TWI615998B - 螢光粉以及包含其之發光裝置封裝件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一螢光粉其包含一矽酸鹽基第一螢光粉以發射出具有黃光波長的光；一氮基第二螢光粉以發射出具有綠光波長的光；以及一氮基第三螢光粉以發射出具有紅光波長的光。當該些螢光粉被具有藍光波長的光所激發時，從第一螢光粉至第三螢光粉所射出之混合光的光譜的半峰全寬為110nm或更大。

Description

螢光粉以及包含其之發光裝置封裝件
本發明主張關於2013年05月16日申請之韓國專利案號10-2013-0056027及2013年10月01日申請之韓國專利案號10-2013-0117219之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。
本發明係關於一種螢光粉及包含其之發光裝置封裝件。
發光裝置，例如：使用III-V族或II-VI族化合物半導體的發光二極體(LED)或雷射二極體(LD)，由於裝置材料和薄膜成長技術，其能夠發射出各種不同顏色的光，例如：紅光、綠光和藍光、紫外光及類似的光。再者，這些發光裝置能透過螢光物質的使用或顏色結合而發出具高效率的白光，且相較於傳統光源，例如：螢光燈、白熾燈及相似物，具有低功率消耗、半永久壽命、快速反應時間、安全及環境有善的優點。
因此，發光二極體的應用區域可擴及到光學通訊裝置的傳輸模組，LED背光取代作為液晶顯示(LCD)裝置之背光的冷陰極螢光燈(CCFLs)，白光LED照明裝置取代螢光燈或白熾燈、車輛頭燈以及交通號誌。
發光裝置包含一發光結構，其形成在由藍寶石所形成的基板上。舉例而言，該發光結構包含一第一導電半導體層、一主動層、以及一第二導電半導體層，而一第一電極和一第二電極係分別射置在該第一導電 半導體層和該第二導電半導體層上。
該發光裝置發射出具有能量之光，其係由構成主動層之材料的內在能帶所決定，其中透過該第一導電半導體層引進的電子和透過第二導電半導體層引進的電動相互結合。從該主動層所發射出的光可依構成該主動層之材料的合成物而改變，且舉例而言，可為藍光、紫外光(UV)或深UV光。
一發光裝置封裝件包含摻雜鈰的釔鋁石榴石(YAG)螢光粉。該些螢光粉被從發光裝置所發射出藍光所激發，進而產生黃光。像這樣的，可透過黃光和藍光的混合而產生白光。
因而，目前嘗試以矽酸鹽螢光粉或氮螢光粉來取代前述的YAG螢光粉。
然而，單獨使用矽酸鹽螢光粉可會有熱安定性的問題。在發光裝置封裝件長時間使用的情況下，矽酸鹽螢光粉會因從發光二極體所幅射出的熱而退化，造成輝度逐漸降低。
此外，單獨使用氮螢光粉的發光強度會低於使用YAG螢光粉的發光強度。
螢光粉的劣化和輝度降低可造成，舉例而言，使用該發光裝置封裝件之背光單元的輝度降低和顏色的不協調。
實施例提供一種具有優良顏色再現性且降低因熱所造成輝度降低的螢光粉。
在一實施例中，一螢光粉包含一矽酸鹽基第一螢光粉，其可 發射出具有黃光波長的光；一氮基第二螢光粉，其可發射出具有綠光波長的光；以及一氮基第三螢光粉，其可發射出具有紅光波長的光，其中當該些螢光粉被具有藍光波長的光所激發時，從第一螢光粉至第三螢光粉所射出之混合光之光譜的半峰全寬為110nm或大於110nm。
在另一實施例中，一發光裝置封裝件包含一第一電極和一第二電極，其彼此電性隔離；至少一發光裝置與每一第一電極和第二電極電性連接以發射出具有一第一波長的光；以及螢光粉，其被從發光裝置所發射出之具有藍光波長的光所激發以發射出一第二波長的光，且該些螢光粉包含一矽酸鹽基第一螢光粉發射出具有黃光波長的光；一氮基第二螢光粉發射出具有綠光波長的光；以及一氮基第三螢光粉發射出具有紅光波長的光，其中當該些螢光粉被具有藍光波長的光所激發時，從第一螢光粉至第三螢光粉所射出之混合光之光譜的半峰全寬為110nm或大於110nm。
再根據另一實施例，一螢光粉包含一第一螢光粉，其發射出具有黃光波長的光；一第二螢光粉，其發射出具有綠光波長的光；以及一第三螢光粉，其發射出具有紅光波長的光，其中第一螢光粉、第二螢光粉、以及第三螢光粉包含氮，且當該些螢光粉被具有藍光波長的光所激發時，從第一螢光粉至第三螢光粉所射出之混合光之光譜的半峰全寬為119nm或大於119nm。
100‧‧‧發光裝置
120‧‧‧發光結構
122‧‧‧第一導電半導體層
124‧‧‧主動層
126‧‧‧第二導電半導體層
140‧‧‧歐姆層
150‧‧‧反射層
160‧‧‧接合層
170‧‧‧支撐基板
180‧‧‧第一電極
190‧‧‧保護層
200‧‧‧發光裝置
200a、200b‧‧‧發光裝置
210‧‧‧基板
215‧‧‧緩衝層
220‧‧‧發光結構
222‧‧‧第一導電半導體層
224‧‧‧主動層
226‧‧‧第二導電半導體層
230‧‧‧透明導電層
280‧‧‧第一電極
285‧‧‧第二電極
300‧‧‧發光裝置封裝件
310‧‧‧本體
321‧‧‧第一引線架
322‧‧‧第二引線架
330‧‧‧導線
340‧‧‧塑模件
350‧‧‧螢光粉
400‧‧‧發光裝置封裝件
410‧‧‧基板
421‧‧‧第一引線架
422‧‧‧第二引線架
440‧‧‧導電黏著層
421a、422a‧‧‧貫孔
431、432、435‧‧‧墊片
460‧‧‧導線
470‧‧‧螢光粉層
480‧‧‧塑模件
500‧‧‧發光裝置封裝
510‧‧‧本體
521‧‧‧第一引線架
522‧‧‧第二引線架
550‧‧‧塑模件
560‧‧‧螢光粉
600‧‧‧發光裝置封裝件
610‧‧‧基底金屬
615‧‧‧絕緣層
621‧‧‧第一引線架
622‧‧‧第二引線架
630‧‧‧導線
640‧‧‧焊料
645‧‧‧擋體
680‧‧‧塑模件
700‧‧‧發光裝置封裝件
702‧‧‧側壁
703‧‧‧底部
706‧‧‧上表面
705‧‧‧上開放孔洞
710‧‧‧本體
722‧‧‧第一反光座
724‧‧‧第二反光座
724-1‧‧‧上表面
726‧‧‧連接器
742‧‧‧端部
750‧‧‧齊納二極體
752、754、756‧‧‧導線
762‧‧‧第一孔洞
764‧‧‧第二孔洞
900‧‧‧影像顯示裝置
910‧‧‧底蓋
920‧‧‧反光片
930‧‧‧電路板
935‧‧‧發光裝置封裝件
940‧‧‧導光板
950‧‧‧第一稜鏡片
960‧‧‧第二稜鏡片
970‧‧‧面板
980‧‧‧彩色濾光片
1100‧‧‧蓋體
1200‧‧‧光源模組
1210‧‧‧發光裝置封裝件
1230‧‧‧連接板
1250‧‧‧連接器
1300‧‧‧構件
1310‧‧‧引導凹部
1400‧‧‧散熱器
1500‧‧‧夾具
1510‧‧‧導突部
1600‧‧‧電源供應單元
1610‧‧‧突起物
1630‧‧‧引導部
1650‧‧‧基底部
1670‧‧‧延伸部
1700‧‧‧內殼
1710‧‧‧絕緣部
1719‧‧‧接收凹口
1750‧‧‧連接部
1800‧‧‧燈座
W1、W2、W3‧‧‧半峰全寬
配置及實施例可參照下列圖式進行詳細說明，其中相同的元件符號代表相同元件，且其中： 圖1A和1B分別繪示一發光裝置的不同實施例。
圖2繪示第一實施例之包含該發光裝置的發光裝置封裝件。
圖3A和3B分別繪示一習知發光裝置封裝件的發光光譜以及根據一實施例之包含螢光粉之發光裝置封裝件的發光光譜。
圖3C繪示根據另一實施例之包含螢光粉之發光裝置封裝件的發光光譜。
圖4繪示CIE顏色座標、NTSC座標、以及sRGB顏色座標的彼此間的比較圖。
圖5繪示第二實施例之包含該發光裝置的發光裝置封裝件。
圖6繪示第三實施例之包含該發光裝置的發光裝置封裝件。
圖7繪示第四實施例之包含該發光裝置的發光裝置封裝件。
圖8繪示第五實施例之包含該發光裝置的發光裝置封裝件。
圖9繪示包含一發光裝置封裝件之影像顯示裝置的實施例。
圖10繪示包含一發光裝置封裝件之照明裝置的實施例。
在後文中，具體實現上述實施例的描述將參照附圖進行詳細說明。
在實施例描述前，應當理解，當每一元件，例如層(膜)、區域、圖案或結構被設置在另一元件“上方”或”之下方”時，例如一基板、層(膜)、區域、墊片或圖案，其可直接地在另一元件之”上方”或”之下方，或者可形成有一或更多中介層於其中。同時，應被理解，在元件之“上方”或”之下方“應相對於圖式來說明。
在圖式中，為清楚及方便說明，每一層的厚度或尺寸可被誇大、省略或示意性繪示。此外，每一構成元件並未完全真實反應實際大小。
圖1A繪示一發光裝置的實施例。
一發光結構120包含一第一導電半導體層122、一主動層124、以及一第二導電半導體層126。
第一導電半導體層122可由，舉例而言，III-V族或II-VI族化合物半導體所形成，且可摻雜有一第一導電摻雜物。第一導電半導體層122可由具有AlxlnyGa(1-x-y)N(0
Figure TWI615998BD00001
x
Figure TWI615998BD00002
1,0
Figure TWI615998BD00003
y
Figure TWI615998BD00004
1,0
Figure TWI615998BD00005
x+y
Figure TWI615998BD00006
1)之組成方程式之AlGaN、GaN、InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP半導體材料中之一種或多種材料所形成。
當第一導電半導體層122為一n型半導體層時，第一導電摻雜物可包含一n型摻雜物，例如：Si、Ge、Sn、Se、Te、或類似物。第一導電半導體層122可形成為單層或多層，但並非限定於此。
主動層124插設於第一導電半導體層122和第二導電半導體層126之間。主動層124可具有單井結構、多重井結構、單量子井結構、多重量子井結構、量子點結構、以及量子線結構中其中一者。
主動層124可由III-V化合物半導體族所形成，且包含具有由AlGaN/AlGaN、InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs、以及GaP(InGaP)/AlGaP中任何一種或多種之具有井層和障壁層的成對結構，但並非限定於此。該井層可由具有能帶間隙小於障壁層之能帶間隙的材料所形成。
第二導電半導體層126可由化合物半導體所形成。具體而 言，第二導電半導體層126可由III-V或II-VI族的化合物半導體所形成，且可摻雜有一第二導電摻雜物。第二導電半導體層126可由具有InxAlyGa1-x-yN(0
Figure TWI615998BD00007
x
Figure TWI615998BD00008
1,0
Figure TWI615998BD00009
y
Figure TWI615998BD00010
1,0
Figure TWI615998BD00011
x+y
Figure TWI615998BD00012
1)之組成方程式之任何一種或多種之AlGaN、GaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP半導體材料中之一種或多種材料所形成。舉例而言，第二導電半導體層126可由AlxGa(1-x)N所形成。
當第二導電半導體層126為p型半導體層時，第二導電摻雜物可為一p型摻雜物，例如：Mg、Zn、Ca、Sr、Ba、或類似物。第二導電半導體層126可形成為單層或多層，但並非限定於此。
第一導電半導體層122可具有一圖案面以增加取光效率，且一第一電極180可設置在第一導電半導體層122的表面上。雖然未繪示，設置有第一電極180之第一導電半導體層122的表面可不被圖案化。第一電極180可形成為單層或多層，且可由鋁(Al)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、銅(Cu)、以及金(Au)中的至少一者所形成。
一保護層190可圍繞著發光結構120設置。保護層190可由一絕緣材料所形成，例如：非導電氧化物或氮。在一範例中，保護層190可由氧化矽(SiO2)層、氧化氮層、以及氧化鋁層所形成。
一第二電極必須設置在發光結構120之下方。一歐姆層140和一反射層150可作為一第二電極。一氧化鎵(GaN)層可設置在第二導電半導體層126之下方以確保電子和電洞順利導入第二導電半導體層126中。
歐姆層140可具有約200埃(Å)的厚度。歐姆層140可由氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化銦鋅錫 (indium zinc tin oxide,IZTO)、氧化銦鋁鋅(indium aluminum zinc oxide,IAZO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,IGZO)、氧化銦鎵錫(indium gallium tin oxide,IGTO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide,AZO)、氧化銻錫(antimony tin oxide,ATO)、氧化鋅鎵(gallium zinc oxide,GZO)、銦鋅氧化氮化物(IZO nitride,IZON)、鋁鎵氧化鋅(Al-Ga ZnO,AGZO)、銦鎵鋅氧化物(In-Ga ZnO,IGZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銥(IrOx)、氧化釕(RuOx)、氧化鎳(NiO)、氧化釕/銦錫氧化物(RuOx/ITO)、鎳/氧化銥/金(Ni/IrOx/Au)、鎳/氧化銥/金/銦錫氧化物(Ni/IrOx/Au/ITO)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鋁(Al)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、錫(Sn)、銦(In)、釕(Ru)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、鉑(Pt)、金(Au)、和氟化氫(Hf)中之至少一者所形成，但不限定於此。
反射層150可由一金屬層，其由鉬(Mo)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、銠(Rh)、或包含鋁(Al)、銀(Ag)、鉑(Pt)、或銠(Rh)之合金所形成。鋁、銀或類似物可有效地反射從主動層124所發射出的光以顯著增加半導體裝置的取光效率，而鉬可助於在一突起上鍍覆的成長，其將於下文中說明。
一支撐基板170可由一導電材料所形成，例如：金屬、半導體材料、或類似物。更特別地，支撐基板170可由具有高電傳導性和熱傳導性的金屬所形成，且可由高熱傳導性材料所形成(舉例而言：金屬)以將半導體裝置運作時產生的熱排散。舉例而言，支撐基板170可由選自由鉬(Mo)、矽(Si)、鎢(W)、銅(Cu)及鋁(Al)所組成的群組或其合金的材料所形成。此外，支撐基板170可選自由包含金(Au)、銅(Cu)的合金、鎳(Ni)、銅-鎢(Cu-W)、載體晶圓(舉例而言：GaN、Si、Ge、GaAs、ZnO、SiGe、SiC、Ga2O3)。
支撐基板170可具有50至200μm的厚度以為達到足夠的機械強度來有效地於切割製程(scribing process)及分斷製程時分離成為一晶片且不會造成氮半導體裝置的彎曲。
一接合層160用來將反射層150和支撐基板170彼此接合。接合層160可由選自由金(Au)、錫(Sn)、銦(In)、鋁(Al)、矽(Si)、銀(Ag)、鎳(Ni)、以及銅(Cu)所組成之群組的材料或其合金所形成。
圖1B繪示另一實施例的發光裝置。
根據本實施例之一發光裝置200包含一基板210、一緩衝層215、以及一發光結構220。
基板210可由適合於半導體材料或載體晶圓成長的材料所形成，或可由一高熱傳導性材料所形成。基板210可包含一導電基板或一絕緣基板。舉例而言，基板210可由藍寶石(Al2O3)、SiO2、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP、Ge、以及Ga2O3中的至少一者所形成。
當基板210由，舉例而言，藍寶石所形成時，且發光結構220包含GaN、AlGaN、或類似物設置在基板210上，舉例而言，由於在GaN或AlGaN和藍寶石之間之大的晶格失配以及其間之熱膨脹係數的差異，將可能會發生錯位(dislocation)、熔煉(melt-back)、破裂(cracking)、凹坑(pitting)、以及表面結晶型態缺陷。因此，舉例而言，由AlN所形成的一緩衝層215可設置在基板210上。
雖然未繪示，一未摻雜GaN層或AlGaN層可設置在緩衝層215和發光結構220之間以防止發光結構220的錯位。
發光結構220可包含一第一導電半導體層222、一主動層 224、以及一第二導電半導體層226。發光結構220的組成和詳細的配置與顯示於圖1A之範例實施例相同。
當發光結構220由，舉例而言，GaN所形成，且發射出藍色可見光時，一透明導電層230可設置在發光結構220上以能夠自一第二電極285至第二導電半導體層226的整個寬廣區域上，供應均勻的電流。
為便於供應電流至第一導電半導體層222，當基板210為一絕緣基板時，透明導電層230和部份的第一導電半導體層222係經過台面刻蝕(mesa-etching)以將部份的第一導電半導體層222暴露出。
一第一電極280可設置在暴露出的第一導電半導體層222上，而第二電極285可設置在透明導電層230上。
圖2繪示第一實施例之包含該發光裝置的發光裝置封裝件。
根據本實施例之發光裝置封裝件300包含：一本體310其具有一孔洞；一第一引線架321和一第二引線架322安裝在本體310；上述實施例的發光裝置100安裝在本體310上且與第一引線架321和第二引線架322電性連接；以及一塑模件340在該孔洞中。
本體310可由一矽材料、一合成樹脂材料、或一金屬材料所形成。當本體310由一導電材料，例如：一金屬材料，所形成時，雖然圖未繪示，但一絕緣層可塗覆在本體310的整個表面上以防止第一引線架321和第二引線架322之間的電性短路。
第一引線架321和第二引線架322係彼此電性隔離，且用來供應電流至發光裝置100。此外，第一引線架321和第二引線架322可將發光裝置100產生的光反射以增加光效率，以及可將發光裝置100產生的熱向 外排散。
發光裝置100可設置在本體310上，或可設置在第一引線架321或第二引線架322上。可採用圖1A示範性繪示之垂直發光裝置或圖1B示範性繪示之水平發光裝置。
在本實施例中，第一引線架321係直接地以電性導電方式與發光裝置100連接，而第二引線架322係透過一導線330而與發光裝置100連接。發光裝置100可透過，舉例而言：引線接合、覆晶接合、或晶粒接合而與第一引線架321和第一引線架322連接。
塑模件340可封閉和保護發光裝置100。此外，塑模件340可包含螢光粉350以改變從發光裝置100所發射出之光的波長。
從發光裝置100所發射出之具有一第一波長的光係被所螢光粉350所激發，以將該光轉換成具有一第二波長的光。當具有第二波長的光穿越過一透鏡(未繪示)時，光的光學路徑可被改變。
在一實施例中，螢光粉350可包含一第一螢光粉以發射出具有黃光波長的光；一第二螢光粉以發射出具有綠光波長的光；以及一第三螢光粉以發射出具有紅光波長的光，特別地，第一螢光粉可為一矽酸鹽基螢光粉，而第二螢光粉和第三螢光粉可為氮基螢光粉。更特別地，第一螢光粉可包含(Ba,Sr)2SiO4：Eu，第二螢光粉可包含La3Si6N11：Ce，而第三螢光粉可包含(Sr,Ca)AlSiN3：Eu。
當被具有藍光波長的光所激發時，從第一螢光粉所發射出的光具有一553至558nm範圍內的波峰波長。波峰波長的最小值553nm和最大值558nm可分別具有±1nm的公差。在從第一螢光粉所發射出之半峰全寬 (a full width at half maximum)的光在86nm至88nm的範圍內，且可具有±1nm的公差。
從第二螢光粉所發射出的光具有一535nm的波峰波長和一107nm的半峰全寬。從第三螢光粉所發射出的光具有一625nm的波峰波長和一81nm的半峰全寬。此處，當第二螢光粉和第三螢光粉被所具有藍光波長的光所激發時，光可從第二螢光粉和從第三螢光粉發射出。
在圖中，橫座標軸為光的波長，而縱坐標軸為光強度，一半峰全寬係指拋物線與水平線相遇之處之兩點間的長度，其位置在對應具有一對應波長之光的波峰波長的一半(50%)。
圖3A繪示一習知發光裝置封裝件的發光光譜。圖3B繪示根據一實施例之包含螢光粉之發光裝置封裝件的發光光譜。
如圖3A和3B所示，從發光裝置所發射出之藍光的光譜具有一接近450nm波長的波峰，且當該些螢光粉被激發時所射出的光具有一波長，該波長在一較藍光波長範圍長的範圍內。繪示於圖3A的發光裝置僅包含一矽酸鹽螢光粉，而從該螢光粉所發射出之光的半峰全寬W1約96nm。
繪示於圖3B的發光裝置封裝件包含根據上述實施例的螢光粉。從第一螢光粉至第三螢光粉所發射出之光的半峰全寬W2可為110nm或更大，且更特別地，可為約115nm，其係寬於從第一螢光粉至第三螢光粉個別所發射出之光的半峰全寬。從繪示於圖3B之所有螢光粉所發射出之光的半峰全寬W2係寬於繪示於圖3A之從單一矽酸鹽基螢光粉所發射出之光的半峰全寬W1。
在下方表1顯示習知之釔鋁石榴石(YAG)螢光粉和根據本發 明實施例之螢光粉的色度座標。
Figure TWI615998BD00013
表1的矽酸鹽螢光粉可被發光裝置射出具有一153nm波長之光的所激發，而YAG螢光粉可被發光裝置射出具有一149nm波長之光的所激發。表1的YAG螢光粉具有一548nm的波峰波長以及一123nm的半峰全寬，而矽酸鹽螢光粉具有561nm的波峰波長以及一96nm的半峰全寬。
在本實施例，矽酸鹽基黃光螢光粉、以及氮基綠光螢光粉和紅光螢光粉係彼此混合以達到與習知YAG螢光粉幾乎相似的色度座標。
也就是說，當在整個孔洞容積(volume)之螢光粉佔有容量率(occupation volume rate)為11%，且(Ba,Sr)2SiO4：Eu作為黃光螢光粉、La3Si6N11：Ce作為綠光螢光粉、而(Sr,Ca)AlSiN3：Eu作為紅光螢光粉係以68：30：2的重量比 (weight ratio)混合時，該些螢光粉顯示出相似於YAG螢光粉的色度座標。
在另一實施例中，該些螢光粉350可包含一第一螢光粉以發射出具有黃光波長的光、一第二螢光粉以發射出具有綠光波長的光、以及一第三螢光粉以發射出具有紅光波長的光。特別地，第一螢光粉、第二螢光粉、以及第三螢光粉可為氮基螢光粉，且第一螢光粉可包含(Ba,Sr)Si2(O,Cl)2N2：Eu，第二螢光粉可包含La3Si6N11：Ce，而第三螢光粉可包含(Sr,Ca)AlSiN3：Eu。
當被具有藍光波長的光所激發，從第一螢光粉所發射出的光具有一558nm的波峰波長和87nm的半峰全寬。從第二螢光粉所發射出的光具有一535nm的波峰波長和107nm的半峰全寬。從第三螢光粉所發射出的光具有一625nm的波峰波長和81nm的半峰全寬。
在圖中，橫座標軸為光的波長，而縱坐標軸為光強度，一半峰全寬係指拋物線與水平線相遇之處之兩點間的長度，其位置在對應具有一對應波長之光的波峰波長的一半(50%)。
圖3C繪示根據第二實施例之包含螢光粉之發光裝置封裝件的發光光譜。
如圖3C所示之發光裝置封裝件包含前述之三種螢光粉，從第一螢光粉至第三螢光粉所發射出之混合光的一半峰全寬W3可在119nm至130nm的範圍內，且更特別地，可為約125nm，其大於從第一螢光粉至第三螢光粉個別所發射出之光的半峰全寬。從如圖3C所示之所有螢光粉所發射出之光的半峰全寬W3係大於從如圖3A所示之單一矽酸鹽基螢光粉所發射出之光的半峰全寬W1。
第二實施例所述之該些螢光粉，其係彼此混合之氮基黃色螢光粉、綠色螢光粉以及紅色螢光粉，可顯示出與習知YAG螢光粉幾乎相似的色度座標。
也就是說，當在整個孔洞容積(volume)之螢光粉佔有容量率(occupation volume rate)為11%，且(Ba,Sr)Si2(O,Cl)2N2：Eu作為黃光螢光粉、La3Si6N11：Ce作為綠光螢光粉、而(Sr,Ca)AlSiN3：Eu作為紅光螢光粉係以27：70：3的重量比(weight ratio)混合時，該些螢光粉顯示出相似於YAG螢光粉的色度座標。
圖4繪示CIE顏色座標、NTSC座標、以及sRGB顏色座標的彼此間的比較圖。
CIE1931顏色座標呈現由三個R,G,B點所界定之一三角區域至由NTSC座標所界定之一三角區域的比率。當數值增加時，此表示更清晰的顏色再現性。sRGB為一種對不同顯示裝置之顏色的統一設計方法標準。
在sRGB顏色座標、紅光、綠光和藍光的色度座標分別為(0.64,0.33)、(0.30,0.60)、以及(0.15,0.06)。本實施例的紅光、綠光、和藍光的色度座標分別為(0.634,0.332)、(0.306,0.616)以及(0.152,0.054)，且呈現的顏色再現性相似於YAG螢光粉的色度座標(0.637,0.331)、(0.308,0.619)以及(0.153,0.054)。
此外，在sRGB顏色座標中，上述之紅光、綠光和藍光色度座標之允許的公差為±3/100。在第一和第二實施例中，紅光、綠光、以及藍光的色度座標滿足上述公差。
當黃色螢光粉對綠色螢光粉對紅色螢光粉的重量比脫離上述範圍時，在白光中每一顏色光的色度座標可能會變差。
特別地，上述之該些螢光粉在發光裝置封裝件之孔洞容積中可具有10.5%至11.5%的佔有容量率。當該些螢光粉的體積過度少於孔洞容積時，該些螢光粉可能無法被從發光裝置所發射出的光所充分地激發。當該些螢光粉的體積過度大於孔洞容積時，藍光將被過度吸收進而造成實現白光的困難度。
在根據第一實施例所描述之該些螢光粉，第一螢光粉對第二螢光粉對第三螢光粉的重量比如下：第二螢光粉的重量可為0.3~0.6倍之第一螢光粉的重量。第一螢光粉和第二螢光粉的加總重量可為所有螢光粉加總重量的95%或更多。第三螢光粉的重量可少於所有螢光粉加總重量的5%。第一螢光粉、第二螢光粉以及第三螢光粉可具有100%的數值。
第一螢光粉、第二螢光粉以及第三螢光粉可分別為所有螢光粉總重量的60%~75%、20%~35%、以及2%~3%。更特別地，第一螢光粉、第二螢光粉、以及第三螢光粉可以65：33：2或70：27：3的重量比混合。在此情況下，從該些螢光粉所發射出之光的半峰全寬為110nm或更多。
一過高數量的第一螢光粉可能使從發光裝置所發射出之光的光譜產生偏差成黃色。一過高數量的第二螢光粉可能使從發光裝置所發射出之光的光譜產生偏差成綠色。一過高數量的第三螢光粉可能使從發光裝置所發射出之光的光譜產生偏差成紅色。每一過度少量的螢光粉可表示其它螢光粉過量，進而造成光之光譜的偏差。
在本例中，綠光可具有x-座標CIEx從0.296至0.316的範圍以及y-座標CIEy可具有從0.606到0.626的範圍；紅光可具有x-座標CIEx從0.624至0.644的範圍以及y-座標CIEy從0.322至0.342的範圍；以及藍光可具有x-座標CIEx從0.142至0.162的範圍以及y-座標CIEy從0.044至0.649的範圍。
根據第一實施例之包含該些螢光粉的發光裝置封裝件可從使用矽酸鹽基黃色螢光粉和氮基綠色螢光粉及紅色螢光粉發射出藍光的發光裝置來實現白光，以及可達到高的熱安定性不會造成發光強度的劣化。
至於根據第二實施例所描述之該些螢光粉，第一螢光粉對第二螢光粉對第三螢光粉的重量比如下：第二螢光粉的重量可為0.7~2.5倍之第一螢光粉的重量。第一螢光粉和第二螢光粉的加總重量可為所有螢光粉加總重量的90%或更多。第三螢光粉的重量可少於所有螢光粉加總重量的10%。第一螢光粉、第二螢光粉以及第三螢光粉可具有100%的數值。
第一螢光粉、第二螢光粉以及第三螢光粉可分別為所有螢光粉總重量的25%~57%、40%~70%、以及2%~5%。更特別地，第一螢光粉、第二螢光粉、以及第三螢光粉可以27：70：3或47：50：3的重量比混合。在此情況下，從該些螢光粉所發射出之光的半峰全寬為119nm或更多。
一過高數量的第一螢光粉可能使從發光裝置所發射出之光的光譜產生偏差成黃色。一過高數量的第二螢光粉可能使從發光裝置所發射出之光的光譜產生偏差成綠色。一過高數量的第三螢光粉可能使從發光裝置所發射出之光的光譜產生偏差成紅色。每一過度少量的螢光粉可表示 其它螢光粉過量，進而造成光之光譜的偏差。
在本例中，綠光可具有x-座標CIEx從0.302至0.322的範圍以及y-座標CIEy可具有從0.583至0.603的範圍；紅光可具有x-座標CIEx從0.633至0.653的範圍以及y-座標CIEy從0.324至0.344的範圍；以及藍光可具有x-座標CIEx從0.143至0.163的範圍以及y-座標CIEy從0.039至0.059的範圍。
根據第二實施例之包含該些螢光粉的發光裝置封裝件可從使用氮基黃色、綠色以及紅色螢光粉發射出藍光的發光裝置來實現白光，以及可達到高的熱安定性且不會造成發光強度的劣化。
圖5繪示第二實施例之包含該發光裝置的發光裝置封裝件。
根據第二實施例之發光裝置封裝件400包含一基板410；一第一引線架421和一第二引線架422設置在基板410上；以及一導電黏著層440，其中發光裝置100透過導電黏著層440而與第一引線架421固定。
基板410可由一高熱傳導性陶瓷材料所形成。在一範例中，基板410可由方形藍寶石(Al2O3)所形成，第一引線架421和第二引線架422可由一導電材料所形成，例如：銅等以及可在每一引線架鍍金(Au)。第一引線架421和第二引線架422可反射從發光裝置100所發射出之光。
發光裝置100，舉例而言，可包含一發光二極體，且可透過一導線460而與第二引線架422電性連接。導線460可由一導電材料所形成，例如：金(Au)，且可具有0.8~1.6mm範圍的直徑。當導線460過細，其可被外力所切斷。當導線460過厚，將會增加材料成本，且導線460可能會阻隔從發光裝置100所發射出之光。雖然實施例採用垂直式發光裝置，但 亦可使用水平式發光裝置或覆晶型發光裝置。
一螢光粉層470係以保角塗層(conformal coating)方式而設置在發光裝置100上，且具有一恆定厚度。一塑模件480係設置來封閉發光裝置100，等等。塑模件480可具有一圓頂形，但可具有各種的其它形狀用來作為發光裝置封裝件400之發光角度的調整。
塑模件480可封閉及保護發光裝置100，且作為一透鏡以改變從發光裝置100所發射出之光的路徑。螢光粉層470將從發光裝置100所發射出之具有第一波長的光轉換成具有第二波長的光。
三個墊片431、432、435可設置在基板410的後表面上，且可由一高熱傳導性材料所形成。三個墊片431、432、435排列在基板410之下方，且可，舉例而言，用來將發光裝置封裝件400固定到一殼體，且可用來作為一散熱路徑。
上述之第一和第二引線架421、422以及三個墊片片431、432、435可用來作為電極。第一引線架421和第二引線架422可設置在基板410上，且作為上電極。第一墊片431和第二墊片432可設置在基板410之下方，且作為下電極。該上電極和該下電極可透過下文中將描述的貫孔421a、422a而彼此連接。
也就是說，第一引線架421、422可作為上電極，第一墊片431和第二墊片432可作為下電極，而貫孔421a、422a可填充有一導電材料以形成貫孔電極(via-electrodes)。該些上電極、下電極以及貫孔電極可稱為第一和第二電極部。
在根據本實施例之發光裝置封裝件，該些螢光粉470可以上 述實施例相同的方式，其包含一第一螢光粉以發射出具有黃光波長的光；一第二螢光粉以發射出具有綠光波長的光；以及一第三螢光粉以發射出具有紅光波長的光。
特別地，第一螢光粉可為一矽酸鹽基螢光粉，而第二螢光粉和第三螢光粉可為氮基螢光粉。更特別地，第一螢光粉可包含(Ba,Sr)2SiO4：Eu；第二螢光粉可包含La3Si6N11：Ce；而第三螢光粉可包含(Sr,Ca)AlSiN3：Eu。
因此，根據本實施例之發光裝置封裝件可從使用矽酸鹽基黃色螢光粉和氮基綠色螢光粉以及紅色螢光粉發射出藍光的發光裝置來實現白光，以及可達到高的熱安定性不會造成發光強度的劣化。
圖6繪示第三實施例之包含該發光裝置的發光裝置封裝件。
根據本實施例之發光裝置封裝件500為一覆晶型發光裝置封裝件，且包含一本體510，其具有一孔洞；一第一引線架521和一第二引線架522設置在本體510上，根據第二實施例之發光裝置200，發光裝置200係被安裝至本體510且與第一引線架521和第二引線架522電性連接；以及一塑模件550形成在該孔洞中。
本體510可由一矽材料、一合成樹脂材料、或一金屬材料所形成。當本體510由一導電材料所形成時，例如：金屬材料，等。雖然未繪示，一絕緣層可塗覆在本體510的表面上以防止第一和第二引線架521、522之間的電性短路。
第一引線架521和第二引線架522係彼此電性隔離，且用來供應電流至發光裝置200。此外，第一引線架521和第二引線架522可反 射發光裝置200產生的光以增加光效率，且可將在發光裝置200產生的熱向外排散。
發光裝置200可透過球形焊料540而與第一引線架521和第二引線架522電性連接。
塑模件550可封閉及保護發光裝置200。此外，螢光粉560可被分佈在塑模件550中以將從發光裝置200所發射出之光轉換波長，該光遍及發光裝置封裝件500的光發射區域。
從發光裝置200所發射出之具有第一波長的光，舉例而言：具有藍光波長的光，係被該些螢光粉560所激發以藉以將該光轉換成具有第二波長的光。當光穿越一透鏡(未繪示)時，具有第二波長之光的光學路徑可被改變。
上述之發光裝置封裝件500可從使用矽酸鹽基黃色螢光粉和氮基綠色螢光粉以及紅色螢光粉發射出藍光的發光裝置來實現白光，以及可達到高的熱安定性且不會造成發光強度的劣化。
圖7繪示第四實施例之包含該發光裝置的發光裝置封裝件。本實施例解釋晶片直接貼裝(COB)型發光裝置封裝件。
根據本實施例之發光裝置封裝件600包含一基底金屬610；一絕緣層615；一第一和一第二引線架621、622；以及一擋體(dam)645。發光裝置200可透過焊料640而固定在基底金屬610上，且可透過導線630分別與第一和第二引線架621、622電性連接。
第一和第二引線架621、622可透過一絕緣層615而與基底金屬610絕緣；以及一塑模件680封閉發光裝置200，塑模件680可包含螢 光粉。設置在第一和第二引線架621、622上的擋體645可固定在塑模件680的一邊緣。該些螢光粉可被包含在塑模件680內、或可透過保角塗層(conformal coating)而設置在發光裝置200上。
上述之發光裝置封裝件600可從使用矽酸鹽基黃色螢光粉和氮基綠色螢光粉以及紅色螢光粉發射出藍光的發光裝置來實現白光，以及可達到高的熱安定性且不會造成發光強度的劣化。
圖8繪示第五實施例之包含該發光裝置的發光裝置封裝件。在根據本實施例之發光裝置封裝件中，其顯示包含分別在兩反光座上的發光裝置。
發光裝置封裝件700包含一本體710；一第一反光座722；一第二反光座724；一連接器726；發光裝置200a、200b；一齊納二極體750；以及導線751至759。
本體710可為一印刷電路板(PCB)，其由樹脂材料，例如：聚鄰苯二甲醯胺(polyphthalamide,PPA)、矽(Si)、一金屬材料、光感測玻璃(Photo Sensitive Glass,PSG)、以及藍寶石(Al2O3)中至少一者所形成。本體710可由一樹脂材料所形成，例如：聚鄰苯二甲醯胺(PPA)。
本體710可形成為一導體。當本體710由一電氣導電材料所形成時，一絕緣膜(未繪示)可形成在本體710的表面上以防止本體710和第一反光座722、第二反光座724、或連接器726之間的電性短路。
從俯視圖，本體710上表面706的形狀可根據使用目的和設計來選擇各種不同的形狀，例如：三角形、方形、多角形、以及圓形。
根據本實施例之發光裝置封裝件700可被使用在一側光式 背光單元(BLU)。當發光裝置封裝件700應用在可攜式手電筒或家庭照明時，本體710的形狀和尺寸可被改變以確保易於被安裝在可攜式手電筒或家庭照明。
本體710包含由側壁702和底部703所界定之一上開放孔洞705(在後文中稱為”本體孔洞”)。
本體孔洞705可，舉例而言，具有一座形(cup shape)或一凹形容器形。本體孔洞705的側壁702可相對於底部703呈垂直或傾斜。
從俯視圖，本體孔洞705可具有圓形、橢圓形、或多角形(例如：方形)，本體孔洞705的角落可為圓形。從俯視圖，本體孔洞705的形狀可通常為八角形；而本體孔洞705的側壁702可分割成包含第一面和第二面的8個面。此處，該些第一面為本體孔洞705分別面對本體710角落的面，而該些第二面為介於該些第一面之間的面。第一面的區域可小於第二面的區域。
第一反光座722和第二反光座724可在本體710內本體孔洞705底部之下方彼此分離。第一反光座722可在本體孔洞705之底部703採用頂部開放凹陷結構的型態。
舉例而言，本體孔洞705之底部703可具有由側壁和底部所界定之一頂部開放第一孔洞762，且第一反光座722可設置在第一孔洞762中。
第二反光座722可在本體孔洞705之底部703採用頂部開放凹陷結構的型態，且第二反光座724與第一孔洞762相隔而設。舉例而言，本體孔洞705的底部703可具有由側壁和底部所界定之一頂部開放第二孔洞 764，且第二反光座724可設置在第二孔洞764中。在本例中，第二孔洞764可與第一孔洞762相隔而設。
本體孔洞705的部份底部703係位於第一反光座722和第二反光座724之間。第一反光座722和第二反光座724可彼此間隔開，且藉由部份的底部703而彼此分離。
從俯視圖，第一孔洞762和第二孔洞764可具有一座形(cup shape)或一凹形容器形。舉例而言，孔洞的側壁可相對於底部呈垂直或傾斜。
每一第一反光座722和第二反光座724的至少一部分可貫穿本體710藉以暴露至本體710的外部。由於第一反光座722和第二反光座724至少一部份暴露至本體710的外部，在第一發光裝置200a和第二發光裝置200b產生的熱可被有效地排散至本體710的外部。
舉例而言，第一反光座722的一端部742可貫穿本體710的一第一側表面，藉以暴露至本體710的外部。此外，第二反光座724的一端部744可貫穿本體710的一第二側表面，藉以暴露至本體710的外部。此處，第一側表面和第二側表面可為相對。
第一反光座722和第二反光座724可，舉例而言，由一金屬材料所形成，例如：銀、金、或銅，且可鍍覆上述材料。第一反光座722和第二反光座724可由本體710相同的材料所形成，且可與本體710整合成形。或者，第一反光座722和第二反光座724可由本體710不同的材料所形成，且可不與本體710整合成形。第一反光座722和第二反光座724可依連接器726，在形狀和尺寸上彼此對稱。連接器726係與每一第一反光座722和第二反光座724間隔而設於本體710之本體孔洞705之下方。連接器726 可由一電氣導電材料所形成。
如範例所示，連接器726可設置在第一反光座722和第二反光座724之間。舉例而言，連接器726可設置在本體孔洞705的底部靠近本體710的一第三側表面，該第三側表面在第一反光座722和第二反光座724之間。
連接器726的至少一部份可貫穿本體710藉以暴露至本體710的外部。舉例而言，連接器726的一端部可貫穿本體710的第三側表面藉以暴露至外部。此處，本體710的第三側表面為與本體710之第一側表面和第二側表面垂直的任何一側表面。
齊納二極體750係設置在第一反光座722和第二反光座724的任一者以增加發光裝置封裝件700的耐電壓(withstanding voltage)。齊納二極體750可安裝在第二反光座724的一上表面724-1上。
第一反光座722和第二反光座724的每一者可填充有螢光粉。當第一發光裝置200a和第二發光裝置200b發射出具有相同波長的光時，第一反光座722和第二反光座724可填充有相同成分的螢光粉，或螢光粉可透過保角塗層(conformal coating)設置在每一發光裝置200a、200b上。
上述之發光裝置封裝件700可從使用矽酸鹽基黃色螢光粉和氮基綠色螢光粉以及紅色螢光粉發射出藍光的發光裝置來實現白光，以及可達到高的熱安定性且不會造成發光強度的劣化。
根據實施例之發光裝置封裝件的陣列(array)可設置在一電路板(board)上，且光學元件，例如：導光板、稜鏡片、擴散片等可設置在發光裝置封裝件的光學路徑上。發光裝置封裝件、電路板、以及該些光學 元件可作用為一照明單元。在另一實施例，可實現包含根據上述實施例之半導體發光裝置或發光裝置封裝件之一顯示裝置、一指示燈、或一照明系統。舉例而言，照明系統可包含燈泡或街燈。
在下文中，將描述包含上述發光裝置或上述發光裝置封裝件之照明系統實施例的背光單元或照明裝置。
圖9繪示包含一發光裝置封裝件之影像顯示裝置的實施例。
如範例所示，根據本實施例之影像顯示裝置900包含一光源模組；一反光片920在一底蓋910上；一導光板940設置在反光片620的前方以將從該光源模組所發射出的光引導朝向影像顯示裝置900；一第一稜鏡片950以及一第二稜鏡片960設置在導光板940的前方；一面板970設置在第二稜鏡片960的前方；以及一彩色濾光片980設置在面板970的前方。
該光源模組包含一發光裝置封裝件935在一電路板930上。此處，舉例而言，電路板930可為一PCB，而發光裝置封裝件935為上述之發光裝置封裝件。
影像顯示裝置900可包含一側光式背光單元如圖9所示，或可包含一垂直式背光單元。
上述使用之發光裝置封裝件可從使用矽酸鹽基黃色螢光粉和氮基綠色螢光粉以及紅色螢光粉發射出藍光的發光裝置來實現白光，以及可達到高的熱安定性且不會造成發光強度的劣化。
圖10繪示包含一發光裝置封裝件之照明裝置的實施例。
根據本實施例之照明裝置可包含一蓋體1100；一光源模組1200；一散熱器1400；一電源供應單元1600；一內殼1700；以及一燈座1800。 此外，根據本實施例之照明裝置可更包含一構件1300和一夾具1500中的至少一者，且光源模組1200可包含根據上述實施例之發光裝置封裝件。
蓋體1100可為中空球體(hollow bulb)或具有開口之半球形。蓋體1100和光源模組1200可彼此光學耦接。舉例而言，蓋體1100可將從光源模組1200所發射出的光漫射、散射、或激發。蓋體1100可為一光學元件。蓋體1100可與散熱器1400耦接，且可具有一連接部用以與散熱器1400耦接。
蓋體1100的內表面可塗佈乳白漆。該乳白漆可包含一漫射片以將光漫射。蓋體1100內表面的表面粗糙可大於蓋體1100外表面的表面粗糙。如此可將從光源模組1200所發射出的光充分散射以及漫射，以將光發射至外部。
蓋體1100可由，舉例而言，玻璃、塑膠、聚丙烯(polypropylene,PP)、聚乙烯(polyethylene,PE)、以及聚碳酸酯(polycarbonate,PC)所形成。此處，聚碳酸酯具有優良的抗光、耐熱及機械強度的優點。蓋體1100可為透明，因此得以從外部看見光源模組1200，或者可為不透明。蓋體1100可透過吹塑(blow molding)而形成。
光源模組1200可設置在散熱器1400的表面上。因此，來自光源模組1200的熱係傳送到散熱器1400。光源模組1200可包含複數個發光裝置封裝件1210；多個連接板1230；以及一連接器1250。
螢光粉可塗佈在蓋體1100的至少一表面上，或可被包含在光源模組1200的發光裝置封裝件1210中。
構件1300係設置在散熱器1400的上表面上，且具有引導凹 部1310用來供發光裝置封裝件1210和連接器1250的插設。引導凹部1310以一比一的比率對應發光裝置封裝件1210和連接器1250的電路板。
一反光材料可施加或塗佈在構件1300的表面上。舉例而言，一白漆可施加或塗佈在構件1300的表面上。構件1300將從蓋體1100內表面反射至光源模組1200的光反射回蓋體1100。因此，根據實施例的照明裝置可達成增光效率。
構件1300可，舉例而言，由一絕緣材料所形成。光源模組1200的連接板1230可由一電氣導電材料所形成。因此，可達成散熱器1400和連接板1230之間的電接點(electric point)。構件1300可由一絕緣材料所形成以防止該些連接板1230和散熱器1400之間的電性短路。散熱器1400可將從光源模組1200和電源供應單元1600產生的熱排散。
夾具1500係配置在靠近一接收凹口1719，接收凹口1719係由內殼1700的一絕緣部1710所界定。因此，容置於內殼1700絕緣部1710內的電源供應單元1600係與外界密封。夾具1500具有一導突部1510。導突部1510具有一孔洞用以讓電源供應單元1600的一突起物1610貫穿。
電源供應單元1600處理或轉換一電氣訊號以傳送該訊號至光源模組1200。電源供應單元1600係容置在內殼1700的接收凹口1719中，且密封在內殼1700內。電源供應單元1600可包含突起物1610；一引導部1630；一基底部1650；以及一延伸部1670。
導突部1630係從基底部1650的一側向外突起。引導部1630可插設至夾具1500內。複數個元件可排列在基底部1650的一表面上。該些元件，舉例而言，可為一DC轉換器以將一外部電源之AC功率轉換DC功 率；一驅動晶片以控制光源模組1200的驅動；以及一靜電放電(Electro-Static Discharge)防止元件以保。護光源模組1200，但並非限定於此。
延伸部1670係從基底部1650的另一側向外突起。延伸部1670係插設至內殼1700的一連接部1750以接收從一外部電源的電氣訊號。舉例而言，延伸部1670的寬度可與內殼1700連接部1750的寬度相同或小於該寬度。延伸部1670可與一正極電性導線或一負極電性導線的端部電性連接，而正極電性導線或負極電性導線的另一端可與燈座1800電性連接。
內殼1700可包含一塑模件以及電源供應單元1600於其中。該塑模件係由硬模液(harden molding liquid)所形成，且可用來將電源供應單元1600固定於內殼1700內。
使用在上述之照明裝置的發光裝置封裝件可從使用矽酸鹽基黃色螢光粉和氮基綠色螢光粉以及紅色螢光粉發射出藍光的發光裝置來實現白光，以及可達到高的熱安定性且不會造成發光強度的劣化。此外，當第一螢光粉至第三螢光粉被激發時所發射出的混合光，該混合光之光譜的半高的全寬為110nm或更大。
從上面詳細的描述，根據一實施例之發光裝置封裝件可從使用矽酸鹽基黃色螢光粉以及氮基綠色和紅色螢光粉激發而射出藍光的發光裝置來實現白光，以及可達到高的熱安定性且不會造成發光強度的劣化。此外，從該些螢光粉所射出之混合光之光譜的半峰全寬為110nm或更大時，其可使具有紅光、綠光和黃光波長的光得到優良的顏色再現性。
此外，根據另一實施例之一發光裝置封裝件可從使用氮基黃色、綠色、以及紅色螢光粉發射出藍光的發光裝置來實現白光，以及可達 到高的熱安定性且不會造成發光強度的劣化。此外，從該些螢光粉激發而發射出之混合光之光譜的半高的全寬為119nm或更大，其可使具有紅光、綠光和黃光波長的光得到優良的顏色再現性。
雖然數個實施例被用來解釋本發明，但應理解，熟習此項技藝者可想出落入本發明之精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。更特定言之，在本發明說明、圖式及所附申請專利範圍之範疇內，所主張組合配置之零部件及/或配置的各種變化及修改係為可能的。對於熟悉此項技術者而言，除了零部件及/或配置之變化及修改外，替代用途亦將顯而易見。
100‧‧‧發光裝置
120‧‧‧發光結構
122‧‧‧第一導電半導體層
124‧‧‧主動層
126‧‧‧第二導電半導體層
140‧‧‧歐姆層
150‧‧‧反射層
160‧‧‧接合層
170‧‧‧支撐基板
180‧‧‧第一電極
190‧‧‧保護層

Claims (18)

  1. 一種螢光粉，包含：一矽酸鹽基(silicate-based)第一螢光粉發射出具有黃光波長的光；一氮基(nitride-based)第二螢光粉發射出具有綠光波長的光；以及一氮基第三螢光粉發射出具有紅光波長的光，其中當該些螢光粉被具有藍光波長的光所激發時，從該第一螢光粉至該第三螢光粉所射出之混合光之光譜的半峰全寬為110nm或更大以及，其中該第一螢光粉的重量百分比在60%至75%的範圍內、該第二螢光粉的重量百分比在20%至35%的範圍內、以及該第三螢光粉的重量百分比在2%至3%的範圍內。
  2. 如專利申請範圍第1項所述之螢光粉，其中該第一螢光粉包含(Ba,Sr)2SiO4：Eu。
  3. 如專利申請範圍第1項所述之螢光粉，其中該第二螢光粉包含La3Si6N11：Ce。
  4. 如專利申請範圍第1項所述之螢光粉，其中該第三螢光粉包含(Sr,Ca)AlSiN3：Eu。
  5. 如專利申請範圍第1項所述之螢光粉，其中從該第一螢光粉、該第二螢光粉、以及該第三螢光粉所發射出之該混合光為白光，且在該白光內之綠光具有色度座標CIEx在0.296至0.316的範圍以及色度座標CIEy在0.606至0.626的範圍。
  6. 如專利申請範圍第1項所述之螢光粉，其中從該第一螢光粉、該第二螢光粉、以及該第三螢光粉所發射出之該混合光為白光，且在該白光內之綠光具有色度座標CIEx在0.624至0.644的範圍內以及色度座標CIEy在0.322至0.342的範圍。
  7. 如專利申請範圍第1項所述之螢光粉，其中從該第一螢光粉、該第二螢 光粉、以及該第三螢光粉所發射出之該混合光為白光，且在該白光內之綠光具有色度座標CIEx在0.142至0.162的範圍以及色度座標CIEy在0.044至0.064的範圍。
  8. 如專利申請範圍第1項所述之螢光粉，其中該第一螢光粉係被所具有藍光波長的光所激發，且發射出具有一波峰波長在553至558nm之範圍內的光。
  9. 如專利申請範圍第1項所述之螢光粉，其中該第二螢光粉係被所具有藍光波長的光所激發，且發射出具有一波峰波長在535nm範圍內的光，及該光之光譜的半峰全寬在107nm的範圍。
  10. 如專利申請範圍第1項所述之螢光粉，其中該第三螢光粉係被所具有藍光波長的光所激發，且發射出具有一波峰波長在625nm範圍內的光，及該光之光譜的半峰全寬在81nm的範圍。
  11. 一種發光裝置封裝件，包含：一第一電極和一第二電極，該第一電極和該第二電極彼此電性隔離；至少一發光裝置，分別與該第一電極和該第二電極電性連接，以發射出一具有第一波長的光；以及根據申請範圍第1項至第10項中所述之任一項之該些螢光粉，且被從該發光裝置所發射出之具有藍光波長的光所激發以發射出一具有第二波長的光。
  12. 一種螢光粉，包含：一第一螢光粉發射出具有黃光波長的光；一第二螢光粉發射出具有綠光波長的光；以及一第三螢光粉發射出具有紅光波長的光，其中該第一螢光粉、該第二螢光粉、和該第三螢光粉包含氮，且當該些螢光粉被具有一藍光波長的光所激發時，從該第一螢光粉至該第三螢光粉所發射出之混合光之光譜的一半峰全寬為119nm或更大， 其中該第一螢光粉為所有螢光粉總重量的25%~57%，第二螢光粉為所有螢光粉總重量的40%~70%，第三螢光粉為所有螢光粉總重量的2%~5%。
  13. 如專利申請範圍第12項所述之螢光粉，其中該第一螢光粉包含(Ba,Sr)Si2(O,Cl)2N2：Eu。
  14. 如專利申請範圍第12項所述之螢光粉，其中該第二螢光粉包含La3Si6N11：Ce。
  15. 如專利申請範圍第12項所述之螢光粉，其中該第三螢光粉包含(Sr,Ca)AlSiN3：Eu。
  16. 如專利申請範圍第12項至第15項中任一項所述之螢光粉，其中從該第一螢光粉、該第二螢光粉、以及該第三螢光粉所發射出該混合光為白光，而在該白光中之綠光具有色度座標CIEx在0.302到0.322的範圍及色度座標CIEy在0.583到0.603的範圍。
  17. 如專利申請範圍第12項至第15項中任一項所述之螢光粉，其中從該第一螢光粉、該第二螢光粉、以及該第三螢光粉所發射出該混合光為白光，而在該白光中之紅光具有色度座標CIEx在0.633至0.653的範圍及色度座標CIEy在0.324至0.344的範圍。
  18. 如專利申請範圍第12項至第15項中任一項所述之螢光粉，其中從該第一螢光粉、該第二螢光粉、以及該第三螢光粉所發射出該混合光為白光，而在該白光中之藍光具有色度座標CIEx在0.143至0.163的範圍及色度座標CIEy在0.039至0.059的範圍。
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