TW448583B - Light emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents

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TW448583B
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Hideki Matsubara
Koji Katayama
Akihiko Saegusa
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Sumitomo Electric Industries
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448583 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1 ) [發明領域] 本發明係與具有發光二極體（LED)之發光裝置以及其製 方法有關，特別是關於具有低本高性能的ZnSe單一遙晶 LED之發光裝置暨其製造方法。 [以前的技術] 一直以來，紅色用的AlGaAs、或是GaAsP、黃綠色的 GaP、橘色或黃色用的AlGalnP等都實用化，以作爲高亮度 的LED材料。森論哪一種材料，都是在導電性底板上所形 成的LED。 圖4A上標示的ia，爲具有上述LED的發光裝置。如圖 4 A所示，發光裝置i a包含有，樹脂2跟LED晶片3 a，以 及導線架4 a、4 b跟導線5。 圖4Β爲圖4Α第6部分的擴大圖。如同該圖4Β所示， LED晶片3 a藉由銀糊狀物]8與導線架4 a連接。LED晶片 3 a具備了導電性底板7 a，發光體的磊晶發光層8 a，以及 弟1電極10 a跟第2電極1 7。第1電極1 〇 a則藉由導線5，與 導線架4 b連接。 具備上述構造的led，其低成本的量產過程業已確立， 一個LED的成本於十圓。 可疋’作爲藍色或綠色還有白色用的材料：GalnN系列 的LED，本身是作爲底板之用，因爲使用絕緣性的青玉底 板’所以採用如圖5 a以及圖5 B所示的構造。 亦即，如圖5 A及5 B所示，LED晶片3 b在引起發光的磊 晶發光層8b的表面上，有第i跟第2電極1〇a，na。第2電 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公《 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裂--------訂---------線' Λ7 448 5 8 3 ______B7_______ 五、發明說明（2 ) 極17 a，是於蟲晶發光層8 b的表面上之凹郅内所形成的。 這個第2電極17a，藉由導線5 b跟導線架4 a連接；第1電極 10a則藉由導線5a跟導線架4b連接。另，絕緣性底板7b則 藉由銀色糊狀物1 8，固定於導線架4 a之上。 由於上述的構造複雜，因此擁有GalnN系列的LED的發 光裝置1 b的製造成本極向，該單價跟前述的低成本產品 相比，要高了數倍以上。 除此之外’尚有ZnSe系列材料，它被視爲有希望成爲藍 色、綠色、還有白色用的L E D材料。本發明者，將具有導 電性、可視性、透明的n型ZnSe底板，運用到ZnSe系列單 一磊晶構造的LED的開發之上。在此結構之下，與GaInN 系列有所不同之處在於’因爲底板具有導電性，所以如圖 3 A以及圖3 B所示，可能得以使用低成本的L E D結構，原 則上可能得以製造出低成本的LED。 不過，在π型Z n S e底板中，在載子濃度低之情泥下，對 該底板而έ ，需要特別技巧才能形成歐姆電極。具體而 言，對於載子濃度在3X10" cnr3以上的nsZnSe底板來 説，使用普通的蒸餾法蒸煮T i ' a I等材料之後，再予以 加熱的話，比較容易形成歐姆電極；而對於載子濃度在 3\1^_-3以下的11型21^6底板來說，同時使用普通的緣 餾法以及加熱處理，無法容易地形成歐姆電極。 又，對於znSe結晶來説銀（Ag)是非常容易擴散的，也容 易形成所謂的非發光中心的缺點。纟就是說，爲了固定 ZnSe結晶使用銀糊狀物’會促使含有結晶led的劣 -5- ^紙張尺度刺中關家標準（CNS)A4規格⑵G X 297公 f靖先閱讀背面之ii意事項再填寫本頁) 裝 ;線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 4 8 5 8 3 Λ? __137 五、發明說明（3 ) 化。 本發明疋爲了解決上述課題所爲之發明。本發明的目的 在於，即使η型ZnSe底板的載子濃度低，也能形成歐姆電 極：而且能抑制如上述所説LED劣化的現象。 本發明的發光裝置中，具有n型ZnSe底板、電極體、以 及導電層。導電層係由〖n或是〗n合金所形成，因將打型
ZnSe底板固定於電極基體上，而使得η型ZnSe底板具備歐 姆電極的功能。該電極體，如由導電性材料所構成的話也 可以，即使是導線架亦可：在絕緣底板上所形成的電極也 可以。 本發明的發明者，對於固定n型ZnSe底板以及電極基體 的材料，曾細腻地檢討過，結果得知，在我們使用In或是 In合金的導電層作爲固定^型ZnSe底板以及電極基體的材 料，即使在η型ZnSe底板中的載子濃度未達3><i〇ucm-3的 情沉之下’也可以有歐姆接觸。另外，In或是ίη合金，不 會跟銀同樣地有在ZnSe結晶中擴散的非發光中心的缺點^ 準此，亦可抑制因上述的擴散使得LED劣化的情形。 本發明中的發光裝置，最好包含ZnSe單一磊晶發光二極 岐。這個發光二極體，擁有磊晶發光層，該磊晶發光層係 由η 土 Ζ τι S e底板上以Z n S e馬母體所形成的混晶化合物製成 的。 本發明對於能發出藍色或是綠色甚或是白色光的ZnSe單 —磊晶發光二極體特別有效= 上述η型ZnSe底板中的最佳載子濃度，是在3x10" cnr3 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 297公釐） 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ7 4 4 8 5 8 3 ___Ιί7____ 五、發明說明.（4 ) 以上3 X 1〇丨《 cm]之丨!;|。 使用丨η或是丨π合金的導電層之後’即使在載子濃度低的 情況之下，也能形成歐姆電極。 本發明屮的發光裝冱’最好使用3 V以下的電壓。如此 一來’亦可作Λ组裝手機之用的LCE) (Liquid crysui display)背光板。 有關於本發明中的發光裝E之製造方法，需備妥下述各 項工程。在n型ZnSc底板上能夠形成磊晶發光層以及發光 層上的電極。在電極基體上’能夠溶解丨n或是〖n合金。 在溶解後的丨η或是丨η合金上，直接裝載η型ZnSe底板，而 且對該底板施以振動或是壓力。袍以振動或是壓力之後， 再施以加熱處理之。
In或是In合金的溶解很低，在15yC以下。而且因爲In 等與金屬之間有潤濕，性，在室溫下會變成固體，所以可能 得以使用I η等作爲導電性的黏著劑，也就是所謂的焊劑。 在此，本發明的發明者，在檢討是否應該使用1 η等作爲η 型Z n S e底板與電極基體間的黏著時，從前述的本發明所特 有的技術得知，於本發明中可使用丨n等，作爲導電性黏著 剖。也就是説’在溶解狀態的In等的上面，直接裝載〇塑 ZnSe底板，至少施以振動或是壓力，即使在2〇〇Ό的低溫 之下，I η等也可以在Se結晶底板中擴散；之後再施以 加熱處理，形成共晶合金，即使對於低載子濃度的2]1以底 板來説，也可以獲得歐姆接閔3 上述的振動最好是超音波振動。壓力最好在〇 544 Mpa 本紙張尺度適用中S國家襟準（CXS)A4規格（210 X 297公爱） ------------裝----------訂---------線l· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 Ιϊ7 五、發明說明（5 ) (5.56 (厂2 kg/mm2)以上，到 1 09 MPa (1 1 · 1 kg/mm2)之間。 另，上述的振刼，因著频牟在1 Hz以上至丨〇〇〇 Hz以下的 械機式振動，即使是反禝動作也可以。在此情況下，壓力 在 0.217 Ml)a (2.22 / 1〇·2 kg/mm2)以上，到 1〇9 MPa (1 1.1 lcg/mm2)之卩J]時，同時施以振勤以及壓力。 同時施加振動以及壓力的情況下，頻率最好在1 〇 Hz以 上 300 Hz以下；壓力是在 0.21 7 MPa (2.22 X 1〇-2 kg/mm2)以 上，到10.9 MPa (1 1.1 kg/mm2)之間。更好的情況是，上述 的頻率最好在10 Hz以上60 Hz以下；壓力是在0.217 MPa (2‘22 X 10·2 kg/mm2)以上，到 5.45 MPa (〇‘555 kg/mm2)之 間。 像這樣在η型ZnSe底板上抱加振動以及/或是壓力，可以 獲得如上所述的歐姆接觸。 [圖式之簡單説明] [圖1 ]圖1 A，是本發明的發光裝置的側面圖°圖1 B，是 圖1 A中的第6部分的擴大斷面圖。 [圊2 ]是有關本發明中ZnSe單一磊晶圓的斷面圖。 [圖3 ]圖3 A，是圖1 A中發光裝置的變形例示的侧面 圖。圖3B是圖3A中第6部分的擴大斷面圖。 [圖4]圖4A ’是具有通常的LED的發光裝置的側面圖。 圖4 B，是（a )中的第6部分之擴大斷面圖。 [圖5 ]圖5 A ，是具有GaN系列的LED之發光装置的側面 圖°圖5 B是圊5 A中第6部分的擴大斷面圖。 [發明實施的型態] -8- 本纸張尺度適用中國舀家標遑（CN'S)A4規络X 297公《 ) -------------.裳--------訂---------線 ί請先閱讀背面之泫意事項再填寫本頁) •448583 Λ7 U7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（6 以下使用了圆j Α ·5 |) y g U A至闊3 B，以解説本發明實施的型態。 圖1 A ’是本發明中具有 " 】£nSc系列的早一磊晶LED的發光 裝置I側面圖。岡1丨2 ΕΪ m…， ㈤113疋圓丨A中第ό部分的擴大斷面圖。 如圖1 Α以及闯】R吣_ ,, 口 β所不，本發明的發光裝置1，與圖3 A以 及圖3B所示，且保太 ''備了玉產且低成本之LED晶片33的發光裝 “ a颃似的形狀。爲此，被認爲可能得以低成本量產。 如同圖1A以及圓ίβ所示，於本發明中的咖晶片3，具 有η型ZnSe結晶底板7，以及蟲晶發光層8，藉由心或是 1 n合金所製成的導電層9，固定於導線架4 a之上。除此之 外的構造’由於跟圖3 A以及圖3 b所示的情況一樣，所以 省略以免重複說明。 1圖1B所示的導電層9，與nsZnSe結晶底板7作歐姆接 觸，而且擁有黏接n型ZnSe結晶板以及導線架4 a的功能。 由於汉计了這個導電層9，使得n型ZnSe結晶底板7的背 面，無須設置像圖4 A以及圖4 B所示的第2電極！ 7。 其次，再說明具有上述構造的發光裝置1的製造方法。 首先’17作爲導電性η型ZnSe底板，必須準備載子濃度在 3 10 cm以上至3xi〇18 cm·3以下的底板。在這底板之 用單 碎晶技術，根據MBE (Molecular Beam
EpiUXy)法’开v成如圖2所示的最大發光波長爲485 nm的藍 色之發光裝置。 4口同圖 9 Α/Ρ ，J3C： ''你晶發光層8具有由p型ZnTe與ZnSe積層超 格子而形成的㈣接觸層16，及由p型Zn0.S5Mg0」5S0.10Se〇.9。 升/成的P型叙布層丨5 ’及由ZnSe層與Zn0.ssCd0.l2Se積層構 本纸狀㈣財邮家標準ϋ ------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之泫意事項再填寫本頁) 經涪?.*-智慧財產局員工消費合作社印¾. 48 58 3 Λ7 _H7_ 五、發明說明（7 ) 4而形成的曼子井沽性層14，及由η型 成的η _ίί：1 :½布滑1 3。此屈品發光層8藉由η型Z n S e緩衝層 形成於η型ZnSe站品底板上而。 在形成了 JV冇上述構造的ZnSc單一磊晶圓1 1之後，在 該品阅丨丨的接觸層丨6之上，形成由Ti/Au所作成的點狀之 模的丨^型屯極：還會形成有20 nm以下厚度的薄膜全面A u 電極，在形成這些電極之後，由晶圓11切出3 00 " m X 3 00 ；« m 四方尺寸的LED品片。 其次，在導線架4 a之上載著純丨η的薄片，把導線架4 a 加熱到1 80"C，使I η溶解掉。在那之上，直接裝置LED晶 片3。再來，丨η在溶解狀態下，從LED晶片3的上方加上 超音波振動：準此，可使I η在η型Z n S e結晶底板7之中， 適度地擴散。 其次，打上導線；連接電極1 0以及導線架4 b的金屬 等，形成電線5 :在這樣的狀態之下，於氮氣中，以2 5 0 3C 的溫度作加熱處理。準此，便可以在導電層（In) 9龈η型 ZnSe結晶底板7之間，形成共晶合金；在η型ZiiSe結晶底 枉7上，可以與導電層9做歐姆接觸。之後，作樹脂覆蓋 以彤成街脂2。經由上述的工程，便可以形成如圖1 A以及 圖]B所示的發光裝£。
本發明的發明者，爲了確認對於η型ZnSe結晶底板7的 載子濃度之多寡，與由I η等所形成的導電層9，是否可以 得到St锌接觸，而根據上述的程序，實際上製作成下述的 CJ種發光裝置1 :具體而言，η型ZnSe結晶基板7有四種， 係爲載子;農度 1 X l〇Wcm3、3 X 1 017/cm3 ' 5 X 1 017/cm3、1 X -10 - 本故S又度这弓士 Ξ S家標準（C_\S)A4規格（210 >= 297公复） ------------裳--------訂.-------線— <請先閱讀背面之ii急事項再填寫本頁) 448583 Λ7 [57 經凊邹智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（8 〆 和擁有上述結晶基板的LED晶片3組合製作成發 光裝置1 ’在來，因著測試20 mA通電時的LED之動作雷 壓’可以ί导到下表的結果。 [表1]
底板的 載子濃度 1 x 10J 7/cm3 3 x 10l7/cm3 5x 1017/cm3 lxi〇18/cm3 LED動作 電壓(20 mA) 7.5V 2.9V 2.7V 2.7V 果在3 X l〇n cm.3以上的話，LED的動作電壓會變得非常的 低（在3 V以下）。也就是説，不是在ZnSe結晶底板7的背面 形成洛著電極’而是明瞭在上述的融化的I η中，使用直接 接觸η型ZnSe結晶底板7的方法’可以得到歐姆接觸。本 粒子秩論何時皆須確認係在穩定的室溫下製作；由I n等所 形成的導電層9，充分地發揮作爲LED晶片3的黏著劑的功 用3另，因爲不是使用銀糊狀物，所以不會使素子產生魚 速劣化。 ~ 另 即使和同樣的貫驗’貫驗在I η - S η合金（S η 10 %)之 上’也會後得冗全相同的結果。據此，也考慮可能可以使 用1 η合金。以I η合金來說’使用含有5〇%以上的丨η的〗η爲 主的合金，是最好的。 其次，本發明的發明者，爲了確認是否可以藉由上述的超 音波振動以外的方法得到歐姆接觸，而作了以下的實驗。 準備了載子认度在5 X】〇 17/cm3的導電性η型znse底板， -11 - 本紙張尺度適用中0 0家標準（CXS)A4規格（21〇 X .37公爱） n I n n · - - - - ·!·_.0, · n ! n - - t^i I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 448 5 8 3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（9 ) 跟之前所述冤全一樣的進行磊晶成長以及材料化的程序； 製作成300 "m X 300 /』m四方尺寸的LED晶片3 °接著，以 先前所述之同樣方法，在導線架4 a之上溶解I η ’再放載 於η型ZnSe結晶底板7之上。 在這狀態之下，根據上述方法，逐漸加入2g ' 5g、10g、 100 g、500 g、1 kg的重量。在這之中，對於加重1 k_G的 LED晶片3，LED晶片的底部會破損。準此，對於剩下的 六種LED晶片，進行打線作業，在氮氣狀態之下，作25(TC 的加熱處理’最後進行樹脂覆蓋。 對於如上述般所作成的六種發—光裝置1，在測試20 mA通 電時LED的動作電壓之下，可以獲得以下表2的結果。 [表2]
裝載的重量 2 g 5 g I〇 g 50 g 100 g I500 g 動作電壓(20 mA) 6.5V 3.0V 2.8V 2.7V 2.7V | 2.7V 由表2可以得知，由LED晶片3所裝載的重量在5 g以上 時（施加壓力0.544 MPa ; 5.56 X 1 O·2 kg/mm2以上），動作電 壓變得十分的低（3 V以下）。也就是説，以上述直接接觸 I η的方法，可以得知，不只是超音波振動而已，即使是光 加重量，就可以得到歐姆接觸。 尚且，有關於重量大小而言’只要是在不會損傷LED晶 片3的範圍之内，不論多重都無所謂。準此，認爲i kg以 下的重量比較好。也就是説，考量到也可以對LED晶片族 以 109 MPa (1 1.1 kg/mm2)以下的壓力。 尚且，即使在本粒子的情況下’也都在室溫之下穩定的 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） ------------^裝--------訂. <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 Λ7 448583 五、發明說明（1〇 ) 動作，I η充分地發揮了 LED晶片的黏著劑的角色。再來’ 以同樣的實驗在500 X 500 "m四方尺寸的LED晶3上進 行時’也會獲得大約相同的結果。 尚且，本發明的發明者，根據超音波以外的頻率的機械 式振動，與壓力的組合方法，以確認是否得以與歐姆接 觸，進行了以下的實驗。 跟前述的情況—樣，使用載子濃度在5 X i〇l7/cm3的η型 ZnSe結晶底板7，製作3〇〇 " m X 3〇〇 " m四方尺寸的—LED晶 3。再來，使用與前述相同的方法，在導線架4 a之上’溶 解I η，再將LED晶片3置於其上。 在這狀態之下，從上方依序加上1 g、2 g、5 g、1 0 g、50 g、 1 00 g、500 g的重，同時給予 i Hz、1 〇 Hz、60 Hz、300 Hz、 1000 Hz、2000 Hz ' 58 kHz (超音波振動）大小的機械式振 動。再來’進行打線，在氮氣狀態之下，實施25(TC的加 熱處理，最後進行樹脂覆蓋。 對於上述所製作的4 9個發光裝置，測試其在20 mA通電
時的動作電壓，可以得到下列表3的結果D
[表3] (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線. 蛵嘹部智慧財產局員工消費合作社印製
<表3 在各種重量、振動的條件下的動作電壓> 1 g 2 g 5 g 10 g 50 g 100 g ^00 g 1Hz 3.9 V 2.8V 2.8V 2.7V 2.8\^ 2.7V 2.7V ΙΟΗζ 3.6 V 2.9V 2.7V 2.7V 2.7V 2.7V 2.8V 60Hz 3.6V 2.8V 2.7V 2.7V 2.8V 2.7V 2.7V 300Hz 3.8V 2.7V 2.7V 2.7V 2.7V 2.8V 2.7V ' 1000Hz 3.4V 2.7V 2.8V 2.7V 2.7V 2.7V 2.9V 2000Hz 3.2V 2.7V 2.7V 2.7V 2.8V 2.8V 2.7V 58kHz 2.9V 2.7V 2.7V 2.7V 2.7V 2.9V 2.8V -13- 本紙張尺度過用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 448583 Λ7 Β7 五、發明說明（11 ) 由表3可以得知，同時加入機械式的祐* 、叫八的振動以及重量的情 >兄下’與振動领率無關’而且重I1 主里在2gu上（施加的壓力
在 0.2 1 7 M Pa : 2.22 X 1CT2 kg/mm2以上、择，知 A r 防 A 上）呻，動作電壓會變得 十分的低（3 V以下）’而可以得到歐姆接觸。 也就是說’依據上述的機械式振動，所做的反覆動作， 可以破壞I η表面所形成的自然氧化膜，可以使得h跟 ZnSe結晶底板的接觸保持良好的狀態，從此事可以推知， 是使得得以接觸歐姆的原因之一。 尚且，也確認了，即使頻率未滿i Hz的振動，只要給予 充分的時間（例如1 0秒以上），也可以與歐姆接觸^可是’ 在此情況下，製作LED的作業時間會變得很長，因此不適 合作為量產LED的技術。 诗續對多數的L E D進行冗全相同的實驗，以同時施加振 動以及重量的方式，調查晶片斷裂所發生的不良率。在此 實驗中1重量固定在10 g，施加振動的頻率分別是1 Hz、1〇
Hz、60 Hz ' 3 00 Hz ' 1000 Hz、2000 Hz、5 8 kHz (超音波振 動）’計算在不同週波數之下’發生晶片斷裂不良情況之 比率。結果如表4所示。 [表4 ] n «1— - - n ϋ ' an n —l - l- r—』eJ .^1 ^1. I n n I n I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 <表4 因振動週波數所發生的不良率> 振動週波數 1 Hz 10 Hz 60 Hz 300 Hz 1000 Hz 2000 Hz 50 kHz 不良率 1 % 0% 2% 1 % 1 % 8% 13% 如表4所示，可以明白當頻率超過2〇〇〇Hz時，不良率變 兩。當然’該項結果，並非意著2 〇 〇 〇 Η z以上的機械式振 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CXS)A-i規格<210 X 297公釐） 448583 Λ7 ----—--- 五、發明說明（12 ) 動以及超介波振動，不適合作爲接觸歐姆的技術β這只是 表示，作的u:时產技術來說，從】ΗζίιΜ_Ηζ 之叫的機U式振衂（也就足所珩的反復動作）以及適切地重 量叫的政仕組合。 根據上述的機械式振勤所產生的頻率，比較佳的狀況 疋，I 0 Hz以上30G Hz以F，重量則在2 g以上丨〇〇 g (施加的 壓力在10.9 : l.l I kg/mm2以上）以下。更佳的是，頻 率在丨0 Hz以上60 HZ以下，$量則在2 g以上5〇 g (施加的^ 力在5.45 MPa: 5.55 kg/mm2以上）以下。像這樣根據所減 少重量’便可以減輕對於LED晶片的損傷。 其次，使用圊3 A以及圆3 B，來説明圖1 A以及圖i β所 示的發光裝置的變形範例3 在上述的實矻型態中，說明了關於在導電架4 a之上裝残 LED晶片3的情兄，如果是導電性材料或是在導電層之上 的話，也能可以裝載LED晶片3。具體而言，例如：在呀 有電極獏型的恳板的電極镆型之上裝載LED晶片3也可以_ 如圖3 A以及圊3 B所示，在本變形範例中的發光裝置 1，么就是表面實裝型’具有LED晶片3、由絕緣性材料作 成的絕缘彳生底板1 9 '以及在這絕緣性底板1 9中所形成的 模纽電極20a ' 20b，跟透明街脂2 1。 以絕緣性底板1 9來説，可以使用以高耐熱性樹脂（例如 B 丁銜脂等）爲材料的玻璃底板，或是使用散熱性佳的陶竟 (少；如AIX等）裝造的薄板底板。模组電極20a、2〇b，在坡 璃環氧底板中可以使用具有Au/Ni/Cu構造的東西：而在内 -15- 本纸張尺度这丐* g §家漂沒（CVS)A4規格（210 X 297公爱） c請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}
I I .^1 n n n οι « n n I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印為 448583 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 ------F37___ 五、發明說明（13 ) 瓷底板中可以使用具有Au/Ni/W^造的東西。 在棱組電極20a之上，秸由丨n或是[n合金的導電層9，來 固定LED晶片3。關於固定的方法，則與固定導電架相 同。之後，再贯施打線作業以及樹脂覆蓋（最好是以轉移 覆盅法所製成的樹脂封住）的話，就完成了圖3 A所示的發 光裝置1 了。 如圖3A所示的發光裝置1，也是非常適合量產的；可用 低成本獲致以晶片爲材料型態的發光裝置。另，雖然在圖 3 A中所示的發光裝置I ’是在絕緣性底板丨9上裝載一片 LED晶片3的情況；但也可以在絕緣性底板1 9上裝載數片 LED晶片3。 以上的説明，如果根據本發明，對於無法以—般的蒸餾 ’会^于到歐姆接觸’且載子濃度未滿3 X 10s cm3的η型ZnSe 底板來說’變的可以得到歐姆接觸；也無需使用因擴散而 有劣化之虞的A g。結果可以獲致高亮度、低動作電壓， 而且具有抑制粒予急速劣化可能之LED的發光裝置。 尚又’因爲使用I n等金屬的溶點以上的溫度，施加η型 ZnSe底板所定之上的壓力或是振動就可以，所以可以使用 與—般低成本生產流程相近的型態，大量生產發光裝置。 -16- 本紙張尺度適用中园國家標準（CNS)A4規格（210^ 297公釐） -------------- .裝 *-------訂---------- f請先閱請背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

  1. I . 4 • 448 583 ίί DX 請專利苑阐 --朴發光裝I，·片備： n切ZnSe底板（7) *以及 電托基體（4a，20ίΐ) *以及 將府述丨η或是丨η合4、！U成的，隨著將η型ZnSe底板（7) μΐ ;丨：於莳述t極基體（4a，20a)，對前述n型ZnSe底板（7 ) 彳作Λ歐姆t極作用的啤屯層（9)。 2如巾請專利範β]第丨項之發光裝置，其中前述之電極基體 (4a，20a)包含導線架（4a)。 3如令請牟利範圍第丨項之發光裝置，其中前述之電極基體 (4a ’ 2〇a)包含於絕緣性基板（】9)上形成電極（2〇a)。 妇申請專利範圍第1項之發光裝置，其中前述之發光裝置 包含ZnSe軍一磊晶發光二極趑（3 ); 該e sm發光二桎體（3 )具備有以前述的η型Z n S e底板（7) 上的Z n S e為母體的混晶化合物所製成的磊晶發光層（8 )。 如令請專利範園第1項之發光裝置，其中前述之η型ZnSe 患权（力中的載子濃度在3 X〗017 cm·3以上至3 X丨018 cm-3 之間： 十3』利ϋ園弟1項之發光裝置’其中使用3 v以下之 «53 々二’Α I系· Κ製造方法’·具備下列步驟·’於η型ZnSe ‘议（7)上形戍發光層（8)跟電極（10)之步驟：於電極基 ，^二2〇&)上，溶醇In或是In合金的步觸； w '曼的In或是1佥之上，直接載置n型ZnSe底板（7)， 力戌忠孜（7)¾加至少捏動或是壓力之後’施予熱處理的 -17- CN'S ) Α4ί^?§. ( ；l〇x 297/^¾ (請先閲讀背面之注意事磅再填寫本頁) 訂 448 5 8 3 ΛΗ ίίΗ CH \)Η 六，屮請專利範閉 k m.- Η .如十丨範闹第7項發光裝冱之製造方法 之扳切係Μ介波振動V 9 .如屮請卑利範阗第7項發光裝冱之製造方法 壓力是在G.544 MPa以上至1〇9 MPa之間。 10.如彳'請卑利範阐第7項發光裝冱之製造方法 的振動包含頻率在1 Hz以上1 〇〇〇 Hz以下的機械式振動 的反覆動作；前述的壓力則在0.2 17 MPa以上109 MPa以 下之間：同時斿加前述的振動以及壓力。 II·如申請專利範固第】0項發光裝置之製造方法，其中前述 頻率在]0 Η Z以上3 Ο 0 Η Z以下；前述的壓力則在0.2 1 7 MPa以上10.9 MPa以下。 i 2.如申請寻利範圍第1 〇項發光裝置之製造方法，其中前述 頻率在1 0 Η z以上6 0 Η z以下；前述的壓力則在〇 2 1 7 MPa以上5.45 MPa以下： 其中前述 其中前述 其中前述 (請先閱該背面之注意事項再填寫本頁) 一3' . -線 -π , η. -18 (CN5)A4 (210^297 )
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