DE10048432A1

DE10048432A1 - Waferoberflächen-Inspektionsverfahren

Info

Publication number: DE10048432A1
Application number: DE10048432A
Authority: DE
Inventors: Tae-Yeol Heo; Kyoo-Chul Cho; Kyong-Rim Kang; Soo-Yeul Choi
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 1999-09-30
Filing date: 2000-09-29
Publication date: 2001-05-31
Also published as: KR20010029287A; GB0023795D0; FR2799283B1; GB2356047B; TW462100B; US6724474B1; KR100327340B1; JP2001153636A; FR2799283A1; GB2356047A

Abstract

Es werden Typen von Defekstellen an einem Wafer gemäß Defektstellenmessungen diskriminiert, die von einem Waferinspektionssystem erhalten werden, welches eine Vielzahl von Dunkelfelddetektoren enthält. Unter Verwendung des Wafermeßsystems wird bestimmt, ob erste, zweite und dritte Bedingungen befriedigt werden. Die erste Bedingung ist gegeben, wenn eine Größe einer Defektstelle an dem Wafer, die mit dem Waferinspektionssystem gemessen wurde, kleiner ist als ein Grenzwert, der eine maximale Größe von Teilchen, die ihren Ursprung im Kristall haben, angibt. Die zweite Bedingung ist gegeben, wenn eine Korrelation zwischen einer Vielzahl von Defektlichtintensitätswerten, die durch eine Vielzahl von Dunkelfelddetektoren des Wafermeßsystems detektiert wurden, einen Bezugswert befriedigt. Die dritte Bedingung ist gegeben, wenn eine Lage der Defektstelle, die durch das Waferinspektionssystem gemessen wurde, innerhalb eines gitterleerstellenreichen Bereiches des Wafers liegt. Der Typ der Defektstelle wird dann als ein Teilchen mit Ursprung im Kristall bestimmt, wenn die erste, die zweite und die dritte Bedingung alle befriedigt werden. Andererseits wird der Typ der Defektstelle als ein tatsächliches Teilchen bestimmt, wenn irgendeine oder mehrere der ersten, der zweiten und dritten Bedingung nicht befriedigt wird bzw. werden.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Inspektion einer Waferober fläche. Spezieller betrifft die Erfindung ein Verfahren, um unter Typen von Waferde fektstellen zu diskriminieren, und zwar unter Verwendung einer Waferoberflächen-In spektionsvorrichtung, die ein Vielkanalstreulicht von einem dunklen Feld oder einer defekten Zone eines Wafers detektiert.

2. Beschreibung des Standes der Technik

Kürzlich wurde die Integration von integrierten Schaltungsspeichern (IC) von 16 Megabit auf 65 Megabit oder mehr verbessert. Als ein Ergebnis halben die Musterbreiten oder -weiten mikroskopische Abmaße erreicht und mikroskopische Fremdsubstanzen, die in der Vergangenheit keine Probleme verursacht haben, wirken als Quellen der Ver unreinigung und möglicher Defekte. Wenn demzufolge hochintegrierte Superhoch-Inte grations-LSI-Vorrichtungen, wie beispielsweise 64-Megabit-Dynamikspeicher mit wahlfreiem Zugriff (DRAMs) oder 256-Megabit-DRAMs, hergestellt werden, ist es wünschenswert, eine sorgfältige Steuerung durchzuführen und somit Defekte und/oder mikrogroße Fremdsubstanzen auf dem Wafer zu vermeiden, um dadurch die Ausbeute in signifikanter Weise zu erhöhen.

Allgemein stellt die Größe einer Defektstelle, die Probleme verursachen kann, ei nen Faktor der minimalen Verdrahtungsbreite oder -weite des Superhochintegrations- LSI dar, die hergestellt werden soll. Es ist beispielsweise erforderlich, mikrogroße De fekte zu steuern, die Durchmesser von 0,1-0,2 ∍m oder weniger haben, und zwar bei den 256-Megabit-DRAMs oder in den Vorrichtungen, die Kapazitäten von mehr als die 256-Megabit-DRAMs haben, die in Einklang mit einer Design- oder Konstruktionsregel von 0,23 ∍m oder weniger implementiert werden.

Die Defekte, die während der Herstellung von Superhochintegrations-LSI-Vor richtungen Probleme verursachen, können grob in zwei Typen eingeteilt werden. Bei dem einen handelt es sich um "im Kristall entstehende oder verursachte Teilchen" ("cry stal originated particle")-(COP)-Defekte, die auf einer Waferoberfläche oder innerhalb des Wafers während der Herstellung des Wafers gebildet werden. Der andere Typ be steht hauptsächlich aus Staub oder Verunreinigungen (im folgenden als Teilchen be zeichnet), die an der Waferoberfläche anhaften.

COPs werden während der Herstellung von Siliziumwafern erzeugt. Im allgemei nen werden Kristalldefekte, die als "mit Wachstum"-Defekte ("as-grown" defects) be zeichnet werden, in einen Block eines Einkristallsiliziums eingeführt, der gemäß dem sog. Czochralski-Verfahren gezogen wird (im folgenden als CZ-Verfahren bezeichnet), und zwar während des Wachstums des Einkristallsiliziums. Dieser Kristalldefekt wird nicht während der Kristallabkühlung beseitigt und verbleibt in dem behandelten und hergestellten Wafer. Wenn in diesem Zustand eine Feuchtreinigung durchgeführt wird (die allgemein dafür verwendet wird, um Teilchen zu entfernen, die an der Oberfläche des Wafers anhaften), werden Mikrolöcher (micro pits) auf der Waferoberfläche ausge bildet, da die Ätzrate bei oder in der Nähe der Kristalldefekte auf dem Wafer größer ist als an Abschnitten des Wafers, die von solchen Defekten frei sind. Hier werden solche Löcher (pits) als COPs bezeichnet.

Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht, die Wiedergaben von COPs und von Teilchen auf einem Wafer 1 darstellt. Es ist bekannt, daß das COP die elektrische Durchbruchs eigenschaften eines Gateoxidfilms bei einer Halbleitervorrichtung verschlechtert. Ferner wirkt das COP als eine Verunreinigungsquelle auf dem Wafer, die ein Brechen oder Kurzschlußbildung von Schaltungsmustern verursachen kann. Als solches kann das COP zu fehlerhaften Produkten führen oder kann die Produktqualität und die Zuverläs sigkeit verschlechtern.

Wenn ein Wafer, der sowohl COPs als auch Teilchen aufweist, mit Hilfe eines herkömmlichen Teilchenzählers oder einer Waferinspektionsvorrichtung gemessen wird, werden häufig die COPs (die aus Defekten vom Kristall-Leerstellentyp bestehen) in fehlerhafter Weise als Teilchen detektiert. Das heißt, die COPs können nicht aktuell von Teilchen unterschieden werden, die den tatsächlichen Verunreinigungen entspre chen. Um jedoch Defektstellen in richtiger Weise managen zu können und um dadurch die Ausbeute zu verbessern, ist es wichtig, exakt die COPs von den Teilchen auf einem Wafer zu unterscheiden. Es ist daher wünschenswert, die Zustände der COPs und/oder der Teilchen auf dem Wafer qualitativ zu messen und zu analysieren, um eine Diskrimi nierung derselben zu ermöglichen.

Das U.S. Patent Nr. 5,640,238, ausgegeben an Nakano et al., offenbart eine her kömmliche Technologie, um COPs von Teilchen auf einem Wafer zu unterscheiden. In diesem Patent umfaßt ein Verfahren zum Inspizieren von Teilchen die folgenden Schritte: Erstellen einer ersten Teilchenkarte (map) vermittels einer Teilchenmessung auf einem zu inspizierenden Wafer; Durchführen einer Teilchenbeseitigungsbehand lung, um Teilchen von dem Wafer zu beseitigen; Erstellen einer zweiten Teilchenkarte (particle map) vermittels einer Teilchenmessung auf dem Wafer, der einer Teilchenbe seitigungsbehandlung unterworfen worden ist; und Vergleichen der ersten Teilchenkarte mit der zweiten Teilchenkarte. Teilchen, die an jedem unbeweglichen Punkt in sowohl der ersten als auch der zweiten Teilchenkarte erscheinen, werden dann als Kristallde fekte oder Oberflächenunregelmäßigkeiten festgelegt und Teilchen, die in der ersten Teilchenkarte erscheinen, jedoch nicht in der zweiten Teilchenkarte erscheinen, werden als reale Staubteilchen oder Verunreinigungen festgelegt.

Da jedoch bei solch einer herkömmlichen Technologie ein Reinigungsprozeß aus geführt werden muß, um die Teilchen von einem Wafer zu entfernen, ergibt sich ein Nachteil dahingehend, daß zusätzlich Zeit benötigt wird, um die Teilchen auf dem Wa fer zu beobachten. Da speziell der Prozeß der Beseitigung der Teilchen selbst dann aus geführt werden muß, wenn lediglich COPs vorhanden sind, die die Ausbeute beeinflus sen (im Gegensatz zu den Teilchen, die während der Herstellung gehandhabt werden können), wird ein unnötiger Prozeß in redundanter Weise hinzugefügt, wodurch die Verarbeitungszeit erhöht wird. Wenn darüber hinaus ein Feuchtreinigungsprozeß ver wendet wird, um die Teilchen zu entfernen, und zwar im Sinne der herkömmlichen Technologie, so führen nicht nur die Reinigungslösungen zu einer Umweltverschmut zung, sondern es werden auch die COPs größer, und zwar auf Grund der Ätzwirkung des Feuchtreinigungsprozesses. Ferner kann die herkömmliche Technologie nicht an gewendet werden, um eine an Ort und Stelle erfolgende Überwachung während der Her stellung der Vorrichtungen zu erzielen und die für die Überwachung verwendeten Wafer können nicht wieder verwendet werden, wodurch die Produktivität vermindert wird.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Inspektion ei ner Waferoberfläche zu schaffen, welches eine Überwachung an Ort und Stelle während der Herstellung der Halbleitervorrichtungen erlaubt und welches in schneller und exak ter Weise eine Diskriminierung zwischen den COPs und den aktuellen Teilchen auf dem Wafer ermöglicht.

Um diese Aufgabe der vorliegenden Erfindung zu lösen, wird ein Waferoberflä chen-Inspektionsverfahren geschaffen, um zwischen den Typen der Defektstellen auf einem Wafer zu unterscheiden, und zwar im Einklang mit Defektmessungen, die aus einem Waferinspektionssystem erhalten werden, welches eine Vielzahl von Dunkelfeld detektoren enthält. Unter Verwendung des Wafermeßsystems wird bestimmt, ob ein erster, ein zweiter und ein dritter Zustand oder Bedingung befriedigt wird. Die erste Bedingung liegt vor, wenn eine Größe eines Defektes auf dem Wafer, der durch das Waferinspektionssystem gemessen wurde, kleiner ist als ein Grenzwert, der eine maxi male Größe der im Kristall entstehenden Teilchen angibt. Die zweite Bedingung liegt vor, wenn eine Korrelation zwischen einer Vielzahl von Lichtdefektintensitätswerten, die durch eine Vielzahl von Dunkelfelddetektoren des Wafermeßsystems detektiert wurden, eine Bezugsbedingung befriedigt. Die dritte Bedingung oder Zustand ist gege ben, wenn eine Lage der Defektstelle, die durch das Waferinspektionssystem gemessen wurde, innerhalb eines kristall-leerstellenreichen Bereiches des Wafers gelegen ist. Es wird dann der Typ der Defektstelle als Teilchen, welches seinen Ursprung im Kristall hat, festgelegt, wenn die erste, die zweite und die dritte Bedingung befriedigt werden. Auf der anderen Seite wird der Typ der Defektstelle als ein aktuelles Teilchen festge legt, wenn irgendeine oder mehrere der ersten, zweiten und dritten Bedingungen nicht befriedigt werden. In bevorzugter Weise liegt der Grenzwert, der eine maximale Größe der COPs anzeigt, bei 0,16 m und das Waferinspektionssystem besteht aus einem Streustrahlungsteilchenmeßsystem.

Jeder der Dunkelfelddetektoren kann eine Weitwinkelfotovervielfacherröhre ent halten, um das Licht zu detektieren, welches von der Defektstelle in einem weiten Win kel streut wird, und kann eine Schmalwinkelfotovervielfacherröhre enthalten, um Licht zu detektieren, welches von der Defektstelle in einem engen oder schmalen Winkel ge streut wurde. In diesem Fall enthält die Vielzahl der Defektstellenlichtintensitätswerte einen Defektintensitätswert SW, der von der Weitwinkelfotovervielfacherröhre erhalten wird, und einen Defektintensitätswert SN, der von der Schmalwinkelfotovervielfacher röhre erhalten wird, und die zweite Bedingung existiert dort, wo ein Intensitätsverhältnis SN/SW zwischen dem Intensitätswert SN zu dem Intensitätswert SW den Bezugswert überschreitet.

Alternativ kann jeder der Dunkelfelddetektoren einen Kleinwinkeldetektor ent halten, um die Lichtkomponenten zu detektieren, die von der Defektstelle in einem klei nen Winkel nach vorne gestreut wird, kann einen Mittelwinkeldetektor enthalten, um die Lichtkomponenten zu detektieren, die senkrecht von der Defektstelle in einem mitt leren Winkel gestreut werden, und kann einen Großwinkeldetektor enthalten, um die Lichtkomponenten zu detektieren, die von der Defektstelle in einem großen Winkel nach hinten gestreut werden. In diesem Fall enthält die Vielzahl der Defektlichtintensitätswerte einen Defektlichtintensitätswert SS, der von dem Kleinwinkeldetektor erhalten wird, einen Defektlichtintensitätswert SM, der von dem Mittelwinkeldetektor erhalten wird, und einen Defektlichtintensitätswert SL, der von dem Großwinkeldetektor erhal ten wird, und die zweite Bedingung ist dort erfüllt, wo sowohl (a) ein Intensitätsverhält nis SM/SL des Intensitätswertes SM zu dem Intensitätswert SL einen ersten Bezugswert überschreitet und (b) ein Intensitätsverhältnis SM/SS aus dem Intensitätswert SM zu dem Intensitätswert SS einen zweiten Bezugswert überschreitet.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Fehlerrate der Defektstellendiskri minierung minimiert, eine Inspektion der Waferoberfläche kann durch Überwachen an Ort und Stelle während der Herstellung der Halbleitervorrichtungen erzielt werden und der Typ der Defektstelle auf dem Wafer wird schnell und genau in einer nicht destrukti ven Weise bestimmt.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Die oben angegebenen Ziele und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich klarer aus der detaillierten Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform unter Hinweis auf die beigefügten Zeichnungen, in denen:

Fig. 1 eine Schnittansicht ist, die Wiedergaben von Teilchen (COPs), welche ihren Ursprung im Kristall haben, und tatsächlichen Teilchen, die in einem Wafer erscheinen, darstellt;

Fig. 2A ein Blockdiagramm ist, welches schematisch einen Teil eines optischen Systems zeigt, welches ein Dunkelfeld eines Wafers in einem Beispiel eines herkömmlichen Inspektionssystems inspiziert;

Fig. 2B ein Flußdiagramm ist, welches einen Defektdiskriminierungsalgorithmus darstellt, der für das Inspektionssystem von Fig. 2A geeignet ist;

Fig. 3A ein Blockdiagramm ist, welches schematisch einen Teil eines optischen Systems zeigt, welches ein Dunkelfeld eines Wafers bei einem anderen Beispiel eines herkömmlichen Inspektionssystems inspiziert;

Fig. 3B ein Flußdiagramm ist, welches einen Defektdiskriminierungsalgorithmus zeigt, der für das Inspektionssystem von Fig. 3A geeignet ist; und

Fig. 4 ein Flußdiagramm ist, welches einen Defektdiskriminierungsalgorithmus zeigt, der in einem Waferinspektionsverfahren gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG

Defektstellen an einem Wafer werden in typischer Weise mit Hilfe eines Licht streuungsteilchenmeßsystems gemessen. Bekannte Systeme dieses Typs umfassen einen Surfscan SP1 TBI (hergestellt von Kla-Tencor Corporation in den USA) und ein Advanced Wafer Inspection System (AWIS) (hergestellt von ADE Optical Systems Corporation in den USA). Jedes dieser Systeme wird dazu verwendet, um zwischen tat sächlichen Teilchen und Teilchen (COPs), die ihren Ursprung im Kristall haben, an dem Wafer zu diskriminieren.

Fig. 2A ist ein Blockdiagramm, welches schematisch einen Teil eines optischen Systems zeigt, welches Dunkelfelder eines Wafers in dem Surfscan SP1 TBI Inspekti onssystem inspiziert. Die Dunkelfelder bestehen aus optischen Anormalitäten, die an Zonen des Wafers detektiert wurden, und bezeichnen festgestellte Defektstellen von einer Art oder einer anderen, das heißt COPs oder tatsächlichen Teilchen. Gemäß Fig. 2A werden ein senkrecht einfallender Strahl 12 und ein schräg einfallender Strahl 14 als Lichtquellen einer Dunkelfeldbeleuchtung 10 verwendet. Der senkrecht einfallende Strahl 12 und der schräg einfallende Strahl 14 werden auf ein Dunkelfeld eines Wafers 16 gestrahlt. Das von dem Dunkelfeld gestreute Licht wird durch einen ellipsenförmi gen Kollektor 18 reflektiert und wird dann durch einen Dunkelfelddetektor 20 detektiert.

Der Dunkelfelddetektor 20 besteht aus einer Weitwinkelfotovervielfacherröhre (PMT) 22 zum Detektieren des Streulichtes in einem relativ weiten Winkelbereich, und aus einem Schmalwinkel-PMT 24 zum Detektieren des Streulichtes in einem relativ engen Winkelbereich.

Der Winkelbereich des gestreuten Lichtes, welches von einer Defektstelle an dem Wafer 16 reflektiert wurde, variiert mit einem Typ der Defektstelle des Dunkelfeldes. Beispielsweise ist ein Winkel des Streulichtes, welches von einem COP reflektiert wurde, bei dem es sich um einen Kristalldefekt vom Lochtyp handelt, schmaler als ein Winkel des Streulichtes, welches von einem tatsächlichen Teilchen reflektiert wurde, das an der Oberfläche des Wafers 16 anhaftet oder von dieser vorragt.

Das Weitwinkel-PMT 22 und das Schmalwinkel-PMT 24 erzeugen jeweils unter schiedliche Bilddaten SW und SN, und zwar im Einklang mit der Intensität des detek tierten Streulichtes, wobei solche Daten mit dem Typ der Defektstelle innerhalb des Dunkelfeldes an dem Wafer 16 variieren. Das Surfscan SP1 TBI Inspektionssystem führt eine Identifizierung durch, ob das Dunkelfeld (Defekt) an dem Wafer aus einem COP oder einem tatsächlichen Teilchen besteht, indem die Werte SW und SN, die von dem Weitwinkel-PMT 22 und dem Schmalwinkel-PMT 24 erhalten wurden, einem De fektdiskriminierungsalgorithmus unterworfen werden.

Fig. 2B zeigt ein Flußdiagramm zur Erläuterung des Defektdiskriminierungsalgo rithmus, der in dem Surfscan SP1 TBI Inspektionssystem verwendet wird, der für das optische System von Fig. 2A geeignet ist. Gemäß Fig. 2B wird bei dem Schritt 52, nachdem die Defektintensitätswerte SW und SN von dem Weitwinkel-PMT 22 und dem Schmalwinkel-PMT 24 erhalten wurden, das Intensitätsverhältnis SN/SW zwischen dem Defektgrößenwert SN und dem Defektintensitätswert SW erhalten. Ein vorbestimmter Bezugswert (beispielsweise 1,2) für den Vergleich mit dem Intensitätsverhältnis SN/SW wird bei dem Schritt 54 erhalten. Das Intensitätsverhältnis SN/SW wird dann mit dem Bezugswert bei dem Schritt 56 verglichen. Wenn der Wert von SN/SW den Bezugswert überschreitet, wird bestimmt, daß ein Defekt, der in dem Wafer detektiert wurde, aus einem COP besteht, was bei dem Schritt 58 erfolgt. Wenn der Wert von SN/SW den Bezugswert nicht überschreitet, wird bestimmt, daß der detektierte Defekt aus einem tatsächlichen Teilchen besteht, was bei dem Schritt 60 erfolgt.

Fig. 3A ist ein Blockdiagramm, welches schematisch einen Teil eines optischen Systems darstellt, welches ein Dunkelfeld eines Wafers in dem AWIS, welches oben angegeben wurde, inspiziert. Gemäß Fig. 3A scant ein Laserstrahl 102, der von einem Laser eines Scanners 100 ausgestrahlt wird, die Oberfläche eines Wafers 106 über eine akusto-optische Ablenkvorrichtung 104, und das von der Oberfläche des Wafers 106 reflektierte Streulicht wird durch einen Dunkelfelddetektor 110 detektiert. Der Dunkel felddetektor 110 besteht aus einem Kleinwinkeldetektor 112, einem Mittelwinkeldetek tor 114 und einem Großwinkeldetektor 116. Lichtkomponenten, die von einer Defekt stelle der Oberfläche des Wafers 106 nach vorne gestreut werden, werden in einem re lativ kleinen Winkelbereich durch einen Kleinwinkelkollektor (nicht gezeigt) gesam melt und werden durch den Kleinwinkeldetektor 112 detektiert. Lichtkomponenten, die senkrecht von der Defektstelle der Oberfläche des Wafers 106 gestreut werden, werden in einem relativ mittleren Winkelbereich durch einen Mittelwinkelkollektor (nicht ge zeigt) gesammelt und werden durch den Mittelwinkeldetektor 114 detektiert. Lichtkom ponenten, die von der Defektstelle der Oberfläche des Wafers 106 nach rückwärts ge streut werden, werden in einem relativ großen Winkelbereich durch einen Großwinkel kollektor (nicht gezeigt) gesammelt und werden durch den Großwinkeldetektor 116 de tektiert. Der Kleinwinkeldetektor 112, der Mittelwinkeldetektor 114 und der Großwin keldetektor 116 erzeugen dann die Defektintensitätswerte SS, SM und SL (Bilddaten), und zwar jeweils aus den detektierten Lichtintensitäten.

Die Meßprinzipien, die in dem Inspektionssystem verwendet werden, welches die in Fig. 3A gezeigte Konfiguration hat oder die Konfiguration eines Gerätes, um solche Prinzipien zu verkörpern, sind in Einzelheiten in dem U.S. Patent Nr. 5,712,701 offen bart, welches an Clementi et al. ausgegeben wurde. Das AWIS bestimmt, ob der Typ der Defektstelle an dem Wafer ein COP ist oder aus einem Teilchen besteht, indem es die Defektintensitätswerte SS, SM und SL, die jeweils von dem Kleinwinkeldetektor 112, dem Mittelwinkeldetektor 114 und dem Großwinkeldetektor 116 erhalten wurden, ei nem Defektdiskriminierungsalgorithmus aussetzt.

Fig. 3B ist ein Flußdiagramm, welches den Defektdiskriminierungsalgorithmus zeigt, der in dem AWIS verwendet wird, der für das optische System von Fig. 3A ge eignet ist. Gemäß Fig. 3B werden die Defektintensitätswerte SS, SM und SL von dem Kleinwinkeldetektor 112, dem Mittelwinkeldetektor 114 und dem Großwinkeldetektor 116 wie in Fig. 3A erhalten und dann wird bei dem Schritt 152 das Intensitätsverhältnis SM/SL des Defektgrößenwertes SM zu dem Defekt-intensitätswert SL erhalten. Ein vorbestimmter Bezugswert (beispielsweise 1,0) wird als ein erster Bezugswert einge stellt, um einen Vergleich mit dem Intensitätsverhältnis SM/SL bei dem Schritt 154 durchzuführen. Danach wird das Intensitätsverhältnis SM/SL mit dem ersten Bezugs wert bei dem Schritt 156 verglichen. Wenn der Wert von SM/SL den ersten Bezugswert nicht überschreitet, so wird bestimmt, daß die Defektstelle aus einem tatsächlichen Teil chen besteht, was bei dem Schritt 170 erfolgt. Wenn der Wert von SM/SL den ersten Bezugswert bei dem Schritt 156 überschreitet, wird bei dem Schritt 162 ein Intensitäts verhältnis SM/SS des Defektgrößenwertes SM zu dem Defektgrößenwert SS erhalten. Ein vorbestimmter Bezugswert (beispielsweise 1,25) wird als ein zweiter Bezugswert eingestellt, um einen Vergleich mit dem Intensitätsverhältnis SM/SS bei dem Schritt 164 durchzuführen. Danach wird das Intensitätsverhältnis SM/SS mit dem zweiten Be zugswert bei dem Schritt 166 verglichen. Wenn der Wert von SM/SS den zweiten Be zugswert nicht überschreitet, so wird bestimmt, daß die Defektstelle aus einem tatsäch lichen Teilchen besteht, was bei dem Schritt 170 erfolgt. Wenn der Wert von SM/SS den zweiten Bezugswert bei dem Schritt 166 überschreitet, so wird bestimmt, daß die von dem Wafer detektierte Defektstelle aus einem COP besteht, was bei dem Schritt 168 erfolgt.

Bei den oben beschriebenen Inspektionssystemen, die zwischen COPs und Teil chen an einem Wafer in Einklang mit solchen Defektdiskriminierungsalgorithmen dis kriminieren, wie in den Fig. 2B und 3B gezeigt ist, sind mit relativ hohen Fehlerraten behaftet, speziell dann, wenn Mikrodefektstellen mit Abmessungen von weniger als 0,2 m diskriminiert werden. Das heißt, bei diesen Maßen oder Dimensionen werden die COPs häufig als tatsächliche Teilchen detektiert.

Spezifisch dann, wenn die Oberfläche eines Wafers inspiziert wird und die Grö ßen der detektierten Defektstellen gemessen werden, unter Verwendung der oben be schriebenen Inspektionssysteme, wurde herausgefunden, daß Defektstellen, die als COPs bestimmt wurden, im wesentlichen Größen zwischen 0,12-0,16 m haben, und daß die Defektstellen, die als Teilchen bestimmt wurden, im wesentlichen Größen besit zen, die größer sind als oder gleich sind mit 0,16 m. Darüber hinaus können gemäß den Defektdiskriminierungsalgorithmen der Inspektionssysteme, die oben beschrieben sind, lediglich COPs oder Teilchen diskriminiert werden, die Größen größer als oder gleich 0,16 m haben.

Jedoch wurde bei Verwendung eines Atomkraftmikroskops (AFM) bestätigt, daß die meisten COPs im wesentlichen Größen besitzen, die kleiner sind als 0,16 m. Wenn zusätzlich die Größen der Defektstellen, die als COPs bestimmt wurden, und zwar ge mäß den Defektdiskriminierungsalgorithmen bei den oben beschriebenen Inspektionssy stemen, so detektiert wurden, daß sie größer sind als oder gleich sind 0,16 m, hat sich herausgestellt (durch AFM-Überprüfung), daß die Defektstellen im wesentlichen nicht aus COPs bestanden, sondern stattdessen aus tatsächlichen Teilchen bestanden.

Während der Waferherstellung unter Anwendung des CZ-Verfahrens erscheinen auf Grund des thermischen Verhaltens der punktförmigen Defektstellen, die durch den Unterschied in der Wärmeverteilung an der Grenze zwischen geschmolzenem Silizium und dem Einkristallsilizium verursacht werden, wenn das Einkristallsilizium aus dem geschmolzenen Silizium wachsen gelassen wird, Kristallgitter, Leerstellen, die Kristall defekte wie die COPs verursachen, hauptsächlich an dem zentralen Bereich des Wafers. Ein Bereich in einem vorbestimmten Abstand von dem Zentrum des Wafers bildet einen reichen Zwischengitterplatzbereich (im folgenden als ein I-reicher Bereich bezeichnet), der lediglich Defektstellen besitzt, die durch die Zwischengitteratome verursacht wer den. Für den Zentrumsbereich des Wafers, in welchem die COPs erscheinen können, nämlich dem leerstellenreichen Bereich (im folgenden als V-reicher Bereich bezeich net), wird der Bereich des V-reichen Gebietes im Einklang mit dem Typ des Wafers während der Herstellung des Wafers vorbestimmt und ist einstellbar. Der Bereich des V-reichen Gebietes eines Wafers eines bestimmten Typs ist der gleiche wie derjenige eines anderen Wafers des gleichen Typs.

Jedoch werden in Einklang mit den Defektdiskriminierungsalgorithmen, die bei den Waferinspektionsverfahren unter Verwendung der oben beschriebenen Inspektions systeme eingesetzt werden, Defektstellen, die in dem I-reichen Bereich detektiert wer den, manchmal als COPs bestimmt. Wenn die Defektstellen, die in dem I-reichen Be reich detektiert werden, als COPs festgelegt werden, und zwar in Einklang mit den De fektdiskriminierungsalgorithmen der Inspektionssysteme, sind solche Ergebnisse der Diskriminierung alle fehlerhaft. Diese Beurteilung wird auch durch Testergebnisse ge stützt, die unter Verwendung eines AFM bestätigt wurden.

Um daher während der Herstellung von superhohen Integrations-LSI-Vorrichtun gen die Ausbeute zu verbessern, bei der ein sorgfältiges Management von Fremdsub stanzen mit Durchmessern von 0,1-0,2 m oder weniger erforderlich ist, ist es notwen dig, einen neuen Algorithmus zu entwickeln, um in exakter Weise zu bestimmen, ob die Defektstellen an einem Wafer aus COPs oder aus Teilchen bestehen, und zwar unter. Berücksichtigung der Ursachen der Fehler, die bei den Inspektionsdiskriminierungsal gorithmen auftreten können, die in solchen existierenden Waferinspektionssystemen, wie sie oben beschrieben wurde, verwendet werden, um dadurch die Fehlerraten zu mi nimieren.

Fig. 4 zeigt ein Flußdiagramm, welches einen Defektdiskriminierungsalgorithmus zeigt, der für ein Waferoberflächen-Inspektionsverfahren geeignet ist, und zwar gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Der Defektdiskrimi nierungsalgorithmus, der in Fig. 4 beschrieben ist, kann bei den bestehenden Waferin spektionssystemen, die oben beschrieben sind, angewendet werden.

Gemäß Fig. 4 wird zunächst eine Größe SD einer Defektstelle an einem Wafer unter Verwendung eines Waferinspektionssystems (wie beispielsweise ein solches, wie es oben beschrieben wurde) bei dem Schritt 212 gemessen. Ein Grenzwert einer maxi malen Größe von COPs, die auf dem Wafer erscheinen, wird bei dem Schritt 214 einge stellt. Hierbei wurde gemäß den Ergebnissen der Inspektion unter Verwendung eines AFM demonstriert, daß die maximale Größe der COPs an einem Wafer bei ca. 0,16 m liegt und daß Defektstellen, die größer als 0,16 m sind, aus Teilchen bestehen. Dem zufolge wird bei der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung der Grenzwert der maximalen Größe der COPs auf 0,16 m bei dem Schritt 214 eingestellt.

Anschließend wird die gemessene Defektstellengröße SD mit dem Grenzwert bei dem Schritt 216 verglichen. Wenn die gemessene Defektgröße SD größer ist als oder gleich ist mit dem Grenzwert, nämlich den 0,16 m bei dem Schritt 216, so wird die Defektstelle als ein Teilchen bei dem Schritt 244 festgelegt bzw. bestimmt. Wenn die gemessene Defektgröße SD kleiner ist als der Grenzwert 0,16 m, was bei dem Schritt 216 erfolgt, wird bestimmt, daß die nachfolgenden Diskriminierungsschritte benötigt werden.

Wenn die gemessene Defektstellengröße SD kleiner ist als der Grenzwert von 0,16 m, wird die Defektstelle ferner basierend auf einer Korrelation zwischen einer Vielzahl von Intensitätswerten diskriminiert, die aus einer Vielzahl von Dunkelfeldde tektoren erhalten werden, die in dem Waferinspektionssystem vorgesehen sind, was bei dem Schritt 220 erfolgt. Eine vorbestimmte Korrelation zwischen der Vielzahl der In tensitätswerte wird bei dem Schritt 222 erhalten und es wird dann bestimmt, ob die Kor relation zwischen den Intensitätswerten eine vorbestimmte Bezugsbedingung befriedigt, was bei dem Schritt 224 erfolgt. Gemäß einem Ergebnis dieser Bestimmung wird der Typ der Defektstelle diskriminiert. Das heißt, wenn die Korrelation zwischen den Inten sitätswerten die vorbestimmte Bezugsbedingung nicht befriedigt, wird die Defektstelle als ein Teilchen diskriminiert. Wenn auf der anderen Seite die Bezugsbedingung befrie digt wird, dann wird eine weitere Diskriminierung der Defektstelle benötigt.

Die Korrelation und die vorbestimmte Bezugsbedingung des Schrittes 220 kann in der gleichen Weise angepaßt und analysiert werden, wie dies oben in Verbindung mit den Algorithmen der Fig. 2B oder Fig. 3B beschrieben wurde.

Beispielsweise werden im Fall der Anpassung des Algorithmus von Fig. 2B die Defektintensitätswerte SW und SN von dem Weitwinkel-PMT 22 bzw. dem Schmal- oder Kleinwinkel-PMT 24 erhalten. Danach wird bei dem Schritt 222 als die Korrela tion zwischen diesen Defektintensitätswerten ein Intensitätsverhältnis SN/SW erhalten. Ein vorbestimmter Bezugswert (beispielsweise 1,2), der in der gleichen Weise einge stellt wird wie derjenige, der bei dem Schritt 54 von Fig. 2B beschrieben wurde, wird dann mit dem Intensitätsverhältnis SN/SW verglichen. Es wird dann bestimmt, ob die Bezugsbedingung von SN/SW < 1,2 bei dem Schritt 224 befriedigt wird.

Wenn die Korrelation, die durch das Intensitätsverhältnis SN/SW repräsentiert wird, die Bedingung bei dem Schritt 224 nicht befriedigt, so wird die Defektstelle als ein Teilchen bei dem Schritt 244 festgelegt. Wenn die Korrelation die Bezugsbedingung bei dem Schritt 224 befriedigt, wird bestimmt, daß eine nachfolgende Defektdiskrimi nierung benötigt wird.

Wenn stattdessen der Algorithmus von Fig. 3B bei dem Schritt 220 angepaßt wird, werden Defektintensitätswerte SS, SM und SL von dem Kleinwinkeldetektor 112 bzw. dem Mittelwinkeldetektor 114 bzw. dem Großwinkeldetektor 116 erhalten. Da nach wird bei dem Schritt 222 als eine erste Korrelation zwischen den Defektintensi tätswerten ein Intensitätsverhältnis SM/SL in der gleichen Weise wie bei dem Schritt 152 von Fig. 3B erhalten und es wird als eine zweite Korrelation zwischen den Defek tintensitätswerten ein Intensitätsverhältnis SM/SS in der gleichen Weise wie bei dem Schritt 162 von Fig. 3B erhalten.

Nachfolgend werden, um zu bestimmen, ob die erste und die zweite Korrelation die vorbestimmten Bezugsbedingungen befriedigen, die gleichen Verfahren wie bei den Schritten 156 und 166 von Fig. 3B durchgeführt, mit der Ausnahme, daß der erste und der zweite Bezugswert auf 1,14 bei der vorliegenden Ausführungsform bei dem Schritt 224 eingestellt werden. Eine erste Bezugsbedingung wird vorbestimmt als SM/SL < 1,14. Es wird dann bestimmt, ob die erste Bezugsbedingung befriedigt wird, das heißt, ob die erste Korrelation den ersten Bezugswert überschreitet. Zusätzlich wird eine zweite Bezugsbedingung vorbestimmt, und zwar als SM/SS < 1,14. Es wird dann be stimmt, ob die zweite Bezugsbedingung befriedigt wird, das heißt, ob die zweite Korre lation den zweiten Bezugswert überschreitet. Die vorbestimmten ersten und zweiten Bezugswerte können in Einklang mit den Prozeßbedingungen oder Installationsbedin gungen geändert werden.

Wenn entweder die erste Bezugsbedingung oder die zweite Bezugsbedingung nicht befriedigt wird, so wird die Defektstelle bei dem Schritt 244 als ein Teilchen fest gelegt. Wenn die erste und die zweite Bezugsbedingung beide befriedigt werden, wird bestimmt, daß nachfolgend Defektdiskriminierungsschritte benötigt werden.

Wenn die Bedingung(en) bei dem Schritt 224 befriedigt bzw. alle befriedigt wer den, wird die Lage der Defektstelle unter Verwendung des Waferinspektionssystems bei dem Schritt 232 gemessen. Danach wird bestimmt, ob die Lage der Defektstelle unter den V-reichen Bereich oder den I-reichen Bereich an dem Wafer fällt, was bei dem Schritt 234 erfolgt. Beispielsweise wird in dem Fall eines Wafers, der einen I-reichen Bereich besitzt, der sich von dem Rand des Wafers bis zu einem Radius von 50 mm erstreckt, und einen V-reichen Bereich in dem verbleibenden zentralen Teil des Wafers besitzt, festgelegt oder bestimmt, ob die Stelle oder Lage der Defektstelle außerhalb des Bereiches zwischen dem Rand des Wafers bis zu dem Radius von 50 mm liegt, was bei dem Schritt 234 erfolgt.

Wenn die Lage der Defektstelle nicht innerhalb des V-reichen Bereiches an dem Wafer bei dem Schritt 234 liegt, so wird die Defektstelle bei dem Schritt 244 als ein Teilchen festgelegt. Wenn die Lage der Defektstelle innerhalb des V-reichen Bereiches an dem Wafer liegt, so wird die Defektstelle bei dem Schritt 242 als eine COP festge legt.

Zusätzlich zu den Diskriminierungsbedingungen, die an die Defektdiskriminie rungsalgorithmen der existierenden Waferinspektionssysteme angepaßt sind, verwendet das Waferoberflächen-Inspektionsverfahren nach der vorliegenden Erfindung einen Al gorithmus, der ferner bestimmt, ob die Größe einer Defektstelle kleiner ist als ein Grenzwert, der die maximale Größe von COPs repräsentiert und welcher ferner be stimmt, ob die Defektstelle in dem V-reichen Bereich an dem Wafer erscheint, wodurch in exakterer Weise der Typ der Defektstelle an dem Wafer diskriminiert werden kann. Es wird daher der Fall, bei dem eine Defektstelle eine Größe besitzt, die größer ist als eine maximale Größe der COPs, als eine COP diskriminiert wird, und der Fall, bei dem eine Defektstelle in dem I-reichen Bereich als eine COP diskriminiert wird, verhindert, wodurch eine Fehlerrate während des Gesamtdiskriminierungsprozesses minimiert wird.

Ferner kann der Defektdiskriminierungsalgorithmus gemäß dem Waferinspekti onsverfahren der vorliegenden Erfindung bei existierenden Inspektionssystemen ange wendet werden. Die Kombination des Inspektionssystems mit einem Clusterwerkzeug erlaubt es, die Oberfläche des Wafers durch eine an Ort und Stelle erfolgende Überwa chung zu inspizieren, und zwar während der Herstellung der Halbleitervorrichtungen. Die vorliegende Erfindung ermöglicht auch eine exakte und schnelle Bestimmung des Typs der Defektstelle an einem Wafer unter Verwendung eines nicht destruktiven Ver fahrens, wodurch die Produktivität verbessert wird.

Obwohl die vorliegende Erfindung unter Hinweis auf spezielle Ausführungsfor men beschrieben wurde, ist es für einen Fachmann offensichtlich, daß Abwandlungen der beschriebenen Ausführungsformen vorgenommen werden können, ohne dabei die Lehre und den Rahmen der Erfindung zu verlassen. Als ein Beispiel kann ein Fachmann unmittelbar erkennen, daß die Reihenfolge der Prozeßschritte, die in Fig. 4 aufscheinen, umgeändert werden kann. Das heißt, die Größendiskriminierung (die Schritte 212-216), die Lichtintensitätsdiskriminierung (Schritt 220) und die Lagediskriminierung (Schritte 232-234) können in irgendeiner Reihenfolge ausgeführt werden.

Claims

1. Waferoberflächen-Inspektionsverfahren, um zwischen Typen von Defektstellen an einem Wafer entsprechend Defektmessungen, die von einem Waferinspektionssy stem erhalten wurden, welches eine Vielzahl von Dunkelfelddetektoren enthält, zu diskriminieren, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfaßt:
Bestimmen, ob eine erste Bedingung befriedigt wird, bei der eine Größe einer De fektstelle an dem Wafer, die mit Hilfe des Waferinspektionssystems gemessen wurde, kleiner ist als ein Grenzwert, der eine maximale Größe von Teilchen, die ihren Ursprung im Kristall haben, bezeichnet;
Bestimmen, ob eine zweite Bedingung erfüllt wird, bei der eine Korrelation zwi schen einer Vielzahl von Defektlichtintensitätswerten, die durch die Vielzahl der Dunkelfelddetektoren detektiert wurden, einen Bezugswert befriedigt;
Bestimmen, ob eine dritte Bedingung befriedigt wird, bei der eine Lage der De fektstelle, die durch das Waferinspektionssystem gemessen wurde, innerhalb eines gitterlückenreichen Bereiches des Wafers liegt; und
Bestimmen, daß der Typ der Defektstelle aus einem Teilchen besteht, welches seinen Ursprung im Kristall hat, wenn die erste, die zweite und die dritte Bedin gung alle befriedigt werden, und bestimmen, daß der Typ der Defektstelle aus ei nem tatsächlichen Teilchen besteht, wenn irgendeine oder mehrere der ersten, zweiten und dritten Bedingung nicht befriedigt wird.

2. Waferoberflächen-Inspektionsverfahren nach Anspruch 1, bei dem der Grenzwert bei 0,16 m liegt.

3. Waferoberflächen-Inspektionsverfahren nach Anspruch 1, bei dem ein Streu strahlungsteilchenmeßsystem als das Waferinspektionssystem verwendet wird.

4. Waferoberflächen-Inspektionsverfahren nach Anspruch 3, bei dem jeder der Dun kelfelddetektoren eine Weitwinkelfotovervielfacherröhre zum Detektieren von Licht aufweist, welches von der Defektstelle in einem weiten Winkel gestreut wird, und eine Schmalwinkelfotovervielfacherröhre aufweist, um Licht zu de tektieren, welches von der Defektstelle in einem schmalen Winkel gestreut wird.

5. Waferoberflächen-Inspektionsverfahren nach Anspruch 4, bei dem die Vielzahl der Defektlichtintensitätswerte einen Defektintensitätswert SW enthalten, der von der Weitwinkelfotovervielfacherröhre erhalten wird, und einen Defektintensitäts wert SN enthält, der von der Schmalwinkelfotovervielfacherröhre erhalten wird, und bei dem die zweite Bedingung dort gegeben ist, wo ein Intensitätsverhältnis SN/SW aus dem Intensitätswert SN zu dem Intensitätswert SW den Bezugswert überschreitet.

6. Waferoberflächen-Inspektionsverfahren nach Anspruch 3, bei dem jeder der Dun kelfelddetektoren einen Kleinwinkeldetektor aufweist, um Lichtkomponenten zu detektieren, die von der Defektstelle in einem kleinen Winkel nach vorne gestreut werden, einen Mittelwinkeldetektor aufweist, um Lichtkomponenten zu detektie ren, die senkrecht von der Defektstelle in einem mittleren Winkel gestreut werden, und einen Großwinkeldetektor enthält, um Lichtkomponenten zu detektieren, die von der Defektstelle in einem großen Winkel nach hinten gestreut werden.

7. Waferoberflächen-Inspektionsverfahren nach Anspruch 6, bei dem die Vielzahl der Defektlichtintensitätswerte einen Defektlichtintensitätswert SS enthalten, der von dem Kleinwinkeldetektor erhalten wird, einen Defektlichtintensitätswert SM enthalten, der von dem Mittelwinkeldetektor erhalten wird, und einen Defekt lichtintensitätswert SL enthalten, der von dem Großwinkeldetektor erhalten wird, und bei dem die zweite Bedingung dort existiert, wo sowohl (a) ein Intensitäts verhältnis SM/SL aus dem Intensitätswert SM zu dem Intensitätswert SL einen er sten Bezugswert überschreitet, als auch (b) ein Intensitätsverhältnis SM/SS aus dem Intensitätswert SM zu dem Intensitätswert SS einen zweiten Bezugswert überschreitet.

8. Waferoberflächen-Inspektionsverfahren, um zwischen den Typen von Defektstel len an einem Wafer zu diskriminieren, wobei das Verfahren folgendes umfaßt:
Verwenden eines Waferinspektionssystems zum Messen einer Größe einer De fektstelle an dem Wafer;
Bestimmen, ob eine erste Bedingung befriedigt wird, bei der eine Größe der De fektstelle an dem Wafer kleiner ist als ein Grenzwert, der eine maximale Größe von Teilchen, die kristallinen Ursprung haben, angibt;
Verwenden einer Vielzahl von Dunkelfelddetektoren des Waferinspektions systems, um jeweils eine Vielzahl von Defektlichtintensitätswerten der Defekt stelle zu detektieren;
Bestimmen, ob eine zweite Bedingung befriedigt wird, bei der eine Korrelation zwischen der Vielzahl der Defektlichtintensitätswerte einen Bezugswert befrie digt;
Verwenden des Waferinspektionssystems, um eine Lage der Defektstelle zu be stimmen;
Bestimmen, ob eine dritte Bedingung befriedigt wird, bei der die Lage der Defekt stelle innerhalb eines gitterleerstellenreichen Bereiches des Wafers liegt; und
Bestimmen, daß der Typ der Defektstelle aus einem Teilchen besteht, welches seinen Ursprung im Kristall hat, wenn die erste, die zweite und die dritte Bedin gung alle befriedigt werden, und bestimmen, daß der Typ der Defektstelle aus ei nem tatsächlichen Teilchen besteht, wenn irgendeine oder mehrere der ersten, zweiten und dritten Bedingung nicht befriedigt wird.

9. Waferoberflächen-Inspektionsverfahren nach Anspruch 8, bei dem der Grenzwert 0,16 m beträgt.

10. Waferoberflächen-Inspektionsverfahren nach Anspruch 8, bei dem ein Streu strahlungsteilchenmeßsystem als das Waferinspektionssystem verwendet wird.

11. Waferoberflächen-Inspektionsverfahren nach Anspruch 10, bei dem jeder der Dunkelfelddetektoren eine Weitwinkelfotovervielfacherröhre zum Detektieren von Licht aufweist, welches von der Defektstelle in einem weiten Winkel gestreut wird, und eine Schmalwinkelfotover-vielfacherröhre aufweist, um Licht zu detek tieren, welches von der Defektstelle in einem schmalen Winkel gestreut wird.

12. Waferoberflächen-Inspektionsverfahren nach Anspruch 11, bei dem die Vielzahl der Defektlichtintensitätswerte einen Defektintensitätswert SW enthalten, der von der Weitwinkelfotovervielfacherröhre erhalten wird, und einen Defektintensitätswert SN enthält, der von der Schmalwinkel-fotovervielfacherröhre erhalten wird, und bei dem die zweite Bedingung darin besteht, daß ein Intensitätsverhältnis SN/SW zwischen dem Intensitätswert SN und dem Intensitätswert SW den Be zugswert überschreitet.

13. Waferoberflächen-Inspektionsverfahren nach Anspruch 10, bei dem jeder der Dunkelfelddetektoren einen Kleinwinkeldetektor aufweist, um Lichtkomponenten zu detektieren, die von der Defektstelle in einem kleinen Winkel nach vorne ge streut werden, einen Mittelwinkeldetektor aufweist, um Lichtkomponenten zu de tektieren, die senkrecht von der Defektstelle in einem mittleren Winkel gestreut werden, und einen Großwinkeldetektor enthält, um Lichtkomponenten zu detek tieren, die von der Defektstelle in einem großen Winkel nach hinten gestreut wer den.

14. Waferoberflächen-Inspektionsverfahren nach Anspruch 13, bei dem die Vielzahl der Defektlichtintensitätswerte einen Defektlichtintensitätswert SS enthalten, der von dem Kleinwinkeldetektor erhalten wird, einen Defektlichtintensitätswert SM enthalten, der von dem Mittelwinkel-detektor erhalten wird, und einen Defekt lichtintensitätswert SL enthalten, der von dem Großwinkeldetektor erhalten wird, und bei dem die zweite Bedingung dort existiert, wo sowohl (a) ein Intensitätsver hältnis SM/SL aus dem Intensitätswert SM zu dem Intensitätswert SL einen ersten Bezugswert überschreitet, als auch (b) ein Intensitätsverhältnis SM/SS aus dem Intensitätswert SM zu dem Intensitätswert SS einen zweiten Bezugswert über schreitet.