フィ
ート×２フィート×１フィート＋／−であり、３００ｍｍシステム用は約３フィ
ート×５フィート×１フィートである。より大きなチャンバ用のポンプ要素は追
加のスペースを必要とするかもしれない。
【００３３】 図４に移るに、集積回路に電気試験信号を与える方法として、被検物５０の露
出された導通回路経路５４に位置されたプローブ２４の多数の画５２，５４およ
び５６を備えたＳＥＭの写真が示されている。集積回路被検物５０を分析する方
法は、ｐｃＰｒｏｂｅＩＩソフトウェアインタフェースによって駆動され、走査
電子顕微鏡１２から被検物表面の導通経路インディシアを確認する画像を獲得す
る。ｐｃＰｒｏｂｅＩＩナビゲーションソフトウェアは、被検物５０の高解像度
画像内にプローブ２４を位置付けるプロセスを容易化している。かくて、画像獲
得ステップは、走査電子顕微鏡１２でもって観察された被検物５０の表面の導通
経路インディシア５４から導電性端子を確認し、上述のように、複数のプローブ
を遠隔制御するステップでもって複数のプローブを位置つけるために用いられる
。最小倍率の画面が項目５６、中間倍率の画面が項目５８および最大倍率の画面
が項目５２である。３つの画面である理由は、丁度それらが作業している場所の
良好な視点を維持する際にオペレータを助けるためである。
【００３４】 本発明の好ましい実施の形態が図解され且つ説明されたが、変形が当業者にと
って起こり得ること、および添付の特許請求の範囲では本発明の真の趣旨および
範囲内の変更および変形を全てカバーすることが意図されていることが理解され
よう。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明を用いる高解像度プローブステーションを示す。
【図２】 本発明による、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）、動力化されたマニュピュレータお
よび集積回路被検物上に位置付けられた複数のプローブを収容する真空チャンバ
を断面で示す。
【図３Ａ】 真空チャンバの斜視図であり、その中で、コンピュータからの電気信号が動力
化されたマニュピュレータおよび複数のプローブに接続され、電気試験信号を与
えるプローブを位置付けるためにコンピュータが動力化されたマニュピュレータ
と通信するのを許している。
【図３Ｂ】 真空チャンバの斜視図であり、その中で、コンピュータからの電気信号が動力
化されたマニュピュレータおよび複数のプローブに接続され、電気試験信号を与
えるプローブを位置付けるためにコンピュータが動力化されたマニュピュレータ
と通信するのを許している。
【図３Ｃ】 真空チャンバの斜視図であり、その中で、コンピュータからの電気信号が動力
化されたマニュピュレータおよび複数のプローブに接続され、電気試験信号を与
えるプローブを位置付けるためにコンピュータが動力化されたマニュピュレータ
と通信するのを許している。
【図４】 ＳＥＭの写真であり、電気試験信号を被検物表面インディシアおよび複数のプ
ローブを示している集積回路被検物に与えるプローブ位置付けを示す。

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 集積回路被検物に電気試験信号を与えるプローブステーショ
    ンシステムであって、 被検物上に導電性端子を露出させている被検物の表面を観察する走査電子顕微
    鏡を位置付けるプラットフォーム手段と、 走査電子顕微鏡に関して被検物を支持するステージ手段と、 被検物表面の導通経路インディシアを確認する画像を走査電子顕微鏡から獲得
    するイメージング手段と、 被検物表面上に位置付け可能な電気試験信号を搬送するために、前記画像を獲
    得する手段と共に、複数のプローブを遠隔制御するプローブ制御手段と、 被検物を収容する内側囲いを有するチャンバ内に真空を発生させる真空チャン
    バ手段と、 前記画像を獲得する手段から前記複数のプローブを遠隔制御する手段にチャン
    バのフィードスルーを経て電気信号を接続させるフィードスルー手段であって、
    前記イメージング手段は、走査電子顕微鏡によって観察された被検物の表面の導
    通経路インディシアから導電性端子を確認すべく、獲得された画像を用いて被検
    物上の端子に電気試験信号を与える前記複数のプローブを遠隔制御する手段と通
    信するフィードスルー手段と、 を備えることを特徴とするシステム。
  2. 【請求項２】 前記ステージ手段は、複数のプローブの昇降を許容するプラ
    テンに対し連結され、前記イメージング手段による観察を助けることを特徴とす
    る請求項１に記載のシステム。
  3. 【請求項３】 前記画像を獲得するイメージング手段は第一のコンピュータ
    を備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
  4. 【請求項４】 第二のコンピュータを備え、前記複数のプローブを遠隔制御
    する手段は前記第二のコンピュータにより遠隔制御される動力化されたマニュピ
    ュレータを備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
  5. 【請求項５】 前記複数のプローブを遠隔制御する手段は前記第一のコンピ
    ュータにより遠隔制御される動力化されたマニュピュレータを備えることを特徴
    とする請求項３に記載のシステム。
  6. 【請求項６】 前記被検物は、集積回路ウェハを含むことを特徴とする請求
    項３に記載のシステム。
  7. 【請求項７】 集積回路被検物から電気試験信号を獲得するプローブステー
    ションシステムであって、 被検物上に導電性端子を露出させている被検物の表面を観察すべく位置付けら
    れる走査電子顕微鏡と、 前記走査電子顕微鏡に関して被検物を支持するキャリアと、 前記走査電子顕微鏡から被検物表面の導通経路インディシアを確認する画像を
    獲得するコンピュータと、 前記コンピュータにより遠隔制御される動力化されたマニュピュレータと、 前記動力化されたマニュピュレータでもって被検物の表面に位置付け可能な電
    気試験信号を搬送する複数のプローブと、 真空内で前記被検物を分析するために、前記走査電子顕微鏡、前記キャリア、
    前記動力化されたマニュピュレータおよび前記複数のプローブを収容する内側囲
    いを有する真空チャンバと、 前記コンピュータから前記動力化されたマニュピュレータおよび前記複数のプ
    ローブに電気信号を接続させる前記真空チャンバのフィードスルーであって、前
    記コンピュータは、走査電子顕微鏡によって観察された被検物の表面の導通経路
    インディシアから導電性端子を確認すべく、前記コンピュータで獲得された画像
    を用いて被検物上の端子を経て電気試験信号を与え且つ受取る前記複数のプロー
    ブを位置付ける前記動力化されたマニュピュレータと通信するフィードスルーと
    、 を備えることを特徴とするシステム。
  8. 【請求項８】 前記キャリアは、ウェハ被検物を支持するシールドされた集
    積回路チャックを備えることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
  9. 【請求項９】 前記キャリアは、サーマルチャックを備えることを特徴とす
    る請求項７に記載のシステム。
  10. 【請求項１０】 画像を獲得する前記コンピュータは、パーソナルコンピュ
    ータ（ＰＣ）からなることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
  11. 【請求項１１】 前記キャリアに連結され動力化されたプラットフォームを
    備え、前記プラットフォームは装置およびプローブの観察のために前記キャリア
    の並進的チップおよびチルト運動をもたらすことを特徴とする請求項７に記載の
    システム。
  12. 【請求項１２】 前記コンピュータは、前記走査電子顕微鏡に関係付けられ
    た画像プロセッサを備えることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
  13. 【請求項１３】 前記コンピュータは、一般的目的のパーソナルコンピュー
    タであることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
  14. 【請求項１４】 前記複数のプローブを遠隔制御する前記手段は、前記パー
    ソナルコンピュータにより遠隔制御される動力化されたマニュピュレータを備え
    ることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
  15. 【請求項１５】 前記複数のプローブを遠隔制御する前記手段は、多数の動
    力化されたマニュピュレータを備えることを特徴とする請求項１４に記載のシス
    テム。
  16. 【請求項１６】 前記複数のプローブは、被検物に電気試験信号を与える固
    定された位置のプローブカードを備えることを特徴とする請求項７に記載のシス
    テム。
  17. 【請求項１７】 集積回路被検物を分析する方法であって、 被検物上に導電性端子を露出させている被検物の表面を観察すべく走査電子顕
    微鏡を位置付け、 走査電子顕微鏡に関して被検物を支持し、 走査電子顕微鏡から被検物表面の導通経路インディシアを確認する画像を獲得
    し、 電気試験信号を搬送すべく被検物の表面に位置付け可能な複数のプローブを遠
    隔制御し、 真空内で被検物を分析するために、走査電子顕微鏡および複数のプローブを収
    容する内側囲いを有するチャンバ内に真空を発生させ、そして 走査電子顕微鏡によって観察された被検物の表面の導通経路インディシアから
    導電性端子を確認し、複数のプローブを遠隔制御するステップでもって複数のプ
    ローブを位置付けるべく、画像獲得ステップを用いてチャンバのフィードスルー
    を経て被検物上の端子に電気試験信号を与えるための通信信号を接続させる ステップを備えることを特徴とする方法。
  18. 【請求項１８】 前記画像を獲得するステップは、走査電子顕微鏡を用いて
    被検物表面の導通経路インディシアを確認する画像を獲得することをコンピュー
    タに提供することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記複数のプローブを遠隔制御するステップは、被検物に
    電気試験信号を搬送すべく被検物の表面に位置付け可能な複数のプローブを遠隔
    制御する動力化されたマニュピュレータを制御する前記画像獲得ステップのコン
    ピュータを用いることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 被検物の表面にプローブを位置付けるためにコンピュータ
    でもって複数のプローブを遠隔制御するコンピュータとユーザのインターフェー
    スを提供するステップを備えることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
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WO (1) WO2000013030A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7112792B2 (en) 2004-05-31 2006-09-26 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection and charged particle beam apparatus
US7129727B2 (en) 2004-10-27 2006-10-31 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspecting apparatus
US7297945B2 (en) 2003-12-05 2007-11-20 Hitachi High-Technologies Corporation Defective product inspection apparatus, probe positioning method and probe moving method
KR101004625B1 (ko) * 2006-02-23 2011-01-03 씨에스전자(주) 자동식 반도체 웨이퍼 검사장치
KR20150027785A (ko) * 2012-06-08 2015-03-12 스티칭 컨티뉴테이트 베이제르트 엔지니어링 프로브 장치

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6744268B2 (en) * 1998-08-27 2004-06-01 The Micromanipulator Company, Inc. High resolution analytical probe station
US6445202B1 (en) * 1999-06-30 2002-09-03 Cascade Microtech, Inc. Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current
US6914423B2 (en) 2000-09-05 2005-07-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station
US6965226B2 (en) 2000-09-05 2005-11-15 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US6766996B1 (en) 2001-07-16 2004-07-27 Reid-Ashman Manufacturing, Inc. Manipulator
US6683316B2 (en) * 2001-08-01 2004-01-27 Aspex, Llc Apparatus for correlating an optical image and a SEM image and method of use thereof
US6776848B2 (en) * 2002-01-17 2004-08-17 Applied Materials, Inc. Motorized chamber lid
JP2003231074A (ja) * 2002-02-12 2003-08-19 Daiken Kagaku Kogyo Kk ナノピンセットの操作方法
US6891170B1 (en) 2002-06-17 2005-05-10 Zyvex Corporation Modular manipulation system for manipulating a sample under study with a microscope
US6967335B1 (en) 2002-06-17 2005-11-22 Zyvex Corporation Manipulation system for manipulating a sample under study with a microscope
DE10227332A1 (de) * 2002-06-19 2004-01-15 Akt Electron Beam Technology Gmbh Ansteuervorrichtung mit verbesserten Testeneigenschaften
US7038441B2 (en) * 2002-10-02 2006-05-02 Suss Microtec Testsystems Gmbh Test apparatus with loading device
US7248062B1 (en) * 2002-11-04 2007-07-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Contactless charge measurement of product wafers and control of corona generation and deposition
DE10253717B4 (de) * 2002-11-18 2011-05-19 Applied Materials Gmbh Vorrichtung zum Kontaktieren für den Test mindestens eines Testobjekts, Testsystem und Verfahren zum Testen von Testobjekten
US7023225B2 (en) * 2003-04-16 2006-04-04 Lsi Logic Corporation Wafer-mounted micro-probing platform
US7492172B2 (en) 2003-05-23 2009-02-17 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
JP2005024278A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Canon Inc プローブ担体の製造方法及び製造装置
US7083106B2 (en) * 2003-09-05 2006-08-01 Cytyc Corporation Locally storing biological specimen data to a slide
JP2007506981A (ja) * 2003-09-23 2007-03-22 ザイベックス コーポレーション Ｆｉｂで調製した試料を把持する素子を使用した顕微鏡検査のための方法、システム、および装置
US7250626B2 (en) 2003-10-22 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe testing structure
US7187188B2 (en) 2003-12-24 2007-03-06 Cascade Microtech, Inc. Chuck with integrated wafer support
TWI232938B (en) * 2004-02-11 2005-05-21 Star Techn Inc Probe card
US7355418B2 (en) * 2004-02-12 2008-04-08 Applied Materials, Inc. Configurable prober for TFT LCD array test
US7319335B2 (en) * 2004-02-12 2008-01-15 Applied Materials, Inc. Configurable prober for TFT LCD array testing
US20060038554A1 (en) * 2004-02-12 2006-02-23 Applied Materials, Inc. Electron beam test system stage
US6833717B1 (en) * 2004-02-12 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Electron beam test system with integrated substrate transfer module
TW200531420A (en) 2004-02-20 2005-09-16 Zyvex Corp Positioning device for microscopic motion
DE602005002379T2 (de) * 2004-02-23 2008-06-12 Zyvex Instruments, LLC, Richardson Benutzung einer Sonde in einer Teilchenstrahlvorrichtung
JP4824282B2 (ja) * 2004-03-11 2011-11-30 株式会社トプコン 微小アライメント部材のアライメント装置
US7326293B2 (en) * 2004-03-26 2008-02-05 Zyvex Labs, Llc Patterned atomic layer epitaxy
MY138949A (en) * 2004-12-24 2009-08-28 Pentamaster Instrumentation Sdn Bhd Apparatus/test handler for testing un-moulded ic devices using air flow system and the method of testing the same
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7535238B2 (en) * 2005-04-29 2009-05-19 Applied Materials, Inc. In-line electron beam test system
US20060273815A1 (en) * 2005-06-06 2006-12-07 Applied Materials, Inc. Substrate support with integrated prober drive
US7869184B2 (en) * 2005-11-30 2011-01-11 Lam Research Corporation Method of determining a target mesa configuration of an electrostatic chuck
KR100755067B1 (ko) * 2005-12-29 2007-09-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 제조용 챔버 및 이를 이용한 반도체 소자제조방법
KR100731910B1 (ko) * 2006-01-11 2007-06-25 코닉시스템 주식회사 진공챔버 내에서 사용하기 적합한 기판 스테이지
US7439084B2 (en) * 2006-02-17 2008-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Predictions of leakage modes in integrated circuits
TWI323788B (en) * 2006-03-14 2010-04-21 Applied Materials Inc Method to reduce cross talk in a multi column e-beam test system
US7602199B2 (en) * 2006-05-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Mini-prober for TFT-LCD testing
US7786742B2 (en) * 2006-05-31 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Prober for electronic device testing on large area substrates
US7583101B2 (en) * 2007-01-18 2009-09-01 Formfactor, Inc. Probing structure with fine pitch probes
US7764079B1 (en) 2007-01-31 2010-07-27 SemiProbe LLC Modular probe system
US20080251019A1 (en) * 2007-04-12 2008-10-16 Sriram Krishnaswami System and method for transferring a substrate into and out of a reduced volume chamber accommodating multiple substrates
US7573283B2 (en) * 2007-06-19 2009-08-11 Suss Micro Tec Test Systems Gmbh Method for measurement of a device under test
DE102008048081B4 (de) * 2008-09-19 2015-06-18 Cascade Microtech, Inc. Verfahren zur Prüfung elektronischer Bauelemente einer Wiederholstruktur unter definierten thermischen Bedingungen
US8319503B2 (en) 2008-11-24 2012-11-27 Cascade Microtech, Inc. Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test
US8536526B2 (en) * 2008-12-29 2013-09-17 International Business Machines Corporation Methods of operating a nanoprober to electrically probe a device structure of an integrated circuit
WO2011123923A1 (en) * 2010-04-07 2011-10-13 University Of Toronto Manipulator carrier for electron microscopes
CN102445568B (zh) * 2011-10-10 2013-09-18 北京大学 多探针共成像的超高真空四探针扫描隧道显微镜
CN103632912A (zh) * 2012-08-21 2014-03-12 B-纳诺有限公司 电子显微镜成像系统及方法
US9529041B2 (en) * 2012-11-05 2016-12-27 Brian D. Erickson Method for testing through-silicon vias at wafer sort using electron beam deflection
KR101794744B1 (ko) 2013-08-14 2017-12-01 에프이아이 컴파니 하전 입자 비임 시스템용 회로 프로브
KR20150107939A (ko) * 2014-03-13 2015-09-24 참엔지니어링(주) 시료 관찰 장치
CN107004553B (zh) * 2014-06-25 2019-07-26 Fei埃法有限公司 用于电子器件的纳米探测的装置以及方法
CN104090358A (zh) * 2014-07-21 2014-10-08 张波 全自动智能诊断显微镜系统
US9958501B1 (en) * 2015-03-04 2018-05-01 Applieed Materials Israel Ltd. System for electrical measurements of objects in a vacuumed environment
CN106206343B (zh) * 2015-05-07 2019-01-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件测试方法
US9964589B1 (en) 2016-11-08 2018-05-08 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. System for detection of a photon emission generated by a device and methods for detecting the same
JP7042071B2 (ja) * 2016-12-20 2022-03-25 エフ・イ－・アイ・カンパニー ｅビーム操作用の局部的に排気された容積を用いる集積回路解析システムおよび方法
US10790114B2 (en) * 2017-06-29 2020-09-29 Kla-Tencor Corporation Scanning electron microscope objective lens calibration using X-Y voltages iteratively determined from images obtained using said voltages
KR20210088207A (ko) 2020-01-06 2021-07-14 윤태근 압전 소자 프로브 스테이션 탐침
CN114720502B (zh) * 2022-04-11 2024-06-25 重庆大学 用于微观形貌观测的阵列式定位方法及装置
US11940486B2 (en) * 2022-06-01 2024-03-26 Nanya Technology Corporation Probe station capable of maintaining stable and accurate contact to device under test

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH643397A5 (de) 1979-09-20 1984-05-30 Ibm Raster-tunnelmikroskop.
JPS56142636A (en) 1980-04-07 1981-11-07 Toshiba Corp Holding mechanism for cassette of electron ray device
US4486659A (en) 1981-01-16 1984-12-04 Thor Cryogenics Limited Emisson-electron microscope
US4498833A (en) 1982-05-24 1985-02-12 Varian Associates, Inc. Wafer orientation system
JPS58210631A (ja) * 1982-05-31 1983-12-07 Toshiba Corp 電子ビ−ムを用いたｉｃテスタ
JPS59112217A (ja) 1982-11-29 1984-06-28 Toshiba Corp 寸法測定方法
EP0138250A3 (en) 1983-09-19 1986-12-30 North American Philips Corporation Structure for increasing number of specimens viewed in an electron microscope
US4618767A (en) 1985-03-22 1986-10-21 International Business Machines Corporation Low-energy scanning transmission electron microscope
US4665313A (en) 1985-06-28 1987-05-12 International Business Machines Corporation Apparatus and method for displaying hole-electron pair distributions induced by electron bombardment
AU6148986A (en) 1985-07-23 1987-02-10 Alfred Cerezo Improvements in atom probes
JPH0646550B2 (ja) * 1985-08-19 1994-06-15 株式会社東芝 電子ビ−ム定位置照射制御方法および電子ビ−ム定位置照射制御装置
DE3532781A1 (de) 1985-09-13 1987-03-19 Siemens Ag Anordnung zur detektion von sekundaer- und/oder rueckstreuelektronen in einem elektronenstrahlgeraet
JPS6276640A (ja) * 1985-09-30 1987-04-08 Toshiba Corp 半導体集積回路装置
US4706019A (en) * 1985-11-15 1987-11-10 Fairchild Camera And Instrument Corporation Electron beam test probe system for analyzing integrated circuits
EP0223918B1 (en) 1985-11-26 1990-10-24 International Business Machines Corporation Method and atomic force microscope for imaging surfaces with atomic resolution
US4747698A (en) 1986-04-30 1988-05-31 International Business Machines Corp. Scanning thermal profiler
US4730158A (en) * 1986-06-06 1988-03-08 Santa Barbara Research Center Electron-beam probing of photodiodes
EP0252745A3 (en) 1986-07-11 1990-01-24 AGENCY OF INDUSTRIAL SCIENCE & TECHNOLOGY MINISTRY OF INTERNATIONAL TRADE & INDUSTRY Relative displacement control apparatus
DE3628170A1 (de) 1986-08-20 1988-02-25 Max Planck Gesellschaft Verstellbare praeparathalterung fuer ein korpuskularstrahlenmikroskop
US4772846A (en) * 1986-12-29 1988-09-20 Hughes Aircraft Company Wafer alignment and positioning apparatus for chip testing by voltage contrast electron microscopy
JPS63231858A (ja) * 1987-03-20 1988-09-27 Hitachi Ltd 電子ビ−ム装置
JPH077654B2 (ja) 1988-04-01 1995-01-30 株式会社日立製作所 走査型電子顕微鏡
JP2572107B2 (ja) 1988-04-04 1997-01-16 三菱電機株式会社 走査型トンネル顕微鏡の粗動機構
DE3811441A1 (de) 1988-04-06 1989-10-26 Karl Poetz Separatorelement
JPH0758164B2 (ja) 1988-04-22 1995-06-21 三菱電機株式会社 走査型トンネル顕微鏡の微動機構
US4871938A (en) 1988-06-13 1989-10-03 Digital Instruments, Inc. Positioning device for a scanning tunneling microscope
DE3822504A1 (de) 1988-07-03 1990-01-04 Kernforschungsanlage Juelich Mikromanipulator
US4894537A (en) 1988-07-21 1990-01-16 Canadian Patents & Development Ltd. High stability bimorph scanning tunneling microscope
FR2644290A1 (fr) 1989-03-10 1990-09-14 Labo Electronique Physique Micromanipulateur
US4992660A (en) 1989-06-26 1991-02-12 Jeol Ltd. Scanning tunneling microscope
JP2909829B2 (ja) 1989-07-05 1999-06-23 セイコーインスツルメンツ株式会社 位置合わせ機能付複合走査型トンネル顕微鏡
US4999494A (en) 1989-09-11 1991-03-12 Digital Instruments, Inc. System for scanning large sample areas with a scanning probe microscope
NL8902568A (nl) 1989-10-17 1991-05-16 Philips Nv Vacuuem systeem voorzien van een evacueerbaar huis, een objecthouder en een losneembaar daarmee gekoppelde objectdrager.
JPH0687003B2 (ja) 1990-02-09 1994-11-02 株式会社日立製作所 走査型トンネル顕微鏡付き走査型電子顕微鏡
JP2945090B2 (ja) 1990-07-09 1999-09-06 キヤノン株式会社 エンコーダ
JPH0483104A (ja) 1990-07-26 1992-03-17 Olympus Optical Co Ltd 走査型トンネル顕微鏡
JPH0758193B2 (ja) 1990-09-14 1995-06-21 三菱電機株式会社 原子間力顕微鏡の微動走査機構
JP3285092B2 (ja) 1990-10-12 2002-05-27 株式会社日立製作所 走査形電子顕微鏡、及び走査形電子顕微鏡による試料像形成方法
EP0504972A1 (en) 1991-03-18 1992-09-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Specimen holder for use in a charged particle beam device
DE69229432T2 (de) 1991-10-24 2000-02-17 Hitachi Ltd Probenhalter für Elektronenmikroskop
EP0949653B1 (en) 1991-11-27 2010-02-17 Hitachi, Ltd. Electron beam apparatus
DE4140710A1 (de) 1991-12-10 1993-06-17 Integrated Circuit Testing Positioniersystem
US5672816A (en) 1992-03-13 1997-09-30 Park Scientific Instruments Large stage system for scanning probe microscopes and other instruments
US5519212A (en) 1992-08-07 1996-05-21 Digital Instruments, Incorporated Tapping atomic force microscope with phase or frequency detection
EP0584869A1 (en) 1992-08-27 1994-03-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Specimen holder for a particle-optical apparatus
JP2927627B2 (ja) 1992-10-20 1999-07-28 株式会社日立製作所 走査電子顕微鏡
US5444244A (en) 1993-06-03 1995-08-22 Park Scientific Instruments Corporation Piezoresistive cantilever with integral tip for scanning probe microscope
JPH0714898A (ja) * 1993-06-23 1995-01-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハの試験解析装置および解析方法
US5530372A (en) * 1994-04-15 1996-06-25 Schlumberger Technologies, Inc. Method of probing a net of an IC at an optimal probe-point
US5557156A (en) 1994-12-02 1996-09-17 Digital Instruments, Inc. Scan control for scanning probe microscopes

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7297945B2 (en) 2003-12-05 2007-11-20 Hitachi High-Technologies Corporation Defective product inspection apparatus, probe positioning method and probe moving method
US7553334B2 (en) 2003-12-05 2009-06-30 Hitachi High-Technologies Corporation Defective product inspection apparatus, probe positioning method and probe moving method
DE102004058483B4 (de) * 2003-12-05 2009-12-17 Hitachi High-Technologies Corp. Vorrichtung zur Untersuchung von Produkten auf Fehler, Messfühler-Positionierverfahren und Messfühler-Bewegungsverfahren
US8074293B2 (en) 2003-12-05 2011-12-06 Hitachi High-Technologies Corporation Defective product inspection apparatus, probe positioning method and probe moving method
US7112792B2 (en) 2004-05-31 2006-09-26 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection and charged particle beam apparatus
US7705303B2 (en) 2004-05-31 2010-04-27 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection and charged particle beam apparatus
US8304723B2 (en) 2004-05-31 2012-11-06 Hitachi High Technologies Corporation Defect inspection and charged particle beam apparatus
US7129727B2 (en) 2004-10-27 2006-10-31 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspecting apparatus
KR101004625B1 (ko) * 2006-02-23 2011-01-03 씨에스전자(주) 자동식 반도체 웨이퍼 검사장치
KR20150027785A (ko) * 2012-06-08 2015-03-12 스티칭 컨티뉴테이트 베이제르트 엔지니어링 프로브 장치
KR101958856B1 (ko) 2012-06-08 2019-03-15 스티칭 컨티뉴테이트 베이제르트 엔지니어링 프로브 장치

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