TW451336B - Particle quantity evaluation device and dip type washing system and particle stuck quantity evaluating method - Google Patents
Particle quantity evaluation device and dip type washing system and particle stuck quantity evaluating method Download PDFInfo
- Publication number
- TW451336B TW451336B TW089104904A TW89104904A TW451336B TW 451336 B TW451336 B TW 451336B TW 089104904 A TW089104904 A TW 089104904A TW 89104904 A TW89104904 A TW 89104904A TW 451336 B TW451336 B TW 451336B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- pure water
- substrate
- tank
- quantitative
- aforementioned
- Prior art date
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 238000005406 washing Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 113
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 198
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 197
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 176
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 58
- 238000011158 quantitative evaluation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 73
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 72
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 69
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 56
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 41
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 28
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 15
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 10
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 9
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 8
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 claims description 7
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 claims description 5
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 claims description 3
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 claims description 3
- 239000008213 purified water Substances 0.000 claims description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims 1
- 239000012085 test solution Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 241000239290 Araneae Species 0.000 description 2
- 208000003251 Pruritus Diseases 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 101001053395 Arabidopsis thaliana Acid beta-fructofuranosidase 4, vacuolar Proteins 0.000 description 1
- 241000282817 Bovidae Species 0.000 description 1
- 241000406668 Loxodonta cyclotis Species 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 201000010099 disease Diseases 0.000 description 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 1
- 235000011389 fruit/vegetable juice Nutrition 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N strontium;sulfide Chemical compound [S-2].[Sr+2] ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/06—Investigating concentration of particle suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/38—Diluting, dispersing or mixing samples
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/06—Investigating concentration of particle suspensions
- G01N2015/0675—Comparing suspension before/after dilution
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Description
(驷 3 (驷麥故 (332 ο 2 ) ^ύ u,x t屮啉缽)薄你Θ漆命$ i 潞淨卡h捧声左羚 ^ β ^ 4 ^ ^ 9^ ^ 4 Ϊ 華麥科淨卡泽t S-J濉郯 。被3盒 3 ί器泰"濉淨铎漆命洚洳渺 ί f I ΆΤ ^ 4 β 。 ,^ w,w> JM L^r ^ .S。4米铖1 0 * &琴痒z失务矜尚ί Θ择片wp 4举忤_ f a:^F-)3絮痒 -mfhH-+律吟撕薄疾第兮淨捧条蕃 t谇承 frr孕 , 亩VJ S器桊 I诹姝)舞咏 落泣汁® ο 铖门倉2 A# 亩 3 S 畔辟_ , 胖辟_ —&f 呤 @ Γ / Λ\ΰ fi- Η! ^ β 4y f ^ ΛΨ ftn t h - 批彦 Μβ 4 ΚΓ ^ β sn ^ 5- Λ^-【緣涩斧恭 Aw uff, *3 s s參 辟Λ來s 3 3 β 4 鸯 J Mr 鸯C 铖2 ^3 S, ΪΛ ^ ^»r ft 。 貪沐f (铖31- t ^ vx S* US- ft Mr 3 ^ u f ^r ^ ^r ^ X 勝薄 A 3¾ i 直_忤_、谇 來&紫髁翁务 麩_ t S廉截S 撕 1>α Θ械2弹珠命私斜 i M h 3 s S。-Μ-Λ-铖 ,^ ^Γ ¥ ^ F ^ β ^Γ β β ^ M> ^ r p ^s β ^r Lf 斧+痒f su * 郯澌许_舜坚者 命麥〉♦ $ _ A來0锋f54啦蛛 命眾 > 祕 Sr S 0 , S:食w β f ν^Ν ,^ΝνS ? ¥ d^r 补 s J 和 穿I ^ ^3 ^ 2^ ΰ ο 13® S 铖2 3 ί •深乘® 3
Μύτ VI 4 ^ 象&琴3 s ,s 滅 m ΐ t $ )奇 * ^ηα Μ, Sr ^Γ Mr ^ ^ t δ ί Λ^ ΜΓ ^ 蜷會详 寒f 蛛 $ V H^u, ·玄 卑麻罗βΝ. S,
$ β Mrτ Λ^- Mr WTO 451336 五、發明說明(3) 以評估。第2個問題點係,會由於水洗處理槽内之流量、 處理後之藥液的黏性’水洗處理槽内之水流容易產生變 化’而使得微粒之計數產生誤差且其誤差會不小。 本發明係有鑑於前述各項問題點所加以改善之發明, 其目的係提供不使用監控基板’能夠進行實際液體令微粒 附著量(異物微粒子附著量)之高準確度定量評估,容易地 求出與洗淨對象之基板之微粒附著董的相對關係,並能夠 實現低成本、高信賴性之洗淨度評估之微粒量評估褒置和 浸潰式洗淨系統以及微粒附著量評估方法。 【用以解決問題之手段】 申請專利範圍第1項所述乃是一種微粒量評估裝置, ( 不使用監控基板,能夠進行實際液體中微粒附著量之高準 4度定量評估,容易地求出與洗淨對象之基板之微粒附著 量的相對關係,並能夠實現低成本與高信賴性之洗淨度評 估’其特徵在於包括:殘留液回收承盤,在將洗淨對象之 基板由具有藥液處理槽及/或水洗處理槽之第1基板處理 槽’撤運至具有藥液處理槽及/或水洗處理槽之第2基板處 理槽之際’將由洗淨對象之基板表面所滴下之殘留液加以 回收之後作為取樣液;純水定量槽,作為進行純水中之微 粒測量用之清洗槽,而用以製作出裝滿定量純水之待機狀 態’純水供應源,設置於上流端之與前述純水定量槽呈連 通狀態,並對該純水定量槽供應純水;殘留液定量測量 槽’與設置於上流端之前述殘留液回收承盤以及設置於下 流端之前述純水定量槽呈連通狀態’並將錢述殘留液回收
4 5 1 3 3 6 五、發明說明(4) 承盤之取樣液以一定量滴入前述純水定量槽内之純水中; 以及溶液中微粒測量器,利用對前述純水滴入有前述定量 取樣液而成之溶液,進行溶液中微粒量之計數評估。 申請專利範圍第2項的特徵在於申請專利範圍第i項所 述之微粒量評估裝置中,前述第1基板處理槽與第2基板處 理槽間設置有將殘留液加以回收之前述殘留液回收承盤以 及測量溶液中之微粒量用之前述殘留液定量測量槽,在利 用基板搬運裝置將洗淨對象之基板由前述第1基板處理槽 搬運至第2處理槽之際,將該洗淨對象之基板所滴下之殘 留液以前述殘留液回收承盤以及前述殘留液定量測量槽加 ( 以收回後製作成取樣液,將前述純水供應源之純水供應至 前述純水定量槽將前述純水定量槽中取樣液進行定量稀 釋’然後以前述溶液中微粒測量器進行測量。 申請專利範圍第3項的特徵在於申請專利範圍第1或2 項·所述之微粒量評估裝置中’前述純水供應源係在進行取 樣液之測量前’將純水通過前述溶液中微粒測量器維持其 初始狀態地加以構成。 ' 申請專利範圍第4項的特徵在於申請專利範圍第}、2 或3項所述之微粒量評估裝置中,為能夠重複地進行評 估’包括將前述殘留液回收承盤、前述殘留液定量測量 〔 及/或前述純水定量槽加以洗淨之純水洗淨裝置。 申請專利範圍第5項的特徵在於申請專利範圍第4項 述之微粒量評估裝置中’前述純水洗淨裝置包括清洗前^ 殘留液回收承盤及/或前述殘留液定量測量槽之純水嘴迷 Ι^ΒΊΙΗ^ 第8頁 451336 五、發明說明(5) 嘴’以及將使用於清洗前述殘留液回收承盤及/或前述殘 留液定量測量槽之後之純水加以排除之排棄管。 申請專利範圍第6項所述乃是一種浸潰式洗淨系統, 不使用監控基板,能夠進行實際液體中微粒附著量之高準 確度定量評估’容易地求出與洗淨對象之基板之微粒附著 量的相對關係,並能夠實現低成本與高信賴性之洗淨度評 估’其特徵在於包括:第1基板處理槽,具有浸漬式洗淨 用藥液處理槽及/或水洗處理槽;第2基板處理槽,具有浸 潰式洗淨用藥液處理槽及/或水洗處理槽;基板搬運裝 置’將浸清式洗淨對象之基板由前述第1基板處理槽搬運 至第2基板處理槽;以及微粒量評估裝置,包括:殘留液 回收承盤’在將浸潰式洗淨對象之基板由第1基板處理 槽,運至第2基板處理槽之際,將由浸潰式洗淨對象之基 板表面所滴下之殘留液加以回收之後作為取樣液;純水定 量槽’作為進行純水中之微粒測量用之浸漬式洗淨,用以 製作出裝滿定量純水之待機狀態;純水供應源,設置於上 流端之與前述純水定量槽呈連通狀態,並對該純水定量槽 供應純水;殘留液定量測量槽,與設置於上流端之前述殘 留液回收承盤以及設置於下流端之前述純水定量槽呈連通 狀態’並將前述殘留液回收承盤之取樣液以一定量滴入前 述純水定量槽内之純水中;及溶液中微粒測量器,利用封 前述純水滴入有前述定量取樣液而成之溶液,進行溶液 微粒量之計數評估。 申請專利範園第7項的特徵在於申請專利範圍第6項所
第9頁 4 5 1 3 3 6 五、發明說明(6) 述之浸潰式洗淨系統中’前述第1基板處理槽與第2基板處 理槽間攻置有將殘留液加以回收之前述殘留液回收承盤以 及測量溶液中之微粒量用之前述殘留液定量測量槽在利 用基板搬運裝置將浸漬式洗淨對象之基板由前述第1基板 處理槽搬運至第2處理槽之際’將該浸潰式洗淨對象之基 板所滴下之殘留液以前述殘留液回收承盤以及前述殘留液 定量測量槽加以收回後製作成取樣液,將前述純水供應源 之純水供應至前述純水定量槽將前述純水定量槽_取樣液 進行定量稀釋,然後以前述溶液中微粒測量器進行測量。 申請專利範圍第8項的特徵在於申請專利範圍第6或7 ( 項所述之浸潰式洗淨系統中,包括純水洗淨裝置,為能夠 重複地進行評估’而以純水將前述殘留液回收承盤、前述 殘留液疋量測量槽及/或前述純水定量槽加以洗淨;前述 純水洗淨裝置包括清洗前述殘留液回收承盤及/或前述殘 留.,液定量測量槽之純水喷嘴,以及將使用於清洗前述殘留 液回收承盤及/或前述殘留液定量測量槽之後之純水加以 排除之排棄管。 申請專利範圍第9項所述乃是一種微粒附著量評估方 法,不使用監控基板’能夠進行實際液體中微粒附著量之 高準確度定量評估,容易地求出與洗淨對象之基板之微粒 ( 附著量的相對關係,並能夠實現低成本與高信賴性之洗淨 度評估,其特徵在於包括··具有浸潰式洗淨用藥液製程及 /或水洗製程之第1基板製程;具有浸潰式洗淨用藥液製程 及/或水洗製程之第2基板製程;將浸潰式洗淨對象之基板
第10頁 451336 五、發明說明(7) 由前述第1基板製程搬運至第2基板製程之基板搬運製程; 在將浸漬式洗淨對象之基板由第1基板製程,運至第2基板 製程之際,將由浸潰式洗淨對象之基板表面所滴下之殘留 液加以回收之後作為取樣液之殘留液回收製程;作為進行 純水中之微粒測量用之浸潰式洗淨,而製作出裝滿定量純 水之待機狀態用之純水定量製程;對該純水定量製程供應 純水之純水供應製程;將在前述殘留液回收製程所規定之 取樣液以一定量滴入在前述純水定量製程中所使用尤純水 中之殘留液定量測量製程;以及利用對前述純水滴入有前 述定量取樣液而成之溶液,進行溶液中微粒量之計數評估 之溶液中微粒測量製程。 申請專利範圍第10項的特徵在於申請專利範圍第9項 所述之微粒附著量評估方法中,前述第1基板製程與第2基 板製程間設置有將殘留液加以回收之前述殘留液回收製程 以及測量溶液中之微粒量用之前述殘留液定量測量製程, 且包括:在執行前述第1基板製程之後執行第2製程而利用 基板搬運製程將浸潰式洗淨對象之基板加以搬運之際,將 該浸潰式洗淨對象之基板所滴下之殘留液以前述殘留液回 收製程以及前述殘留液定量測量製程加以收回後製作成取 樣液之製程;以及將前述純水供應製程之純水供應至前述 純水定量製程將前述純水定量製程中取樣液進行定量稀 釋,然後以前述溶液中微粒測量製程進行測量之製程。 申請專利範圍第11項的特徵在於申請專利範圍第9或 1 0項所述之微粒附著量評估方法中,前述純水供應製程係
451336 五、發明說明(8) 在進行取樣液之測量前,將純水通過前述溶液中微粒測量 製程以維持其初始狀態。 申請專利範圍第12項的特徵在於申請專利範園第9、 10或11項所述之微粒附著量評估方法中,為能夠重複地進 行評估’包括將前述殘留液回收製程、前述殘留液定量測 量製程及/或前述純水定量製程之執行上有所關係之機器 以純水加以清洗之純水洗淨製程。 【發明之實施形態】 以下所述實施型態的特徵,在大規模積體電路、液晶 裝置等中為必要。將無微粒(異物微粒子)或是金屬不純 物'有機物等微小污染之乾淨的洗淨對象基板做藥液處理 之浸潰式洗淨系統中,將藥液處理後或是水洗後附著於洗 淨對象基板表面上之殘留液以殘留液回收承盤以及殘留液 I定量測量槽加以回收之後產生取樣液,藉由將一定量之取 | 樣雇投入純水定量槽内之初始值設定完成之定量純水中再 | 將溶液中之微粒數加以測量(也就是,對微粒量做定量評 I 估)之方式,將洗淨對象基板上之洗淨度以溶液中微粒量 !,夠據良好信賴性地加以測量,此外即使在藥液處理後亦 能夠加以測量。以下’將根據圖面詳細地說明本發明之實 施形態。 圖1係為了說明有關本發明之第1實施形態之微粒量評 估裝一置以及浸潰式洗淨系統用之模組化系統構成圖如圖 ^所示分引為,1 2為殘留液回收承盤,丨3為殘留液定量測 5槽,14為純水定量槽,15為純水喷嘴,16為純水配管、
IH HH 第12頁 451336 五、發明說明(9) 17為廢棄配管,20 A為第1基板處理槽,2 0B為第2基板處理 槽’ 3 0為純水供應源,4 0為溶液中微粒量測量器,5 〇為基 板搬運裝置,60為洗淨對象基板。 本實施形態所述之浸潰式洗淨系統係不使用監控基 板’能夠進行實際液體中微粒附著董之高準確度定量評 估’容易地求出與洗淨對象基板6〇之微粒附著量的相對關 係’並能夠實現低成本與高信賴性之洗淨度評估,具有為 第1基板處理槽20A、第2基板處理槽20B、基板搬運裝置50 以及微粒量評估裝置。 第1基板處理槽20A具有浸潰式洗淨用藥液處理槽及/ 或水洗處理槽。第1基板處理槽2 〇B亦具有浸潰式洗淨用藥 液處理槽及/或水洗處理槽^基板搬運裝置5〇會將浸渍式 洗淨用對象之基板60由第1基板處理槽20A搬運至第2基板 處理槽20B。 另一方面,本實施形態所述之微粒量評估裝置,乃是 一種不使用監控基板,能夠進行實際液體中微粒附著量之 高準確度定量評估,容易地求出與洗淨對象之基板之微粒 附著量的相對關係,並能夠實現低成本與高信賴性之洗淨 度評估之浸漬式洗淨系統,該裝置具有殘留液回收承盤 12 ’純水定量槽14,純水供應源30,殘留液定量測量槽 1 3 ’溶液中微粒測量器& 〇,純水喷嘴1 5 ’純水配管1 6以及 廢棄配管1 7。 前述殘留液回收承盤12會在將洗淨對象之基板60由具 有藥液處理槽及/或水洗處理槽之第1基板處理槽2 0A搬運
Hi wmn 第13頁 451336 五、發明說明(ίο) 至具有藥液處理槽及/或水洗處理槽之第2處理槽20B之 際,將該洗淨對象之基板60表面所滴下之殘留液以前述殘 留液加以收回後製作成取樣液。也就是說,將稀釋用之取 樣液作定量測量之後將微粒加以技術評價之故,能夠容易 地求取洗淨對象之基板60上之微粒附著量(異物微粒子附 著量)之相對關係’並且更達到提高準確度之效果。純水 定量槽14乃是進行純水中之微粒測量用之洗淨槽,產生充 滿一定量純水之待機狀態。 純水供應源3 0係透過純水配管與設置於上流端之殘留 液回收承盤12以及設置於下流端之純水定量槽14呈連通狀 (、 態並將前述殘留液回收承盤12之取樣液以一定量滴入前述 純水定量槽14内之純水中。也就是說,將作為參考而進行 測量之一定量純水加以維持之純水定量槽丨4中,投入由殘 留液定量測量槽1 3中之取樣液之故,所以能夠在抑制微粒 附,著1(異物微粒子附著量)之減少與氣泡之發生之狀態下 作定量評估。 溶液中微粒測量器14係利用對前述純水滴入有前述定 量取樣液而成之溶液,進行溶液中微粒量之計數評估。如 前述般’透過在第1基板處理槽2 0A(藥液處理槽或是水洗 處,槽)中洗淨對象基板60之洗淨後其表面上的殘留液進() 行評估之方式’對於洗淨對象基板6 0上之洗淨度以溶液中 之微粒量能夠信賴性良好地加以測量,此外,即使在藥液 處理後亦能夠進行測量。 純水喷嘴15 ’係將殘留液回收承盤12及/或殘留液定
Mil —-第14頁 4 5 13 3 6 五、發明說明(11) 量測量槽1 3加以洗淨,廢棄配管1 7,係將使用於洗淨殘留 液回收承盤1 2及/或殘留液定量測量槽1 3用之純水加以廢 棄。 前述微粒量評估裝置係由’前述第1基板處理槽20A與 第2基板處理槽20B間設置有將殘留液加以回收之前述殘留 液回收承盤以及測量溶液中之微粒量用之前述殘留液定量 測量槽13,在利用基板搬運裝置5〇將洗淨對象之基板60由 前述第1基板處理槽20A搬運至第2處理槽2 0B之際’將該洗 淨對象之基板60所滴下之殘留液以殘留液回收承盤12以及 殘留液定量測量槽13加以收回後製作成取樣液,將純水供 應源30之純水供應至純水定量槽14將前述純水定量槽14令 取樣液進行定量稀釋,然後以前述溶液中微粒測量器40進 行測量。 接著,將針對浸潰式洗淨系統之動作(微粒量評估方 法)加以說明。本實施形態所述之浸潰式洗淨系統,乃是 一種不使用監控基板,能夠進行實際液體中微粒附著量之 高準確度定量評估,容易地求出與洗淨對象之基板之微粒 附著量的相對關係,並能夠實現低成本與高信賴性之洗淨 度評估,此系統係將具有第1基板製程、第2基板製程、基 板搬運製程、殘留液回收製程、純水定量製程、之純水供 應製程、殘留液定量測量製程以及溶液中微粒測量製程之 微粒量評估方法加以執行之方式。 第1基板製程乃是第1基板處理槽20A所執行之製程, 具有浸潰式洗淨用藥液製程及/或水洗製程。第2基板處理 ΙΤΤΓ 第15頁 45 1 3 36 五、發明說明(12) 槽20B所執行之製程,具有浸潰式洗淨用藥液製程及/或水 洗製程。基板搬運製程,乃是基板運送裝置5〇所執行之製 程’將&漬式洗淨對象之基板由前述第1基板製程搬運 至第2基板製程之。殘留液回收製程乃是殘留液回收承盤 12所執行之製程,在將浸潰式洗淨對象之基板6〇由第】基 板製程’運至第2基板製程之際,將由浸渍式洗淨對象之 基板60表面所滴下之殘留液加以回收之後作為取樣液純 ,水定量製程乃是純水定量槽〗4所執行之製程,係—種為了 進行純水中之微粒測量用之浸潰式洗淨,能製作出裝滿定 ,純水之待機狀態。純水供應製程乃是純水供應源3〇所執 1 行之製程’對該純水定量製程供應純水。殘留液定量測量 I 製程乃是殘留液定量測量槽13所執行之製程,將在前述殘 留液回收製程所規定之取樣液以一定量滴入在前述純水定 量製程中所使用之純水中。溶液中微粒測量製程乃是溶液 中,粒測量器40所執行之製程,利用對前述純水滴入有前 述疋量取樣液而成之溶液,進行溶液中微粒量之計數評 | 估又,純水供應製程係在進行取樣液之測量前,將純水 通過溶液中微粒測量製程以維持其初始狀態。 則述理論構成之浸潰式洗淨系統中,會執行前述第1 基板製程與第2基板製程間設置有將殘留液加以回收之前 述,留液回收製程以及測量溶液中之微粒量用之前述殘留 量測量製程;會執行在執行前述第1基板製程之後執 行,2製程而利用基板搬運製程將洗淨對象之基板60加以 搬運之際,將該洗淨對象之基板6〇所滴下之殘留液以前述 第16頁 451336 五、發明說明(13) 殘留液回收製程以及前述殘留液定量測量製程加以收回後 製作成取樣液之製程;以及執行將純水供應製程之純水供 應至純水疋量製程將純水定量製程中之取樣液進行定量稀 釋’然後以前述溶液中微粒測量製程進行測量之製程。 具想而言’洗淨對象基板6〇會在第1基板處理槽2〇 A受 到處理,在移動至接下來的第2基板處理槽2 〇B時,利用殘 留液回收承盤12以及殘留液定量測量槽13將低下之殘留液 加以回收後製作成取樣液,在殘留液定量測量槽13進行定 量測量。到此為止,純水定量槽丨4係將純水定量加滿,呈 現進行純水中微粒測量之待機狀態。通過連通於待機完成 之純水定量槽14之純水配管16,將取樣液作定量投入,以 溶液中微粒測量器4 0進行測量。之後,將殘留液回收承盤 1 2以及殘留液定量測量槽1 3,利用純水喷嘴1 5加以洗淨, 進行下一次殘留液之回收。使用於洗淨後之純水會藉由在 透過純水噴嘴15進行洗淨時所使用之廢棄配管17加以廢 棄。又’在本發明所述之實施形態中,為了說明前述一連 串之/’IL程,而僅就早一回之模式加以描述,當洗淨對象基 板60之處理形成時序較短之場合時,有必要規劃為數回模 式。 、 如前述本發明之實施形態來看會達到以下之效果。首 先第1之效果係能夠在每一基板批量上進行高感度•低成 本並且高信賴性之洗淨度評估。又’第2個效果係,能夠 掌握洗淨對象基板60上之殘留異物量,結果能夠進行減低 微粒附著量(異物微粒子附著量)之改善對策,使得生產率
451336 五、發明說明(14) 提高β然後’第3之效果係,透過本發明之實施形態之將 造成LSI或是液晶裝置之生產率降低之主要原因的洗淨對 象基板60上之微粒(異物微粒子)加以除去之浸溃式洗淨方 式’能夠降低洗淨對象基板60上之微粒附著量(異物微粒 子附著量)’結果能夠達到製造成本之降低以及生產性的 安定化。 此外,本發明並不限定於前述各實施形態,在本發明 之計數思想範圍内,各實施形態能夠做適當之變更。又, 錢樹脂構成元件之數量、位置、形狀並不限定於前述實施 形態’能夠根據本發明之需要,對其數量、位置、形狀進 行適當調整。又,在各圖中,同一構成元件係附加上相同 符號。 【發明之效果】 本發明係以上所述加以構成,會達到以下之效果。首 先.第1之效果係能夠在每一基板批量上進行高感度•低成 本並且高信賴性之洗淨度評估。又,第2個效果係,能夠 掌握洗淨對象基板上之殘留異物量,其結果係能夠進行減 低微粒附著量(異物微粒子附著量)之改善對策,使得生產 率提高。然後,第3之效果係,透過本發明之實施形態之 將造成LSI或是液晶裝置之生產率降低之主要原因的洗淨 對象基板上之微粒(異物微粒子)加以除去之浸潰式洗淨方 式’能夠降低洗淨對象基板上之微粒附著量(異物微粒子 附著量)’其結果係能夠達到製造成本之降低以及生產性 的安定化。
第18頁 451336 五、發明說明(15) 【圖式簡單說明】 圖1係說明有關於本發明之實施形態之微粒量評估裝 置以及浸潰式洗淨系統之模組化系統構成圖。 【符號說明】 1 2…殘留液回收承盤;1 3…殘留液定量測量槽;1 4… 純水定量槽;1 5…純水喷嘴;1 6…純水配管;1 7…廢棄配 管;20A…第1基板處理槽;20B…第2基板處理槽;30…純 水供應源:40…溶液中微粒測量器;50…基板搬運裝置; 6 0…洗淨對象之基板。
第19頁
Claims (1)
- 451 3 36 ---案號 89104904_% 年 A y? s_條jMs· 六'申請專利範圍 1. 一種微粒量評估裝置,不使用監控基板,能夠進行 實際液體中微粒附著量之高準確度定量評估,容易地求出 與洗淨對象之基板之微粒附著量的相對關係,ϋ能夠實現 低成本與高信賴性之洗淨度評估, 其特徵在於包括: 殘留液回收承盤,在將洗淨對象之基板由具有藥液處 理槽及/或水洗處理槽之第1基板處理槽,搬運至具有藥液 處理槽及/或水洗處理槽之第2基板處理槽之際,將由洗淨 對象之基板表面所滴下之殘留液加以回收之後作為取樣 液; 純水定量槽,作為進行純水中之微粒測量用之清洗 槽’而用以製作出裝滿定量純水之待機狀態; 純水供應源,設置於上流端之與前述純水定量槽呈迷 通狀態’並對該純水定量槽供應純水; 殘留液定量測量槽,與設置於上流端之前述殘留液回 收承盤以及設置於下流端之前述純水定量槽呈連通狀態, 並將前述殘留液回收承盤之取樣液以一定量滴入前述純水 定量槽内之純水中;以及 溶液中微粒測量器,利用對前述純水滴入有前述定量 取樣液而成之溶液,進行溶液中微粒量之計數評估。 2. 如申請專利範圍第1項所述之微粒量評估裝置,其 中’前述第1基板處理槽與第2基板處理槽間設置有將殘留 液加以回收之前述殘留液回收承盤以及測董溶液中之微粒 量用之前述殘留液定量測量槽,在利用基板搬運裝置將洗451336 _案號89104904 主 月 j_修正 六、申請專利範圍 淨對象之基板由前述第1基板處理槽搬運至第2處理槽之 際’將該洗淨對象之基板所滴下之殘留液以前述殘留液回 收承盤以及前述殘留液定量測量槽加以收回後製作成取樣 液’將前述純水供應源之純水供應至前述純水定董槽將前 述純水定董槽中取樣液進行定量稀釋,然後以前述溶液中 微粒測量器進行測量。 3. 如申請專利範圍第1或2項所述之微粒量評估裝置, 其中,前述純水供應源係在進行取樣液之測量前,將純水 通過前述溶液中微粒測量器維持其初始狀態地加以構成。 4. 如申請專利範圍第1或2項所述之微粒量評估裝置, 其中’為能夠重複地進行評估,包括將前述殘留液回收承 盤、前述殘留液定量測量槽及/或前述純水定量槽加以洗 淨之純水洗淨裝置P 5. 如申請專利範圍第4項所述之微粒量評估裝置,其 中’前述純水洗淨裝置包括清洗前述殘留液回收承盤及/ 或前述殘留液定量測量槽之純水喷嘴,以及將使用於清洗 前述殘留液回收承盤及/或前述殘留液定量測量槽之後之 純水加以排除之排棄管。 6. 一種浸潰式洗淨系統,不使用監控基板,能夠進行 實際液體中微粒附著量之高準確度定量評估,容易地求出 與洗淨對象之基板之微粒附著量的相對關係,並能夠實現 低成本與高信賴性之洗淨度評估, 其特徵在於包括: 第1基板處理槽,具有浸溃式洗淨用藥液處理槽及/或 Ι^ΗΊ^Η 第21頁 2118-3071-PFi ;Ahbbub.ptc 451336__案號 89104904 六、申請專利範团 水洗處理槽; 第2基板處理槽’具有浸潰式洗淨用藥液處理槽及/或 水洗處理槽; 基板搬運裝置,將浸潰式洗淨對象之基板由前述第1 基板處理槽搬運至第2基板處理槽;以及 微粒量評估裝置,包括:殘留液回收承盤,在將浸漬 式洗淨對象之基板由第1基板處理槽,運至第2基板處理槽 之際,將由浸潰式洗淨對象之基板表面所滴下之殘留液加 以回收之後作為取樣液;純水定量槽,作為進行純水中之 微粒測量用之浸潰式洗淨,用以製作出裝滿定量純水之待 機狀態;純水供應源,設置於上流端之與前述純水定量槽 呈連通狀態,並對該純水定量槽供應純水;殘留液定量測 董槽’與設置於上流端之前述殘留液回收承盤以及設置於 下流端之前述純水定量槽呈連通狀態,並將前述殘留液回 收承盤之取樣液以一定量滴入前述純水定量槽内之純水 中;及溶液中微粒測量器,利用對前述純水滴入有前述定 量取樣液而成之溶液,進行溶液中微粒量之計數評估》 7.如申請專利範圍第6項所述之浸溃式洗淨系統,其 中,前述第1基板處理槽與第2基板處理槽間設置有將殘留 液加以回收之前述殘留液回收承盤以及測量溶液中之微粒 量用之前述殘留液定量測量槽,在利用基板搬運裝置將浸 溃式洗淨對象之基板由前述第1基板處理槽搬運至第2處理 槽之際,將該浸渍式洗淨對象之基板所滴下之殘留液以前 述殘留液回收承盤以及前述殘留液定量測量槽加以收回後2118-3071-PF1 : Ahbbub.ptc 第22頁 451336 案號 89104AQ4 年月曰 修正- 六、申請專利範圍 製作成取樣液,將前述純水供應源之純水供應至前述純水 定量槽將前述純水定量槽令取樣液進行定量稀釋,然後以 前述溶液中微粒測量器進行測量。 8. 如申請專利範圍第6或7項所述之浸潰式洗淨系統, 其中包括純水洗淨裝置,為能夠重複地進行評估,而以純 水將前述殘留液回收承盤、前述殘留液定量測量槽及/或 前述純水定量槽加以洗淨; 前述純水洗淨裝置包括清洗前述殘留液回收承盤及/ 或前述殘留液定量測量槽之純水噴嘴,以及將使用於清洗 前述殘留液回收承盤及/或前述殘留液定量測量槽之後之 純水加以排除之排棄管。 9. 一種微粒附著量評估方法,不使用監控基板,能夠 進行實際液饉中微粒附著量之高準確度定量評估,容易地 求出與洗淨對象之基板之微粒附著量的相對關係,並能夠 實現低成本與高信賴性之洗淨度評估, 其特徵在於包括: 具有浸溃式洗淨用藥液製程及/或水洗製程之第1基板 製程; 具有浸潰式洗淨用藥液製程及/或水洗製程之第2基板 製程; 將浸溃式洗淨對象之基板由前述第1基板製程搬運至 第2基板製程之基板搬運製程; 在將浸溃式洗淨對象之基板由第1基板製程,運至第2 基板製程之際,將由浸潰式洗淨對象之基板表面所滴下之45 彳 336殘留液加以回收之後作為取樣液之殘留液回收製程; 作為進行純水中之微粒測量用之浸潰式洗淨,而製作 出裝滿定量純水之待機狀態用之純水定量製程,· 對該純水定量製程供應純水之純水供應製程; ,在前述殘留液回收製程所規定之取樣液以一定量滴 入在前述純水定量製程中所使用之純水中之殘留液定量測 量製程;以及 利用對前述純水滴入有前述定量取樣液而成之溶液, 進行溶液中微粒量之計數評估之溶液中微粒測量製程。 10,如申請專利範圍第9項所述之微粒附著量評估方 法’其中’前述第1基板製程與第2基板製程間設置有將殘 留液加以回收之前述殘留液回收製程以及測量溶液中之微 粒量用之前述殘留液定量測量製程,且包括: 在執行前述第1基板製程之後執行第2製程而利用基板 搬運製程將浸瀆式洗淨對象之基板加以搬運之際,將該浸 潰式洗淨對象之基板所滴下之殘留液以前述殘留液回收製 程以及前述殘留液定量測量製程加以收回後製作成取樣液 之製程;以及 將前述純水供應製程之純水供應至前述純水定量製程 將則述純水定量製程中取樣液進行定量稀釋,然後以前述( 溶液中微粒測量製程進行測量之製程。 11,如申請專利範圍第9或1〇項所述之微粒附著量評估 方法,其中,前述純水供應製程係在進行取樣液之測量 前,將純水通過前述溶液中微粒測量製程以維持其初始狀2118-3071-H3! ; Ahbbub.ptc 第24頁
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15660899A JP3148201B2 (ja) | 1999-06-03 | 1999-06-03 | パーティクル量評価装置ならびにディップ式洗浄システムおよびパーティクル付着量評価方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW451336B true TW451336B (en) | 2001-08-21 |
Family
ID=15631468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089104904A TW451336B (en) | 1999-06-03 | 2000-03-17 | Particle quantity evaluation device and dip type washing system and particle stuck quantity evaluating method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6446645B1 (zh) |
JP (1) | JP3148201B2 (zh) |
KR (1) | KR100504642B1 (zh) |
TW (1) | TW451336B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100672632B1 (ko) * | 2001-11-06 | 2007-02-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 약액교환방법 및 그 장치 |
JP2012204947A (ja) | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 情報処理装置及びプログラム |
CN103149199B (zh) * | 2012-12-25 | 2015-05-27 | 北京城市排水集团有限责任公司 | 水质急性毒性高通量快速测定试剂盒制作及使用方法 |
CN103954493B (zh) * | 2014-04-17 | 2016-06-08 | 广东电网公司电力科学研究院 | 燃煤飞灰中碳黑颗粒与残焦的分离及定量测定方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4778532A (en) * | 1985-06-24 | 1988-10-18 | Cfm Technologies Limited Partnership | Process and apparatus for treating wafers with process fluids |
JPH01136339A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-29 | Kurita Water Ind Ltd | 洗浄装置 |
JP2678367B2 (ja) * | 1988-03-11 | 1997-11-17 | 信越半導体 株式会社 | 蒸気洗浄装置 |
JPH02157077A (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-15 | Nec Corp | バブリング洗浄装置 |
JPH02285635A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハキャリア洗浄装置 |
JPH05291226A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Nippon Steel Corp | 循環濾過による洗浄方法及び洗浄装置 |
JP3074366B2 (ja) * | 1993-02-22 | 2000-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JPH0737850A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 洗浄装置 |
JP3040306B2 (ja) * | 1994-04-12 | 2000-05-15 | 新日本製鐵株式会社 | 蒸気洗浄装置 |
JPH07326599A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
JP3343650B2 (ja) * | 1998-02-17 | 2002-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理装置 |
US6241827B1 (en) * | 1998-02-17 | 2001-06-05 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning a workpiece |
-
1999
- 1999-06-03 JP JP15660899A patent/JP3148201B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-17 TW TW089104904A patent/TW451336B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-03-20 KR KR10-2000-0013957A patent/KR100504642B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-06-01 US US09/584,752 patent/US6446645B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3148201B2 (ja) | 2001-03-19 |
US6446645B1 (en) | 2002-09-10 |
KR100504642B1 (ko) | 2005-08-03 |
JP2000343048A (ja) | 2000-12-12 |
KR20010006829A (ko) | 2001-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW451336B (en) | Particle quantity evaluation device and dip type washing system and particle stuck quantity evaluating method | |
CN101013139B (zh) | 自动分析装置和探头清洗方法 | |
JPH0684875A (ja) | 加工流体中の微粒子濃度を低減する方法および装置 | |
TW200921781A (en) | Apparatus and method for processing and managing data for the detection and analysis of foreign matter in surface treatment device or film deposition device | |
JP2002517748A (ja) | 自動オンライン槽分析システムのための採集器 | |
US20150047674A1 (en) | Method and apparatus for removal of photoresist using improved chemistry | |
TWM560049U (zh) | 基板處理裝置的藥液管理系統、以及基板處理裝置的藥液管理費用算出系統 | |
CN113970515B (zh) | 一种准确测量金属材料腐蚀增重的方法及应用 | |
JPS6079266A (ja) | 免疫反応測定方法及び装置 | |
JP2573418B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
US20110091643A1 (en) | Method and Device for Maintaining a Concentration of a Treatment Bath | |
CN100507725C (zh) | 光刻胶清洗过滤器以减少气泡的方法 | |
CN211552969U (zh) | 一种适用于明渠的管道式流量测量器 | |
JP2760735B2 (ja) | 半導体ウェーハのパーティクル検査装置 | |
JP3068404B2 (ja) | 半導体基板洗浄装置 | |
TW201901589A (zh) | 藥液的濃度管理裝置、濃度管理費用的算出方法及濃度管理費用算出系統、與藥液再生裝置、藥液的再生處理費用的算出方法及再生處理費用算出系統 | |
JPH0658435B2 (ja) | 配管の洗浄方法 | |
CN207446292U (zh) | 一种实验室用的具有过滤装置的清洗试管 | |
JP4505918B2 (ja) | 水質評価用基板の保持容器 | |
JPH01136339A (ja) | 洗浄装置 | |
JP3005507U (ja) | キャリアレスウエハ洗浄装置 | |
JPH0421851A (ja) | 洗浄方法 | |
JP2010104884A (ja) | 薬液のフィルタリング方法 | |
JPH03233930A (ja) | 半導体装置の洗浄方法 | |
JPH0364916A (ja) | ウェハの洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |