TW462100B - Wafer surface inspection method - Google Patents

Description

4 6 21 00 五、發明說明（1) 發明背景 1. 發明領域 發明是有關於一種檢視晶圓表面的方法。本發明尤其是 有關於一種利用晶圓表面檢視裝置，偵測出從晶圓暗區或 缺陷區的多通道射散光，辨識晶圓缺陷型態的方法。 2. 習用技術說明 近來，積體電路（I C )記憶體的集積化已經從1 6百萬位元 改善到6 4百萬位元或更多。結果，圖案寬度已經到達微米 尺度，而並未在以往製程中引起問題的微米大小外來物 質，現在會當作污染來源以及可能的缺陷來源。因此，製 造高度集積化超高積體LS I元件時，比如64百萬位元動態 隨機存取記憶體（DRAM)或2 5 6百萬位元DRAM時，需要完全 控制並避免晶圓上的缺陷及/或微米大小的外來物質，進 而大幅加強其良率。 造成問題的缺陷大小，一般是製造超高積體LS I元件時 最小接線寬度的因子。例如，必須控制直徑0. 1 - 0 . 2 // m或 更小的微米大小缺陷，或是比2 5 6百萬位元DRAM還小的微 米大小缺陷，或是具有電容大於依據0. 2 3 // m或更小設計 原則之256百萬位元DRAM元件的微米大小缺陷= 製造超高積體LS I元件時會引起問題的缺陷，可以分成 二類。第一類是"晶體起始污染顆粒"（C0P)缺陷，是在晶 圓製造時便在晶圓表面上或是晶圓内形成。另一類是附著 在晶圓表面的實際灰塵或污染物（在此稱作污染顆粒）。 COP是在製造出矽晶圓時所產生的。一般，將稱作”成長

第6頁 4621 00 五、發明說明¢2) "缺陷的晶體缺陷，加到依據柴可拉斯基方法（在此稱作CZ 法）所拉出的早晶體晶塊中。該晶體缺陷在晶體冷卻時不 會被去除掉，而留在處理與製造晶圓内。此時，當進行濕 式清洗（一般是用來去除掉附著在晶圓表面上的污染顆粒） 時’晶圓表面上會形成微米坑洞，因為晶圓上晶體缺陷的 I虫刻速率，或其附近的钱刻速率是大於沒有這些缺陷的區 域。此時，這些坑洞便稱作C0P。 圖1是顯示出晶圓1上C0P與污染顆粒的剖示圖。已知， C0P會讓半導體元件的閘極氧化層之電氣崩潰特性變差。 此外，COP當作晶圓上的污染源，會造成電路圖案的斷裂 或短路。如此，C0P會造成有缺陷的成品或是較差的成品 品質以及可靠度。 當傳統污染顆粒計數器或晶圓檢視裝置量測到具有C0P 與污染顆粒的晶圓時，常常會把COP(空位型缺陷）誤當作 污染顆粒。亦即*不能很精確的分辨出COP以及對應到實 際污染物的污染顆粒。然而，為了正確控制缺陷以及改善 良率，精確的從晶圓污染顆粒分辨出C0P是很重要的。所 以，需要定量的量測並分析晶圓上C0P及/或污染顆粒的狀 態，以便能夠辨識。

Nakano等人的美國專利5，6 4 0 , 2 3 8揭示出一種辨識晶圓 上污染顆粒與COP的傳統技術。在該專利中，檢視污染顆 粒的方法包括：利用對晶圓的污染顆粒量測而製造出第一 污染顆粒圖案；進行污染顆粒去除處理，以便從晶圓上去 除掉污染顆粒；對污染顆粒去除處理後的晶圓，進行污染

第7頁 462100 五、發明說明（3) 顆粒量測而製造出第二污染顆粒圖案；以及比較第一污染 顆粒圖案與第二污染顆粒圖案。將第一污染顆粒圖案與第 二污染顆粒圖案内每個固定共用點上所出現的污染顆粒， 判定成晶體缺陷或是表面不規則，而將第一污染顆粒圖案 有出現但第二污染顆粒圖案沒有出現的污染顆粒，判定成 實際的灰塵污染顆粒或污染物。 然而在傳統的技術中，因為必須進行清洗製程以去除掉 晶圓上的污染顆粒，所以缺點是，要花額外的時間去監視 晶圓上的污染顆粒。尤其，既然即使是只有會影響到良率 的C0P出現（相對於製造時所處理的污染顆粒），也必須進 行去除污染顆粒的製程，加入不需要的多餘製程*進而增 加處理時間。此外，依據傳統技術而使用濕式清洗製程去 除掉污染顆粒時，清洗溶液不只會引起環境污染問題，而 且還會讓C0P因濕式清洗製程的蝕刻效應而變得更大。另 外，傳統技術不能用來達到製造圓件時的現場監視目的* 而監視所用的晶圓也不能再使用，進而增加生產力。 發明摘要 本發明的目的在於提供一種檢視晶圓表面的方法，提供 製造半導體元件時的現場監視，而且能快連且精確的分辨 出晶圓上的C0P與實際污染顆粒。 為達到本發明的目的，提供一種晶圓表面檢視方法，依 據晶圓檢視糸統所得到缺陷量測’辨識出晶圓的缺陷類 型'該晶圓檢視糸統包括複數個暗區 <貞測存。使用晶圓檢 視系統，決定是否滿足第一，第二與第三條件。第一條件

第8頁 4621 00 五、發明說明（4) 是，晶圊檢視系統所量測到的晶圓上缺陷大小，何時小於 代表晶體起始污染顆粒最大尺寸的臨限值。第二條件是， 被複數個暗區偵測器偵測到的複數個缺陷光強度值，何時 滿足參考值。第三條件是，晶圓檢視系統所量測到的缺陷 位置，何時是在晶圓的多空位區内。然後當第一，第二與 第三條件都滿足時，決定出缺陷型態是晶體起始污染顆 粒。另一方面，當第一，第二與第三條件中有一個或多個 不滿足時，決定出缺陷型態是實際污染顆粒。表示COP最 大值的限值最好.是0. 1 6 " m，而晶圓檢視系統是射散計污 染顆粒量測系統。 每個暗區偵測器可以包括寬角光學多工管，用來偵測出 被缺陷所射散的寬角光線，並包括窄角光學多工管，用來 偵測出被缺陷所射散的窄角光線。此時，複數個缺陷光強 度值包括由寬角光學多工管所得的缺陷強度值Sw，以及由 窄角光學多工管所得的缺陷強度值SN，而第二條件是，強 度值SN•對強度值Sw的強度比SN: / Sw超過參考值時。 另一方式是，每個暗區偵測器可以包括用來偵測以小角 度由缺陷所散光出之光分量的小角度偵測器，用來偵測以 中角度由垂直於缺陷所射散出之光分量的中角度偵測器， 以及用來债測以大角度由缺陷反向所射散出之光分量的大 角度偵測器。此時，複數個缺陷光強度值包括由小角度偵 測器所得的缺陷強度值33，由令角度偵測器所得的缺陷強 度值SM，由大角度偵測器所得的缺陷強度值\，而第二條 件是，（a)強度值對強度值乂的強度比SM/SL超過苐一參考

第9頁 462100 五、發明說明（5) 值而且（b)強度值SM對強度值35的強度KSM/Ss超過第二參考 值時。 依據本發明，缺陷辨識的錯誤率可以極小化，晶圓表面 的檢視可以藉半導體元件製造時的現場監視而達到，而且 可以快速且精確的以非破壞性方式決定出晶圓上的缺陷類 型 ° 圖式的簡單說明 上述本發明的目的與優點，在經過以下的實施例說明以 及參閱所附圖式後，將變得更為明顯，其中： 圖1是出現在晶圓内之晶體起始污染顆粒（COP)與實際污 染顆粒的剖示圖； 圖2 A是傳統檢視系統中檢視晶圓暗區的部分光學系統的 功能方塊示意圖； 圖2 B是圖2 A檢視系統所採用之缺陷辨識演算法的流程 圖， 圖3 A是另一傳統檢視系統中檢視晶圓暗區的部分光學系 統的功能方塊示意圖； 圖3 B是圖3 A檢視系統所採用之缺陷辨識理則法的流程 圖；以及 圖4是依據本發明較佳實施例之晶圓表面檢視方法所採 用的缺陷辨識演算法之流程圖。 發明的詳細說明 晶圓上的缺陷通常是用射散計污染顆粒量測系統來做量 測。已知該型的方法包括表面掃描器S P1 T B1 (由美國的

第10頁 4621〇〇 五、發明說明（6) K la-Tencor公司所製造）以及先進晶圓檢視系統（AWIS)(由 美國的ADE Optical Systems公司所製造）。每個系統都被 用來辨識晶圊上的實際污染顆粒以及晶體起始污染顆粒 (COP)。 圖2 A疋S P1 T B I檢視系統中檢規晶圓暗區的部分光學系 統的功能方塊示意圖。暗區是光學異常區域’在晶圓區上 被偵測出纟，並代表其中-種或另一種的被懷疑的缺陷， 亦即C0P或實際污染顆粒。參閱圖2八，垂直入射光丨2斑斜 角入射光14被當作是暗區照明1〇的光源。垂直入射光12盥 斜角入射光U照在晶圓16的暗區上。被暗區所射散的光線 會被#圓收集Is 1 8反射’在由暗區偵測器2 〇所偵測。暗區 们'器20包括在很寬的角度範固内债測射散光的寬角光學 夕工官（PMT)22 ’以及在很窄的角$益阁 窄角pmt 24。 肖度耗圍内偵測射散光的 晶圓1 6上缺陷所反射的射散光角声銘 沾相别二於嫩y^ 用没犯圍會隨者暗區缺陷 的類型而改變。例b，從坑洞型晶體 的光線角度是小於由附著並凸出在曰圓μ主工射散出 顆粒所射散出的光線角度。纟日曰圓16表面的實際污染 寬角PMT 22與窄角PMT 24依據所债測到的射散光 ===像賴與&，這些資料是會隨著：圓 16上暗區内缺的類型而改變。表面掃描器spi 了 系統將寬角PMT 22與窄角ΡΜΤ 24所得到的、愈心，導入缺 陷辨識演算法中，而辨識出晶圓上的暗區（缺陷）是C0P或 實際污染顆粒。 一

第11頁 462100 五、發明說明（Ό 圖2Β是採用圖2Α光學系統之表面掃描器SPl ΤΒΙ檢視系 統所使用到之缺陷辨識演算法的流程圖。參閱圖2 Β，從寬 角ΡΜΤ 22與窄角ΡΜΤ 24得到缺陷強度值心與$3^•後，在步驟 5 2中得到強度值SN對強度值Sw的強度比SN / 。在步驟5 4 中，設定預設參考值（例如1 · 2)，以便與強度比s/Sf做比 較。在步驟5 6中，比較強度比SN / Sw與參考值。在步驟5 8 中，當強度比SN / Sw超過參考值時，判定晶圓内所彳貞測到的 缺陷為COP。在步驟60中，當強度比SN/SW&有超過參考值 時，判定晶圓内所偵測到的缺陷為實際污染顆粒。 圖3 A是檢視上述A W I S中晶圓暗區用的部分光學系統之功 能方塊示意圖。參閱圖3 A，由掃描器1 0 〇雷射所射出的雷 射光束102，經由聲波光學偏轉器104，掃描晶圓丨的表 面’而從晶圓1 0 6表面所反射的射散光被暗區偵測器i 1 〇谓 測到。暗區偵測器1 1 0包括小角度偵測器1 1 2 ,中角度積測 器1 1 4與大角度偵測器1 1 6。被晶圓1 0 6表面缺陷正向射散 開的光線分量，被小角度收集器（未顯示）以很小的角度範 圍收集起來’並由小角度偵測器1 1 2偵測到。被晶圓1 〇 β表 面缺陷垂直射散出來的光線分量，被中角度收集器（未顯 示）以中角度範圍收集起來’並由中角度偵測器丨丨4偵測 到。被晶圓1 0 6表面缺陷反向射散開的光線分量，被大角 度收集器（未顯示）以很大的角度範圍收集起來，並由大角 度Ί貞測器1 1 6 ^貞測到。小角度4貞測器1 1 2，中角度偵測器 1 1 4與大角度偵測器1 1 6分別從偵測到的光線強度中，分別 產生強度值Ss，SM與\ (影像資料）。

第12頁 462100 五、發明說明（8) 用於具有圖3 A所示的配置之觀測系統之量測原理或是採 用此原理的裝置之配置詳細揭露於授予Clement丨等人的美 國專利第5, 712, 701號。AWIS決定在晶圓上的缺陷形式是 否C0P或一粒子，方法是將從小角度偵測器丨丨2，中角度偵 測器1 1 4及大角度偵測器1丨6所得的缺陷強度值\&與& 受到一缺陷鑑別演算法的試驗。 圖3 B是採用圖3 A光學系統之a W I S所使用到的缺陷辨識理 則法的流程圖。參閱圖3B，缺陷強度值Ss，SM與5!_是從小 角度偵測器11 2，中角度偵測器1 1 4與大角度偵測器1 1 6得 到的’如圖3 A所示，然後在步驟1 5 2中得到缺陷大小值SM 對缺陷強度值SL的強度比SM / SL。在步驟1 5 4中，設定第一 預設參考值（例如1 · 0 ) ’以便與強度比SM / SL做比較。接著 在步驟1 5 6中’比較強度&SM/St與第一參考值。當強度比 SM/SL沒有超過第一參考值時，在步驟170中，判定晶圓内 所偵測到的缺陷為實際污染顆粒。當強度比SM/S!_在步驟 156中超過第一參考值時，在步驟1 62中得到缺陷大小值SM 對缺陷強度值Ss的強度比SM/Ss。在步驟1 64中，設定第二 預設參考值（例如1. 25)，以便與強度比SM/Ss做比較。接著 在步驟1 6 6中，比較強度比SM/Ss與第二參考值。當強度比 / Ss沒有超過第二參考值時，在步驟1 7 0中，判定晶圓内 所偵測到的缺陷為實際污染顆粒。當強度比SM/Ss超過第二 參考值時，在步驟1 6 8中，判定晶圓内所偵測到的缺陷為 C0P。

上述的檢視系統依據這種缺陷辨識演算法*如圖2B與3B

第13頁 五、發明說明（9) 所示，辨識出晶圓上的C 0 P與污染顆粒，會有很高的錯誤 率’尤其是當辨識具有小於0. 2〆m大小的微小缺陷時。亦 即’在這些大小尺寸上’ COP常被偵測成實際的污染顆 粒。 特別是，當利用上述的檢視系統，檢視晶圓表面並量測 出所偵測缺陷的大小時，已經發現到，被判定成C 0 P的缺 陷，在本質上具有0. 12-0. 16 的大小，而且被判定成實 際污染顆粒的缺陷’在本質上具有0. 1 6从m的大小。此 外，依據上述檢視系統的缺陷辨識演算法，只有大小大或 等於0. 1 6 μ m的COP或實際污染顆粒會被辨識出來。 然而，使用自動受力顯微鏡（AFM ),可以確認的是，大 部分的COP在本質上具有小於〇· 16 /zm的大小。此外，依據 上述心視系統中缺卩£3 /¾异法判定成C 〇 P的缺陷大小，當被 4貞測成大於或等於0 · 1 6 v m時，會發生（被a ]? μ試驗）缺陷在 本質上不是COP，而是實際污染顆粒。 利用C Z法製造晶圓’從熔融矽肀成長出單晶矽聘 …一 一] 口口 γ j ΑΘ- ngx 矽與單晶矽之間邊界中的熱分佈差異會5丨起點狀缺陷的熱 行為，造成如COP缺陷的晶體晶格空位，主要是出現在晶 圓的中央區。離晶體令央區有一段預設距離長的區域，形 成空隙較多的區域（在此稱作多r區），只具有空隙原 弓丨起的缺陷。對於可能出現cop的晶圓中央區’亦即空 較多的區域（在此稱作多V區），M區的 依據製造晶圓時的晶圓類型，. 固很預无叹疋’ 4621〇〇 五、發明說明（10) 而，依據上述檢視系統中晶圓檢視方法所使用 陷辨識演算法，多ί區内所偵測到的缺p 厅使用到的缺 c 〇 p ； f ^ I ^ ^ ,1 ^ ^ ^ % ^ ^ 々鼻法’被判定成C0P時，這些辨識結果都是的缺陷辨識 用AFM的試驗結果也支持這種判定。 1叛的。使 因此’為了改善製造超高集積LSI元件 要完全控制直徑0.卜0.2 ^^或更小的外來物率，就需 出新的演算法，考慮到發生在目前上述晶圓：視：須發展 使用到的檢視辨識演算法中的錯誤原因，以 ^系統中所 出晶圓上的缺陷是C0P或實際污染顆粒，進而極:確的判定 率β ^小化錯誤 圖4是依據本發明較佳實施例之晶圓表面檢視 用的缺陷辨識演算法之流程圖。圖4的缺陷辨識、、窗=所採 以應用到上述目前的晶圓檢視系統中。 一 ’去可 參閱圖4 *在步驟212中先利用晶圓檢視系統（如上述 那些晶圓檢視系統）’量測出晶圓上的缺陷大小&。在步 驟214中s又疋出現在晶圓上的c〇p最大尺寸限值。此時，依 據利用AFM的檢視結果’證明晶圓上c〇P的最大尺寸大小约 為0.16#m ’以及大於的缺陷是污染顆粒。所以在 本發明的實施例中，C0P最大尺寸限值在步驟2 1 4中被設定 成0. 1 6只m。 接著在步驟2 1 6中，比較缺陷大小sD以及限值。當所量 測到的缺陷大小SD大於或等於限值時，亦即步驟2 1 6中的 0. 1 6 // m ’該缺陷在步驟224中是被判定成污染顆粒。當缺

第15頁 4 6 21 〇〇 五、發明說明（11) 陷大小SD在步騍2 1 6中小於限值0 . 1 6 " Π1時，需要後續的辨 識步驟來做判定。 當缺陷大小SD小於限值〇. 1 6 # m時，進一步在步驟2 2 0 中，依據從晶圓檢視系統内複數個暗區偵測器所得到的複 數個強度值之間的相關性，辨識該缺陷。在步驟2 2 2中1 得到複數個強度值之間的相關性，然後在步驟2 24中，判 定複數個強度值之間的相關性是否滿足預設參考條件°依 據判定結果’辨識出缺陷類型。亦即’如果強度值之間的 相關性不滿足預設參考條件時，該缺陷便被判定成污染顆 粒。另—方面，如果強度值之間的相關性滿足預設參考條 件時，需要對該缺陷做進一步的辨識。 可以採用步驟2 2 0的相關性以及預設參考條件，並以上 述相同方式進行分析，連結到圖2B或圖3B的演算法。 例如，採用圖2 B的演异法時’缺陷強度&與&分別是從 寬角PMT 22以及窄角PMT 24所得到。據此，當作是這些缺 陷強度值之間的相關性’在步驟2 2 2中得到強度比&/sf。 預設參考值（比如1. 2)是以圖2B中步驟54的相^方丄設" 定，然後與強度比SN/SW比較^接著在步驟2 24中$丨— Sn/S,>1.2是否滿足。 ’彳疋 當由SN/SW所代表的相關性不滿足步驟224 士 該缺陷在步驟244中被判定成污染顆粒。當的條件打 驟224中的條件時，需要後續的缺陷辨識來目關二滿足步 當採用圖3B的演算法時’如步驟22〇 ’缺判定。 與&分別是從從小角度偵測器i i 2，中、強度值Ss，Su 用度偵測器11 4與大

462100 五、發明說明（12) 角度偵測器1 1 6得到。據此，在步驟222中，當作缺陷強度 間第一相關性的強度，是以圖3B中步驟1 52的相同 方式得到，而當作缺陷強度間第二相關性的強度比/ Ss， 是以圖3B中步驟1 62的相同方式得到。 接著為判定出第一與第二相關性是否滿足預設參考條 件，採用圖3 B的步驟1 5 6與1 6 6中相同方法，除了在本實施 例的步驟2 2 4中，將第一與第二參考值設定成1 . 1 4以外。 第一參考值是設定成SM/SL>1. 14。然後判定出，第一參考 條件是否滿足，亦即第一相關性是否超過第一參考值。此 外，第二參考值是設定成&/$>1 , 14。然後判定出，第二 參考條件是否滿足，亦即第二相關性是否超過第二參考 值。預設的第一與第二參考值可以依據製程條件會設置條 件而做改變。 當第一參考條件或第二參考條件不滿足時，在步驟2 2 4 中將缺陷判定成污染顆粒。當第一參考條件或第二參考條 件都滿足時，需要後續的缺陷辨識步驟來做判定。 當所有條件在步驟224中都滿足時，在步驟23 2 t利用晶 圓檢視系統，量測出缺陷位置。據此，在步驟2 3 4中判定 缺陷位置是落在晶圓的多V區或多I區。例如，對於具有從 晶圓邊緣延伸到半徑5 0 m m之多I區的晶圓，而且多V區是 在晶圓的剩餘中央區域内時’在步驟2 3 4中判定缺陷位置 是否在晶圓邊緣到半徑5 0 mm的範圍外。 當缺陷位置在步驟2 3 4中是不在晶圓多V區内時，在步驟 244中將缺陷判定成污染顆粒。當缺陷位置是在晶圓多V區

第17頁 4621 00 五，發明說明（13) 内時，在步驟242中將缺陷判定成c〇p。 除了目削晶圓檢視系統的缺陷辨識演算法所採用的辨識 條件以外’依據本發明的晶圓表面檢視方法，使用一種進 一步判定缺陷大小是否小於代表C0P最大尺寸之某一限值 且進一步判定該缺陷是否出現在晶圓多V區内的演算法， 進而更精禮的辨識出晶圓上的缺陷類型^所以，大於CQp 最大尺寸的缺陷被判定成C0P，而在多I區内的缺陷被判定 成C0P的情形便可以避免掉，進而極小化整體辨識過程中 的錯誤率。 此外，依據本發明晶圓檢視方法的缺陷辨識演算法，是 可以應用到目前的檢視系統中。結合檢視系統以及一群工 具’便可以對晶圓表面以現場監視半導體製造的方式進行 檢視。本發明利用非破壞方法，能精確且快速的判定出晶 圓上的缺陷類型，進而改善生產力。 雖然本發明已經參閱特定實施例做了說明，但是對於熟 知該技術領域的人士來說，在不偏離本發明精神與範圍 下’對所提出的實施例做改變是很明顯的。對於只是當做 貫施例而s ’熟知該技術領域的人士可以隨時了解到，圖 4中製造步驟的次序是可以重新安排的。亦即，大小辨識 (步驟212-216) ’光強度辨識（步驟220)以及位置辨識（步 驟232-234)都可以在任何的次序下進行。

第18頁

Claims (1)

1. 4621 00 六、申請專利範圍 1. 一種依據由包括複數個暗區偵測器之晶圓檢視系統 所得到的缺陷量測來辨識出晶圓上缺陷類型的晶圓表面檢 視方法，該方法包括： 判定第一條件是否滿足，其中該第一條件是，晶圓檢視 系統所得到的晶圓上的缺陷小於代表晶體起始污染顆粒最 大尺寸的某一限值； 判定第二條件是否滿足，其中數個暗區偵測器所偵測到 的複數個偵測光強度值之間的相關性滿足某一參考值； 判定第三條件是否滿足，其中晶圓檢視系統所量測到的 缺陷位置是在晶圓的多空位區内；以及 當第一，第二與第三條件都滿足時，判定出缺陷類型是 晶體起始污染顆粒，以及當第一，第二與第三條件中有一 個或多個條件不滿足時，判定出缺陷類型是實際污染顆 粒。 2. 如申請專利範圍中第1項之晶圓表面檢視方法，其中 該限值是0. 1 6 μ m。 3. 如申請專利範圍中第1項之晶圓表面檢視方法，其申 射散計污染顆粒量測系統是當作晶圓檢視系統用。 4. 如申請專利範圍中第3項之晶圓表面檢視方法，其中 每個暗區偵測器包括用來偵測出從缺陷以寬角度射散出來 光線的寬角光學多工管，以及用來偵測出從缺陷以窄角度 射散出來光線的窄角光學多工管。 5. 如申請專利範圍中第4項之晶圊表面檢視方法，其中 複數個缺陷光強度值包括由寬角光學多工管所得的缺陷強

   第19頁 462100 六、申請專利範圍 度值Sw，以及由窄角光學多工管所得的缺陷強度值3\，而 其中第二條件是，強度值3,.對強度值S,的強度&SN./SW超過 參考值時。 6. 如申請專利範圍中第3項之晶圓表面檢視方法，其中 每個暗區偵測器包括用來偵測以小角度由缺陷所散光出之 光分量的小角度偵測器，用來偵測以中角度由垂直於缺陷 所射散出之光分量的中角度偵測器，以及用來偵測以大角 度由缺陷反向所射散出之光分量的大角度偵測器。 7. 如申請專利範圍中第6項之晶圓表面檢視方法，其中 複數個缺陷光強度值包括由小角度偵測器所得的缺陷強度 值33 ，由中角度偵測器所得的缺陷強度值，由大角度偵 測器所得的缺陷強度值\，而第二條件是，（a)強度值SM對 強度值SL的強度KSm/Sl超過第一參考值而且（b)強度值SM對 強度值Ss的強度比SM / Ss超過第二參考值時。 8. 一種辨識出晶圓上缺陷類型的晶圓表面檢視方法， 該方法包括： 使用晶圓檢視糸統^ ΐ測晶圓上的缺陷大小， 判定第一條件是否滿足，其中該第一條件是 > 晶圓上的 缺陷小於代表晶體起始污染顆粒最大尺寸的某一限值； 利用晶圓檢視糸統的被數個暗區Υ貞測器分別Υ貞測出缺 陷的複數個缺陷光強度值； 判定第二條件是否滿足，其中複數個偵測光強度值之間 的相關性滿足某一參考值； 利用晶圓檢視糸統’判定缺陷的位置，

   第20頁 4621 00 六、申請專利範圍 判定第三條件是否滿足，其中缺陷位置是在晶圓的多空 位區内；以及 當第一，第二與第三條件都滿足時，判定出缺陷類型是 晶體起始污染顆粒，以及當第一，第二與第三條件中有一 個或多個條件不滿足時，判定出缺陷類型是實際污染顆 粒。 9. 如申請專利範圍中第8項之晶圓表面檢視方法，其中 該限值是0 . 1 6以m。 10. 如申請專利範圍中第8項之晶圓表面檢視方法，其 中射散計污染顆粒量測系統是當作晶圓檢視系統用。 11. 如申請專利範圍中第1 0項之晶圓表面檢視方法，其 中每個暗區偵測器包括用來偵測出從缺陷以寬角度射散出 來光線的寬角光學多工管，以及用來偵測出從缺陷以窄角 度射散出來光線的窄角光學多工管。 12. 如申請專利範圍中第1丨項之晶圓表面檢視方法，其 中複數個缺陷光強度值包括由寬角光學多工管所得的缺陷 強度值Sw，以及由窄角光學多工管所得的缺陷強度值SN， 而其中第二條件是，強度值\對強度值、.的強度比SN/SW超 過參考值時。 13. 如申請專利範圍中第1 0項之晶圓表面檢視方法]其 中每個暗區偵測器包括用來偵測以小角度由缺陷所散光出 之光分量的小角度偵測器，用來偵測以中角度由垂直於缺 陷所射散出之光分量的中角度偵測器，以及用來偵測以大 角度由缺陷反向所射散出之光分量的大角度偵測器。

   4621 00 六、申請專利範圍 14.如申請專利範圍中第1 3項之晶圓表面檢視方法，其 中複數個缺陷光強度值包括由小角度偵測器所得的缺陷強 度值Ss，由中角度偵測器所得的缺陷強度值\，由大角度 偵測器所得的缺陷強度值&，而第二條件是，（a)強度值SY 對強度值的強度&SM/St超過第一參考值而且（b)強度值SM 對強度值35的強度&SM/Ss超過第二參考值時。

   第22頁