JPH01136339A - 洗浄装置 - Google Patents

洗浄装置

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Publication number
JPH01136339A
JPH01136339A JP29589287A JP29589287A JPH01136339A JP H01136339 A JPH01136339 A JP H01136339A JP 29589287 A JP29589287 A JP 29589287A JP 29589287 A JP29589287 A JP 29589287A JP H01136339 A JPH01136339 A JP H01136339A
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JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
cleaning liquid
pure water
wafers
tank
Prior art date
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Pending
Application number
JP29589287A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahito Motomura
敬人 本村
Kenichi Nakagawa
賢一 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kurita Water Industries Ltd
Original Assignee
Kurita Water Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Kurita Water Industries Ltd filed Critical Kurita Water Industries Ltd
Priority to JP29589287A priority Critical patent/JPH01136339A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、洗浄装置に関し、特に半導体のウェハーを
純水で洗浄するのに好適な洗浄装置に関する。
(従来の技術) 従来、ウェハーの洗浄装置は洗浄槽内にウェハーを収容
し、洗浄槽底部から純水を供給し、ウェハーに純水を上
向流に接触させて洗浄を行なうようになっていた。
また、ウェハーの洗浄状態、すわち汚れ除去状態は洗浄
槽内の洗浄液(純水)電導度を測定して行なわれていた
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記従来の洗浄装置にあっては、ウェハ
ーの洗浄状態を洗浄液の電導度で判定していたため、正
確なウェハー洗浄状態を知ることができなかった。なぜ
らば、ウェハーが洗浄されたことにより洗浄液中の汚れ
物質1よ増すが、その汚れ具合は電導度との相関関係に
ないからである。
従って、従来の洗浄装置では一応電導度を測定している
が、ウェハーの洗浄状態の管理は経験により行なわれて
いるのが実情であった。
このため、ウェハーの洗浄が充分に行なわれたにもかか
わらず、余分に純水を供給して貴重な純水を無駄にした
り、あるいはまだ洗浄が充分でないにもかかわらず洗浄
を終了してしまい、その後のIC等の製品の歩留り低下
の原因となっていた。
(問題点を解決するための手段) この発明は、上記問題点を解決するためになされたもの
であって、洗浄槽内に被洗浄物を収容するとともに、上
記洗浄槽内に洗浄液を供給して被洗浄物を洗浄する洗浄
装置において、 前記洗浄槽内の洗浄液の一部をサンプリングして微粒子
数を測定する微粒子カウンタを備えたことを特徴とする
ものである。
(作用) この発明は、上記構成により、微粒子カウンタにより洗
浄液中の微粒子が測定され、その測定値から被洗浄物の
洗浄状態が推定されるように作用する。
(実施例の説明) 以下、この発明の詳細な説明の前に発明の背景について
説明する。
本発明者らは、ウェハーの洗浄状態と洗浄液の汚れ状態
について鋭意研究した結果、両者に第2図に示すような
相関関係のあることの知見を得た。
すなわち、所定のmVで洗浄液を流してウェハーと接触
させ続けると、洗浄時間の経過とともに、ウェハー表面
の汚れ物質(ウェハー上の粒子)が少なくなり、ある時
間(第2図の例では約15分後)以降は一定となり、一
方、洗浄液中の汚れ物質(洗浄液中微粒子)も時間の経
過に従って低下する。この低下現象は第2図から明らか
なようにウェハー表面の汚れ物質除去現象と一致してい
ることがわかる。従って、洗浄液中の微粒子数を測定す
ることにより、ウェハー表面の汚れ状態を推定すること
ができ、第2図の例では洗浄液中の微粒子数が100個
/d程度になれば、ウェハーの洗浄が完了したとみなす
ことができる。
この発明は上記知見をもとになされたもので、以下第1
図に基づいてこの発明の一実施例を説明する。
第1図は本発明の概略構成図であって、1は洗浄槽であ
り、その底部に散水管2が均一に付設され、これに図示
しない純水製造装置から純水が供給されるようになって
いる。
3は洗浄槽1の底部に設けられた超音波発振器で、20
0に〜1MH2の超音波を発振できるよう−になってお
り、また4は洗浄槽1内のほぼ中央に懸架装置(図示せ
ず)で支持された被洗浄物としてのウェハーが収容され
ている。
6は微粒子カウンタであって、測定した微粒子数を表示
できる表示部6aを有し、ウェハー4と洗浄槽1の溢流
壁1aとの間の洗浄液を取水管7でサンプリングできる
ようになっているとともに、測定済みの洗浄液を100
mmHO以下の吸引力を有するサイフオン式のバルブ付
排水管8で排出できるようになっている。従って、取水
管7からパルプ付排水管8間は所定圧以下に維持され、
微粒子カウンタ6内の洗浄液の流れに脈動の発生がなく
、また圧力変化、流量変化のない流れが形成される。
さらに、パルプ付排水管8のパルプ調整により気泡が混
入しないように流出量が調節されている。
□微粒子カウンタ6としては、本出願人が特願昭62−
138711号、同138712号等で提案した試料液
中にレーザビームを照射して微粒子数を計測する方式の
パーティクルカウンタを用いることができる。
上記構成からなる本実施例において、散水管2から純水
が供給されると、純水は超音波発振器により微小振動を
行ないながら洗浄槽1内を層流となって上向流で通過す
る。その際、ウェハー4は上向流する純水と接触してそ
の表面の汚れ物質を純水中に放出し、ウェハー4からの
汚れ物質を含んだ純水、すなわち洗浄液は洗浄槽1の溢
流壁1aから流出し、流出した洗浄液はトラフ5に集め
られて排出される。
一方、微粒子カウンタ6では、取水管7から取り入れた
洗浄液を試料として微粒子数が測定され、その微粒子数
が表示部6aに表示されるとともに、測定済み洗浄液は
サイフオン式のバルブ付排水管8から排出される。
従って、その表示部6aの数値によりウェハー4の洗浄
状態を監視することができ、その値が所定値以下になっ
たときはウェハー4の洗浄の終了とすることができる。
ウェハー4の洗浄が完了したら新たなウェハーと交換し
再び洗浄を開始するようにする。超音波発振器3の可動
時に、洗浄液中に気泡が発生する場合は、気泡分離装置
(図示せず)を介して微粒子カウンタ6に試料を供給す
るのが好ましい。気泡分離装置としては気液分離膜を用
いたものが好ましい。
上記構成からなるこの実施例では、洗浄槽1内に収容し
たウェハー4を上向流する純水に超音波振動を与えなが
ら洗浄するようにしたので、洗浄時間を短縮することが
でき、また微粒子カウンタ6の測定数値でウェハー4の
洗浄状態を監視しながら洗浄できるので洗浄完了を正確
に知ることができる。加えて、微粒子カウンタ6内の洗
浄液の流れは所定圧で吸引されているので脈動の発生が
なく、しかも一定流量、一定圧が維持され、また気泡混
入もないため正確な微粒子測定が可能である。
なお、上述の実施例では、洗浄液を上向流に通過させて
洗浄したが、これを下向流としても良い。
この場合、洗浄液のサンプリングは被洗浄物の下方から
行なうようにする。
(効果) この発明は、洗浄液の微粒子を微粒子カウンタで測定し
て行なう構成としたため、被洗浄物の洗浄状態を微粒子
カウンタの測定値で推定でき、過不足のない洗浄ができ
る。従って、洗浄液量および洗浄時間の無駄が防止でき
、また洗浄不足によるIC製品等の歩留り低下を防止で
きる等の優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明装置の一実施例を示す概略構成図および
第2図は被洗浄物の汚れ状態と洗浄液の汚れ状態の相関
関係を示す説明図である。 1・・・洗浄槽 2・・・散水管 3・・・超音波発振器 4・・・被洗浄物(ウェハー) 6・・・微粒子カウンタ 7・・・取水管 8・・・バルブ付排水管

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)洗浄槽内に被洗浄物を収容するとともに、上記洗
    浄槽内に洗浄液を供給して被洗浄物を洗浄する洗浄装置
    において、 前記洗浄槽内の洗浄液の一部をサンプリングして微粒子
    数を測定する微粒子カウンタを備えたことを特徴とする
    洗浄装置。
  2. (2)洗浄液のサンプリングは、100mmHg以下の
    吸引力で行なうことを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の洗浄装置。
JP29589287A 1987-11-24 1987-11-24 洗浄装置 Pending JPH01136339A (ja)

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JP29589287A JPH01136339A (ja) 1987-11-24 1987-11-24 洗浄装置

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0433336A (ja) * 1990-05-29 1992-02-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウェハーの研磨方法及び研磨装置
KR100504642B1 (ko) * 1999-06-03 2005-08-03 가부시끼가이샤 한도따이 센단 테크놀로지스 입자량 평가 장치와 딥식 세정 시스템 및 입자 부착량평가 방법
KR100775060B1 (ko) * 2006-06-26 2007-11-08 삼성전자주식회사 반도체 제조장치 및 슬러리 품질 측정방법
JP2020065981A (ja) * 2018-10-25 2020-04-30 竹田 修 洗浄システムおよび洗浄方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6061011A (ja) * 1983-09-14 1985-04-08 Hitachi Ltd 脱気・消泡装置

Patent Citations (1)

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