KR101518801B1 - 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 컴퓨터-실행 방법들, 캐리어 매체 및 시스템들 - Google Patents
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Abstract
웨이퍼의 층 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 컴퓨터-실행 방법들, 캐리어 매체 및 시스템들이 제공된다. 일 방법은 상기 웨이퍼로부터 산란된 광의 조명 및 수집을 위한 상기 검사 시스템의 분극 세팅들의 상이한 조합들로 수행된 상기 웨이퍼의 스캔들 각각의 결과들을 이용하여 상기 웨이퍼의 층 상에 결함들의 집단을 검출하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 그 각각이 상이한 조합들 중 적어도 2개에 공통인 결함들을 포함하는 상기 상이한 조합들의 각각에 대한 결함들의 부분 집단을 식별하는 단계, 및 상기 부분 집단들의 각각에 대한 신호-대-잡음의 측정 특성을 결정하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 특성을 위한 최상 값을 갖는 상기 부분 집단에 대응하는 상기 검사를 위해 사용되도록 상기 조명 및 수집을 위한 분극 세팅들을 선택하는 단계를 더 포함한다.
Description
본 발명은 일반적으로 웨이퍼의 층 검사용 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 컴퓨터-실행 방법들, 캐리어 매체 및 시스템들에 관한 것이다. 어떤 실시예들은 그 각각이 상기 검사 시스템의 분극 세팅들의 적어도 2개의 상이한 조합들에 공통인 결함들을 포함하는, 결함들의 부분 집단들에 대한 신호-대-잡음 측정치의 특성을 결정하고, 상기 특성에 대한 최상 값을 갖는 상기 부분 집단에 대응하는 웨이퍼의 층 검사를 위해 사용되도록 조명 및 수집을 위한 분극 세팅들을 선택하기 위한 컴퓨터-실행 방법에 관한 것이다.
이하의 설명 및 예시들은 본 명세서에 포함됨으로써 종래 기술인 것으로 인정되지는 않는다.
논리 및 메모리 디바이스들과 같은 반도체 디바이스들을 제조하는 단계는 일반적으로 상기 반도체 디바이스들의 다양한 특징들 및 다중 레벨들을 형성하도록 다수의 반도체 제조 프로세스들을 이용하여 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 처리하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 리소그래피는 반도체 웨이퍼상에 배열된 레지스트(resist)에 레티클(reticle)로부터의 패턴을 전달하는 것과 관련된 반도체 제조 프로세스이다. 반도체 제조 프로세스들의 추가적인 예들은 화학-기계적 폴리싱, 에칭, 증착 및 이온 주입을 포함하지만 이들로 제한되지는 않는다. 다중 반도체 디바이스들은 단일 반도체 웨이퍼상의 배열로 제조될 수 있으며, 그 후에 개별 반도체 디바이스들로 분리될 수 있다.
검사 프로세스들은 레티클 및 웨이퍼와 같은 표본 상의 결함들을 검출하도록 반도체 제조 프로세스 동안의 다양한 단계들에서 사용된다. 검사 프로세스들은 항상 집적 회로들과 같은 반도체 디바이스들을 제조하는 중요한 부분이었다. 그러나, 반도체 디바이스들의 치수들이 감소함에 따라, 수용가능한 반도체 디바이스들의 성공적인 제조에 있어서 검사 프로세스들이 훨씬 더 중요해진다. 예를 들어, 반도체 디바이스들의 치수들이 감소함에 따라, 심지어 비교적 작은 결함들도 상기 반도체 디바이스들에서의 원치않는 일탈들을 야기할 수 있기 때문에, 감소하는 크기의 결함들의 검출이 필요하게 되었다. 따라서, 이전에 무시할 수 있었던 크기들을 갖는 결함들을 검출할 수 있는 검사 시스템들을 설계하는데 검사 분야에서의 많은 노력이 기울여졌다.
많은 상이한 타입들의 결함들에 대한 검사가 또한 최근에 더 중요해졌다. 예를 들어, 반도체 제조 프로세스들을 모니터하고 정정하도록 상기 검사 결과들을 사용하기 위해, 종종 무슨 타입들의 결함들이 표본 상에 존재하는지를 알아야 할 필요가 있다. 또한, 가능한 최상의 수율을 획득하도록 반도체 제조시에 관련된 모든 프로세스를 제어하는 것이 바람직하기 때문에, 많은 상이한 반도체 프로세스들로부터 발생할 수 있는 상이한 타입들의 결함들을 검출할 능력을 갖는 것이 바람직하다. 검출되는 상이한 타입들의 결함들은 그들의 특성들에서 극적으로 변동할 수 있다. 예를 들어, 반도체 제조 프로세스 동안 검출하는 것이 바람직할 수 있는 결함들은 두께 변동들, 미립자 결함들, 스크래치들, 패턴 특징들 결여 또는 잘못 크기세팅된 패턴 특징들과 같은 패턴 결함들 및 그와 같은 다른 특성들을 갖는 많은 다른 것들을 포함할 수 있다.
많은 다른 타입들의 검사 시스템들은 상술한 상이한 타입들의 결함들을 검출하도록 개발되어 왔다. 추가로, 대부분의 검사 시스템들은 다중의 상이한 타입들의 결함들을 검출하도록 구성되는다. 일부 경우들에서, 다른 타입들의 결함들을 검출하도록 구성되는 시스템은 상이한 파라미터들이 상이한 결함들을 검출하거나 원치않는(성가신) 이벤트들의 근원들을 회피하기 위해 사용될 수 있도록 조정가능한 화상 획득 및 감도 파라미터들을 가질 수 있다. 예를 들어, 수집 각도들에 대한 스팟(spot) 또는 픽셀 크기, 분극 또는 알고리즘 세팅들이 스크래치들을 검출하도록 사용된 검사 프로세스에 대해서 보다는 미립자의 결함들을 검출하도록 사용된 검사 프로세스에 대해 서로 다를 수 있다.
조정가능 화상 획득 및 감도 파라미터들을 갖는 검사 시스템은 반도체 디바이스 제조업자에게 상당한 장점들을 제시하지만, 검사 프로세스를 위해 잘못된 화상 획득 및 감도 파라미터들이 사용되는 경우 이들 검사 시스템들은 쓸모없어진다. 예를 들어, 잘못된 또는 최적이 아닌 화상 획득 및 감도 파라미터들은 생성된 검사 데이터에 아무런 결함도 검출될 수 없는 높은 레벨의 잡음을 생성할 수 있다. 또한, 레티클 및 웨이퍼와 같은 표본 상의 결함들, 프로세스 조건들 및 잡음이 극적으로 변동할 수 있기 때문에(그리고 그 표본 자체의 특성들이 극적으로 변동할 수 있기 때문에), 특정 표본 상의 상기 결함들을 검출하기 위한 최상의 화상 획득 및 감도 파라미터들은 불가능하지는 않아도, 예측하기 어려울 수 있다. 따라서, 상기 정정 화상 획득 및 감도 파라미터들을 사용하는 것은 검사 결과들에 극적인 영향을 미칠 것이지만, 많은 검사 프로세스들이 잘못된 또는 최적이 아닌 화상 획득 및 감도 파라미터들로 현재 수행되고 있을 가능성이 있다.
관련된 특정 표본 및 특정 결함에 대한 검사 프로세스를 셋업하는 태스크는 검사 시스템이 비교적 다수의 조정가능한 화상 획득 세팅들 및 감도 파라미터들을 가질 때, 특히 사용자에게 극도로 어려운 일일 수 있다. 또한, 화상 획득 파라미터들의 가능한 모든 조합들이 테스트되지 않는 한 최상의 검사 프로세스가 발견되었는지 여부를 아는 것이 불가능할 수 있다. 그러나, 대부분의 검사 프로세스들은 현재 다수의 수동 프로세스들(예를 들어, 수동으로 상기 화상 획득 파라미터들을 세팅하고, 수동으로 상기 최종 검사 데이터를 분석하는 등)을 사용하여 셋업된다. 그와 같이, 상기 검사 프로세스를 셋업하는 것은 비교적 긴 시간을 요할 수 있다. 더욱이, 상기 검사 시스템으로 검사될 표본들의 타입들에 따라, 상이한 검사 프로세스가 각각 다른 타입의 표본에 대해 셋업될 필요가 있다. 따라서, 명백하게, 검사되어야 하는 상이한 표본들의 전부에 대한 검사 프로세스들을 세팅하는 것은 엄청나게 긴 시간을 요할 수 있다.
프로세스 층에 대한 검사 방안을 위한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하기 위한 이전의 방법들은 여러 반복적인 단계들을 포함하는 노동 집약적 프로세스들이다. 그와 같은 일 방법의 제 1 단계는 암시야(dark field) 검사 시스템에 대한 사전 정의된 디폴트 세팅들로 검사 스캔을 수행하는 것이다. 이 단계의 목표는 관계된 프로세스 층에 대한 웨이퍼의 표면상에 결함들(또는 비정상들)을 위치시키는 것이다. 결함들의 전체 집단 중에, 사용자는 더 검사하기 위해 결함들의 부-샘플을 수동으로 선택한다. 각 결함에 대해, 신호-대-잡음 비가 결정된다(생 화상 강도들에 기초하여). 기본적으로, 상기 신호-대-잡음 비는 그 배경(또는 비-결함적 영역)에 상대적으로 상기 결함이 얼마나 더 많이 강렬하게 산란하는지의 측정이다. 주어진 결함에 대한 신호-대-잡음은 상기 분극 선택에 강하게 의존한다. 따라서, 상기 사용자는 상기 암시야 검사 시스템상의 이용가능한 분극 옵션들 전부를 통해 순환해야 하며 어느 분극 상태가 상기 결함들의 서브세트에 대한 전체 신호-대-잡음을 최대화할 것인지를 결정해야 한다.
그러나, 그와 같은 방법들에 대한 다수의 단점들이 존재한다. 예를 들어, 그와 같은 방법들은 실질적으로 시간-소모적이며 지루하다. 상기 프로세스 층의 본질에 따라, 상술한 방법들은 최상의 분극 세팅들을 탐색하는데 몇 시간에서 며칠이 걸릴 수 있다. 또한, 사용자가 상기 프로세서 층의 사전 지식이 없는 경우, 사용자는 상기 부-샘플에서의 비-관련 결함들을 선택할 수 있고, 결과적으로 실제 관련 결함들에 대해 잘못된 분극 세팅을 선택할 수 있다.
따라서, 이전에 사용된 방법들보다 덜 노동 집약적이고, 더 빠르며 덜 지루하며, 상술한 방법들을 사용하여 선택된 분극 세팅들보다 웨이퍼 상의 층의 검사를 위해, 더 적절하거나 훨씬 최적인 분극 세팅 선택들을 발생시키는 웨이퍼의 층 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 컴퓨터-실행 방법들, 캐리어 매체, 및/또는 시스템들을 개발하는 것이 유용할 것이다.
컴퓨터-실행 방법들, 캐리어 매체 및 시스템들의 다양한 실시예들의 다음의 설명은 첨부된 청구범위의 청구 대상을 제한하려는 것이 아니다.
일 실시예는 웨이퍼의 층 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 컴퓨터-실행 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 상기 웨이퍼로부터 산란된 광의 조명 및 수집을 위한 검사 시스템의 분극 세팅들의 상이한 조합들로 수행된 웨이퍼의 2개 이상의 스캔들의 각각의 결과들을 이용하여 상기 웨이퍼의 층 상의 결함들의 집단을 검출하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 상기 상이한 조합들의 각각에 대한 결함들의 부분 집단을 식별하는 단계를 포함한다. 상기 부분 집단들의 각각은 상기 상이한 조합들 중 적어도 2개에 공통인 결함들을 포함한다. 또한, 상기 방법은 상기 부분 집단들의 각각에 대한 신호-대-잡음의 측정 특성을 결정하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 특성에 대한 최상 값을 갖는 부분 집단에 대응하는 웨이퍼의 층 검사를 위해 사용되도록 상기 조명 및 수집을 위한 분극 세팅들을 선택하는 단계를 더 포함한다.
일 실시예에서, 상기 2개 이상의 스캔들의 각각은 상기 웨이퍼의 일부분만의 스캔을 포함한다. 다른 실시예에서, 상기 검출 단계는 상기 2개 이상의 스캔들의 각각의 결과들에 단일 파라미터 임계치를 적용하는 단계를 포함한다. 그와 같은 일 실시예에서, 상기 신호-대-잡음의 측정값은 적용 단계의 결과들을 포함한다. 추가적인 실시예에서, 상기 방법의 모든 단계들은 상기 웨이퍼 상의 관련된 결함들을 알지 못하고 수행된다. 추가적인 실시예에서, 상기 방법의 모든 단계들은 상기 웨이퍼 상의 관련 결함들을 식별하지 않고서 수행된다.
일 실시예에서, 상기 상이한 조합들의 적어도 2개에 공통인 결함들은 상기 상이한 조합들 중 적어도 2개에 공통이 아닌 결함들보다 두드러진 결함들일 더 높은 확률을 갖는 결함들을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 상이한 조합들은 상기 검사 시스템상에 이용가능한 조명 및 수집을 위한 분극 세팅들의 모든 조합들을 포함한다. 추가적인 실시예에서, 상기 신호-대-잡음의 측정 특성은 평균값을 포함한다. 그와 같은 일 실시예에서, 상기 최상 값은 상기 평균값에 대한 최고 값을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 선택 단계는 상기 수집을 위한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하기 전에 상기 조명을 위한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 상기 선택 단계는 상기 조명을 위한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하는 단계 및 상기 조명을 위해 선택된 하나 이상의 분극 세팅들에 대응하는 부분 집단들에 기초하여 상기 수집을 위한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 선택 단계는 상기 부분 집단들의 제 1 서브세트를 이용하여 상기 조명을 위한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하는 단계 및 상기 부분 집단들의 제 2 서브세트를 이용하여 상기 수집을 위한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함한다. 그와 같은 일 실시예에서, 상기 제 1 서브세트는 상기 조명을 위한 분극 세팅들 전부의 상이한 조합들 중 적어도 2개 및 상기 수집을 위한 분극 세팅들 중 하나에만 공통인 결함들을 포함하는 부분 집단들을 포함한다. 그와 같은 다른 실시예에서, 상기 제 2 서브세트는 상기 조명을 위해 선택된 분극 세팅과 상기 수집을 위해 이용가능한 분극 세팅들 전부의 상이한 조합들 중 적어도 2개에 공통인 결함들을 포함하는 부분 집단들을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 검사 시스템은 하나 이상의 조명 채널들을 포함하며, 상기 선택 단계는 상기 하나 이상의 조명 채널들 중 적어도 하나에 대한 적어도 하나의 분극 세팅을 선택하는 단계를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 상기 검사 시스템은 2개 이상의 수집 채널들을 포함하며, 상기 선택 단계는 상기 2개 이상의 수집 채널들 중 적어도 2개에 대한 분극 세팅을 선택하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 검사 시스템은 하나 이상의 수집 채널을 포함한다. 그와 같은 일 실시예에서, 상기 선택 단계는 하나 이상의 수집 채널 중 적어도 2개에 대해 선택된 분극 세팅들이 동일하도록 상기 수집을 위한 상기 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함한다. 그와 같은 다른 실시예에서, 상기 선택 단계는 하나 이상의 수집 채널 중 적어도 2개에 대해 독립적으로 상기 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 방법은 상기 웨이퍼 상의 상이한 층들에 대해 수행된다. 또 다른 실시예에서, 상기 방법의 모든 단계들은 사용자 중재 없이 수행된다.
상술한 방법의 단계들의 각각은 본 명세서에 더 설명되는 바와 같이 수행될 수 있다. 또한, 상술한 방법의 실시예들의 각각은 본 명세서에 설명된 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수 있다. 더욱이, 상술한 방법의 실시예들의 각각은 본 명세서에 설명된 시스템들 중 임의의 것에 의해 수행될 수 있다.
또 다른 실시예는 웨이퍼 상의 층 검사를 위해 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 컴퓨터-실행 방법을 수행하기 위해 컴퓨터 시스템상에 실행가능한 프로그램 명령들을 포함하는 캐리어 매체에 관한 것이다. 상기 컴퓨터-실행 방법은 상기 웨이퍼로부터 산란된 광의 조명 및 수집을 위한 상기 검사 시스템의 분극 세팅들의 상이한 조합들로 수행된 웨이퍼의 2개 이상의 스캔들의 각각의 결과들을 사용하여 상기 웨이퍼의 층 상의 결함들의 집단을 검출하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 상기 상이한 조합들의 각각에 대한 상기 결함들의 부분 집단을 식별하는 단계를 포함한다. 상기 부분 집단들의 각각은 상기 상이한 조합들 중 적어도 2개에 공통인 결함들을 포함한다. 또한, 상기 방법은 상기 부분 집단들의 각각에 대한 신호-대-잡음의 측정 특성을 결정하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 상기 특성에 대한 최상 값을 갖는 상기 부분 집단에 대응하는 상기 웨이퍼의 층 검사를 위해 사용되도록 상기 조명 및 수집을 위한 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함한다.
상술한 캐리어 매체는 본 명세서에 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다. 상기 컴퓨터-실행 방법의 단계들은 본 명세서에 더 설명된 바와 같이 수행될 수 있다. 추가로, 상기 프로그램 명령들이 실행가능한 상기 컴퓨터-실행 방법은 본 명세서에 설명된 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수 있다.
추가적인 실시예는 웨이퍼의 층 검사를 위한 분극 세팅들을 선택하도록 구성되는 시스템에 관한 것이다. 상기 시스템은 상기 웨이퍼로부터 산란된 광의 조명 및 수집을 위한 분극 세팅들의 상이한 조합들로 상기 웨이퍼의 2개 이상의 스캔들을 수행함으로써 출력을 생성하도록 구성되는 검사 시스템을 포함한다. 상기 시스템은 또한 상기 2개 이상의 스캔들의 각각에 의해 생성된 상기 출력을 이용하여 상기 웨이퍼상의 결함들의 집단을 검출하도록 구성되는 컴퓨터 시스템을 포함한다. 상기 컴퓨터 시스템은 또한 상기 상이한 조합들의 각각에 대한 결함들의 부분 집단을 식별하도록 구성되는다. 상기 부분 집단들의 각각은 상기 상이한 조합들 중 적어도 2개에 공통인 결함들을 포함한다. 또한, 상기 컴퓨터 시스템은 상기 부분 집단들의 각각에 대한 신호-대-잡음의 측정 특성을 결정하도록 구성되는다. 상기 컴퓨터 시스템은 상기 특성에 대한 최상 값을 갖는 상기 부분 집단에 대응하는 상기 웨이퍼의 층 검사를 위해 사용되도록 상기 조명 및 수집을 위한 분극 세팅들을 선택하도록 더 구성되는다. 상기 시스템은 본 명세서에 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다.
본 발명의 다른 목적들 및 장점들은 다음의 상세한 설명 및 첨부한 도면들을 참조하여 숙독하면 더 명백해질 것이다.
도 1은 웨이퍼 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 컴퓨터-실행 방법의 일 실시예를 도시하는 흐름도이다.
도 2는 본 명세서에 설명된 하나 이상의 컴퓨터-실행 방법들을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템상에 실행가능한 프로그램 명령들을 포함하는 캐리어 매체의 일 실시예를 도시하는 블록도이다.
도 3은 웨이퍼 층의 검사를 위한 분극 세팅들을 선택하도록 구성되는 시스템의 측면도를 도시하는 개략도이다.
도 2는 본 명세서에 설명된 하나 이상의 컴퓨터-실행 방법들을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템상에 실행가능한 프로그램 명령들을 포함하는 캐리어 매체의 일 실시예를 도시하는 블록도이다.
도 3은 웨이퍼 층의 검사를 위한 분극 세팅들을 선택하도록 구성되는 시스템의 측면도를 도시하는 개략도이다.
본 발명은 다양한 변형들 및 대안적인 형태들을 허용할 수 있는 한편, 그 특정 실시예들은 도면들에서의 예시의 방식으로 도시되며 본 명세서에서 상세하게 설명될 것이다. 그러나, 이해되는 바와 같이, 상기 도면들 및 상세한 설명은 개시된 특정 형태로 본 발명을 제한하려는 것이 아니며, 오히려 그 의도는 첨부된 청구범위에 의해 정의된 바와 같은 본 발명의 정신 및 범위내에 있는 모든 수정들, 등가물들 및 대안들을 포괄하는 것이다.
본 명세서에 사용된 바와 같이, 상기 용어 "웨이퍼"는 일반적으로 반도체 또는 비-반도체 재료로 형성된 기판들을 지칭한다. 그와 같은 반도체 또는 비-반도체 재료의 예들은 단결정 실리콘, 갈륨 비소 및 인듐 인화물을 포함하지만, 이들로 제한되지는 않는다. 그와 같은 기판들은 반도체 제조 설비들에서 공통으로 탐색되고 및/또는 처리될 수 있다. 하나 이상의 층들이 웨이퍼 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 그와 같은 층들은 레지스트, 유전 재료, 도전 재료 및 반도전(semiconductive) 재료를 포함할 수 있으나, 이들로 제한되지는 않는다. 많은 다른 타입들의 그와 같은 층들은 기술 분야에 알려져 있으며, 본 명세서에 사용된 바와 같은 용어 웨이퍼는 그와 같은 층들의 모든 타입들이 형성될 수 있는 웨이퍼를 망라하는 것이다.
웨이퍼 상에 형성된 하나 이상의 층들은 패턴화되거나 비패턴화될 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼는 각각이 반복가능한 패턴화 특징들을 갖는 복수의 다이들을 포함할 수 있다. 재료의 그와 같은 층들의 형성 및 처리는 궁극적으로 완성된 디바이스들을 야기할 수 있다. 많은 다른 타입들의 디바이스들이 웨이퍼 상에 형성될 수 있으며, 본 명세서에 사용된 바와 같은 상기 용어 웨이퍼는 기술분야에 알려진 임의의 타입의 디바이스가 제조되는 웨이퍼를 망라하는 것이다.
다시 도면들을 참조하면, 상기 도면들이 축척으로 도시되지 않음을 주목해야 한다. 특히, 상기 도면들의 요소들 중 일부의 축척은 상기 요소들의 특성들을 강조하도록 크게 과장된다. 또한 주목할 사항으로서, 상기 도면들은 동일한 축척으로 도시되지 않는다. 유사하게 구성될 수 있는 하나 이상의 도면에는 동일한 참조 부호들을 사용하여 표시된 요소들이 도시된다.
일 실시예는 웨이퍼의 층 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 컴퓨터-실행 방법에 관한 것이다. 그와 같은 컴퓨터-실행 방법의 일 실시예는 도 1에 도시된다. 주목할 사항으로서, 도 1에 도시된 단계들은 상기 방법의 실행에 필수적이지 않다. 하나 이상의 단계들은 생략되거나 도 1에 도시된 방법에 추가될 수 있으며, 상기 방법은 여전히 이들 실시예들의 범위 내에서 실행될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 검사 시스템은 암시야 검사 시스템을 포함한다. 상기 암시야 검사 시스템은 본 명세서에 더 설명된 바와 같이 구성될 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 상기 방법의 모든 단계들은 사용자 중재 없이 수행된다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 방법의 모든 단계들은 자동으로 수행될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 설명된 방법들은 완전히 자동화된 프로세스들일 수 있다. 이러한 방식으로, 본 명세서에 설명된 실시예들은 암시야 검사 시스템들에 대한 자동 분극 세팅 선택을 위해 사용될 수 있다. 특히, 본 명세서에 설명된 실시예들은 암시야 검사 시스템상의 임의의 사용자 상호작용 없이 (반도체 제조 프로세스의)임의의 주어진 프로세스 층에 대한 최적의 분극 세팅을 선택하도록 사용될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 설명된 실시예들은 상기 셋업 시간을 상당히 감소시킴으로써 상기 암시야 검사 시스템에 대한 사용의 편의성을 개선할 수 있다. 최적 분극 세팅 셋업을 이용하여, 주어진 프로세스 층에 대한 신호-대-잡음 비는 상당히 강화될 수 있으며, 따라서 상기 암시야 검사 감도가 크게 개선될 수 있다. 상기 방법은 또한 분극 선택들의 성능을 개선하기 위해 사용자 입력을 갖도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 본 명세서에 더 설명된 2개 이상의 스캔들의 각각은 상기 웨이퍼의 일부분만의 스캔을 포함한다. 예를 들어, 주어진 프로세스 층에 대해, 다중 검사 스캔들은 상기 웨이퍼 상의 층의 비교적 작은 샘플 영역 상에 수행될 수 있다. 상기 비교적 작은 샘플 영역은 예를 들어, 상기 웨이퍼 상의 중심에 위치되는 다이와 같은 웨이퍼 상의 다이 영역을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 비교적 작은 샘플 영역은 상기 웨이퍼 상의 임의의 다른 적합한 샘플 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 비교적 작은 샘플 영역은 상기 2개 이상의 스캔들의 각각에 의해 생성되는 결과들이 처리될 수 있는 시간을 불필요하게 증가시키지 않고서 본 명세서에 설명된 실시예들에서 적합한 수의 결함들이 검출되도록 선택될 수 있다. 상기 방법은 상기 작은 샘플 영역을 선택하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 1의 단계(10)에 도시된 바와 같이, 상기 방법은 데이터 오버로드를 회피하도록 작은 샘플 영역을 선택하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 스캔들의 각각에서 스캔되는 웨이퍼의 일부분은 상기 웨이퍼의 동일한 부분을 포함할 수 있다. 다시 말해, 상기 스캔들의 각각은 상기 웨이퍼의 동일한 영역 상에서 수행될 수 있다. 이러한 방식으로, 본 명세서에 더 설명된 바와 같은 2개 이상의 스캔들의 각각의 결과들을 이용하여 검출되는 결함들은 상이한 결함들이 위치되는 웨이퍼의 상이한 영역들 상에 상이한 스캔들이 수행되는 경우보다 더 정확하게 결정될 수 있다. 상기 스캔들의 각각은 임의의 적합한 방식으로 수행될 수 있다. 또한, 상기 스캔들에 대해 사용된 분극 세팅들의 조합들이 임의의 적합한 방식으로 상기 스캔들 사이에서 변경될 수 있다.
상기 방법은 상기 웨이퍼로부터 산란된 광의 조명 및 수집을 위한 상기 검사 시스템의 분극 세팅들의 상이한 조합들로 수행된 상기 웨이퍼의 2개 이상의 스캔들의 각각의 결과들을 사용하여 상기 웨이퍼의 층 상의 결함들의 집단을 검출하는 단계를 포함한다. 따라서, 주어진 프로세스 층에 대해, 다중 검사 스캔들이 수행된다. 예를 들어, 도 1의 단계(12)에 도시된 바와 같이, 상기 방법은 검출 파라미터들에 대한 디폴트 값들을 사용하여 다중 스캔들을 수행하는 단계를 포함할 수 있으며, 각 스캔은 상기 분극 세팅시에 서로 다르다. 그러나, 본 명세서에 설명된 실시예들은 분극 세팅들의 상이한 조합들로 상기 웨이퍼의 2개 이상의 스캔들을 수행하는 단계를 포함하거나 포함하지 않을 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 실시예들은 상기 2개 이상의 스캔들의 각각을 수행한 검사 시스템으로부터 또는 상기 검사 시스템이 상기 2개 이상의 스캔들의 각각의 결과들을 저장한 저장 매체(예를 들어, 상기 검사 시스템의 저장 매체, 팹(fab) 데이터베이스 등)로부터 상기 웨이퍼의 2개 이상의 스캔들의 각각의 결과들을 획득하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 상이한 조합들은 상기 검사 시스템상에 이용가능한 상기 조명 및 수집을 위한 분극 세팅들의 모든 조합들을 포함한다. 예를 들어, 모든 분극 세팅 선택들이 사용될 때까지 상기 스캔들의 각각은 분극 세팅의 선택시에 서로 다를 수 있다. 상기 분극 세팅들의 상이한 조합들은 조명 및 수집 분극 세팅들의 조합들이다. 일 특정 예에서, 암시야 검사 시스템상의 분극 세팅 선택들에 대한 9개의 상이한 조합들이 존재한다면, 상기 방법은 상기 상이한 조합들의 각각에 대해 하나씩 9개의 상이한 스캔들을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 암시야 검사 시스템 아키텍처는 3개의 수집기들(또는 검출기들)을 포함할 수 있으며, 각각은 독립적인 분극 세팅을 허용한다. 따라서, 분극 세팅들의 조합의 예는 X/Y1Y2Y3이며, 여기서 X는 조명 분극 세팅이며(예를 들어, p-분극(P), s-분극(S) 또는 회전 분극(C)) Y1, Y2 및 Y3는 각각 상기 3개의 검출기들의 각각에 대한 수집 분극 세팅들이다. 상기 수집 분극 세팅들에 대한 옵션들은 예를 들어, S, P 또는 비-분극(N)일 수 있다. 이러한 방식으로, 상술한 각 스캔은 모든 가능한 조합들을 회전시키도록 상기 분극 세팅들의 상이한 조합들을 이용하여 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 검출 단계는 상기 2개 이상의 스캔들의 각각의 결과들에 단일 파라미터 임계치를 적용하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 실시예들은 상기 프로세스 층의 검사 스캔 동안의 결함들을 검출하도록 단일 파라미터 검사 알고리즘을 사용할 수 있다. 상기 스캔들의 각각에 대한 결함들의 집단을 검출하는 단계는 전체 결함 집단을 결정하도록 상기 검출 임계치에 대한 디폴트 세팅을 사용하여 수행될 수 있다. 상기 검출 임계치에 대한 세팅은 결함들이 검출될 침투력을 결정한다. 상기 디폴트 세팅은 상기 2개 이상의 스캔들의 각각의 결과들의 잡음 플로어에 실질적으로 가깝지만 그 위에 있도록 선택될 수 있다. 이러한 방식으로, 다중 스캔들이 상기 검출 임계치에 대한 디폴트 값을 사용하여 수행될 수 있다. 상기 결함들은 또한 셀-대-셀 비교와 같은 기술분야에 알려진 임의의 적합한 비교를 이용하여 결정될 수 있다.
상기 방법은 또한 상기 상이한 조합들의 각각에 대한 결함들의 부분 집단을 식별하는 단계를 포함한다. 상기 부분 집단들의 각각은 상기 상이한 조합들 중 적어도 2개에 공통인 결함들을 포함한다. 일 실시예에서, 상기 상이한 조합들 중 적어도 2개에 공통인 상기 결함들은 상기 상이한 조합들 중 적어도 2개에 공통이 아닌 결함들보다 두드러진 결함들일 더 높은 확률을 갖는 결함들을 포함한다. 예를 들어, 비감독 분류 방법은 참 또는 거짓으로서 각 결함을 자동으로 분류하도록 이용될 수 있다. 상기 분류는 다중 분극 세팅들에 의해 포착되는 각 결함의 확률에 기초한다. 특히, 상기 참인 결함들은 상기 분극 세팅들의 상이한 조합들을 이용하여 수행된 상기 스캔들 중 적어도 2개에 의해 포착되는 결함들로서 정의될 수 있다. 따라서, 참인 결함들은 하나의 스캔로부터 다른 스캔로의 일부 상관관계를 나타내는 효과적인 결함들이다. 이러한 방식으로, 상기 참인 결함들은 상기 거짓 결함들보다 2개 이상의 분극 세팅들에 의해 포착될 더 높은 확률을 갖는다. 그와 같이, 비감독 분류는 참인 결함들이 2개 이상의 분극 세팅들로 포착될 비교적 높은 확률을 갖는 한편 거짓인 결함들은 다중 분극 세팅들을 사용하여 포착될 비교적 낮은 확률을 갖는다는 사실에 기초한다.
추가적인 실시예에서, 상기 방법의 모든 단계들은 상기 웨이퍼 상의 관련 결함들을 알지 못하고 수행된다. 추가적인 실시예에서, 상기 방법의 모든 단계들은 상기 웨이퍼 상의 관련 결함들을 식별하지 않고서 수행된다. 다시 말해, 상기 결함들의 부분 집단들은 상기 부분 집단들에 포함된 결함들이 관련 결함들인지 여부에 관계없이 본 명세서에 추가로 설명되는 바와 같이 식별된다. 대신에, 상기 스캔들이 수행되는 2개 이상의 상기 분극 세팅 조합들에 의해 검출되는 결함들을 식별함으로써, 상기 부분 집단들에 포함되는 결함들은 성가신 결함들 또는 잡음에 대해 대조적으로 가장 비슷하게 두드러진 결함들이다. 따라서, 조명 및 수집을 위한 상기 분극 세팅들은 상기 부분 집단들에 기초하여 본 명세서에 설명된 바와 같이 선택될 수 있으며, 그 실질적인 부분은 성가신 결함들 또는 잡음 대신에 두드러진 결함들을 포함한다. 그와 같이, 상기 조명 및 수집에 대한 분극 세팅들은 상기 웨이퍼의 층에 관련되는 결함들을 식별하거나 탐색하지 않고서 실질적으로 정확하게 결정될 수 있다.
이전에 사용된 방법들과 대조적으로, 사용자는 상기 웨이퍼의 빠른 스캔을 수행한 후에, 상기 빠른 스캔의 결과들을 이용하여 검출된 결함들 중 일부를 검토할 수 있다. 상기 사용자는 그 후에 상기 층 상의 관련된 적어도 일부 결함들을 식별하도록 상기 검토 결과들을 이용할 수 있다. 추가적인 스캔 또는 추가적인 스캔들은 그 후에 상기 식별된 관련 결함들의 화상들을 잡도록 상이한 분극 세팅들에서 수행될 수 있다. 상기 화상들은 그 후에 상이한 분극 세팅들을 사용하여 검출된 결함들의 신호-대-잡음 비를 측정하기 위해 상기 화상들에서의 배경의 강도 대 상기 화상들에서의 결함들의 강도를 결정하도록 처리될 수 있다. 상기 화상들 및 상기 화상들을 이용하여 결정된 신호-대-잡음 비에 기초하여 선택되는 분극 세팅들이 상기 웨이퍼의 층 상의 관련 결함들을 검출하기 위해 적합하다는 것을 보증하도록 관련 결함들의 화상들이 상기 방법에 사용된다. 그렇지 않으면, 성가신 결함들의 검출을 증가시키는 분극 세팅들이 명백한 이유들로 불리한 상기 웨이퍼의 층 검사를 위해 사용하도록 우연히 선택될 수 있다.
따라서, 그와 같은 방법들을 수행하기 위해, 상기 사용자는 실질적인 성가심 검출 또는 잡음을 야기하거나 관련 결함들의 검출을 감소시키는 분극 세팅들로 빠른 스캔이 수행되는 경우에 특히 실질적으로 긴 시간을 요할 수 있는 상기 검토 결과들을 사용하여 관련 결함들을 식별해야 할 뿐 아니라, 항상 사용자에게 이용가능하지는 않은 관련 결함들에 대해 일부분 알아야 한다. 이러한 방식으로, 상기 사용자가 관련 결함들이 아닌 화상들이 잡히도록 결함들을 선택하는 경우, 그와 같은 화상들 상에 수행된 측정들에 기초하여 선택되는 분극 세팅들은 참의 관련 결함들을 검출하기 위해 부차적인 분극 세팅들을 생성할 수 있다. 따라서, 본 명세서에 설명된 실시예들은 관련 결함들에 대한 지식이 없이 수행될 수 있기 때문에, 본 명세서에 설명된 실시예들은 상기 관련 결함들에 관한 지식이 이용가능한지 여부에 관계없이 이전에 사용된 방법들보다 더 빠른 분극 세팅들을 결정하도록 이용될 수 있다. 또한, 본 명세서에 설명된 실시예들을 이용하여 선택되는 분극 세팅들은 상기 관련 결함들의 지식이 본 명세서에 설명된 실시예들에서 사용되지 않더라도 이전에 이용된 방법들을 이용하여 선택된 분극 세팅들보다 관련 결함들을 검출하는데 더 최적일 수 있다.
상기 방법은 또한 상기 부분 집단들의 각각에 대한 신호-대-잡음의 측정 특성을 결정하는 단계를 포함한다. 일 실시예에서, 상술한 바와 같이, 상기 검출 단계는 단일 파라미터 임계치를 상기 2개 이상의 스캔들의 각각의 결과들에 적용하는 단계를 포함한다. 그와 같은 일 실시예에서, 상기 신호-대-잡음의 측정값은 상기 적용 단계의 결과들을 포함한다. 예를 들어, 상술한 바와 같이, 본 명세서에 설명된 실시예들은 상기 프로세스 층의 검사 스캔 동안의 결함들을 검출하도록 단일 파라미터 검사 알고리즘을 이용할 수 있다. 그와 같은 실시예들에서, 각 결함에 대한 보고된 검출 임계치는 생 화상 스캔로부터의 강도 값들보다는 오히려 본 명세서에 설명된 실시예들에서의 신호-대-잡음의 측정값으로서 사용될 수 있다. 예를 들어, 일반적으로 상기 단일 파라미터 검출 알고리즘은 상기 결함에 대한 값을 생성하도록 상기 평균 잡음에 기초하여 결정된 단일 임계치를 적용한다. 더 높은 값들은 상기 결함이 상기 화상의 배경으로부터 더 "두드러지는" 것을 표시한다. 따라서, 임계치에 대해 비교되는 각 결함으로부터의 검출 속성은 신호-대-잡음의 직접적이고 견고한 측정이다. 그와 같이, 상기 결함의 최종 임계치는 직접적으로 상기 결함의 검출능력에 대응한다. 상기 신호-대-잡음의 측정은 기술분야에 알려진 임의의 다른 적합한 알고리즘을 이용하여 결정될 수 있다. 추가적인 실시예에서, 상기 신호-대-잡음의 측정 특성은 평균값을 포함한다. 결함들의 각 부분 집단에 대한 신호-대-잡음의 측정 평균값은 임의의 적합한 방식으로 결정될 수 있다.
상기 방법은 상기 특성에 대한 최상 값을 갖는 부분 집단에 대응하는 상기 웨이퍼의 층의 검사를 위해 사용되도록 상기 조명 및 수집을 위한 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 상술한 바와 같이, 일 실시예에서, 상기 신호-대-잡음의 측정 특성은 평균값을 포함한다. 그와 같은 일 실시예에서, 상기 최상 값은 상기 평균값에 대한 최고 값을 포함한다. 예를 들어, 일단 상기 참 및 거짓 결함 부분 집단들이 본 명세서에 설명된 바와 같이 식별되면, 상기 방법은 상기 참인 결함들의 부분 집단에 대한 최고 평균 검출 임계치으로 상기 분극 세팅을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 자동으로 참인 결함들로 분류되는 결함들은 상기 결함들에 대한 신호-대-잡음의 측정의 특성을 최대화하는 상기 분극 세팅을 결정하도록 더 처리된다. 이러한 방식으로, 상기 최고 평균 신호-대-잡음이 결정되는 부분 집단에 대응하는 분극 세팅들이 선택될 수 있으며, 그에 의해 상기 웨이퍼 상의 층의 검사를 위한 최고 신호-대-잡음 비를 달성하기 위한 최상의 분극 세팅들을 제공한다.
일부 실시예들에서, 상기 분극 세팅들을 선택하는 단계는 상기 분극 세팅들의 하나 이상의 상이한 조합들을 가중하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 더 자주 사용되는 분극 세팅들의 상이한 조합들은 종종 덜 사용되는 분극 세팅들의 조합들보다 더 큰 가중치를 부여받을 수 있다. 분극 세팅들의 상이한 조합들은 상기 상이한 조합들 중 하나에 대응하는 각 부분 집단에 대해 결정된 신호-대-잡음의 측정 특성에 가중치를 적용함으로써 가중될 수 있다. 상이한 부분 집단들에 대응하는 특성의 그와 같은 가중은 조명 및 수집 둘 다를 위한 분극 세팅을 선택하도록 수행될 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 2개 이상의 스캔들의 각각에서 스캔되는 웨이퍼의 영역은 상기 웨이퍼의 비교적 작은 영역을 포함할 수 있다. 스캔되는 상기 웨이퍼의 영역은 또한 상기 웨이퍼 상에 형성된 상기 층의 상이한 구역들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 스캔되는 웨이퍼의 영역은 어레이 구역들 및 논리 구역들을 포함할 수 있다. 일부 그와 같은 예들에서, 본 명세서에 설명된 실시예들에 사용되는 2개 이상의 스캔들의 각각의 결과들은 스캔되는 웨이퍼 영역의 단지 한 구역 또는 스캔되는 웨이퍼의 영역에서의 하나 이상의 구역에 대한 결과들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 스캔되는 웨이퍼의 영역이 어레이 구역들 및 논리 구역들 둘 다를 포함하는 경우, 본 명세서에 설명된 실시예들에 사용되는 2개 이상의 스캔들의 각각의 결과들은 상기 어레이 구역에만 대한 결과들, 상기 논리 구역에만 대한 결과들 또는 상기 어레이 구역 및 상기 논리 구역 둘 다에 대한 결과들을 포함할 수 있다. 상기 영역에서의 상이한 구역들에 대응하는 상기 웨이퍼 상의 영역의 2개 이상의 스캔들의 각각의 결과들은 임의의 적합한 방식으로 식별될 수 있다.
스캔되는 상기 웨이퍼의 영역에 포함된 구역들 중 단지 하나에 대한 결과들을 이용하는 것은 상기 웨이퍼 상의 단지 한 구역에 대해 최적화된 분극 세팅 선택들을 발생시킬 수 있다. 본 명세서에 설명된 실시예들에 사용되는 상기 웨이퍼의 스캔된 영역에 포함된 구역들에 대한 결과들은 따라서, 관련 구역들에 기초하여 선택될 수 있으며 사용자에 의해 선택될 수 있다. 또한, 스캔되는 웨이퍼 상의 영역에 포함된 상이한 구역들에 대한 결과들을 이용하는 것은 상이한 분극 세팅 선택들을 발생시킬 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 바와 같이 결정된 상기 신호-대-잡음의 측정값은 상기 영역의 상이한 구역들에 대해 서로 다를 수 있으며, 그에 의해 상기 신호-대-잡음의 상이한 측정값들의 특성에 기초하여 상이한 분극 세팅 선택들을 발생시킨다. 일 특정 예에서, 상기 웨이퍼의 상이한 구역들에 대해 결정된 상기 검출 임계치 결과들은 서로 다를 수 있다. 그와 같은 예들에서, 상이한 구역들에 대해 결정된 검출 임계치 결과들은 상기 상이한 구역들 중 하나 이상 또는 상기 상이한 구역들 중 하나에 대해서만 최적화되도록 정규화되고 및/또는 가중될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 선택 단계는 상기 수집을 위한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하기 전에 상기 조명을 위한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 상기 방법은 2가지 단계들로 분할될 수 있다: 상기 조명 분극 세팅의 결정, 그 후에 상기 수집 분극 세팅(들)을 결정하는 단계. 그와 같은 일 예에서, 도 1에 도시된 바와 같이, 조명(또는 입사) 분극 결정은 단계들(14, 16 및 18)을 포함할 수 있으며, 수집 분극 결정은 단계들(20, 22 및 24)을 포함할 수 있다. 상기 조명 및 수집 분극 세팅들은 본 명세서에 더 설명된 바와 같은 2 단계들로 결정될 수 있다. 예를 들어, 도 1의 단계(14)에 도시된 바와 같이, 입사 분극 결정은 X/YYY 및 참의 결함들과 같은 임의의 다른 분극 세팅들에 공통인 결함들을 식별하는 단계를 포함할 수 있다. 그와 같은 일 예에서, X/NNN 및 임의의 다른 분극 세팅들에 공통인 결함들은 참으로 분류되며, 여기서 X는 S, P 또는 C이다. 상기 공통 결함들은 본 명세서에 더 설명되는 바와 같이 결정될 수 있다.
도 1의 단계(16)에 도시된 바와 같이, 조명 분극 결정은 또한 모든 참의 결함들에 대한 최대 평균 임계치 결과들로 상기 조명 분극 세팅을 탐색하도록 상기 참의 결함들을 처리하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 단계에서의 참의 결함들을 처리하는 단계는 본 명세서에 더 설명되는 바와 같이 수행될 수 있다. 더욱이, 도 1의 단계(18)에서 도시된 바와 같이, 조명 분극 결정은 상기 조명 분극 세팅:X를 출력하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 조명 분극 세팅을 출력하는 단계는 임의의 적합한 방식으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 결정된 조명 분극 세팅은 본 명세서에 더 설명되는 바와 같이 저장될 수 있다.
다른 실시예에서, 상기 선택 단계는 상기 조명에 대한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하는 단계 및 상기 조명에 대해 선택된 상기 하나 이상의 분극 세팅들에 대응하는 상기 부분 집단들에 기초하여 상기 수집을 위한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 조명 분극 세팅 X가 단계(18)에서 출력된 후에, 상기 방법은 상기 선택된 조명 분극 세팅에 기초하여 수행되는 수집 분극 결정 단계들(20, 22 및 24)을 포함할 수 있다. 특히, 도 1의 단계(20)에 도시된 바와 같이, 수집 분극 결정은 본 명세서에 설명된 바와 같이 수행될 수 있는 참의 결함들과 같은 X/NNN, X/PPP 및 X/SSS 중 2개 이상에 공통인 결함들을 식별하는 단계를 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, X/NNN, X/PPP 및 X/SSS의 임의의 페어와이즈(pair-wise) 조합에 공통인 결함들은 참인 이벤트들로서 분류된다. 그와 같이, 상기 공통 결함들은 상기 조명을 위해 선택된 상기 분극 세팅의 모든 가능한 조합들 및 상기 수집을 위해 이용가능한 모든 분극 세팅들을 이용하여 검출된 결함들의 집단들에 기초하여 결정될 수 있다. 상기 가능한 조합들의 임의의 2개에 공통인 결함들은 상기 2개 조합들의 둘 다에 대해 상기 부분 집단들에 포함된다.
도 1의 단계(22)에 도시된 바와 같이, 상기 수집 분극 결정은 본 명세서에 설명된 바와 같이 수행될 수 있는 모든 참의 결함들에 대한 최대 평균 임계치 결과들을 제공하는 상기 수집 분극 세팅(검출기 당)을 탐색하도록 상기 참의 결함들을 처리하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 도 1의 단계(24)에 도시된 바와 같이, 상기 수집 분극 결정은 본 명세서에 설명된 바와 같이 수행될 수 있는 최종 수집 분극 세팅들을 중재하는 단계(예를 들어, 검출기 1 분극 세팅은 검출기 2 분극 세팅과 동일한 한편, 검출기 3 분극 세팅은 서로 다를 수 있음)를 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 방법은 단계(26)에 도시된 바와 같이, 최종 분극 세팅:X/Y1Y2Y3를 출력하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 최종 분극 세팅들을 출력하는 단계는 임의의 적합한 방식으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 결정된 최종 분극 세팅들은 본 명세서에 더 설명된 바와 같이 저장될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 선택 단계는 상기 부분 집단들의 제 1 서브세트를 이용하여 상기 조명에 대한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하는 단계 및 상기 부분 집단들의 제 2 서브세트를 이용하여 상기 수집에 대한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 상기 방법은 상기 이용가능한 데이터 전부를 이용하여 상기 조명 분극 세팅을 결정하는 단계, 그 후에 상기 수집 분극 세팅(들)을 결정하도록 상기 데이터의 부-샘플을 재방문하는 단계를 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 조명 분극 세팅 또는 세팅들을 결정하도록 사용된 상기 데이터의 서브세트는 상기 수집 분극 세팅들을 결정하도록 사용될 수 있다. 그와 같은 일 실시예에서, 상기 제 1 서브세트는 상기 조명을 위한 상기 분극 세팅들 전부의 상이한 조합들 중 적어도 2개 및 상기 수집을 위한 상기 분극 세팅들 중 단지 하나에 공통인 결함들을 포함하는 부분 집단들을 포함한다. 예를 들어, 상기 조명 분극 세팅의 결정을 위해, 상술한 바와 같이 식별된 참의 결함들은 세팅들의 P/NNN 조합 및 임의의 다른 세팅들의 조합들, 세팅들의 S/NNN 조합 및 임의의 다른 세팅들의 조합, 및 세팅들의 C/NNN 조합 및 임의의 다른 세팅들의 조합들에 공통인 이벤트들로서 정의될 수 있다.
일 예에서, 결함들의 집단은 분극 세팅들의 P/NNN 조합들을 이용하여 검출될 수 있다. 결함들의 다른 집단은 분극 세팅들의 S/NNN 조합을 이용하여 검출될 수 있으며, 결함들의 추가적인 집단은 분극 세팅들의 C/NNN 조합을 이용하여 검출될 수 있다. 따라서, 상기 집단들의 "구역 A"는 분극 세팅들의 P/NNN 조합 및 분극 세팅들의 S/NNN 조합 둘 다에 의해 검출된 결함들을 포함할 수 있다. 상기 집단들의 "구역 B"는 분극 세팅들의 S/NNN 조합 및 분극 세팅들의 C/NNN 조합 둘 다에 의해 검출된 결함들을 포함할 수 있다. 상기 집단들의 "구역 C"는 분극 세팅들의 C/NNN 조합 및 분극 세팅들의 P/NNN 조합 둘 다에 의해 검출된 결함들을 포함할 수 있다. 상기 집단들의 "구역 D"는 분극 세팅들의 3개 조합들 모두: P/NNN, S/NNN 및 C/NNN에 의해 검출된 결함들을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 웨이퍼의 층 상에 검출된 참의 결함들은 구역들 A, B, C 및 D에 포함된 결함들을 포함한다. 상기 구역들의 각각에 포함되는 결함들의 수는 서로 다를 수 있다.
분극 세팅들의 P/NNN 조합에 대한 결함들의 부분 집단은 따라서, 구역들 A, C 및 D에 포함된 결함들을 포함한다. 따라서, 분극 세팅들의 P/NNN 조합에 대응하는 상기 부분 집단에 대한 신호-대-잡음의 측정 특성은 구역들 A, C 및 D에 포함된 결함들에 기초하여 본 명세서에 더 설명된 바와 같이 결정될 수 있다. 분극 세팅들의 S/NNN 조합에 대한 결함들의 부분 집단은 구역들 A, B 및 D에 포함된 결함들을 포함한다. 따라서, 분극 세팅들의 S/NNN 조합에 대응하는 상기 부분 집단에 대한 신호-대-잡음의 측정 특성은 구역들 A, B 및 D에 포함된 결함들에 기초하여 본 명세서에 더 설명된 바와 같이 결정될 수 있다. 상기 분극 세팅들의 C/NNN 조합에 대한 결함들의 부분 집단은 구역들 B, C 및 D에 포함된 결함들을 포함한다. 따라서, 상기 분극 세팅들의 C/NNN 조합에 대응하는 상기 부분 집단에 대한 신호-대-잡음의 측정 특성은 구역들 B, C 및 D에 포함된 결함들에 기초하여 본 명세서에 더 설명된 바와 같이 결정될 수 있다. 참의 결함들의 이들 3개 부분 집단들 중에, 최대 평균 검출 임계치를 갖는 부분 집단은 상기 조명 분극 세팅(예를 들어, S, P 또는 C)을 결정한다.
그와 같은 다른 실시예에서, 상기 제 2 서브세트는 상기 조명을 위해 선택된 상기 분극 세팅의 상이한 조합들 중 적어도 2개 및 상기 수집에 대해 이용가능한 분극 세팅들의 전부에 공통인 결함들을 포함하는 부분 집단들을 포함한다. 예를 들어, 상기 조명 분극 세팅이 선택된 후에, 상기 수집 분극 세팅(들)의 결정은 각 검출기 또는 채널에 대한 수집 분극 세팅을 독립적으로 결정하도록 상기 데이터를 재방문하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, X가 선택된 조명 분극 세팅인 경우, 참인 결함들은 이제 X/NNN, X/SSS 및 X/PPP의 임의의 페어와이즈 조합에 공통인 결함들이다. 결함들의 3개의 부분 집단들이 이제 각 검출기에 대해 식별된다.
일 예에서, 결함들의 집단은 분극 세팅들의 X/PPP 조합을 이용하여 검출될 수 있다. 결함들의 다른 집단은 분극 세팅들의 X/SSS 조합을 이용하여 검출될 수 있으며, 결함들의 추가적인 집단은 분극 세팅들의 X/NNN 조합을 이용하여 검출될 수 있다. 따라서, 상기 집단들의 "구역 E"는 분극 세팅들의 X/PPP 조합 및 분극 세팅들의 X/SSS 조합 둘 다에 의해 검출된 결함들을 포함할 수 있다. 상기 집단들의 "구역 F"는 분극 세팅들의 X/SSS 조합 및 분극 세팅들의 X/NNN 조합 둘 다에 의해 검출된 결함들을 포함할 수 있다. 상기 집단들의 "구역 G"는 분극 세팅들의 X/NNN 조합 및 분극 세팅들의 X/PPP 조합 둘 다에 의해 검출된 결함들을 포함할 수 있다. 상기 집단들의 "구역 H"는 분극 세팅들의 3개 조합들 전부: X/PPP, X/SSS 및 X/NNN에 의해 검출된 결함들을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 웨이퍼의 층 상에 검출된 참의 결함들은 구역들 E, F, G 및 H에 포함된 결함들을 포함한다. 상기 구역들의 각각에 포함된 결함들의 수는 서로 다를 수 있다.
분극 세팅들의 X/PPP 조합에 대한 결함들의 부분 집단은 따라서, 구역들 E, G 및 H에 포함된 결함들을 포함한다. 따라서, 분극 세팅들의 X/PPP 조합에 대응하는 상기 부분 집단에 대한 신호-대-잡음의 측정 특성은 구역들 E, G 및 H에 포함된 결함들에 기초하여 본 명세서에서 더 설명된 바와 같이 결정될 수 있다. 분극 세팅들의 상기 X/SSS 조합에 대한 결함들의 부분 집단은 구역들 E, F 및 H에 포함된 결함들을 포함한다. 따라서, 분극 세팅들의 X/SSS 조합에 대응하는 상기 부분 집단에 대한 신호-대-잡음의 측정 특성은 구역들 E, F 및 H에 포함된 결함들에 기초하여 본 명세서에 더 설명된 바와 같이 결정될 수 있다. 분극 세팅들의 상기 X/NNN 조합에 대한 결함들의 부분 집단은 구역들 F, G 및 H에 포함된 결함들을 포함한다. 따라서, 분극 세팅들의 X/NNN 조합에 대응하는 상기 부분 집단에 대한 신호-대-잡음의 측정 특성은 구역들 F, G 및 H에 포함된 결함들에 기초하여 본 명세서에 더 설명된 바와 같이 결정될 수 있다. 다시 한번, 최대 평균 검출 임계치를 갖는 참의 결함들의 집단은 주어진 검출기에 대한 수집 분극 세팅을 결정한다.
일 실시예에서, 상기 검사 시스템은 하나 이상의 조명 채널들을 포함하며, 상기 선택 단계는 상기 하나 이상의 조명 채널들 중 적어도 하나에 대한 적어도 하나의 분극 세팅을 선택하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 상기 시스템이 하나 이상의 조명 채널을 포함하는 경우, 본 명세서에 설명된 실시예들은 하나 이상의 조명 채널들(예를 들어, 상기 조명 채널들 중 하나, 전부는 아닌, 상기 조명 채널들 중 일부 또는 상기 조명 채널들 전부)에 대한 분극 세팅을 선택하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 하나 이상(또는 각각의)의 조명 채널들에 대한 분극 세팅은 본 명세서에 설명된 바와 같이 선택될 수 있다. 또한, 상기 하나 이상(또는 각각)의 조명 채널들에 대한 분극 세팅은 독립적으로 선택될 수 있다.
다른 실시예에서, 상기 검사 시스템은 2개 이상의 수집 채널들을 포함하며, 상기 선택 단계는 상기 2개 이상의 수집 채널들 중 적어도 2개에 대한 분극 세팅을 선택하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 상기 시스템이 하나 이상의 수집 채널을 포함하는 경우, 본 명세서에 설명된 실시예들은 2개 이상의 수집 채널들에 대한 분극 세팅을 선택하는 단계(예를 들어, 상기 수집 채널들 중 2개, 전부는 아닌, 상기 수집 채널들 중 일부 또는 상기 수집 채널들의 전부)를 포함할 수 있다. 상기 수집 채널들의 하나 이상(또는 각각)에 대한 분극 세팅은 본 명세서에 더 설명되는 바와 같이 선택될 수 있다. 또한, 상기 수집 채널들 중 하나 이상(또는 각각)에 대한 분극 세팅이 본 명세서에 설명된 바와 같이 독립적으로 선택될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 검사 시스템은 하나 이상의 수집 채널을 포함한다. 예를 들어, 상기 검사 시스템은 본 명세서에 더 설명된 바와 같이 구성될 수 있다. 그와 같은 일 실시예에서, 상기 선택 단계는 하나 이상의 수집 채널 중 적어도 2개에 대해 선택된 분극 세팅들이 동일하도록 상기 수집을 위한 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 상기 방법은 상기 시스템의 제 1 검출기(예를 들어, 검출기 1)에 대한 수집 분극 세팅이 상기 시스템의 상이한 검출기(예를 들어, 검출기 2)의 수집 분극 세팅과 매칭하도록 보증하기 위한 최종 중재 단계를 포함할 수 있다. 그와 같은 일 예에서, 상기 시스템의 다른 검출기(예를 들어, 검출기 3)에 대한 수집 분극 세팅은 추가적인 중재를 갖지 않을 수 있다. 유사한 방식들로 출력을 생성하는 검출기들(예를 들어, 대칭인 검출기들)에 대한 분극 세팅들은 동일하도록 선택될 수 있는 한편, 상이한 방식들로 출력을 생성하는 검출기들(예를 들어, 비대칭인 검출기들)은 서로 다르도록 선택될 수 있다. 그와 같은 다른 예에서, 유사한 화상들을 생성하는 상기 검사 시스템의 채널들에 대한 분극 세팅들은 동일하도록 선택될 수 있다.
이러한 방식으로, 상이한 부분 집단들은 화상이 유사하게 비추는 상이한 수집 채널들에 대한 특성에 대한 최상 값들을 갖도록 결정되는 경우, 하나 이상의 부분 집단에 대해 결정된 상기 특성에 대한 값들이 상기 상이한 수집 채널들에 대한 분극 세팅들을 선택하도록 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들어, 수집 채널들(1 및 2) 화상이 유사하게 비추고, 상이한 분극 세팅들에 대응하는 부분 집단들이 수집 채널들(1 및 2)에 대한 특성의 최상 값들을 갖도록 결정되는 경우, 상기 방법은 수집 채널들 둘 다에 대한 특성에 대해 최상의 전체 값을 발생시킨 분극 세팅들 중 어느 하나를 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 그와 같은 다른 실시예에서, 상기 선택 단계는 하나 이상의 수집 채널 중 적어도 2개에 대한 분극 세팅들을 독립적으로 선택하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 검사를 위해, 검사 시스템의 수집 채널들 전부 또는 일부가 상기 웨이퍼 층의 검사 동안 상이한 분극 세팅들을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 방법은 상기 웨이퍼 상의 상이한 층들에 대해 수행된다. 예를 들어, 상기 방법은 상기 웨이퍼 상의 상이한 층들에 대해 개별적으로 수행될 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 조명 및 수집을 위한 상이한 분극 세팅들은 상기 웨이퍼 상의 상이한 층들의 검사를 위해 사용될 수 있다. 상기 웨이퍼 상의 상이한 층들은 동일한 검사 시스템을 이용하여 검사될 수 있다. 이러한 방식으로, 상이한 분극 세팅들이 상기 웨이퍼의 상이한 층들의 검사를 위해 동일한 검사 시스템으로 이용될 수 있다. 또한, 상기 웨이퍼 상의 상이한 층들은 상이한 검사 시스템들을 이용하여 검사될 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 방법들은 상기 검사 시스템상에 이용가능한 분극 세팅들의 상이한 조합들에 대한 지식에 기초한 임의의 검사 시스템에 대해 수행될 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 웨이퍼 상의 각각의 상이한 층의 검사를 위한 분극 세팅들은 본 명세서에 설명된 실시예들을 이용하여 최적화될 수 있다. 그와 같이, 상기 웨이퍼 상의 각각의 상이한 층의 검사를 위한 분극 세팅들이 최적화될 수 있으며, 그에 의해 본 명세서에 설명된 실시예들을 이용하여 각각의 상이한 층에 대한 검사의 감도 및 신호-대-잡음 비를 최적화한다.
상술한 방법의 실시예들의 각각은 본 명세서에 설명된 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수 있다. 더욱이, 상술한 방법의 실시예들의 각각은 본 명세서에 설명된 임의의 시스템들에 의해 수행될 수 있다.
본 명세서에 설명된 방법들 전부는 저장 매체에서의 방법 실시예들의 하나 이상의 단계들의 결과들을 저장하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 결과들은 본 명세서에 설명된 결과들 중 임의의 것을 포함할 수 있으며 기술분야에 알려진 임의의 방법으로 저장될 수 있다. 상기 저장 매체는 본 명세서에 설명된 임의의 저장 매체 또는 기술분야에 알려진 임의의 다른 적합한 저장 매체를 포함할 수 있다. 상기 결과들이 저장된 후에, 상기 결과들은 상기 저장 매체에 액세스될 수 있고 본 명세서에 설명된 상기 방법 또는 시스템 실시예들 중 임의의 것에 의해 사용되며, 사용자에게 디스플레이하기 위해 포맷되며, 다른 소프트웨어 모듈, 방법 또는 시스템 등에 의해 사용되었다. 예를 들어, 상기 방법이 상기 분극 세팅들을 선택한 후에, 상기 방법은 저장 매체에 검사 방안에서의 분극 세팅들을 저장하는 단계를 포함할 수 있다. 더욱이, 상기 결과들은 "영구적으로", "반-영구적으로", 일시적으로 또는 일부 시간 주기 동안 저장될 수 있다. 예를 들어, 상기 저장 매체는 랜덤 액세스 메모리(RAM)일 수 있으며, 그 결과들은 상기 저장 매체에 무한하게 지속할 필요가 없다.
본 명세서에 설명된 실시예들은 검사 시스템을 위한 분극 세팅들을 선택하기 위한 다른 방법들 및 시스템들을 능가하는 다수의 장점들을 갖는다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 실시예들은 완전히 자동화되며 사용자 중재의 필요성을 제거할 수 있다. 본 명세서에 설명된 실시예들은 따라서, 암시야 검사를 위한 분극 선택의 이전의 수동적이고 지루한 프로세스를 자동화하도록 이용될 수 있으며, 그에 의해 상기 검사 프로세스에서의 결과들 및 지속성에 대한 시간을 개선시킨다. 그와 같이, 본 명세서에 설명된 실시예들은 상기 셋업 시간을 상당히 감소시킴으로써 암시야 검사 시스템에 대한 사용의 편의성을 개선시킬 수 있다. 본 명세서에 설명된 실시예들은 또한 암시야 검사 시스템상의 임의의 사용자 상호작용 없이 임의의 주어진 프로세스 층(상기 반도체 제조 프로세스의)에 대한 최적의 분극 세팅들을 선택하도록 이용될 수 있다. 또한, 정정 분극 세팅 선택은 정정 분극 세팅들이 상기 결함들에 대한 신호-대-잡음을 최대화하기 때문에, 상기 반도체 제조 프로세스를 모니터링하도록 사용된 상기 암시야 검사 시스템들을 위해 대단히 중요하다. 특히, 최적의 분극 셋업으로, 주어진 프로세스 층에 대한 신호-대-잡음 비는 상당히 강화되며, 따라서 상기 암시야 검사 감도가 크게 개선될 수 있다. 따라서, 상기 정정 분극 세팅들로, 상기 검사 시스템의 감도가 증폭되며, 그에 의해 관련 결함들을 포착할 가능성을 증가시킨다.
추가적인 실시예는 웨이퍼 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 컴퓨터-실행 방법을 수행하도록 컴퓨터 시스템상에 실행가능한 프로그램 명령들을 포함하는 캐리어 매체에 관한 것이다. 그와 같은 일 실시예는 도 2에 도시되어 있다. 특히, 도 2에 도시된 바와 같이, 캐리어 매체(56)는 컴퓨터 시스템(60) 상에 실행가능한 프로그램 명령들(58)을 포함한다.
상기 컴퓨터-실행 방법은 상기 웨이퍼로부터 산란된 광의 조명 및 수집을 위한 검사 시스템의 분극 세팅들의 상이한 조합들로 수행된 상기 웨이퍼의 2개 이상의 스캔들의 각각의 결과들을 이용하여 상기 웨이퍼의 층 상의 결함들의 집단을 검출하는 단계를 포함한다. 상기 결함들의 집단들을 검출하는 단계는 본 명세서에 설명된 바와 같이 수행될 수 있다. 상기 방법은 또한 상이한 조합들의 각각에 대한 결함들의 부분 집단을 식별하는 단계를 포함한다. 상기 부분 집단들의 각각은 상기 상이한 조합들 중 적어도 2개에 공통인 결함들을 포함한다. 상기 부분 집단들을 식별하는 단계는 본 명세서에 설명된 바와 같이 수행될 수 있다. 또한, 상기 방법은 상기 부분 집단들의 각각에 대한 신호-대-잡음의 측정 특성을 결정하는 단계를 포함한다. 신호-대-잡음의 측정 특성을 결정하는 단계는 본 명세서에 더 설명된 바와 같이 수행될 수 있다. 상기 컴퓨터-실행 방법은 상기 특성에 대한 최상 값을 갖는 부분 집단에 대응하는 상기 웨이퍼의 층 검사를 위해 사용되도록 상기 조명 및 수집을 위한 분극 세팅들을 선택하는 단계를 더 포함한다. 상기 조명 및 수집을 위한 분극 세팅들을 선택하는 단계는 본 명세서에 더 설명된 바와 같이 수행될 수 있다. 상기 프로그램 명령들이 실행가능한 컴퓨터-실행 방법은 본 명세서에 설명된 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수 있다.
본 명세서에 설명된 바와 같은 방법들을 실행하는 프로그램 명령들(58)은 캐리어 매체(56)를 통해 전송되거나 저장될 수 있다. 상기 캐리어 매체는 와이어, 케이블 또는 무선 전송 링크와 같은 전송 매체일 수 있다. 상기 캐리어 매체는 또한 판독-전용 메모리, 랜덤 액세스 메모리, 자기 또는 광 디스크 또는 자기 테이프와 같은 저장 매체일 수 있다.
상기 프로그램 명령들은 절차-기반 기술들, 컴포넌트-기반 기술들 및/또는 객체-지향 기술들 등을 포함하는 임의의 다양한 방식들로 실행될 수 있다. 예를 들어, 상기 프로그램 명령들은 원하는 바에 따라, ActiveX controls, C++ 객체들, JavaBeans, MFC(Microsoft Foundation Classes) 또는 다른 기술들 또는 방법론들을 이용하여 실행될 수 있다.
상기 컴퓨터 시스템은 개인용 컴퓨터 시스템, 화상 컴퓨터, 메인프레임 컴퓨터 시스템, 워크스테이션, 네트워크 어플라이언스, 인터넷 어플라이언스 또는 다른 장치를 포함하는 다양한 형태들을 취할 수 있다. 일반적으로, 상기 용어 "컴퓨터 시스템"은 메모리 매체로부터의 명령들을 실행하는 하나 이상의 프로세서들을 갖는 임의의 장치를 망라하도록 광범위하게 정의될 수 있다. 상기 컴퓨터 시스템은 또한 병렬 프로세서와 같은 기술 분야에 알려진 임의의 적합한 프로세서를 포함할 수 있다. 또한, 상기 컴퓨터 시스템은 독립형 또는 네트워크된 툴과 같은 고속 프로세싱 및 소프트웨어를 갖는 컴퓨터 플랫폼을 포함할 수 있다.
또 다른 실시예는 웨이퍼의 층 검사를 위한 분극 세팅들을 선택하도록 구성되는 시스템에 관한 것이다. 그와 같은 시스템의 일 실시예는 도 3에 도시되어 있다. 상기 시스템은 상기 웨이퍼로부터 산란된 광의 조명 및 수집을 위한 분극 세팅들의 상이한 조합들로 상기 웨이퍼의 2개 이상의 스캔들을 수행함으로써 출력을 생성하도록 구성되는 검사 시스템을 포함한다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 검사 시스템은 광원(62)을 포함한다. 광원(62)은 레이저와 같은 기술분야에 알려진 임의의 적합한 광원을 포함할 수 있다. 광원(62)은 기술분야에 알려진 임의의 적합한 분극 컴포넌트를 포함할 수 있는 분극 컴포넌트(64)에 광을 유도하도록 구성되는다. 또한, 상기 검사 시스템은 그 각각이 상기 광원으로부터 상기 광의 경로에서 독립적으로 위치결정될 수 있는 하나 이상의 분극 컴포넌트(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 상기 분극 컴포넌트들의 각각은 상이한 방식으로 상기 광원으로부터 상기 광의 분극을 변경하도록 구성될 수 있다. 상기 검사 시스템은 스캔 또는 검사 동안 상기 웨이퍼의 조명을 위해 분극 세팅이 선택되는지에 따라 임의의 적합한 방식으로 상기 광원으로부터 상기 광 경로 내로 그리고 상기 광 경로 밖으로 상기 분극 컴포넌트들을 이동시키도록 구성될 수 있다. 스캔 또는 검사 동안 상기 웨이퍼의 조명을 위해 사용된 분극 세팅은 본 명세서에 설명된 바와 같이 선택될 수 있으며 본 명세서에 설명된 분극 세팅들 중 임의의 것을 포함할 수 있다(예를 들어, P, S 및 C).
광 탈출 분극 컴포넌트(64)는 임의의 적합한 입사 경사각을 포함할 수 있는 입사 경사각에서 웨이퍼(66)로 유도된다. 상기 검사 시스템은 또한 광원(62)으로부터 분극 컴포넌트(64)에 또는 분극 컴포넌트(64)로부터 웨이퍼(66)에 광을 유도하도록 구성되는 하나 이상의 광학 컴포넌트들(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 상기 광학 컴포넌트들은 반사 광학 컴포넌트와 같은 기술분야에 알려진 임의의 적합한 컴포넌트들을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. 또한, 상기 광원, 상기 분극 컴포넌트, 및/또는 상기 하나 이상의 광학 컴포넌트들은 상기 광을 하나 이상의 입사각들(예를 들어, 입사 경사각 및/또는 실질적으로 법선인 입사각)에서 상기 웨이퍼로 유도하도록 구성될 수 있다. 상기 검사 시스템은 임의의 적합한 방식으로 상기 웨이퍼 위에 상기 광을 스캔함으로써 상기 스캔들의 각각을 수행하도록 구성될 수 있다.
웨이퍼(66)로부터 산란된 광은 상기 스캔들의 각각 동안 그리고 검사 동안 상기 검사 시스템의 다중 채널들에 의해 수집되고 검출될 수 있다. 예를 들어, 비교적 법선에 가까운 각도로 웨이퍼(66)로부터 산란된 광이 렌즈(68)에 의해 수집될 수 있다. 렌즈(68)는 도 3에 도시된 바와 같은 굴절 광학 요소를 포함할 수 있다. 또한, 렌즈(68)는 하나 이상의 굴절 광학 요소들 및/또는 하나 이상의 반사 광학 요소들을 포함할 수 있다. 렌즈(68)에 의해 수집된 광은 기술분야에 알려진 임의의 적합한 분극 컴포넌트를 포함할 수 있는 분극 컴포넌트(70)에 유도될 수 있다. 또한, 상기 검사 시스템은 그 각각이 상기 렌즈에 의해 수집된 광의 경로에서 독립적으로 위치결정될 수 있는 하나 이상의 분극 컴포넌트(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 상기 분극 컴포넌트들의 각각은 상이한 방식으로 상기 렌즈에 의해 수집된 광의 분극을 변경하도록 구성될 수 있다. 상기 검사 시스템은 스캔 또는 검사 동안 렌즈(68)에 의해 수집된 상기 광의 검출을 위해 어느 분극 세팅이 선택되는지에 따라 임의의 적합한 방식으로 상기 렌즈에 의해 수집된 광의 경로 내로 및 상기 경로 밖으로 상기 분극 컴포넌트들을 이동시키도록 구성될 수 있다. 스캔 또는 검사 동안 렌즈(68)에 의해 수집된 광의 검출을 위해 사용된 분극 세팅은 본 명세서에 설명된 바와 같이 선택될 수 있으며 본 명세서에 설명된 상기 분극 세팅들 중 임의의 것을 포함할 수 있다(예를 들어, P, S 및 N).
광 탈출 분극 컴포넌트(70)는 검출기(72)로 유도된다. 검출기(72)는 전하 커플링 디바이스(CCD) 또는 다른 타입의 화상 검출기와 같이 기술분야에 알려진 임의의 적합한 검출기를 포함할 수 있다. 검출기(72)는 렌즈(68)에 의해 수집되며 상기 수집된 산란 광의 경로에 위치결정된 경우 분극 컴포넌트(70)에 의해 전송된 산란 광에 응답하는 출력을 생성하도록 구성되는다. 따라서, 렌즈(68), 렌즈(68)에 의해 수집된 광의 경로에 위치결정된 경우의 분극 컴포넌트(70) 및 검출기(72)는 상기 검사 시스템의 일 채널을 형성한다. 상기 검사 시스템의 상기 채널은 퓨리에 필터링 컴포넌트와 같은 기술분야에 알려진 임의의 다른 적합한 광학 컴포넌트들(도시되지 않음)을 포함할 수 있다.
상이한 각도들로 웨이퍼(66)로부터 산란된 광은 렌즈(74)에 의해 수집될 수 있다. 렌즈(74)는 상술한 바와 같이 구성될 수 있다. 렌즈(74)에 의해 수집된 광은 기술분야에 알려진 임의의 적합한 분극 컴포넌트를 포함할 수 있는 분극 컴포넌트(76)로 유도될 수 있다. 또한, 상기 검사 시스템은 그 각각이 상기 렌즈에 의해 수집된 광의 경로에서 독립적으로 위치결정될 수 있는 하나 이상의 분극 컴포넌트(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 상기 분극 컴포넌트들의 각각은 상이한 방식으로 상기 렌즈에 의해 수집된 광의 분극을 변경하도록 구성될 수 있다. 상기 검사 시스템은 스캔 또는 검사 동안 렌즈(74)에 의해 수집된 광의 검출을 위해 어느 분극 세팅이 선택되는지에 따라 임의의 적합한 방식으로 상기 렌즈에 의해 수집된 광의 경로 내로 그리고 상기 경로 밖으로 상기 분극 컴포넌트들을 이동시키도록 구성될 수 있다. 스캔 또는 검사 동안 렌즈(74)에 의해 수집된 광의 검출을 위해 사용된 분극 세팅은 본 명세서에 설명된 바와 같이 선택될 수 있으며 본 명세서에 설명된 분극 세팅들 중 임의의 것을(예를 들어, P, S 및 N) 포함할 수 있다.
광 탈출 분극 컴포넌트(76)는 상술한 바와 같이 구성될 수 있는 검출기(78)로 유도된다. 검출기(78)는 또한 상기 산란된 광의 경로로 위치결정되는 경우 분극 컴포넌트(76)를 통과하는 수집된 산란 광에 응답하는 출력을 생성하도록 구성되는다. 따라서, 렌즈(74), 렌즈(74)에 의해 수집된 광의 경로에 위치결정된 경우의 분극 컴포넌트(76) 및 검출기(78)는 상기 검사 시스템의 다른 채널을 형성할 수 있다. 상기 채널은 또한 상술한 임의의 다른 광학 컴포넌트들(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 렌즈(74)는 약 20도 내지 약 70도의 극각들(polar angles)에서 상기 웨이퍼로부터 산란된 광을 수집하도록 구성될 수 있다. 또한, 렌즈(74)는 약 360도의 방위각들로 상기 웨이퍼로부터 산란된 광을 수집하도록 구성되는 반사 광학 컴포넌트(도시되지 않음)로서 구성될 수 있다.
도 3에 도시된 검사 시스템은 또한 하나 이상의 다른 채널들(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 검사 시스템은 측면 채널로서 구성되는, 렌즈와 같이 본 명세서에 설명된 광학 컴포넌트들, 하나 이상의 분극 컴포넌트들 및 검출기 중 임의의 것을 포함할 수 있는 추가 채널을 포함할 수 있다. 상기 렌즈, 하나 이상의 분극 컴포넌트들 및 검출기는 본 명세서에 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다. 그와 같은 일 예에서, 상기 측면 채널은 입사 평면 밖으로 산란되는 광을 수집하도록 검출하도록 구성될 수 있다(예를 들어, 상기 측면 채널은 입사 평면에 실질적으로 수직인 평면에 중심에 있는 렌즈 및 상기 렌즈에 의해 수집된 광을 검출하도록 구성되는 검출기를 포함할 수 있다).
상기 시스템은 또한 컴퓨터 시스템(80)을 포함한다. 스캔들의 각각 동안 그리고 검사 동안 상기 검출기들에 의해 생성된 출력은 컴퓨터 시스템(80)에 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 컴퓨터 시스템은 상기 검출기에 의해 생성된 출력을 수신할 수 있도록 상기 검출기들의 각각에(예를 들어, 기술분야에 알려진 임의의 적합한 전송 매체를 포함할 수 있는, 도 3에서의 점선들에 의해 도시된 하나 이상의 전송 매체에 의해) 결합될 수 있다. 상기 컴퓨터 시스템은 임의의 적합한 방식으로 상기 검출기들의 각각에 결합될 수 있다.
상기 컴퓨터 시스템은 상기 2개 이상의 스캔들의 각각에 의해 생성된 출력을 사용하여 상기 웨이퍼 상의 결함들의 집단을 검출하도록 구성되는다. 상기 결함들의 집단들을 검출하도록 사용된 출력은 상기 2개 이상의 스캔들의 각각 동안 상기 검사 시스템의 임의의 2개 이상의 채널들(또는 검출기들)에 의해 생성된 출력을 포함할 수 있다. 상기 컴퓨터 시스템은 본 명세서에 더 설명된 바와 같이 상기 결함들의 집단을 검출하도록 구성될 수 있다.
상기 컴퓨터 시스템은 또한 상기 상이한 조합들의 각각에 대한 결함들의 부분 집단을 식별하도록 구성되는다. 상기 부분 집단들의 각각은 상기 상이한 조합들 중 적어도 2개에 공통인 결함들을 포함한다. 상기 컴퓨터 시스템은 본 명세서에 더 설명된 바와 같은 결함들의 부분 집단들을 식별하도록 구성될 수 있다. 또한, 상기 컴퓨터 시스템은 상기 부분 집단들의 각각에 대한 신호-대-잡음의 측정의 특성을 결정하도록 구성되는다. 상기 컴퓨터 시스템은 본 명세서에 더 설명된 바와 같은 측정의 특성을 결정하도록 구성될 수 있다.
상기 컴퓨터 시스템은 상기 특성에 대한 최상 값을 갖는 부분 집단에 대응하는 상기 웨이퍼의 층 검사를 위해 사용되도록 상기 조명 및 수집을 위한 분극 세팅들을 선택하도록 더 구성되는다. 상기 컴퓨터 시스템은 본 명세서에 설명된 실시예들 중 임의의 것에 따라 상기 분극 세팅들을 선택하도록 구성될 수 있다.
상기 컴퓨터 시스템은 본 명세서에 설명된 임의의 방법 실시예(들)의 임의의 다른 단계(들)를 수행하도록 구성될 수 있다. 상기 컴퓨터 시스템은 본 명세서에 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다. 상기 검사 시스템은 또한 본 명세서에 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다. 더욱이, 상기 시스템은 본 명세서에 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다.
주목할 사항으로서, 도 3은 본 명세서에 설명된 시스템 실시예들에 포함될 수 있는 검사 시스템의 일 구성을 일반적으로 도시하도록 제공된다. 명백하게, 본 명세서에 설명된 검사 시스템 구성은 상업적 검사 시스템을 설계할 때 통상적으로 수행되는 바와 같은 검사 시스템의 성능을 최적화하도록 변경될 수 있다. 또한, 본 명세서에 설명된 시스템들은 KLA-Tencor, San Jose, California로부터 상업적으로 이용가능한 Puma 9000 및 9100 시리즈 툴들과 같은 기존의 검사 시스템을 이용하여(예를 들어, 본 명세서에 설명된 기능을 기존의 검사 시스템에 추가함으로써) 실행될 수 있다. 일부 그와 같은 시스템들에 대해, 본 명세서에 설명된 방법들은 상기 시스템의 임의 선택적 기능(예를 들어, 상기 시스템의 다른 기능에 부가하여)으로서 제공될 수 있다. 대안적으로, 본 명세서에 설명된 시스템은 완전히 새로운 시스템을 제공하도록 "스크래치로부터" 설계될 수 있다.
일부 실시예들에서, 본 명세서에 설명된 하나 이상의 컴퓨터-실행 방법들을 수행하도록 구성되는 시스템은 상술한 바와 같은 검사 시스템을 포함할 수 있다. 그러나, 본 명세서에 설명된 하나 이상의 컴퓨터-실행 방법들을 수행하도록 구성되는 시스템은 검사 시스템을 포함하지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 시스템은 자립형 툴로서 구성되는 하나 이상의 프로세서들 또는 하나 이상의 컴퓨터 시스템들을 포함할 수 있다. 그와 같은 일 예에서, 상기 시스템은 본 명세서에 설명된 하나 이상의 컴퓨터-실행 방법들을 수행하도록 구체적으로 설계되는(및 임의선택적으로 전용된) 하나 이상의 컴포넌트들을 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 양상들의 추가적인 수정들 및 대안적인 실시예들은 본 설명의 관점에서 당업자에게 명백할 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 시스템이 제공된다. 따라서, 상기 설명은 예시적인 것으로서 해석되어야 하며 본 발명을 실행하는 일반적인 방식을 당업자에게 교시하기 위한 것이다. 이해되는 바와 같이, 본 명세서에 도시되고 설명된 본 발명의 형태들은 현재 바람직한 실시예들로서 취해지는 것이다. 본 발명의 상기 설명의 이익을 가진 후에 당업자에게 명백해지는 바와 같이, 요소들 및 재료들은 본 명세서에 도시되고 설명된 것들에 대해 대체될 수 있으며, 부분들 및 프로세스들이 역전될 수 있으며, 본 발명의 어떤 특징들이 독립적으로 이용될 수 있다. 다음의 청구범위에 설명된 바와 같이 본 발명의 정신 및 범위로부터 이탈하지 않고서, 본 명세서에 설명된 요소들에 변경들이 이루어질 수 있다.
Claims (21)
- 웨이퍼의 층(layer)의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법으로서,
상기 웨이퍼로부터 산란되는 광의 조명 및 수집을 위한 상기 검사 시스템의 분극 세팅들의 상이한 조합들로 수행되는 상기 웨이퍼의 2개 이상의 스캔들 각각의 결과들을 이용하여 상기 웨이퍼의 층 상의 결함들의 집단(population)을 검출하는 단계;
상기 상이한 조합들 각각에 대한 상기 결함들의 부분 집단(subpopulation)을 식별하는 단계 ― 상기 부분 집단들 각각은 상기 상이한 조합들 중 적어도 2개에 공통인 결함들을 포함함 ― ;
상기 부분 집단들 각각에 대한 신호-대-잡음의 측정의 특성을 결정하는 단계; 및
상기 특성에 대한 최상 값을 갖는 상기 부분 집단에 대응하는 상기 웨이퍼의 층의 검사를 위해 사용될 상기 조명 및 수집을 위한 상기 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함하는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
상기 2개 이상의 스캔들 각각은 단지 상기 웨이퍼의 일부분만의 스캔을 포함하는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
상기 검출하는 단계는 상기 2개 이상의 스캔들 각각의 결과들에 단일 파라미터 임계치를 적용하는 단계를 포함하고,
상기 신호-대-잡음의 측정은 상기 적용하는 단계의 결과들을 포함하는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
상기 방법의 모든 단계들은 상기 웨이퍼 상의 관련 결함들의 지식(knowledge) 없이 수행되는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
상기 방법의 모든 단계들은 상기 웨이퍼 상의 관련 결함들을 식별함이 없이 수행되는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
상기 상이한 조합들 중 적어도 2개에 공통인 결함들은 상기 상이한 조합들 중 적어도 2개에 공통이 아닌 결함들보다 두드러진(salient) 결함들일 더 높은 확률을 갖는 결함들을 포함하는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
상기 상이한 조합들은 상기 검사 시스템상에서 이용가능한 상기 조명 및 수집을 위한 상기 분극 세팅들의 모든 조합들을 포함하는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
상기 신호-대-잡음의 측정의 특성은 평균을 포함하고, 상기 최상 값은 상기 평균에 대한 최고 값을 포함하는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
상기 선택하는 단계는 상기 수집을 위한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하기 전에 상기 조명을 위한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함하는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
상기 선택하는 단계는 상기 조명을 위한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하는 단계 및 상기 조명을 위해 선택되는 하나 이상의 분극 세팅들에 대응하는 부분 집단들에 기초하여 상기 수집을 위한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함하는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
상기 선택하는 단계는 상기 부분 집단들의 제1 서브세트를 이용하여 상기 조명을 위한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하는 단계 및 상기 부분 집단들의 제2 서브세트를 이용하여 상기 수집을 위한 하나 이상의 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함하는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제11항에 있어서,
상기 제1 서브세트는 상기 조명을 위한 상기 분극 세팅들 모두의 상이한 조합들 중 적어도 2개, 및 상기 수집을 위한 상기 분극 세팅들 중 단지 하나에만 공통인 결함들을 포함하는 부분 집단들을 포함하는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제11항에 있어서,
상기 제2 서브세트는 상기 조명을 위해 선택되는 상기 분극 세팅의 상이한 조합들 중 적어도 2개, 및 상기 수집을 위해 이용가능한 분극 세팅들 모두에 공통인 결함들을 포함하는 부분 집단들을 포함하는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
상기 검사 시스템은 하나 이상의 조명 채널들을 포함하고,
상기 선택하는 단계는 상기 하나 이상의 조명 채널들 중 적어도 하나에 대한 적어도 하나의 분극 세팅을 선택하는 단계를 포함하는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
상기 검사 시스템은 2개 이상의 수집 채널들을 포함하고,
상기 선택하는 단계는 상기 2개 이상의 수집 채널들 중 적어도 2개에 대한 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함하는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
상기 검사 시스템은 둘 이상의(more than one) 수집 채널을 포함하고,
상기 선택하는 단계는 상기 둘 이상의 수집 채널 중 적어도 2개에 대해 선택되는 분극 세팅들이 동일하도록 상기 수집을 위한 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함하는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
상기 검사 시스템은 둘 이상의 수집 채널을 포함하고,
상기 선택하는 단계는 상기 둘 이상의 수집 채널 중 적어도 2개에 대한 분극 세팅들을 독립적으로 선택하는 단계를 포함하는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
상기 방법은 상기 웨이퍼 상의 상이한 층들에 대해 수행되는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 제1항에 있어서,
상기 방법의 모든 단계들은 사용자 중재 없이 수행되는,
웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 방법. - 웨이퍼의 층의 검사를 위한 검사 시스템에 대한 분극 세팅들을 선택하기 위한 컴퓨터-구현 방법을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템상에 실행가능한 프로그램 명령들을 포함하는 캐리어 매체로서,
상기 컴퓨터-구현 방법은:
상기 웨이퍼로부터 산란되는 광의 조명 및 수집을 위한 상기 검사 시스템의 분극 세팅들의 상이한 조합들로 수행되는 상기 웨이퍼의 2개 이상의 스캔들 각각의 결과들을 이용하여 상기 웨이퍼의 층 상의 결함들의 집단을 검출하는 단계;
상기 상이한 조합들 각각에 대한 상기 결함들의 부분 집단을 식별하는 단계 ― 상기 부분 집단들 각각은 상기 상이한 조합들 중 적어도 2개에 공통인 결함들을 포함함 ― ;
상기 부분 집단들 각각에 대한 신호-대-잡음의 측정의 특성을 결정하는 단계; 및
상기 특성에 대한 최상 값을 갖는 상기 부분 집단에 대응하는 상기 웨이퍼의 층의 검사를 위해 사용될 상기 조명 및 수집을 위한 상기 분극 세팅들을 선택하는 단계를 포함하는,
캐리어 매체. - 웨이퍼의 층의 검사를 위한 분극 세팅들을 선택하도록 구성되는 시스템으로서,
상기 웨이퍼로부터 산란되는 광의 조명 및 수집을 위한 분극 세팅들의 상이한 조합들로 상기 웨이퍼의 2개 이상의 스캔들을 수행함으로써 출력을 생성하도록 구성되는 검사 시스템; 및
컴퓨터 시스템을 포함하고,
상기 컴퓨터 시스템은,
상기 2개 이상의 스캔들 각각에 의해 생성되는 출력을 이용하여 상기 웨이퍼 상의 결함들의 집단을 검출하고;
상기 상이한 조합들 각각에 대한 결함들의 부분 집단을 식별하며 ― 상기 부분 집단들 각각은 상기 상이한 조합들 중 적어도 2개에 공통인 결함들을 포함함 ― ;
상기 부분 집단들 각각에 대한 신호-대-잡음의 측정 특성을 결정하고; 그리고
상기 특성에 대한 최상 값을 갖는 부분 집단에 대응하는 상기 웨이퍼 층의 검사를 위해 사용되도록 상기 조명 및 상기 수집을 위한 분극 세팅들을 선택하도록 구성되는,
웨이퍼의 층 검사를 위한 분극 세팅들을 선택하도록 구성되는 시스템.
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