TW457686B - Integrated semiconductor-circuit arrangement with stabilized conductive-tracks - Google Patents

Description

457686 A7 B7_ 五、發明說明（1 ) 本發明傺關於一種積體半導體電路配置，其具有多個 在至少二個不同平面中延伸之導電軌，其中在至少一個 平面中這些導電軌是互相平行地設置在相鄰區域中。 在製造積體半導體電路配置（例如，半導體記億體）時 ，則例如在這些導電軌狹窄地相鄰而互相平行延伸且導 電軌中之一被中斷時，則會産生所謂陴近應，此種效應 最會導致：此種區域中之導電軌會顔示一種臨界 (critical)位置，導電軌在此種臨界位置上會成為不穩 定且甚至傾斜至中斷處，這將依據第4圖來詳逑，第4 圖顯示三値導電軌1至3之俯視圖，其中導電軌2在其 中央處中斷。此種中斷是與下逑情況有關：導電軌2在 其在第4圖中相面對之中央末端處是經由接觸區而與一 値組件相連接，此一組件位於另一金屬化平面中。由於 導電軌2之此種中斷，則就導電軌1和3而言每種情況 都在其相鄰區中存在一種不連鑲性。此種不連缠性特別 是在半導體記憶體中二値相鄰之導電軌在一扭轉（Twist) 區域中相交時亦會産生。與此種扭轉區域相鄰之其它導 電軌可”看到”此種杻轉區域之不連鑲性。 -I ^1 I I I H ϋ I » ϋ u ϋ I ϋ 一-o、I n n ϋ n n ϋ I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之導 鄰之 相鄰 礙相 妨造 會製 而在 性則 續’ 連性 不纊 種連 此不 於種 由一 : 在 示存 顯若 已’ 況卽 情： 一 軌 每電 導 軌 電 導 是 中 子 例 本δ ^ ί 有 軌 具 電可 面 切 横 之 小 較 ΊΒΙ 種 和 中用 域 3 區或 之 1 鑲軌 連電 不導 在由 時是 如 ij 例 這 面 切 橫 在 是 的 示 。顯 示所 所圖 線.3 虛第 之 續 —a» 不 之 述 上 像 就 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 45768 6 Α7 Β7 五、發明說明（） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 性在導電軌1上所造成者一樣）中此種例如在由二氧化 矽所構成之隔離層5上延伸之導電軌1在導電軌2之不 連缠之區域中具有一種較小之横切面，其是以虛線4作 為界限。 現在若這些不連鑛性存在於導電軌之二側，則此種導 電軌會變成不穩定且甚至可能會斯裂。 導電軌之這些臨界（critical)位置未必只與所謂鄰近 效應有蘭。導電軌之已指定之走向具有較小彎曲半徑之待 殊之彎曲處亦可造成這些臨界位置β 這些臨界位置當然是極不期望的，造是因為在這些位 置中各導電軌之幾何尺寸通常會變大。此種設計方式所 具有之缺點是：各導電軌或其相互間的距離因此必定會 變大，這和積體半導體電路配置所持鑛追求之小型化是 相反的。 本發明之目的是提供一種積體半導體電路配置，其中 能可靠地防止臨界位置上之導電軌之不穩定現象。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此目的在本發明中是以下述方式達成：在由佈局 (layout)所決定之這些臨界位置上之導電軌使—種虛擬 (Duniiy)接觸匾置於其下方β本發明之積賭半導體電路 配置具有一些在至少二猶不同平面中延伸之導電軌其 中在至少一傾平面中在狹窄之相鄰區中以互相平行之方 式設置一些導罨軌。 本發明之積體半導藤電路配寰對上逑待別是由於鄰近 效應所造成之臨界位置之問題提供了 —種非常簡易之解 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 A7 457686 B7_ 五、發明說明（3 ) 法：在這些位置上這些導電軌以較簡易之方式藉由一種 虛擬接觭區而配置在此接觭直上方，接觸匾可延伸至其 下方之金颶化平面中而不會在該處形成一種電性連接。 導電軌在這些醸界位置之區域中因此具有足夠大之横切 面，於是能可靠地防止導電軌之每種不穩定現象或防止 導電軌之中斷。 這些虛擬接觸區例如設置在這些臨界位置上，些臨界 位置則與二橱狹窄而相鄰之平行導電軌之一之中斷有醸。 導電軌之寬度大約是15DDB至250ηιη之間且相互間之距 離之值大約是130nm至180nB之間。 在本發明之積體半導體電路配置中因此須在導電 軌之臨界位置設置一些虛擬接觸區。藉由這些虛擬接觸 區使導電軌在這些臨界位置處所具有之橫切面變大，導 電軌因此不再不穩定或不會斷裂。亦能可靠地防止已增 大之電子遷移性（migration)。 由於使用上述之虛擬接觸匾，則可設置一些具有臨界 幾何形狀（即，特別小之結構）之佈局（lay〇ut)，使本發 明可有利地使積體半導體電路配置進一步被小型化。 n n —r I I— i ^OJk I n Ml I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 e 〇 影 cell為形大徹 SC因何增以 。 IDa是幾地它中 Da這之性其路 謂，軌部在電 所的電局用體 之利導面使積 路有使切式在 電是可横方用 體中只之之是 積統不線利只 在糸匾導有不 式化觴使以且 I 方屬接可能中 之金擬旦亦統 利-虛而時糸 有ne些，要化 別ce這寬需屬 待as中變況金 以am統地情之 明-D糸性明定 發al種部發界 本DU此局本所. 和在狀 術 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21(W 297公t ) A74 5 T 6 8 t Β7五、發明說明（4 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之 。 俯 中 至St化11之 電慕由 由ΐ軌些 軌 圖 之 式1DW1屬軌缠 導 可 時?r電這 下電 面 軌 圖 軌(T金電連 。^身 化存導在 如導 切 電 些 電轉之導是 線on本 屬 4 之軌 明同 之 導 這。導扭圖與13。元20軌 金E鄰電 說不 軌 之 在示示値1而和11位約電15_相導 單種 電。用 。表顯一第層12和之大導 至相若。 簡各 導圖所 明來來在於離軌10列是。10之。生 式之 之面題 說號圍別位隔電 軌陣佳間 軌軌置發 圓區 區切問 所符視分個由導 電胞較之。電 位會 。觸 觸之之 有考俯15一藉一 導億且 ^成導以界即 述接 接軌解 頭參之4,在且之 於記間80構在在臨象 詳擬 擬電欲 開之面al是伸皮 似是之1所：會些現 式虛 虛導所 文同平U10延。 類以㈣轉料gIffffl 鑛 圖有 有之明 本相化1P線中離 構可5013材，應生連 據具 具有發 在以屬,1導面距 結如12在之況 ί 産不 依明 明已本 已是金 1 ，平段 之例.ο 是當情 t 置之 將發 發前明 圖件種軌即一 一151515離適之IH1位逑 下本 本先説 4組一電，另距 和至在距它下XI些上 以傜 俗係傜 第之以導交之相1410是的其以Γ0這則 明圖。圖圖圓 和應麗中相方而。軌軌度間或示(P之 ， 發 1 圖 234 。3 對 1 其中上開軌電電寬之銅潁近續時 本第視第第第圖第相第，域面隔電導導之軌，已鄰連斷 俯 視 互15區平相導 軌電鋁 於不中 --------------A * I n ^pr I i .^1 I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 5 7^

Δ7 B7 五、發明說明（5 ) 不連鑛之位置處是不穩定的，此種不穩定可能會使導電 執斷裂。 依據本發明，琛在須在這些臨界位置設E—些虛鱗接觸區 16至20，這些虛擬接觸區會造成一種位於第1圖之導:電 執下方之平面。 第2圖是此種虛擬接觸區（例如，虛擬接觸匾17)之切 面麵。導電軌11此處由於不連缠之相鄰區域而具有較小 之横切面，如第2圖所示，此種横切面亦可能在二御ί都 可發生《為了放大此導電軌11,則在導電軌下方設置 該虛擬接觸匾17,其貫穿此種由二氣化矽所構成之隔離 層5且延伸至位於較深處之導電軌平面21處。Β —導電 軌22可在此一導電軌平面21上延伸，導電軌22位於二氧 化砂層23上且在電性上是與虛擬接觸區17相隔離。 因此，本發明重要的是：導電軌在臨界位置須設置1 述之虛擬接觸區，使能可靠地防止導電軌之不穩定性或 防止導電軌之斷裂》這些虛擬接觸區當然不必到達下一 値導電軌平面。反之，若這些虛擬接觸區具有一種横切 面，使此種由這些接觸區所放大之導電軌所具有之不穩 定性或斷裂現象能可靠地被排除即已足夠。 參考符號之說明 1,2,3.----導電軌 4 .....虚線 ， 5 .....隔離層 10,11,12,13,14,15,.....導電軌 本紙張尺度遶用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I ____ tr—^------線---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 457686 A7 _B7_ 五、發明說明（6 ) 16- 17,18,19,20.....虛擬接觸區 2 1.....金屬化平面 22 .....導電軌 23 .....隔離層 I---------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4576 8 6 六、申請專利範圍 第89 1 02306號「具有穩定式導電軌之積體半導體電路配置. 專利案 （90年6月修正） A申請專利範圍： 1. 一種積體半導體電路配置，其具有多個在至少二個不 同平面中延伸之導電軌（11至15; 22),在至少一個平 面中這些導電軌ΠΙ至15)是以互相平行之方式設置在 狹窄之相鄰區中，其特徵爲：這些導電軌（11至15)在 這些由導電軌之佈局所決定之臨界位置處是使虛擬接 觸區（16至20)位於下方。 2. 如申請專利範圍第1項之積體半導體電路配置，其中 這些虛擬接觸區（16至20)設置在臨界位置處，這些臨 界位置是由二個狹窄而相鄰之平行導電軌中之一之中 斷區所決定。 3. 如申請專利範圍第1項之積體半導體電路配置，其中 導電軌所具有之寬度是150nm至250nm。 4如申請專利範圍第3項之積體半導體電路配置，其中 導電軌之寬度是200nm。 5. 如申請專利範圍第1或2項之積體半導體電路配置， 其中導電軌（II至15)之間的距離是130至180nm。 6. 如申請專利範圍第1或第2項之積體半導體電路配 置，其中導電軌是由鋁或銅所構成。 7. 如申請專利範圍第3項之積體半導體電路配置，其中 導電軌是由鋁或銅所構成。 S.如申請專利範圍第5項之積體半導體電路配置，其中 導電軌是由鋁或銅所構成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填窝本貝) ΙΪΙ! — 訂·！---- I 線-