JPH07326599A - 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法および洗浄装置Info
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- JPH07326599A JPH07326599A JP11653294A JP11653294A JPH07326599A JP H07326599 A JPH07326599 A JP H07326599A JP 11653294 A JP11653294 A JP 11653294A JP 11653294 A JP11653294 A JP 11653294A JP H07326599 A JPH07326599 A JP H07326599A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体基板を洗浄するに際し、洗浄槽から抜
き出した洗浄液中の微粒子数をレーザー散乱式微粒子計
で連続的に測定し、洗浄液中の微粒子数（好ましくは粒
径０．１μｍ以上の微粒子数）が所定値を越えると洗浄
を中止し、微粒子数が所定値以下になるまで洗浄槽の循
環ろ過を行ない、その後洗浄を再開することを特徴とす
る、半導体基板の洗浄方法、及びそれに用いられる装
置。 【効果】 洗浄液中の微粒子の粒径分布、およびその個
数を管理制御することにより、洗浄後の基板表面の微粒
子個数を常に一定の範囲内に再現性良く保つことができ
る。また、洗浄液の交換の判断を実際の液中微粒子個数
をもって行なうため、薬品の使用量の最適化が達成さ
れ、コストの削減も図ることができる。
き出した洗浄液中の微粒子数をレーザー散乱式微粒子計
で連続的に測定し、洗浄液中の微粒子数（好ましくは粒
径０．１μｍ以上の微粒子数）が所定値を越えると洗浄
を中止し、微粒子数が所定値以下になるまで洗浄槽の循
環ろ過を行ない、その後洗浄を再開することを特徴とす
る、半導体基板の洗浄方法、及びそれに用いられる装
置。 【効果】 洗浄液中の微粒子の粒径分布、およびその個
数を管理制御することにより、洗浄後の基板表面の微粒
子個数を常に一定の範囲内に再現性良く保つことができ
る。また、洗浄液の交換の判断を実際の液中微粒子個数
をもって行なうため、薬品の使用量の最適化が達成さ
れ、コストの削減も図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の洗浄方法
および洗浄装置に関する。
および洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路等に代表される半導体素子の微
細加工技術は、近年益々その加工精度が向上している。
ダイナミックランダムアクセスメモリー（ＤＲＡＭ）を
例にとれば、現在では、デザインルールとしてサブミク
ロンの加工技術が大量生産レベルの技術として確立され
ている。
細加工技術は、近年益々その加工精度が向上している。
ダイナミックランダムアクセスメモリー（ＤＲＡＭ）を
例にとれば、現在では、デザインルールとしてサブミク
ロンの加工技術が大量生産レベルの技術として確立され
ている。
【０００３】こういった微細パターンにおいては、半導
体基板上に存在する汚染が加工精度、ひいては歩留りに
重大な悪影響を及ぼすため、拡散前処理や、エッチング
等の各工程では塩酸、アンモニア水、過酸化水素水、フ
ッ化水素酸等の洗浄剤を用いて、こうした汚染を除去し
て使用するのが通例である。集積回路の集積度が向上す
るに伴い、パターンの微細化、凹凸の複雑化も相まっ
て、洗浄工程に要求される汚染、特に半導体基板上の微
粒子については、管理される大きさ、個数ともより厳し
い要求がなされてきている。
体基板上に存在する汚染が加工精度、ひいては歩留りに
重大な悪影響を及ぼすため、拡散前処理や、エッチング
等の各工程では塩酸、アンモニア水、過酸化水素水、フ
ッ化水素酸等の洗浄剤を用いて、こうした汚染を除去し
て使用するのが通例である。集積回路の集積度が向上す
るに伴い、パターンの微細化、凹凸の複雑化も相まっ
て、洗浄工程に要求される汚染、特に半導体基板上の微
粒子については、管理される大きさ、個数ともより厳し
い要求がなされてきている。
【０００４】塩酸、フッ化水素酸に代表される酸性洗浄
液は、金属成分の除去に高い効果を示すが、液中に存在
する微粒子の半導体基板表面への付着がある為、許容さ
れる最小粒径を越える粒径の微粒子が存在することとな
り、かかる微粒子の個数を低く抑えることが必要とな
る。このため、酸性洗浄液による洗浄の前に、予め微粒
子除去効果の高いアンモニア水に代表されるアルカリ性
洗浄液にて基板上の微粒子を除去し、また、酸性洗浄液
自体も微粒子数の極力少ない薬液を用いて調合し、か
つ、連続的に循環ろ過を行なっている。
液は、金属成分の除去に高い効果を示すが、液中に存在
する微粒子の半導体基板表面への付着がある為、許容さ
れる最小粒径を越える粒径の微粒子が存在することとな
り、かかる微粒子の個数を低く抑えることが必要とな
る。このため、酸性洗浄液による洗浄の前に、予め微粒
子除去効果の高いアンモニア水に代表されるアルカリ性
洗浄液にて基板上の微粒子を除去し、また、酸性洗浄液
自体も微粒子数の極力少ない薬液を用いて調合し、か
つ、連続的に循環ろ過を行なっている。
【０００５】しかし、これら洗浄液の管理においては、
実際の液中微粒子数の大小に関わらず一定の積算処理時
間により液交換を実施しており、さらに、液交換後は一
定時間の循環ろ過後に基板の洗浄処理を開始するため、
洗浄工程の管理運転もまた経験的であり、微粒子数の制
御管理の精度には問題があった。図３は従来からの洗浄
法を用いた半導体基板洗浄装置の概要を示す概略図であ
る。１は基板であり、洗浄装置制御装置２によって制御
される基板保持移送装置３によって洗浄装置内で移動す
る。４は洗浄槽内槽、５は洗浄槽外槽であり、洗浄液は
薬液供給装置６から供給され、洗浄槽にて図中上部左方
からの超純水と混合される。洗浄薬液、および超純水の
供給量も洗浄装置制御装置２によって制御される電磁弁
７で制御される。洗浄槽中の洗浄液は洗浄装置制御装置
２によって制御されるポンプ８で抜き出され、フィルタ
ー９で連続的にろ過され洗浄槽に戻される。また、洗浄
槽中の洗浄液は洗浄装置制御装置２によって制御される
加温装置１０にて所定の温度に保たれる。１１は洗浄液
の交換の際に汚れた洗浄液を排出するための弁である。
実際の液中微粒子数の大小に関わらず一定の積算処理時
間により液交換を実施しており、さらに、液交換後は一
定時間の循環ろ過後に基板の洗浄処理を開始するため、
洗浄工程の管理運転もまた経験的であり、微粒子数の制
御管理の精度には問題があった。図３は従来からの洗浄
法を用いた半導体基板洗浄装置の概要を示す概略図であ
る。１は基板であり、洗浄装置制御装置２によって制御
される基板保持移送装置３によって洗浄装置内で移動す
る。４は洗浄槽内槽、５は洗浄槽外槽であり、洗浄液は
薬液供給装置６から供給され、洗浄槽にて図中上部左方
からの超純水と混合される。洗浄薬液、および超純水の
供給量も洗浄装置制御装置２によって制御される電磁弁
７で制御される。洗浄槽中の洗浄液は洗浄装置制御装置
２によって制御されるポンプ８で抜き出され、フィルタ
ー９で連続的にろ過され洗浄槽に戻される。また、洗浄
槽中の洗浄液は洗浄装置制御装置２によって制御される
加温装置１０にて所定の温度に保たれる。１１は洗浄液
の交換の際に汚れた洗浄液を排出するための弁である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上述
した背景に鑑み、実際の液中微粒子の特定の粒径分布お
よびその個数の大小を連続的に監視し、これにより洗浄
工程の制御、および洗浄装置の運転管理を行なうことに
より高再現性かつ経済的な半導体基板の洗浄方法、およ
び洗浄装置を提供することにある。
した背景に鑑み、実際の液中微粒子の特定の粒径分布お
よびその個数の大小を連続的に監視し、これにより洗浄
工程の制御、および洗浄装置の運転管理を行なうことに
より高再現性かつ経済的な半導体基板の洗浄方法、およ
び洗浄装置を提供することにある。
【０００７】
【発明を解決するための手段】本発明者らは、かかる問
題点を解決すべく鋭意検討した結果、洗浄槽とレーザー
散乱式微粒子計との間に測定しようとする洗浄液の採取
を行なう配管、冷却器、および測定後の洗浄液の還流を
行う配管を新たに設置し、実際の液中微粒子の粒径分
布、およびその個数の大小を連続的に監視し、これによ
り洗浄工程の制御、および洗浄装置の運転管理を行なう
ことにより上記目的を達成できることを見出し、本発明
に到達した。
題点を解決すべく鋭意検討した結果、洗浄槽とレーザー
散乱式微粒子計との間に測定しようとする洗浄液の採取
を行なう配管、冷却器、および測定後の洗浄液の還流を
行う配管を新たに設置し、実際の液中微粒子の粒径分
布、およびその個数の大小を連続的に監視し、これによ
り洗浄工程の制御、および洗浄装置の運転管理を行なう
ことにより上記目的を達成できることを見出し、本発明
に到達した。
【０００８】すなわち、本発明の要旨は、半導体基板を
洗浄するに際し、洗浄槽から抜き出した洗浄液中の微粒
子数をレーザー散乱式微粒子計で連続的に測定し、洗浄
液中の微粒子数が所定値を越えると洗浄を中止し、微粒
子数が所定値以下になるまで洗浄槽の循環ろ過を行な
い、その後、洗浄を再開することを特徴とする半導体基
板の洗浄方法、および、洗浄液を収容し半導体基板を洗
浄する洗浄槽、洗浄液中の微粒子数を測定するレーザー
散乱式微粒子計、洗浄槽より洗浄液を抜き出し前記微粒
子計に送り洗浄槽に還流させる配管系、洗浄槽から洗浄
液を循環ろ過するフィルターから成ることを特徴とす
る、前記洗浄方法に用いられる半導体基板洗浄装置、に
存する。
洗浄するに際し、洗浄槽から抜き出した洗浄液中の微粒
子数をレーザー散乱式微粒子計で連続的に測定し、洗浄
液中の微粒子数が所定値を越えると洗浄を中止し、微粒
子数が所定値以下になるまで洗浄槽の循環ろ過を行な
い、その後、洗浄を再開することを特徴とする半導体基
板の洗浄方法、および、洗浄液を収容し半導体基板を洗
浄する洗浄槽、洗浄液中の微粒子数を測定するレーザー
散乱式微粒子計、洗浄槽より洗浄液を抜き出し前記微粒
子計に送り洗浄槽に還流させる配管系、洗浄槽から洗浄
液を循環ろ過するフィルターから成ることを特徴とす
る、前記洗浄方法に用いられる半導体基板洗浄装置、に
存する。
【０００９】図１は本発明の洗浄法を用いた半導体基板
洗浄装置の概要を示す概略図である。基板１は洗浄装置
制御装置２によって制御される基板保持移送装置３によ
って洗浄装置内で移送され、また上下に昇降し、洗浄液
に浸漬して洗浄された後洗浄液から引き上げられて洗浄
を終了する。図１中、４は洗浄槽内槽、５は洗浄槽外槽
であり、洗浄液は薬液供給装置６から供給され、洗浄槽
にて超純水と混合される。洗浄薬液、および超純水の供
給量も洗浄装置制御装置２によって制御される電磁弁７
で制御される。洗浄槽中の洗浄液は洗浄装置制御装置２
によって制御されるポンプ８で抜き出され、フィルター
９で連続的にろ過され洗浄槽に戻される。よって、洗浄
液は通常、常に連続的に循環ろ過されている。
洗浄装置の概要を示す概略図である。基板１は洗浄装置
制御装置２によって制御される基板保持移送装置３によ
って洗浄装置内で移送され、また上下に昇降し、洗浄液
に浸漬して洗浄された後洗浄液から引き上げられて洗浄
を終了する。図１中、４は洗浄槽内槽、５は洗浄槽外槽
であり、洗浄液は薬液供給装置６から供給され、洗浄槽
にて超純水と混合される。洗浄薬液、および超純水の供
給量も洗浄装置制御装置２によって制御される電磁弁７
で制御される。洗浄槽中の洗浄液は洗浄装置制御装置２
によって制御されるポンプ８で抜き出され、フィルター
９で連続的にろ過され洗浄槽に戻される。よって、洗浄
液は通常、常に連続的に循環ろ過されている。
【００１０】また、洗浄槽中の洗浄液は洗浄装置制御装
置２によって制御される加温装置１０にて所定の温度に
保たれる。１１は洗浄液の交換の際に汚れた洗浄液を排
出するための弁であり、洗浄装置制御装置２によって制
御される。微粒子数を測定する洗浄液は採取管１２で採
取され、レーザー散乱式微粒子計１４に供給されるが、
レーザー散乱式微粒子計は、通常その測定可能な試料の
温度に、例えば４５℃程度まで等の制約がある場合があ
るので、冷却器１３で所定の温度まで冷却される。冷却
器としては、例えば、発塵および薬液による腐食が無く
かつ熱伝導率の大きい高純度合成サファイア等の高純度
セラミックからなり、また熱交換部分が平板状のサンド
イッチ状であるものが好ましく用いられる。
置２によって制御される加温装置１０にて所定の温度に
保たれる。１１は洗浄液の交換の際に汚れた洗浄液を排
出するための弁であり、洗浄装置制御装置２によって制
御される。微粒子数を測定する洗浄液は採取管１２で採
取され、レーザー散乱式微粒子計１４に供給されるが、
レーザー散乱式微粒子計は、通常その測定可能な試料の
温度に、例えば４５℃程度まで等の制約がある場合があ
るので、冷却器１３で所定の温度まで冷却される。冷却
器としては、例えば、発塵および薬液による腐食が無く
かつ熱伝導率の大きい高純度合成サファイア等の高純度
セラミックからなり、また熱交換部分が平板状のサンド
イッチ状であるものが好ましく用いられる。
【００１１】レーザー散乱式微粒子計１４は、冷却器１
３で所定の温度まで冷却された洗浄液中の微粒子を連続
的に測定する。１５は微粒子計１４によって制御される
吸引、および吐出ポンプである。測定後の洗浄液は還流
管１６で洗浄槽に還流する。洗浄装置制御装置２はレー
ザー散乱式微粒子計１４の計測値をもって洗浄工程を制
御管理する。
３で所定の温度まで冷却された洗浄液中の微粒子を連続
的に測定する。１５は微粒子計１４によって制御される
吸引、および吐出ポンプである。測定後の洗浄液は還流
管１６で洗浄槽に還流する。洗浄装置制御装置２はレー
ザー散乱式微粒子計１４の計測値をもって洗浄工程を制
御管理する。
【００１２】洗浄工程の制御は、レーザー散乱式微粒子
計１４による微粒子数、好ましくはレーザー散乱式微粒
子計１４による０．１μｍ以上の粒径の微粒子数が所定
値を越えると、洗浄装置制御装置２からの指令により基
板保持移送装置３の動作が停止し、次なる基板の洗浄を
行なうことが中止される。一方、洗浄液の循環ろ過は、
フィルター９およびポンプ８で続行する。
計１４による微粒子数、好ましくはレーザー散乱式微粒
子計１４による０．１μｍ以上の粒径の微粒子数が所定
値を越えると、洗浄装置制御装置２からの指令により基
板保持移送装置３の動作が停止し、次なる基板の洗浄を
行なうことが中止される。一方、洗浄液の循環ろ過は、
フィルター９およびポンプ８で続行する。
【００１３】本発明において許容される洗浄液中の微粒
子個数は、レーザー散乱式微粒子計で測定した値を基準
として、０．１μｍ以上の微粒子が通常１５００個／ｃ
ｍ3以下、詳しくはアンモニア水−過酸化水素水混合水
溶液では０．１μｍ以上の微粒子について１５００個／
ｃｍ3以下、望ましくは５００個／ｃｍ3以下、塩酸−過
酸化水素水混合水溶液若しくは希フッ化水素酸では０．
１μｍ以上の微粒子について２００個／ｃｍ3以下、好
ましくは５０個／ｃｍ3以下である。この値を超える
と、洗浄を中止し洗浄槽の循環ろ過を行なう。
子個数は、レーザー散乱式微粒子計で測定した値を基準
として、０．１μｍ以上の微粒子が通常１５００個／ｃ
ｍ3以下、詳しくはアンモニア水−過酸化水素水混合水
溶液では０．１μｍ以上の微粒子について１５００個／
ｃｍ3以下、望ましくは５００個／ｃｍ3以下、塩酸−過
酸化水素水混合水溶液若しくは希フッ化水素酸では０．
１μｍ以上の微粒子について２００個／ｃｍ3以下、好
ましくは５０個／ｃｍ3以下である。この値を超える
と、洗浄を中止し洗浄槽の循環ろ過を行なう。
【００１４】本発明において０．１μｍ以上の粒径の微
粒子の数のみを測定すれば十分であるとしているのは、
半導体基板上において通常管理の対象となる微粒子の粒
径が１６Ｍ ＤＲＡＭで０．１６μｍ以上、６４Ｍ Ｄ
ＲＡＭで０．１２μｍ以上だからである。微粒子数は連
続して微粒子計１４により測定され、微粒子数が前記所
定値以下、好ましくは前記所定値より十分低い値、例え
ば５０個／ｃｍ3以下程度になると、該基板保持移送装
置が動作し、次なる基板を洗浄液に浸漬し洗浄が再開さ
れる。
粒子の数のみを測定すれば十分であるとしているのは、
半導体基板上において通常管理の対象となる微粒子の粒
径が１６Ｍ ＤＲＡＭで０．１６μｍ以上、６４Ｍ Ｄ
ＲＡＭで０．１２μｍ以上だからである。微粒子数は連
続して微粒子計１４により測定され、微粒子数が前記所
定値以下、好ましくは前記所定値より十分低い値、例え
ば５０個／ｃｍ3以下程度になると、該基板保持移送装
置が動作し、次なる基板を洗浄液に浸漬し洗浄が再開さ
れる。
【００１５】洗浄液の採取および測定後の洗浄液の還流
を行う配管の材料の例としては、配管材からの微粒子の
発生、および金属イオンの溶出が極めて少ないテトラフ
ルオロエチレンーパーフルオロアルキルビニルエーテル
共重合体等のフッ素樹脂が挙げられる。これらの材料を
用いて配管し、実際に酸性およびアルカリ性洗浄液を連
続的に採取、微粒子測定、帰還を行なったところ、配管
および微粒子計接液部に由来する微粒子の発生、並びに
金属イオンの溶出による洗浄液の劣化がないことを確認
した。
を行う配管の材料の例としては、配管材からの微粒子の
発生、および金属イオンの溶出が極めて少ないテトラフ
ルオロエチレンーパーフルオロアルキルビニルエーテル
共重合体等のフッ素樹脂が挙げられる。これらの材料を
用いて配管し、実際に酸性およびアルカリ性洗浄液を連
続的に採取、微粒子測定、帰還を行なったところ、配管
および微粒子計接液部に由来する微粒子の発生、並びに
金属イオンの溶出による洗浄液の劣化がないことを確認
した。
【００１６】本発明の洗浄液は、半導体製造工程での使
用を目的とするものであるから、使用される水、酸、ア
ルカリ、過酸化水素水としては高純度のものが使用され
る。
用を目的とするものであるから、使用される水、酸、ア
ルカリ、過酸化水素水としては高純度のものが使用され
る。
【００１７】
【実施例】次に、実施例を用いて本発明の具体的態様を
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。 ＜実施例１＞洗浄液として超純水にフッ化水素酸を５容
量％添加したものを用い、被洗浄半導体基板として８イ
ンチウェハを用い、本発明の洗浄装置にて常温で洗浄を
行なった。粒径０．１μｍ以上の微粒子個数の設定値を
２００個／ｃｍ3とし、ウェハ洗浄を開始した。
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。 ＜実施例１＞洗浄液として超純水にフッ化水素酸を５容
量％添加したものを用い、被洗浄半導体基板として８イ
ンチウェハを用い、本発明の洗浄装置にて常温で洗浄を
行なった。粒径０．１μｍ以上の微粒子個数の設定値を
２００個／ｃｍ3とし、ウェハ洗浄を開始した。
【００１８】洗浄開始３分後には微粒子数は設定値を越
えたので、ここで基板保持移送装置の動作を中止して次
なるウェハの洗浄に入るのを一旦停止して循環ろ過のみ
を続行した。洗浄開始６分後には微粒子数が２００個／
ｃｍ3となり、洗浄開始８分後に次なるウェハの洗浄を
再開した。このウェハ洗浄に伴う洗浄液中の微粒子数の
推移を図２に示す。横軸は経過時間（任意基準）、縦軸
は微粒子個数である。
えたので、ここで基板保持移送装置の動作を中止して次
なるウェハの洗浄に入るのを一旦停止して循環ろ過のみ
を続行した。洗浄開始６分後には微粒子数が２００個／
ｃｍ3となり、洗浄開始８分後に次なるウェハの洗浄を
再開した。このウェハ洗浄に伴う洗浄液中の微粒子数の
推移を図２に示す。横軸は経過時間（任意基準）、縦軸
は微粒子個数である。
【００１９】＜実施例２、比較例１＞洗浄液として塩
酸、過酸化水素水、および超純水を体積比で１：０．
１：５の組成で混合した洗浄液を用いた他は、実施例１
と同様にして８インチウェハを洗浄し、超純水で１０分
間リンスした後、乾燥させ、表面の微粒子数をレーザー
散乱式微粒子計で測定した（サンプルＮｏ．１〜６）。
また、参考として従来法の洗浄装置にて同様に洗浄した
（比較例１）。すなわち、微粒子数の多少に関係なく１
日２回液交換をする他は、実施例２と同様にして洗浄を
行い、任意の時間にサンプリングして実施例２と同様の
方法で微粒子数を測定した（サンプルＮｏ．７〜１
３）。表−１に実験結果、および、いくつかのウエハに
ついて洗浄前の表面の微粒子数を測定した結果（サンプ
ルＮｏ．１４〜１７）を示す。
酸、過酸化水素水、および超純水を体積比で１：０．
１：５の組成で混合した洗浄液を用いた他は、実施例１
と同様にして８インチウェハを洗浄し、超純水で１０分
間リンスした後、乾燥させ、表面の微粒子数をレーザー
散乱式微粒子計で測定した（サンプルＮｏ．１〜６）。
また、参考として従来法の洗浄装置にて同様に洗浄した
（比較例１）。すなわち、微粒子数の多少に関係なく１
日２回液交換をする他は、実施例２と同様にして洗浄を
行い、任意の時間にサンプリングして実施例２と同様の
方法で微粒子数を測定した（サンプルＮｏ．７〜１
３）。表−１に実験結果、および、いくつかのウエハに
ついて洗浄前の表面の微粒子数を測定した結果（サンプ
ルＮｏ．１４〜１７）を示す。
【００２０】従来法、本発明とも微粒子は除去されてい
るが、洗浄液中の微粒子数を管理制御しない従来法で
は、表面微粒子数のばらつきが大きい。しかし、本発明
では表面微粒子数のばらつきが小さい。即ち、本発明の
方法により精度の高い洗浄が可能となったことがわか
る。
るが、洗浄液中の微粒子数を管理制御しない従来法で
は、表面微粒子数のばらつきが大きい。しかし、本発明
では表面微粒子数のばらつきが小さい。即ち、本発明の
方法により精度の高い洗浄が可能となったことがわか
る。
【００２１】
【表１】
【００２２】＜実施例３、比較例２＞表−２に示す洗浄
液を用いてＲＣＡ洗浄を行なった他は実施例２と同様の
方法で、８インチウェハの洗浄を行なった（本発明の方
法：実施例３）。また、従来の洗浄装置を用いた場合と
比較するため、表−２に示す洗浄液を用いてＲＣＡ洗浄
を行った他は比較例１と同様の方法で洗浄を行った（従
来の方法：比較例２）。表−３に本発明の洗浄装置の洗
浄液の使用量、および従来の洗浄装置の洗浄液の使用量
を示した。
液を用いてＲＣＡ洗浄を行なった他は実施例２と同様の
方法で、８インチウェハの洗浄を行なった（本発明の方
法：実施例３）。また、従来の洗浄装置を用いた場合と
比較するため、表−２に示す洗浄液を用いてＲＣＡ洗浄
を行った他は比較例１と同様の方法で洗浄を行った（従
来の方法：比較例２）。表−３に本発明の洗浄装置の洗
浄液の使用量、および従来の洗浄装置の洗浄液の使用量
を示した。
【００２３】全ての洗浄液について、本発明では従来法
に比べ使用量が３分の２〜２分の１に低減している。即
ち、本発明により薬品の使用量が低減し経済性の高い洗
浄が可能となったことがわかる。
に比べ使用量が３分の２〜２分の１に低減している。即
ち、本発明により薬品の使用量が低減し経済性の高い洗
浄が可能となったことがわかる。
【００２４】
【表２】
【００２５】
【表３】
【００２６】
【発明の効果】本発明の洗浄法および洗浄装置は、洗浄
液中の微粒子の粒径分布、およびその個数を管理制御す
ることにより、洗浄後の基板表面の微粒子個数を常に一
定の範囲内に再現性良く保つことができる。また、本発
明の洗浄装置は、洗浄液の交換の判断を実際の液中微粒
子個数をもって行なうため、薬品の使用量の最適化が達
成され、コストの削減も図ることができるため、高集積
回路の工業生産上利するところ大である。
液中の微粒子の粒径分布、およびその個数を管理制御す
ることにより、洗浄後の基板表面の微粒子個数を常に一
定の範囲内に再現性良く保つことができる。また、本発
明の洗浄装置は、洗浄液の交換の判断を実際の液中微粒
子個数をもって行なうため、薬品の使用量の最適化が達
成され、コストの削減も図ることができるため、高集積
回路の工業生産上利するところ大である。
【図１】本発明の洗浄法を用いた半導体基板洗浄装置の
概要を示す図である。
概要を示す図である。
【図２】本発明の実施例１におけるウエハ洗浄に洗浄に
伴う洗浄液中微粒子数の推移を示す図である。
伴う洗浄液中微粒子数の推移を示す図である。
【図３】従来からの洗浄法を用いた半導体基板洗浄装置
の概要を示す図である。
の概要を示す図である。
１ 基板 ２ 洗浄装置制御装置 ３ 基板保持移送装置 ４ 洗浄槽内槽 ５ 洗浄槽外槽 ６ 薬液供給装置 ７ 電磁弁 ８ ポンプ ９ フィルター １０ 加温装置 １１ 排出弁 １２ 採取管 １３ 冷却器 １４ レーザー散乱式微粒子計 １５ 吸引・排出ポンプ １６ 還流管 １７ 超純水の供給路 Ａ ウエハ洗浄時 Ｂ 洗浄動作中止（循環ろ過のみ） Ｃ 制御設定値 ａ 微粒子径０．１〜０．２μｍの微粒子個数 ｂ 微粒子個数の総計
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板を洗浄するに際し、洗浄槽から
抜き出した洗浄液中の微粒子数をレーザー散乱式微粒子
計で連続的に測定し、洗浄液中の微粒子数が所定値を越
えると洗浄を中止し、微粒子数が所定値以下になるまで
洗浄槽の循環ろ過を行ない、その後洗浄を再開すること
を特徴とする、半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項２】洗浄液を収容し半導体基板を洗浄する洗浄
槽、洗浄液中の微粒子数を測定するレーザー散乱式微粒
子計、洗浄槽より洗浄液を抜き出し前記微粒子計に送り
洗浄槽に還流させる配管系、および洗浄槽から洗浄液を
循環ろ過するフィルターから成ることを特徴とする、請
求項１記載の洗浄方法に用いられる半導体基板洗浄装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11653294A JPH07326599A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11653294A JPH07326599A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326599A true JPH07326599A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14689463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11653294A Pending JPH07326599A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07326599A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999014798A1 (en) * | 1997-09-16 | 1999-03-25 | Nalco Chemical Company | A fluorometric method for increasing the efficiency of the rinsing and water recovery process in the manufacture of semiconductor chips |
| KR100504642B1 (ko) * | 1999-06-03 | 2005-08-03 | 가부시끼가이샤 한도따이 센단 테크놀로지스 | 입자량 평가 장치와 딥식 세정 시스템 및 입자 부착량평가 방법 |
| JP2015054314A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社リコー | 洗浄装置 |
| JP2021166290A (ja) * | 2020-04-07 | 2021-10-14 | セメス株式会社Semes Co., Ltd. | 基板処理方法及び基板処理装置 |
-
1994
- 1994-05-30 JP JP11653294A patent/JPH07326599A/ja active Pending
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