FR2799283A1 - Procede pour examiner la surface d'une tranche de gravure - Google Patents

Procede pour examiner la surface d'une tranche de gravure Download PDF

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Abstract

L'invention concerne un procédé pour distinguer les types de défauts présents sur une tranche en fonction de mesures obtenues au moyen d'un système d'examen de tranche qui comprend plusieurs détecteurs de fond noir. On détermine si trois conditions sont satisfaites. La première condition est lorsque la dimension d'un défaut sur la tranche est inférieure à une valeur limite indiquant une dimension maximale de particules d'origine cristalline. La deuxième condition est lorsqu'une corrélation entre plusieurs valeurs d'intensité de lumière de défaut satisfait à une valeur de référence. La troisième condition est lorsqu'un emplacement du défaut se trouve dans une zone riche en lacunes de la tranche. Le type du défaut est alors déterminé comme étant une particule d'origine cristalline lorsque les trois conditions sont satisfaites. Dans le cas contraire, le type de défaut est déterminé comme étant une particule réelle.

Description


Figure img00010001
L'invention <SEP> concerne <SEP> un <SEP> procédé <SEP> pour <SEP> examin <SEP> la
<tb> surface <SEP> d'une <SEP> tranche <SEP> à <SEP> gravure. <SEP> L'invention <SEP> cencer <SEP> plus
<tb> particulièrement <SEP> un <SEP> procédé <SEP> pour <SEP> établir <SEP> une <SEP> distincticiï
<tb> entre <SEP> plusieurs <SEP> types <SEP> de <SEP> défauts <SEP> d'une <SEP> tranche <SEP> en <SEP> utilisant
<tb> un <SEP> dispositif <SEP> pour <SEP> examiner <SEP> la <SEP> surface <SEP> d'une <SEP> tranc, <SEP> à
<tb> gravure, <SEP> lequel <SEP> dispositif <SEP> détecte <SEP> une <SEP> lumière <SEP> diffusant
<tb> s-lon <SEP> plusieurs <SEP> canaux <SEP> à <SEP> partir <SEP> d'un <SEP> fond <SEP> noir <SEP> ou <SEP> "'une
<tb> region <SEP> de <SEP> défaut <SEP> d'une <SEP> tranche.
<tb> Récemment, <SEP> l'intégration <SEP> de <SEP> mémoires <SEP> à <SEP> circuits
<tb> intégrés <SEP> (CI) <SEP> s'est <SEP> améliorée <SEP> en <SEP> passant <SEP> de <SEP> 16 <SEP> mégabits <SEP> à
<tb> 64 <SEP> mégabits <SEP> ou <SEP> plus. <SEP> En <SEP> conséquence, <SEP> les <SEP> largeurs <SEP> des
<tb> ifs <SEP> ont <SEP> pris <SEP> des <SEP> dimensions <SEP> microscopiques, <SEP> des
<tb> substances <SEP> étrangères <SEP> microscopiques <SEP> qui <SEP> ne <SEP> posaient <SEP> aucun
<tb> problème <SEP> dans <SEP> le <SEP> passé <SEP> constituent <SEP> à <SEP> présent <SEP> des <SEP> sources <SEP> de
<tb> contamination <SEP> et <SEP> de <SEP> défauts <SEP> possibles. <SEP> En <SEP> conséquence <SEP> lors
<tb> la <SEP> fabrication <SEP> de <SEP> dispositifs <SEP> du <SEP> type <SEP> LSI <SEP> à <SEP> intégration
<tb> extrêmement <SEP> élevée, <SEP> hautement <SEP> intégrés, <SEP> tels <SEP> que <SEP> des
<tb> -nemcires <SEP> vives <SEP> dynamiques <SEP> (DRAM) <SEP> de <SEP> 64 <SEP> méaabi <SEP> s <SEP> ou
<tb> de <SEP> 256 <SEP> mégabits, <SEP> il <SEP> est <SEP> souhaitable <SEP> de <SEP> maîtr;-ser
<tb> complètement <SEP> et <SEP> donc <SEP> d'éviter <SEP> la <SEP> présence <SEP> de <SEP> défauts <SEP> et/ou
<tb> de <SEP> substances <SEP> étrangères <SEP> de <SEP> dimensions <SEP> micrescop-ques <SEP> sur
<tb> la <SEP> tranche <SEP> pour <SEP> améliorer <SEP> ainsi <SEP> notablement <SEP> le <SEP> rendement.
<tb> En <SEP> général, <SEP> la <SEP> dimension <SEP> d'un <SEP> défaut <SEP> qui <SEP> peut <SEP> ser
<tb> des <SEP> problèmes <SEP> est <SEP> facteur <SEP> de <SEP> la <SEP> largeur <SEP> minimale <SEP> du <SEP> câblage
<tb> du <SEP> dispositif <SEP> LSI <SEP> à <SEP> intégration <SEP> extrêmement <SEP> élevée <SEP> -ant
<tb> être <SEP> fabriqué. <SEP> Par <SEP> exemple, <SEP> il <SEP> est <SEP> nécessaire <SEP> oie <SEP> limiter
<tb> défauts <SEP> de <SEP> dimension <SEP> microscopique, <SEP> qui <SEP> ont <SEP> des
<tb> diamètres <SEP> de <SEP> <B>0,1</B> <SEP> à <SEP> 0,2 <SEP> Mm <SEP> ou <SEP> moins <SEP> dans <SEP> des <SEP> mémoires <SEP> <I>DP,A:f</I>
<tb> 256 <SEP> mégabits <SEP> ou <SEP> dans <SEP> des <SEP> dispositifs <SEP> ayant <SEP> des <SEP> capacités
<tb> supérieures <SEP> à <SEP> celles <SEP> des <SEP> mémoires <SEP> DRAM <SEP> de <SEP> 256 <SEP> rnégabits <SEP> qui
<tb> sont <SEP> exécutés <SEP> avec <SEP> une <SEP> largeur <SEP> de <SEP> trait <SEP> de <SEP> 0,23 <SEP> ou
<tb> moins.
<tb> Des <SEP> défauts <SEP> qui <SEP> posent <SEP> des <SEP> problèmes <SEP> Dei,dan,- <SEP> ,@a
<tb> fabrication <SEP> de <SEP> dispositifs <SEP> LSI <SEP> à <SEP> intégration <SEP> extrêmer,,,ei-_t
<tb> élevée <SEP> peuvent <SEP> être <SEP> globalement <SEP> divisés <SEP> selon <SEP> deux <SEP> tl@pes.
<tb> L'un <SEP> est <SEP> celui <SEP> des <SEP> défauts <SEP> dus <SEP> à <SEP> "des <SEP> particules <SEP> d'origine
Figure img00020001
cristall <SEP> " <SEP> (POC) <SEP> formés <SEP> sur <SEP> la <SEP> surface <SEP> d'une <SEP> tranche <SEP> ou <SEP> à
<tb> l'intérieur <SEP> de <SEP> la <SEP> tranche <SEP> pendant <SEP> la <SEP> fabrication <SEP> de <SEP> la
<tb> tranche. <SEP> 'autre <SEP> type <SEP> est <SEP> la <SEP> présence <SEP> de <SEP> poussière <SEP> ou <SEP> de
<tb> contaminants <SEP> réels <SEP> (appelés <SEP> ci-après <SEP> partic-_;les) <SEP> ad:,érant <SEP> à
<tb> la <SEP> surface <SEP> de <SEP> la <SEP> tranche.
<tb> Les <SEP> défauts <SEP> du <SEP> type <SEP> POC <SEP> sont <SEP> générés <SEP> pendant <SEP> la
<tb> fabrication <SEP> de <SEP> tranches <SEP> de <SEP> silicium. <SEP> En <SEP> général, <SEP> des
<tb> défauts <SEP> cristal <SEP> appelés <SEP> défauts <SEP> "de <SEP> croissance" <SEP> sont
<tb> introduits <SEP> dans <SEP> un <SEP> lingot <SEP> de <SEP> silicium <SEP> monocristallin <SEP> qui
<tb> est <SEP> tire <SEP> conformément <SEP> à <SEP> un <SEP> procédé <SEP> appelé <SEP> procédP
<tb> Czochral <SEP> (appelé <SEP> ci-après <SEP> procédé <SEP> CZ) <SEP> pendant
<tb> croissance <SEP> du <SEP> silicium <SEP> monocristallin. <SEP> Ce <SEP> défaut <SEP> d@,: <SEP> cristal
<tb> n'est <SEP> pas <SEP> eliminé <SEP> pendant <SEP> le <SEP> refroidissement <SEP> du <SEP> cristal
<tb> reste <SEP> dans <SEP> la <SEP> tranche <SEP> traitée <SEP> et <SEP> fabriquée. <SEP> Dans <SEP> cet <SEP> état
<tb> lorsqu'un <SEP> nettoyage <SEP> en <SEP> milieu <SEP> liquide <SEP> est <SEP> exécuté <SEP> (lequel
<tb> est <SEP> aéné-_-alement <SEP> utilisé <SEP> pour <SEP> éliminer <SEP> des <SEP> particules
<tb> adhérant <SEP> à <SEP> la <SEP> surface <SEP> de <SEP> la <SEP> tranche), <SEP> des <SEP> r,,.icrouiqûres
<tb> forment <SEP> sur <SEP> la <SEP> surface <SEP> de <SEP> la <SEP> tranche <SEP> car <SEP> la <SEP> vitesse
<tb> d'attaque <SEP> chimique <SEP> est <SEP> plus <SEP> grande <SEP> au <SEP> niveau <SEP> ou
<tb> <B>j</B>..isir:.age <SEP> des <SEP> défauts <SEP> du <SEP> cristal <SEP> sur <SEP> la <SEP> tra,1-1_e <SEP> qu' <SEP> er. <SEP> des
<tb> parties <SEP> la <SEP> tranche <SEP> ne <SEP> présentant <SEP> pas <SEP> de <SEP> tels <SEP> défauts.
<tb> Ces <SEP> piqûres <SEP> sont <SEP> appelées <SEP> ici <SEP> piqûres <SEP> POC.
<tb> La <SEP> figure <SEP> 1 <SEP> des <SEP> dessins <SEP> annexés <SEP> et <SEP> décrits <SEP> ci-après
<tb> est <SEP> une <SEP> vue <SEP> en <SEP> coupe <SEP> montrant <SEP> schéma-iquement <SEP> des
<tb> représentations <SEP> de <SEP> piqûres <SEP> POC <SEP> et <SEP> de <SEP> particules <SEP> sur <SEP> une
<tb> tranche <SEP> <B>il</B> <SEP> est <SEP> connu <SEP> que <SEP> le <SEP> défaut <SEP> POC <SEP> <I>décirade</I> <SEP> la
<tb> caractéristiaue <SEP> de <SEP> claquage <SEP> électrique <SEP> du <SEP> film <SEP> d'oxyde <SEP> de
<tb> grille <SEP> un <SEP> dispositif <SEP> semi-conducteur. <SEP> ___ <SEP> outre, <SEP> le
<tb> défaut <SEP> POC <SEP> agit <SEP> à <SEP> la <SEP> manière <SEP> d'une <SEP> source <SEP> de <SEP> contarl--na.-icn
<tb> sur <SEP> la <SEP> tranche <SEP> qui <SEP> peut <SEP> provoquer <SEP> un <SEP> claquage <SEP> ou <SEP> la
<tb> fcrmation <SEP> 'un <SEP> court-circuit <SEP> d'un <SEP> motif <SEP> du <SEP> circuit. <SEP> Je
<tb> défaut <SEP> PCC <SEP> Deut <SEP> donc <SEP> aboutir <SEP> à <SEP> des <SEP> produits <SEP> défect.:e@@:: <SEP> cu
<tb> une <SEP> et <SEP> une <SEP> fiabilité <SEP> diminuées <SEP> du <SEP> proda-t.
<tb> Lorsqu'une <SEP> tranche <SEP> présentant <SEP> à <SEP> la <SEP> fois <SEP> des <SEP> piqûres <SEP> ou
<tb> défauts <SEP> PCC <SEP> et <SEP> des <SEP> particules <SEP> est <SEP> mesurée <SEP> au <SEP> moyen <SEP> d'un
<tb> c:JMD_eu@- <SEP> classique <SEP> de <SEP> particules <SEP> ou <SEP> d'un <SEP> dis-ositif
Figure img00030001
d'examen <SEP> tranche, <SEP> les <SEP> piqûres <SEP> POC <SEP> (qui <SEP> sont <SEP> défauts
<tb> du <SEP> type <SEP> lacune) <SEP> sont <SEP> souvent <SEP> détectées <SEP> par <SEP> erreur <SEP> en <SEP> tant
<tb> que <SEP> particules. <SEP> Autrement <SEP> dit, <SEP> les <SEP> piqûres <SEP> PCC <SEP> sont <SEP> pas
<tb> distinguées <SEP> avec <SEP> précision <SEP> de <SEP> particules <SEP> qui <SEP> correspczzder'- à <SEP> des <SEP> contaminants <SEP> réels. <SEP> Cependant, <SEP> pour <SEP> gérer
<tb> convenablement <SEP> les <SEP> défauts <SEP> et <SEP> donc <SEP> améliorer <SEP> le <SEP> rendement,
<tb> il <SEP> est <SEP> important <SEP> d'établir <SEP> avec <SEP> précision <SEP> la <SEP> distinction
<tb> entre <SEP> des <SEP> piqûres <SEP> POC <SEP> et <SEP> des <SEP> particules <SEP> sur <SEP> une <SEP> tranche. <SEP> Il
<tb> est <SEP> donc <SEP> souhaitable <SEP> de <SEP> mesurer <SEP> quantitativement <SEP> et
<tb> d'analyser <SEP> les <SEP> états <SEP> des <SEP> piqûres <SEP> POC <SEP> et/ou <SEP> des <SEP> particules
<tb> sur <SEP> la <SEP> tranche <SEP> pour <SEP> en <SEP> permettre <SEP> la <SEP> distinction.
<tb> Le <SEP> brevet <SEP> des <SEP> Etats-Unis <SEP> d'Amérique <SEP> n <SEP> 5 <SEP> 640 <SEP> 238,
<tb> délivré <SEP> à <SEP> Nakano <SEP> et <SEP> collaborateurs, <SEP> décrit <SEP> une <SEP> technologie
<tb> classique <SEP> pour <SEP> distinguer <SEP> les <SEP> piqûres <SEP> POC <SEP> de <SEP> particules <SEP> sur
<tb> une <SEP> tranche. <SEP> Dans <SEP> ce <SEP> brevet, <SEP> un <SEP> procédé <SEP> pour <SEP> examiner <SEP> des
<tb> particules <SEP> comprend <SEP> les <SEP> étapes <SEP> dans <SEP> lesquelles <SEP> on <SEP> réalise
<tb> une <SEP> première <SEP> carte <SEP> de <SEP> particules <SEP> en <SEP> mesurant <SEP> des <SEP> particL:--es
<tb> sur <SEP> une <SEP> tranche <SEP> devant <SEP> être <SEP> examinée; <SEP> on <SEP> exécute <SEP> un
<tb> traitement <SEP> d'élimination <SEP> des <SEP> particules <SEP> pour <SEP> éliminer <SEP> les
<tb> particules <SEP> de <SEP> la <SEP> tranche; <SEP> on <SEP> réalise <SEP> une <SEP> seconde <SEP> carte <SEP> de
<tb> particules <SEP> par <SEP> une <SEP> mesure <SEP> de <SEP> particules <SEP> sur <SEP> la <SEP> tranche <SEP> qui
<tb> a <SEP> été <SEP> soumise <SEP> au <SEP> traitement <SEP> d'élimination <SEP> des <SEP> particules;
<tb> et <SEP> on <SEP> compare <SEP> la <SEP> première <SEP> carte <SEP> de <SEP> particules <SEP> à <SEP> la <SEP> seconde
<tb> carte <SEP> de <SEP> particules. <SEP> Des <SEP> particules <SEP> apparaissant <SEP> en <SEP> chaque
<tb> point <SEP> immobile <SEP> commun <SEP> à <SEP> l'ensemble <SEP> des <SEP> première <SEP> et <SEP> seconde
<tb> cartes <SEP> de <SEP> particules <SEP> sont <SEP> déterminées <SEP> comme <SEP> étant <SEP> des
<tb> défauts <SEP> du <SEP> cristal <SEP> ou <SEP> des <SEP> irrégularités <SEP> de <SEP> surface, <SEP> et <SEP> des
<tb> particules <SEP> apparaissant <SEP> dans <SEP> la <SEP> première <SEP> carte <SEP> de
<tb> particules <SEP> mais <SEP> non <SEP> dans <SEP> la <SEP> seconde <SEP> carte <SEP> de <SEP> particules,
<tb> sont <SEP> déterminées <SEP> comme <SEP> étant <SEP> des <SEP> particules <SEP> de <SEP> poussière <SEP> ou
<tb> des <SEP> contaminants <SEP> réels.
<tb> Cependant, <SEP> dans <SEP> cette <SEP> technologie <SEP> classique, <SEP> éta:zt
<tb> donné <SEP> qu'un <SEP> processus <SEP> de <SEP> nettoyage <SEP> doit <SEP> être <SEP> exécuté <SEP> pcL:@ éliminer <SEP> les <SEP> particules <SEP> d'une <SEP> tranche, <SEP> un <SEP> inconvénient <SEP> est
<tb> qu'il <SEP> faut <SEP> davantage <SEP> de <SEP> temps <SEP> pour <SEP> contrôler <SEP> les <SEP> particules
<tb> présentes <SEP> sur <SEP> la <SEP> tranche. <SEP> En <SEP> particulier, <SEP> étant <SEP> donné <SEP> que
Figure img00040001
le <SEP> processus <SEP> pour <SEP> éliminer <SEP> des <SEP> particules <SEP> doit <SEP> etre <SEP> exécuté
<tb> mFme <SEP> lorsque <SEP> seules <SEP> des <SEP> piqûres <SEP> POC <SEP> qui <SEP> affectent <SEP> le
<tb> rendement <SEP> sont <SEP> présentes <SEP> (en <SEP> opposition <SEP> à <SEP> particules
<tb> q <SEP> peuvent <SEP> être <SEP> traitées <SEP> pendant <SEP> la
<tb> processus <SEP> inutile <SEP> est <SEP> ajouté <SEP> de <SEP> façcn <SEP> ré,éti7i
<tb> augmentant <SEP> ainsi <SEP> le <SEP> temps <SEP> de <SEP> traitement. <SEP> De <SEP> plus, <SEP> lors <SEP> de
<tb> l'utilisation <SEP> d'un <SEP> processus <SEP> de <SEP> nettoyage <SEP> en <SEP> m.i <SEP> '- <SEP> 1-qu-lde
<tb> pour <SEP> éliminer <SEP> des <SEP> particules <SEP> conformément <SEP> à <SEP> la <SEP> technologie
<tb> class;que, <SEP> non <SEP> seulement <SEP> des <SEP> solutions <SEP> nettoyage
<tb> provoquent <SEP> une <SEP> pollution <SEP> de <SEP> l'environnement <SEP> mais <SEP> les
<tb> dimensions <SEP> des <SEP> piqûres <SEP> POC <SEP> augmentent <SEP> du <SEP> fait <SEP> d'un <SEP> effet
<tb> d'attaque <SEP> du <SEP> processus <SEP> de <SEP> nettoyage <SEP> en <SEP> milieu <SEP> liquide. <SEP> En
<tb> outre <SEP> la <SEP> technologie <SEP> classique <SEP> ne <SEP> peut <SEP> pas <SEP> être <SEP> appliquée
<tb> pour <SEP> réaliser <SEP> un <SEP> contrôle <SEP> sur <SEP> place <SEP> pendant <SEP> la <SEP> fabrication
<tb> des <SEP> dispositifs, <SEP> et <SEP> les <SEP> tranches <SEP> utilisées <SEP> pour <SEP> le <SEP> contrôle
<tb> ne <SEP> peuvent <SEP> pas <SEP> être <SEP> réutilisées, <SEP> ce <SEP> qui <SEP> dim:i:r_:e <SEP> ,@a
<tb> Productivité.
<tb> L'in <SEP> :ren <SEP> Lion <SEP> a <SEP> pour <SEP> objet <SEP> de <SEP> proposer <SEP> u#__ <SEP> pr <SEP> o.Cédé <SEP> C-o-r
<tb> examiner <SEP> la <SEP> surface <SEP> d'une <SEP> tranche, <SEP> permettant <SEP> un <SEP> c@~@trôle
<tb> in <SEP> situ <SEP> pendant <SEP> la <SEP> fabrication <SEP> de <SEP> dispositifs <SEP> semi condu-teurs, <SEP> et <SEP> qui <SEP> distingue <SEP> rapidement <SEP> et <SEP> avec <SEP> précision
<tb> des <SEP> piqûres <SEP> du <SEP> type <SEP> POC <SEP> de <SEP> particules <SEP> réel <SEP> sUr <SEP> la
<tb> tranche.
<tb> Pour <SEP> réaliser <SEP> l'objet <SEP> de <SEP> l'invention, <SEP> il <SEP> prcpCsé
<tb> .:n <SEP> procédé <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> la <SEP> surface <SEP> d'une <SEP> tranche <SEP> dest<I>iné <SEP> à</I>
<tb> distinguer <SEP> entre <SEP> des <SEP> types <SEP> de <SEP> défauts <SEP> sur <SEP> une <SEP> trar_che <SEP> en
<tb> fonction <SEP> de <SEP> mesures <SEP> de <SEP> défauts <SEP> obtenues <SEP> au <SEP> moyen <SEP> d'un
<tb> systèri-ie <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> tranche <SEP> qui <SEP> comprend <SEP> plusieurs
<tb> détecteurs <SEP> de <SEP> fond <SEP> obscur. <SEP> En <SEP> utilisant <SEP> le <SEP> s1#stèrle <SEP> de
<tb> mesure <SEP> de <SEP> ranche, <SEP> on <SEP> détermine <SEP> si <SEP> des <SEP> première, <SEP> ù@..__iè-ne
<tb> et <SEP> troisièr-.e <SEP> conditions <SEP> sont <SEP> satisfaites. <SEP> La <SEP> <B><U>'ID</U></B> <SEP> re71ière
<tb> condition <SEP> est <SEP> lorsqu'une <SEP> dimension <SEP> d'un <SEP> défaut <SEP> sur <SEP> la
<tb> tranc' <SEP> mesurée <SEP> par <SEP> le <SEP> système <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> tranche <SEP> est
<tb> inférieure <SEP> à <SEP> une <SEP> valeur <SEP> limite <SEP> indiquant <SEP> dimension
<tb> m.axiir,al <SEP> e <SEP> de <SEP> particules <SEP> d'origine <SEP> cristalline. <SEP> La <SEP> de_ix-@ème
<tb> condition <SEP> est <SEP> lorsqu'une <SEP> corrélation <SEP> e:_<B>#:</B> <SEP> p1L.sleurs
Figure img00050001
valeurs <SEP> ''intensité <SEP> de <SEP> lumière <SEP> de <SEP> défauts <SEP> détectées <SEP> par
<tb> plusieurs <SEP> détecteurs <SEP> de <SEP> fond <SEP> noir <SEP> du <SEP> système <SEP> de <SEP> mesure <SEP> de
<tb> la <SEP> tranche <SEP> satisfait <SEP> à <SEP> une <SEP> condition <SEP> de <SEP> réference. <SEP> La
<tb> trcisièrr.e <SEP> condition <SEP> est <SEP> lorsque <SEP> la <SEP> pos-t--o:_ <SEP> du <SEP> défaut
<tb> mesurée <SEP> par <SEP> le <SEP> système <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> tranche <SEP> est <SEP> à
<tb> l'intérieur <SEP> d'une <SEP> zone <SEP> riche <SEP> en <SEP> lacunes <SEP> de <SEP> la <SEP> tranche. <SEP> Le
<tb> type <SEP> du <SEP> défaut <SEP> est <SEP> alors <SEP> déterminé <SEP> comme <SEP> étant <SEP> une
<tb> particule <SEP> d'origine <SEP> cristalline <SEP> lorsque <SEP> les <SEP> première,
<tb> deuxièTe <SEP> troisième <SEP> conditions <SEP> sont <SEP> toutes <SEP> satisfaites.
<tb> Par
<tb> le <SEP> type <SEP> de <SEP> défaut <SEP> est <SEP> déterminé <SEP> comme <SEP> étar.@ <SEP> une
<tb> particule <SEP> réelle <SEP> lorsque <SEP> l'une <SEP> quelconque <SEP> ou <SEP> plusieurs <SEP> des
<tb> première, <SEP> deuxième <SEP> et <SEP> troisième <SEP> conditions <SEP> ne <SEP> sont <SEP> pas
<tb> satisfaites. <SEP> La <SEP> valeur <SEP> limite <SEP> indiquant <SEP> une <SEP> dimension
<tb> maximale <SEP> de <SEP> piqûres <SEP> POC <SEP> est <SEP> avantageusement <SEP> de <SEP> 0 <SEP> _6 <SEP> pn-., <SEP> et
<tb> le <SEP> système <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> tranche <SEP> est <SEP> un <SEP> système <SEP> de <SEP> mesure <SEP> de
<tb> particules <SEP> par <SEP> diffusion.
<tb> Chacun <SEP> des <SEP> détecteurs <SEP> de <SEP> fond <SEP> noir <SEP> peu*-- <SEP> comprendre <SEP> un
<tb> tube <SEP> photomultiplicateur <SEP> à <SEP> grand <SEP> angle <SEP> pour <SEP> la <SEP> detection <SEP> de
<tb> la <SEP> lumière <SEP> diffusée <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> défaut <SEP> sur <SEP> un <SEP> -and <SEP> anale
<tb> et <SEP> un <SEP> ;ube <SEP> photomultiplicateur <SEP> à <SEP> petit <SEP> anale <SEP> pour <SEP> la
<tb> détection <SEP> de <SEP> la <SEP> lumière <SEP> diffusée <SEP> à <SEP> partir <SEP> du
<tb> si-ir <SEP> un
<tb> petit <SEP> angle. <SEP> Dans <SEP> ce <SEP> cas, <SEP> la <SEP> pluralité <SEP> -.raseurs
<tb> d'intensité <SEP> de <SEP> lumière <SEP> de <SEP> défaut <SEP> comprend <SEP> une <SEP> valeur
<tb> d'irtensité <SEP> de <SEP> défaut <SEP> SW <SEP> obtenue <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> tube
<tb> uhotomultipl,lcateur <SEP> à <SEP> grand <SEP> angle <SEP> et <SEP> une <SEP> valeur <SEP> d'intensité
<tb> de
<tb> S.. <SEP> obtenue <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> tube <SEP> photomult-plicateiur <SEP> à
<tb> petit <SEP> anJie, <SEP> et <SEP> la <SEP> deuxième <SEP> condition <SEP> est <SEP> satisfaite <SEP> dans
<tb> le <SEP> cas <SEP> où <SEP> le <SEP> rapport <SEP> d'intensité <SEP> Sr.,/S,, <SEP> de <SEP> la <SEP> valeur
<tb> d'iiïtensité <SEP> SN <SEP> à <SEP> la <SEP> valeur <SEP> d'intensité <SEP> S,, <SEP> dépasse <SEP> la <SEP> valeur
<tb> de <SEP> référence.
<tb> En <SEP> variante, <SEP> chacun <SEP> des <SEP> détecteurs <SEP> de <SEP> fond <SEP> noir <SEP> peut
<tb> comtrendre <SEP> un <SEP> détecteur <SEP> à <SEP> petit <SEP> angle <SEP> destiné <SEP> à <SEP> cétecter
<tb> des <SEP> c_n-.Dosa#_tes <SEP> de <SEP> lumière <SEP> diffusées <SEP> vers
<tb> du <SEP> défaut <SEP> sous <SEP> un <SEP> petit <SEP> angle, <SEP> un <SEP> détecteur <SEP> à <SEP> angle <SEP> n-.@1#en
<tb> destiné <SEP> à <SEP> détecter <SEP> des <SEP> composantes <SEP> de <SEP> lumière <SEP> diffusées
<tb> perpendiculairement <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> défaut <SEP> sous <SEP> un <SEP> anale <SEP> moyen
Figure img00060001
et <SEP> un <SEP> détecteur <SEP> à <SEP> grand <SEP> angle <SEP> destiné <SEP> à <SEP> détecter <SEP> des
<tb> composantes <SEP> de <SEP> lumière <SEP> diffusées <SEP> vers <SEP> l'arrière <SEP> à <SEP> partir <SEP> du
<tb> défaut <SEP> sous <SEP> un <SEP> grand <SEP> angle. <SEP> Dans <SEP> ce <SEP> cas, <SEP> la <SEP> p:ïurali-é <SEP> de
<tb> va-leurs <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> lumière <SEP> de <SEP> défaut. <SEP> comprend <SEP> une
<tb> valeur <SEP> 'intensité <SEP> de <SEP> lumière <SEP> de <SEP> défaut <SEP> SS <SEP> obtenue <SEP> à <SEP> partir
<tb> du <SEP> détenteur <SEP> à <SEP> petit <SEP> angle, <SEP> une <SEP> valeur <SEP> d'intensité <SEP> de
<tb> lumière <SEP> défaut <SEP> Sm <SEP> obtenue <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> détecteur <SEP> à <SEP> ar:al <SEP> e
<tb> moyen <SEP> et <SEP> une <SEP> valeur <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> lumière <SEP> de <SEP> défaut <SEP> Sr
<tb> obtenue <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> détecteur <SEP> à <SEP> grand <SEP> angle, <SEP> et <SEP> la <SEP> deuxième
<tb> condition <SEP> est <SEP> satisfaite <SEP> lorsque <SEP> à <SEP> la <SEP> fois <SEP> (a) <SEP> un <SEP> rapport
<tb> d'intensité <SEP> Sm/S@ <SEP> de <SEP> la <SEP> valeur <SEP> d'intensité <SEP> St. <SEP> à <SEP> la <SEP> -@,#.aleur
<tb> d'intensité <SEP> SL <SEP> dépasse <SEP> une <SEP> première <SEP> valeur <SEP> de <SEP> reférence <SEP> et
<tb> (bi <SEP> un <SEP> rapport <SEP> d'intensité <SEP> SM/SS <SEP> de <SEP> la <SEP> valeur <SEP> d'intensité <SEP> SM
<tb> à <SEP> la <SEP> valeur <SEP> d'intensité <SEP> Ss <SEP> dépasse <SEP> une <SEP> seconde <SEP> valeur <SEP> de
<tb> référence.
Figure img00060002
Conformément <SEP> à <SEP> l'invention, <SEP> le <SEP> taux <SEP> d <SEP> erreur <SEP> de
<tb> distinction <SEP> de <SEP> défaut <SEP> est <SEP> minimisé, <SEP> l'examen <SEP> de <SEP> la <SEP> surface
<tb> d'une <SEP> tranche <SEP> peut <SEP> être <SEP> réalisé <SEP> par <SEP> un <SEP> contr_ <SEP> in <SEP> situ
<tb> pendant <SEP> la <SEP> fabrication <SEP> de <SEP> dispositifs <SEP> semi-conducteurs, <SEP> et
<tb> le <SEP> type <SEP> de <SEP> défaut <SEP> sur <SEP> la <SEP> tranche <SEP> est <SEP> détermine <SEP> rapider,,.ez_t
<tb> et <SEP> avec <SEP> précision <SEP> d'une <SEP> manière <SEP> non <SEP> destructive.
<tb> L' <SEP> ration <SEP> sera <SEP> décrite <SEP> plus <SEP> en <SEP> détail <SEP> en <SEP> regard <SEP> des
<tb> dessins <SEP> annexés <SEP> à <SEP> titre <SEP> d'exemple <SEP> nullement <SEP> limitatif <SEP> et
<tb> sur <SEP> lesquels:
<tb> la <SEP> figure <SEP> 1 <SEP> est <SEP> une <SEP> vue <SEP> en <SEP> coupe <SEP> schématique <SEP> montrant
<tb> des <SEP> représentations <SEP> de <SEP> particules <SEP> d'origine <SEP> cristalline
<tb> (?@C:@ <SEP> et <SEP> de <SEP> particules <SEP> réelles <SEP> apparaissant <SEP> dans <SEP> <B>u</B> <SEP> r_ <SEP> e
<tb> tranche;
<tb> la <SEP> figure <SEP> 2A <SEP> est <SEP> un <SEP> diagramme <SEP> simpli <SEP> montr-nt
<tb> schématiquement <SEP> une <SEP> partie <SEP> d'un <SEP> système <SEP> optique <SEP> qui <SEP> examine
<tb> <B><U>1</U></B>ur_ <SEP> cnar;p <SEP> noir <SEP> d'une <SEP> tranche <SEP> dans <SEP> un <SEP> exemple <SEP> un <SEP> s, <SEP> stème
<tb> classique <SEP> d'examen;
<tb> ,@a <SEP> figure <SEP> 2B <SEP> est <SEP> un <SEP> organigramme <SEP> _itrart <SEP> u <SEP> r.
<tb> algorithme <SEP> de <SEP> distinction <SEP> de <SEP> défauts <SEP> adopté <SEP> dans <SEP> le <SEP> système
<tb> d'examen <SEP> de <SEP> la <SEP> figure <SEP> 2A;
Figure img00070001
la <SEP> figure <SEP> 3A <SEP> est <SEP> un <SEP> diagramme <SEP> simplifié <SEP> montrant
<tb> schématiquement <SEP> une <SEP> partie <SEP> d'un <SEP> système <SEP> optique <SEP> qui <SEP> examine
<tb> un <SEP> champ <SEP> noir <SEP> d'une <SEP> tranche <SEP> dans <SEP> un <SEP> autre <SEP> exemple <SEP> d'un
<tb> systeme <SEP> classique <SEP> d'examen;
<tb> la <SEP> figure <SEP> 3B <SEP> est <SEP> un <SEP> organigramme <SEP> montrant <SEP> un
<tb> algorithme <SEP> de <SEP> distinction <SEP> de <SEP> défauts <SEP> adopté <SEP> dans <SEP> système
<tb> d'examen <SEP> de <SEP> la <SEP> figure <SEP> 3A; <SEP> et
<tb> la <SEP> figure <SEP> 4 <SEP> est <SEP> un <SEP> organigramme <SEP> montrant <SEP> un <SEP> algorithme
<tb> de <SEP> distinction <SEP> de <SEP> défauts <SEP> adopté <SEP> dans <SEP> un <SEP> procède <SEP> d'examen
<tb> de <SEP> surface <SEP> de <SEP> tranche <SEP> selon <SEP> une <SEP> forme <SEP> appreciée <SEP> de
<tb> réal'sation <SEP> de <SEP> l'invention.
<tb> Des <SEP> défauts <SEP> sur <SEP> une <SEP> tranche <SEP> sont <SEP> habituellement <SEP> mesurés <SEP> au
<tb> moyen <SEP> d'un <SEP> système <SEP> de <SEP> mesure <SEP> de <SEP> particule <SEP> par <SEP> diffusion. <SEP> Des
<tb> systèmes <SEP> connus <SEP> de <SEP> ce <SEP> type <SEP> comprennent <SEP> le <SEP> système <SEP> "Surfscan <SEP> SP1 <SEP> TBI"
<tb> (fabriqué <SEP> par <SEP> la <SEP> firme <SEP> Kla-Tencor <SEP> Corporation, <SEP> EUA) <SEP> et <SEP> le <SEP> système
<tb> "Advanced <SEP> Wafer <SEP> Inspection <SEP> System" <SEP> (ATi7IS) <SEP> (fabriqué <SEP> par <SEP> firme <SEP> ADE
<tb> Optical <SEP> Systems <SEP> Corporation, <SEP> EUA). <SEP> Chacun <SEP> de <SEP> ces <SEP> systèmes <SEP> est
<tb> utilisé <SEP> pour <SEP> établir <SEP> une <SEP> distinction <SEP> entre <SEP> des <SEP> particules <SEP> réelles <SEP> et
<tb> des <SEP> particules <SEP> d'origine <SEP> cristalline <SEP> (POC) <SEP> sur <SEP> une <SEP> tranche.
<tb> La <SEP> figure <SEP> 2A <SEP> est <SEP> un <SEP> diagramme <SEP> simplifié <SEP> montrant
<tb> schématiquement <SEP> une <SEP> partie <SEP> d'un <SEP> système <SEP> optique <SEP> qui <SEP> examine
<tb> des <SEP> champs <SEP> noirs <SEP> d'une <SEP> tranche <SEP> dans <SEP> le <SEP> système <SEP> d'examen
<tb> "Surfscan <SEP> SP1 <SEP> TBI" <SEP> Des <SEP> champs <SEP> noirs <SEP> sont <SEP> des <SEP> anomalies
<tb> optiques <SEP> qui <SEP> ont <SEP> été <SEP> détectées <SEP> sur <SEP> des <SEP> régions <SEP> de <SEP> la
<tb> tranche <SEP> et <SEP> désignent <SEP> des <SEP> défauts <SEP> suspectés <SEP> d'un <SEP> type <SEP> ou
<tb> d'un <SEP> autre, <SEP> c'est-à-dire <SEP> des <SEP> particules <SEP> POC <SEP> ou <SEP> des
<tb> particules <SEP> réelles. <SEP> En <SEP> référence <SEP> à <SEP> la <SEP> figure <SEP> 2A, <SEP> un
<tb> faisceau <SEP> incident <SEP> normal <SEP> 12 <SEP> et <SEP> un <SEP> faisceau <SEP> incident <SEP> oblique
<tb> 14 <SEP> sont <SEP> utilisés <SEP> en <SEP> tant <SEP> que <SEP> sources <SEP> de <SEP> lumiere <SEP> d'une
<tb> illumination <SEP> 10 <SEP> de <SEP> fond <SEP> sombre. <SEP> Le <SEP> faisceau <SEP> incident <SEP> normal
<tb> 12 <SEP> le <SEP> faisceau <SEP> incident <SEP> oblique <SEP> 14 <SEP> sont <SEP> amenés <SEP> - <SEP> rayonner
<tb> sur <SEP> un <SEP> fond <SEP> noir <SEP> d'une <SEP> tranche <SEP> 16. <SEP> La <SEP> lumière <SEP> diffusée <SEP> a <SEP> partir <SEP> du
<tb> fond <SEP> noir <SEP> est <SEP> réfléchie <SEP> par <SEP> un <SEP> collecteur <SEP> ellipsoïdal <SEP> 18 <SEP> puis
<tb> détectée <SEP> par <SEP> un <SEP> détecteur <SEP> 20 <SEP> de <SEP> fond <SEP> noir. <SEP> Le <SEP> détecteur <SEP> 20 <SEP> de
<tb> fond <SEP> noir <SEP> comprend <SEP> un <SEP> tube <SEP> photomultiplicateur <SEP> (TPM) <SEP> à
<tb> grand <SEP> angle <SEP> 22 <SEP> destiné <SEP> à <SEP> détecter <SEP> de <SEP> la <SEP> lumière <SEP> 'ffusant
Figure img00080001
dans <SEP> une <SEP> plage <SEP> angulaire <SEP> relativement <SEP> large <SEP> et <SEP> un <SEP> tube <SEP> TPM
<tb> à <SEP> petit <SEP> angle <SEP> 24 <SEP> destiné <SEP> détecter <SEP> de <SEP> la <SEP> lumière <SEP> diffusant
<tb> dans <SEP> une <SEP> plage <SEP> d'un <SEP> angle <SEP> relativement <SEP> étroit.
<tb> La <SEP> plage <SEP> angulaire <SEP> de <SEP> la <SEP> lumière <SEP> de <SEP> diffusion <SEP> par
<tb> réflexion <SEP> d'un <SEP> défaut <SEP> se <SEP> trouvant <SEP> sur <SEP> la <SEP> tranche <SEP> 16 <SEP> varie
<tb> avec <SEP> le <SEP> type <SEP> du <SEP> défaut <SEP> du <SEP> fond <SEP> noir. <SEP> Par <SEP> exemple, <SEP> l'angle
<tb> d'une <SEP> lumière <SEP> diffusante <SEP> revenant <SEP> par <SEP> réflexion <SEP> d'un <SEP> défaut
<tb> du <SEP> type <SEP> POC <SEP> qui <SEP> est <SEP> un <SEP> défaut <SEP> cristallin <SEP> du <SEP> type <SEP> piqûre <SEP> est
<tb> plus <SEP> étroit <SEP> que <SEP> l'angle <SEP> d'une <SEP> lumière <SEP> diffusante <SEP> revenant
<tb> par <SEP> réflexion <SEP> d'une <SEP> particule <SEP> réelle <SEP> adhérant <SEP> à <SEP> la <SEP> surface
<tb> de <SEP> la <SEP> tranche <SEP> 16 <SEP> et <SEP> en <SEP> faisant <SEP> saillie.
<tb> Le <SEP> tube <SEP> TPM <SEP> 22 <SEP> à <SEP> grand <SEP> angle <SEP> et <SEP> le <SEP> tube <SEP> TPM <SEP> 24 <SEP> à <SEP> petit
<tb> angle <SEP> génèrent <SEP> des <SEP> données <SEP> d'image <SEP> différentes <SEP> Sw <SEP> et <SEP> SN,
<tb> respectivement, <SEP> en <SEP> fonction <SEP> de <SEP> l'intensité <SEP> de <SEP> la <SEP> lumière
<tb> diffusante <SEP> détectée, <SEP> ces <SEP> données <SEP> variant <SEP> avec <SEP> le <SEP> type <SEP> de
<tb> défaut <SEP> dans <SEP> le <SEP> fond <SEP> noir <SEP> sur <SEP> la <SEP> tranche <SEP> 16. <SEP> Le <SEP> système
<tb> d'examen <SEP> "Surfscan <SEP> SP1 <SEP> TBI" <SEP> identifie <SEP> si <SEP> le <SEP> fond <SEP> noir
<tb> (défaut) <SEP> sur <SEP> la <SEP> tranche <SEP> est <SEP> une <SEP> particule <SEP> POC <SEP> ou <SEP> une
<tb> particule <SEP> réelle <SEP> en <SEP> soumettant <SEP> les <SEP> valeurs <SEP> <B>S-,,,</B> <SEP> et <SEP> SN <SEP> obtenues
<tb> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> tube <SEP> TPM <SEP> 22 <SEP> grand <SEP> angle <SEP> et <SEP> du <SEP> type <SEP> TPM <SEP> 24 <SEP> à
<tb> petit <SEP> angle <SEP> à <SEP> un <SEP> algorithme <SEP> de <SEP> distinction <SEP> de <SEP> défaut.
<tb> La <SEP> figure <SEP> 2B <SEP> est <SEP> un <SEP> organigramme <SEP> pour <SEP> expliquer
<tb> l'algorithme <SEP> de <SEP> distinction <SEP> de <SEP> défaut <SEP> utilisé <SEP> dans <SEP> le
<tb> système <SEP> d'examen <SEP> "Surfscan <SEP> SP1 <SEP> TBI" <SEP> qui <SEP> adopte <SEP> le <SEP> système
<tb> optique <SEP> de <SEP> la <SEP> figure <SEP> 2A. <SEP> En <SEP> référence <SEP> à <SEP> la <SEP> figure <SEP> 2B, <SEP> après
<tb> l'obtention <SEP> des <SEP> valeurs <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> défaut <SEP> Sw <SEP> et <SEP> SN <SEP> à
<tb> partir <SEP> du <SEP> tube <SEP> TPM <SEP> 22 <SEP> à <SEP> grand <SEP> angle <SEP> et <SEP> du <SEP> tube <SEP> TPM <SEP> 24 <SEP> à
<tb> petit <SEP> angle, <SEP> on <SEP> obtient <SEP> dans <SEP> une <SEP> étape <SEP> 52 <SEP> le <SEP> rapport
<tb> d'intensité <SEP> SN/Sw <SEP> de <SEP> la <SEP> valeur <SEP> de <SEP> dimension <SEP> de <SEP> défaut <SEP> SN <SEP> à
<tb> la <SEP> valeur <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> défaut <SEP> Sw. <SEP> Une <SEP> valeur <SEP> de <SEP> référence
<tb> prédéterminée <SEP> (par <SEP> exemple <SEP> 1,2) <SEP> à <SEP> comparer <SEP> avec <SEP> le <SEP> rapport
<tb> d'intensité <SEP> SN/Sw <SEP> est <SEP> établie <SEP> dans <SEP> une <SEP> étape <SEP> 54. <SEP> Le <SEP> rapport
<tb> d'intensité <SEP> SN/Sw <SEP> est <SEP> alors <SEP> comparé <SEP> à <SEP> la <SEP> valeur <SEP> de <SEP> référence
<tb> dans <SEP> une <SEP> étape <SEP> 56. <SEP> Lorsque <SEP> la <SEP> valeur <SEP> de <SEP> SN/Sw <SEP> dépasse <SEP> la
<tb> valeur <SEP> de <SEP> référence, <SEP> il <SEP> est <SEP> déterminé <SEP> qu'un <SEP> défaut <SEP> détecté
<tb> dans <SEP> la <SEP> tranche <SEP> est <SEP> un <SEP> défaut <SEP> du <SEP> type <SEP> POC <SEP> dans <SEP> une <SEP> étape
Figure img00090001
58. <SEP> Lorsque <SEP> la <SEP> valeur <SEP> de <SEP> SN/Sy, <SEP> ne <SEP> dépasse <SEP> pas <SEP> la <SEP> valeur <SEP> de
<tb> référence, <SEP> il <SEP> est <SEP> déterminé <SEP> que <SEP> le <SEP> défaut <SEP> détecté <SEP> est <SEP> une
<tb> particule <SEP> réelle <SEP> lors <SEP> d'une <SEP> étape <SEP> 60.
<tb> La <SEP> figure <SEP> 3A <SEP> est <SEP> un <SEP> diagramme <SEP> simplifié <SEP> montrant
<tb> schématiquement <SEP> une <SEP> partie <SEP> d'un <SEP> système <SEP> optique <SEP> qui <SEP> examine
<tb> un <SEP> fond <SEP> noir <SEP> d'une <SEP> tranche <SEP> dans <SEP> le <SEP> système <SEP> AWIS <SEP> mentionné
<tb> précedemment. <SEP> En <SEP> référence <SEP> à <SEP> la <SEP> figure <SEP> 3A, <SEP> un <SEP> faisceau
<tb> laser <SEP> 102 <SEP> rayonnant <SEP> depuis <SEP> le <SEP> laser <SEP> d <SEP> dispositif <SEP> de
<tb> balayage <SEP> 100 <SEP> balaie <SEP> la <SEP> surface <SEP> d'une <SEP> tranche <SEP> 106 <SEP> en <SEP> passant
<tb> par <SEP> un <SEP> déflecteur <SEP> acousto-optique <SEP> 104, <SEP> une <SEP> lumière
<tb> diffusante <SEP> revenant <SEP> par <SEP> réflexion <SEP> de <SEP> la <SEP> surface <SEP> de <SEP> la
<tb> tranche <SEP> 106 <SEP> est <SEP> détectée <SEP> par <SEP> un <SEP> détecteur <SEP> 1 <SEP> de <SEP> fond <SEP> noir.
<tb> Le <SEP> detecteur <SEP> 110 <SEP> de <SEP> fond <SEP> noir <SEP> comprend <SEP> un <SEP> détecteur <SEP> 112 <SEP> à
<tb> petit <SEP> angle, <SEP> un <SEP> détecteur <SEP> 114 <SEP> à <SEP> angle <SEP> moyen <SEP> un <SEP> détecteur
<tb> 116 <SEP> a <SEP> grand <SEP> angle. <SEP> Des <SEP> composantes <SEP> de <SEP> lumière <SEP> diffusées
<tb> vers <SEP> l'avant <SEP> à <SEP> partir <SEP> d'un <SEP> défaut <SEP> de <SEP> la <SEP> surface <SEP> de <SEP> la
<tb> tranche <SEP> 106 <SEP> sont <SEP> collectées <SEP> dans <SEP> une <SEP> plage <SEP> angulaire
<tb> relativement <SEP> petite <SEP> par <SEP> un <SEP> collecteur <SEP> (non <SEP> représenté) <SEP> à
<tb> petit <SEP> angle <SEP> et <SEP> détectées <SEP> par <SEP> le <SEP> détecteur <SEP> 112 <SEP> à <SEP> petit
<tb> angle. <SEP> Des <SEP> composantes <SEP> de <SEP> lumière <SEP> diffusées
<tb> perpendiculairement <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> défaut <SEP> de <SEP> surface <SEP> de <SEP> la
<tb> tranche <SEP> 106 <SEP> sont <SEP> collectées <SEP> dans <SEP> une <SEP> plage <SEP> angulaire
<tb> relativement <SEP> moyenne <SEP> par <SEP> un <SEP> collecteur <SEP> (non <SEP> représenté) <SEP> à
<tb> angle <SEP> moyen <SEP> et <SEP> détectées <SEP> par <SEP> le <SEP> détecteur <SEP> 114 <SEP> à <SEP> angle
<tb> moyen. <SEP> Des <SEP> composantes <SEP> de <SEP> lumière <SEP> diffusées <SEP> vers <SEP> l'arrière
<tb> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> défaut <SEP> de <SEP> la <SEP> surface <SEP> de <SEP> la <SEP> tranche <SEP> 106 <SEP> sont
<tb> collectées <SEP> dans <SEP> une <SEP> plage <SEP> angulaire <SEP> relativement <SEP> grande <SEP> par
<tb> un <SEP> collecteur <SEP> (non <SEP> représenté) <SEP> à <SEP> grand <SEP> angle <SEP> et <SEP> détectées
<tb> par <SEP> 1e <SEP> détecteur <SEP> 116 <SEP> à <SEP> grand <SEP> angle. <SEP> Le <SEP> detecteur <SEP> 112 <SEP> à
<tb> petit <SEP> angle, <SEP> le <SEP> détecteur <SEP> 114 <SEP> à <SEP> angle <SEP> moyen <SEP> et <SEP> le <SEP> détecteur
<tb> 116 <SEP> à <SEP> grand <SEP> angle <SEP> génèrent <SEP> alors <SEP> des <SEP> valeurs <SEP> d'intensités
<tb> de <SEP> défauts <SEP> SS, <SEP> SM <SEP> et <SEP> SL <SEP> (données <SEP> d'image) <SEP> à <SEP> partir <SEP> des
<tb> intensités <SEP> lumineuses <SEP> détectées, <SEP> respectivement.
<tb> Les <SEP> principes <SEP> de <SEP> mesure <SEP> utilisés <SEP> dans <SEP> le <SEP> système
<tb> d'examen <SEP> ayant <SEP> la <SEP> configuration <SEP> montrée <SEP> sur <SEP> la <SEP> figure <SEP> 3A,
<tb> ou <SEP> la <SEP> configuration <SEP> d'un <SEP> appareil <SEP> pour <SEP> la <SEP> mise <SEP> en <SEP> #uvre <SEP> de
Figure img00100001
s <SEP> principes, <SEP> sont <SEP> décrits <SEP> en <SEP> détail <SEP> dans <SEP> le <SEP> brevet <SEP> des
<tb> Etats-Unis <SEP> d'Amérique <SEP> n <SEP> 5 <SEP> 712 <SEP> 701 <SEP> délivré <SEP> à <SEP> Clementi <SEP> et
<tb> laborateurs. <SEP> Le <SEP> système <SEP> AWIS <SEP> détermine <SEP> si <SEP> le <SEP> type <SEP> de
<tb> défaut <SEP> sur <SEP> la <SEP> tranche <SEP> est <SEP> un <SEP> défaut <SEP> du <SEP> type <SEP> POC <SEP> ou <SEP> une
<tb> particule <SEP> en <SEP> soumettant <SEP> les <SEP> valeurs <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> défaut
<tb> Sm <SEP> et <SEP> SL <SEP> obtenues <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> détecteur <SEP> à <SEP> petit
<tb> angle, <SEP> du <SEP> détecteur <SEP> 114 <SEP> à <SEP> angle <SEP> moyen <SEP> et <SEP> du <SEP> détecteur <SEP> 116 <SEP> à
<tb> grand <SEP> angle, <SEP> respectivement, <SEP> à <SEP> un <SEP> algorithme <SEP> de <SEP> distinction
<tb> défaut.
<tb> La <SEP> figure <SEP> 3B <SEP> est <SEP> un <SEP> organigramme <SEP> montrant <SEP> 'algorithme
<tb> distinction <SEP> de <SEP> défaut <SEP> utilisé <SEP> dans <SEP> le <SEP> systeme <SEP> AWIS <SEP> qui
<tb> adopte <SEP> le <SEP> système <SEP> optique <SEP> de <SEP> la <SEP> figure <SEP> 3A. <SEP> En <SEP> référence <SEP> à
<tb> figure <SEP> 3B, <SEP> les <SEP> valeurs <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> défaut <SEP> SS, <SEP> SM <SEP> et <SEP> SL
<tb> obtenues <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> détecteur <SEP> 112 <SEP> à <SEP> petit <SEP> angle, <SEP> du
<tb> détecteur <SEP> 114 <SEP> à <SEP> angle <SEP> moyen <SEP> et <SEP> du <SEP> détecteur <SEP> 116 <SEP> à <SEP> grand
<tb> angle, <SEP> comme <SEP> indiqué <SEP> sur <SEP> la <SEP> figure <SEP> 3A, <SEP> puis <SEP> un <SEP> rapport
<tb> d'intensité <SEP> SM/SL <SEP> de <SEP> la <SEP> valeur <SEP> de <SEP> dimension <SEP> de <SEP> défaut <SEP> Sm <SEP> à
<tb> la <SEP> valeur <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> défaut <SEP> SL <SEP> est <SEP> obtenu <SEP> dans <SEP> une
<tb> étape <SEP> 152. <SEP> Une <SEP> valeur <SEP> de <SEP> référence <SEP> prédéterminée <SEP> (par
<tb> exemple <SEP> 1,0) <SEP> est <SEP> établie <SEP> en <SEP> tant <SEP> que <SEP> première <SEP> valeur <SEP> de
<tb> référence <SEP> à <SEP> des <SEP> fins <SEP> de <SEP> comparaison <SEP> avec <SEP> rapport
<tb> d'intensité <SEP> SM/SL <SEP> dans <SEP> une <SEP> étape <SEP> 154. <SEP> Ensuite <SEP> rapport
<tb> d <SEP> intensité <SEP> SM/SL <SEP> est <SEP> comparé <SEP> à <SEP> la <SEP> première <SEP> valeur <SEP> de
<tb> référence <SEP> dans <SEP> une <SEP> étape <SEP> 156. <SEP> Lorsque <SEP> la <SEP> valeur <SEP> rapport
<tb> SM/SL <SEP> ne <SEP> dépasse <SEP> pas <SEP> la <SEP> première <SEP> valeur <SEP> de <SEP> référence, <SEP> 1e
<tb> défaut <SEP> est <SEP> déterminé <SEP> comme <SEP> étant <SEP> une <SEP> particule <SEP> réelle <SEP> dans
<tb> une <SEP> étape <SEP> 170. <SEP> Lorsque <SEP> la <SEP> valeur <SEP> du <SEP> rapport <SEP> SM/SL <SEP> dépasse
<tb> première <SEP> valeur <SEP> de <SEP> référence <SEP> dans <SEP> l'étape <SEP> 156, <SEP> un
<tb> rapport <SEP> d'intensité <SEP> SM/SS <SEP> de <SEP> la <SEP> valeur <SEP> de <SEP> dimension <SEP> de
<tb> défaut <SEP> Sm <SEP> à <SEP> la <SEP> valeur <SEP> de <SEP> dimension <SEP> de <SEP> défaut <SEP> SS <SEP> obtenu
<tb> dans <SEP> une <SEP> étape <SEP> 162. <SEP> Une <SEP> valeur <SEP> de <SEP> référence <SEP> prédéterminée
<tb> (par <SEP> exemple <SEP> 1,25) <SEP> est <SEP> établie <SEP> en <SEP> tant <SEP> que <SEP> seconde <SEP> valeur
<tb> de <SEP> référence <SEP> à <SEP> des <SEP> fins <SEP> de <SEP> comparaison <SEP> avec <SEP> le <SEP> rapport
<tb> d'intensité <SEP> SM/Ss <SEP> dans <SEP> une <SEP> étape <SEP> 164. <SEP> Ensuite, <SEP> rapport
<tb> d'intensité <SEP> SM/SS <SEP> est <SEP> comparé <SEP> à <SEP> la <SEP> seconde <SEP> valeur <SEP> de
<tb> référence <SEP> dans <SEP> une <SEP> étape <SEP> 166. <SEP> Lorsque <SEP> la <SEP> valeur <SEP> S..,/SS <SEP> ne
Figure img00110001
dépasse <SEP> pas <SEP> la <SEP> seconde <SEP> valeur <SEP> de <SEP> référence, <SEP> le <SEP> défaut <SEP> est
<tb> déterminé <SEP> comme <SEP> étant <SEP> une <SEP> particule <SEP> réelle <SEP> dans <SEP> l'étape
<tb> 170. <SEP> Lorsque <SEP> la <SEP> valeur <SEP> de <SEP> SM/Ss <SEP> dépasse <SEP> la <SEP> seconde <SEP> valeur
<tb> de <SEP> référence <SEP> dans <SEP> l'étape <SEP> 166, <SEP> le <SEP> défaut <SEP> détecté <SEP> sur <SEP> la
<tb> tranche <SEP> est <SEP> détermine <SEP> comme <SEP> étant <SEP> un <SEP> défaut <SEP> du <SEP> type <SEP> POC
<tb> dans <SEP> une <SEP> étape <SEP> 168.
<tb> Les <SEP> systèmes <SEP> d'examen <SEP> décrits <SEP> ci-dessus, <SEP> qui
<tb> établissent <SEP> une <SEP> distinction <SEP> entre <SEP> des <SEP> particules <SEP> POC <SEP> et <SEP> des
<tb> particules <SEP> sur <SEP> une <SEP> tranche <SEP> en <SEP> fonction <SEP> d'algorithmes <SEP> de
<tb> distinction <SEP> de <SEP> défaut <SEP> tels <SEP> que <SEP> montrés <SEP> sur <SEP> les <SEP> figures <SEP> 2B
<tb> et <SEP> 3B, <SEP> ont <SEP> un <SEP> taux <SEP> d'erreur <SEP> relativement <SEP> élevé, <SEP> en
<tb> particulier <SEP> lors <SEP> de <SEP> la <SEP> discrimination <SEP> de <SEP> défauts
<tb> microscopiques <SEP> ayant <SEP> dimensions <SEP> inférieures <SEP> à <SEP> 0,2 <SEP> Mm.
<tb> Autrement <SEP> dit, <SEP> à <SEP> ces <SEP> dimensions, <SEP> les <SEP> particules <SEP> POC <SEP> sont
<tb> souvent <SEP> détectées <SEP> comme <SEP> etant <SEP> des <SEP> particules <SEP> réelles.
<tb> En <SEP> particulier, <SEP> lors <SEP> de <SEP> l'examen <SEP> de <SEP> la <SEP> surface <SEP> d'une
<tb> tranche <SEP> et <SEP> d'une <SEP> mesure <SEP> dimensions <SEP> des <SEP> défauts <SEP> détectés
<tb> en <SEP> utilisant <SEP> les <SEP> systèmes <SEP> d'examen <SEP> décrits <SEP> ci-dessus, <SEP> il
<tb> apparaît <SEP> que <SEP> des <SEP> defauts <SEP> déterminés <SEP> comme <SEP> étant <SEP> des
<tb> particules <SEP> POC <SEP> ont <SEP> sensiblement <SEP> des <SEP> dimensions <SEP> comprises
<tb> entre <SEP> 0,12 <SEP> et <SEP> 0,16 <SEP> que <SEP> des <SEP> défauts <SEP> déterminés <SEP> comme
<tb> étant <SEP> des <SEP> particules <SEP> réelles <SEP> ont <SEP> sensiblement <SEP> des
<tb> dimensions <SEP> supérieures <SEP> ou <SEP> égales <SEP> à <SEP> 0,16 <SEP> Mm. <SEP> De <SEP> plus,
<tb> conformément <SEP> aux <SEP> algorithmes <SEP> de <SEP> distinction <SEP> de <SEP> défaut <SEP> des
<tb> systèmes <SEP> d'examen <SEP> tels <SEP> décrits <SEP> ci-dessus, <SEP> seules <SEP> des
<tb> particules <SEP> POC <SEP> ou <SEP> des <SEP> particules <SEP> ayant <SEP> des <SEP> dimensions
<tb> supérieures <SEP> ou <SEP> égales <SEP> à <SEP> 0, <SEP> Mm <SEP> peuvent <SEP> être <SEP> distinguées.
<tb> Cependant, <SEP> en <SEP> utilisant <SEP> un <SEP> microscope <SEP> à <SEP> force <SEP> atomique
<tb> (MFA), <SEP> il <SEP> a <SEP> été <SEP> confirmé <SEP> la <SEP> plupart <SEP> des <SEP> particules <SEP> POC
<tb> ont <SEP> sensiblement <SEP> des <SEP> dimensions <SEP> inférieures <SEP> à <SEP> 0,16 <SEP> Mm. <SEP> De
<tb> plus, <SEP> lorsque <SEP> les <SEP> dimensions <SEP> des <SEP> défauts <SEP> déterminées <SEP> comme
<tb> étant <SEP> des <SEP> particules <SEP> POC <SEP> conformément <SEP> aux <SEP> algorithmes <SEP> de
<tb> distinction <SEP> de <SEP> défaut <SEP> dans <SEP> les <SEP> systèmes <SEP> d'examen <SEP> décrits
<tb> ci-dessus <SEP> sont <SEP> détectées <SEP> comme <SEP> étant <SEP> supérieures <SEP> ou <SEP> égales
<tb> à <SEP> 0,16 <SEP> Mm, <SEP> il <SEP> s'avère <SEP> (par <SEP> essai <SEP> sous <SEP> microscope <SEP> MFA) <SEP> que
Figure img00120001
les <SEP> défauts <SEP> n'étaient <SEP> pratiquement <SEP> pas <SEP> des <SEP> particules <SEP> ,
<tb> mais <SEP> étaient <SEP> plutôt <SEP> des <SEP> particules <SEP> réelles.
<tb> Pendant <SEP> la <SEP> fabrication <SEP> de <SEP> tranches <SEP> utilisant
<tb> procédé <SEP> CZ, <SEP> du <SEP> fait <SEP> du <SEP> comportement <SEP> thermique <SEP> de <SEP> défauts
<tb> ponctuels <SEP> provoqués <SEP> par <SEP> la <SEP> différence <SEP> de <SEP> répartition
<tb> chaleur <SEP> à <SEP> la <SEP> limite <SEP> entre <SEP> le <SEP> silicium <SEP> fondu <SEP> et <SEP> le <SEP> silicium
<tb> monocristallin <SEP> apparaissant <SEP> lors <SEP> de <SEP> la <SEP> croissance
<tb> silicium <SEP> monocristallin <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> silicium <SEP> fondu, <SEP> des
<tb> lacunes <SEP> réseau <SEP> cristallin <SEP> provoquant <SEP> des <SEP> défauts
<tb> cristallins <SEP> tels <SEP> que <SEP> des <SEP> particules <SEP> POC <SEP> apparaissent
<tb> principalement <SEP> dans <SEP> la <SEP> zone <SEP> centrale <SEP> de <SEP> la <SEP> tranche. <SEP> Une
<tb> zone <SEP> se <SEP> trouvant <SEP> à <SEP> une <SEP> distance <SEP> prédéterminée <SEP> du <SEP> centre <SEP> de
<tb> la <SEP> tranche <SEP> forme <SEP> une <SEP> zone <SEP> riche <SEP> en <SEP> interstitiels <SEP> (appelée
<tb> ci-après <SEP> zone <SEP> riche <SEP> en <SEP> I) <SEP> ayant <SEP> uniquement <SEP> des <SEP> défauts
<tb> causés <SEP> des <SEP> atomes <SEP> interstitiels, <SEP> c'est-à-dire <SEP> dans <SEP> un
<tb> site <SEP> anormal. <SEP> Pour <SEP> la <SEP> zone <SEP> centrale <SEP> de <SEP> la <SEP> tranche <SEP> dans
<tb> laquelle <SEP> particules <SEP> POC <SEP> peuvent <SEP> apparaître, <SEP> à <SEP> savoir
<tb> une <SEP> zone <SEP> riche <SEP> en <SEP> lacunes <SEP> (appelée <SEP> ci-après <SEP> zone <SEP> riche <SEP> en
<tb> L), <SEP> l'étendue <SEP> de <SEP> la <SEP> zone <SEP> riche <SEP> en <SEP> L <SEP> est <SEP> prédéterminée <SEP> en
<tb> fonction <SEP> du <SEP> type <SEP> de <SEP> la <SEP> tranche <SEP> pendant <SEP> la <SEP> fabrication <SEP> de <SEP> la
<tb> tranche <SEP> et <SEP> peut <SEP> être <SEP> ajustée. <SEP> L'étendue <SEP> de <SEP> la <SEP> zone <SEP> riche <SEP> en
<tb> L <SEP> d'une <SEP> tranche <SEP> d'un <SEP> certain <SEP> type <SEP> est <SEP> la <SEP> même <SEP> que <SEP> celle
<tb> d'une <SEP> autre <SEP> tranche <SEP> du <SEP> même <SEP> type.
<tb> Cependant, <SEP> conformément <SEP> aux <SEP> algorithmes <SEP> de <SEP> distinction
<tb> de <SEP> défaut <SEP> adoptés <SEP> dans <SEP> des <SEP> procédés <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> tranche
<tb> utilisant <SEP> les <SEP> systèmes <SEP> d'examen <SEP> décrits <SEP> ci-dessus,
<tb> défauts <SEP> detectés <SEP> dans <SEP> la <SEP> zone <SEP> riche <SEP> en <SEP> I <SEP> sont <SEP> parfois
<tb> déterminés <SEP> comme <SEP> étant <SEP> des <SEP> particules <SEP> POC. <SEP> Lorsque
<tb> défauts <SEP> detectés <SEP> dans <SEP> la <SEP> zone <SEP> riche <SEP> en <SEP> I <SEP> sont <SEP> déterminés
<tb> comme <SEP> étant <SEP> des <SEP> particules <SEP> POC <SEP> conformément <SEP> aux <SEP> algorithmes
<tb> de <SEP> distinction <SEP> de <SEP> défaut <SEP> des <SEP> systèmes <SEP> d'examen, <SEP> ces
<tb> résultats <SEP> de <SEP> la <SEP> distinction <SEP> sont <SEP> tous <SEP> erronés. <SEP> Des
<tb> résultats <SEP> d'essai <SEP> confirmés <SEP> en <SEP> utilisant <SEP> un <SEP> microscope
<tb> sont <SEP> également <SEP> à <SEP> l'appui <SEP> de <SEP> ce <SEP> jugement.
<tb> Par <SEP> conséquent, <SEP> pour <SEP> améliorer <SEP> le <SEP> rendement <SEP> pendant
<tb> fabrication <SEP> de <SEP> dispositifs <SEP> LSI <SEP> à <SEP> intégration <SEP> extrêmement
Figure img00130001
poussée <SEP> exigeant <SEP> une <SEP> gestion <SEP> parfaite <SEP> des <SEP> substances
<tb> étrangères <SEP> ayant <SEP> des <SEP> diamètres <SEP> de <SEP> 0,1 <SEP> à <SEP> 0,2 <SEP> Mm <SEP> ou <SEP> moins, <SEP> '
<tb> est <SEP> nécessaire <SEP> de <SEP> développer <SEP> un <SEP> algorithme <SEP> nouveau <SEP> pour
<tb> déterminer <SEP> avec <SEP> précision <SEP> si <SEP> des <SEP> défauts <SEP> se <SEP> trouvant
<tb> une <SEP> tranche <SEP> sont <SEP> du <SEP> type <SEP> POC <SEP> ou <SEP> des <SEP> particules <SEP> en <SEP> tenant
<tb> compte <SEP> causes <SEP> d'erreur <SEP> qui <SEP> peuvent <SEP> apparaître <SEP> dans <SEP> les
<tb> algorithmes <SEP> de <SEP> distinction <SEP> d'examen <SEP> utilisés <SEP> dans <SEP> des
<tb> systèmes <SEP> existants <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> tranche <SEP> tels <SEP> que <SEP> décrits <SEP> ci dessus, <SEP> afin <SEP> de <SEP> minimiser <SEP> les <SEP> taux <SEP> d'erreur.
<tb> La <SEP> figure <SEP> 4 <SEP> est <SEP> un <SEP> organigramme <SEP> montrant <SEP> un <SEP> algorithme
<tb> de <SEP> distinction <SEP> de <SEP> défaut <SEP> adopté <SEP> dans <SEP> un <SEP> procédé <SEP> d'examen <SEP> de
<tb> surface <SEP> tranche <SEP> selon <SEP> une <SEP> forme <SEP> appréciée <SEP> de <SEP> réalisation
<tb> de <SEP> l'invention. <SEP> L'algorithme <SEP> de <SEP> distinction <SEP> de <SEP> défaut
<tb> décrit <SEP> en <SEP> regard <SEP> de <SEP> la <SEP> figure <SEP> 4 <SEP> peut <SEP> être <SEP> appliqué
<tb> systèmes <SEP> existants <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> tranche <SEP> décrits <SEP> ci-dessus.
<tb> En <SEP> référence <SEP> à <SEP> la <SEP> figure <SEP> 4, <SEP> une <SEP> dimension <SEP> SD <SEP> d <SEP> un
<tb> défaut <SEP> sur <SEP> une <SEP> tranche <SEP> est <SEP> d'abord <SEP> mesurée <SEP> en <SEP> utilisant
<tb> système <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> tranche <SEP> (tel <SEP> que <SEP> ceux <SEP> décrits
<tb> ci-dessus) <SEP> dans <SEP> une <SEP> étape <SEP> 212. <SEP> Une <SEP> valeur <SEP> limite <SEP> d'
<tb> dimension <SEP> maximale <SEP> de <SEP> défaut <SEP> POC <SEP> apparaissant <SEP> sur <SEP> la
<tb> tranche <SEP> établie <SEP> dans <SEP> une <SEP> étape <SEP> 214. <SEP> -ci, <SEP> en <SEP> fonction
<tb> des <SEP> résultats <SEP> d'un <SEP> examen <SEP> utilisant <SEP> un <SEP> microscope <SEP> MFA, <SEP> on <SEP> a
<tb> démontre <SEP> la <SEP> dimension <SEP> maximale <SEP> de <SEP> défaut <SEP> POC <SEP> sur <SEP> une
<tb> tranche <SEP> est <SEP> d'environ <SEP> 0,16 <SEP> Mm <SEP> et <SEP> que <SEP> des <SEP> défauts <SEP> supérieurs
<tb> à <SEP> 0,16 <SEP> étaient <SEP> des <SEP> particules. <SEP> Par <SEP> conséquent, <SEP> dans <SEP> la
<tb> forme <SEP> réalisation <SEP> de <SEP> l'invention, <SEP> la <SEP> valeur <SEP> limite <SEP> de <SEP> la
<tb> dimension <SEP> maximale <SEP> des <SEP> défauts <SEP> POC <SEP> est <SEP> établie <SEP> à <SEP> 0,16
<tb> dans <SEP> l'etape <SEP> 214.
<tb> Ensuite, <SEP> la <SEP> dimension <SEP> de <SEP> défaut <SEP> mesurée <SEP> SD
<tb> comparée <SEP> à <SEP> la <SEP> valeur <SEP> limite <SEP> dans <SEP> une <SEP> étape <SEP> 216. <SEP> Lorsque <SEP> la
<tb> dimension <SEP> de <SEP> défaut <SEP> mesurée <SEP> SD <SEP> est <SEP> supérieure <SEP> ou <SEP> égale <SEP> à
<tb> valeur <SEP> imite, <SEP> à <SEP> savoir <SEP> 0,16 <SEP> Mm <SEP> dans <SEP> l'étape <SEP> 216, <SEP> le <SEP> défaut
<tb> est <SEP> déterminé <SEP> comme <SEP> étant <SEP> une <SEP> particule <SEP> dans <SEP> une <SEP> étape
<tb> Lorsque <SEP> la <SEP> dimension <SEP> de <SEP> défaut <SEP> mesurée <SEP> SD <SEP> est <SEP> inférieure <SEP> à
<tb> la <SEP> valeur <SEP> limite <SEP> de <SEP> 0,16 <SEP> Mm <SEP> dans <SEP> l'étape <SEP> 216, <SEP> il
Figure img00140001
déterminé <SEP> que <SEP> d'autres <SEP> étapes <SEP> de <SEP> distinction <SEP> sont
<tb> nécessaires.
<tb> Lorsque <SEP> la <SEP> dimension <SEP> de <SEP> défaut <SEP> rr.esuree <SEP> S, <SEP> est
<tb> inferieur_e <SEP> à <SEP> la <SEP> valeur <SEP> limite <SEP> de <SEP> 0,16 <SEP> um, <SEP> on <SEP> procède <SEP> à <SEP> une
<tb> distinction <SEP> supplémentaire <SEP> du <SEP> défaut <SEP> en <SEP> se <SEP> basant <SEP> sur <SEP> une
<tb> corrélation <SEP> entre <SEP> plusieurs <SEP> valeurs <SEP> d'intensité <SEP> obtenues <SEP> à
<tb> partir <SEP> de <SEP> plusieurs <SEP> détecteurs <SEP> de <SEP> fond <SEP> noir <SEP> situés <SEP> dans <SEP> le
<tb> système <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> tranche <SEP> dans <SEP> une <SEP> étape <SEP> 220. <SEP> Une
<tb> corrélation <SEP> prédéterminée <SEP> entre <SEP> la <SEP> pluralité <SEP> valeurs
<tb> d'intensité <SEP> est <SEP> obtenue <SEP> dans <SEP> une <SEP> étape <SEP> 222, <SEP> puis <SEP> il <SEP> est
<tb> déterminé <SEP> si <SEP> la <SEP> corrélation <SEP> entre <SEP> les <SEP> valeurs <SEP> 'intensité
<tb> satisfait <SEP> à <SEP> une <SEP> condition <SEP> de <SEP> référence <SEP> prédéterminée <SEP> dans
<tb> une <SEP> étape <SEP> 224. <SEP> En <SEP> fonction <SEP> du <SEP> résultat <SEP> de <SEP> cette
<tb> détermination, <SEP> on <SEP> distingue <SEP> le <SEP> type <SEP> du <SEP> défaut. <SEP> Autrement
<tb> dit <SEP> si <SEP> la <SEP> corrélation <SEP> entre <SEP> les <SEP> valeurs <SEP> d'intensité <SEP> ne
<tb> satisfait <SEP> pas <SEP> à <SEP> la <SEP> condition <SEP> de <SEP> référence <SEP> prédéterminée, <SEP> le
<tb> défaut <SEP> est <SEP> distingué <SEP> comme <SEP> étant <SEP> une <SEP> particule. <SEP> contre,
<tb> si <SEP> la <SEP> condition <SEP> de <SEP> référence <SEP> est <SEP> satisfaite, <SEP> une
<tb> distinction <SEP> supplémentaire <SEP> du <SEP> défaut <SEP> est <SEP> alors <SEP> necessaire.
<tb> La <SEP> condition <SEP> de <SEP> corrélation <SEP> et <SEP> de <SEP> référence
<tb> prédéterminée <SEP> de <SEP> l'étape <SEP> 220 <SEP> peut <SEP> être <SEP> adoptée <SEP> et <SEP> analysée
<tb> de <SEP> la <SEP> même <SEP> manière <SEP> que <SEP> celle <SEP> décrite <SEP> ci-dessus <SEP> en
<tb> association <SEP> avec <SEP> les <SEP> algorithmes <SEP> de <SEP> la <SEP> figure <SEP> 2B <SEP> ou <SEP> de <SEP> la
<tb> figure <SEP> 3B.
<tb> Par <SEP> exemple, <SEP> dans <SEP> le <SEP> cas <SEP> de <SEP> l'adoption <SEP> de <SEP> l'algorithme
<tb> de <SEP> figure <SEP> 2B, <SEP> des <SEP> valeurs <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> défaut <SEP> S;.; <SEP> et <SEP> SN
<tb> sont <SEP> obtenues <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> tube <SEP> TPM <SEP> 22 <SEP> à <SEP> grand <SEP> angle <SEP> et <SEP> du
<tb> tube <SEP> TPM <SEP> 24 <SEP> à <SEP> petit <SEP> angle, <SEP> respectivement. <SEP> Ensuite, <SEP> on
<tb> obtient <SEP> dans <SEP> l'étape <SEP> 222 <SEP> un <SEP> rapport <SEP> d'intensité <SEP> SN/S;., <SEP> en
<tb> tant <SEP> que <SEP> corrélation <SEP> entre <SEP> ces <SEP> valeurs <SEP> d'intensité <SEP> de
<tb> défaut. <SEP> Une <SEP> valeur <SEP> de <SEP> référence <SEP> prédéterminée <SEP> (par <SEP> exemple
<tb> 1, <SEP> , <SEP> qui <SEP> est <SEP> établie <SEP> de <SEP> la <SEP> même <SEP> manière <SEP> que <SEP> celle <SEP> décrite
<tb> dans <SEP> l'étape <SEP> 54 <SEP> de <SEP> la <SEP> figure <SEP> 2B, <SEP> est <SEP> ensuite <SEP> comparée <SEP> au
<tb> rapport <SEP> d'intensité <SEP> SN/Sw. <SEP> Il <SEP> est <SEP> ensuite <SEP> déterminé <SEP> si <SEP> la
<tb> condition <SEP> de <SEP> référence <SEP> SN/SW>1,2 <SEP> est <SEP> satisfaite <SEP> dans
<tb> l'étape <SEP> 224.
Figure img00150001
Lorsque <SEP> la <SEP> corrélation <SEP> représentée <SEP> en <SEP> tant <SEP> que <SEP> rapport
<tb> d'intensité <SEP> SN/S4, <SEP> ne <SEP> satisfait <SEP> pas <SEP> à <SEP> la <SEP> condition <SEP> dans
<tb> l'étape <SEP> le <SEP> défaut <SEP> est <SEP> déterminé <SEP> comme <SEP> étant <SEP> une
<tb> particule <SEP> dans <SEP> l'étape <SEP> 244. <SEP> Lorsque <SEP> la <SEP> corrélation
<tb> satisfait <SEP> a <SEP> la <SEP> condition <SEP> de <SEP> référence <SEP> dans <SEP> l'étape <SEP> 224, <SEP> il
<tb> est <SEP> déterminé <SEP> qu'une <SEP> distinction <SEP> supplémentaire <SEP> du <SEP> défaut
<tb> est <SEP> nécessaire.
<tb> Lorsqu'on <SEP> adopte <SEP> plutôt <SEP> l'algorithme <SEP> de <SEP> la <SEP> figure <SEP> 3B
<tb> comme <SEP> indiqué <SEP> à <SEP> l'étape <SEP> 220, <SEP> on <SEP> obtient <SEP> des <SEP> valeurs
<tb> d'intensités <SEP> de <SEP> défaut <SEP> SS, <SEP> Sr, <SEP> et <SEP> S=, <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> détecteur
<tb> 112 <SEP> à <SEP> petit <SEP> angle, <SEP> du <SEP> détecteur <SEP> 114 <SEP> à <SEP> angle <SEP> moyen <SEP> et
<tb> détecteur <SEP> à <SEP> grand <SEP> angle, <SEP> respectivement. <SEP> Ensuite, <SEP> dans
<tb> l'étape <SEP> 222 <SEP> en <SEP> tant <SEP> que <SEP> première <SEP> corrélation <SEP> entre
<tb> valeurs <SEP> d'intensités <SEP> de <SEP> défaut, <SEP> on <SEP> obtient <SEP> un <SEP> rapport
<tb> d'intensité <SEP> SM/SL <SEP> de <SEP> la <SEP> même <SEP> manière <SEP> que <SEP> dans <SEP> l'étape
<tb> de <SEP> la <SEP> figure <SEP> 3B <SEP> et, <SEP> en <SEP> tant <SEP> que <SEP> seconde <SEP> corrélation. <SEP> entre
<tb> les <SEP> valeurs <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> défaut, <SEP> on <SEP> obtient <SEP> un. <SEP> rapport
<tb> d'intensité <SEP> SM/SS <SEP> de <SEP> la <SEP> même <SEP> manière <SEP> que <SEP> dans <SEP> l'étape <SEP> 162
<tb> de <SEP> la <SEP> figure <SEP> 3B. <SEP> Ensuite, <SEP> pour <SEP> déterminer <SEP> si <SEP> les <SEP> première
<tb> et <SEP> seconde <SEP> corrélations <SEP> satisfont <SEP> à <SEP> des <SEP> conditions
<tb> référence <SEP> prédéterminées, <SEP> on <SEP> adopte <SEP> les <SEP> mêmes <SEP> procédés <SEP> que
<tb> dans <SEP> les <SEP> étapes <SEP> 156 <SEP> et <SEP> 166 <SEP> de <SEP> la <SEP> figure <SEP> 3B, <SEP> sauf <SEP> que
<tb> première <SEP> et <SEP> seconde <SEP> valeurs <SEP> de <SEP> référence <SEP> sont <SEP> établies <SEP> à
<tb> 1,14 <SEP> dans <SEP> présente <SEP> forme <SEP> de <SEP> réalisation, <SEP> dans <SEP> l'étape
<tb> 224. <SEP> Une <SEP> première <SEP> condition <SEP> de <SEP> référence <SEP> est <SEP> prédéterminée
<tb> sous <SEP> la <SEP> forme <SEP> SM/SL>1,14. <SEP> Il <SEP> est <SEP> ensuite <SEP> déterminé <SEP> si <SEP> la
<tb> première <SEP> condition <SEP> de <SEP> référence <SEP> est <SEP> satisfaite, <SEP> c'est-à dire <SEP> si <SEP> première <SEP> corrélation <SEP> dépasse <SEP> la <SEP> première <SEP> valeur
<tb> de <SEP> référence. <SEP> De <SEP> plus, <SEP> une <SEP> seconde <SEP> condition <SEP> de <SEP> référence
<tb> est <SEP> prédéterminée <SEP> sous <SEP> la <SEP> forme <SEP> Sfr/SS>1, <SEP> 14. <SEP> Il <SEP> est <SEP> ensuite
<tb> déterminé <SEP> si <SEP> la <SEP> seconde <SEP> condi@.ion <SEP> de <SEP> référence <SEP> est
<tb> satisfaite, <SEP> c'est-à-dire <SEP> si <SEP> la <SEP> seconde <SEP> corrélation <SEP> dépasse
<tb> 1a <SEP> seconde <SEP> valeur <SEP> de <SEP> référence. <SEP> Les <SEP> première <SEP> et <SEP> seconde
<tb> valeurs <SEP> de <SEP> référence <SEP> prédéterminées <SEP> peuvent <SEP> être <SEP> modifiées
<tb> en <SEP> fonction <SEP> des <SEP> conditions <SEP> de <SEP> traitement <SEP> ou <SEP> des <SEP> conditions
<tb> de <SEP> l'installation.
Figure img00160001
Lorsque <SEP> l'une <SEP> ou <SEP> l'autre <SEP> de <SEP> la <SEP> première <SEP> condition <SEP> de
<tb> référence <SEP> de <SEP> la <SEP> seconde <SEP> condition <SEP> de <SEP> référence <SEP> n <SEP> est <SEP> pas
<tb> satisfaite <SEP> le <SEP> défaut <SEP> est <SEP> déterminé <SEP> comme <SEP> étant <SEP> une
<tb> particule <SEP> dans <SEP> l'étape <SEP> 244. <SEP> Lorsque <SEP> les <SEP> première <SEP> et <SEP> seconde
<tb> conditions <SEP> de <SEP> référence <SEP> sont <SEP> toutes <SEP> deux <SEP> satisfaites, <SEP> il
<tb> est <SEP> déterminé <SEP> que <SEP> des <SEP> étapes <SEP> supplémentaires <SEP> de <SEP> di <SEP> inction
<tb> de <SEP> défaut <SEP> sont <SEP> nécessaires.
<tb> Lorsque <SEP> la <SEP> condition <SEP> ou <SEP> les <SEP> conditions <SEP> sont <SEP> toutes
<tb> satisfaites <SEP> dans <SEP> l'étape <SEP> 224, <SEP> l'emplacement <SEP> du <SEP> défaut <SEP> est
<tb> mesuré <SEP> en <SEP> utilisant <SEP> le <SEP> système <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> tranche <SEP> dans <SEP> une
<tb> étape <SEP> 232. <SEP> Ensuite, <SEP> il <SEP> est <SEP> déterminé <SEP> si <SEP> l'emplacement <SEP> du
<tb> défaut <SEP> tombe <SEP> dans <SEP> la <SEP> zone <SEP> riche <SEP> en <SEP> L <SEP> ou <SEP> dans <SEP> la <SEP> zone <SEP> riche
<tb> en <SEP> I <SEP> sur <SEP> la <SEP> tranche <SEP> dans <SEP> une <SEP> étape <SEP> 234. <SEP> Par <SEP> exemple, <SEP> dans
<tb> le <SEP> cas <SEP> d' <SEP> tranche <SEP> ayant <SEP> une <SEP> zone <SEP> riche <SEP> en <SEP> I <SEP> s'étendant
<tb> depuis <SEP> le <SEP> bord <SEP> de <SEP> la <SEP> tranche <SEP> sur <SEP> un <SEP> rayon <SEP> de <SEP> 50 <SEP> mm <SEP> et <SEP> une
<tb> zone <SEP> riche <SEP> V <SEP> située <SEP> dans <SEP> la <SEP> partie <SEP> centrale <SEP> restante <SEP> de
<tb> la <SEP> tranche <SEP> il <SEP> est <SEP> déterminé <SEP> si <SEP> l'emplacement <SEP> du <SEP> défaut <SEP> est
<tb> en <SEP> dehors <SEP> la <SEP> plage <SEP> s'étendant <SEP> du <SEP> bord <SEP> de <SEP> la <SEP> tranche
<tb> jusqu'au <SEP> rayon <SEP> de <SEP> 50 <SEP> mm <SEP> dans <SEP> l'étape <SEP> 234.
<tb> Lorsque <SEP> l'emplacement <SEP> du <SEP> défaut <SEP> ne <SEP> se <SEP> trouve <SEP> pas <SEP> dans
<tb> la <SEP> zone <SEP> riche <SEP> en <SEP> L <SEP> sur <SEP> la <SEP> tranche <SEP> dans <SEP> l'étape <SEP> 234, <SEP> le
<tb> défaut <SEP> est <SEP> déterminé <SEP> comme <SEP> étant <SEP> une <SEP> particule <SEP> dans <SEP> l'étape
<tb> 244. <SEP> Lorsque <SEP> l'emplacement <SEP> du <SEP> défaut <SEP> se <SEP> trouve <SEP> dans <SEP> la <SEP> zone
<tb> riche <SEP> en <SEP> sur <SEP> la <SEP> tranche, <SEP> le <SEP> défaut <SEP> est <SEP> déterminé <SEP> comme
<tb> étant <SEP> du <SEP> type <SEP> POC <SEP> dans <SEP> l'étape <SEP> 242.
<tb> En <SEP> plus <SEP> des <SEP> conditions <SEP> de <SEP> distinction <SEP> adoptées <SEP> dans
<tb> les <SEP> algorithmes <SEP> de <SEP> distinction <SEP> de <SEP> défaut <SEP> de <SEP> systèmes
<tb> existants <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> tranches, <SEP> le <SEP> procédé <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> la
<tb> surface <SEP> d'une <SEP> tranche <SEP> selon <SEP> la <SEP> présente <SEP> invention <SEP> utilise
<tb> un <SEP> algorithme <SEP> qui <SEP> détermine <SEP> en <SEP> outre <SEP> si <SEP> la <SEP> dimension <SEP> d'un
<tb> défaut <SEP> est <SEP> inférieure <SEP> à <SEP> une <SEP> valeur <SEP> limite <SEP> représentant <SEP> la
<tb> dimension <SEP> maximale <SEP> de <SEP> défauts <SEP> POC <SEP> et <SEP> qui <SEP> détermine <SEP> en <SEP> outre
<tb> si <SEP> le <SEP> défaut <SEP> apparaît <SEP> dans <SEP> la <SEP> zone <SEP> riche <SEP> en <SEP> L <SEP> sur <SEP> une
<tb> tranche, <SEP> de <SEP> manière <SEP> à <SEP> distinguer <SEP> de <SEP> façon <SEP> plus <SEP> précise <SEP> le
<tb> type <SEP> de <SEP> défaut <SEP> sur <SEP> la <SEP> tranche. <SEP> Par <SEP> conséquent, <SEP> le <SEP> cas <SEP> dans
<tb> lequel <SEP> un <SEP> défaut <SEP> ayant <SEP> une <SEP> dimension <SEP> supérieure <SEP> à <SEP> une
Figure img00170001
dimension <SEP> maximale <SEP> des <SEP> défauts <SEP> est <SEP> distingué <SEP> comme
<tb> étant <SEP> un <SEP> défaut <SEP> POC <SEP> et <SEP> le <SEP> cas <SEP> dans <SEP> lequel <SEP> un <SEP> défaut <SEP> dans <SEP> la
<tb> zone <SEP> riche <SEP> en <SEP> I <SEP> est <SEP> distingué <SEP> comme <SEP> étant <SEP> un <SEP> défaut <SEP> POC
<tb> sont <SEP> évités, <SEP> ce <SEP> qui <SEP> minimise <SEP> le <SEP> taux <SEP> d'erreur <SEP> pendant <SEP> le
<tb> processus <SEP> global <SEP> de <SEP> distinction.
<tb> En <SEP> outre, <SEP> l'algorithme <SEP> de <SEP> distinction <SEP> de <SEP> défaut
<tb> conforme <SEP> au <SEP> procédé <SEP> d'examen <SEP> l'invention <SEP> peut <SEP> être
<tb> appliqué <SEP> à <SEP> des <SEP> systèmes <SEP> d'examen <SEP> existants. <SEP> Le <SEP> fait <SEP> de
<tb> combiner <SEP> le <SEP> système <SEP> d'examen <SEP> avec <SEP> un <SEP> outil <SEP> multiposte
<tb> permet <SEP> à <SEP> la <SEP> surface <SEP> d'une <SEP> tranche <SEP> d'être <SEP> examinée <SEP> par <SEP> un
<tb> contrôle <SEP> in <SEP> situ <SEP> pendant <SEP> la <SEP> fabrication <SEP> de <SEP> dispositifs
<tb> semi-conducteurs. <SEP> L'invention <SEP> détermine <SEP> également <SEP> de <SEP> façon
<tb> précise <SEP> et <SEP> rapide <SEP> le <SEP> type <SEP> de <SEP> défaut <SEP> sur <SEP> une <SEP> tranche <SEP> en
<tb> utilisant <SEP> un <SEP> procédé <SEP> non <SEP> destructif, <SEP> améliorant <SEP> ainsi <SEP> la
<tb> productivité.
<tb> Il <SEP> va <SEP> de <SEP> soi <SEP> que <SEP> de <SEP> nombreuses <SEP> modifications <SEP> peuvent
<tb> être <SEP> apportées <SEP> au <SEP> procédé <SEP> décrit <SEP> représenté <SEP> sans <SEP> sortir
<tb> du <SEP> cadre <SEP> de <SEP> l'invention. <SEP> A <SEP> titre <SEP> uniquement <SEP> d'exemple, <SEP> il
<tb> est <SEP> évident <SEP> pour <SEP> un <SEP> spécialiste <SEP> la <SEP> technique <SEP> qu'on <SEP> peut
<tb> aisément <SEP> modifier <SEP> l'ordre <SEP> des <SEP> étapes <SEP> de <SEP> traitement
<tb> apparaissant <SEP> sur <SEP> la <SEP> figure <SEP> a. <SEP> Ainsi <SEP> la <SEP> distinction <SEP> de <SEP> la
<tb> dimension <SEP> (étapes <SEP> 212 <SEP> à <SEP> 216), <SEP> la <SEP> distinction <SEP> de <SEP> l'intensité
<tb> de <SEP> la <SEP> lumière <SEP> (étape <SEP> 220) <SEP> et <SEP> la <SEP> distinction <SEP> de
<tb> l'emplacement <SEP> (étapes <SEP> 232 <SEP> à <SEP> 234) <SEP> peuvent <SEP> être <SEP> exécutées
<tb> dans <SEP> n'importe <SEP> quel <SEP> ordre.

Claims (2)

    <U>REVENDICATIONS</U> <tb> 1. <SEP> Procédé <SEP> pour <SEP> examiner <SEP> la <SEP> surface <SEP> d'une <SEP> tranche <tb> afin <SEP> d'établir <SEP> une <SEP> distinction <SEP> entre <SEP> des <SEP> types <SEP> de <SEP> défauts <tb> sur <SEP> une <SEP> tranche <SEP> (16) <SEP> en <SEP> fonction <SEP> de <SEP> mesures <SEP> de <SEP> défaut <tb> obtenues <SEP> à <SEP> partir <SEP> d'un <SEP> système <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> tranche <SEP> qui <tb> comprend <SEP> plusieurs <SEP> détecteurs <SEP> (20) <SEP> de <SEP> fond <SEP> noir, <SEP> le <SEP> procédé <tb> étant <SEP> caractérisé <SEP> en <SEP> ce <SEP> qu'il <SEP> comprend <SEP> les <SEP> etapes <SEP> dans <tb> lesquelles on <SEP> détermine <SEP> si <SEP> une <SEP> première <SEP> condition <SEP> est <tb> satisfaite, <SEP> condition <SEP> dans <SEP> laquelle <SEP> une <SEP> dimension <SEP> d'un <tb> defaut <SEP> sur <SEP> la <SEP> tranche, <SEP> mesuré <SEP> par <SEP> le <SEP> système <SEP> 'examen <SEP> de <tb> tranche, <SEP> est <SEP> inférieure <SEP> à <SEP> une <SEP> valeur <SEP> limite <SEP> indiquant <SEP> une <tb> dimension <SEP> maximale <SEP> de <SEP> particules <SEP> d'origine <SEP> cristalline <SEP> POC) <SEP> ; <tb> on <SEP> détermine <SEP> si <SEP> une <SEP> deuxième <SEP> condition <SEP> est <tb> isfaite, <SEP> condition <SEP> dans <SEP> laquelle <SEP> une <SEP> corrélation <SEP> entre <tb> plusieurs <SEP> valeurs <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> lumière <SEP> de <SEP> défaut <tb> detectées <SEP> par <SEP> la <SEP> pluralité <SEP> de <SEP> détecteurs <SEP> de <SEP> fond <SEP> noir <tb> isfait <SEP> à <SEP> une <SEP> valeur <SEP> de <SEP> référence; <tb> on <SEP> détermine <SEP> si <SEP> une <SEP> troisième <SEP> condition <SEP> est <tb> isfaite, <SEP> condition <SEP> dans <SEP> laquelle <SEP> un <SEP> emplacement <SEP> du <tb> défaut <SEP> mesuré <SEP> par <SEP> le <SEP> système <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> tranche <SEP> se <SEP> trouve <tb> à <SEP> l'intérieur <SEP> d'une <SEP> zone <SEP> riche <SEP> en <SEP> lacunes <SEP> de <SEP> la <SEP> tranche; <SEP> et <tb> on <SEP> détermine <SEP> que <SEP> le <SEP> type <SEP> du <SEP> défaut <SEP> est <SEP> une <tb> particule <SEP> d'origine <SEP> cristalline <SEP> lorsque <SEP> les <SEP> première, <tb> deuxième <SEP> et <SEP> troisième <SEP> conditions <SEP> sont <SEP> toutes <SEP> isfaites, <tb> et <SEP> on <SEP> détermine <SEP> que <SEP> le <SEP> type <SEP> du <SEP> défaut <SEP> est <SEP> une <SEP> particule <tb> réelle <SEP> lorsque <SEP> l'une <SEP> quelconque <SEP> ou <SEP> plus <SEP> d'une <SEP> des <SEP> première, <tb> deuxième <SEP> et <SEP> troisième <SEP> conditions <SEP> n'est <SEP> pas <SEP> satisfaite. <tb> 2. <SEP> Procédé <SEP> selon <SEP> la <SEP> revendication <SEP> 1, <SEP> caractérisé <SEP> en <tb> que <SEP> la <SEP> valeur <SEP> limite <SEP> est <SEP> de <SEP> 0,16 <SEP> um. <tb> 3. <SEP> Procédé <SEP> selon <SEP> la <SEP> revendication <SEP> 1, <SEP> caractérisé <SEP> en <tb> qu'on <SEP> utilise <SEP> un <SEP> système <SEP> de <SEP> mesure <SEP> de <SEP> particule <SEP> à <tb> diffusion <SEP> en <SEP> tant <SEP> que <SEP> système <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> tranche. <tb> 4. <SEP> Procédé <SEP> selon <SEP> la <SEP> revendication <SEP> 3, <SEP> caractérisé <SEP> en <tb> ce <SEP> que <SEP> chacun <SEP> des <SEP> détecteurs <SEP> de <SEP> fond <SEP> noir <SEP> comprend <SEP> un <SEP> tube <tb> photomultiplicateur <SEP> à <SEP> grand <SEP> angle <SEP> (22) <SEP> destiné <SEP> à <SEP> détecter une <SEP> lumière <SEP> revenant <SEP> par <SEP> diffusion <SEP> du <SEP> défaut <SEP> sous <SEP> un <SEP> grand <tb> angle <SEP> et <SEP> un <SEP> tube <SEP> photomultiplicateur <SEP> (24) <SEP> à <SEP> petit <SEP> angle <tb> destiné <SEP> à <SEP> détecter <SEP> de <SEP> la <SEP> lumière <SEP> revenant <SEP> du <SEP> defaut <SEP> par <tb> diffusion <SEP> dans <SEP> un <SEP> angle <SEP> étroit. <tb> 5. <SEP> Procédé <SEP> selon <SEP> la <SEP> revendication <SEP> 4, <SEP> caractérisé <SEP> en <tb> ce <SEP> que <SEP> pluralité <SEP> de <SEP> valeurs <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> lumière <SEP> de <tb> défaut <SEP> comprend <SEP> une <SEP> valeur <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> défaut <SEP> obtenue <tb> à <SEP> partir <SEP> tube <SEP> photomultiplicateur <SEP> à <SEP> grand <SEP> angle, <SEP> et <SEP> une <tb> valeur <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> défaut <SEP> SN <SEP> obtenue <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> tube <tb> photomultiplicateur <SEP> à <SEP> petit <SEP> angle, <SEP> et <SEP> la <SEP> deuxième <SEP> condition <tb> est <SEP> lorsqu'un <SEP> rapport <SEP> d'intensité <SEP> SN/Sw <SEP> de <SEP> valeur <tb> d'intensite <SEP> S_,. <SEP> à <SEP> la <SEP> valeur <SEP> d'intensité <SEP> S,;; <SEP> dépasse <SEP> valeur <tb> de <SEP> référence.
  1. 6. <SEP> Procédé <SEP> selon <SEP> la <SEP> revendication <SEP> 3, <SEP> caracterisé <SEP> en
    <tb> ce <SEP> que <SEP> chacun <SEP> des <SEP> détecteurs <SEP> de <SEP> fond <SEP> noir <SEP> comprend <SEP> un
    <tb> détecteur <SEP> (112) <SEP> à <SEP> petit <SEP> angle <SEP> destiné <SEP> à <SEP> détecter <SEP> des
    <tb> composantes <SEP> de <SEP> lumière <SEP> diffusées <SEP> vers <SEP> l'avant <SEP> à <SEP> partir <SEP> du
    <tb> défaut <SEP> sous <SEP> un <SEP> petit <SEP> angle, <SEP> un <SEP> détecteur <SEP> (114) <SEP> à <SEP> anale
    <tb> moyen <SEP> destiné <SEP> à <SEP> détecter <SEP> des <SEP> composantes <SEP> de <SEP> lumière
    <tb> diffusées <SEP> perpendiculairement <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> défaut <SEP> sous <SEP> un
    <tb> angle <SEP> moyen <SEP> et <SEP> un <SEP> détecteur <SEP> (116) <SEP> à <SEP> grand <SEP> angle <SEP> destiné <SEP> à
    <tb> détecter <SEP> composantes <SEP> de <SEP> lumière <SEP> diffusées <SEP> vers
    <tb> l'arrière <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> défaut <SEP> sous <SEP> un <SEP> grand <SEP> angle.
    <tb> 7. <SEP> Procédé <SEP> selon <SEP> la <SEP> revendication <SEP> 6, <SEP> caracterisé <SEP> en
    <tb> ce <SEP> que <SEP> la <SEP> pluralité <SEP> de <SEP> valeurs <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> lumière <SEP> de
    <tb> défaut <SEP> comprend <SEP> une <SEP> valeur <SEP> Ss <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> lumière <SEP> de
    <tb> défaut <SEP> obtenue <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> détecteur <SEP> à <SEP> petit <SEP> angle, <SEP> une
    <tb> valeur <SEP> SM <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> lumière <SEP> de <SEP> défaut <SEP> obtenue <SEP> a <SEP> partir
    <tb> du <SEP> détecteur <SEP> à <SEP> angle <SEP> moyen <SEP> et <SEP> une <SEP> valeur <SEP> S- <SEP> d'intensité <SEP> de
    <tb> lumière <SEP> de <SEP> défaut <SEP> obtenue <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> détecteur <SEP> à <SEP> grand
    <tb> angle, <SEP> et <SEP> la <SEP> deuxième <SEP> condition <SEP> est <SEP> lorsque <SEP> à <SEP> la <SEP> fois <SEP> (a)
    <tb> un <SEP> rapport <SEP> d'intensité <SEP> SM/SL <SEP> de <SEP> la <SEP> valeur <SEP> d'intensité <SEP> Sr,. <SEP> à
    <tb> la <SEP> valeur <SEP> d'intensité <SEP> SL <SEP> dépasse <SEP> une <SEP> première <SEP> valeur <SEP> de
    <tb> référence <SEP> et <SEP> (b) <SEP> un <SEP> rapport <SEP> d'intensité <SEP> SM/Ss <SEP> de <SEP> la <SEP> valeur
    <tb> d'intensité <SEP> SM <SEP> à <SEP> la <SEP> valeur <SEP> d'intensité <SEP> Ss <SEP> dépasse <SEP> une
    <tb> seconde <SEP> valeur <SEP> de <SEP> référence.
    Figure img00200001
  2. 8. <SEP> Procédé <SEP> pour <SEP> examiner <SEP> la <SEP> surface <SEP> d'une <SEP> tranche
    <tb> afin <SEP> d'établir <SEP> une <SEP> distinction <SEP> entre <SEP> des <SEP> types <SEP> de <SEP> défauts
    <tb> sur <SEP> une <SEP> tranche <SEP> (16), <SEP> le <SEP> procédé <SEP> étant <SEP> caractérisé <SEP> en <SEP> ce
    <tb> qu'il <SEP> comprend <SEP> les <SEP> étapes <SEP> dans <SEP> lesquelles:
    <tb> on <SEP> utilise <SEP> un <SEP> système <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> tranche <SEP> pour
    <tb> mesurer <SEP> une <SEP> dimension <SEP> d'un <SEP> défaut <SEP> sur <SEP> la <SEP> tranche;
    <tb> on <SEP> détermine <SEP> si <SEP> une <SEP> première <SEP> condition <SEP> est
    <tb> satisfaite, <SEP> condition <SEP> dans <SEP> laquelle <SEP> une <SEP> dimension <SEP> du <SEP> défaut
    <tb> sur <SEP> la <SEP> tranche <SEP> est <SEP> inférieure <SEP> à <SEP> une <SEP> valeur <SEP> limite <SEP> indiquant
    <tb> une <SEP> dimension <SEP> maximale <SEP> de <SEP> particules <SEP> d'origine <SEP> cristalline
    <tb> POC) <SEP> ;
    <tb> on <SEP> utilise <SEP> plusieurs <SEP> détecteurs <SEP> (20) <SEP> de <SEP> fond <SEP> noir
    <tb> système <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> la <SEP> tranche <SEP> pour <SEP> détecter
    <tb> respectivement <SEP> plusieurs <SEP> valeurs <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> lumière
    <tb> defaut;
    Figure img00200002
    on <SEP> détermine <SEP> si <SEP> une <SEP> deuxième <SEP> condition
    <tb> satisfaite, <SEP> condition <SEP> dans <SEP> laquelle <SEP> une <SEP> corrélation <SEP> entre
    <tb> la <SEP> pluralité <SEP> de <SEP> valeurs <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> lumière <SEP> du <SEP> défaut
    <tb> satisfait <SEP> à <SEP> une <SEP> valeur <SEP> de <SEP> référence;
    <tb> on <SEP> utilise <SEP> le <SEP> système <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> tranche <SEP> pour
    <tb> déterminer <SEP> un <SEP> emplacement <SEP> du <SEP> défaut;
    <tb> on <SEP> détermine <SEP> si <SEP> une <SEP> troisième <SEP> condition
    <tb> satisfaite, <SEP> condition <SEP> dans <SEP> laquelle <SEP> l'emplacement <SEP> du <SEP> défaut
    <tb> se <SEP> trouve <SEP> dans <SEP> une <SEP> zone <SEP> riche <SEP> en <SEP> lacunes <SEP> de <SEP> la <SEP> tranche;
    <tb> on <SEP> détermine <SEP> que <SEP> le <SEP> type <SEP> du <SEP> défaut <SEP> est <SEP> une
    <tb> particule <SEP> d'origine <SEP> cristalline <SEP> lorsque <SEP> les <SEP> première,
    <tb> deuxième <SEP> et <SEP> troisième <SEP> conditions <SEP> sont <SEP> toutes <SEP> satisfaites
    <tb> et <SEP> on <SEP> détermine <SEP> que <SEP> le <SEP> type <SEP> de <SEP> défaut <SEP> est <SEP> une <SEP> particule
    <tb> réelle <SEP> lorsque <SEP> l'une <SEP> quelconque <SEP> ou <SEP> plusieurs <SEP> des <SEP> première
    <tb> deuxième <SEP> et <SEP> troisième <SEP> conditions <SEP> ne <SEP> sont <SEP> pas <SEP> satisfaites.
    <tb> 9. <SEP> Procédé <SEP> selon <SEP> la <SEP> revendication <SEP> 8, <SEP> caractérisé
    <tb> que <SEP> la <SEP> valeur <SEP> limite <SEP> est <SEP> de <SEP> 0,16 <SEP> /m.
    <tb> 10. <SEP> Procédé <SEP> selon <SEP> la <SEP> revendication <SEP> 8, <SEP> caractérisé
    <tb> au'ori <SEP> utilise <SEP> un <SEP> système <SEP> de <SEP> mesure <SEP> de <SEP> particule <SEP> à
    <tb> diffusion <SEP> en <SEP> tant <SEP> que <SEP> système <SEP> d'examen <SEP> de <SEP> tranche.
    Figure img00210001
    11. <SEP> Procédé <SEP> selon <SEP> la <SEP> revendication <SEP> 10, <SEP> caractérisé <SEP> en
    <tb> ce <SEP> que <SEP> chacun <SEP> des <SEP> détecteurs <SEP> de <SEP> fond <SEP> noir <SEP> comprend <SEP> un <SEP> tube
    <tb> photomultiplicateur <SEP> (22) <SEP> à <SEP> grand <SEP> angle <SEP> destine <SEP> à <SEP> détecter
    <tb> de <SEP> la <SEP> lumière <SEP> revenant <SEP> du <SEP> défaut <SEP> par <SEP> diffusion <SEP> sous <SEP> un
    <tb> grand <SEP> angle <SEP> et <SEP> un <SEP> tube <SEP> photomultiplicateur <SEP> ) <SEP> à <SEP> petit
    <tb> angle <SEP> destiné <SEP> à <SEP> détecter <SEP> de <SEP> la <SEP> lumière <SEP> revenant <SEP> du <SEP> défaut
    <tb> par <SEP> diffusion <SEP> sous <SEP> un <SEP> petit <SEP> angle.
    <tb> 12. <SEP> Procédé <SEP> selon <SEP> la <SEP> revendication. <SEP> 11, <SEP> caractérisé <SEP> en
    <tb> ce <SEP> que <SEP> pluralité <SEP> de <SEP> valeurs <SEP> d'intensité <SEP> lumière <SEP> de
    <tb> défaut <SEP> comprend <SEP> une <SEP> valeur <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> défaut <SEP> Swo <SEP> obtenue
    <tb> à <SEP> partir <SEP> tube <SEP> photomultiplicateur <SEP> à <SEP> grand <SEP> angle <SEP> et <SEP> une
    <tb> valeur <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> défaut <SEP> SN <SEP> obtenue <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> tube
    <tb> photomultiplicateur <SEP> à <SEP> petit <SEP> angle, <SEP> et <SEP> la <SEP> deuxieme <SEP> condition
    <tb> est <SEP> lorsqu'un <SEP> rapport <SEP> d'intensité <SEP> S;;/Sw <SEP> de <SEP> la <SEP> valeur
    <tb> d'intensite <SEP> SN <SEP> à <SEP> la <SEP> valeur <SEP> d'intensité <SEP> S;., <SEP> dépasse <SEP> la <SEP> valeur
    <tb> de <SEP> référence;
    <tb> 13. <SEP> Procédé <SEP> selon <SEP> la <SEP> revendication <SEP> 10, <SEP> caractérisé <SEP> en
    <tb> ce <SEP> que <SEP> chacun <SEP> des <SEP> détecteurs <SEP> de <SEP> fond <SEP> noir <SEP> comprend <SEP> un
    <tb> détecteur <SEP> (112) <SEP> à <SEP> petit <SEP> angle <SEP> destiné <SEP> à <SEP> détecter <SEP> des
    <tb> composantes <SEP> de <SEP> lumière <SEP> diffusées <SEP> vers <SEP> l'avant <SEP> depuis <SEP> le
    <tb> défaut <SEP> sous <SEP> un <SEP> petit <SEP> angle, <SEP> un <SEP> détecteur <SEP> (114) <SEP> à <SEP> angle
    <tb> moyen <SEP> destiné <SEP> à <SEP> détecter <SEP> des <SEP> composantes <SEP> de <SEP> lumière
    <tb> diffusées <SEP> perpendiculairement <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> défaut <SEP> dans <SEP> un
    <tb> angle <SEP> moyen, <SEP> et <SEP> un <SEP> détecteur <SEP> (116) <SEP> à <SEP> grand <SEP> angle <SEP> destiné <SEP> à
    <tb> détecter <SEP> composantes <SEP> de <SEP> lumière <SEP> diffusées <SEP> vers
    <tb> l'arrière <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> défaut <SEP> dans <SEP> un <SEP> grand <SEP> angle.
    <tb> 14. <SEP> Procédé <SEP> selon <SEP> la <SEP> revendication <SEP> 13, <SEP> caractérisé <SEP> en
    <tb> ce <SEP> que <SEP> la <SEP> pluralité <SEP> de <SEP> valeurs <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> lumière <SEP> de
    <tb> défaut <SEP> comprend <SEP> une <SEP> valeur <SEP> Ss <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> lumière <SEP> de
    <tb> défaut <SEP> obtenue <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> détecteur <SEP> à <SEP> petit <SEP> angle, <SEP> une
    <tb> valeur <SEP> SM <SEP> d'intensité <SEP> de <SEP> lumière <SEP> de <SEP> défaut <SEP> obtenue <SEP> à <SEP> partir
    <tb> du <SEP> détecteur <SEP> à <SEP> angle <SEP> moyen <SEP> et <SEP> une <SEP> valeur <SEP> d'intensité <SEP> de
    <tb> lumière <SEP> de <SEP> défaut <SEP> SL <SEP> obtenue <SEP> à <SEP> partir <SEP> du <SEP> détecteur <SEP> à <SEP> grand
    <tb> angle, <SEP> et <SEP> la <SEP> deuxième <SEP> condition <SEP> est <SEP> lorsque <SEP> à <SEP> la <SEP> fois <SEP> (a)
    <tb> un <SEP> rapport <SEP> d'intensité <SEP> SM/SL <SEP> de <SEP> la <SEP> valeur <SEP> d'intensité <SEP> SM <SEP> à
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